TW201636406A - 研磨墊 - Google Patents

Abstract

本發明係一種研磨時研磨層表面軟質化之研磨墊，該研磨墊具有包含聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層，上述研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、硬化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成。

Description

研磨墊

本發明係關於一種用於研磨光學材料、半導體用基板、半導體晶圓、硬碟基板、液晶用玻璃基板、半導體器件等要求高度之表面平坦性之材料之研磨片材或研磨墊。

對光學材料、半導體基板、半導體晶圓、硬碟基板、液晶用玻璃基板、半導體器件要求非常精密之平坦性。又，半導體材料之表面露出有金屬、有機及無機之絕緣材料等硬度不同之各種材料。為了將此種材料之表面研磨至平坦，研磨墊之表面亦必須始終維持平坦性。當研磨墊之表面之剛性於研磨作業期間發生變化之情形時，無法達成所需之平坦性。例如，會因剛性局部地降低之研磨墊之表面而無法達成精密之平坦性，且出現僅金屬部分被優先地研磨之現象(凹陷)等。

另一方面，自開始研磨至更換研磨墊及研磨液之1次研磨作業之終期產生相當多之研磨屑。因研磨屑之累積而於開口部發生堵塞，漿料之保持變差，產生摩擦熱，故而於1次研磨作業期間內，被研磨材料之表面之溫度自初期至終期上升，於包含30℃~90℃之廣泛之溫度範圍內變化。因此，可能與該溫度變化對應地發生研磨墊之表面之局部之剛性變化。又，由於用於化學機械研磨之研磨液隨著溫度上升，化學作用(非研磨物之表面之腐蝕)變強，故具有易產生更大之刮痕之傾向。

專利文獻1(日本專利特開2008-207324號公報)之段落0072中記載 有：以50℃之溫水進行飽和膨潤時23℃下之研磨墊之D硬度[D(23℃、濕潤)]與23℃下之研磨墊之D硬度[D(23℃、乾燥)]之比率[D(23℃、濕潤)]/[D(23℃、乾燥)]為0.9~1.1左右；該比率為0.9以上之研磨墊能夠藉由[E'(50℃、乾燥)]/[E'(50℃、濕潤)]為約2.5以下之研磨墊而獲得。

另一方面，專利文獻1之段落0068中記載有：聚胺基甲酸酯彈性體之儲存彈性模數之溫度依存性較大，且其溫度依存性因吸水而發生變化，但一般而言，聚胺基甲酸酯彈性體之[E'(23℃、濕潤)/E'(50℃、濕潤)]較大(例如2.5~20左右)；且專利文獻1之研磨墊中，例如，藉由大量填充包括如玻璃轉移溫度為50℃以上且吸水率為4質量%以下之熱塑性樹脂之極細單纖維，能夠降低研磨墊之[E'(23℃、濕潤)/E'(50℃、濕潤)]。

專利文獻雖然1提出進一步減小乾燥時與濕潤時之硬度差，但揭示了僅以聚胺基甲酸酯彈性體則難以實現。

專利文獻2(日本專利特開2006-144156號公報)中，揭示有一種能夠藉由將室溫時與60℃加溫時之蕭氏A硬度之差抑制在14以下，而穩定地提供高等級之平坦度之研磨墊。然而，專利文獻2中並無有關研磨層表面與內部之硬度差之記載。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2008-207324號公報

[專利文獻2]日本專利特開2006-144156號公報

本發明提供一種研磨時研磨層表面軟質化之研磨墊。

即，本發明提供以下者。

[1]一種研磨墊，其特徵在於：其係具有包含聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層者，上述研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、硬化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，且下述式：{(乾燥狀態之研磨墊之D硬度)-(經40℃之溫水飽和膨潤之研磨墊之D硬度)}/(乾燥狀態之研磨墊之D硬度)之值為0.1~0.3，下述式：{(乾燥狀態之研磨墊之儲存彈性模數)-(經40℃之溫水飽和膨潤之研磨墊之儲存彈性模數)}/(乾燥狀態之研磨墊之儲存彈性模數)之值為0.4~0.7。

[2]一種研磨墊，其特徵在於：其係具有包含聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層者，上述研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、含有3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷之硬化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，且上述硬化劑以硬化劑之總量為100重量%計，包含3~10重量%之四聚物。

