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TW201601135A - 雙向選擇電路、應用此雙向選擇電路的閘極驅動器與測試電路 - Google Patents

雙向選擇電路、應用此雙向選擇電路的閘極驅動器與測試電路 Download PDF

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TW201601135A
TW201601135A TW103121408A TW103121408A TW201601135A TW 201601135 A TW201601135 A TW 201601135A TW 103121408 A TW103121408 A TW 103121408A TW 103121408 A TW103121408 A TW 103121408A TW 201601135 A TW201601135 A TW 201601135A
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白承丘
莊銘宏
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友達光電股份有限公司
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Abstract

一種雙向選擇電路包含第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第五開關與第六開關。第一開關與第三開關分別用以將選擇訊號預存在第五開關或第六開關的控制端。第二開關與第四開關用來重置選擇訊號。第五開關與第六開關分別用以選擇性地將第一輸入端與第二輸入端電性耦接至輸出端。當選擇訊號選擇將第一輸入端電性耦接至輸出端時,第五開關的控制端的電壓位準隨第一輸入端的電壓位準而改變。當選擇訊號選擇將第二輸入端電性耦接至輸出端時,第六開關的控制端的電壓位準隨第二輸入端的電壓位準改變。

Description

雙向選擇電路、應用此雙向選擇電路的閘極驅動器與測試電路
本發明係關於一種閘極驅動器,特別是一種應用於雙向掃描的閘極驅動器。
雙向電路(bi-direction circuit)作為移位暫存器(shift register)中用來決定掃描方向的電路,其訊號傳遞延遲(propagation delay)與所傳遞訊號的電壓位準是十分重要的課題。訊號傳遞延遲越短,則移位暫存器的操作頻率可以越高。而所傳遞訊號的電壓位準直接關聯到雜訊邊界(noise margin),也就是關係到了電路的抗雜訊能力。然而在薄膜電晶體製程(thin-film-transistor process,TFT process)中,由於製程限制了電晶體的類型,因此在TFT製程中的雙向電路往往會有較長的傳遞延遲,且所傳遞的訊號的電壓位準可能不盡理想。如何縮短TFT製程中的雙向電路的傳遞延遲並使所傳遞訊號的電壓位準更準確,是一個待克服的問題。
有鑑於以上的問題,本發明提出一種雙向選擇電路 以及應用此雙向選擇電路的閘極驅動器與測試電路。所揭露的雙向電路以寄生電容將開關的控制端電壓推升到高於輸入訊號的一個電壓位準,從而保證開關可以完整的將輸入訊號傳遞至雙向電路的輸出端。
依據本發明一個或多個實施例所揭露的一種雙向選擇電路,包括:第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第五開關與第六開關。其中第一開關具有第一端、第二端及控制端,其中第一開關的第一端與第一開關的控制端耦接至一個第一選擇端。第二開關具有第一端、第二端及控制端,其中第二開關的第一端耦接至第一開關的第二端,第二開關的第二端耦接至一個重置端,第二開關的控制端耦接至第二選擇端。第三開關具有第一端、第二端及控制端,其中第三開關的第一端與第三開關的控制端耦接至第二選擇端。第四開關具有第一端、第二端及控制端,其中第四開關的第一端耦接至第三開關的第二端,第四開關的第二端耦接至重置端,第四開關的控制端耦接至第一選擇端。第五開關具有第一端、第二端及控制端,其中第五開關的第一端耦接至第一輸入端,第五開關的控制端耦接至第一開關的第二端,第五開關的第二端耦接至輸出端。第六開關具有第一端、第二端及控制端,其中第六開關的第一端耦接至第二輸入端,第六開關的控制端耦接至第三開關的第二端,第六開關的第二端耦接至輸出端。
