TW201531818A

TW201531818A - 曝光裝置、光阻圖案形成方法及記憶媒體

Info

Publication number: TW201531818A
Application number: TW104101610A
Authority: TW
Inventors: Seiji Nagahara; Gousuke Shiraishi; Satoru Shimura; Kousuke Yoshihara; Shinichiro Kawakami; Masaru Tomono; Yuichi Terashita; Hironori Mizoguchi
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-01-20
Filing date: 2015-01-19
Publication date: 2015-08-16
Also published as: WO2015108015A1; JP6337757B2; EP3098834A1; JP2015156472A; KR20160108351A; EP3098834A4; TWI603163B; KR102276749B1; US10101669B2; US20160327869A1

Abstract

本發明旨在提供一種技術，形成光阻圖案時，就圖案之線寬而言解析度高，可獲得在晶圓W上較高的面內均一性。其中，在基板上形成光阻膜，以圖案曝光機C6進行圖案曝光後，使用批次曝光裝置1使圖案曝光區域整體曝光。此時，根據事前自檢查裝置861（862）獲得之光阻圖案之線寬之面內分布之資訊，對應晶圓W上之曝光位置，調整曝光量。作為曝光量之調整手法，可舉出：使對應晶圓W之直徑之帶狀之照射區域移動，同時調整曝光量之手法、使對應圖案曝光之發射區域之照射區域間歇地移動，調整對各晶片之曝光量之手法等。

Description

曝光裝置、光阻圖案形成方法及記憶媒體

本發明，係關於一種技術，對基板，在圖案曝光後使基板全面曝光。

作為於半導體晶圓或液晶顯示器用玻璃基板等形成光阻圖案之手法，已知使用化學增幅型光阻之手法。若以此種光阻，藉由曝光機使用圖案遮罩進行曝光（圖案曝光），於經曝光之部位即會產生酸，更進行加熱後，酸即會擴散而成為例如鹼溶解性，因此藉由對光阻膜供給顯影液，即會形成圖案。

另一方面，電路之細微化不斷進展，故於光阻圖案形成程序對細微之圖案業界亦要求高解析度，作為因應此要求之手法之一，已知極端紫外線（EUV：Extreme Ultra Violet）曝光。然而，關於EUV曝光，若增大曝光光源之光強度，裝置即會變得巨大，成本增加，故有無法增大光強度，因此處理能力（每單位時間之處理片數）低之課題。

專利文獻1中揭示一方法，使用化學增幅型光阻，以光曝光，形成第1圖案後，以電子線進行第2圖案曝光。然而，該文獻所揭示之方法，需橫跨2階段進行圖案曝光，且各曝光後需對晶圓加熱，就處理能力之觀點而言需更進一步地改良。且專利文獻2中，揭示一以EUV形成光阻圖案之光阻圖案形成用光阻組成物及光阻圖案形成方法。然而，該文獻中，光阻組成物本身係其課題，所欲解決之課題與本發明大為不同。【先前技術文獻】【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開平11－162844號【專利文獻2】日本特開2006－78744號

【發明所欲解決之課題】

鑒於如此之情事，本發明之目的在於提供一種技術，針對光阻膜，在圖案曝光後，使圖案曝光區域曝光，可形成解析度高，於基板面內均一性高之光阻圖案。【解決課題之手段】

本發明之曝光裝置，對形成有光阻膜之基板，使用圖案遮罩進行圖案曝光後，使圖案曝光區域曝光，其特徵在於包含：載置部，載置基板；曝光部，使該載置部上之基板曝光；及控制部，將「用來根據事前獲得之資訊，對應基板上複數之區域，分別調整曝光量之控制信號」輸出。另一發明之曝光裝置，對形成有光阻膜之基板，使用圖案遮罩進行圖案曝光後，使圖案曝光區域曝光，其特徵在於包含：第1曝光單元，包含：第1載置部，載置基板；及第1曝光部，使此第1載置部上基板之圖案曝光區域整體曝光；及第2曝光單元，包含：第2載置部，載置基板；第2曝光部，使此第2載置部上基板之複數之區域曝光；及控制部，將「用來根據事前獲得之資訊，對應基板上複數之區域，分別調整該第2曝光部之曝光量之控制信號」輸出。

本發明之光阻圖案形成方法，包含下列程序：對使用光阻在基板上成膜之光阻膜，使用圖案遮罩進行圖案曝光；根據事前獲得之資訊，決定分別對應基板上複數之區域之曝光量；其後，根據由該程序決定之曝光量，使基板之圖案曝光區域曝光；然後，對基板進行加熱；及接著，使基板顯影。另一發明之光阻圖案形成方法，包含下列程序：圖案曝光程序，對使用光阻在基板上成膜之光阻膜，使用圖案遮罩進行圖案曝光；第1曝光程序，使「於此圖案曝光程序曝光之基板上之圖案曝光區域整體」曝光；曝光量決定程序，根據事前獲得之資訊，決定：分別對應「於該圖案曝光程序曝光之基板上圖案區域中複數之區域」之曝光量；第2曝光程序，根據於此曝光量決定程序決定之曝光量，使該基板上複數之區域曝光；加熱程序，然後，對基板進行加熱；及顯影程序，接著，使基板顯影。

本發明之記憶媒體，記憶有用於「對形成有光阻膜之基板，在圖案曝光後使基板曝光之裝置」之電腦程式，其特徵在於：該電腦程式，裝有步驟群組，俾實施上述之光阻圖案形成方法。【發明之效果】

本發明，在圖案曝光後使基板曝光時，根據就自光阻膜獲得之光阻圖案之線寬（就不限於線圖案之線寬，亦包含電洞圖案之電洞直徑等之廣義而言）之面內分布造成影響之資訊，對應基板上之區域，調整曝光量。因此，可於基板面內形成均一性高之光阻圖案。且另一發明，在圖案曝光後對基板進行曝光時，分為使基板整體曝光之第1曝光，與使基板之複數之區域曝光之第2曝光，以第2曝光調整根據事前之資訊之基板面內之曝光量。因此，曝光量之調整容易。

［第1實施形態］參照圖1及圖2，同時說明關於作為本發明之實施形態，包含曝光裝置之塗布顯影裝置8之構成。圖1係塗布顯影裝置8連接圖案曝光機C6之系統之俯視圖，圖2係同系統之立體圖。於此塗布顯影裝置8設置載具區塊C1，將載置在載置台81上之密封型載具C內之晶圓W，以傳遞臂82取出。傳遞臂82，扮演將顯影結束之晶圓W傳遞至檢查模組C2，自檢查模組C2接收檢查後之晶圓W，使其回到載具C之角色。該檢查模組C2，如後述，係用來檢查形成在處理結束之晶圓W上之圖案之線寬之模組。

