DE102018106163A1

DE102018106163A1 - Integrierte Fan-out-Packages und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE102018106163A1
Application number: DE102018106163.3A
Authority: DE
Inventors: Li-Hsien HUANG; Yueh-Ting Lin; An-Jhih Su; Ming Shih Yeh; Der-Chyang Yeh
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2017-11-30
Filing date: 2018-03-16
Publication date: 2019-06-06
Also published as: CN115274469A

Abstract

Ein Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Befestigen eines ersten Dies und eines zweiten Dies an einem Träger; Abscheiden eines Formmaterials zwischen dem ersten und dem zweiten Die; und Herstellen einer Umverteilungsstruktur über dem ersten Die, dem zweiten Die und dem Formmaterial, wobei die Umverteilungsstruktur einen ersten Umverteilungsbereich, einen zweiten Umverteilungsbereich und einen Vereinzelungsbereich zwischen dem ersten Umverteilungsbereich und dem zweiten Umverteilungsbereich aufweist. Das Verfahren umfasst weiterhin Folgendes: Erzeugen einer ersten Öffnung und einer zweiten Öffnung in dem Vereinzelungsbereich, wobei die erste und die zweite Öffnung durch die Umverteilungsstruktur verlaufen und das Formmaterial freilegen; und Trennen des ersten Dies und des zweiten Dies durch Durchtrennen eines Teils des Formmaterials, der zu dem Vereinzelungsbereich ausgerichtet ist, von einer zweiten Seite des Formmaterials zu der ersten Seite des Formmaterials, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt.

Description

Prioritätsanspruch und Querverweis
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der am 30. November 2017 eingereichten vorläufigen US-Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 62/593.019 und dem Titel „Integrated Fan-out Packages and Methods of Forming the Same“ („Integrierte Fan-out-Packages und Verfahren zu deren Herstellung“), die durch Bezugnahme aufgenommen ist.
Hintergrund der Erfindung
Die IC-Branche (IC: integrierter Halbleiter-Schaltkreis) hat ein rasches Wachstum auf Grund von ständigen Verbesserungen bei der Integrationsdichte verschiedener elektronischer Komponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände, Kondensatoren usw.) erfahren. Größtenteils ist diese Verbesserung der Integrationsdichte auf wiederholte Reduzierungen der kleinsten Strukturbreite zurückzuführen, wodurch mehr Komponenten auf einer gegebenen Fläche integriert werden können. Da die Forderung nach noch kleineren elektronischen Bauelementen in letzter Zeit stärker geworden ist, ist ein Bedarf an kreativeren Packaging-Verfahren für Halbleiter-Dies entstanden.
Ein Beispiel für solche Packaging-Technologien ist die Package-auf-Package(PoP)-Technologie. Bei einem PoP-Bauelement wird ein oberes Halbleiter-Package auf ein unteres Halbleiter-Package gestapelt, um einen hohen Integrationsgrad und eine hohe Komponentendichte zu erzielen. Ein weiteres Beispiel ist die Mehrchip-Modul(MCM)-Technologie, bei der mehrere Halbleiter-Dies in einem einzigen Halbleiter-Package verkappt werden, um Halbleiter-Bauelemente mit integrierten Funktionalitäten bereitzustellen.
Der hohe Integrationsgrad von modernen Packaging-Technologien ermöglicht die Herstellung von Halbleiter-Bauelementen mit verbesserten Funktionalitäten und kleinen Anschlussflächen, was vorteilhaft für Bauelemente mit einem kleinen Formfaktor ist, wie etwa Mobiltelefone, Tablets und digitale Musik-Abspielgeräte. Ein weiterer Vorzug ist die verkürzte Länge der leitenden Pfade, die die zusammenwirkenden Teile in dem Halbleiter-Package verbinden. Dies verbessert die elektrische Leistung des Halbleiter-Bauelements, da eine kürzere Leitungsführung von Verbindungen zwischen Schaltkreisen zu einer kürzeren Signallaufzeit und zu reduziertem Rauschen und einer reduzierten Kreuzkopplung führt.
Figurenliste
Aspekte der vorliegenden Erfindung lassen sich am besten anhand der nachstehenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass entsprechend der üblichen Praxis in der Branche verschiedene Elemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Vielmehr können der Übersichtlichkeit der Erörterung halber die Abmessungen der verschiedenen Elemente beliebig vergrößert oder verkleinert sein.

Die 1 bis 6, 7A, 7B und 8 bis 11 zeigen verschiedene Darstellungen eines Halbleiter-Packages auf verschiedenen Herstellungsstufen, gemäß einer Ausführungsform.
12 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiter-Packages, gemäß einigen Ausführungsformen.

Detaillierte Beschreibung
Die nachstehende Beschreibung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale der Erfindung bereit. Nachstehend werden spezielle Beispiele für Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Erfindung zu vereinfachen. Diese sind natürlich lediglich Beispiele und sollen nicht beschränkend sein. Zum Beispiel kann die Herstellung eines ersten Elements über oder auf einem zweiten Element in der nachstehenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen das erste und das zweite Element in direktem Kontakt hergestellt werden, und sie kann auch Ausführungsformen umfassen, bei denen zusätzliche Elemente zwischen dem ersten und dem zweiten Element so hergestellt werden können, dass das erste und das zweite Element nicht in direktem Kontakt sind.
Darüber hinaus können hier räumlich relative Begriffe, wie etwa „darunter befindlich“, „unter“, „untere(r)“/„unteres“, „darüber befindlich“, „obere(r)“/„oberes“ und dergleichen, zur einfachen Beschreibung der Beziehung eines Elements oder einer Struktur zu einem oder mehreren anderen Elementen oder Strukturen verwendet werden, die in den Figuren dargestellt sind. Die räumlich relativen Begriffe sollen zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Orientierung andere Orientierungen des in Gebrauch oder in Betrieb befindlichen Bauelements umfassen. Das Bauelement kann anders ausgerichtet werden (um 90 Grad gedreht oder in einer anderen Orientierung), und die räumlich relativen Deskriptoren, die hier verwendet werden, können ebenso entsprechend interpretiert werden.
Es werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in Zusammenhang mit Halbleiter-Packages und Verfahren zum Herstellen der Halbleiter-Packages und insbesondere von integrierten Fan-out-Halbleiter-Packages (InFo-Halbleiter-Packages) erörtert. Bei einigen Ausführungsformen werden mehrere Halbleiter-Dies und leitfähige Säulen über einem Träger hergestellt, und ein Formmaterial wird über dem Träger und um die Dies und die leitfähigen Säulen abgeschieden. Über dem Formmaterial, den Dies und den leitfähigen Säulen wird eine Umverteilungsstruktur hergestellt, sodass eine Halbleiterstruktur entsteht, die mehrere einzelne Halbleiter-Packages aufweist, die bei der späteren Bearbeitung zertrennt werden. Bei einigen Ausführungsformen wird kein Dichtungsring in der Umverteilungsstruktur um die Dies hergestellt, was Platz spart, der für die Dichtungsringe benötigt wird, und die Herstellung von mehr einzelnen Halbleiter-Packages über dem Träger ermöglicht, sodass die Produktivität des Herstellungsprozesses erhöht wird. Bei einigen Ausführungsformen wird zum Trennen der einzelnen Halbleiter-Packages ein Vorschneideprozess durchgeführt, um Öffnungen in einer ersten Seite der Halbleiterstruktur (z. B. in Vereinzelungsbereichen der Umverteilungsstruktur) zu erzeugen, und daran schließt sich ein Schneideprozess an, der von einer zweiten Seite der Halbleiterstruktur beginnt, die der ersten Seite gegenüberliegt. Die Öffnungen, die mit dem Vorschneideprozess erzeugt werden, können eine Schichtablösung der Umverteilungsstruktur während des Vereinzelungsprozesses verhindern oder reduzieren.
Die 1 bis 6, 7A, 7B und 8 bis 11 zeigen verschiedene Darstellungen (z. B. Schnittansichten, Draufsichten) eines PoP-Halbleiter-Packages 500 (PoP: Package auf Package) auf verschiedenen Herstellungsstufen, gemäß einer Ausführungsform. Insbesondere zeigen die 1 bis 6, 7A, 7B und 8 verschiedene Darstellungen eines oder mehrerer unterer Packages 1100 (z. B. 1100A, 1100B) des PoP-Packages, und die 9 bis 11 zeigt Schnittansichten des PoP-Packages nach dem Befestigen von oberen Packages 160 (z. B. 160A, 160B) an den unteren Packages 1100.
In 1 wird eine dielektrische Schicht 110, die eine Pufferschicht sein kann, über einem Träger 101 hergestellt. Über der dielektrischen Schicht 110 werden leitfähige Säulen 119 hergestellt.
