TW201637856A

TW201637856A - 貼合基板之分割方法及分割裝置

Info

Publication number: TW201637856A
Application number: TW104144772A
Authority: TW
Inventors: 武田真和; 木山直哉; 田村健太; 村上健二; 秀島護
Original assignee: 三星鑽石工業股份有限公司
Priority date: 2015-04-30
Filing date: 2015-12-31
Publication date: 2016-11-01
Also published as: CN106079115B; CN106079115A; JP2016213234A; JP6561565B2; TWI698329B; KR20160129700A

Abstract

本發明提供能夠將利用接著層貼合矽基板與玻璃基板而成之貼合基板適當地分割之方法及分割裝置。將貼合基板於特定之分割預定位置加以分割之方法包括：劃線形成步驟(單元)，其係於玻璃基板之一主面之分割預定位置，藉由特定之劃線工具形成劃線；切割槽形成步驟(單元)，其係於矽基板之一主面之分割預定位置，自矽基板之一主面直至接著層之中途利用特定之槽部形成機構形成槽部；及裂斷步驟(單元)，其係將形成有劃線與槽部之貼合基板於劃線與槽部之間裂斷。

Description

貼合基板之分割方法及分割裝置

本發明係關於一種利用接著層貼合矽基板與玻璃基板而成之基板之分割方法及分割裝置。

矽基板作為半導體元件(半導體晶片)用之基板被廣泛使用，但於基板之複合化及其他目的下，有時使用利用接著層(接著劑)將矽基板與玻璃基板貼合而成(接著而成)之貼合基板。又，於使用矽基板之半導體元件之製造製程中，通常，採用藉由利用切割機之切割將二維地形成有多個元件圖案之母基板即矽基板分割而獲得各個晶片之方法，於使用上述矽基板與玻璃基板之貼合基板作為母基板之情形時，亦採用相同之順序。

又，將使熱硬化性樹脂附著於脆性材料基板之主面而成之具有樹脂之脆性材料基板分割之方法亦已為公知(例如，參照專利文獻1)。

[現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利5170195號公報

於藉由切割機將利用接著層貼合矽基板與玻璃基板而成之貼合基板分割之情形時，因玻璃基板之性質而難以提高加工速度，又，由於玻璃基板容易產生碎屑(破片)，因此存在生產性較差之問題。又，必須使用樹脂刀片等特殊之切割刀片，但亦存在磨損較快而成為成本高之原因之問題。進而，亦存在切割時為了冷卻等目的而使用之水容易滲入到接著層與玻璃之間之問題。

本發明係鑒於上述問題而開發者，其目的在於提供能夠將利用接著層貼合矽基板與玻璃基板而成之貼合基板較佳地分割之方法。

為了解決上述問題，技術方案1之發明之特徵在於：其係將利用接著層貼合矽基板與玻璃基板而成之貼合基板於特定之分割預定位置加以分割之方法，且包括：劃線形成步驟，其係於成為上述貼合基板之一方主面之上述玻璃基板之一主面之上述分割預定位置，藉由特定之劃線工具形成劃線；切割槽形成步驟，其係於成為上述貼合基板之另一方主面之上述矽基板之一主面之上述分割預定位置，自上述矽基板之上述一主面直至上述接著層之中途利用特定之槽部形成機構形成槽部；及裂斷步驟，其係將形成有上述劃線與上述槽部之上述貼合基板於上述劃線與上述槽部之間裂斷。

技術方案2之發明係如技術方案1之貼合基板之分割方法，其中於上述裂斷步驟中，於將上述貼合基板以上述矽基板側成為最上部、且上述玻璃基板側成為最下部之方式載置於包含彈性體之支持部之上表面之狀態下，使裂斷刀自上述矽基板之上方相對於上述分割預定位置抵接並進而下壓，由此將上述貼合基板分斷。

技術方案3之發明係如技術方案2之貼合基板之分割方法，其中於上述裂斷步驟中，使上述裂斷刀抵接於上述槽部之底部並且進而下壓，由此一面藉由上述裂斷刀將上述接著層切開，一面使垂直裂痕自上述劃線伸展，從而將上述貼合基板分斷。

技術方案4之發明係如技術方案2之貼合基板之分割方法，其中於上述裂斷步驟中，使上述裂斷刀之刀尖側面抵接於上述矽基板之上述一主面之上述槽部之開口端部後再進而下壓，由此將上述接著層劈開並且使垂直裂痕自上述劃線伸展，從而將上述貼合基板分斷。

