TW201611204A - 具有凹陷邊緣的半導體裝置以及製造方法 - Google Patents

Abstract

提供一種利用沿封裝邊緣凹陷的區的裝置和製造方法。例如，在集成的扇出型封裝件中，沿切割道去除重佈層的介電層，如聚合物層，從而使得在分離後，介電層自晶粒邊緣凹陷。角區可進一步凹陷。凹陷的區可以是三角形、圓形或其他形狀。在一些實施例中，角區中的一個或複數個可相對於其餘的角區進一步凹陷。可沿正面重佈層和背面重佈層中的一者或二者使重佈層凹陷。

Description

具有凹陷邊緣的半導體裝置以及製造方法

本揭露涉及具有凹陷邊緣的半導體裝置以及製造方法。

通過不斷減少最小特徵尺寸，半導體工業不斷改進各種電子元件(如電晶體、二極體、電阻、電容等)的集成密度，使得更多的元件集成在給定的區域中。這些更小的電子元件，例如，集成電路晶粒，在一些應用中，也需要更小的封裝件，這些更小的封裝件使用比以往封裝件更少的區域。

集成扇出型(Integrated Fan Out，InFO)封裝技術越來越流行，尤其是當與晶圓級封裝(WLP)技術結合時，其中集成電路封裝在封裝件裏，封裝件通常包括重佈層(RDL)或用於扇出布線以接觸封裝件之襯墊的鈍化後互聯(PPI)，從而在比集成電路的接觸襯墊更大的間距上進行電接觸。這樣產生的封裝件結構提供具有相對低成本高功能密度以及高性能的封裝件。

這些封裝件可以採用層疊封裝工藝組合起來，其中頂部封裝件結合到底部封裝件。頂部封裝件和底部封裝件也可具有封裝於其中的裝置晶粒。通過採用層疊封裝(PoP)工藝，封裝件的集成度得以提 高。

在一個實施例中，提供一種裝置。該裝置包括晶粒和鄰近該晶粒之側壁的模塑料。一個或複數個第一面介電層位於晶粒的第一面和模塑料之上，一個或複數個第一面介電層自模制化合物的邊緣凹陷。一個或複數個第一面介電層具有非直角的角。

在另一個實施例中，提供一種裝置。該裝置包括工件以及在該工件的第一面上延伸的一個或複數個第一重佈層。第一重佈層沿側壁區自該工件之側壁凹陷第一距離，並沿角區自該工件之側壁凹陷第二距離，其中該第二距離大於該第一距離。

在又一個實施例中，提供一種方法。該方法包括：提供工件，其中該工件具有交叉的切割道。在該工件的第一面上形成一個或複數個第一介電層。第一介電層在接近切割道的第一交叉點之第一位置處自切割道凹陷第一距離，並在第二位置處自切割道凹陷第二距離，該第二位置比該第一位置距離第一交叉點更遠。第一距離大於第二距離。該工件沿切割道分離。