於本發明一個實施例中,揭露一種應用前述雙向電 路的閘極驅動器,所述閘極驅動器包括多個移位暫存器,每一個移位暫存器中使用了前述的雙向電路。
於本發明另一個實施例中,揭露一種應用前述雙向電路的測試電路,可用於測試多個移位暫存器的功能是否正常。
以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理,並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
1、3A、3B‧‧‧雙向電路
4、SR1~SRN‧‧‧移位暫存器
41‧‧‧控制電路
5‧‧‧測試電路
C35A、C35B、C36A、C36B‧‧‧電容
IN1、IN2‧‧‧輸入端
OUT‧‧‧輸出端
SW1~SW6‧‧‧開關
SEL1、SEL2‧‧‧選擇端
SCAN1、SCAN2‧‧‧控制線
RST‧‧‧重置端
VRST‧‧‧重置電壓
VS1、VS2‧‧‧選擇訊號
VIN1、VIN2‧‧‧輸入訊號
VC5、VC6‧‧‧控制電壓
VOUT‧‧‧輸出訊號
VH‧‧‧高電壓
VL‧‧‧低電壓
VBOOST‧‧‧導通電壓
VTH‧‧‧門檻電壓
T1~T9‧‧‧時間點
第1圖係依據本發明一實施例的雙向電路示意圖。
第2圖係依據本發明一實施例中的多個電壓波型時序圖。
第3A圖係依據本發明一實施例的雙向電路示意圖。
第3B圖係依據本發明一實施例的雙向電路示意圖。
第4圖係依據本發明一實施例的移位暫存器電路示意圖。
第5圖係依據本發明一實施例的雙向電路應用於移位暫存器 測試電路的電路示意圖。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點,其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點,但非以任何 觀點限制本發明之範疇。
鑒於前述問題,本發明揭露一種可以適用於薄膜電晶體製程(thin-film-transistor process,TFT process)的雙向電路。所揭露的雙向電路可以被用在顯示面板的閘極驅動器與測試電路中,並且所揭露的雙向電路具有較短的傳遞延遲(propagation delay)與較大的雜訊邊界(noise margin)。
請參照第1圖,其係依據本發明一實施例的雙向電路示意圖。如第1圖所示,雙向電路1包括第一開關SW1、第二開關SW2、第三開關SW3、第四開關SW4、第五開關SW5與第六開關SW6。所述六個開關都是薄膜電晶體開關,且如第1圖所示,六個開關都是N型電晶體。然而,於另一種實施態樣中,六個開關亦可以都是P型電晶體。
第一開關SW1的第一端與第一開關SW1的控制端(閘極端)都耦接至雙向電路1的第一選擇端SEL1,而第一開關SW1的第二端耦接至第五開關SW5的控制端。而第二開關SW2的第一端耦接至第一開關SW1的第二端與第五開關SW5的控制端。第二開關SW2的第二端耦接至重置端RST,而第二開關SW2的控制端耦接至雙向電路1的第二選擇端SEL2。第五開關SW5的第一端耦接至雙向電路1的第一輸入端IN1,而第五開關SW5的第二端耦接至雙向電路1的輸出端OUT。
第三開關SW3的第一端與第三開關SW3的控制端都耦接至雙向電路1的第二選擇端SEL2,而第三開關SW3的第二 端耦接至第六開關SW6的控制端。而第四開關SW4的第一端耦接至第三開關SW3的第二端與第六開關SW6的控制端。第四開關SW4的第二端耦接至重置端RST,而第四開關SW4的控制端耦接至雙向電路1的第一選擇端SEL1。第六開關SW6的第一端耦接至雙向電路1的第二輸入端IN2,而第六開關SW6的第二端耦接至雙向電路1的輸出端OUT。