技術方案5之發明係如技術方案1至4中任一項之貼合基板之分割方法，其中上述特定之劃線工具為劃線輪。

技術方案6之發明係如技術方案1至5中任一項之貼合基板之分割方法，其中上述特定之槽部形成機構為切割機。

技術方案7之發明之特徵在於：其係將利用接著層貼合矽基板與玻璃基板而成之貼合基板於特定之分割預定位置加以分割之分割裝置，且具備：劃線形成單元(所謂劃線桿)，其於成為上述貼合基板之一方主面之上述玻璃基板之一主面之上述分割預定位置，藉由特定之劃線工具形成劃線；切割槽形成單元(所謂切割機)，其於成為上述貼合基板之另一方主面之上述矽基板之一主面之上述分割預定位置，自上述矽基板之上述一主面直至上述接著層之中途利用特定之槽部形成機構形成槽部；及裂斷單元(所謂劃線器)，其將形成有上述劃線與上述槽部之上述貼合基板於上述劃線與上述槽部之間裂斷。

如技術方案1至7之發明，能夠將利用接著層貼合矽基板與玻璃基板而成之貼合基板較佳地分割。

1‧‧‧玻璃基板

1a‧‧‧(玻璃基板之)主面

2‧‧‧矽基板

2a‧‧‧(矽基板之)主面

3‧‧‧接著層

4‧‧‧上部層

10‧‧‧貼合基板

10a‧‧‧單片

101‧‧‧劃線輪

201‧‧‧切割刀片

300‧‧‧裂斷裝置

301‧‧‧支持部

301a‧‧‧(支持部之)上表面

302‧‧‧裂斷刀

302a‧‧‧(裂斷刀之)刀尖

302b‧‧‧(刀尖之)側面

A‧‧‧分割預定位置

AR1‧‧‧箭頭

AR2‧‧‧箭頭

AR3‧‧‧箭頭

AR4‧‧‧箭頭

AR5‧‧‧箭頭

AR6‧‧‧箭頭

AR7‧‧‧箭頭

AR8‧‧‧箭頭

AR9‧‧‧箭頭

AR10‧‧‧箭頭

AR11‧‧‧箭頭

AR12‧‧‧箭頭

AR13‧‧‧箭頭

AR14‧‧‧箭頭

AR21‧‧‧箭頭

AR22‧‧‧箭頭

AR23‧‧‧箭頭

AR24‧‧‧箭頭

AR25‧‧‧箭頭

AR26‧‧‧箭頭

B‧‧‧分斷進展預定位置

CR1‧‧‧龜裂

CR‧‧‧垂直裂痕

CR2‧‧‧垂直裂痕

d‧‧‧距離

DG‧‧‧切割槽

DG1‧‧‧(切割槽之)底部

DG2‧‧‧(切割槽)開口端部

h‧‧‧深度

RE‧‧‧非形成區域

SB‧‧‧焊料球

SL‧‧‧劃線

S1~S5‧‧‧步驟

w‧‧‧寬度

θ‧‧‧刀尖角

圖1(a)、1(b)係概略性地表示貼合基板10之構成之剖視圖。

圖2係對將貼合基板10於分割預定位置A分割之順序進行說明之圖。

圖3(a)~(c)係用以說明劃線SL之形成之圖。

圖4(a)~(c)係用以說明切割槽DG之形成(形成中之狀態)之圖。

圖5係用以說明切割槽DG之形成(形成後之狀態)之圖。

圖6係例示形成有焊料球SB之後之貼合基板10之圖。

圖7係概略性地表示使用裂斷裝置300將貼合基板10裂斷之情形之圖。

圖8(a)~(c)係用以表示第1裂斷方法之圖。

圖9(a)~(c)係用以表示第2裂斷方法之圖。

<貼合基板>

圖1係概略性地表示本實施方式中成為分割之對象之貼合基板10之構成之剖視圖。於本實施方式中，所謂貼合基板10係藉由利用接著層3將玻璃基板1與矽基板2接著而貼合，整體上作為一個基板而成者。

貼合基板10係藉由於作為進行分割之位置而預先規定之分割預定位置A，利用下述方法沿著厚度方向分斷而分割。分割預定位置A係沿著貼合基板10之主面規定為線狀(例如直線狀)。於圖1中，例示於與圖面垂直之方向規定有分割預定位置A之情形。再者，於圖1中於作為貼合基板10之兩主面之玻璃基板1之主面1a與矽基板2之主面2a兩者標示有分割預定位置A，當然，於俯視(平面透視)貼合基板10之主面之情形時各個主面之分割預定位置A皆相同。換句話說，如果使一方主面之分割預定位置A於貼合基板10之厚度方向平行移動，仍與另一方主面之分割預定位置A一致。

