[go: up one dir, main page]

TWI874693B - 用於雷射功率調變之系統及方法 - Google Patents

用於雷射功率調變之系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI874693B
TWI874693B TW110128469A TW110128469A TWI874693B TW I874693 B TWI874693 B TW I874693B TW 110128469 A TW110128469 A TW 110128469A TW 110128469 A TW110128469 A TW 110128469A TW I874693 B TWI874693 B TW I874693B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser beam
power
main
particle
steps
Prior art date
Application number
TW110128469A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202217290A (zh
Inventor
阿那托利 羅曼諾夫斯基
志偉 許
由里 由第斯基
宜豐 崔
曼德 帕藍傑
Original Assignee
美商科磊股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商科磊股份有限公司 filed Critical 美商科磊股份有限公司
Publication of TW202217290A publication Critical patent/TW202217290A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI874693B publication Critical patent/TWI874693B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H10P74/203—
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8835—Adjustable illumination, e.g. software adjustable screen
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

一種半導體晶圓使用一主雷射光束及一副雷射光束檢測。該副雷射光束領先該主雷射光束且具有低於該主雷射光束之功率。使用該副雷射光束，在該半導體晶圓上偵測具有滿足一臨限值之一大小之一粒子。回應於偵測該粒子，降低該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。該粒子在該主雷射光束處於降低功率的情況下通過該主雷射光束。在該粒子在該主雷射光束處於降低功率的情況下通過該主雷射光束之後，依比一單一步驟慢之一受控方式恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。

Description

用於雷射功率調變之系統及方法
本發明係關於雷射功率調變，且更具體而言係關於用於大粒子監控之雷射功率調變。
隨著半導體設計規則之收緊，缺陷之大小相應地縮小。一缺陷檢測工具(其亦指稱一粒子檢測工具或僅為一檢測工具)應能夠偵測高級設計層(例如，具有最嚴格設計規則之設計層)中之小粒子。對於基於雷射散射之檢測工具，雷射功率密度要求將不斷提高以允許偵測越來越小之粒子。因此，新檢測工具具有更高雷射功率密度及更小焦點大小。
然而，粒子缺陷之雷射加熱會導致粒子爆炸(即，會導致粒子燒蝕)。增加雷射功率密度降低高於其發生粒子燒蝕之臨限值大小。粒子燒蝕可將一半導體晶圓上之周圍區域中之一個大粒子分解成數百個較小粒子，導致粒子污染。較高雷射功率密度亦可能會損壞沈積在晶圓上之薄膜且可能損壞晶圓本身(例如，當高功率密度與一長曝光時間相結合時)。此等問題可藉由在晶圓檢測期間動態調整雷射功率緩解。雷射功率之動態調整可指稱雷射功率調變(LPM)。
據此，需要在晶圓檢測期間用於雷射功率調變之改良方法及系統。
在一些實施例中，一種方法包含使用一主雷射光束及一副雷射光束檢測一半導體晶圓。該副雷射光束領先該主雷射光束且具有低於該主雷射光束之功率。該方法亦包含：使用該副雷射光束偵測該半導體晶圓上具有滿足一臨限值之一大小之一粒子；及回應於偵測該粒子，降低該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。該粒子在該主雷射光束處於降低功率的情況下通過該主雷射光束。該方法進一步包含在該粒子在該主雷射光束處於降低功率的情況下通過該主雷射光束之後，依比一單一步驟慢之一受控方式恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
在一些實施例中，一種系統包含用於向一半導體晶圓提供一主雷射光束及一副雷射光束之光學器件。該副雷射光束領先該主雷射光束且具有低於該主雷射光束之功率。該系統亦包含用於使用該副雷射光束偵測該半導體晶圓上具有滿足一臨限值之一大小之一粒子之一偵測器。該光學器件包含一調變器以回應於偵測該粒子，使：當該粒子通過該主雷射光束時降低該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率；且在該粒子通過該主雷射光束之後，依比一單一步驟慢之一受控方式恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
100:系統
102:第三雷射光束
104:繞射光學元件(DOE)
106:主雷射光束
108:副雷射光束
110:鏡
112:光斑
114:光斑
116:半導體晶圓
118:粒子
120:成像物鏡
122:分束器
124:偵測器
126:透鏡
128:光瞳平面
130:透鏡
132:晶圓-影像平面
134:光束阻擋遮罩
136:透鏡
138:PMT或PMT陣列
140:信號
200:信號
202:信號
204:功率
300:功率
302:第一步驟
304:第二步驟
306:第三步驟
308:曲線
310:實質上線性斜坡
312:曲線
400:曲線圖
402:模型化最小燒蝕大小
404:模型化副光束靈敏度
406:主光束
408:點
410:點
500:雷射光束功率調變系統
502:雷射器
504:雷射光束