將搬運至檢查模組C2之晶圓W，一旦送入傳遞平台U3上後，以搬運臂D1，將其送入：連接檢查模組C2之後段之處理區塊C3內之傳遞平台U4上。於處理區塊C3，除傳遞平台U4外，更設置：棚架單元U5、針對晶圓W，塗布於後詳述之光阻液之塗布模組83、對曝光後之晶圓W進行顯影處理之顯影模組84。且處理區塊C3，包含堆疊有對晶圓W進行熱處理等之處理模組85之單元U1、U2、及搬運臂A1、搬運臂D2、搬運臂D3，搬運臂A1，扮演在傳遞平台U4及各模組之間搬運晶圓W之角色。且搬運臂D2，在傳遞平台U4之間搬運晶圓W，搬運臂D3，扮演在與傳遞平台U4及棚架單元U5之間搬運晶圓W之角色。

將經對表面塗布光阻液之晶圓W，搬運至：後述之用來進行批次曝光之模組，即批次曝光模組C4內之傳遞平台U6上，接著，以該批次曝光模組C4內之搬運臂D4，將其送入介面區塊C5內之傳遞平台U7上。又，將經送入傳遞平台U7上之晶圓W，以搬運臂D5送入後段之圖案曝光機C6內之傳遞平台U8上後，例如以EUV進行圖案曝光。搬運臂D6扮演在圖案曝光機C6內搬運晶圓W之角色。

將圖案曝光結束之晶圓W，再送入介面區塊C5內後，使其回到批次曝光模組C4內，以未圖示之冷卻板調整溫度後，於批次曝光模組C4內之批次曝光裝置1內，進行後述之批次曝光。冷卻板堆疊於例如批次曝光模組C4內之傳遞平台U6。批次曝光結束之晶圓W，回到處理區塊C3內，於單元U1、U2內之加熱模組，進行加熱處理（PEB（Post-exposure Bake））。將PEB結束之晶圓W，送入顯影模組84內，例如以顯影液使圖案顯影後，經由傳遞平台U4使其回到檢查模組C2內。

於檢查模組C2內，以檢查裝置861（862）檢查圖案之線寬。具體而言，偵測形成於晶圓W之圖案之線寬，使晶圓W內之位置與圖案之線寬相對應，作為圖案資訊記憶於檢查裝置861（862）內之記憶部。將檢查結束之晶圓W傳遞至傳遞平台U3上，以載具區塊C1之傳遞臂82使晶圓W回到載具C。

在此，說明關於用於本實施形態之光阻。用於本實施形態之光阻，稱為光敏化學增幅型光阻。此光阻，因用於圖案曝光之波長之光，例如EUV或EB（電子線），於該光阻中產生酸與光敏劑。接著，進行後述之批次曝光，而用於此批次曝光之光中，係選擇僅只產生之光敏劑才會吸收光之波長，僅於進行圖案曝光之部分再度產生酸與光敏劑。亦即，僅於因圖案曝光形成之圖案部分，由於批次曝光導致酸增生。又，藉由後段之PEB，圖案部內光阻中之聚合物，因與上述之反應導致產生之酸之觸媒反應，相對於顯影液為可溶。

接著就本發明之批次（全面）曝光裝置加以說明。批次曝光裝置1，如圖3所示，包含由平台支持部14支持，相對於平台支持部14可旋轉，即晶圓載置部之平台13。平台支持部14，可藉由例如組合滾珠螺桿或馬達等而構成之X移動機構12，沿X方向任意移動。於平台13之上方，設置曝光部11，平台13及曝光部11，配置於：用來與批次曝光裝置1之外部區隔之框體（未經圖示）內。圖3中，L1係來自後述之曝光部11之光之照射區域（曝光區域）。

曝光部11，如圖4所示，包含例如Xe－Hg燈所構成之光源21及光路構件。圖3中，顯示收納有光源21及光路構件等之殼體，作為曝光部11。光路構件，由反射鏡M1、作為透射濾器之LCD（液晶顯示器）閘門22、遮罩23及反射鏡M2等構成，雖未圖示，但亦包含透鏡等。來自光源21之光，由反射鏡M1反射而朝LCD閘門22入射，透射過LCD閘門22之光，通過遮罩23。

遮罩23，用來限制晶圓W中之照射區域，如圖5所示，形成：具有相當於晶圓W之直徑之長度尺寸（例如300mm）與既定之開口寬之開口部231。作為開口寬之一例，例如可舉出1mm之尺寸，但亦可為：對應形成在晶圓W上之晶片群組之1晶片之尺寸。通過遮罩23之光，經由反射鏡M2到達晶圓W上，如圖3及圖4所示，形成帶狀之照射區域L1。

LCD閘門22，如圖5所示，包含：在玻璃基板上呈例如矩陣狀配置之複數之閘門部221，對應各閘門部221而設置：用來使各閘門部221為光透射狀態或遮光狀態之電晶體。LCD閘門22，相當於光控制板。圖4所示之閘門驅動電路部24，係用來控制電晶體之ON、OFF之電路部。

另一方面，後述之控制部100內記憶體104（參照圖6）之記憶體空間中，晶圓W呈矩陣狀分割為複數之區域。若將各閘門部221之區域稱為畫素，於LCD閘門22之畫素群組中，對應晶圓W各分割區域之區域內，即包含複數之畫素。因此，於各分割區域，可藉由調整「未由遮罩覆蓋之LCD閘門22之區域中對應分割區域之複數之畫素內，為ON之畫素之數量」，調節「照射至晶圓W各分割區域之曝光量。換言之，此即調整曝光部11之發光圖案，調整晶圓W上照射區域L1之照度圖案。

所謂為ON之畫素，詳細而言，係電晶體為ON而呈光透射狀態之畫素。關於畫素群組中，哪一畫素為ON之資訊，由後述之控制部100保持。此例中，LCD閘門22及閘門驅動電路部24，相當於用來調整對晶圓W所照射之曝光量之曝光量調整部。

塗布顯影裝置8，如圖6所示，包含控制部100。圖6中，記載有關於批次曝光裝置1及檢查裝置861之部分，控制部100，包含匯流排101、程式儲存部102、CPU103、記憶體（記憶部）104。程式儲存部102內之程式，包含：根據「自檢查裝置861（862）所發送而來，晶圓W之位置與圖案之線寬相對應之圖案資訊」，製作「用來控制曝光量調整部之資料」，由記憶體104記憶之步驟。圖案資訊，係就自光阻膜獲得之光阻圖案之線寬之面內分布，造成影響之資訊。

如已述，記憶體空間中，晶圓W呈矩陣狀分割為複數之區域。另一方面，自檢查裝置861（862）發送而來的圖案資訊中，與圖案之線寬之大小相對應之晶圓W之位置，較「與曝光量之大小相對應之晶圓W之分割區域」更被細分化。因此，自「於每一分割區域分割區域內所包含之圖案資訊之線寬之值」求取線寬之平均值，作為分割區域之線寬處置（評價）該平均值。例如若以「使用正型光阻之光阻圖案中之非溶解部分」為圖案之線寬，曝光量多線寬即變細，曝光量少線寬即變粗。因此，此時，為使線寬在各分割區域之間一致，關於線寬較所希望之線寬粗的分割區域，曝光量增多即可，關於線寬較所希望之線寬細的分割區域，曝光量減少即可。