雖於圖1中省略圖示，但亦可相對於一貼合基板10規定複數個分割預定位置A，例如，亦可為格子狀地規定分割預定位置A之態樣。於規定有複數個分割預定位置A之情形時，各個分割預定位置A彼此之間隔於可較佳地進行下述順序之分割之範圍內適當規定即可。

於圖1中進而亦標示有於分割時分斷實際進展之預定位置即分斷進展預定位置B。分斷進展預定位置B被視為貼合基板10之兩主面即玻璃基板1之主面1a與矽基板2之主面2a之各者之分割預定位置A之間之沿著厚度方向之面。於圖1例示之情形時，分斷進展預定位置B係於圖面上垂直之方向延伸。

作為玻璃基板1之材質，例示硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、鈉玻璃等鹼玻璃等般之各種玻璃。作為接著層3之材質，例示熱硬化型環氧樹脂等。

玻璃基板1、矽基板2、及接著層3之厚度、進而貼合基板10之總厚度，只要於利用下述方法將貼合基板10分割時可較佳地進行分割則無特別之限制，可分別例示為100μm~1000μm、50μm~1000μm、10μm~200μm、150μm~1500μm之範圍。又，關於貼合基板之平面尺寸亦無特別之限制，可例示縱1~3mm左右×橫1~3mm左右之範圍。

又，於圖1中，例示於矽基板2之一方主面且為與和接著層3之鄰接面為相反側之主面、即觀察圖面時上表面側之主面2a設置有上部層4之情形。圖1(a)例示矽基板2之主面2a中、分割預定位置A之附近區域設為非形成區域RE之情形時之上部層4之形成態樣，圖1(b)例示於主面2a之整個表面形成有上部層4之情形時之形成態樣。

再者，於圖1中為了簡單起見，以上部層4為單一層之方式圖示，但上部層4既可為單一層，亦可為包括相同材質或不同材質之多個層。作為上部層4之構成材料，例示各種金屬層、陶瓷層、半導體層、非晶層、樹脂層等各種材質。

但是，於利用本實施方式之分割方法將貼合基板10分割時，上部層4之存在並非為必須。因此，於以後之說明中，關於形成有上部層4之情形，亦有時將矽基板2與上部層4簡單地總稱為矽基板2，又，嚴格而言有時將形成上部層4之上表面之面稱為矽基板2之主面2a。

<分割之順序>

其次，對將具有上述構成之貼合基板10於分割預定位置A分割之順序進行說明。圖2係表示該分割之順序之圖。

首先，準備如圖1所例示之貼合基板10(步驟S1)。即，準備利用接著層3貼合玻璃基板1與矽基板2而成、且規定有分割預定位置A之貼合基板10。

然後，於所準備之貼合基板10之玻璃基板1側之分割預定位置A形成劃線SL(圖3)(步驟S2)。圖3係用以說明該劃線SL之形成之圖。再者，於圖3中，例示設定有各者於與附圖垂直之方向直線狀地延伸之多個分割預定位置A之情形(於圖4~圖7中亦相同)。

劃線SL為於下述步驟中成為裂痕(垂直裂痕)伸展之起點之部位。劃線SL之形成係如圖3(a)所示，以玻璃基板1成為最上部且矽基板2成為最下部之水平姿勢保持貼合基板10而進行。此時，既可將貼合基板10直接保持於載台，亦可代替此而為如下態樣，即，將矽基板2之主面2a側貼附於例如張設保持於切割環等環狀之保持部件之切割帶等保持帶，並連同這些保持部件及保持帶一起將貼合基板10保持於載台。

概略地來說，劃線SL之形成係藉由如下方式來進行，即於將貼合基板10以該姿勢保持於具備特定之劃線工具之未圖示之公知之劃線裝置之載台之狀態下，使該劃線工具於玻璃基板1之主面1a上相對於分割預定位置A而相對地移動。

於圖3(b)中，表示有作為劃線工具使用公知之劃線輪101形成劃線SL之情形。劃線輪101係形成具有將2個圓錐台於各者之下底面(較大之一方之底面)側連接之形狀之圓盤形狀(算盤珠形狀)並且其外周部分成為刀尖之工具。劃線SL係藉由使該劃線輪101(更詳細而言為其刀尖)於玻璃基板1之主面1a上沿著分割預定位置A壓接滾動而形成。再者，刀尖既可遍及劃線輪101之全周為一樣，亦可為週期性地具有凹部之態樣。