Der Träger 101 kann aus einem Material wie Silizium, Polymer, Polymer-Verbundstoff, Metallfolie, Keramik, Glas, Glasepoxid, Berylliumoxid, einem Band oder aus einem anderen geeigneten Material zur konstruktiven Abstützung bestehen. Bei einigen Ausführungsformen besteht die dielektrische Schicht 110 aus einem Polymer, wie etwa Polybenzoxazol (PBO), Polyimid, Benzocyclobuten (BCB) oder dergleichen; einem Nitrid, wie etwa Siliziumnitrid; einem Oxid, wie etwa Siliziumoxid, Phosphorsilicatglas (PSG), Borsilicatglas (BSG), Borphosphorsilicatglas (BPSG) oder dergleichen. Die dielektrische Schicht 110 kann mit einem geeigneten Abscheidungsverfahren abgeschieden werden, wie etwa Schleuderbeschichtung, chemische Aufdampfung (CVD), Laminierung oder dergleichen, oder mit einer Kombination davon.
Bei einigen Ausführungsformen wird eine Haftschicht (nicht dargestellt) über dem Träger 101 abgeschieden oder aufgebracht, bevor die dielektrische Schicht 110 hergestellt wird. Die Haftschicht kann lichtempfindlich sein und kann leicht von dem Träger 101 abgelöst werden, zum Beispiel durch Bestrahlen des Trägers 101 mit UV-Licht in einem späteren Träger-Ablösungsprozess. Die Haftschicht kann zum Beispiel eine LTHC-Beschichtung (LTHC: Licht-Wärme-Umwandlung) sein, die von der Fa. 3M Company in St. Paul, Minnesota, oder von anderen Anbietern hergestellt wird.
Bleiben wir bei 1. Über der dielektrischen Schicht 110 werden leitfähige Säulen 119 hergestellt. Die leitfähigen Säulen 119 können wie folgt hergestellt werden: Herstellen einer Seed-Schicht über der dielektrischen Schicht 110; Herstellen eines strukturierten Fotoresists über der Seed-Schicht, wobei jede Öffnung in dem strukturierten Fotoresist einer Stelle entspricht, an der die leitfähige Säule 119 hergestellt werden soll; Füllen der Öffnungen mit einem elektrisch leitfähigen Material, wie etwa Kupfer, durch Elektroplattierung oder stromlose Plattierung; Entfernen des Fotoresists z. B. mit einem Ablösungs- oder Stripping-Prozess; und Entfernen von Teilen der Seed-Schicht, auf denen die leitfähigen Säulen 119 nicht hergestellt sind. Weitere Verfahren zum Herstellen der leitfähigen Säulen 119 sind ebenfalls möglich und sollen vollständig innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen. Bei einigen Ausführungsformen wird die dielektrische Schicht 110 weggelassen, und die leitfähigen Säulen 119 werden auf der Haftschicht (z. B. einer LTHC-Beschichtung) hergestellt, die über dem Träger 101 abgeschieden oder aufgebracht wird.
Dann wird in 2 ein Halbleiter-Die 120 (der auch als ein Die oder ein IC-Die bezeichnet werden kann) an der Oberseite der dielektrischen Schicht 110 befestigt. Zum Befestigen des Dies 120 an der dielektrischen Schicht 110 kann eine Haftschicht 118, wie etwa eine Die-Befestigungsschicht (DAF), verwendet werden.
Bevor der Die 120 an der dielektrischen Schicht 110 befestigt wird, kann er mit geeigneten Herstellungsverfahren zum Herstellen von integrierten Schaltkreisen in dem Die 120 bearbeitet werden. Der Die 120 kann zum Beispiel ein Halbleitersubstrat und eine oder mehrere darüber befindliche Metallisierungsschichten aufweisen, die kollektiv als Element 121 bezeichnet werden. Das Halbleitersubstrat kann zum Beispiel dotiertes oder undotiertes Silizium oder eine aktive Schicht eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats sein. Das Halbleitersubstrat kann Folgendes umfassen: andere Halbleitermaterialien, wie etwa Germanium; einen Verbindungshalbleiter, wie etwa Siliziumcarbid, Galliumarsen, Galliumphosphid, Galliumnitrid, Indiumphosphid, Indiumarsenid und/oder Indiumantimonid; einen Legierungshalbleiter, wie etwa SiGe, GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP und/oder GaInAsP; oder Kombinationen davon. Andere Substrate, wie etwa mehrschichtige oder Gradient-Substrate, können ebenfalls verwendet werden. In und/oder auf dem Halbleitersubstrat können Bauelemente (nicht dargestellt), wie etwa Transistoren, Dioden, Kondensatoren, Widerstände usw., hergestellt werden und durch Metallisierungsschichten, z. B. Metallisierungsstrukturen in einer oder mehreren dielektrischen Schichten über dem Halbleitersubstrat, zu einem integrierten Schaltkreis miteinander verbunden werden.
Der Die 120 weist weiterhin Pads 126, wie etwa Aluminiumpads, auf, zu denen äußere Anschlüsse hergestellt werden. Die Pads 126 befinden sich auf einer Seite des Dies 120, die als aktive oder Vorderseite bezeichnet werden kann. Auf der Vorderseite des Dies 120 und auf Teilen der Pads 126 wird eine Passivierungsschicht 127 hergestellt. Öffnungen werden so hergestellt, dass sie durch die Passivierungsschicht 127 zu den Pads 126 verlaufen. Die-Verbindungselemente 128, wie etwa leitfähige Säulen (die zum Beispiel ein Metall wie Kupfer aufweisen) reichen in die Öffnungen der Passivierungsschicht 127 hinein und sind mechanisch und elektrisch mit den jeweiligen Pads 126 verbunden. Die Die-Verbindungselemente 128 können zum Beispiel durch Plattierung oder dergleichen hergestellt werden. Die Die-Verbindungselemente 128 sind elektrisch mit den integrierten Schaltkreisen des Dies 120 verbunden.
Auf den aktiven Seiten des Dies 120, wie etwa auf der Passivierungsschicht 127 und/oder den Die-Verbindungselementen 128, wird ein dielektrisches Material 129 abgeschieden. Das dielektrische Material 129 verkapselt die Die-Verbindungselemente 128 seitlich und endet seitlich mit dem Die 120. Das dielektrische Material 129 kann ein Polymer, wie etwa Polybenzoxazol (PBO), Polyimid, Benzocyclobuten (BCB) oder dergleichen; ein Nitrid, wie etwa Siliziumnitrid oder dergleichen; ein Oxid, wie etwa Siliziumoxid, Phosphorsilicatglas (PSG), Borsilicatglas (BSG), Borphosphorsilicatglas (BPSG) oder dergleichen; oder eine Kombination davon sein und kann zum Beispiel durch Schleuderbeschichtung, Laminierung, CVD oder dergleichen abgeschieden werden.
Dann wird in 3 ein Formmaterial 130 über der dielektrischen Schicht 110, um den Die 120 und um die leitfähigen Säulen 119 abgeschieden. Das Formmaterial 130 kann zum Beispiel ein Epoxidharz, ein organisches Polymer, ein Polymer mit oder ohne Zugabe eines Füllstoffs auf Kieselglas- oder Glasbasis oder andere Materialien umfassen. Bei einigen Ausführungsformen ist das Formmaterial 130 eine flüssige Formmasse (LMC), die beim Aufbringen eine Gel-artige Flüssigkeit ist. Das Formmaterial 130 kann auch als eine Flüssigkeit oder als ein Feststoff aufgebracht werden. Alternativ kann das Formmaterial 130 weitere isolierende und/oder Verkapselungsmaterialien aufweisen. Das Formmaterial 130 wird bei einigen Ausführungsformen mit einem Formpressverfahren auf Waferebene aufgebracht. Das Formmaterial 130 kann zum Beispiel durch Formpressen, Pressspritzen oder mit anderen Verfahren geformt werden.
Dann wird das Formmaterial 130 bei einigen Ausführungsformen mit einem Härtungsverfahren gehärtet. Das Härtungsverfahren kann das Erwärmen des Formmaterials 130 auf eine festgelegte Temperatur für eine festgelegte Dauer unter Verwendung eines Glühprozesses oder eines anderen Erwärmungsprozesses umfassen. Die Härtung kann auch eine Bestrahlung mit UV-Licht, eine Bestrahlung mit Infrarot-Energie, Kombinationen davon oder eine Kombination davon mit einer Erwärmung umfassen. Alternativ kann das Formmaterial 130 mit anderen Verfahren gehärtet werden. Bei einigen Ausführungsformen erfolgt keine Härtung.
Optional kann ein Planarisierungsprozess, wie etwa eine chemisch-mechanische Polierung (CMP), durchgeführt werden, um überschüssige Teile des Formmaterials 130 über der Vorderseite des Dies 120 zu entfernen. Nach dem Planarisierungsprozess haben das Formmaterial 130, die leitfähige Säule 119 und die Die-Verbindungselemente 128 bei einigen Ausführungsformen eine koplanare Oberseite.
In 4 wird eine Umverteilungsstruktur 140 (die auch als eine vorderseitige Umverteilungsstruktur bezeichnet werden kann) über dem Formmaterial 130, der leitfähigen Säule 119 und dem Die 120 hergestellt. Die Umverteilungsstruktur 140 umfasst eine oder mehrere Schichten von elektrisch leitfähigen Strukturelementen (z. B. leitfähigen Leitungen 143 und Durchkontaktierungen 145), die in einer oder mehreren dielektrischen Schichten (z. B. 142, 144, 146 und 148) hergestellt sind.