10‧‧‧基板

20‧‧‧封裝件

100‧‧‧底部封裝件

102‧‧‧裝置晶粒

104‧‧‧正面重佈線

104a‧‧‧介電層

104b‧‧‧導電互聯結構

106‧‧‧接觸

110‧‧‧晶粒附接膜

118‧‧‧背面重佈線

118a‧‧‧介電層

118b‧‧‧導電互聯結構

120‧‧‧模塑料

120A‧‧‧表面

120B‧‧‧表面

122‧‧‧貫穿通路

124‧‧‧凸塊下金屬層

126‧‧‧第一連接件

150‧‧‧參考區域

200‧‧‧頂部封裝件

202‧‧‧裝置晶粒

308‧‧‧切割道

310‧‧‧貫穿通路

312‧‧‧晶粒

314‧‧‧接觸

316‧‧‧黏著層

330a‧‧‧第一正面介電層

330b‧‧‧第二正面介電層

332a‧‧‧開口

332b‧‧‧開口

340a‧‧‧第一正面金屬層

340b‧‧‧第二正面金屬層

348‧‧‧接觸墊

352‧‧‧保護層

354‧‧‧凸塊下金屬層

360‧‧‧連接件

410‧‧‧角區

510‧‧‧角區

512‧‧‧角區

514‧‧‧角區

204‧‧‧封裝件基板

206‧‧‧模塑料

208‧‧‧接觸

210‧‧‧接觸

212‧‧‧第二連接件

300‧‧‧載體基板

302‧‧‧黏著層

304‧‧‧背面重佈層

304a‧‧‧背面介電層

304b‧‧‧背面導電特徵

516‧‧‧角區

610‧‧‧角區

612‧‧‧角區

614‧‧‧角區

616‧‧‧角區

D₁‧‧‧距離

D₂‧‧‧距離

D₃‧‧‧距離

D₄‧‧‧寬度

R₁‧‧‧半徑

當閱讀隨附的附圖時，從以下詳細的描述可以最清楚地理解本發明的各個方面。需要強調的是，根據本行業的標準做法，不是按比例繪製各個特徵。事實上，各個特徵的尺寸可以任意增大或減小以便進行清楚的討論。

圖1是圖示實施例特徵的層疊封裝件的截面圖。

圖2是根據實施例的圖1所示的底部封裝件的平面圖；圖3A-圖3I顯示根據一些實施例的製造封裝件的各種中間製程的 步驟。

圖4A和圖4B顯示根據一些實施例的封裝件的平面圖。

圖5顯示根據一些實施例的封裝件的平面圖。

圖6A和圖6B顯示根據一些實施例的封裝件的平面圖。

圖7顯示根據一些實施例的封裝件。

圖8是根據一些實施例的流程圖，其顯示了經執行用來製造裝置的步驟。

如下揭露提供了很多不同的實施例或示例，用於實施所提供的主題的不同特徵。如下描述了元件和佈置的具體示例，以簡化本發明。當然，它們僅僅是示例，並不是旨在限制本發明。例如，以下描述中在第二特徵之上或在第二特徵上形成第一特徵可以包括形成直接接觸的第一特徵和第二特徵的實施例，還可以包括在第一特徵和第二特徵之間可以形成附加特徵從而使得第一特徵和第二特徵可以不直接接觸的實施例。此外，本揭露可以在各個示例中重複使用附圖標記和/或字母。這種重複使用用於簡化和清楚的目的，其本身並不表明所述的各個實施例和/或配置之間的關係。

而且，空間關係術語，例如“之下”、“下方”、“下麵”、“之上”、“上方”等，在此用於簡化描述附圖所示的一個單元和特徵對另一個單元或特徵的關係。除了附圖中描寫的方向，空間關係術語旨在包含使用或操作的裝置的不同方向。設備可以以其他方式定向(旋轉90度或者在其他方向)，並可以據此同樣地解釋本文所使用的空間關係描述語。

本發明的一些實施例涉及用於半導體裝置的封裝裝置及其製造方法。針對形成封裝件，尤其是扇出型封裝件，來描述實施例。其他 實施例可利用諸如在此描述的特徵。

如以下更為詳細的討論，將揭露裝置以及製造方法以減少或消除(例如)切割操作製程中的層離(delamination)。在一些情形下，切割可增加(例如)模塑料和上覆蓋重佈層(例如重佈層的聚合物或聚苯並惡唑(PBO)材料)之間的壓力。如下描述的實施例中，從切割道區凹陷或去除重佈層，使得重佈層不需要切割操作。在這些實施例中，切割道區中不形成重佈層，並在模塑料上執行隨後的切割操作。因為切割操作不是貫穿重佈層的，所以可減少或防止模塑料和重佈層之間的層離。除了從切割道區去除或省去重佈層，還從角區去除或省去重佈層的額外部分，以形成(例如)重佈層的圓形或楔形角。