於圖3(b)中如箭頭AR1及AR2所示，相對於各個分割預定位置A依序使劃線輪101壓接滾動而形成劃線SL，最終，如圖3(c)所示於所有分割預定位置A形成有劃線SL。再者，亦可為伴隨該劃線SL之形成而垂直裂痕自劃線SL向玻璃基板1之厚度方向伸展之態樣。

又，作為劃線工具，亦可為使用公知之金剛石頭及其他之態樣。

當相對於玻璃基板1側之分割預定位置形成有劃線SL時，繼而於貼合基板10之矽基板2側之分割預定位置A進行切割而形成切割槽DG(圖4)(步驟S3)。圖4及圖5係用以說明該切割槽DG之形成之圖。切割槽DG形成為槽部，且於下述步驟中成為裂斷之起點。

切割槽DG之形成係如圖4(a)所示，以矽基板2成為最上部，且玻璃基板1成為最下部之水平姿勢保持貼合基板10而進行。即，藉由以與劃線SL形成時反轉之姿勢保持貼合基板10而進行。此時，貼合基板10既可直接保持於載台，亦可代替此而為如下態樣，即，將玻璃基板1之主面1a側貼附於例如張設保持於切割環等環狀之保持部件之切割帶等保持帶，並連同這些保持部件及保持帶一起將貼合基板10保持於載台。

如圖4(b)所示，切割槽DG形成為貫通矽基板2並到達接著層3為止之槽部。換句話說，切割槽DG以其深度h大於矽基板2之厚度、且小於矽基板2與接著層3之厚度之總和之方式形成。再者，雖詳細情形於下文敍述，但切割槽DG之尺寸(深度h、寬度w)、切割槽DG之底部DG1與接著層3之距離d係根據對應於接著層3之材質來選擇之下述裂斷步驟中之裂斷方法而規定。

概略地來說，切割槽DG之形成係藉由如下方式來進行，即於將貼合基板10以該姿勢保持於具備特定之切割機構之未圖示之公知之切割裝置(切割機)之載台之狀態下，於矽基板2之主面2a側之分割預定位置A於厚度方向及寬度方向之特定範圍藉由切割機構進行切削。

於圖4(b)及圖4(c)中，表示有作為切割機構使用具備公知之切割刀片201之切割機而形成切割槽DG之情形。切割刀片201係呈圓板狀(圓環狀)且其外周部分成為刀尖之工具。於使用切割刀片201形成切割槽DG之情形時，首先，一面使該切割刀片201以其主面成為與鉛垂面平行之姿勢於鉛垂面內旋轉，一面如圖4(b)中箭頭AR3所示般使該切割刀片201下降，進而如圖4(c)中箭頭AR4所示般使其下降，直到其刀尖部分到達與所要形成之切割槽DG之深度h對應之目標深度位置為止。然後，當刀尖部分到達目標深度位置時，一面保持該旋轉狀態，一面沿著分割預定位置A(即沿著分斷進展預定位置B)使切割刀片201相對於貼合基板10相對移動，由此形成切割槽DG。

當如圖4(b)中箭頭AR5及AR6所示，或者如圖4(c)中箭頭AR7及AR8所示，若使切割刀片201相對於各個分割預定位置A依序移動而形成切割槽DG，最終將如圖5所示於所有的分割預定位置A形成切割槽DG。

當一旦形成切割槽DG時，則貼合基板10實現如下狀態，即於所有的分割預定位置A，於一方主面側形成有劃線SL，且於另一方主面側形成有切割槽DG。

實現該狀態之貼合基板10成為能夠實施以下裂斷步驟之基板，但根據貼合基板10之種類，更詳細而言，根據藉由將該貼合基板10分割而獲得之晶片之種類，亦可為如下態樣，即於該裂斷之前，於矽基板2之主面2a上，更嚴格而言於圖3至圖5中省略圖示之上部層4上形成焊料球SB(步驟S4)。圖6係例示形成焊料球SB之後之貼合基板10之圖。焊料球SB形成於矽基板2之主面2a上之(更詳細而言為上部層4之主面上之)、藉由最終予以分割而分別成為個別晶片之每一區域。惟焊料球SB之形成並非為必須。