Bei einigen Ausführungsformen bestehen die eine oder die mehreren dielektrischen Schichten (z. B. 142, 144, 146 und 148) aus einem Polymer, wie etwa Polybenzoxazol (PBO), Polyimid, Benzocyclobuten (BCB) oder dergleichen; einem Nitrid, wie etwa Siliziumnitrid; einem Oxid, wie etwa Siliziumoxid, Phosphorsilicatglas (PSG), Borsilicatglas (BSG), Borphosphorsilicatglas (BPSG) oder dergleichen. Die eine oder die mehreren dielektrischen Schichten können mit einem geeigneten Abscheidungsverfahren abgeschieden werden, wie etwa Schleuderbeschichtung, chemische Aufdampfung (CVD), Laminierung oder dergleichen, oder mit einer Kombination davon.
Bei einigen Ausführungsformen umfassen die leitfähigen Strukturelemente der Umverteilungsstruktur 140 leitfähige Leitungen (z. B. 143) und leitfähige Durchkontaktierungen (z. B. 145), die aus einem geeigneten leitfähigen Material wie Kupfer, Titan, Wolfram, Aluminium oder dergleichen bestehen. Bei einigen Ausführungsformen werden die leitfähigen Strukturelemente wie folgt hergestellt: Erzeugen von Öffnungen in einer dielektrischen Schicht der Umverteilungsstruktur 140, um darunter befindliche leitfähige Strukturelemente freizulegen; Herstellen einer Seed-Schicht (nicht dargestellt) über der dielektrischen Schicht und in den Öffnungen; Herstellen eines strukturierten Fotoresists (nicht dargestellt) mit einer entworfenen Struktur über der Seed-Schicht; Plattieren (z. B. Elektroplattieren oder stromloses Plattieren) des leitfähigen Materials in der entworfenen Struktur und über der Seed-Schicht; und Entfernen des Fotoresists und von Teilen der Seed-Schicht, auf denen das leitfähige Material nicht abgeschieden ist. Andere Verfahren zum Herstellen der Umverteilungsstruktur 140 sind ebenfalls möglich und sollen vollständig innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen.
Die Anzahl von dielektrischen Schichten und die Anzahl von Schichten mit den leitfähigen Strukturelementen in der Umverteilungsstruktur 140 von 4 sind lediglich nicht-beschränkende Beispiele. Andere Anzahlen der dielektrischen Schichten und andere Anzahlen der Schichten mit den leitfähigen Strukturelementen sind ebenfalls möglich und sollen vollständig innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen.
4 zeigt außerdem UBM-Strukturen 147 (UBM: Metallisierung unter dem Kontakthügel), die über der Umverteilungsstruktur 140 hergestellt sind und mit dieser elektrisch verbunden sind. Um die UBM-Strukturen 147 herzustellen, werden Öffnungen in der obersten dielektrischen Schicht (z. B. 142) der Umverteilungsstruktur 140 erzeugt, um leitfähige Strukturelemente (z. B. Kupferleitungen oder Kupferpads) der Umverteilungsstruktur 140 freizulegen. Nachdem die Öffnungen erzeugt worden sind, können die UBM-Strukturen 147 in elektrischen Kontakt mit den freigelegten leitfähigen Strukturelementen gebracht werden. Bei einer Ausführungsform umfassen die UBM-Strukturen 147 drei Schichten aus leitfähigen Materialien, wie etwa eine Schicht aus Titan, eine Schicht aus Kupfer und eine Schicht aus Nickel. Es gibt jedoch viele geeignete Anordnungen von Materialien und Schichten, wie etwa eine Anordnung Chrom / Chrom-Kupfer-Legierung / Kupfer / Gold, eine Anordnung Titan / Titan-Wolfram / Kupfer oder eine Anordnung Kupfer / Nickel / Gold, die für die Herstellung der UBM-Strukturen 147 geeignet sind. Alle geeigneten Materialien oder Materialschichten, die für die UBM-Strukturen 147 verwendet werden können, sollen vollständig innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen.
Die UBM-Strukturen 147 können wie folgt hergestellt werden: Herstellen einer Seed-Schicht über der obersten dielektrischen Schicht (z. B. 142) und entlang der Innenfläche der Öffnungen in der obersten dielektrischen Schicht; Herstellen einer strukturierten Maskenschicht (z. B. eines Fotoresists) über der Seed-Schicht; Abscheiden (z. B. durch Plattierung) eines oder mehrerer leitfähiger Materialien in den Öffnungen der strukturierten Maskenschicht und über der Seed-Schicht; und Entfernen der Maskenschicht und von Teilen der Seed-Schicht, auf denen die leitfähigen Materialien nicht abgeschieden sind. Andere Verfahren zum Herstellen der UBM-Strukturen 147 sind möglich und sollen vollständig innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen. Oberseiten der UBM-Strukturen 147 in 4 sind lediglich als ein Beispiel planar dargestellt, aber sie können auch nichtplanar sein. Zum Beispiel können Teile (z. B. periphere Teile) jeder UBM-Struktur 147 über der obersten dielektrischen Schicht (z. B. 142) hergestellt werden, und andere Teile (z. B. mittlere Teile) jeder UBM-Struktur 147 können konform entlang Seitenwänden der obersten dielektrischen Schicht, die durch eine entsprechende Öffnung freigelegt ist, hergestellt werden, wie ein Durchschnittsfachmann problemlos erkennen dürfte.
Dann werden in 5 bei einigen Ausführungsformen Verbindungselemente 155 über den UBM-Strukturen 147 hergestellt. Die Verbindungselemente 155 können Lotkugeln, Metallsäulen, C₄ -Kontakthügel (C₄ : Chipverbindung mit kontrolliertem Kollaps), Mikrobumps, mit dem ENEPIG-Verfahren hergestellte Kontakthügel (ENEPIG: Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold), eine Kombination davon (z. B. eine Metallsäule mit einer daran befestigten Lotkugel) oder dergleichen sein. Die Verbindungselemente 155 können ein leitfähiges Material, wie etwa Lot, Kupfer, Aluminium, Gold, Nickel, Silber, Palladium, Zinn oder dergleichen, oder eine Kombination davon aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen weisen die Verbindungselemente 155 ein eutektisches Material auf, und sie weisen zum Beispiel einen Lötkontakthügel oder eine Lotkugel auf. Das Lotmaterial kann zum Beispiel Folgendes sein: ein Blei-basiertes oder ein bleifreies Lot, wie etwa Pb-Sn-Zusammensetzungen für ein Blei-basierte Lot; ein bleifreies Lot mit InSb; SAC-Zusammensetzungen (SAC: Zinn, Silber und Kupfer); und andere eutektische Materialien, die einen gemeinsamen Schmelzpunkt haben und leitfähige Lötverbindungen in elektrischen Anwendungen bilden. Als bleifreie Lote können SAC-Lote mit unterschiedlichen Zusammensetzungen verwendet werden, wie zum Beispiel SAC 105 (Sn 98,5 %, Ag 1,0 %, Cu 0,5 %), SAC 305 und SAC 405. Bleifreie Verbindungselemente, wie etwa Lotkugeln, können auch aus SnCu-Verbindungen ohne Verwendung von Silber (Ag) bestehen. Alternativ können bleifreie Lot-Verbindungselemente Zinn und Silber, Sn-Ag, ohne Verwendung von Kupfer aufweisen. Die Verbindungselemente 155 können ein Gitter, wie etwa ein Kugelgitter-Array, bilden. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Aufschmelzprozess durchgeführt werden, der den Verbindungselementen 155 bei einigen Ausführungsformen die Form einer Teilkugel verleiht. Alternativ können die Verbindungselemente 155 andere Formen haben. Die Verbindungselemente 155 können zum Beispiel auch nicht-kugelförmige leitfähige Verbindungselemente sein.
Bei einigen Ausführungsformen sind die Verbindungselemente 155 Metallsäulen (wie etwa Kupfersäulen), die durch Sputtern, Drucken, Elektroplattierung, stromlose Plattierung, CVD oder dergleichen mit oder ohne ein Lotmaterial darauf hergestellt werden. Die Metallsäulen können lotfrei sein und im Wesentlichen vertikale Seitenwände oder sich verjüngende Seitenwände haben.
5 zeigt außerdem ein elektrisches Bauelement 171, wie etwa ein integriertes passives Bauelement (IPD), das z. B. über die UBM-Strukturen 147 mit der Umverteilungsstruktur 140 elektrisch verbunden ist. Zwischen dem elektrischen Bauelement 171 und der Umverteilungsstruktur 140 können leitfähige Verbindungen 173, wie etwa Lötverbindungen, hergestellt werden. Die leitfähigen Verbindungen 173 können das gleiche Material (z. B. Lot) wie die Verbindungselemente 155 aufweisen. Außerdem kann in einem Spalt zwischen dem elektrischen Bauelement 171 und der Umverteilungsstruktur 140 ein Unterfüllungsmaterial 175 abgeschieden werden.