506:聲光調變器(AOM)
508:衰減器
510:控制器
512:控制信號
514:驅動器
516:光束收集器
518:第一鏡
520:第二鏡
522:感測器
524:狹縫
526:光束收集器
528:初級光束
530:繞射光束
532:光束減少望遠鏡
534:球面透鏡
536:柱面透鏡
538:柱面透鏡
540:產生器
542:轉換光束
544:第二部分
546:頻率分離器
548:光束收集器
550:佩林-布洛卡稜鏡
552:第三鏡
554:光束收集器
556:第四鏡
558:光束收集器
560:感測器
600:方法
602:產生
604:轉換
606:分成
608:提供
610:檢測
612:偵測
614:降低
616:降低
618:降低
620:恢復
622:恢復
624:逐漸增加
626:恢復
628:恢復
d:距離
為了更佳理解所描述之各種實施方案，應結合以下附圖參考以下[實施方式]。附圖可不按比例繪製。
圖1係根據一些實施例之用於檢測一半導體晶圓之一系統之組件之一圖。
圖2展示根據一些實施例之一副光束之光斑及一主光束之光斑相對於一粒子之位置、用於偵測粒子之主光束及副光束信號及逐步降低及恢復光束功率以避免燒蝕粒子。
圖3展示根據一些實施例之可依比一單一步驟慢之一受控方式恢復主光束之功率及副光束之功率之各種方式。
圖4係展示模型化最小燒蝕大小及副光束靈敏度與雷射功率之一曲線圖。
圖5係展示根據一些實施例之具有一聲光調變器(AOM)之一雷射光束功率調變系統之一圖。
圖6係根據一些實施例之在檢測一半導體晶圓時調變一主雷射光束及一副雷射光束之功率以避免大粒子燒蝕之一方法之一流程圖。
貫穿附圖及說明書，相同元件符號係指對應部分。
本申請案主張2020年9月24日申請之美國臨時專利申請案第63/082,484號之優先權，該案出於所有目的全文以引用的方式併入本文中。
現將詳細參考各種實施例，其實例在附圖中繪示。在以下詳細描述中，闡述許多具體細節以提供對各種所描述之實施例之一透徹理解。然而，一般技術者將明白，可在沒有此等具體細節之情況下可實踐所描述之各種實施例。在其他例項中，未詳細描述眾所周知之方法、程序、組件、電路及網路，以免不必要地混淆實施例之態樣。
圖1係根據一些實施例之用於檢測一半導體晶圓116之一系統100之組件之一圖。系統100使用一主雷射光束(「主光束」)106及一副 雷射光束(「副光束」)108來檢測一半導體晶圓116。具有比主光束106低之功率之副光束108亦可指稱一LPM光束。系統100中之照明光學器件，包含一鏡110及其他光學組件(其等為簡單起見未展示於圖1中)，向晶圓116提供主光束106及副光束108。(照明光學器件中之其他光學組件之實例展示於圖5中，如下文所論述)。主光束106及副光束108在晶圓116上形成各自光斑112及114。副光束108領先(即先於)主光束106，使得晶圓116上之一粒子118在通過主光束106(即，通過光斑112)之前通過副光束108(即，通過光斑114)。晶圓116可在檢測期間旋轉(例如，使用一旋轉卡盤，未展示，其上安裝有晶圓116)，使得晶圓116之旋轉使粒子118在通過主光束106之前通過副光束108。
自各自光斑112及114散射之光由一成像物鏡120收集並提供給一分束器122。分束器122將主光束106及副光束108之大部分光束功率(例如，光束功率之98%)(如自光斑112及114散射)引導至主通道偵測器124，主通道偵測器124偵測晶圓116上之缺陷。當引導至主通道偵測器124時之來自副光束108之光係偏離被引導至主通道偵測器124之來自主光束106之光。主通道偵測器124之孔徑可定位成允許主通道偵測器124接收來自主光束106之光，同時拒絕來自副光束108之光。主通道偵測器124偵測晶圓116上之缺陷，包含足夠小而不由主光束106燒蝕之缺陷。
分束器122將主光束106及副光束108(如自光斑112及114散射)之一些光束功率(例如，光束功率之2%)傳輸朝向一光電倍增管(PMT)或PMT陣列138(或另一偵測器)。透鏡126、130及136將來自如由分束器122傳輸之副光束108之光聚焦至PMT或PMT陣列138上。光可通過透鏡126與130之間的一光瞳平面128且通過透鏡130與136之間的一晶圓- 影像平面132。一光束阻擋遮罩134(例如，定位於透鏡130與136之間)阻擋來自主光束106之光，因此防止來自主光束106之光到達PMT或PMT陣列138。
成像物鏡120；分束器122；透鏡126、130及136；及光束阻擋遮罩134至少部分構成系統100之收集光學器件。收集光學器件可包含其他光學元件，其等為了簡單起見未展示。
副光束108之功率足以允許PMT或PMT陣列138偵測粒子，諸如粒子118，其足夠大以在此等粒子通過主光束106之前成為由主光束106燒蝕之風險(即，具有滿足一臨限值之一大小之粒子)。然而，副光束108之功率足夠低以防止副光束108自身燒蝕大粒子。主光束106具有高於副光束108之功率以允許其偵測不由主光束106燒蝕且可能無法使用副光束108偵測之較小缺陷。指示存在由主光束106燒蝕之風險之一大粒子之來自PMT或PMT陣列138之資訊用於降低主光束106之功率直至大粒子已通過主光束106，因此避免燒蝕。例如，PMT或PMT陣列138回應於偵測由主光束106燒蝕風險之一大粒子(即，具有滿足一臨限值之一大小之一粒子)而確立一信號140。回應於信號140之確立，可暫時降低主光束106之功率。
在一些實施例中，系統100中之照明光學器件包含將一第三雷射光束102分成主光束106及副光束108之一繞射光學元件(DOE)104(或其他分束器)。因此，主光束106及副光束108可具有類似光束大小及強度分佈。
圖2展示副光束108之光斑114及主光束106之光斑112相對於粒子118之位置。光斑114領先(即先於)光斑112一距離d。距離d(例如) 在100um至150um之範圍內。粒子118將首先通過光斑114且接著將隨後通過光斑112距離d。粒子118通過光斑114產生指示粒子118之存在之一信號200(即一副光束信號)。副光束108具有足夠功率來偵測粒子118但不燒蝕粒子118，因此粒子118通過光斑114不導致粒子118之燒蝕。在主光束106之功率沒有衰減之情況下，粒子118通過光斑112導致一信號202(即一主光束信號)指示粒子118之存在。信號202大於信號200，因為主光束106之功率高於副光束108之功率。主光束106之功率不僅足以偵測粒子118而且足以燒蝕粒子118，其將導致晶圓116(圖1)之額外污染。