此處，上述四聚物例如由下述式：[化1] 表示。

[3]一種研磨墊，其特徵在於：其係具有包含聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層者，上述研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、硬化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，且至少具有於濕潤研磨時軟化之表層部。

[4]如[3]所記載之研磨墊，其中表層部之厚度為50μm以下。

[5]如[3]所記載之研磨墊，其中表層部之厚度小於微小中空球體之直徑。

[6]如[3]所記載之研磨墊，其中於利用熱機械分析法(TMA)進行之針入試驗中，第1段之針入溫度為50~100℃，第2段之針入溫度為150℃以上。

[7]如[1]至[6]中任一項所記載之研磨墊，其中多異氰酸酯化合物及多元醇化合物包含藉由多異氰酸酯化合物與多元醇化合物之反應而製備之預聚物。

[8]一種研磨方法，其特徵在於：其係研磨光學材料或半導體材 料之表面之方法，且使用如[1]至[6]中任一項所記載之研磨墊。

[9]一種減少研磨光學材料或半導體材料之表面時之刮痕之方法，其係使用如[1]至[6]中任一項所記載之研磨墊來減少研磨光學材料或半導體材料之表面時之刮痕。

根據本發明，藉由研磨時(大約40℃)研磨層表面被軟化，能夠抑制被研磨物之刮痕等缺陷。又，藉由使研磨層內部具有適度之硬度，能夠維持較高之研磨速率。

圖1係表示利用熱機械分析法(TMA)進行之針入試驗之概略之圖。

圖2係表示實施例1之研磨墊之針入試驗之結果之圖。

圖3係表示實施例2之研磨墊之針入試驗之結果之圖。

圖4係表示比較例1之研磨墊之針入試驗之結果之圖。

(研磨墊)

本發明之研磨墊具有包含發泡聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層。研磨層配置於與被研磨材料直接接觸之位置，研磨墊之其他部分亦可包含用以支持研磨墊之材料，例如橡膠等富有彈性之材料。根據研磨墊之剛性不同，可將研磨墊整體設為一個研磨層。

本發明之研磨墊除了研磨屑累積時不易於被研磨材料產生刮痕等缺陷以外，與一般研磨墊於形狀上並無較大差異，能夠與一般研磨墊同樣地使用，例如，既能夠一面使研磨墊旋轉一面將研磨層壓抵於被研磨材料進行研磨，亦能夠一面使被研磨材料旋轉一面將其壓抵於研磨層進行研磨。

本發明之研磨墊之一態樣之特徵在於：研磨層係使包含多異氰 酸酯化合物、多元醇化合物、硬化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，下述式(I)：{(乾燥狀態之研磨墊之D硬度)-(經40℃之溫水飽和膨潤之研磨墊之D硬度)}/(乾燥狀態之研磨墊之D硬度)之值為0.1~0.3，更佳為0.15~0.25，下述式(II)：{(乾燥狀態之研磨墊之儲存彈性模數)-(經40℃之溫水飽和膨潤之研磨墊之儲存彈性模數)}/(乾燥狀態之研磨墊之儲存彈性模數)之值為0.4~0.9，更佳為0.6~0.85。

本發明者等人發現藉由將上述式(I)及(II)之值限定於特定範圍內，能夠提高研磨墊之研磨特性。上述式(I)之數值範圍意味著濕潤時之研磨墊之D硬度較乾燥時降低10~30%，上述式(II)之數值範圍意味著濕潤時之研磨墊之儲存彈性模數較乾燥時降低40~90%。即，本發明之研磨墊在研磨溫度達到40℃時，表面之硬度及彈性模數降低，以不會產生成為刮痕等之原因之狀態的方式變形，但由於變形限於研磨墊之表面，因此研磨墊整體之硬度及彈性模數不會過度降低而無法獲得所需之平坦性或研磨速率。

又，本發明之研磨層之氣泡為獨立氣泡，氣泡彼此並未連通，故即便將研磨層表面暴露於水中，水亦不會通過氣泡滲透至研磨層之內部，可維持內部之乾燥狀態。

本發明之研磨墊之另一態樣之特徵在於：研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、含有3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷(以下有時稱為「MOCA」)之硬化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，以上述硬化劑之總量為100重量%計，包含上述式之四聚物3~10重量%，較佳為包含4~8重量%，更佳 為包含5~7重量%。MOCA之化學結構為 四聚物之化學結構為