依此觀點，對應各分割區域之線寬，分配複數階段，例如為求方便4階段之曝光量，而使其標準化，令分割區域之位置，與經分配之曝光量之標準值相對應，由記憶體104儲存。此資料處理，以程式進行。此例中，如已述，對晶圓W之分割區域照射之曝光量，由LCD閘門22之畫素群組之ON、OFF決定。所謂曝光量之標準值，係對應例如各分割區域之LCD閘門22之區域內應為ON之電晶體之位址。

例如於某分割區域包含4個電晶體Tr1～Tr4，曝光量之標準值為第1階段～第4階段，則第1階段之曝光量之情形下Tr1為ON，第2階段之曝光量之情形下Tr1、Tr2為ON，第3階段之曝光量之情形下Tr1～Tr3為ON，第4階段之曝光量之情形下所有電晶體Tr1～Tr4為ON。作為自控制部100送往閘門驅動電路部24之控制信號之一例，可舉出相對於「構成畫素之電晶體群組之對應字元線之開關元件及對應位元線之開關元件」之ON、OFF指令。

且作為使用LCD閘門22調整曝光量之手法，亦可調整畫素群組之ON、OFF之占空比（OFF之時間與ON之時間之比率）。

另一方面，指定分割區域之位置之平面座標中，X座標係X移動機構12之驅動系管理之座標，例如以滾珠螺桿機構構成X移動機構12時，由連結馬達之編碼器指定。又，因此X座標變化，晶圓W上橫長之照射區域L1移動。因此，於每一例如相當於分割區域之X方向之一邊之X座標之間隔，記憶「相當於就對應遮罩之開口部231之區域之LCD閘門22，應為ON之電晶體之資訊」，藉此，根據照射區域L1每當橫跨沿X方向排列之分割區域即自記憶部讀取之資訊，決定照射區域L1之照射圖案。此例中，帶狀之照射區域L1之寬度尺寸，設定為：小於例如分割區域之X方向之一邊之值。

又，如此相對於晶圓W相對且連續地掃描照射區域L1，調整晶圓W各部位之曝光之手法，在晶圓W上圖案之線寬橫跨晶圓W之直徑整體，或是於其一部分沿X方向連續或是階段性地變化時，相當適當。作為一例，可舉出：由平台13載置之晶圓W沿Y方向圖案之線寬一致，但沿X方向線寬逐漸增大時，或是線寬沿X方向例如大致呈3階段分布之例等。此時，可採用：設定照射區域L1整體之曝光量為相同值，對應照射區域L1之X座標之位置使曝光量之設定值變化之手法等。

且即使晶圓W沿Y方向圖案之線寬不一致，亦可沿Y方向如已述調整曝光量為適當之值，亦即，形成適當之發光圖案，藉此，成為適當之使用態樣。此時，對應照射區域L1之X方向之位置調整Y方向之照度圖案，故結果，可對應晶圓W上X方向及Y方向之位置調整曝光量，因此，可細緻地調整曝光量，可對光阻圖案之線寬之面內均一性更進一步提升有所貢獻。

且Y方向之曝光量相等時，或是Y方向之曝光量不一致而具有既定之峰谷之分布圖案存在時，亦可直接固定其曝光量分布（照度圖案），亦即對應X座標之位置不使照度圖案變化而沿X方向相對於晶圓W掃描照射區域L1。此種情形，亦係對應晶圓W之位置調整曝光量之態樣之一。

程式儲存部102內之程式中，組裝有命令（各步驟），俾自控制部100對塗布顯影裝置8各部傳送控制信號，使後述之塗布顯影處理進展。此程式，由電腦記憶媒體，例如軟碟、光碟、硬碟、MO（磁光碟）等記憶媒體儲存，安裝於控制部100。

接著，說明關於塗布顯影裝置8之作用。在對作為產品之晶圓（產品晶圓），於塗布顯影裝置內開始處理前，使用「例如與用於該晶圓之光阻相同之光阻，及圖案曝光遮罩」，於測試晶圓形成圖案。接著，對測試晶圓於批次曝光裝置1使用作為基準之曝光量外，更與產品晶圓相同地進行批次曝光，接著進行顯影。所謂「與產品晶圓相同地進行批次曝光」，係指針對測試晶圓之照射區域L1之大小、針對測試晶圓之照射區域之掃描方向、掃描速度，與產品晶圓時相同。

又，就於測試晶圓獲得之圖案，以檢查裝置861（862）進行檢查，如已述，取得：圖案之線寬之大小與晶圓W之位置相對應之圖案資訊。控制部100，以例如線上之方式接收此圖案資訊，如已述，製作：晶圓W之位置，例如分割區域之位置，與經標準化之曝光量值（對應曝光量值之參數值）相對應之資料（曝光量調整用資料）。又，自批次在前頭之晶圓起依序，如圖1、圖2所說明，進行光阻塗布、以圖案曝光機C6進行圖案曝光，如已述進行溫度調節後，將其送入批次曝光裝置1，對晶圓W進行批次曝光。

使用圖7說明關於批次曝光裝置1之動作即知，首先，使用X移動機構12調整晶圓W之位置，俾來自曝光部11之光之照射區域L1位在晶圓W之一端。照射區域L1，係涵蓋晶圓W之直徑整體，沿Y方向延伸之帶狀之區域。然後，以形成照射區域L1之狀態，藉由X移動機構12沿X方向等速地使晶圓W移動，掃描照射區域L1至晶圓W之另一端。此時CPU103，依程式，自記憶體104，讀取「對應晶圓W之Y方向之位置之曝光量值，例如已述經標準化之曝光量值」，對閘門驅動電路部24輸出控制信號。如已述，記憶體空間中晶圓W之位置呈矩陣狀分割，各分割區域所含之LCD閘門22之閘門部（畫素）群組中，閘門部恰對應於該分割區域之曝光量值之數量成為光透射區域。如此對應晶圓W之Y方向之位置調整曝光部11之發光量，以調整曝光量。

舉具體例如下：就測試晶圓之圖案（非溶解部）之線寬，自以晶圓之刻痕為基準決定之一端朝另一端（自批次曝光裝置1之Y方向之一端朝另一端）逐漸變細時，調整產品晶圓W中照射區域之曝光量，俾自晶圓W之一端橫跨另一端，階段性地減少。

針對晶圓W照射區域L1之掃描雖亦可為1次，但為減緩曝光用光偏向造成影響，亦可於第1次曝光後使平台13旋轉180°，然後，再自晶圓W之一端側朝另一端側掃描照射區域L1。或亦可重複複數次針對晶圓W自一端側朝另一端側之曝光，與以平台13旋轉使晶圓W旋轉180°。