Das Beispiel von 5 zeigt zur Erläuterung ein Halbleiter-Package 1100, das über dem Träger 101 hergestellt wird. Ein Fachmann dürfte erkennen, dass zig, Hunderte oder noch mehr Halbleiter-Packages (z. B. 1100) über dem Träger 101 in den Bearbeitungsschritten hergestellt werden können, die in den 1 bis 5 gezeigt sind. Die 6 bis 10 zeigen die weitere Bearbeitung des Halbleiter-Packages 1100 von 5 anhand eines Beispiels, bei dem zwei Halbleiter-Packages (z. B. 1100A und 1100B) über einem Träger 101 hergestellt werden, wobei klar ist, dass mehr als zwei Halbleiter-Packages über dem Träger 101 hergestellt werden können.
6 zeigt eine Halbleiterstruktur, die ein Halbleiter-Package 1100A und ein Halbleiter-Package 1100B aufweist, die in einem Bereich 100 bzw. einem Bereich 200 der Halbleiterstruktur hergestellt sind. Bei der dargestellten Ausführungsform sind die Halbleiter-Packages 1100A und 1100B jeweils die Gleichen wie das Halbleiter-Package 1100, das in 5 gezeigt ist.
Wie in 6 gezeigt ist, wird eine Umverteilungsstruktur 140' zusammenhängend über dem Formmaterial 130 und über allen Dies 120 hergestellt. Ein Teil der Umverteilungsstruktur 140' in dem Bereich 100 befindet sich über (z. B. direkt über) dem Die 120 / den leitfähigen Säulen 119 in dem Bereich 100 und ist mit diesen elektrisch verbunden, und er entspricht einer Umverteilungsstruktur, wie etwa der Umverteilungsstruktur 140, die in 5 gezeigt ist. In ähnlicher Weise befindet sich ein Teil der Umverteilungsstruktur 140' in dem Bereich 200 über (z. B. direkt über) dem Die 120 / den leitfähigen Säulen 119 in dem Bereich 200 und ist mit diesen elektrisch verbunden, und er entspricht einer weiteren Umverteilungsstruktur, wie etwa der Umverteilungsstruktur 140, die in 5 gezeigt ist.
Wie in 6 gezeigt ist, weist die Umverteilungsstruktur 140' weiterhin einen Teil in einem Bereich 300 (der auch als ein Vereinzelungsbereich bezeichnet werden kann) zwischen den Bereichen 100 und 200 auf. Eine Breite des Vereinzelungsbereichs 300 kann etwa 40 µm bis etwa 260 µm, z. B. etwa 40 µm, betragen, aber andere Abmessungen sind ebenfalls möglich. Bei einigen Ausführungsformen umfasst der Teil der Umverteilungsstruktur 140' in dem Bereich 300 nur die dielektrischen Schichten (siehe z. B. 142, 144, 146 und 148 in 4), und es gibt keine elektrisch leitfähigen Strukturelemente (z. B. leitfähige Leitungen und Durchkontaktierungen) in dem Bereich 300. Außerdem ist bei der dargestellten Ausführungsform kein Dichtungsring in der Umverteilungsstruktur 140' hergestellt.
Dichtungsringe weisen im Allgemeinen leitfähige Strukturelemente, wie etwa Metallleitungen und Metalldurchkontaktierungen (z. B. 140'), um den Umfang jedes Halbleiter-Packages (z. B. 1100A und 1100B) auf. Mit anderen Worten, in der Draufsicht haben die Dichtungsringe jeweils eine Ringform (z. B. eine rechteckige Form) und sie umschließen ein jeweiliges Halbleiter-Package (z. B. 1100A, 1100B). Die Metallleitungen und Metalldurchkontaktierungen der Dichtungsringe können mit den gleichen Bearbeitungsschritten und mit den gleichen Materialien wie die leitfähigen Leitungen (siehe z. B. 143 in 4) und die leitfähigen Durchkontaktierungen (siehe z. B. 145 in 4) der Umverteilungsstruktur 140' hergestellt werden. Die Metallleitungen und Metalldurchkontaktierungen der Dichtungsringe können zum Beispiel in den gleichen dielektrischen Schichten wie die leitfähigen Leitungen und die leitfähigen Durchkontaktierungen der Umverteilungsstruktur 140' hergestellt werden, mit der Ausnahme, dass die Metallleitungen und Metalldurchkontaktierungen der Dichtungsringe elektrisch getrennt sind. Die Dichtungsringe sind so konfiguriert, dass sie z. B. die Umverteilungsstruktur der Halbleiter-Packages vor Rissbildung und/oder Schichtablösung bei einem späteren Vereinzelungsprozess schützen. Wenn zum Beispiel das Blatt der Trennsäge in den Vereinzelungsbereich 300 zwischen zwei benachbarten Dichtungsringen eindringt, können Risse in der Umverteilungsstruktur 140', die von dem Blatt verursacht werden, von den Dichtungsringen gestoppt werden, und eine Beschädigung der Halbleiter-Packages kann vermieden werden. In ähnlicher Weise kann auch eine Schichtablösung der Umverteilungsstruktur 140, die andernfalls durch das Vereinzeln auftreten kann, mit den Dichtungsringen gestoppt oder verringert werden.
Die Dichtungsringe nehmen jedoch Raum in der Halbleiterstruktur ein. Zum Beispiel kann eine Weite des Dichtungsrings etwa 40 µm betragen, und Bereiche mit einer Gesamtbreite von etwa 80 µm zwischen zwei Halbleiter-Packages (z. B. 1100A und 1100B) werden zum Herstellen der Dichtungsringe benötigt. Dadurch, dass in der vorliegenden Erfindung keine Dichtungsringe um die Halbleiter-Packages (z. B. 1100A und 1100B) in der Umverteilungsstruktur 140' hergestellt werden, wird mehr Freiraum zum Herstellen von Halbleiter-Packages auf dem Träger 101 geschaffen. Zum Beispiel können dadurch, dass die Dichtungsringe nicht hergestellt werden, mindestens etwa 2 % mehr Halbleiter-Packages auf dem Träger 101 hergestellt werden, sodass eine höhere Produktivität erzielt wird. Darüber hinaus werden mit dem Vorschneideprozess und dem Vereinzelungsprozess, die nachstehend beschrieben werden, eine Rissbildung und Schichtablösung in der Umverteilungsstruktur 140' ohne Verwendung des Dichtungsrings vermieden oder verringert.
In 7A wird ein Vorschneideprozess durchgeführt, um Öffnungen 311 und 313 in der Umverteilungsstruktur 140' in dem Vereinzelungsbereich 300 zu erzeugen. Wie in 7A gezeigt ist, wird die Öffnung 311 dicht an dem Halbleiter-Package 1100A erzeugt, und die Öffnung 313 wird dicht an dem Halbleiter-Package 1100B erzeugt. Eine Weite W₁ der Öffnung 311 beträgt etwa 20 µm bis etwa 80 µm, und eine Weite W₁ ' der Öffnung 313 beträgt ebenfalls etwa 20 µm bis etwa 80 µm. Bei einigen Ausführungsformen ist die Weite W₁ im Wesentlichen gleich der Weite W₁ '. Bei anderen Ausführungsformen ist die Weite W₁ von der Weite W₁ ' verschieden. Ein Abstand W2, der zwischen einer Seitenwand 311E der Öffnung 311 und einer Seitenwand 313E der Öffnung 313 gemessen wird, beträgt etwa 20 µm bis etwa 80 µm, wobei bei einigen Ausführungsformen die Seitenwand 311E die Seitenwand der Öffnung 311 ist, die dem Halbleiter-Package 1100A am nächsten ist, und die Seitenwand 313E die Seitenwand der Öffnung 313 ist, die dem Halbleiter-Package 1100B am nächsten ist. Die rechteckigen Querschnitte der Öffnungen 311 und 313, die in 7A gezeigt sind, sind lediglich nicht-beschränkende Beispiele. Andere Formen für die Querschnitte der Öffnungen 311 und 313 sind möglich und sollen vollständig innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen. Zum Beispiel können in Abhängigkeit z. B. von dem Verfahren, das zum Erzeugen der Öffnungen verwendet wird, die Unterseiten der Öffnungen 311 und 313 unregelmäßige Formen haben.
Wie in 7A gezeigt ist, werden Teile der dielektrischen Schichten der Umverteilungsstruktur 140' in dem Vereinzelungsbereich 300 entfernt, um die Öffnungen 311 und 313 zu erzeugen. In dem Beispiel von 7A sind die Öffnungen 311 und 313 durch einen verbliebenen Teil 140R der dielektrischen Schichten der Umverteilungsstruktur 140 in dem Vereinzelungsbereich 300 physisch voneinander getrennt. Bei einigen Ausführungsformen beträgt eine Breite W₄ des verbliebenen Teils 140R etwa 140 µm bis 200 µm. Außerdem werden auch Teile des Formmaterials 130 in dem Vereinzelungsbereich 300 entfernt, um die Öffnungen zu erzeugen. Daher verlaufen bei der dargestellten Ausführungsform die Öffnungen 311 und 313 durch die Umverteilungsstruktur 140 und in das Formmaterial 130 hinein. Die Öffnungen 311 und 313 können zum Beispiel mit einer Tiefe in dem Bereich von etwa 20 µm bis 100 µm in das Formmaterial 130 hineinreichen.