四聚物係一分子內具有四個胺基之反應基之化合物，四個胺基之反應性依序降低，第一個>第二個>第三個>第四個。故而，四聚物之反應性比一分子內具有兩個胺基之MOCA(3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷)溫和。於使用含有較多四聚物之硬化劑之情形時，第四個胺基之反應性由於反應性降低或空間位阻亦可能不發生反應，認為係所得硬化體之耐熱性降低(成為樹脂易軟化之傾向)者。

本發明之研磨墊之進而另一態樣之特徵在於：研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、硬化劑、及微小中空球體之聚胺 基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，且至少具有濕潤研磨時軟化之表層部。

有關該特徵性之表層部，較佳為該表層部之厚度為50μm以下，尤其是較佳為表層部之厚度小於微小中空球體之直徑。

請參照本案隨附圖式及後述之實施例。於利用熱機械分析法(TMA)進行之針入試驗中，於本發明之實施例中，可確認第1段之針入溫度為50~100℃、第2段之針入溫度為150℃以上之2階段針入。第1段之針入時之針入深度為50μm以下，但實施例中所使用之微小中空球體之直徑為約55μm，因而能夠理解第1段之針入時之針入深度不受針使微小中空球體移動或變形之影響。另一方面，比較例之研磨墊未顯示2階段之針入溫度而僅顯示超過150℃之1階段針入溫度。

即，本發明之研磨墊在研磨溫度達到40℃時，表面開始軟化，但研磨墊整體未軟化而維持平坦性。因此，表面係以不產生研磨時成為刮痕等之原因之狀態的方式發生軟化，但由於該軟化限於研磨墊之表面，因而研磨墊整體不會過度軟化以致無法獲得所需之平坦性或研磨速率。

(研磨墊之製造方法)

本發明之研磨墊能夠藉由一般已知之模鑄成形、板坯成形等製造法而製造。首先，藉由該等製造法形成聚胺基甲酸酯塊體，將塊體藉由切片等製成片狀，成形包含聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層，並貼合於支持體等而製造。或者直接於支持體上成形研磨層也可。

更具體而言，研磨層係於研磨層之與研磨面相反之面側貼附雙面膠帶並切割為特定形狀而成為本發明之研磨墊。雙面膠帶並無特別限制，可自本技術領域中公知之雙面膠帶中任意地選擇使用。又，本發明之研磨墊既可為僅由研磨層構成之單層結構，亦可包括於研磨層之與研磨面相反之面側貼合有其他層(下層、支持層)之複層。

研磨層係藉由製備包含多異氰酸酯化合物及多元醇化合物之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物，使上述聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而成形。

研磨層包含發泡聚胺基甲酸酯樹脂，能夠將包含微小中空球體之發泡劑分散於聚胺基甲酸酯樹脂中進行發泡，於此情形時，藉由製備包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、及發泡劑之聚胺基甲酸酯樹脂發泡硬化性組合物，使聚胺基甲酸酯樹脂發泡硬化性組合物發泡硬化而成形。

聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物例如亦可設為將包含多異氰酸酯化合物之A液及包含其以外之成分之B液混合而製備之2液型之組合物。可將包含其以外之成分之B液進一步分成複數種液體，設為混合3種以上之液體而構成之組合物。

多異氰酸酯化合物亦可包含業界常用之藉由多異氰酸酯化合物與多元醇化合物之反應而製備之預聚物。預聚物係包含未反應之異氰酸酯基之於業界中普遍地使用者，亦能夠於本發明中使用。

(異氰酸酯成分)

作為異氰酸酯成分，例如可列舉：間苯二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯(2,6-TDI)、2,4-甲苯二異氰酸酯(2,4-TDI)、萘-1,4-二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯(MDI)、4,4'-亞甲基-雙(環己基異氰酸酯)(氫化MDI)、3,3'-二甲氧基-4,4'-聯苯二異氰酸酯、3,3'-二甲基二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、 二甲苯-1,4-二異氰酸酯、4,4'-二苯基丙烷二異氰酸酯、三亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、伸丙基-1,2-二異氰酸酯、伸丁基-1,2-二異氰酸酯、伸環己基-1,2-二異氰酸酯、伸環己基-1,4-二異氰酸酯、對苯二異硫氰酸酯、二甲苯-1,4-二異硫氰酸酯、次乙基二異硫氰酸酯等。