將如此圖案曝光及批次曝光結束之晶圓W，送入「處理區塊C3內進行PEB之構成例如單元U1之PEB單元內」，對晶圓W進行PEB，光阻膜中因圖案曝光曝光之部位，相對於顯影液為可溶。然後，將晶圓W送入顯影模組84，例如供給顯影液，進行顯影，形成光阻圖案。

上述之實施形態中，使用光敏化學增幅型光阻，進行圖案曝光，於光阻中產生酸與光敏劑，接著，使用較圖案曝光之波長長之波長，對晶圓W進行全面曝光（批次曝光），自光敏劑更產生酸。因此，可以較少的曝光量形成線寬精度高的光阻圖案，可抑制處理能力之降低。

又，事前使用測試晶圓，進行與產品晶圓相同之處理，並於批次曝光裝置1以作為基準之曝光量進行批次曝光，藉由檢查裝置，檢查以加熱、顯影獲得之光阻圖案之線寬，根據其線寬資訊，對應晶圓W之位置，調整對產品晶圓進行批次曝光時之曝光量。因此，對應面內之部位，適當地控制批次曝光中酸的增生，故可調整晶圓W面內之圖案線寬。

上述之實施形態中，雖使用測試晶圓取得光阻圖案之圖案資訊，但亦可使用：就形成於例如先前之相同批次之晶圓之光阻圖案，以檢查裝置獲得之圖案資訊。且亦可以離線之方式，將「以塗布顯影裝置外獨立式之檢查裝置檢查晶圓而獲得之圖案資訊」輸入控制部100內，根據此圖案資訊，製作光量調整用資料。

且用來製作曝光量調整用資料之基礎，即事前獲得之資訊，不限於圖案資訊，係就光阻圖案之線寬之面內分布造成影響之資訊即可，例如亦可係顯示圖案曝光機C6之特性之資訊、或是顯示進行PEB之加熱單元之特性之資訊等。

且作為照射區域L1之形成方法，亦可不以遮罩23限制光之透射區域，代之以藉由「LCD閘門22中相當於遮罩之開口部231之區域之周圍的閘門部221（畫素部）為OFF，限制光透射區域之方法」進行。本實施形態之批次曝光裝置1中，亦可不使用LCD閘門22，代之以MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）閘門，於該MEMS閘門，將於每一畫素設置之微小之閘門高速地開合，藉此控制光量。

且為形成帶狀之照射區域L1，調整晶圓W各部位之曝光量，作為光源21，亦可代替上述例中之Xe－Hg燈，使用複數之發光二極體（LED）211，形成如圖8所示之橫長之照射區域L1。作為一例，可舉出：使複數之LED211呈一列排列，俾照射區域L1之長度相當於晶圓W之直徑尺寸之例。又，作為記憶體104內資料之手法，可舉出：形成照射區域L1之所有LED211之發光強度之設定值為例如同一值，對應晶圓W之X座標之值，此設定值於每一LED211群組變化之手法。此時，亦可決定設定值，俾LED211的一部分或是全部的發光強度相互不同。

LED211之發光強度，可藉由使各LED211之驅動電流之值變化而變更，作為記憶體104內發光強度之設定值之資料，可舉出：設於LED驅動電路部25之開關元件之ON、OFF之占空比。又，亦可組合：LED211之發光強度之調整，與使用已述之閘門部221之曝光量之調整。

且批次曝光裝置1中對應晶圓W之位置之曝光量之調整，亦可不調整曝光部11側之發光強度，代之以：對應晶圓W之位置，調整照射區域L1與晶圓W之相對移動速度，調整對應晶圓W之位置之照射時間，藉此進行。且亦可組合發光強度之調整與移動速度之調整。

且帶狀之照射區域L1之長度尺寸，不限於涵蓋晶圓W之直徑之尺寸，亦可為相當於例如晶圓W之半徑之尺寸。此時，可採用：以照射區域L1掃描例如晶圓W之一半之面後，掃描晶圓W之剩下的一半的面之程序。

［第2實施形態］參照圖9及圖10，同時說明關於依第2實施形態之批次曝光裝置1。又，以下之實施形態之說明中，就與依第1實施形態之部分相同之部分，賦予相同符號，省略說明。首先，將於圖案曝光機C6形成圖案之晶圓W送入批次曝光裝置1內。接著，於曝光部11，與第1實施形態同樣地，形成：與晶圓W之直徑相同或是稍微更長的帶狀之照射區域L1。又，以照射區域L1位於晶圓W之直徑之狀態，使連接支持晶圓W之平台13之旋轉機構15旋轉，藉此，使晶圓W例如半旋轉（180°）地旋轉，或是恰旋轉半旋轉之整數倍，令照射區域L1橫跨晶圓W整體掃描。

此時，控制部100之記憶體空間中，晶圓W，沿周方向呈扇型分割為複數，例如以通過晶圓W之中心O之直徑為基準線，自0度至360度每1度地分割為360個。控制部100，於每一360個分割區域（角度區域），根據圖案資訊決定光量值。作為一例，於每一分割區域，製作：設定有「如第1實施形態所例示經標準化之光量值（各分割區域所含之畫素之ON之數量）」之光量調整用資料。

又，晶圓W旋轉後，曝光部11即根據此資料，於每一晶圓W之旋轉位置調整光量。晶圓W旋轉1次之期間，照射區域L1之一端側連續地位於包含晶圓W之中心O之中心部區域，故關於該中心部區域，設定光量，俾少於其以外之部位之光量。亦即，對應照射區域L1內之發光量若一致，晶圓W之中心部區域之曝光量即多於該區域之周緣側之曝光量，故藉由變更兩者之區域之發光量，修正曝光量之差。

本實施形態中，照射區域L1之長度尺寸，亦可如圖11所示，為較晶圓W之半徑若干長之尺寸。此時，以照射區域L1位在晶圓W之半徑上之狀態，晶圓W旋轉1次，或是旋轉複數次（360°×整數），令照射區域L1橫跨晶圓W整體掃描。此時，晶圓W旋轉1次之期間，照射區域L1之一端側亦連續地位於包含晶圓W之中心O之中心部區域，故關於該中心部區域，設定光量，俾少於其以外部位之光量。

且亦可設定照射區域L1之長度尺寸，俾稍短於晶圓W之半徑，照射區域L1之一端位於偏離晶圓W之中心O之部位，照射區域L1相對於晶圓W相對地旋轉1次，接著，照射區域L1沿晶圓W之半徑向稍微移動，使其位於晶圓W之中心O上，令包含該中心O之區域曝光。此時，關於照射區域L1中包含晶圓W之中心O之區域以外之區域，曝光量亦可為零。如此之手法，可藉由使用「如圖3所示，用來使晶圓W沿徑向移動之移動機構（圖3中係X移動機構12）」實施。本發明，亦可如此設定照射區域L1，俾大於圖案曝光時1次曝光之遮罩尺寸，關於照射區域L1之相對移動，組合旋轉與直線移動。作為如此之例，例如圖9所示，可舉出：照射區域L1為對應晶圓W之直徑之長度尺寸之帶狀區域，此照射區域L1以例如X移動機構12沿晶圓W之徑向移動，接著，照射區域L以晶圓W之中心為旋轉中心，相對旋轉之手法。照射區域L之相對旋轉動作，可舉出：以晶圓W之中心部為旋轉中心，令晶圓W旋轉之手法。此時，作為晶圓W之徑向之移動圖案之例，可舉出以照射區域L1掃描例如晶圓W全面之例。