圖1顯示根據一些實施例的層疊封裝(PoP)件20的截面圖。封裝件20包括底部封裝件100和位於底部封裝件100上且結合到底部封裝件100的頂部封裝件200。在一些實施例中，底部封裝件100包括裝置晶粒102(顯示了一個)，裝置晶粒102的正面朝下並結合到正面重佈線(RDL)，一同由符號104表示。在可替換的實施例中，底部封裝件100可包括任何數目的裝置晶粒，例如，一個裝置晶粒、兩個裝置晶粒或超過兩個裝置晶粒。裝置晶粒102可包括半導體基板和位於半導體基板前表面(朝下的表面)的集成電路裝置(例如，主動元件，其包括(例如)電晶體)。裝置晶粒102可包括邏輯晶粒，例如，中央處理單元(CPU)晶粒，圖形處理單元(GPU)晶粒，行動(mobile)應用晶粒等。

正面重佈線104包括一個或複數個介電層104a，介電層104a中形成有導電互聯結構104b(例如，金屬線和/或通路)。介電層104a可由(例如)有機材料形成，例如聚合物，其可進一步包括PBO、苯並環丁烯(BCB)、聚醯亞胺等。在可替換的實施例中，介電層104a由無機材料形成，例如，二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等。導電互聯結構104b由(例 如)銅、鋁、鎳、鈦，其他導電材料、上述材料的合金或多層(multi-layers)等製作而成。

裝置晶粒102模壓至模塑料120中，模塑料120包圍每一個裝置晶粒102。 模塑料120可以是模塑料、模塑料底部填充劑、樹脂等。模塑料120的表面120A與裝置晶粒120的底部表面處於同一水平面，而模塑料120的表面120B與裝置晶粒102的半導體基板的後表面處於同一水平面或高於它。在一些實施例中，裝置晶粒102的半導體基板的後表面與晶粒附接膜110接觸，晶粒附接膜110是將裝置晶粒102附著到上覆蓋背面重佈線118的介電膜。裝置晶粒120進一步包括電耦合到正面重佈線104的接觸106(例如，可包括導電的(例如，銅)柱、墊等)。

貫穿通路122形成於模塑料120中，且可實質穿透模塑料120。在一些實施例中，貫穿通路122具有與模塑料120的表面120B處於同一水平面的第一表面(圖1中頂部表面)，以及與模塑料120的表面120A實質水平的第二表面(圖1中底部表面)。貫穿通路122將正面重佈線104電耦合到背面重佈線118，背面重佈線118類似於正面重佈線104，可包括一個或複數個介電層118a和一個或複數個導電互聯結構118b。

由非焊接金屬材料製作而成的凸塊下金屬層(Under-bump metallizations，UBM)124接近封裝件100的底表面而形成。UBM 124包括銅、鋁、鈦、鎳、鈀、金，或它們的多層。在一些實施例中，如圖1所示，UBM 124的底表面在底部介電層104a的底表面下延伸。第一連接件126，例如錫球/凸塊，可附著到UBM 124的底表面以附著基板10，例如，印刷電路板(PCB)、封裝基板、另一個晶粒或封裝件等。

頂部封裝件200也可包括裝置晶粒，例如，裝置晶粒202，其可以是存儲器晶粒、邏輯晶粒等。在圖1所示的實施例中，裝置晶粒202安裝在封裝件基板204上且模壓至模塑料206中。在一些實施例中，裝置晶粒202安裝在封裝件基板204上且使用線結合技術電耦合到接觸208。接觸208使用(例如)一個或複 數個重佈線和通路(沒有單獨顯示)電耦合到頂部封裝件外部接觸210。頂部封裝件200(例如)通過諸如錫球/凸塊的第二連接件212電耦合到底部封裝件100。

仍然參見圖1，顯示了以虛線圓表示的參考區域150。如上所述，諸如切割的分離操作沿各種層之間的邊界產生壓力。例如，在圖1所示的扇出型封裝件的實施例中，切割時引起的壓力可引起模塑料和電介質(例如，PBO層)之間的層離問題。諸如包含在此的實施例去除重佈層的介電層，使得介電層不會沿切割道區上覆蓋模塑料。例如，如圖2所示，沿晶粒的角區去除額外的介電層材料。