(多元醇成分)

作為多元醇成分，例如可列舉：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇等二醇；聚四亞甲基二醇(PTMG)、聚乙二醇、聚丙二醇等聚醚多元醇；乙二醇與己二酸之反應物或丁二醇與己二酸之反應物等聚酯多元醇；聚碳酸酯多元醇；聚己內酯多元醇；等。

(硬化劑)

硬化劑係於將預聚物用作多異氰酸酯化合物之情形時，與預聚物中之異氰酸酯基反應，完成聚胺基甲酸酯樹脂之化合物。本發明 中，例如可例示以下所說明之硬化劑。

用作硬化劑之多元醇與上述之多元醇成分相同。又，亦可使用三官能之甘油等三醇、四官能以上之多元醇。

作為聚胺，例如可列舉二胺，對此可列舉：乙二胺、丙二胺、六亞甲基二胺等伸烷基二胺；異佛爾酮二胺、二環己基甲烷-4,4'-二胺等具有脂肪族環之二胺；3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷(別名：亞甲基雙鄰氯苯胺)(以下簡稱為MOCA)等具有芳香族環之二胺；2-羥基乙基乙二胺、2-羥基乙基丙二胺、二-2-羥基乙基乙二胺、二-2-羥基乙基丙二胺、2-羥基丙基乙二胺、二-2-羥基丙基乙二胺等具有羥基之聚胺、特別是羥基烷基伸烷基二胺等。又，亦可使用三官能之三胺化合物、四官能以上之聚胺化合物。

尤佳之硬化劑為前述之MOCA，該MOCA之化學結構如上所述。MOCA中，包含四聚物作為副產物，四聚物之化學結構如上所述。以硬化劑之總量為100重量%計，包含四聚物3~10重量%，較佳為包含4~8重量%，更佳為包含5~7重量%。

(發泡劑)

能夠藉由將微小中空球體混合至聚胺基甲酸酯樹脂中而形成發泡體。所謂微小中空球體，係使含有包含熱塑性樹脂之外殼(聚合物殼)及內包於外殼之低沸點烴的未發泡之加熱膨脹性微小球狀體加熱膨脹而得者。作為上述聚合物殼，例如可使用丙烯腈-偏二氯乙烯共聚物、丙烯腈-甲基丙烯酸甲酯共聚物、氯乙烯-乙烯共聚物等熱塑性樹脂。同樣地，作為內包於聚合物殼之低沸點烴，例如可使用異丁烷、戊烷、異戊烷、石油醚等。

(其他成分)

此外，亦可將業界通常使用之觸媒等添加至發泡硬化性組合物中。

[實施例]

對本發明藉由以下之例實驗地加以說明，但以下之說明並不意在將本發明之範圍限定於以下之例地進行解釋。

(材料)

列舉以下之例中所使用之材料。

‧胺基甲酸酯預聚物之商品名：

UNIROYAL公司製造之ADIPRENE L325

DIC公司製造之PANDEX C730

三菱樹脂公司製造之NOVARETAN UP-127

‧MOCA之商品名(任一者均含有少量上述四聚物)：

DIC公司製造之PANDEX E、PANDEX E50

IHARA CHEMICAL公司製造之LM-52 Amine

‧中空微粒子之商品名：

JAPAN FILLITE公司製造之EXPANCEL 551DE40d42

松本油脂公司製造之MATSUMOTOMICROSPHERE F-80DE

(實施例1)

分別準備：A成分：以甲苯二異氰酸酯為主成分之NCO當量460之胺基甲酸酯預聚物(PANDEX C730)100g(份)、B成分：將作為硬化劑之PANDEX E及PANDEX E50按照重量比1：1混合所得者(以硬化劑之重量為100重量%計，含有6.0重量%之四聚物)30.75g(份)、C成分：中空微粒子2.25g(份)(將EXPANCEL 551DE40d42及MATSUMOTOMICROSPHERE F-80DE按照4：1混合)。再者，為了表示比率，以g之表示進行記載，根據塊體之大小準備所需之重量(份)。以下同樣地以g(份)之表示進行記載。