且設定照射區域L1之長度為較晶圓W之半徑若干長的尺寸，以照射區域L1位在晶圓W之半徑上之狀態，令晶圓W旋轉1次，並使晶圓W旋轉時，位於包含晶圓W之中心O之區域之照射區域L1之曝光量亦可為零。此時，其後，位於包含晶圓W之中心O之區域之照射區域L1中曝光，關於照射區域L1內其他之區域，曝光量為零。

如此令照射區域L1環繞之實施形態中，不限於對應晶圓W之周方向之照射區域L1之位置（晶圓W之周方向之分割區域），照射區域L1之曝光量一律變更，亦可調整長度方向之照度圖案。

且形成例如較晶圓W之直徑長的照射區域L1，晶圓W旋轉之期間，維持照射區域L1位於晶圓W之直徑之狀態，同時沿晶圓W之直徑向移動照射區域L1，即可減緩曝光部11之光之偏向之影響。

本實施形態中，亦與第1實施形態相同，亦可使用LCD閘門22，或是MEMS閘門調整發光圖案。且與圖8相同，亦可作為光源21使用LED，調整各LED之發光量，藉此調整發光圖案。且亦可不使用遮罩23，代之以對應遮罩之開口部231之LCD閘門22各畫素以外之畫素為OFF，形成照射區域L1。且晶圓W側亦可不移動，代之以曝光部11側移動，或是晶圓W與曝光部11側雙方移動。

［第3實施形態］第1實施形態及第2實施形態中，在以帶狀之照射區域L1使晶圓W曝光之狀態下，令相對於晶圓W之照射區域L1相對且連續地移動，而第3實施形態，係如圖案曝光機C6中之圖案曝光進行階段曝光之態樣。具體而言，依第3實施形態之批次曝光裝置1中，如圖12所示，平台13可藉由X移動機構12及Y移動機構16沿X、Y方向雙方移動。且塗布顯影裝置8，如圖14所示，包含控制部100。

關於本實施形態之批次曝光時之光之照射區域，作為「對應於圖案曝光機C6進行圖案曝光時之曝光發射區域之區域」形成。於圖案曝光機C6進行之圖案曝光中，令「相當於晶圓上之1晶片之大小之發射區域（照射區域）」，相對於各晶片依序脈衝式地（間歇地）移動。例如相對於發射區域，晶圓以1晶片分間歇地逐一移動，晶圓停止時進行曝光。且有時亦形成n（n係2以上之整數）個相當於1晶片之大小之發射區域，晶圓以n晶片分間歇地逐一移動，晶圓停止時使n晶片分同時曝光。

因此，批次曝光裝置1中，圖13所示之照射區域L2，作為「與進行圖案曝光時之發射區域（1晶片分或是n晶片分之發射區域）相同之區域」形成。作為限制照射區域L2之手法，亦可使用例如縱橫之尺寸可自由變更之移動式遮光閘門，亦可使「LCD閘門22或MEMS閘門中對應照射區域L2之以外之區域之畫素」為OFF，限制光透射區域。或是亦可如第1實施形態，使用包含對應照射區域L2之開口部之遮罩。控制部100內之程式中，裝有步驟，俾實行：用來形成照射區域L2之程序、關於對晶圓W進行批次曝光時之曝光量之調整之程序。

其次，說明關於本實施形態之作用。首先，就測試晶圓，與第1實施形態相同，使測試晶圓於圖案曝光機C6進行圖案曝光。接著，朝批次曝光裝置1送入測試晶圓，按照圖案曝光機C6中圖案曝光區域（階段曝光區域或是發射區域）之曝光順序，藉由例如作為基準之曝光量，以照射區域L2依序進行階段曝光。

接著，對測試晶圓進行加熱、顯影處理，形成光阻圖案，以檢查裝置861（862），檢查測試晶圓之線寬。設定對測試晶圓之處理配方、圖案遮罩及光阻之類別，俾與產品晶圓相同。又，批次曝光裝置1之控制部100中，對應檢查結果，製作「相當於對各晶片之光量之標準值之資訊與各晶片之位置（X、Y方向之位置）相對應之資料」，由記憶體104記憶。且將以圖案曝光機C6移動照射區域之移動順序及移動之時機之資料導入，由記憶體104記憶。

其次，自批次在前頭之晶圓起，依序如圖1、圖2所說明，進行光阻塗布、以圖案曝光機C6進行圖案曝光，將其送入批次曝光裝置1。使用圖15說明關於該批次曝光之作用即知，首先，使用X移動機構12及Y移動機構16調整晶圓W之位置，俾來自光源21之光之照射區域L2位於晶圓W之一端P。此照射區域L2，如已述係圖案曝光時1次階段曝光區域之整體。照射區域L2，雖設定為與發射區域相同大小，但就不使用圖案遮罩之點而言與圖案曝光時之照射區域不同。

圖15顯示圖案曝光時之發射區域相對於晶圓W間歇移動時批次曝光時照射區域L2之移動例。批次曝光時，與圖案曝光時相同，照射區域L2如以箭頭所示，自一端P在各晶片上間歇地移動至另一端Q，例如於每一各晶片曝光。若將曝光部11側之光照射區域之投影區域理解為照射區域L2，照射區域L2，可以說僅於在晶片上停止時曝光。且若將光自曝光部11側發出之狀態理解為晶圓W上之照射區域L2，照射區域L2，僅於晶圓W停止時在晶圓W上形成，結果，僅在晶圓W上之各晶片上曝光。

此實施形態中，亦如已述，根據相當於對各晶片之光量之標準值之資訊與各晶片之位置（X、Y方向之位置）相對應之資料，調整為晶圓W上各晶片之位置（晶圓W）上對應照射區域L2之位置之曝光量。1次階段（發射）之曝光量，雖亦可於每一照射區域L2之位置批次（在照射區域L2內作為相同之曝光量）決定，但亦可控制例如LCD閘門22之畫素之ON、OFF，於照射區域L2內在每一照射區域L2之位置調整照度分布。又，如圖16所示，批次曝光時發射（階段曝光）之順序（P1´、P2´、P3´…），配合圖案曝光時發射之順序（P1、P2、P3…），且批次曝光時各發射之曝光之時機（進行第1個發射再接著各發射之開始時間），配合圖案曝光時發射之時機。又，送入批次曝光裝置1之晶圓W之方向，例如以刻痕為基準經常為一定。因此，進行第1個發射，再開始第n（n係整數）個發射止之時間，於圖案曝光及批次曝光之間一致。藉由如此處理，在各晶片之間，或是晶片之群組之間，易於調整圖案之線寬之面內均一性。如此之實施形態中，亦與第1實施形態相同，可提高晶圓W面內圖案線寬之均一性。又，為調整批次曝光時各發射之曝光量，如已述不限於曝光部11之光強度之調整，亦可調整照射時間，亦可組合雙方。