Bei der beispielhaften Ausführungsform werden zwei Laserstrahlen zum gleichzeitigen Erzeugen der Öffnungen 311 und 313 verwendet. Mit anderen Worten, statt die Öffnungen 311 und 313 nacheinander zu erzeugen, werden sie unter Verwendung von zwei Laserstrahlen parallel erzeugt, um den Produktionsdurchsatz zu erhöhen, aber es kann auch nur ein Laserstrahl verwendet werden, um die Öffnungen 311 und 313 z. B. nacheinander zu erzeugen. Der verwendete Laser kann bei einigen Ausführungsformen ein CO₂-Laser, ein UV-Laser oder ein Grünlichtlaser sein. Andere Laser-Arten, wie etwa faseroptischer Laser und Yttrium-Aluminium-Garnet(YAG)-Laser, sollen ebenfalls innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen. Die mittlere Ausgangsleistung des Lasers liegt bei einigen Ausführungsformen in dem Bereich von etwa 0,5 W bis etwa 8 W, aber es sind auch andere Ausgangsleistungsbereiche möglich, die vollständig innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen sollen. Die mittlere Ausgangsleistung des Lasers wird von verschiedenen Faktoren bestimmt, wie etwa den Materialien der dielektrischen Schichten der Umverteilungsstruktur 140', der Tiefe der Öffnungen 311 und 313 und der erforderlichen Bearbeitungsgeschwindigkeit.
In 7A werden zwei Öffnungen 311 und 313 mit dem Vorschneideprozess erzeugt, wobei jede Öffnung Schutz vor Rissbildung und/oder Schichtablösung für ein benachbartes Halbleiter-Package in einem späteren Vereinzelungsprozess bietet, wie nachstehend unter Bezugnahme auf 10 näher dargelegt wird. Insbesondere schützt die Öffnung 311 die Umverteilungsstruktur des Halbleiter-Packages 1100A, und die Öffnung 313 schützt die Umverteilungsstruktur des Halbleiter-Packages 1100B. Es ist nicht notwendig, mehr als zwei Öffnungen zwischen zwei benachbarten Halbleiter-Packages zu erzeugen, da die weiteren Öffnungen nicht viel zusätzlichen Schutz vor Rissbildung und/oder Schichtablösung der Umverteilungsstruktur 140' beim Vereinzeln bieten würden. Andererseits kann durch Erzeugen nur einer Öffnung, z. B. nur 311 oder nur 313, eines der zwei benachbarten Halbleiter-Packages nicht geschützt werden. Zwar kann eine Öffnung mit einer großen Weite, die von 311E bis 313E reicht, zwischen zwei benachbarten Halbleiter-Packages erzeugt werden, um Schutz vor Rissbildung und/oder Schichtablösung zu bieten, aber das Erzeugen eine solchen weiten Öffnung kann wesentlich länger dauern und/oder einen Laser mit einer viel höheren Ausgangsleistung erfordern. Daher ermöglichen die zwei Öffnungen (z. B. 311 und 313), die mit dem Vorschneideprozess zwischen zwei benachbarten Halbleiter-Packages erzeugt werden, in Kombination mit dem Vereinzelungsprozess, der nachstehend unter Bezugnahme auf 10 beschrieben wird, einen effizienten Herstellungsprozess (z. B. mit einer kürzeren Herstellungszeit und einer höheren Produktivität), der leicht zu implementieren ist und keine Dichtungsringe erfordert, aber immer noch Schutz vor Rissbildung und Schichtablösung bietet.
7B zeigt eine Draufsicht der Halbleiterstruktur von 7A, gemäß einigen Ausführungsformen. Außer den Halbleiter-Packages 1100A und 1100B sind noch weitere Halbleiter-Packages (z. B. 1100C, 1100D, 1100E und 1100F), die auf dem Träger 101 hergestellt sind, in 7B dargestellt. Der Einfachheit halber sind nicht alle Einzelheiten der Halbleiter-Packages in 7B dargestellt. Wie in 7B gezeigt ist, werden Öffnungen (z. B. 311, 313, 311' und 313') in Vereinzelungsbereichen zwischen benachbarten Halbleiter-Packages mit dem Vorschneideprozess erzeugt. In der Draufsicht von 7B kann jedes Öffnungspaar (z. B. 311 und 313) zwischen zwei benachbarten Halbleiter-Packages (z. B. 1100A und 1100B) zwei parallele Gräben bilden. Mit dem Vorschneideprozess können zwei parallele Gräben entlang jeder Seite (z. B. Seitenwand) eines entsprechenden Halbleiter-Packages erzeugt werden. Mit anderen Worten, jedes Halbleiter-Package kann in der Draufsicht von z. B. vier Öffnungspaaren umschlossen sein, wobei jede Seite des Halbleiter-Packages ein Paar Öffnungen (z. B. zwei parallele Gräben) hat, die entlang der Seite des Halbleiter-Packages verlaufen.
Dann wird in 8 die in 7A gezeigte Halbleiterstruktur gewendet, und die äußeren Verbindungselemente 155 werden an einem Band 159 (z. B. einem Vereinzelungsband) befestigt, das von einem Rahmen 157 gehalten wird. Dann wird der Träger 101 mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Ätzung, Schleifen oder mechanisches Abziehen, von der dielektrischen Schicht 110 abgelöst. Bei einer Ausführungsform, bei der eine Haftschicht (z. B. eine LTHC-Schicht) zwischen dem Träger 101 und der dielektrischen Schicht 110 hergestellt ist, wird der Träger 101 durch Bestrahlen mit Laser- oder UV-Licht abgelöst. Das Laser- oder UV-Licht löst die chemischen Bindungen der Haftschicht, die mit dem Träger 101 verbunden ist, und der Träger 101 kann dann problemlos abgelöst werden. Wenn eine Haftschicht hergestellt ist, kann sie mit dem Träger-Ablösungsprozess entfernt werden. Gegebenenfalls können Rückstände der Haftschicht mit einem Reinigungsprozess entfernt werden, der nach dem Träger-Ablösungsprozess durchgeführt wird.
Nach dem Ablösen des Trägers 101 werden Öffnungen 116 in der dielektrischen Schicht 110 erzeugt, um die leitfähigen Säulen 119 freizulegen. Die Öffnungen 116 können durch Laserbohren, Ätzen oder dergleichen erzeugt werden. Bei einigen Ausführungsformen kann in Vorbereitung der Befestigung der oberen Packages (siehe 9) in den Öffnungen 116 eine Lotpaste (nicht dargestellt) z. B. durch Lotpastendrucken abgeschieden werden.
Bei Ausführungsformen, bei denen die dielektrische Schicht 110 weggelassen wird und die leitfähigen Säulen 119 über der Haftschicht (z. B. LTHC-Belag), die über dem Träger 101 abgeschieden oder aufgebracht ist, hergestellt werden, können die leitfähigen Säulen 119 nach dem Träger-Ablösungsprozess an der Oberseite des Formmaterials 130 freiliegen. Daher kann das Laserbohren oder Ätzen zum Freilegen der leitfähigen Säulen 119 entfallen. Die 8 bis 11 erläutern die Ausführungsform, bei der die dielektrische Schicht 110 hergestellt wird. Ein Fachmann dürfte beim Lesen der vorliegenden Erfindung in der Lage sein, die in den 8 bis 11 dargestellte Bearbeitung für Ausführungsformen zu modifizieren, bei denen die dielektrische Schicht 110 weggelassen ist.
Dann werden in 9 Halbleiter-Packages 160A und 160B (die auch als obere Packages bezeichnet werden), wie etwa Speicher-Packages, an den Halbleiter-Packages 1100A bzw. 1100B (die auch als untere Packages bezeichnet werden) befestigt, um mehrere Halbleiter-Packages 500 (z. B. 500A und 500B) mit Package-auf-Package(PoP)-Strukturen herzustellen.