為了避免此燒蝕，主光束106之功率204自一值Pmain減小(即衰減)，其係在沒有偵測具有足以導致燒蝕之一大小達Pmain/AR之一粒子之情況下主光束106之預設功率，其中AR係衰減比(即，功率204降低之因數)。衰減比AR可對應於(例如等於)Pmain與Psecondary之間的比率，其中Psecondary係副光束108之預設功率(例如，AR=Pmain/Psecondary)。因此，主光束106之功率可自Pmain衰減至Psecondary以避免燒蝕粒子118。選擇Psecondary之值以允許最大粒子偵測而不引起粒子燒蝕，且因此係在一大粒子存在之情況下將主光束106降低至其之一期望功率。在圖2之實例中，主光束106之功率204在粒子118到達光斑112之前在一單一步驟中自Pmain減小至Pmain/AR，在粒子118橫越光斑112時維持在減小功率Pmain/AR，且在粒子118已橫越光斑112之後在一單一步驟中自Pmain/AR恢復至Pmain。因此，功率204自一第一功率位準降低至一第二功率位準，在粒子118橫越光斑112時維持在降低功率位準，且接著恢復至第一功率位準。在一些實施例中，主光束106之功率204以足以允許粒子118橫越光斑112之一預設時間段(即一預設持續時間)內保持在降低功率Pmain/AR。
因為根據一些實施例，主光束106及副光束108藉由分裂第三雷射光束102(圖1)產生，所以相應地，主光束106之功率可藉由衰減第三雷射光束102之功率自Pmain降低至Pmain/AR(即，藉由調變第三雷射光束102以降低其功率)。衰減第三雷射光束102之功率亦降低副光束108之功率。因此，副光束108之功率可自Psecondary降低至Psecondary/AR，同時主光束106之功率降低至Pmain/AR且在主光束106之功率恢復至Pmain時恢復至Psecondary。
圖2展示一單一粒子118。單一粒子118之偵測指稱一初級觸發。初級觸發導致一觸發狀態，其中一調變器(例如，AOM 506，圖5)將主光束106之功率自Pmain降低至Pmain/AR且將副光束108之功率自Psecondary降低至Psecondary/AR。多個大粒子可彼此靠近定位，使得一第二大粒子可在觸發狀態期間通過副光束108之光斑114。然而，第二大粒子可不到達主光束106之光斑112，直至觸發狀態結束之後，當主光束106之功率已自Pmain/AR恢復至Pmain，在該情況下，第二粒子將被燒蝕。因此期望能夠使用處於第二狀態之副光束108來偵測此第二粒子。此偵測指稱一次級觸發，其擴展觸發狀態，使得調變器在第二粒子通過主光束106時(例如，在一預設持續時間內)維持具有降低功率Pmain/AR之主光束106且相應地維持副光束108。然而，偵測此第二粒子係困難的，因為在觸發狀態期間副光束108之降低功率Psecondary/AR可不足以偵測第二粒子。使此問題複雜的係增加檢測工具之雷射功率密度以允許偵測更小粒子。
藉由依比一單一步驟慢之一受控方式恢復主光束106之功率及副光束108之功率，可至少部分緩解此問題。圖3展示根據一些實施例可依此一受控方式恢復主光束106之功率300之各種方式，其中副光束108之功率相應地恢復。在一些實施例中，主光束106之功率300(且相應 地，副光束108之功率)在一系列步驟302、304及306中恢復。各步驟302、304及306對應於一不同功率位準。儘管圖3展示3個步驟(即，具有兩個中間步驟302及304)，但步驟之數目可更少(即，可為兩個步驟)或更多(例如，3至7個步驟，或5至7個步驟)。第一步驟302具有小於AR之一衰減比A1：第一步驟302處之主光束106之功率係Pmain/A1(且副光束108之功率係Psecondary/A1)。第二步驟304具有小於A1之一衰減比A2：第二步驟304處之主光束106之功率係Pmain/A2(且副光束108之功率係Psecondary/A2)。在第三步驟306處(或更一般而言，最後步驟)，主光束106之功率完全恢復至Pmain(且副光束108之功率完全恢復至Psecondary)。AR之值(例如)在100至400之範圍內。A1之值(例如)在20至50之範圍內。A2之值(例如)在2至10之範圍內。功率300保持在Pmain/AR(且副光束108之功率保持在Psecondary/AR)之持續時間(例如)係在300us至400us或400us至500us之範圍內之一預設持續時間(例如，取決於晶圓116之旋轉速度)。各中間步驟302及304之持續時間(例如)係300us至400us之範圍內之一預設持續時間。
在一些實施例中，主光束106之功率300(及相應地，副光束108之功率)藉由以一實質上平滑曲線(例如，平滑至可用解析度內)(諸如曲線308或312)逐漸增加主光束106及副光束108之功率恢復。在一些實施例中，主光束106之功率300(及相應地，副光束108之功率)藉由亦一實質上線性斜坡310(例如，在可用解析度內線性)逐漸增加主光束106及副光束108之功率恢復。
圖4係繪示圖3之受控功率恢復背後之原理之一曲線圖400。曲線圖400展示模型化最小燒蝕大小402(即，將導致燒蝕之最小粒 子大小)及模型化副光束靈敏度404(即，可使用副光束108偵測之最小粒子大小)與粒子大小及雷射功率之任意單位(「a.u.」)之雷射功率。提供雷射功率之x軸具有一對數標度，而提供粒子大小之y軸具有一線性標度。圖3之受控功率恢復利用副光束靈敏度404與最小燒蝕大小402之間的差異。
在曲線圖400之最右側(即，x軸上之點410)，主光束106之功率係Pmain且副光束108之功率係Psecondary。在曲線圖400之最左側(即，x=0.005)，主光束106之功率係Pmain/AR且副光束108之功率係Psecondary/AR。在x軸上之一點406處，主光束106之功率係Pmain/A1且副光束108之功率係Psecondary/A1。在x軸上之一點408處，主光束106之功率係Pmain/A2且副光束108之功率係Psecondary/A2。點406對應於步驟302(圖3)。點408對應於步驟304(圖3)。
在點410處(即，全功率位準，其係預設功率位準)，副光束靈敏度404等於0.15，其幾乎等於最小燒蝕大小402。在x=0.005處(即，在降低功率位準)，然而，副光束靈敏度404僅為0.4，其顯著高於點410處之最小燒蝕大小。以降低功率位準通過光斑114但接著以全功率位準通過光斑112之大小在大致0.15至0.4之範圍內之粒子，歸因於在一單一步驟中光束功率之恢復，將不使用副光束108偵測且將被燒蝕。但若光束功率僅部分恢復至對應於點406之步驟302(圖3)，則副光束靈敏度404顯著提高(剛好高於0.2)，藉此在步驟302之週期期間使用副光束108提高偵測燒蝕大小粒子之能力。此改良增加一成功副觸發之可能性並降低粒子燒蝕之可能性。進一步部分恢復光束功率至步驟304(圖3)進一步提高副光束靈敏度404，藉此進一步增加一成功副觸發之可能性並降低粒子燒蝕之可能性。在點408處，副光束108可用於偵測將以全功率位準燒蝕之最小大小粒 子。