且於批次曝光裝置1如第3實施形態進行階段曝光（發射曝光）時，亦可不使1次之發射區域內整體同時曝光，代之以掃描小於該發射區域之照射區域，藉此，形成照射區域L2。圖17，顯示如此之例，與圖15所示之例相同，照射區域L2於每一晶片各列依序沿X方向間歇移動，且相當於1晶片之區域R之寬之長度尺寸之帶狀之照射區域L3，在晶圓W上沿X方向相對移動。較小之帶狀之照射區域L3，如已述以遮罩或LCD閘門22等形成。此時，對應照射區域L3之位置，調整該照射區域L3之長度方向之曝光量分布，即可於對應1次之發射區域之照射區域L2內，調整對應X、Y方向之位置之細緻之曝光量。且1晶片之寬度尺寸之帶狀之照射區域L3，亦可在晶圓W上沿Y方向相對移動。如此之例，即所謂組合階段曝光與第1實施形態所記載之掃描類型之曝光之手法。

［本發明之變形例］且以包含本發明之批次曝光裝置1之塗布顯影裝置8進行之晶圓W之處理中，亦可於圖案曝光機C6至批次曝光裝置1之晶圓W之搬運通道設置緩衝區域，令緩衝時間存在。晶圓W非自圖案曝光機C6經常以一定之時間間隔移出塗布顯影裝置，故晶圓W間移出之時機過早時，於緩衝區域等待，藉此，於各晶圓W間，圖案曝光結束至進行批次曝光之時間一致。又，關於此緩衝時間之長度，預先模擬圖案曝光開始至PEB可開始之時間之差異，對應最晚的PEB可開始時間決定之，藉此，就批次曝光裝置1之處理結束，至PEB開始之時間，於晶圓W之間亦一致。

且圖18顯示，本發明之批次曝光裝置1中，對應使用之光阻之種類，使批次曝光時照射光之波長變化之構成例。此例中，來自Xe－Hg燈所構成之光源21之光，透射過偏光濾器41（圖18之例中係偏光濾器41a、41b或41c），照射晶圓W。偏光濾器41a、41b、41c，分別透射過之光之波長不同，例如沿旋轉板之周方向配置，對應使用之光阻之種類，使使用之偏光濾器41位在光路上而加以選擇，藉此，可設定批次曝光時之曝光波長。

或是，如圖19所示，亦可藉由調整繞射光柵G1之角度，選擇批次曝光時照射光之曝光波長。此例中，在Xe－Hg燈所構成之光源21與遮罩23之開口部之間，配置構成反射鏡之繞射光柵G1，對應使用之波長選擇繞射光柵G1之角度，藉此，可使所希望之波長之光分離。且亦可代替繞射光柵G1而使用棱鏡，使所希望之波長之光分離。

且關於使用測試晶圓獲得之圖案，亦可檢查側壁角（SWA：線側壁之傾斜角）θ，使該θ之檢查結果自檢查裝置861（862）反饋，調整批次曝光裝置1之照射光之波長，藉此，調整SWA。此時，θ若小於目標值θ₀ ，即更換偏光濾器41，或使繞射光柵G1之角度變化，藉此，使照射光為長波長，θ大於目標值θ₀ 時使照射光為短波長。

［第4實施形態］本發明之第4實施形態與第1～第3實施形態不同之處如下。圖20（a），顯示依第1～第3實施形態（以下，稱「前述實施形態」）之晶圓W之處理之順序之概略。前述實施形態中，晶圓W中形成光阻膜後，以圖案曝光機C6進行圖案曝光，接著，於批次曝光模組C4內之批次曝光裝置1（參照圖1）進行批次曝光，更於處理區塊C3內經加熱處理（PEB）後，進行顯影處理。

相對於此，第4實施形態中，如圖20（b）所示，將圖案曝光後進行之批次曝光模組C4內之批次曝光，分為相當於第1曝光程序之高照度曝光（程序）與相當於第2曝光程序之低照度曝光（程序）進行。又，圖20中，在批次曝光前對晶圓W進行之以冷卻板調整溫度之記載省略。

就於前述實施形態進行之批次曝光，與於第4實施形態進行之高照度曝光及低照度曝光，參照圖21所示之示意圖，同時進行說明。批次曝光之角色，如已述係用來修正進行圖案曝光、顯影獲得之圖案之線寬之不一致。亦即，針對不進行批次曝光時因顯影液顯影之非溶解部分之線寬過廣（溶解之部分之線寬過於狹窄）之部位，增加批次曝光之曝光量，增加酸之產生量。且針對因顯影液顯影之非溶解部分之線寬過於狹窄（溶解之部分之線寬過廣）之部位，減少批次曝光之曝光量，減少酸之產生量。如此對應晶圓之位置，亦即對應圖案曝光區域之位置調整批次曝光時之曝光量，藉此，結果可確保線寬之面內均一性。

圖21中之網眼，顯示晶圓W上之區域經分割之狀態。1個分割區域，雖實際上相當於例如晶圓W上之1晶片，或是複數晶片，但因紙面之限制，為便於說明以4×4縱橫分割。且網眼中之數字，係照射分割區域之曝光量，若分割區域之面積相等，即表示照度。前述實施形態之批次曝光，相當於圖21（c）。就第1實施形態已說明關於由圖6之記憶體空間記憶之曝光量，而網眼中記載之數字，例如由該說明決定，係照射各分割區域之曝光量。此例之曝光量雖係示意顯示之數值，但亦可說係對某分割區域之曝光量為100％時其他分割區域之曝光量之比例。前述實施形態中，如圖21（c）所示於批次曝光裝置1，對應分割區域，以99.5、100、100.5中任一大小曝光。

另一方面，圖21（a）、（b），分別對應：於第4實施形態進行之高照度曝光（第1曝光程序）中對各分割區域之曝光量，與低照度曝光（第2曝光程序）中對各分割區域之曝光量。雖說對應圖案曝光區域之位置調整批次曝光時之曝光量，但其調整幅係微量。因此第4實施形態中，首先，以高照度曝光橫跨圖案曝光區域全面（橫跨晶圓W全面）以例如一定之曝光量曝光，其後以低照度曝光，藉由對應各分割區域之曝光量曝光。關於高照度曝光之曝光量，對晶圓之批次，事前預估各分割區域中批次曝光時之曝光量之最小值，對該最小值取邊限以恰低於邊限分之曝光量為高照度之曝光量設定之。因此，低照度之曝光量相對於例如高照度之曝光量約高1％。圖21顯示，例如（a）所示進行高照度曝光，接著如（b）進行低照度曝光，藉此，如（c）所示，如前述實施形態進行批次曝光之結果。