Wie in 9 gezeigt ist, haben die Halbleiter-Packages 160 (z. B. 160A und 160B) jeweils ein Substrat 161 und einen oder mehrere Halbleiter-Dies 162 (z. B. Speicher-Dies), die an einer Oberseite des Substrats 161 befestigt sind. Bei einigen Ausführungsformen weist das Substrat 161 Silizium, Galliumarsenid, Silizium auf Isolator (SOI) oder andere ähnliche Materialien auf. Bei einigen Ausführungsformen ist das Substrat 161 eine mehrschichtige Leiterplatte. Bei einigen Ausführungsformen weist das Substrat 161 Bismaleimid-Triazin(BT)-Harz, FR-4 (ein Verbundmaterial, das aus Glasfasergewebe mit einem Epoxidharz-Bindemittel besteht, das flammbeständig ist), Keramik, Glas, Kunststoff, ein Band, eine Schicht oder andere tragende Materialien auf. Das Substrat 161 kann leitfähige Strukturelemente (z. B. leitfähige Leitungen und Durchkontaktierungen; nicht dargestellt) aufweisen, die in oder auf dem Substrat 161 hergestellt sind. Wie in 9 gezeigt ist, hat das Substrat 161 leitfähige Pads 163, die auf der Oberseite und einer Unterseite des Substrats 161 hergestellt sind und mit den leitfähigen Strukturelementen des Substrats 161 elektrisch verbunden sind. Der eine oder die mehreren Halbleiter-Dies 162 sind z. B. durch Bonddrähte 167 mit den leitfähigen Pads 163 elektrisch verbunden. Ein Formmaterial 165, das ein Epoxidharz, ein organisches Polymer, ein Polymer oder dergleichen umfassen kann, wird über dem Substrat 161 und um die Halbleiter-Dies 162 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen endet das Formmaterial 165 mit dem Substrat 161, wie in 8 gezeigt ist.
Bei einigen Ausführungsformen wird ein Aufschmelzprozess durchgeführt, um die leitfähigen Pads 163 der Halbleiter-Packages 160 über leitfähige Verbindungsstellen 168 elektrisch und mechanisch mit den leitfähigen Säulen 119 zu verbinden. Bei einigen Ausführungsformen umfassen die leitfähigen Verbindungsstellen 168 Lotbereiche, leitfähige Säulen (z. B. Kupfersäulen mit Lotbereichen zumindest auf Stirnflächen der Kupfersäulen) oder andere geeignete Materialien.
Nach dem Aufschmelzprozess kann ein Trocknungsprozess durchgeführt werden. Mit dem Trocknungsprozess kann Feuchte auf der Halbleiterstruktur entfernt werden. Dann wird ein Unterfüllungsmaterial 169 in den Spalten zwischen den oberen Packages 160 (z. B. 160A und 160B) und entsprechenden unteren Packages 1100 (z. B. 1100A und 1100B) abgeschieden. Das Unterfüllungsmaterial 169 kann z. B. mit einem Nadel- oder Düsenverteiler in den Spalten zwischen den oberen Packages 160 und den unteren Packages 1100 verteilt werden. Zum Härten des Unterfüllungsmaterials 169 kann ein Härtungsprozess durchgeführt werden. Obwohl es nicht dargestellt ist, kann das Unterfüllungsmaterial 169 entlang Seitenwänden der oberen Packages 160 verlaufen.
Dann wird in 10 ein Vereinzelungsprozess durchgeführt, um die PoP-Packages 500 (z. B. 500A und 500B) in mehrere einzelne PoP-Packages zu zertrennen. Bei einer beispielhaften Ausführungsform wird ein Messer 315 mit einer Breite W₃ zum Vereinzeln der PoP-Packages verwendet. Die Breite W₃ ist bei einigen Ausführungsformen kleiner als der Abstand W₂ , der zwischen der Seitenwand 311E der Öffnung 311 und der Seitenwand 313E der Öffnung 313 gemessen wird. Bei der dargestellten Ausführungsform wird das Messer 315 in einem mittleren Bereich zwischen der Seitenwand 311E und der Seitenwand 313E positioniert, sodass es die Seitenwände 311E und 313E während des Vereinzelungsprozesses nicht überdeckt oder kontaktiert. Mit anderen Worten, das Messer 315 befindet sich seitlich zwischen der Seitenwand 311E und der Seitenwand 313E. Bei einigen Ausführungsformen ist die Breite W₃ des Messers 315 größer als die Breite W₄ des verbliebenen Teils 140R der Umverteilungsstruktur 140', der sich zwischen den Öffnungen 311 und 313 befindet. Dadurch kann das Messer 315 den verbliebenen Teil 140R mit nur einem Schnitt entfernen, sodass die Bearbeitungsdauer des Vereinzelungsprozesses verkürzt werden kann. Der verbliebene Teil 140R der Umverteilungsstruktur 140' kann sich zum Beispiel seitlich zwischen gegenüberliegenden vertikalen Seitenwänden des Messers 315 befinden, sodass das Messer 315 nach unten zu der Umverteilungsstruktur 140' schneidet und der verbliebene Teil 140R mit nur einem Schnitt entfernt wird.
Wie in 10 gezeigt ist, schneidet das Messer 315 von einer Seite der Halbleiter-Packages 1100, die den Öffnungen 311 und 313 gegenüberliegt, in den Vereinzelungsbereich 300 hinein. Mit anderen Worten, das Messer 315 beginnt mit dem Schneiden in die in 10 gezeigte Halbleiterstruktur von den Oberseiten der unteren Packages dicht an den Rückseiten der Dies 120. Wenn sich das Messer 315 zu der Umverteilungsstruktur 140' bewegt, kontaktiert das Messer 315 außer dem verbliebenen Teil 140R der Umverteilungsstruktur 140' nicht die Umverteilungsstruktur 140', da die Öffnungen 311 und 313 das Messer 315 von der Umverteilungsstruktur 140' trennen. Dadurch werden Rissbildung und/oder Schichtablösung der Umverteilungsstruktur 140' vermieden oder verringert.
Obwohl es nicht dargestellt ist, können der Vorschneideprozess und der Vereinzelungsprozess, die in den 7 bis 10 gezeigt sind, auch in anderen Vereinzelungsbereichen, z. B. in Vereinzelungsbereichen zwischen den PoP-Packages 500A/500B und anderen benachbarten PoP-Packages (nicht dargestellt), durchgeführt werden. Nach der Beendigung des Vereinzelungsprozesses sind mehrere einzelne PoP-Packages, wie etwa das in 11 gezeigte PoP-Package 500, entstanden.
Wie in 11 gezeigt ist, hat das einzelne PoP-Package 500 eine Umverteilungsstruktur 140, wobei der Die 120 und die leitfähigen Säulen 119 mit der Oberseite der Umverteilungsstruktur 140 elektrisch verbunden sind. Das Formmaterial 130 wird über der Umverteilungsstruktur 140 um den Die 120 und um die leitfähigen Säulen 119 abgeschieden. In dem Beispiel von 11 reicht das Formmaterial 130 über seitliche Grenzen der Umverteilungsstruktur 140 hinaus. Mit anderen Worten, das Formmaterial 130 ist breiter als die Umverteilungsstruktur 140 und endet daher nicht mit dieser. Zum Beispiel kann das Formmaterial 130 seitlich über die Grenzen (z. B. Seitenwände) der Umverteilungsstruktur 140 mit einer Breite W₅ hinaus reichen, die in dem Bereich von etwa 1 µm bis etwa 810 µm liegen kann. Das liegt daran, dass bei einigen Ausführungsformen die Breite W₃ des Messers 315 kleiner als der Abstand W₂ zwischen der Seitenwand 311E und der Seitenwand 313E ist.
Wie in 11 gezeigt ist, hat ein oberer Teil (z. B. ein Teil, der von der Umverteilungsstruktur 140 entfernt ist) des Formmaterials 130 Seitenwände 130S1, die über die seitlichen Grenzen der Umverteilungsstruktur 140 hinaus reichen. Außerdem kann ein unterer Teil (z. B. ein Teil, der die Umverteilungsstruktur 140 physisch kontaktiert) des Formmaterials 130 Seitenwände 130S2 haben, die zu den Seitenwänden der Umverteilungsstruktur 140 ausgerichtet sind, wobei zum Beispiel der untere Teil des Formmaterials 130 die gleiche Breite wie die Umverteilungsstruktur 140 haben kann.
Bleiben wir bei 11. Der obere Teil des Formmaterials 130, der über die seitlichen Grenzen der Umverteilungsstruktur 140 hinaus reicht, hat eine Höhe H₁ , die kleiner als eine Höhe H₂ des Teils des Formmaterials 130 ist, der sich innerhalb der seitlichen Grenzen der Umverteilungsstruktur 140 befindet. Erinnern wir uns daran, dass die Öffnungen 311 und 313 in das Formmaterial 130 hineinreichen können (siehe z. B. 7A). Das bedeutet, dass Teile des Formmaterials 130 in dem Vereinzelungsbereich 300 entfernt werden, wodurch die kleinere Höhe H₁ für den oberen Teil des Formmaterials 130 verursacht wird, der bei einigen Ausführungsformen über die Grenzen (z. B. Seitenwände) der Umverteilungsstruktur 140 hinaus reicht. In 11 ist eine Unterseite 130L der oberen Teile des Formmaterials 130 als eine ebene Fläche dargestellt. Das ist lediglich ein Beispiel. Wie vorstehend dargelegt worden ist, kann die Unterseite 130L in Abhängigkeit von dem Verfahren, das zum Erzeugen der Öffnungen 311 und 313 verwendet wird, andere Formen haben (z. B. eine unregelmäßige Fläche sein).