圖5係展示根據一些實施例之用於產生主光束106及副光束108之一雷射光束功率調變系統500之一圖。系統500包含產生一雷射光束504之一雷射器502。在一些實施例中，雷射器502係一綠色雷射器且雷射光束係綠色(例如，具有在500nm至565nm之範圍內之一頻率)。例如，雷射器502係532nm之一鎖模雷射器。在一些實施例中，雷射器502包含一雷射腔及使來自雷射腔之雷射光之頻率加倍之一二次諧波產生器(SHG)。例如，雷射腔包含一Nd：YVO4晶體，其以1064nm之一基本波長發出雷射且SHG將1064nm光轉換成532nm光，產生雷射光束504。
一聲光調變器(AOM)506接收雷射光束504且基於自一驅動器514接收之一輸入信號將雷射光束504分成一初級光束528(即一零階光束)及複數個繞射光束530(例如，+/-1個繞射級光束、+/-2個繞射級光束等等)。AOM 506基於來自驅動器514之輸入信號藉由將雷射光束504之一部分繞射成繞射光束530來執行此分離。因此，初級光束528之功率小於當AOM 506操作時雷射光束504之功率。輸入信號指定由AOM 506執行之繞射之量值，且藉此指定初級光束528之功率降低，其對應於經執行之分離量。
在一些實施例中，驅動器514係一射頻(RF)驅動器且輸入信號係一RF信號。初級光束528之功率取決於輸入信號，複數個繞射光束530之功率亦如此。例如，增加輸入信號之RF功率增加由AOM 506執行之繞射且藉此降低初級光束528之功率：較多雷射光束504被繞射成複數個繞射光束530。類似地，降低輸入信號之RF功率降低由AOM 506執行之繞射且藉此增加初級光束528之功率：較少雷射光束504被繞射成複數 個繞射光束530。
一狹縫524充當一濾光器，其傳輸初級光束528且轉出(即濾出)複數個繞射光束530。在一些實施例中，狹縫524包含在其等之間具有一間隙之一對鏡。間隙傳輸初級光束528(即初級光束528通過間隙)，而鏡將複數個繞射光束530反射至一光束收集器526。
在一些實施例中，一或多個鏡將初級光束528及複數個繞射光束530引導朝向狹縫524。一或多個鏡可包含一第一鏡(M1)518及一第二鏡(M2)520。第一鏡518反射初級光束528及複數個繞射光束530，將其等引導朝向第二鏡520。第二鏡520反射初級光束528及複數個繞射光束530，將其等引導朝向狹縫524。第一鏡518及第二鏡520沿初級光束528及複數個繞射光束530之光學路徑位於AOM 506與狹縫524之間。第一鏡518沿初級光束528及複數個繞射光束530之光學路徑位於AOM 506與第二鏡520之間。
在一些實施例中，系統500進一步包含一衰減器508以衰減初級光束528。衰減器508亦可衰減複數個繞射光束530。例如，衰減器508將來自初級光束528及複數個繞射光束530之一些光引導至一光束收集器516。衰減器508可定位於AOM 506與將初級光束528及複數個繞射光束530引導朝向狹縫524之一或多個鏡之間。例如，衰減器508位於AOM 506與第一鏡518之間。
在一些實施例中，一感測器522(例如一綠色感測器)接收來自由一或多個鏡之一各自鏡洩漏之初級光束528之光。各自鏡反射初級光束528但不完全，且因此自初級光束528洩漏(即傳輸)一些光。例如，各自鏡係第二鏡520：來自初級光束528之光透過第二鏡520洩漏且提供給感 測器522。感測器522可包含一孔徑以濾出來自透過第二鏡520洩漏之複數個繞射光束530之光，使得感測器522僅感測來自初級光束528之光。由各自鏡洩漏且由感測器522感測之光之功率與初級光束528之功率相關(例如，係其之一百分比)。藉由感測此光，感測器522產生指示初級光束528之功率之反饋且將此反饋提供給一控制器510。
控制器510(例如一微控制器)部分基於來自感測器522之反饋產生一控制信號512。在一些實施例中，控制器510自產生控制信號512之程序中之反饋過濾雜訊(例如，千赫級雜訊)。控制器510將控制信號512提供給驅動器514，驅動器514基於控制信號512產生提供給AOM 506之輸入信號。例如，控制信號512指定輸入信號之RF功率。在一些實施例中，控制信號512係提供給驅動器514之一輸入之一DC電壓(VDC)。
當由狹縫524傳輸時，初級光束528提供給一諧波產生器540，其將初級光束528之一第一部分轉換成一轉換光束542，該轉換光束542係初級光束528之一諧波。諧波產生器540亦傳輸初級光束528之一第二部分544，因為諧波產生器540之轉換效率小於100%。諧波產生器540包含一非線性光學晶體(例如一硼酸銫鋰(CLBO)晶體)。在一些實施例中，諧波產生器540係一四次諧波產生器：轉換光束542之頻率可為由雷射器502中之雷射腔發射之雷射光束之基本頻率之四倍，及初級光束528之頻率之兩倍。在一些實施例中，初級光束528係綠色且轉換光束542係紫外線(UV)。例如，初級光束528具有532nm之一波長且轉換光束542具有266nm之一波長。
在一些實施例中，一光束減少望遠鏡(BRT)532將初級光束528聚焦至諧波產生器540上。光束減少望遠鏡532位於初級光束528之 路徑中之狹縫524與諧波產生器540之間。光束減少望遠鏡532可將初級光束528之束斑形狀自圓形改變為橢圓形。光束減少望遠鏡532可包含一球面透鏡534及一對柱面透鏡536及538，球面透鏡534最靠近狹縫524。
因為轉換光束542係初級光束528之一諧波，因此其具有與初級光束528不同之一頻率，及因此與初級光束528之第二部分544不同之一頻率。一頻率分離器546接收轉換光束542及初級光束之第二部分544，傳輸轉換光束542，且轉出初級光束之第二部分544。
在一些實施例中，一感測器560(例如一UV感測器)接收來自由頻率分離器546洩漏之轉換光束542之光。由頻率分離器546洩漏且由感測器560感測之光之功率與轉換光束542之功率相關(例如，係其之一百分比)。藉由感測此光，感測器560產生指示轉換光束542之功率之反饋且將此反饋提供給控制器510。控制器510可部分基於來自感測器560之反饋產生控制信號512。例如，控制器510可使用來自感測器560及感測器522兩者之反饋產生控制信號512，或可使用來自感測器560之反饋而非來自感測器522之反饋產生控制信號512。替代地，控制器510可使用來自感測器522之反饋而非來自感測器560之反饋來產生控制信號512。在一些實施例中，控制器510在產生控制信號512之程序中自來自感測器560及/或感測器522之反饋過濾雜訊(例如，千赫級雜訊)。