圖2顯示了根據一些實施例圖1的底部封裝件100的底部的平面圖。如圖2所示，正面重佈層104從下面的模塑料120的邊緣以及底部封裝件100的邊緣凹陷距離D₁。在一些實施例中，距離D₁大於大約30μm，例如大約30μm至大約50μm。此外，正面重佈層104從下面的模塑料120的角凹陷，從而形成楔形角。例如，在圖2所示的實施例中，正面重佈層104自模塑料的角凹陷距離D₂和D₃以提供楔形角。在一些實施例中，距離D₂和D₃是相同的。在一些實施例中，D₂和D₃的長度是大約30μm至大約100μm。這種尺寸提供充足的凹陷量以減少或防止層離問題。

現在參見圖3A至圖3I，顯示了製造半導體裝置的中間步驟之各種截面圖，半導體裝置例如是上述根據一些實施例參見圖1和圖2討論的半導體裝置。首先參見圖3A，顯示了載體基板300具有附著層302以及其上形成的一個或複數個可選的背面重佈層304，其中，虛線308表示切割道區。如以下更為詳細的討論，晶粒放置在具有面朝上的接觸墊的基板300上。背面重佈層304在封裝件的兩個面上均提供電連接，使得能夠堆疊封裝件，例如圖1中所示的PoP配置。可替換地，如果晶粒、封裝件或其他基板不堆疊在當前的封裝件上，背面重佈層 304可以省去。

切割道308表示結構分成獨立的封裝件的區域。如以下更為詳細的討論，切割道308中將省略某些特徵，例如正面和/或背面重佈層。在一些實施例中，切割道308的寬度是D₄，其大約100μm至大約500μm，例如大約200μm。在一些實施例中，使用切口寬度為大約40μm的切割刀。

一般來說，在隨後的處理步驟中，載體基板300提供臨時的機械和結構支撐。此外，如圖3A所示，載體基板300的表面上形成有背面重佈層304。載體基板300可包括，例如，玻璃，二氧化矽，氧化鋁等。

背面重佈層304包括具有一個或複數個介電材料層，其中形成有導電特徵件(例如，導電線和通路)。該一個或複數個介電材料層共同表示為背面介電層304a，而導電特徵件共同表示為背面導電特徵件304b。

背面介電層304a可由合適的材料(例如，聚醯亞胺(PI)、PBO、BCB、環氧樹脂、矽樹脂、丙烯酸酯、奈米填充的苯酚樹脂、矽氧烷、氟化聚合物、聚降冰片烯、氧化物、氮化物等)使用任何合適的方法(例如，旋塗鍍膜技術、濺射等)製作而成。背面導電特徵件304b的形成包括圖案化背面介電層304a(例如，使用光刻和/或蝕刻製程)以及在圖案化後的背面介電層304a中形成背面導電特徵件304b(例如，通過沉積晶種層，使用遮罩以定義導電特徵件的形狀，以及使用無電/電化學鍍層工藝)。

圖3B顯示了根據一些實施例的可選的貫穿通路310之形成。可選的貫穿通路310提供從封裝件的一面到封裝件的另一面的電連接。例如，如以下更為詳細的解釋，晶粒安置在背面重佈層304並圍繞貫穿通路和晶粒形成模塑料。隨後，另一個裝置，例如，另一個晶粒、封裝件、基板 等，可附著到晶粒和模塑料。貫穿通路310提供另一個裝置和背面重佈層304之間的電連接，不必穿過安裝在背面重佈層304上的晶粒傳遞電信號。