Abwandlungen der offenbarten Ausführungsformen sind möglich und sollen vollständig innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung liegen. Zum Beispiel können die Anzahl von Dies 120 in jedem PoP-Package und die Anzahl und/oder die Position der leitfähigen Säulen 119 in jedem PoP-Package modifiziert werden. Als ein weiteres Beispiel kann die leitfähige Schicht 110 vollständig aus dem PoP-Package 500 entfernt werden. Als ein noch weiteres Beispiel können die Menge und/oder die Form des Unterfüllungsmaterials 169 modifiziert werden. Zum Beispiel kann das Unterfüllungsmaterial 169 ein zusammenhängendes Volumen eines dielektrischen Materials sein, das den Spalt zwischen dem oberen Package und dem unteren Package füllt und durchgehend von einer ersten leitfähigen Verbindungsstelle 168 zu einer anderen leitfähigen Verbindungsstelle 168 verläuft. Alternativ kann das Unterfüllungsmaterial 169 mehrere Teile umfassen, die physisch voneinander getrennt sind, wobei jeder Teil des Unterfüllungsmaterials 169 eine jeweilige Verbindungsstelle 168 umschließt.
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erzielen verschiedene Vorzüge. Durch Weggelassen des Dichtungsrings in der Umverteilungsstruktur steht mehr Platz zum Herstellen der Halbleiter-Packages zur Verfügung, sodass eine höhere Produktivität erzielt wird. Mit dem offenbarten Vorschneideprozess und Vereinzelungsprozess werden Rissbildung und/oder Schichtablösung ohne Verwendung von Dichtungsringen vermieden oder verringert, sodass eine Produktivitätssteigerung ohne die mit Rissbildung und Schichtablösung verbundenen Probleme möglich wird.
12 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 3000 zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, gemäß einigen Ausführungsformen. Es dürfte klar sein, dass die Verfahrensausführungsform, die in 12 gezeigt ist, lediglich ein Beispiel für zahlreiche mögliche Verfahrensausführungsformen ist. Ein Durchschnittsfachmann dürfte zahlreiche Abwandlungen, Alternativen und Modifikationen erkennen. Zum Beispiel können verschiedene Schritte, die in 12 gezeigt sind, hinzugefügt, weggelassen, ersetzt, umgeordnet und wiederholt werden.
In 12 werden im Schritt 3010 ein erster Die und ein zweiter Die an einem Träger befestigt. Im Schritt 3020 wird ein Formmaterial zwischen dem ersten und dem zweiten Die abgeschieden. Im Schritt 3030 wird eine Umverteilungsstruktur über dem ersten und dem zweiten Die und dem Formmaterial hergestellt, wobei die Umverteilungsstruktur Folgendes aufweist: einen ersten Umverteilungsbereich über dem ersten Die; einen zweiten Umverteilungsbereich über dem zweiten Die; und einen Vereinzelungsbereich zwischen dem ersten Umverteilungsbereich und dem zweiten Umverteilungsbereich. Im Schritt 3040 werden eine erste Öffnung und eine zweite Öffnung in dem Vereinzelungsbereich erzeugt, wobei die erste und die zweite Öffnung durch die Umverteilungsstruktur verlaufen und eine erste Seite des Formmaterials freilegen. Im Schritt 3050 werden der erste Die und der zweite Die durch Durchtrennen eines Teils des Formmaterials, der zu dem Vereinzelungsbereich ausgerichtet ist, getrennt, wobei das Durchtrennen von einer zweiten Seite des Formmaterials zu der ersten Seite des Formmaterials erfolgt, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt.
Bei einer Ausführungsform weist ein Verfahren die folgenden Schritte auf: Befestigen eines ersten Dies und eines zweiten Dies an einem Träger; Abscheiden eines Formmaterials zwischen dem ersten und dem zweiten Die; und Herstellen einer Umverteilungsstruktur über dem ersten Die, dem zweiten Die und dem Formmaterial, wobei die Umverteilungsstruktur Folgendes aufweist: einen ersten Umverteilungsbereich über dem ersten Die, einen zweiten Umverteilungsbereich über dem zweiten Die, und einen Vereinzelungsbereich zwischen dem ersten Umverteilungsbereich und dem zweiten Umverteilungsbereich. Das Verfahren umfasst weiterhin das Erzeugen einer ersten Öffnung und einer zweiten Öffnung in dem Vereinzelungsbereich, wobei die erste und die zweite Öffnung durch die Umverteilungsstruktur verlaufen und eine erste Seite des Formmaterials freilegen; und Trennen des ersten Dies und des zweiten Dies durch Durchtrennen eines Teils des Formmaterials, der zu dem Vereinzelungsbereich ausgerichtet ist, wobei das Durchtrennen von einer zweiten Seite des Formmaterials zu der ersten Seite des Formmaterials erfolgt, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt. Bei einer Ausführungsform ist der Vereinzelungsbereich frei von elektrisch leitfähigen Strukturelementen. Bei einer Ausführungsform sind die erste Öffnung und die zweite Öffnung physisch voneinander getrennt. Bei einer Ausführungsform reichen die erste und die zweite Öffnung in das Formmaterial hinein. Bei einer Ausführungsform umfasst das Erzeugen der ersten und der zweiten Öffnung das Verwenden eines ersten Laserstrahls und eines zweiten Laserstrahls, um Teile der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich zu entfernen, sodass die erste bzw. die zweite Öffnung entstehen. Bei einer Ausführungsform wird der Vereinzelungsbereich gleichzeitig mit dem ersten und dem zweiten Laserstrahl bestrahlt. Bei einer Ausführungsform erfolgt das Schneiden mit einem Messer. Bei einer Ausführungsform befindet sich die erste Öffnung seitlich zwischen dem ersten Die und der zweiten Öffnung, wobei eine erste Breite des Messers kleiner als ein zweiter Abstand zwischen einer ersten Seitenwand der ersten Öffnung, die dem ersten Die am nächsten ist, und einer zweiten Seitenwand der zweiten Öffnung ist, die dem zweiten Die am nächsten ist. Bei einer Ausführungsform befindet sich das Messer während des Schneidens seitlich zwischen der ersten Seitenwand der ersten Öffnung und der zweiten Seitenwand der zweiten Öffnung. Bei einer Ausführungsform weist die Umverteilungsstruktur keinen Dichtungsring auf. Bei einer Ausführungsform umfasst das Verfahren vor dem Trennen des ersten und des zweiten Dies weiterhin Folgendes: Herstellen einer ersten leitfähigen Säule in dem Formmaterial, die zu dem ersten Die benachbart ist; Herstellen einer zweiten leitfähigen Säule in dem Formmaterial, die zu dem zweiten Die benachbart ist; und Befestigen eines ersten Packages und eines zweiten Packages an der ersten leitfähigen Säule bzw. der zweiten leitfähigen Säule.
Bei einer Ausführungsform weist ein Verfahren die folgenden Schritte auf: Herstellen einer ersten leitfähigen Säule und einer zweiten leitfähigen Säule über einer ersten Seite eines Trägers; Befestigen eines ersten Dies und eines zweiten Dies an der ersten Seite des Trägers, wobei der erste Die und der zweite Die zu der ersten leitfähigen Säule bzw. der zweiten leitfähigen Säule benachbart sind; Abscheiden eines Formmaterials über der ersten Seite des Trägers, wobei das Formmaterial entlang Seitenwänden des ersten Dies, Seitenwänden des zweiten Dies, Seitenwänden der ersten leitfähigen Säule und Seitenwänden der zweiten leitfähigen Säule verläuft; Herstellen einer Umverteilungsstruktur über dem ersten Die, dem zweiten Die und dem Formmaterial, wobei die Umverteilungsstruktur einen ersten Umverteilungsbereich über dem ersten Die, einen zweiten Umverteilungsbereich über dem zweiten Die und einen Vereinzelungsbereich zwischen dem ersten Umverteilungsbereich und dem zweiten Umverteilungsbereich aufweist; Entfernen von Teilen der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich, um eine erste Öffnung dicht an dem ersten Die und eine zweite Öffnung dicht an dem zweiten Die zu erzeugen, wobei die erste Öffnung durch einen verbliebenen Teil der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich von der zweiten Öffnung getrennt ist; Ablösen des Trägers; elektrisches Verbinden eines ersten Halbleiter-Packages mit der ersten leitfähigen Säule; elektrisches Verbinden eines zweiten Halbleiter-Packages mit der zweiten leitfähigen Säule; und Vereinzeln, unter Verwendung eines Messers, von einer Rückseite des ersten Dies her durch das Formmaterial hindurch, wobei durch das Vereinzeln der erste Die von dem zweiten Die getrennt wird. Bei einer Ausführungsform werden bei dem Entfernen von Teilen der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich weiterhin Teile des Formmaterials entfernt, sodass die erste Öffnung und die zweite Öffnung in das Formmaterial hineinreichen. Bei einer Ausführungsform erfolgt das Entfernen von Teilen der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich mit einem Laser. Bei einer Ausführungsform hat das Messer eine erste Breite, wobei eine erste Seitenwand der ersten Öffnung, die dem ersten Die am nächsten ist, von einer zweiten Seitenwand der zweiten Öffnung, die dem zweiten Die am nächsten ist, mit einem zweiten Abstand beabstandet ist, wobei die erste Breite kleiner als der zweite Abstand ist. Bei einer Ausführungsform befindet sich während des Vereinzelns das Messer seitlich zwischen der ersten Seitenwand der ersten Öffnung und der zweiten Seitenwand der zweiten Öffnung, ohne dass das Messer die Seitenwände kontaktiert. Bei einer Ausführungsform weist die Umverteilungsstruktur keinen Dichtungsring auf.