除自感測器560及/或522接收反饋之外，控制器510自PMT或PMT陣列138(圖1)(或自另一偵測器)接收信號140。除來自感測器560及/或522之反饋之外或代替來自感測器560及/或522之反饋，控制器510可使用信號140產生控制信號512。例如，控制器510可產生一控制信號512，其使初級光束528回應於信號140之確立，依如圖3中所展示之一受 控方式調變。
在一些實施例中，頻率分離器546包含一佩林-布洛卡稜鏡550、一第三鏡(M3)552及一第四鏡(M4)556。第三鏡552位於佩林-布洛卡稜鏡550與轉換光束542之光束路徑中之第四鏡556之間。佩林-布洛卡稜鏡550在空間上將轉換光束542與初級光束之第二部分544分開。此外，佩林-布洛卡稜鏡550之前表面反射初級光束之第二部分544之部分，將其引導至一光束收集器548。二向色之第三鏡552反射轉換光束542，同時將初級光束之第二部分544傳輸至一光束收集器554，藉此轉出初級光束之第二部分544。
藉由反射轉換光束542，第三鏡552將轉換光束542引導至第四鏡556，第四鏡556反射轉換光束542且藉此將轉換光束542傳輸超過頻率分離器546。第三鏡552亦可將初級光束之第二部分544之一些(例如，<5%)在一空間分離之路徑上反射至第四鏡556。亦可為二向色之第四鏡556反射一些(例如，<5%)之)來自初級光束之第二部分之此光，將其引導至一光束收集器558。因此，頻率分離器546實質上轉出初級光束之第二部分544(例如，未由諧波產生器540轉換成UV之綠光)，同時傳輸轉換光束542(例如，由諧波產生器540產生之UV光)。
如由頻率分離器546傳輸之轉換光束542提供給DOE 104(或另一分束器)，其將轉換光束542分成主光束106及副光束108。轉換光束542係第三雷射光束102(圖1)之一實例。
在一些實施例中，控制器510包含處理器電路系統且可包含嵌入式非揮發性記憶體，其儲存用於由處理器電路系統執行之指令(例如，一或多個程式)。例如，控制器510可為具有嵌入式快閃記憶體或其他 非揮發性記憶體之一微控制器。替代地，控制器耦合至單獨非揮發性記憶體，該記憶體儲存用於由處理器電路系統執行之指令。非揮發性記憶體，無論係嵌入或耦合至控制器510，係一非暫時性電腦可讀儲存媒體之一實例。當由處理電路系統執行時，指令使控制器510實施本文中為控制器510描述之功能(例如，產生控制信號512)。在一些實施例中，控制器510包含一濾波器(例如，一類比濾波器，諸如一RC濾波器)，其可回應於信號140之確立(例如，在信號140之確立之後之一預設時間段)而選擇性地連接至驅動器514以允許初級光束528之功率(及因此轉換光束542之功率)以一實質上平滑曲線(例如，曲線308或312，圖3)逐漸增加。
在一些實施例中，使用一不同類型之調變器代替AOM 506來調變初級光束528。例如，可使用一普克爾斯盒。
圖6係根據一些實施例之在檢測一半導體晶圓(例如，晶圓116，圖1)時調變一主雷射光束(例如，主光束106，圖1及圖5)及一副雷射光束(例如，副光束108，圖1及圖5)之功率以避免大粒子燒蝕之一方法600之一流程圖。
在方法300之一些實施例中，產生(602)一第三雷射光束(例如，第三雷射光束102，圖1；轉換光束542，圖5)。例如，使用一諧波產生器(例如，諧波產生器540，圖5)將一第四雷射光束(例如，初級光束528，圖5)之一部分轉換(604)成第三雷射光束，使得第三雷射光束係第四雷射光束之一諧波。將第三雷射光束分成(606)主雷射光束及副雷射光束。例如，將第三雷射光束提供(608)給一繞射光學元件(例如，DOE 104，圖1及圖5)，其將第三雷射光束分成主雷射光束及副雷射光束。
使用主雷射光束及副雷射光束檢測(610)半導體晶圓。副雷 射光束領先主雷射光束(例如，一距離d，圖3)且具有比主雷射光束低之功率。
使用副雷射光束，在半導體晶圓上偵測(612)具有滿足一臨限值之一大小(即，粒子之大小超過，或等於或超過臨限值)之一粒子(例如，粒子118，圖1、圖3及圖5)。
回應於偵測粒子，降低(614)主雷射光束之功率及副雷射光束之功率。例如，主雷射光束之功率及副雷射光束之功率在一單一步驟中降低，如圖3中所展示。粒子在該主雷射光束處於降低功率的情況下通過主雷射光束(例如，處於一降低功率位準Pmain/AR)。
在一些實施例中，為了降低主雷射光束之功率及副雷射光束之功率，降低(616)第三雷射光束之功率。例如，降低(618)第四雷射光束之功率，藉此降低第三雷射光束之功率且因此降低主雷射光束之功率及副雷射光束之功率。可回應於偵測粒子而確立一信號(例如，信號140，圖1及圖5)。可回應於信號之確立來降低第四雷射光束之功率。若使用第四雷射光束之路徑中之一AOM(例如，AOM 506，圖5)來調變第四雷射光束之功率，則可藉由增加提供給AOM(例如，由驅動器514，由控制器510控制，圖5)之RF功率來降低第四雷射光束之功率。
在粒子在主雷射光束處於降低功率的情況下通過主雷射光束之後，主雷射光束之功率及副雷射光束之功率依比一單一步驟慢之一受控方式恢復(620)。在一些實施例中，在一系列步驟(例如，步驟302、304及306，圖3)中恢復(622)主雷射光束之功率及副雷射光束之功率。例如，該系列步驟可包含三至七個步驟(例如，五至七個步驟)。在一些其他實施例中，主雷射光束之功率及副雷射光束之功率以一實質上平滑曲線(例 如，曲線308或312，圖3)或以一實質上線性斜坡(例如，實質上線性斜坡310，圖3)逐漸增加(624)。
在一些實施例中，為了恢復主雷射光束之功率及副雷射光束之功率，依受控方式恢復(626)第三雷射光束之功率。例如，可以一系列步驟(例如，以三至七個步驟)(例如，以五至七個步驟)恢復第三雷射光束。在另一實例中，第三雷射光束之功率以一實質上平滑曲線或以一實質上線性斜坡逐漸增加。
在一些實施例中，為了恢復第三雷射光束之功率，依受控方式恢復(628)第四雷射光束之功率。例如，可以一系列步驟(例如，以三至七個步驟)(以五至七個步驟)(例如，至少三個步驟或至少五個步驟)恢復第四雷射光束。在另一實例中，第四雷射光束之功率以一實質上平滑曲線或以一實質上線性斜坡逐漸增加。根據一些實施例，第四雷射光束之功率可藉由降低提供給AOM之RF功率(即，相對於用於降低第四雷射光束之功率之增加RF功率而降低RF功率)來恢復。例如，在步驟618中，可降低提供給AOM之RF功率以將其恢復至其在第四雷射光束之功率降低之前之位準。