圖22顯示用於第4實施形態之批次曝光模組C4之一例，此批次曝光模組C4，包含進行高照度曝光之相當於第1曝光單元之高照度曝光單元1－1，與進行低照度曝光之相當於第2曝光單元之低照度曝光單元1－2。此時，搬運臂D4，扮演在傳遞平台U6、高照度曝光單元1－1、低照度曝光單元1－2及未圖示之冷卻板之間傳遞晶圓W之角色。

圖22之例中，雖於高照度曝光單元1－1及低照度曝光單元1－2，分別設置載置晶圓W之載置部，但高照度曝光單元1－1及低照度曝光單元1－2亦可相互鄰接，共通之載置部在兩單元1－1、1－2間以移動機構移動。高照度曝光單元1－1及低照度曝光單元1－2，分別可使用與於前述實施形態使用之批次曝光裝置1相同之構成者。又，高照度曝光單元1－1，就使晶圓W全面以相同之曝光量曝光之點而言與批次曝光裝置1不同，且低照度曝光單元1－2，雖根據記憶體104內之資料調整曝光量，但就曝光量小之點而言與批次曝光裝置1不同。

因此，高照度曝光單元1－1，藉由「例如圖3及圖7所示，將在晶圓W上形成之沿Y方向沿伸之帶狀之照射區域，沿X方向掃描，或如圖9及圖10所示，使帶狀之照射區域相對於晶圓W相對旋轉等手法」，使晶圓W上全面曝光，俾橫跨例如晶圓W全面，照度一定。此時，可採用：例如藉由相同曝光量以一定速度掃描已述之照射區域之手法。且雖亦可如第3實施形態，以間歇移動發射區域之手法進行高照度曝光，但就獲得高處理能力之觀點而言，第1、第2實施形態之手法較佳。

又，低照度曝光單元1－2中，亦藉由前述實施形態所記載之手法，例如於第1實施形態所詳述，於記憶體104內，記憶「晶圓W上分割區域之位置與曝光量例如曝光量之標準值相對應之資料」，根據此資料調整曝光量。關於高照度曝光與低照度曝光之順序，不限於高照度曝光、低照度曝光之順序，如圖20（c）所示，亦可為低照度曝光、高照度曝光之順序。

且高照度曝光，不限於橫跨晶圓W全面（橫跨圖案曝光區域全面）照度一定地曝光，亦可例如自晶圓W之一端側橫跨另一端側照度增加或是減少，或是局部性地使照度變化而曝光。且高照度曝光，亦可不使用例如遮罩，同時照射晶圓W全面，此時，雖於晶圓W全面形成通常照度分布，但於低照度曝光，亦預估此照度分布，決定各分割區域之曝光量即可。

第4實施形態中，將圖案曝光後進行之對光敏劑供給光能量而產生酸之批次曝光，分為高照度曝光與低照度曝光。又，為產生酸必要之曝光量之大部分之曝光以高照度曝光進行，為根據事前之資訊減緩圖案之線寬（亦包含電洞直徑等）之不均一性，晶圓W面內之曝光量之調整以低照度曝光進行。因此，調整面內之曝光量之低照度曝光中，可增大相對於曝光量之變化量之曝光量之調整部之調整幅。所謂調整幅，在例如於第1實施形態使用之LCD閘門22之情形下，相當於畫素之ON、OFF圖案之組合，在使用發光二極體211之情形下，相當於驅動電流供給電路之開關元件之ON、OFF之占空比之可變範圍等。因此，曝光量之晶圓W面內之調整變得容易，可進行可靠度高的調整，結果，就面內圖案之線寬可獲得良好的均一性。

在此，圖23，顯示於晶圓W所塗布、成膜之光阻之吸光度與光之波長之關係，相當於吸光度之峰之波長λ1，係經圖案曝光而產生之光敏劑變為酸之反應活潑化之波長。例如於高照度曝光及低照度曝光中任一者，皆可以波長λ1進行曝光，但高照度曝光及低照度曝光各波長亦可不同。例如亦可以λ1進行高照度曝光，以稍低於吸光度之峰之λ2進行低照度曝光，此時，於低照度曝光對曝光量之光敏劑之反應量小，亦即圖案之線寬之變化緩慢，故可更增大相對於曝光量之變化量之曝光量之調整部之調整幅，有曝光之調整更容易之優點。

第4實施形態中，作為一例雖已說明批次曝光之約99％以高照度曝光進行，但亦可使批次曝光之95％、90％或是其以下之比例之曝光以高照度曝光進行，其餘的曝光以低照度曝光進行。且第4實施形態中，晶圓W全面曝光時，例如全面以相同之曝光量曝光時（第1曝光程序），以高照度曝光，就晶圓W上各區域調整曝光量而曝光時（第2曝光程序），以低照度曝光，但本發明中不限於如此之手法，亦可採用例如以同程度之照度進行第1及第2曝光程序等之手法。

A1‧‧‧搬運臂
C1‧‧‧載具區塊
C2‧‧‧檢查模組
C3‧‧‧處理區塊
C4‧‧‧批次曝光模組
C5‧‧‧介面區塊
C6‧‧‧圖案曝光機
C‧‧‧載具
D1‧‧‧搬運臂
D2‧‧‧搬運臂
D3‧‧‧搬運臂
D4‧‧‧搬運臂
D5‧‧‧搬運臂
D6‧‧‧搬運臂
L1、L2、L3‧‧‧照射區域
U1、U2‧‧‧單元
U3‧‧‧傳遞平台
U4‧‧‧傳遞平台
U5‧‧‧棚架單元
U6‧‧‧傳遞平台
U7‧‧‧傳遞平台
U8‧‧‧傳遞平台
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧批次曝光裝置
1－1‧‧‧高照度曝光裝置
1－2‧‧‧低照度曝光裝置
8‧‧‧塗布顯影裝置
11‧‧‧曝光部
13‧‧‧平台
21‧‧‧光源
22‧‧‧LCD閘門
23‧‧‧遮罩
81‧‧‧載置台
82‧‧‧傳遞臂
83‧‧‧塗布模組
84‧‧‧顯影模組
85‧‧‧處理模組
100‧‧‧控制部
861、862‧‧‧檢查裝置