貫穿通路310可(例如)通過在背面重佈層304上形成導電晶種層(未顯示)而形成。遮罩(未顯示)，例如圖案光阻層，可沉積並圖案化以定義貫穿通路310的形狀，其中遮罩裏的開口暴露晶種層。使用(例如)無電鍍層工藝/電化學鍍層工藝在開口中填充導電材料。鍍層工藝可單方向填充圖案化的光阻中的開口(例如，從晶種層向上)。單方向填充使得這種開口填充更均勻，尤其是對於深寬比高的貫穿通路。可替換地，在圖案化光阻中的開口之側壁上形成晶種層，且可多方向填充這種開口。隨後，如圖3B所示，在灰化和/或濕去除(wet strip)製程中，可去除光阻，使得貫穿通路310位於背面重佈層304之上或電連接到背面重佈層304。貫穿通路310可通過線結合製程用金屬線凸塊(metal wire stud)實現，例如銅線結合製程。使用線結合製程將不需要沉積晶種層、沉積和圖案化光阻以及鍍層以形成貫穿通路310。

現在參見圖3C，根據一些實施例顯示了晶粒312附著於背面重佈層304。晶粒312可包括基板，其上形成有適於特定應用的任何類型的電路。例如，電路可包括各種N型金屬-氧化物-半導體(NMOS)和/或P型金屬-氧化物-半導體(PMOS)裝置，例如，電晶體、電容器、電阻、二極體、光電二極體、熔絲等，互聯起來以執行一個或複數個功能。該功能可包括存儲器結構、處理結構、感測器、放大器、功率分配、輸入/輸出電路等。本領域普通技術人員將會理解以上提供的示例僅僅用於說明性目的，以進一步解釋一些說明性實施例的應用，而不旨在以任何方式限制本揭露。可以使用其他電路以適應給定應用。

晶粒312可包括覆蓋電氣裝置的一個或複數個介電層，在介電層之間形成金屬層以引導電氣裝置之間的電信號。電氣裝置也可在一個或複數個介電層中形成。晶粒312包括最上部介電層中的外部接觸(例如接觸314)，以提供到電路的外部電連接。在一個實施例中，接觸314是鋁墊或鋁-銅墊，儘管可使用其他金屬材料。接觸314可以是其他至晶粒312的電路的襯墊、柱、錫球、線凸塊或導電連接。

使用(例如)沉積在背面上的黏著層316(例如，晶粒附著膜(DAF))，將晶粒312附著於背面重佈層304。在一個實施例中，黏著層316可以是任何合適的黏合劑，例如紫外(UV)膠，紫外(UV)膠當暴露於UV光線時失去其黏著性。

圖3D顯示了根據一些實施例的模塑料製程和模塑料背面研磨。在一些實施例中，模塑料製程是晶圓級模塑料製程。例如，分配模塑料320以填充晶粒312和貫穿通路310之間的間隙。模塑料320可包括任何適合的材料，例如環氧樹脂、模塑料底部填充劑等。形成模塑料320的合適方法包括壓縮模塑料、傳遞模塑料、液態密封劑模塑料等。例如，模塑料320可以液態的形式在晶粒312和貫穿通路310之間分配。隨後，執行固化製程以凝固模塑料320。填充的模塑料320可溢出晶粒312和貫穿通路310，使得模塑料320覆蓋晶粒312和貫穿通路310的頂表面。可利用機械研磨、化學機械拋光(chemical mechanical polish，CMP)或其他回蝕技術去除模塑料320的過多部分，以暴露晶粒312的接觸314。在平坦化後，模塑料320、晶粒312以及貫穿通路310的頂表面實質水平。

參見圖3E，根據一些實施例顯示了第一正面介電層330a。第一正面介電層330a可由任何合適的材料(例如，PI、PBO、BCB、環氧樹脂、矽樹脂、丙烯酸酯、奈米填充的苯酚樹脂、矽氧烷、氟化聚合物、聚降冰片烯、氧化物、氮化物等)採用任何合適的方法(例如， 旋塗鍍膜技術、濺射等)形成。

如圖3E所示，圖案化第一正面介電層330a以定義開口332a，從而暴露晶粒312的接觸314和貫穿通路310。進一步圖案化第一正面介電層330a以定義沿切割道308的開口332b。儘管圖3E中沒有明確顯示，開口332b也沿角區去除第一正面介電層330a的材料，例如如圖1、圖2和/或圖4A-6B所示。如上所述，從切割道區和/或角區去除正面重佈層的介電層減少或消除了由於切割操作沿晶粒之邊緣的層離問題。在使用感光材料形成第一正面介電層330a的實施例中，可使用微影技術執行圖案化。