儘管方法600包含看起來依一特定順序發生之數個操作，但方法600可包含更多或更少操作。兩個或兩個以上操作可組合成一單一操作。兩個或兩個以上操作之執行可重疊。例如，在執行方法600中之其他操作時，可連續地執行檢測操作610。
出於解釋之目的，已參考特定實施例描述前述描述。然而，以上繪示性討論並非旨在窮舉或將申請專利範圍之範疇限制為所揭示之精確形式。鑑於上述教示，諸多修改及變化係可行的。選擇實施例係為 了最佳解釋申請專利範圍及其實際應用基礎之原理，以藉此使熟習此項技術者最佳使用具有適合經考慮之特定用途之各種修改之實施例。
112:光斑
114:光斑
118:粒子
300:功率
302:第一步驟
304:第二步驟
306:第三步驟
308:曲線
310:實質上線性斜坡
312:曲線
d:距離

Claims (32)

  1. 一種用於雷射功率調變之方法，其包括：使用一主雷射光束及一副雷射光束檢測一半導體晶圓，其中該副雷射光束領先該主雷射光束且具有低於該主雷射光束之功率；使用該副雷射光束偵測該半導體晶圓上具有滿足一臨限值之一大小之一粒子；回應於偵測該粒子，降低該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率，其中該粒子在該主雷射光束處於降低功率的情況下通過該主雷射光束；及在該粒子在該主雷射光束處於降低功率的情況下通過該主雷射光束之後，依比一單一步驟慢之一受控方式恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
  2. 如請求項1之方法，其中依該受控方式恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率包括以一系列步驟恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
  3. 如請求項2之方法，其中該系列步驟由三至七個步驟組成。
  4. 如請求項2之方法，其中該系列步驟包括至少三個步驟。
  5. 如請求項1之方法，其中依該受控方式恢復該主雷射光束之該功率及 該副雷射光束之該功率包括以一實質上平滑曲線逐漸增加該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
  6. 如請求項1之方法，其中依該受控方式恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率包括以一實質上線性斜坡逐漸增加該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包括將一第三雷射光束分成該主雷射光束及該副雷射光束，其中：降低該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率包括降低該第三雷射光束之該功率；及依該受控方式恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率包括依該受控方式恢復該第三雷射光束之該功率。
  8. 如請求項7之方法，其中分離該第三雷射光束包括將該第三雷射光束提供給將該第三雷射光束分成該主雷射光束及該副雷射光束之一繞射光學元件。
  9. 如請求項7之方法，其進一步包括產生該第三雷射光束，其中產生該第三雷射光束包括使用一諧波產生器將一第四雷射光束之一部分轉換成該第三雷射光束，該第三雷射光束係該第四雷射光束之一諧波。
  10. 如請求項9之方法，其中： 降低該第三雷射光束之該功率包括降低該第四雷射光束之該功率；及依該受控方式恢復該第三雷射光束之該功率包括依該受控方式恢復該第四雷射光束之該功率。
  11. 如請求項10之方法，其中依該受控方式恢復該第四雷射光束之該功率包括以一系列步驟恢復該第四雷射光束之該功率。
  12. 如請求項11之方法，其中該系列步驟由三至七個步驟組成。
  13. 如請求項11之方法，其中該系列步驟包括至少三個步驟。
  14. 如請求項10之方法，其中依該受控方式恢復該第四雷射光束之該功率包括以一實質上平滑曲線逐漸增加該第四雷射光束之該功率。
  15. 如請求項10之方法，其中依該受控方式恢復該第四雷射光束之該功率包括以一實質上線性斜坡逐漸增加該第四雷射光束之該功率。
  16. 如請求項10之方法，其進一步包括回應於偵測該粒子而確立一信號，其中：降低該第四雷射光束之該功率包括增加提供至該第四雷射光束之該路徑中之一聲光調變器(AOM)之射頻(RF)功率；及依該受控方式恢復該第四雷射光束之該功率包括降低提供至該AOM之該RF功率。
  17. 一種用於雷射功率調變之系統，其包括：光學器件，其用於向一半導體晶圓提供一主雷射光束及一副雷射光束，其中該副雷射光束領先該主雷射光束且具有低於該主雷射光束之功率；及一偵測器，其用於使用該副雷射光束偵測該半導體晶圓上具有滿足一臨限值之一大小之一粒子；其中該光學器件包括一調變器以回應於偵測該粒子而使：當該粒子通過該主雷射光束時降低該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率；且在該粒子通過該主雷射光束之後，依比一單一步驟慢之一受控方式恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
  18. 如請求項17之系統，其中該調變器以一系列步驟恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
  19. 如請求項18之系統，其中該系列步驟由三至七個步驟組成。
  20. 如請求項18之系統，其中該系列步驟包括至少三個步驟。
  21. 如請求項17之系統，其中該調變器藉由以一實質上平滑曲線逐漸增加該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率來恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
  22. 如請求項17之系統，其中該調變器以一實質上線性斜坡恢復該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率。