再者，焊料球SB亦可為於劃線SL形成前之時間點、即最初準備貼合基板之時間點形成之態樣，或於劃線SL形成之形成後且切割槽DG形成前之時間點形成之態樣。惟於前者之情形時，必須於劃線SL之形成時將形成有焊料球SB之具有凹凸之矽基板2之主面2a側朝向下方而保持貼合基板10，於後者之情形時，存在因於切割時除去切削碎片或清洗切割槽DG等所使用之水而腐蝕焊料球SB之情形等，有其各自應留意之點，但於上述切割槽DG形成後之時序形成焊料球SB之態樣則與上述留意點無關，因此較佳。

又，形成劃線SL與形成切割槽DG之順序亦可相反。

於將劃線SL與切割槽DG皆形成、且於必要之情形時形成焊料球SB之後，進行使用裂斷裝置300之裂斷，而於劃線SL與切割槽DG之間，使沿著分斷進展預定位置B之分斷進展(步驟S5)。

裂斷裝置300主要具備：支持部301，包含彈性體，且於上表面301a載置貼合基板10；及裂斷刀302，具有於特定之刀片長度方向延伸之剖視三角形狀之刀尖，且於鉛垂方向升降自如。

支持部301較佳為由硬度為65°~95°，較佳為70°~90°，例如為80°之材質之彈性體形成。作為該支持部301，例如可較佳地使用矽酮橡膠等。再者，支持部301亦可進而藉由未圖示之硬質之(不具有彈性之)支持體而支持其下方。

如圖7所示，於裂斷時，貼合基板10以形成有切割槽DG之矽基板2之側成為最上部、形成有劃線SL之玻璃基板1之側成為最下部之方式被載置於支持部301之上表面301a上。再者，於圖7中表示有如下情形，即以分割預定位置A(因此劃線SL與切割槽DG)於與附圖垂直之方向延伸之方式將貼合基板10載置於支持部301之上表面301a，並且於該分割預定位置A之鉛垂上方，裂斷刀302(更詳細而言其刀尖)沿著分割預定位置A之延伸方向而配置。

使用該裂斷裝置300之裂斷概略地來說藉由如下方式來實現，即，使裂斷刀302如箭頭AR9所示於鉛垂方向相對於矽基板2側之分割預定位置A(即切割槽DG之形成位置)下降，於裂斷刀302與貼合基板10抵接之後亦下壓裂斷刀302。然後，如箭頭AR10所示，藉由相對於所有分割預定位置A依序完成裂斷，而將貼合基板10分割為所期望之尺寸及個數之晶片。

更詳細而言，於本實施方式中，根據接著層3之材質而分開使用原理不同之兩種裂斷方法。於該情形時，根據所選擇之裂斷方法，而使裂斷刀302之刀尖302a(參照圖8、圖9)之形狀或切割槽DG之尺寸分別不同。以下，對兩種裂斷方法依序進行說明。

(第1裂斷方法)

圖8係用以表示第1裂斷方法之圖。第1裂斷方法係藉由使裂斷刀302如圖7中箭頭AR9所示於鉛垂方向下降而最終產生之裂斷刀302相對於切割槽DG之抵接，首先最初如圖8(a)所示於刀尖302a之前端與切割槽DG之底部DG1之間實現之後使分斷進展。

具體而言，當如圖8(b)中箭頭AR11所示，刀尖302a之前端與切割槽DG之底部DG1抵接之後亦將裂斷刀302以特定之力向鉛垂下方下壓時，如箭頭AR12所示刀尖302a自接著層3受到阻力，並且亦一面沿著分斷進展預定位置B將接著層3切開一面下降。由此，接著層3之分斷進展。

又，此時，由於將裂斷刀302向鉛垂下方下壓之力亦作為將貼合基板10相對於作為彈性體之支持部301沿著分割預定位置A壓入之力起作用，因此貼合基板10會自支持部301相對於劃線SL對稱地受到如箭頭AR13所示之向上之發作用力。於係，作為該發作用力與自裂斷刀302作用之向鉛垂下方之力相加之結果，於貼合基板10之玻璃基板1側實現所謂3點彎曲之狀況，如箭頭AR14所示，垂直裂痕CR自劃線SL沿著分斷進展預定位置B向鉛垂上方伸展。

利用裂斷刀302之自鉛垂上方之接著層3之分斷(切開)與自鉛垂下方之玻璃基板1之垂直裂痕CR之伸展均沿著分斷進展預定位置B進展。當最終兩者均到達接著層3與玻璃基板1之界面時完成分斷。即，貼合基板10如圖8(c)所示會被分割為2個單片10a。