圖3F顯示了根據一些實施例的第一正面金屬層340a之形成。第一正面介電層330a和第一正面金屬層340a一同形成第一重佈層。可通過在正面介電層330a上形成導電晶種層(未顯示)而形成第一正面金屬層340a。可沉積和圖案化遮罩(例如圖案化光阻層)以定義第一正面金屬層340a的形狀，其中遮罩的開口暴露晶種層。使用(例如)無電鍍層工藝或電化學鍍層工藝利用導電材料填充開口。隨後，在灰化和/或去濕去除製程中，可去除光阻，留下如圖3F所示的第一正面金屬層340a。

圖3G顯示了根據一些實施例的一個或複數個額外正面介電層和正面金屬層之形成。出於說明性之目的，圖3G顯示了一個額外的介電層和金屬層(例如，第二正面介電層330b和第二正面金屬層340b)。可使用參見上述關於第一正面介電層330a和第一正面金屬層340a的相似工藝和材料分別形成額外的正面介電層和正面金屬層。如圖3G所示，圖案化額外的正面介電層，使得如上所述也沿切割道和/或角區去除介電材料。在其他實施例中，可呈現出沒有、更少的或更多的額外介電層和重佈層。

圖3G進一步顯示了根據一些實施例的在正面重佈層上形成的一 個或複數個保護層352。保護層352可由聚合物形成，例如環氧樹脂、聚醯亞胺、BCB、PBO等。形成方法包括(例如)旋塗。圖案化保護層352以形成開口，通過開口暴露最上面的正面重佈層中形成的接觸墊348。保護層352的圖案化可包括光刻技術。執行固化步驟以固化保護層352。

圖3H顯示了在一個或複數個保護層352上形成並圖案化的凸塊下金屬層(UBM)354，其貫穿一個或複數個保護層352以形成與接觸墊348的電連接。凸塊下金屬層354設有電連接，其上可放置電連接件，例如，錫球/凸塊。在一個實施例中，凸塊下金屬層354包括擴散阻擋層、晶種層或它們的組合。擴散阻擋層可包括Ti、TiN、Ta、TaN或它們的組合。晶種層可包括銅或銅合金。然而，也可包括其他的金屬，例如鎳、鈀、銀、金、鋁，上述金屬的組合以及它們的多層。在一個實施例中，使用濺射形成凸塊下金屬層354。在另一個實施例中，可使用電鍍。

圖3H也顯示了根據一些實施例的在凸塊下金屬層354上形成的連接件360。在一個實施例中，連接件360包括共晶材料且可包括(例如)錫凸塊或錫球。焊接材料可以是(例如)含鉛焊料和無鉛焊料，例如，Pb-Sn成分之鉛焊料，包括InSb之無鉛焊料，錫、銀和銅(SAC)成分以及具有共同熔點並在電氣應用中形成導電焊料連接的其他共晶材料。對於無鉛焊料，可使用不同成分的SAC焊料，例如，作為示例的SAC 105(Sn 98.5%,Ag 1.0%,Cu 0.5%)、SAC 305和SAC 405。諸如錫球的無鉛連接件也可由SnCu化合物組成，不使用銀(Ag)。可替換地，無鉛焊料連接件可包括錫和銀Sn-Ag，不使用銅。連接件360可以是形成柵格的連接件陣列(例如，球柵格陣列(ball grid array，BGA))中的一個。在一些實施例中，連接件360包括具有部分球形的導電球。可替換地，連接件360可包括其他形狀。 連接件360也可包括(例如)非球形的導電連接件。