第一選擇端SEL1用以接收第一選擇訊號VS1,而第二選擇端SEL2用以接收第二選擇訊號VS2,第一輸入端IN1用以接收第一輸入訊號VIN1,而第二輸入端IN2用以接收第二輸入訊號VIN2,重置端RST用以接收重置電壓VRST,其中重置電壓VRST於本實施例中為低電壓VL。於本實施例中,第五開關SW5的控制端電壓為控制電壓VC5,第六開關SW6的控制端電壓為控制電壓VC6,從輸出端OUT輸出的是輸出訊號VOUT。
第2圖係依據本發明一實施例中的多個電壓波型時序圖,以下請一併參照第1圖和第2圖。在第一時間點T1到第五時間點T5之間,第一選擇訊號VS1的電壓位準為高電壓VH,第二選擇訊號VS2的電壓位準為低電壓VL,因此在第一時間點T1開始直到第二時間點T2之間,第一開關SW1會把控制電壓VC5的電壓位準提高,而控制電壓VC6的電壓位準會被第四開關SW4下拉至重置電壓VRST,也就是低電壓VL,此時輸出訊號VOUT的電壓位準為低電壓VL。當控制電壓VC5的電壓位準被拉高至等於高電壓VH減去第一開關SW1的門檻電壓VTH時,第一開關SW1 的控制端與第二端之間的電壓差剛好等於第一開關SW1的門檻電壓VTH,因此第一開關SW1不再導通,而控制電壓VC5就被維持在高電壓VH減去第一開關SW1的門檻電壓VTH。因為第五開關SW5的兩端與控制端之間的寄生電容,所以第五開關SW5的兩端與控制端的電壓差會固定為高電壓VH減去門檻電壓VTH與低電壓VL的差值。
其中,在第二時間點T2時,第一輸入訊號VIN1的電壓位準從低電壓VL變成高電壓VH,因此可以看到從第二時間點T2開始,控制電壓VC5的電壓位準被第五開關SW5的兩端與控制端之間的寄生電容而抬升至導通電壓VBOOST。此時導通電壓VBOOST的電壓值可以下列方程式(1)描述:VBOOST=2VH-VL-VTH (1)而導通電壓VBOOST與高電壓VH的電位差可以表示為下列方程式(2):VBOOST-VH=VH-VL-VTH (2)因此,假設第一開關SW1與第五開關SW5的門檻電壓都是門檻電壓VTH,則只要高電壓VH與低電壓VL的電位差大於等於兩倍的門檻電壓VTH,就可以保證當第一輸入訊號VIN1的電壓位準為高電壓VH時,第五開關SW5可以導通直到輸出訊號VOUT的電壓位準也被拉高到高電壓VH,如第2圖所示。然而,實作上會使高電壓VH與低電壓VL的電位差大於兩倍的門檻電壓VTH。
而在第三時間點T3時,第一輸入訊號VIN1的電壓位 準從高電壓VH變成低電壓VL,因此輸出訊號VOUT的電壓位準被第五開關SW5拉至與第一輸入訊號VIN1的電壓位準相同,也就是低電壓VL。雖然在同時,第二輸入訊號VIN2的電壓位準從低電壓VL變成高電壓VH,然而因為控制電壓VC6的電壓位準被第四開關SW4拉至低電壓,因此第六開關SW6不導通,所以第二輸入訊號VIN的電壓位準改變不會影響輸出訊號VOUT的電壓位準。更明確來說,在第一時間點T1到第五時間點T5之間,第六開關SW6都不會導通,因此第二輸入訊號VIN2的電壓位準改變不會影響輸出訊號VOUT的電壓位準。
在第四時間點T4,第一輸入訊號VIN1的電壓位準又從低電壓VL變成高電壓VH,因此輸出訊號VOUT的電壓位準被第五開關SW5拉至與第一輸入訊號VIN1的電壓位準相同,也就是高電壓VH
在第五時間點T5,第一選擇訊號VS1的電壓位準從高電壓VH變成低電壓VL,第二選擇訊號VS2的電壓位準從低電壓VL變成低電壓VH,因此在第五時間點T5之後,第二開關SW2會把控制電壓VC6的電壓位準逐漸提高,而控制電壓VC5的電壓位準會被第二開關SW2拉至重置電壓VRST,也就是低電壓VL,因此第六開關SW6在第五時間點T5後導通,而第五開關SW5則不導通。並由於第一輸入訊號VIN1與第二輸入訊號VIN2的電壓位準在第五時間點都由高電壓VH變成低電壓VL,因此第五時間點T5開始,輸出訊號VOUT的電壓位準會被第六開關SW6強制拉到 與第二輸入訊號相同。而當控制電壓VC6的電壓位準被拉高至等於高電壓VH減去第三開關SW3的門檻電壓VTH(此處假設六個開關的門檻電壓均相同)時,第三開關SW3的控制端與第二端之間的電壓差剛好等於第三開關SW3的門檻電壓VTH,因此第三開關SW3不再導通,而控制電壓VC6就被維持在高電壓VH減去第三開關SW3的門檻電壓VTH。因為第六開關SW6的兩端與控制端之間的寄生電容,所以第六開關SW6的兩端與控制端的電壓差會固定為高電壓VH減去門檻電壓VTH與低電壓VL的差值。