於利用如以上之第1裂斷方法進行裂斷之情形時，必須以當使裂斷刀302下降時至少於刀尖302a之前端與切割槽DG之底部DG1抵接之前不使刀尖302a與切割槽DG接觸之方式規定切割槽DG之尺寸，並且必須規定與刀跨度方向垂直之截面上之刀尖302a所成之角即刀尖角θ。通常，與下述第2裂斷方法相比，會使切割槽DG之尺寸相對較大，且使刀尖角θ相對較小。

(第2裂斷方法)

圖9係用以表示第2裂斷方法之圖。第2裂斷方法係藉由使裂斷刀302如圖7中箭頭AR9所示於鉛垂方向下降而最終產生之裂斷刀302相對於切割槽DG之抵接首先最初如圖9(a)所示於刀尖302a之2個側面302b之各者與切割槽DG之對應之開口端部DG2之間進行之後，使分斷進展。此處，所謂切割槽DG之開口端部DG2係指矽基板2之表面上之切割槽DG之邊緣部分。

具體而言，當如圖9(b)中箭頭AR21所示刀尖302a之側面302b與切割槽DG之開口端部DG2抵接之後亦將裂斷刀302以特定之力向鉛垂下方下壓時，刀尖302a之2個側面302b之各者如箭頭AR22所示，使相對於分割預定位置A對稱且相互背離之方向之力作用在於傾斜方向接觸之切割槽DG之對應之開口端部DG2。

如果於該態樣下開口端部DG2受到力，則如箭頭AR23所示，於接著層3之未形成切割槽DG之部位，產生相對於分斷進展預定位置B對稱且相反方向之力。裂斷刀302之下壓越推進則該力越大，最終接著層3自切割槽DG之底部DG1向箭頭AR24所示之鉛垂下方劈開。其結果，於接著層3形成有沿著分斷進展預定位置B之龜裂CR1。龜裂CR1最終到達接著層3與玻璃基板1之界面。

當於該龜裂CR1形成之後亦將裂斷刀302向鉛垂下方下壓時，裂斷刀302對貼合基板10賦予之力作為將貼合基板10相對於作為彈性體之支持部301沿著分割預定位置A壓入之力起作用。因此，與第1裂斷方法之情形相同，貼合基板10如箭頭AR25所示會自支持部301受到向鉛垂上方之發作用力。因此，於貼合基板10之玻璃基板1側實現3點彎曲之狀況，如箭頭AR26所示，垂直裂痕CR2自劃線SL沿著分斷進展預定位置B向鉛垂上方伸展。最終，當垂直裂痕CR2到達接著層3與玻璃基板1之界面時完成分斷。即，貼合基板10如圖9(c)所示會被分割為2個單片10a。

於利用如以上之第2裂斷方法進行裂斷之情形時，必須以當使裂斷刀302下降時於刀尖302a之前端與切割槽DG之底部DG1抵接之前，刀尖302a之側面302b與切割槽DG之開口端部DG2接觸之方式規定切割槽DG之尺寸並且決定刀尖角θ。通常，與上述第1裂斷方法相比，會使切割槽DG之尺寸相對較小，且使刀尖角θ相對較大。又，關於切割槽DG之底部DG1與接著層3之距離d，亦必須考慮與裂斷刀302之壓入量之平衡來規定。其原因在於，如果距離d過大，則存在龜裂CR1無法到達接著層3與玻璃基板1之界面之可能性。

再者，第1裂斷方法與第2裂斷方法之分開使用較佳為考慮接著層3之材質(組成、黏性、彈性等)而選擇。例如，於接著層3之黏性較高之情形時，存在利用裂斷刀302之切開難以較佳地進展之傾向，因此與第1裂斷方法相比應用第2裂斷方法，則可較佳地進行分斷之可能性較高。

或者，亦可於最初裂斷時利用相當於第1裂斷方法之方法使分斷進展，然後，一面亦實現使刀尖302a之側面302b與切割槽DG之開口端部DG2抵接之狀態，一面使裂斷進展。

如以上所說明，根據本實施方式，藉由如下方式進行利用接著層貼合矽基板與玻璃基板而成之貼合基板之分割而能夠較佳地分割該貼合基板，即於玻璃基板側之分割預定位置形成劃線，且於矽基板側之分割預定位置形成到達接著層之切割槽，並且藉由裂斷而於劃線與切割槽之間使分斷進展。由於不切割玻璃基板，因此抑制玻璃基板產生碎屑，又，實現生產性之提高及成本之降低。又，水亦不會滲入至接著層與玻璃基板之間。