在一些實施例中，使用植球製程附著連接件360。在安裝連接件360的製程中，或在導電材料安裝製程後，共晶材料可以銲。

圖3I顯示了根據一個實施例的在去除載體基板300和附著層302(見圖3H)後產生的結構。圖3I也顯示了沿連接至另一個基板(例如，另一個封裝件、印刷電路板、晶粒、晶圓等)的背面重佈層304形成UBM 354和連接件360後的結構以及切割製程。可使用切割、鐳射或其他製程執行切割製程。在一些實施例中，切割製程將圖3H的結構分成單獨的封裝件。

如圖3H所示，已經在切割道區去除或省去重佈層。這樣，在一些實施例中，執行切割操作而沒有切割(例如，切開)重佈層。在一些實施例中，重佈層從模塑料的邊緣並沿模塑料的角區凹陷。重佈層的角區可具有楔形、圓形或其他凹陷的形狀。

此後，圖3I所示的封裝件以諸如圖1所示的配置安裝。需要注意的是，圖1顯示了底部封裝件包含單個晶粒的實施例。儘管一些實施例可包括超過兩個晶粒，在其他實施例中，可使用複數個晶粒(例如圖3I的多晶粒封裝件)。

為了說明之目的，上述製程表示首先形成背面重佈層的一個製程。在其他實施例中，在正面重佈層形成後形成背面重佈層。例如，可利用相似的工藝和材料在載體基板上形成貫穿通路，不需要先形成背面重佈層，並將一個或複數個晶粒附著到載體基板。在形成模塑料和正面重佈層後，去除載體基板，另一個載體基板附著於正面。然後，在晶粒的背面和模塑料上形成背面重佈層。

而且，為了說明性之目的，所示的第一正面重佈層330僅沿晶粒的正面凹陷。在其他實施例中，使用類似於上述的工藝和材料，覆蓋模塑料的介電層可在背面、正面或正面和背面上凹陷。

現在參見圖4A和圖4B，根據其他實施例，可使用其他形狀的角。圖1和圖2顯示了實施例，為了說明之目的，第一背面重佈層304的角區是三角形。在其他實施例中，可使用其他形狀。例如，圖4A和圖4B顯示了角區(以角區410表示)具有圓形凹陷的實施例，其中圖4B是圖4A的角區410的放大圖。在一個實施例中，圓形角的半徑是R₁，儘管可使用其他尺寸，在一些實施例中，R₁可以從大約30μm至大約100μm。這些尺寸提供充足的凹陷以減少或消除層離，卻不妨礙金屬線的佈線或接觸墊的佈置。

圖5顯示了介電層104a在不同角凹陷程度不同的實施例。例如，圖5的角區510-514凹陷程度類似，而角區516凹陷程度更多。在一個實施例中，角區516比角區510-514多凹陷20-100%。具有更多凹陷區的角區516可被用來(例如)區分晶粒方向。

為了說明之目的，圖5顯示了只有一個角區大於其他角區的實施例。其他實施例中，介電層104a可凹陷兩個或更多個角區。例如，圖6A顯示了角區610和616相對角區612和614凹陷程度更多的實施例。此外，為了說明之目的，顯示的對角角區是類似的，而在其他實施例中，相對更大的凹陷可以是鄰近的角區，例如，如圖6B所示，鄰近的角區622和626相對角區620和624的凹陷程度更大。

圖7顯示了根據一些實施例之封裝件，其中背面重佈層304也凹陷。上述實施例顯示了正面重佈層104從切割道308凹陷的實施例。在其他實施例中，背面重佈層304是凹陷的，而在一些實施例中，正面重佈層104和背面重佈層304均凹陷。圖7顯示了正面重佈層104和背面重佈層304均凹陷的實施例。可使用類似的工藝和材料使背面重佈層304凹陷。

例如，在一些實施例中，描述了如下製程：在正面重佈層之後形成背面重佈層，以及自切割道區去除背面重佈層。在該製程中，執 行參見圖3B至圖3H的上述製程，然後以類似於形成正面重佈層的製程來形成背面重佈層。此後，按照上面討論執行分離製程。