將A成分及B成分分別預先減壓消泡後，將A成分、B成分及C成分供給至混合機。

將所得之混合液澆鑄至已加熱至80℃之模框(890mm×890mm之正方形)中，加熱5小時使之硬化後，自模框中取出所形成之樹脂發泡體。將該發泡體切片成1.3mm厚而製作胺基甲酸酯片材，獲得研磨墊。

(實施例2)

分別準備：A成分：以甲苯二異氰酸酯為主成分之NCO當量400之胺基甲酸酯預聚物(NOVARETAN UP-127)100g(份)、B成分：將作為硬化劑之PANDEX E及LM-52 Amine按照重量比7：3混合所得者(以硬化劑之重量為100重量%計，含有5.0重量%之四聚物)30.5g(份)、C成分：中空微粒子2.0g(份)(將EXPANCEL 551DE40d42及MATSUMOTOMICROSPHERE F-80DE按照4：1混合)。

之後，與實施例1同樣地製作胺基甲酸酯片材，獲得研磨墊。

(比較例1)

將Nitta Haas公司製造之研磨墊IC1000用作比較例。

(比較例2)

分別準備：A成分：以甲苯二異氰酸酯為主成分之NCO當量460之胺基甲酸酯預聚物(ADIPRENE L325)100g(份)、B成分：作為硬化劑之PANDEX E(以硬化劑之重量為100重量%計，含有2.1重量%之四聚物)29.8g(份)、C成分：中空微粒子(EXPANCEL 551DE40d42)2.1g(份)。

之後，與實施例1同樣地製造胺基甲酸酯片材，獲得研磨墊。

(比較例3)

分別準備：A成分：以甲苯二異氰酸酯為主成分之NCO當量460之胺基甲酸酯預聚物(PANDEX C730)100g(份)、B成分：作為硬化劑之IHARACUAMINE LM-52 Amine(以硬化劑之重量為100重量%計，含有11.8重量%之四聚物)31.0g(份)、C成分：中空微粒子 (EXPANCEL 551DE40d42)2.1g(份)。

之後，與實施例1同樣地製造胺基甲酸酯片材，獲得研磨墊。

(硬度、儲存彈性模數E'、刮痕)

D硬度係依照JIS K6253-1997/ISO 7619測定。

儲存彈性模數E'(MPa)係藉由TA INSTRUMENTS JAPAN RSAIII，依照JIS K7244-4於初始負荷10g、形變範圍0.01~4%、測定頻率0.2Hz之條件下於40℃下測定。乾燥時及濕潤時均係於40℃下測定。

研磨墊之乾燥狀態係定義為於20±2℃、濕度65±5%之條件下放置2小時以上之狀態，研磨墊之濕潤狀態係定義為於40℃±2之去離子水中浸漬1小時使之膨潤之狀態。

刮痕等缺陷之評價係研磨25片基板，對研磨加工後之第21~25片之5片基板，利用晶圓表面檢查裝置(KLA TENCOR公司製造，Surfscan SP1DLS)之高感度測定模式進行測定，評價基板表面之刮痕等缺陷之個數。刮痕等缺陷之評價中，將於12英吋(300mm )晶圓中，0.16μm以上之缺陷未達200個記作○，將200個以上記作×。

(研磨速率)

研磨試驗之條件如下。

‧所使用之研磨機：荏原製作所公司製造，F-REX300

‧研磨盤：3M A188(# 60)

‧轉數：(壓盤)70rpm、(頂環)71rpm

‧研磨壓力：3.5psi

‧研磨劑：CABOT公司製造，產品編號：SS25(使用SS25原液：純水=1：1之混合液)

‧研磨劑溫度：20℃

‧研磨劑流出量：200ml/min

‧所使用之工件(被研磨物)：於12英吋矽晶圓上藉由PE-CVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，電漿加強化學氣相沈積)以絕緣膜成為1μm之厚度之方式形成四乙氧基矽烷之基板

研磨過程中研磨墊表面溫度上升，自研磨之初期溫度20℃變成40~50℃。

(四聚物之分析條件)

‧所使用之分析機：凝膠滲透層析儀L-7200(Hitachi)

‧管柱：Ohpak KB-802.5(排除界限10000)2根串聯

‧流動相：DMF(dimethyl formamide，二甲基甲醯胺)