  23. 如請求項17之系統，其中：該偵測器回應於偵測該粒子而確立一信號；且該系統進一步包括用於接收該信號之一控制器，其中：當該粒子通過該主雷射光束時，該控制器回應於該信號之確立而使該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率降低；且該控制器在該粒子通過該主雷射光束之後，使該主雷射光束之該功率及該副雷射光束之該功率依該受控方式恢復。
  24. 如請求項23之系統，其進一步包括用於將一第三雷射光束分成該主雷射光束及該副雷射光束之一分束器，其中：當該粒子通過該主雷射光束時，該控制器回應於該信號之確立而使該第三雷射光束之該功率降低；且該控制器係用以使在該粒子通過該主雷射光束之後依該受控方式恢復該第三雷射光束之該功率。
  25. 如請求項24之系統，其中該分束器包括一繞射光學元件。
  26. 如請求項24之系統，其進一步包括用於將一第四雷射光束之一部分轉換成該第三雷射光束之一諧波產生器，該第三雷射光束係該第四雷射光 束之一諧波，其中：當該粒子通過該主雷射光束時，該控制器回應於該信號之確立而使該第四雷射光束之該功率降低；且該控制器在該粒子通過該主雷射光束之後，依該受控方式使該第四雷射光束之該功率恢復。
  27. 如請求項26之系統，其中：該調變器係一聲光調變器(AOM)；該系統進一步包括一射頻(RF)驅動器，耦合於該控制器與該AOM之間，以向該AOM提供RF功率；當該粒子通過該主雷射光束時，該控制器回應於該信號之確立，藉由當該粒子通過該主雷射光束時使該RF驅動器增加提供給該AOM之該RF功率而使該第四雷射光束之該功率降低；且在該粒子通過該主雷射光束之後，該控制器藉由在該粒子通過該主雷射光束之後使該RF驅動器降低提供給該AOM之該RF功率而使該第四雷射光束之該功率依該受控方式恢復。
  28. 如請求項27之系統，其中該控制器在一系列步驟中使該第四雷射光束之該功率恢復。
  29. 如請求項28之系統，其中該系列步驟由三至七個步驟組成。
  30. 如請求項28之系統，其中該系列步驟包括至少三個步驟。
  31. 如請求項27之系統，其中該控制器使該第四雷射光束之該功率以一實質上平滑曲線恢復。
  32. 如請求項27之系統，其中該控制器使該第四雷射光束之該功率以一實質上線性斜坡恢復。
TW110128469A 2020-09-24 2021-08-03 用於雷射功率調變之系統及方法 TWI874693B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063082484P 2020-09-24 2020-09-24
US63/082,484 2020-09-24
US17/224,913 US12345658B2 (en) 2020-09-24 2021-04-07 Large-particle monitoring with laser power control for defect inspection
US17/224,913 2021-04-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202217290A TW202217290A (zh) 2022-05-01
TWI874693B true TWI874693B (zh) 2025-03-01

Family

ID=80740199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110128469A TWI874693B (zh) 2020-09-24 2021-08-03 用於雷射功率調變之系統及方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US12345658B2 (zh)
JP (1) JP7770393B2 (zh)
KR (1) KR20230073201A (zh)
CN (1) CN116018513A (zh)
DE (1) DE112021003856T5 (zh)
TW (1) TWI874693B (zh)
WO (1) WO2022066387A1 (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004001382A2 (en) * 2002-06-24 2003-12-31 Tsi Incorporated Analysis systems detecting particle size and fluorescence
TW201734428A (zh) * 2007-11-15 2017-10-01 愛克斯崔里斯科技有限公司 粒子檢測器
TW201832304A (zh) * 2017-01-30 2018-09-01 美商克萊譚克公司 用於光譜組成分析之晶圓粒子缺陷之活化
TW201907178A (zh) * 2017-06-20 2019-02-16 美商特索羅科學有限公司 發光二極體測試設備及製造方法
US10324045B2 (en) * 2016-08-05 2019-06-18 Kla-Tencor Corporation Surface defect inspection with large particle monitoring and laser power control

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091488A (en) * 1999-03-22 2000-07-18 Beltronics, Inc. Method of and apparatus for automatic high-speed optical inspection of semi-conductor structures and the like through fluorescent photoresist inspection
US7436508B2 (en) 2005-07-14 2008-10-14 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems, circuits and methods for reducing thermal damage and extending the detection range of an inspection system
JP4792267B2 (ja) * 2005-09-21 2011-10-12 株式会社アドバンテスト 表面状態測定方法及び装置