之後,在第六時間點T6時,第二輸入訊號VIN2的電壓位準從低電壓VL變成高電壓VH,因此可以看到從第六時間點T6開始,控制電壓VC6的電壓位準被第六開關SW6的兩端與控制端之間的寄生電容而推至導通電壓VBOOST。如同前述,只要高電壓VH與低電壓VL的電位差大於等於兩倍的門檻電壓VTH,就可以保證當第二輸入訊號VIN2的電壓位準為高電壓VH時,第六開關SW6可以導通直到輸出訊號VOUT的電壓位準也被拉高到高電壓VH,如第2圖所示。
而在第七時間點T7時,第二輸入訊號VIN2的電壓位準從高電壓VH變成低電壓VL,因此輸出訊號VOUT的電壓位準被第六開關SW6拉至與第二輸入訊號VIN2的電壓位準相同,也就是低電壓VL。雖然在同時,第一輸入訊號VIN1的電壓位準從低電壓VL變成高電壓VH,然而因為控制電壓VC5的電壓位準被第二開關SW4拉至低電壓,因此第五開關SW5不導通,所以第一輸入 訊號VIN1的電壓位準改變不會影響輸出訊號VOUT的電壓位準。更明確來說,在第五時間點T5到第九時間點T9之間,第五開關SW5都不會導通,因此第一輸入訊號VIN1的電壓位準改變不會影響輸出訊號VOUT的電壓位準。
在第八時間點T8,第二輸入訊號VIN2的電壓位準又從低電壓VL變成高電壓VH,因此輸出訊號VOUT的電壓位準被第六開關SW6拉至與第二輸入訊號VIN2的電壓位準相同,也就是高電壓VH
依據前述實施例,本發明的控制電壓VC5與控制電壓VC6可以在第一輸入訊號VIN1與第二輸入訊號VIN2改變時,選擇性的對應改變,從而使第五開關SW5及/或第六開關SW6具有較高的導通能力,因此傳播延遲被縮短了。
於本發明一實施例中,請參照第3A圖與第3B圖,其係分別為本發明一實施例的雙向電路示意圖。如第3A圖所示,相較於第1圖的雙向電路1,第3A圖的雙向電路3A更包括了電容C35A與電容C36A。電容C35A電性連接於第五開關SW5的控制端與第二端之間,而電容C36A電性連接於第六開關SW6的控制端與第二端之間。第1圖中的雙向電路1的第五開關SW5與第六開關SW6是藉由寄生電容,使得第一輸入訊號VIN1與第二輸入訊號VIN2的電壓位準提高時,控制電壓VC5與控制電壓VC6可以被提高到導通電壓VBOOST,然而由於電路的非理想特性,控制電壓VC5與控制電壓VC6可能會因為漏電流而慢慢下降,不再維持於 導通電壓VBOOST。因此,額外增加電容C35A與電容C36A可以減緩漏電流導致控制電壓VC5與控制電壓VC6逐漸下降的現象。而也可以如第3B圖所示,雙向電路3B可以有電容C35B電性連接於第五開關SW5的控制端與第一端之間,還有電容C36B電性連接於第六開關SW6的控制端與第一端之間。
上述的雙向電路用在移位暫存器的實施例請參照第4圖,其係依據本發明一實施例的移位暫存器電路示意圖。如第4圖所示,移位暫存器4可以包括雙向電路的結構,並包括一個控制電路以及開關SW7與開關SW8。其中,開關SW7的控制端電性耦接控制電路41,而開關SW7的第一端電性耦接至時脈端CLK,第二端電性耦接至輸出端OUT。由於從雙向電路傳入控制電路41的訊號的電壓位準可以是準確的高電壓VH或低電壓VL。因此開關SW7的控制端預存的電壓位準也可以是準確的高電壓VH或低電壓VL。當時脈端CLK的電壓位準由低電壓VL提升至高電壓VH時,開關SW7的控制端的電壓位準一如雙向電路中控制電壓VC5或控制電壓VC6,可以被寄生電容提高到較高的電壓位準。從而使移位暫存器4的輸出端OUT的電壓改變的速度較快。