‧流速：0.4mL/min

‧烘箱：60℃

‧檢測器：RI(Refractive Index，折射率)60℃

‧試樣量：90μL

將以上之結果顯示於表1及表2中。

如表1所示，得知藉由將40℃下之濕潤時之D硬度及儲存彈性模數設定於特定之範圍內，於使用漿料之研磨作業中本發明之研磨墊之表面軟質化，該軟質化大為有助於研磨性能(刮痕發生率之降低、研 磨速率之提高)。

如表2所示，得知用作硬化劑之MOCA所含之四聚物之量大為有助於研磨性能(刮痕發生率之降低、研磨速率之提高)。

利用上述本發明之方法及新穎見解，能夠篩選包含MOCA之有用之硬化劑。

(利用熱機械分析法(TMA)之針入試驗)

試驗之概要如圖1所示，將施加有一定負荷之針壓抵於研磨墊，測定針之溫度上升及針之插入深度。若針之溫度上升之同時研磨墊表面軟化，則針插入。

按照以下之條件進行。

測定裝置：TMA/Q400(TA INSTRUMENT製造)INTRACOOLER冷卻機

測定方法：針入模式

探針直徑：1mm

升溫速度：5℃/min

測定環境：氮氣(流量：50mL/min)

測定負荷：50gf

試片尺寸：約5mm×約5mm×約1.5mm厚度

測定方向：於厚度方向壓縮(針入)

測定前處理：即將測定前，向試樣上滴加水(10μL)

將結果示於圖2~4。

實施例1及2(圖2及圖3)中，針於50℃附近起暫且插入試樣中，其後片刻，針入深度大致達到一定值，針於150℃附近起再次插入試樣中。該結果表示：實施例1及2中，表層部及內側部於化學結構上存在差異，軟化溫度存在差異而反映出此情況。

另一方面，比較例1(圖4)中，至180℃附近為止，針並未插入。認為表層部與內側部於化學結構上並無差異。

將以上之結果顯示於表3中。

第1段之針入溫度係定義為圖之曲線之反曲點，第2段之針入溫度係定義為相對於曲線之切線之斜率為1(=45°)之點。

如表3所示，得知本發明之研磨墊藉由研磨時表面軟化，研磨性能提高(刮痕發生率降低、研磨速率提高)。

Claims (9)

1. 一種研磨墊，其特徵在於：其係具有包含聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層者，上述研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、硬化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，且下述式：{(乾燥狀態之研磨墊之D硬度)-(經40℃之溫水飽和膨潤之研磨墊之D硬度)}/(乾燥狀態之研磨墊之D硬度)之值為0.1~0.3，下述式：{(乾燥狀態之研磨墊之儲存彈性模數)-(經40℃之溫水飽和膨潤之研磨墊之儲存彈性模數)}/(乾燥狀態之研磨墊之儲存彈性模數)之值為0.4~0.7。
2. 一種研磨墊，其特徵在於：其係具有包含聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層者，上述研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、含有3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷之硬化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，且上述3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷包含3~10重量%之四聚物。
3. 一種研磨墊，其特徵在於：其係具有包含聚胺基甲酸酯樹脂之研磨層者，上述研磨層係使包含多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、硬 化劑、及微小中空球體之聚胺基甲酸酯樹脂硬化性組合物硬化而形成，且至少具有於濕潤研磨時軟化之表層部。
4. 如請求項3之研磨墊，其中表層部之厚度為50μm以下。
5. 如請求項3之研磨墊，其中表層部之厚度小於微小中空球體之直徑。
6. 如請求項3之研磨墊，其中於利用熱機械分析法(TMA)進行之針入試驗中，第1段之針入溫度為50~100℃，第2段之針入溫度為150℃以上。
7. 如請求項1至6中任一項之研磨墊，其中多異氰酸酯化合物及多元醇化合物包含藉由多異氰酸酯化合物與多元醇化合物之反應而製備之預聚物。
8. 一種研磨方法，其特徵在於：其係研磨光學材料或半導體材料之表面之方法，且使用如請求項1至6中任一項之研磨墊。
9. 一種減少研磨光學材料或半導體材料之表面時之刮痕之方法，其係使用如請求項1至6中任一項之研磨墊來減少研磨光學材料或半導體材料之表面時之刮痕。