JP5279992B2 (ja) 2006-07-13 2013-09-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査方法及び装置
US7787114B2 (en) 2007-06-06 2010-08-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for inspecting a specimen with light at varying power levels
TWI523720B (zh) * 2009-05-28 2016-03-01 伊雷克托科學工業股份有限公司 應用於雷射處理工件中的特徵的聲光偏轉器及相關雷射處理方法
US8885158B2 (en) 2011-03-10 2014-11-11 Kla-Tencor Corporation Surface scanning inspection system with adjustable scan pitch
US8755044B2 (en) 2011-08-15 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems
US9182358B2 (en) 2013-03-15 2015-11-10 Kla-Tencor Corporation Multi-spot defect inspection system
JP6414801B2 (ja) 2015-05-12 2018-10-31 信越半導体株式会社 欠陥検査方法
WO2019159334A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置
JP7447016B2 (ja) * 2018-04-27 2024-03-11 フェムトメトリクス， インク． 半導体装置の特性決定のためのシステムおよび方法
KR102160170B1 (ko) 2018-11-21 2020-09-25 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 표면의 파티클 측정 장치 및 방법
US11374375B2 (en) 2019-08-14 2022-06-28 Kla Corporation Laser closed power loop with an acousto-optic modulator for power modulation
JP7488684B2 (ja) 2020-04-08 2024-05-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004001382A2 (en) * 2002-06-24 2003-12-31 Tsi Incorporated Analysis systems detecting particle size and fluorescence
TW201734428A (zh) * 2007-11-15 2017-10-01 愛克斯崔里斯科技有限公司 粒子檢測器
US10324045B2 (en) * 2016-08-05 2019-06-18 Kla-Tencor Corporation Surface defect inspection with large particle monitoring and laser power control
TW201832304A (zh) * 2017-01-30 2018-09-01 美商克萊譚克公司 用於光譜組成分析之晶圓粒子缺陷之活化
TW201907178A (zh) * 2017-06-20 2019-02-16 美商特索羅科學有限公司 發光二極體測試設備及製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112021003856T5 (de) 2023-05-11
KR20230073201A (ko) 2023-05-25
JP2023544498A (ja) 2023-10-24
JP7770393B2 (ja) 2025-11-14
WO2022066387A1 (en) 2022-03-31
CN116018513A (zh) 2023-04-25
US20220091047A1 (en) 2022-03-24
US12345658B2 (en) 2025-07-01
TW202217290A (zh) 2022-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7787114B2 (en) Systems and methods for inspecting a specimen with light at varying power levels
JP6073020B2 (ja) 高品質で安定した出力ビーム、および長寿命高変換効率の非線形結晶を備えたレーザ
JP6041878B2 (ja) マルチスポット表面走査検査システムの大粒子検出
JP6840224B2 (ja) 大粒子監視及びレーザパワー制御を伴う表面欠陥検査
US20100296534A1 (en) Method and device for shielding a high power laser apparatus and high-power-laser optical system employing such a device
JP7612664B2 (ja) パワー変調のための音響光学変調器を用いたレーザ閉パワーループ
TWI874693B (zh) 用於雷射功率調變之系統及方法
JP2005507994A (ja) 耐損傷性光学部品の製造方法
IL267920B2 (en) Testing and metrology using broadband infrared radiation
CN105014245B (zh) 激光处理设备和方法
US6337869B1 (en) Gas laser oscillator
JPH0293344A (ja) 微粒子測定方法および装置
CN205043348U (zh) 激光检测装置及激光加工系统
CN111699431A (zh) 以倾斜入射角于样本表面上的检验光束成形
JP2000352811A (ja) レーザ欠陥修正装置およびレーザ欠陥修正方法
JPS59154345A (ja) 規則性開口パタ−ンの形状欠陥検出装置
JP2005032973A (ja) 半導体の製造方法及びプラズマ処理装置