Bei einer Ausführungsform umfasst ein Halbleiter-Package ein unteres Package, wobei das untere Package Folgendes aufweist: einen Die und eine leitfähige Säule dicht an dem Die, wobei sich der Die und die leitfähige Säule über einer Umverteilungsstruktur befinden; und ein Formmaterial über der Umverteilungsstruktur, wobei das Formmaterial zwischen den Die und die leitfähige Säule geschichtet ist und über seitliche Grenzen der Umverteilungsstruktur hinaus reicht. Bei einer Ausführungsform hat ein erster Teil des Formmaterials, der über die seitlichen Grenzen der Umverteilungsstruktur hinaus reicht, eine erste Höhe, und ein zweiter Teil des Formmaterials, der den Die kontaktiert, hat eine zweite Höhe, wobei die erste Höhe kleiner als die zweite Höhe ist. Bei einer Ausführungsform umfasst das Halbleiter-Package weiterhin ein oberes Package, das mit der leitfähigen Säule elektrisch verbunden ist.
Vorstehend sind Merkmale verschiedener Ausführungsformen beschrieben worden, sodass Fachleute die Aspekte der vorliegenden Erfindung besser verstehen können. Fachleuten dürfte klar sein, dass sie die vorliegende Erfindung ohne Weiteres als eine Grundlage zum Gestalten oder Modifizieren anderer Verfahren und Strukturen zum Erreichen der gleichen Ziele und/oder zum Erzielen der gleichen Vorzüge wie bei den hier vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Fachleute dürften ebenfalls erkennen, dass solche äquivalenten Auslegungen nicht von dem Grundgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abweichen und dass sie hier verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abwandlungen vornehmen können, ohne von dem Grundgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 62/593019 [0001]

Claims

Verfahren mit den folgenden Schritten: Befestigen eines ersten Dies und eines zweiten Dies an einem Träger; Abscheiden eines Formmaterials zwischen dem ersten und dem zweiten Die; Herstellen einer Umverteilungsstruktur über dem ersten Die, dem zweiten Die und dem Formmaterial, wobei die Umverteilungsstruktur Folgendes aufweist: einen ersten Umverteilungsbereich über dem ersten Die, einen zweiten Umverteilungsbereich über dem zweiten Die, und einen Vereinzelungsbereich zwischen dem ersten Umverteilungsbereich und dem zweiten Umverteilungsbereich; Erzeugen einer ersten Öffnung und einer zweiten Öffnung in dem Vereinzelungsbereich, wobei die erste und die zweite Öffnung durch die Umverteilungsstruktur verlaufen und eine erste Seite des Formmaterials freilegen; und Trennen des ersten Dies und des zweiten Dies durch Durchtrennen eines Teils des Formmaterials, der zu dem Vereinzelungsbereich ausgerichtet ist, wobei das Durchtrennen von einer zweiten Seite des Formmaterials zu der ersten Seite des Formmaterials erfolgt, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Vereinzelungsbereich frei von elektrisch leitfähigen Strukturelementen ist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Öffnung und die zweite Öffnung physisch voneinander getrennt sind.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste und die zweite Öffnung in das Formmaterial hinein reichen.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Erzeugen der ersten und der zweiten Öffnung das Verwenden eines ersten Laserstrahls und eines zweiten Laserstrahls zum Entfernen von Teilen der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich umfasst, sodass die erste Öffnung bzw. die zweite Öffnung entstehen.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Vereinzelungsbereich gleichzeitig mit dem ersten und dem zweiten Laserstrahl bestrahlt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Schneiden unter Verwendung eines Messers erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei sich die erste Öffnung seitlich zwischen dem ersten Die und der zweiten Öffnung befindet, wobei eine erste Breite des Messers kleiner als ein zweiter Abstand zwischen einer ersten Seitenwand der ersten Öffnung, die dem ersten Die am nächsten ist, und einer zweiten Seitenwand der zweiten Öffnung ist, die dem zweiten Die am nächsten ist.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei sich das Messer während des Schneidens seitlich zwischen der ersten Seitenwand der ersten Öffnung und der zweiten Seitenwand der zweiten Öffnung befindet.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Umverteilungsstruktur keinen Dichtungsring aufweist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das vor dem Trennen des ersten und des zweiten Dies weiterhin Folgendes umfasst: Herstellen einer ersten leitfähigen Säule in dem Formmaterial, die zu dem ersten Die benachbart ist; Herstellen einer zweiten leitfähigen Säule in dem Formmaterial, die zu dem zweiten Die benachbart ist; und Befestigen eines ersten Packages und eines zweiten Packages an der ersten leitfähigen Säule bzw. der zweiten leitfähigen Säule.
Verfahren mit den folgenden Schritten: Herstellen einer ersten leitfähigen Säule und einer zweiten leitfähigen Säule über einer ersten Seite eines Trägers; Befestigen eines ersten Dies und eines zweiten Dies an der ersten Seite des Trägers, wobei der erste Die und der zweite Die zu der ersten leitfähigen Säule bzw. der zweiten leitfähigen Säule benachbart sind; Abscheiden eines Formmaterials über der ersten Seite des Trägers, wobei das Formmaterial entlang Seitenwänden des ersten Dies, Seitenwänden des zweiten Dies, Seitenwänden der ersten leitfähigen Säule und Seitenwänden der zweiten leitfähigen Säule verläuft; Herstellen einer Umverteilungsstruktur über dem ersten Die, dem zweiten Die und dem Formmaterial, wobei die Umverteilungsstruktur einen ersten Umverteilungsbereich über dem ersten Die, einen zweiten Umverteilungsbereich über dem zweiten Die und einen Vereinzelungsbereich zwischen dem ersten Umverteilungsbereich und dem zweiten Umverteilungsbereich aufweist; Entfernen von Teilen der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich, um eine erste Öffnung dicht an dem ersten Die und eine zweite Öffnung dicht an dem zweiten Die zu erzeugen, wobei die erste Öffnung durch einen verbliebenen Teil der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich von der zweiten Öffnung getrennt ist; Ablösen des Trägers; elektrisches Verbinden eines ersten Halbleiter-Packages mit der ersten leitfähigen Säule; elektrisches Verbinden eines zweiten Halbleiter-Packages mit der zweiten leitfähigen Säule; und Vereinzeln, unter Verwendung eines Messers, von einer Rückseite des ersten Dies her durch das Formmaterial hindurch, wobei durch das Vereinzeln der erste Die von dem zweiten Die getrennt wird.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei bei dem Entfernen von Teilen der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich weiterhin Teile des Formmaterials entfernt werden, sodass die erste Öffnung und die zweite Öffnung in das Formmaterial hineinreichen.
Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, wobei das Entfernen von Teilen der Umverteilungsstruktur in dem Vereinzelungsbereich mit einem Laser erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Messer eine erste Breite hat, eine erste Seitenwand der ersten Öffnung, die dem ersten Die am nächsten ist, von einer zweiten Seitenwand der zweiten Öffnung, die dem zweiten Die am nächsten ist, mit einem zweiten Abstand beabstandet ist, und die erste Breite kleiner als der zweite Abstand ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei sich während des Vereinzelns das Messer seitlich zwischen der ersten Seitenwand der ersten Öffnung und der zweiten Seitenwand der zweiten Öffnung befindet, ohne dass das Messer die Seitenwände kontaktiert.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, wobei die Umverteilungsstruktur keinen Dichtungsring aufweist.
Halbleiter-Package mit einem unteren Package, wobei das untere Package Folgendes aufweist: einen Die und eine leitfähige Säule nah an dem Die, wobei sich der Die und die leitfähige Säule über einer Umverteilungsstruktur befinden; und ein Formmaterial über der Umverteilungsstruktur, wobei das Formmaterial zwischen den Die und die leitfähige Säule eingefügt ist und über seitliche Grenzen der Umverteilungsstruktur hinaus reicht.
Halbleiter-Package nach Anspruch 18, wobei ein erster Teil des Formmaterials, der über die seitlichen Grenzen der Umverteilungsstruktur hinaus reicht, eine erste Höhe hat und ein zweiter Teil des Formmaterials, der den Die kontaktiert, eine zweite Höhe hat, wobei die erste Höhe kleiner als die zweite Höhe ist.
Halbleiter-Package nach Anspruch 18 oder 19, das weiterhin ein oberes Package umfasst, das mit der leitfähigen Säule elektrisch verbunden ist.