而於本發明一實施例中,請參照第5圖,其係依據本發明一實施例的雙向電路應用於移位暫存器測試電路的電路示意圖。如第5圖所示,要測試移位暫存器時,電路架構可以包括正掃控制線SCAN1、反掃控制線SCAN2、移位暫存器SR1至SRN與測試電路5,其中測試電路5的電路結構實質上就是本發明的 雙向電路1。並且,測試電路5的第一輸入端VIN1電性耦接至移位暫存器SRN的輸出端,測試電路5的第二輸入端VIN2電性耦接至移位暫存器SR1的輸出端,測試電路5的第一選擇端SEL1電性耦接至正掃控制線SCAN1而第二選擇端SEL2電性耦接至反掃控制線SCAN2。因此,當正掃控制線SCAN1的電壓位準為高電壓且反掃控制線SCAN2的電壓位準為低電壓時,經過一段時間後測試電路5的輸出端OUT可以正確地輸出移位暫存器SRN的輸出端電壓位準,而當正掃控制線SCAN1的電壓位準為低電壓且反掃控制線SCAN2的電壓位準為高電壓時,經過一段時間後測試電路5的輸出端OUT可以正確地輸出移位暫存器SR1的輸出端電壓位準。藉此,可以驗證移位暫存器SR1至SRN的訊號傳遞功能是否正常。舉例來說,若正掃控制線SCAN1的電壓位準為高電壓且反掃控制線SCAN2的電壓位準為低電壓時,當移位暫存器SR1的輸入端接收了一個方波,如果過了一段時間後,測試電路5的輸出端OUT所輸出的訊號的波形(例如訊號的電壓位準以及訊號的正緣與負緣的時間差)正確,則代表移位暫存器SR1至SRN的訊號傳遞功能正常,否則代表移位暫存器SR1至SRN其中至少之一的訊號傳遞功能不正常。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內,所為之更動與潤飾,均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
1‧‧‧雙向電路
IN1、IN2‧‧‧輸入端
OUT‧‧‧輸出端
SW1~SW6‧‧‧開關
SEL1、SEL2‧‧‧選擇端
RST‧‧‧重置端
VRST‧‧‧重置電壓
VS1、VS2‧‧‧選擇訊號
VIN1、VIN2‧‧‧輸入訊號
VC5、VC6‧‧‧控制電壓
VOUT‧‧‧輸出訊號

Claims (8)

  1. 一種雙向選擇電路,該雙向選擇電路包括:一第一開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第一開關的第一端與該第一開關的控制端耦接至一第一選擇端;一第二開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第二開關的第一端耦接至該第一開關的第二端,該第二開關的第二端耦接至一重置端,該第二開關的控制端耦接至一第二選擇端;一第三開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第三開關的第一端與該第三開關的控制端耦接至該第二選擇端;一第四開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第四開關的第一端耦接至該第三開關的第二端,該第四開關的第二端耦接至該重置端,該第四開關的控制端耦接至該第一選擇端;一第五開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第五開關的第一端耦接至一第一輸入端,該第五開關的控制端耦接至該第一開關的第二端,該第五開關的第二端耦接至一輸出端;以及一第六開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第六開關的第一端耦接至一第二輸入端,該第六開關的控 制端耦接至該第三開關的第二端,該第六開關的第二端耦接至該輸出端。
  2. 如請求項1所述的雙向選擇電路,其中該第一開關、該第二開關、該第三開關、該第四開關、該第五開關與該第六開關均為同型電晶體,且該重置端耦接至一低電壓。
  3. 如請求項1所述的雙向選擇電路,其中當該第一選擇端耦接至一高電壓時,該第二選擇端耦接至一低電壓,用以輸出該第一選擇端之電壓位準。
  4. 如請求項3所述的雙向選擇電路,其中當該第一選擇端耦接至該低電壓時,該第二選擇端耦接至該高電壓,用以輸出該第二選擇端之電壓位準。
  5. 如請求項1所述的雙向選擇電路,更包括:一第一電容,該第一電容的第一端耦接至該第一開關的第二端,且該第一電容的第二端耦接至該輸出端;以及一第二電容,該第二電容的第一端耦接至該第三開關的第二端,且該第二電容的第二端耦接至該輸出端。
  6. 如請求項1所述的雙向選擇電路,更包括:一第一電容,該第一電容的第一端耦接至該第一開關的第二端,且該第一電容的第二端耦接至該第五開關的第一端;以及一第二電容,該第二電容的第一端耦接至該第三開關的第二端,且該第二電容的第二端耦接至該第六開關的第一端。