圖8是根據一些實施例的流程圖，其顯示了製造半導體裝置的製程。該製程在圖中802處開始，其中提供基板。在一些實施例中，如上所述，基板包括載體基板，其具有晶粒、沿晶粒的側壁的模塑料以及貫穿模塑料的貫穿通路。此後，在步驟804處，形成一個或複數個重佈層，從而沿切割道去除重佈層。在一些實施例中，通過(例如)圓形化或楔形化重佈層的角去除重佈層的角。接下來，在步驟806處，通過(例如)切割分離結構。通過凹陷重佈層，可減少或防止分離製程中的層離問題。

前面所述概括了幾個實施例的特徵，使得本領域技術人員可更好地理解本發明的各個方面。本領域技術人員應該明白他們可以將本發明當作基礎，用來設計或修改用於執行相同目的和/或獲得在此介紹的實施例的相同好處的其他製程和結構。本領域技術人員也可意識到這樣等同的構造並不脫離本發明的精神和保護範圍，並且在不脫離本發明的精神和保護範圍的情況下，他們可以在此做各種改變、替換和修改。

10‧‧‧基板

20‧‧‧封裝件

100‧‧‧底部封裝件

102‧‧‧裝置晶粒

104‧‧‧正面重佈線

104a‧‧‧介電層

104b‧‧‧導電互聯結構

106‧‧‧接觸

110‧‧‧晶粒附接膜

118‧‧‧背面重佈線

118a‧‧‧介電層

118b‧‧‧導電互聯結構

120‧‧‧模塑料

120A‧‧‧表面

120B‧‧‧表面

122‧‧‧貫穿通路

124‧‧‧凸塊下金屬層

126‧‧‧第一連接件

150‧‧‧參考區域

200‧‧‧頂部封裝件

202‧‧‧裝置晶粒

204‧‧‧封裝件基板

206‧‧‧模塑料

208‧‧‧接觸

210‧‧‧接觸

212‧‧‧第二連接件

Claims (10)

1. 一種裝置，其包括：晶粒；模塑料，其鄰近該晶粒的側壁；以及一個或複數個第一面介電層，其位於該晶粒的第一面和該模塑料上，該一個或複數個第一面介電層自該模塑料的邊緣凹陷，該一個或複數個第一面介電層具有非直角的角。
2. 如請求項1所述的裝置，其中，該非直角的角是圓形的。
3. 如請求項1所述的裝置，其中，該非直角的角是楔形的。
4. 如請求項1所述的裝置，其中，該第一面介電層的至少一個角與另一個角凹陷程度不同。
5. 如請求項1所述的裝置，其中，該第一面介電層的該角在大約30μm至大約100μm之間楔形化。
6. 一種裝置，其包括：工件；以及一個或複數個第一重佈層，其在該工件的第一面上延伸，該第一重佈層沿側壁區自該工件的側壁凹陷第一距離，該第一重佈層沿角區自該工件的該側壁凹陷第二距離，該第二距離大於該第一距離。
7. 如請求項6所述的裝置，進一步包括：一個或複數個第二重佈層，其在該工件的背對該工件之該第一面的第二面上延伸，該第二重佈層沿該側壁區自該工件的側壁凹陷第三距離，該第二重佈層沿該角區自該工件的該側壁凹陷第四距離，該第四距離大於該第三距離。
8. 如請求項6所述的裝置，其中，該第一重佈層的第一對角凹陷第一距離，且其中，第二對角凹陷第二距離，該第一距離不同於該第二距離。
9. 一種方法，其包括：提供工件，該工件具有交叉的切割道；在該工件的第一面上形成一個或複數個第一介電層，該第一介電層在接近該切割道第一交叉點的第一位置處自該切割道凹陷第一距離，該第一介電層在第二位置處自該切割道凹陷第二距離，該第二位置比該第一位置距該第一交叉點更遠，該第一距離大於該第二距離；以及沿該切割道分離該工件。
10. 如請求項9所述的方法，其中，該形成該第一介電層包括形成複數個介電層，該形成該複數個介電層包括：形成介電層；圖案化該介電層以沿切割道去除該介電層的部分；以及圖案化後，重複該形成和該圖案化步驟一次或複數次。