  7. 一種閘極驅動器,包括:多個移位暫存單元,其中每一該移位暫存單元包含一雙向選擇電路,該雙向選擇電路包含:一第一開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第一開關的第一端與該第一開關的控制端耦接至一第一選擇端;一第二開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第二開關的第一端耦接至該第一開關的第二端,該第二開關的第二端耦接至一重置端,該第二開關的控制端耦接至一第二選擇端;一第三開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第三開關的第一端與該第三開關的控制端耦接至該第二選擇端;一第四開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第四開關的第一端耦接至該第三開關的第二端,該第四開關的第二端耦接至該重置端,該第四開關的控制端耦接至該第一選擇端;一第五開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第五開關的第一端耦接至一第一輸入端,該第五開關的控制端耦接至該第一開關的第二端,該第五開關的第二端耦接至一輸出端;以及一第六開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端, 其中該第六開關的第一端耦接至一第二輸入端,該第六開關的控制端耦接至該第三開關的第二端,該第六開關的第二端耦接至該輸出端;其中該第一輸入端耦接至一第一輸入訊號,該第二輸入端耦接至一第二輸入訊號,用以依據該第一選擇端所耦接的一第一電壓位準與該第二選擇端所耦接的一第二電壓位準,選擇性地輸出該第一輸入訊號或該第二輸入訊號為一閘極訊號。
  8. 一種測試電路,用以測試一閘極驅動器,該測試電路包含:一第一開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第一開關的第一端與該第一開關的控制端耦接至一第一選擇端;一第二開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第二開關的第一端耦接至該第一開關的第二端,該第二開關的第二端耦接至一重置端,該第二開關的控制端耦接至一第二選擇端;一第三開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第三開關的第一端與該第三開關的控制端耦接至該第二選擇端;一第四開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第四開關的第一端耦接至該第三開關的第二端,該第四開關的第二端耦接至該重置端,該第四開關的控制端耦接至該第一選擇端;一第五開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第五開關的第一端耦接至一第一輸入端,該第五開關的控制端耦接至該第一開關的第二端,該第五開關的第二端耦接至一輸出端;以及一第六開關,具有一第一端、一第二端、及一控制端,其中該第六開關 的第一端耦接至一第二輸入端,該第六開關的控制端耦接至該第三開關的第二端,該第六開關的第二端耦接至該輸出端;其中該閘極驅動器用以依序輸出N級閘極訊號,該第一輸入端用以接收該閘極驅動器之一第一級閘極訊號,該第二輸入端用以接收該閘極驅動器之一第N級閘極訊號,當該閘極驅動器係由該第一級閘極訊號至該第N級閘極訊號的順序依序輸出該些閘極訊號時,該第一選擇端用以接收一第一電壓,該第二選擇端用以接收一第二電壓,當該閘極驅動器係由該第N級閘極訊號至該第一級閘極訊號的順序依序輸出該些閘極訊號時,該第一選擇端用以接收該第二電壓,該第二選擇端用以接收該第一電壓。
TW103121408A 2014-06-20 2014-06-20 雙向選擇電路、應用此雙向選擇電路的閘極驅動器與測試電路 TWI500015B (zh)

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