【圖1】係依本發明之第1實施形態之塗布顯影裝置連接圖案曝光機之系統之俯視圖。【圖2】係該系統之立體圖。【圖3】係依本發明之第1實施形態之批次曝光裝置之概略立體圖。【圖4】係顯示該批次曝光裝置中自光源對晶圓照射光之說明圖。【圖5】係該批次曝光裝置中LCD閘門及遮罩之立體圖。【圖6】係該批次曝光裝置中控制機構之說明圖。【圖7】係顯示該批次曝光裝置中照射區域之移動之情形之說明圖。【圖8】係顯示該批次曝光裝置中於光源使用LED時光源之控制機構之說明圖。【圖9】係依本發明之第2實施形態之批次曝光裝置之概略立體圖。【圖10】係顯示依該第2實施形態之批次曝光裝置中照射區域之移動之情形之說明圖。【圖11】係顯示依該第2實施形態之變形例之批次曝光裝置中照射區域之移動之情形之說明圖。【圖12】係依本發明之第3實施形態之批次曝光裝置之概略立體圖。【圖13】係顯示依該第3實施形態之批次曝光裝置之自光源對晶圓照射光之說明圖。【圖14】係依該第3實施形態之批次曝光裝置中控制機構之說明圖。【圖15】係顯示依該第3實施形態之批次曝光裝置中照射區域之移動之情形之說明圖。【圖16】係相對應地顯示依該第3實施形態之批次曝光與圖案曝光之說明圖。【圖17】係顯示該第3實施形態之變形例之說明圖。【圖18】係於本發明之批次曝光裝置以偏光濾器切換波長時之說明圖。【圖19】係於本發明之批次曝光裝置以繞射光柵切換波長時之說明圖。【圖20】(a)~(c)係顯示依本發明之第1～第4實施形態之晶圓之處理之流程之說明圖。【圖21】(a)~(c)係示意顯示依本發明之第4實施形態之高照度曝光與低照度曝光之說明圖。【圖22】係顯示用於本發明之第4實施形態之批次曝光模組之構成之俯視圖。【圖23】係顯示於本發明之第4實施形態進行之高照度曝光及低照度曝光所使用之波長之例之說明圖。

A1‧‧‧搬運臂

C1‧‧‧載具區塊

C2‧‧‧檢查模組

C3‧‧‧處理區塊

C4‧‧‧批次曝光模組

C5‧‧‧介面區塊

C6‧‧‧圖案曝光機

C‧‧‧載具

D1‧‧‧搬運臂

D2‧‧‧搬運臂

D3‧‧‧搬運臂

D4‧‧‧搬運臂

D5‧‧‧搬運臂

D6‧‧‧搬運臂

U1、U2‧‧‧單元

U3‧‧‧傳遞平台

U4‧‧‧傳遞平台

U5‧‧‧棚架單元

U6‧‧‧傳遞平台

U7‧‧‧傳遞平台

U8‧‧‧傳遞平台

W‧‧‧晶圓

1‧‧‧批次曝光裝置

8‧‧‧塗布顯影裝置

81‧‧‧載置台

82‧‧‧傳遞臂

83‧‧‧塗布模組

84‧‧‧顯影模組

85‧‧‧處理模組

100‧‧‧控制部

861、862‧‧‧檢查裝置

Claims

一種曝光裝置，對形成有光阻膜之基板，使用圖案遮罩進行圖案曝光後，使圖案曝光區域曝光，其特徵在於包含：載置部，載置基板；曝光部，使該載置部上之基板曝光；及控制部，輸出一控制信號，該控制信號用來根據事前獲得之資訊，對應於該基板上的複數之區域中的複數之區域，分別調整曝光量。
一種曝光裝置，對形成有光阻膜之基板，使用圖案遮罩進行圖案曝光後，使圖案曝光區域曝光，其特徵在於包含：第1曝光單元，具有：第1載置部，載置基板；與第1曝光部，使該第1載置部上的基板之圖案曝光區域整體曝光；及第2曝光單元，具有：第2載置部，載置基板；第2曝光部，使此第2載置部上的基板之複數之區域曝光；與控制部，輸出一控制信號，該控制信號用來根據事前獲得之資訊，對應基板上的複數之區域，分別調整該第2曝光部之曝光量。
如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中該第2曝光部，以較該第1曝光部曝光時之照度更小之照度曝光。
如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中該資訊，係將曝光後加熱，接著顯影而獲得之基板上的光阻圖案，以檢查裝置檢查而取得之圖案的線寬之資訊。
如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中該光阻圖案，係對基板上的光阻膜進行圖案曝光，接著使基板全面曝光後，加熱接著顯影而獲得者。
如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中該控制部包含：記憶部，記憶有「根據該資訊製作，基板上之位置與曝光量相對應之資料」。
如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中將該曝光部之照射區域設定成小於基板之光阻圖案形成區域整體；設置移動機構，使該照射區域相對於該載置部上之基板，沿基板之面相對移動；該控制部輸出控制信號，該控制信號用來對應於該基板上的照射區域之位置調整曝光量。
如申請專利範圍第2或3項之曝光裝置，其中將該第2曝光部之照射區域設定成小於基板之光阻圖案形成區域整體，設置移動機構，使該照射區域相對於該第2載置部上之基板，沿基板之面相對移動；該控制部輸出控制信號，該控制信號用來對應於該基板上的照射區域之位置調整曝光量。
如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中該移動機構，使該照射區域對於該基板，相對地沿X方向連續移動，該照射區域，沿Y方向呈帶狀延伸。
如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中該控制部輸出控制信號，該控制信號用來依該基板上之該照射區域的X方向之位置，調整Y方向之照度分布。
如申請專利範圍第9或10項之曝光裝置，其中該照射區域之長度尺寸，設定在：基板之光阻圖案形成區域的整體中之Y方向之最大尺寸以上。
如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中該照射區域，自基板之中心部側朝基板之周緣部呈帶狀延伸，該移動機構，包含：旋轉機構，以基板之中心部為旋轉中心，相對於照射區域使基板相對地旋轉。
如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中該控制部輸出控制信號，該控制信號用來依該照射區域之位置，調整照射區域之長度方向之照度分布。
如申請專利範圍第9或12項之曝光裝置，其中該控制部對該移動機構輸出控制信號，俾依該基板上的照射區域之位置，調整照射區域之移動速度。
如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中將該照射區域設定成大於圖案曝光時曝光1次之遮罩尺寸，該移動機構，包含下列機構：使該照射區域沿基板之徑向相對移動的機構；及使該照射區域，以基板之中心部為旋轉中心，相對於該基板相對旋轉的機構；且該控制部，對該移動機構輸出控制信號，俾實行下列步驟：使該照射區域沿基板之徑向相對移動之步驟；及使該照射區域，以基板之中心部為旋轉中心，相對於該基板相對旋轉之步驟。
如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中將該照射區域之大小設定為：對應於圖案曝光時曝光1次之遮罩尺寸之大小的整數倍，該移動機構，使該照射區域相對於該基板相對且間歇地移動，俾依序停止於圖案曝光時之曝光區域，該控制部輸出控制信號，俾僅在照射區域相對於基板靜止時曝光。
如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中該控制部，輸出控制信號，俾以對應「圖案曝光時曝光之順序」的順序，使該照射區域相對於該基板相對且間歇地移動。
如申請專利範圍第16或17項之曝光裝置，其中該控制部輸出控制信號，該控制信號用來依該基板上的該照射區域之X方向及Y方向之位置，調整曝光量。
如申請專利範圍第16或17項之曝光裝置，其中該控制部輸出控制信號，該控制信號用來依該基板上的該照射區域之位置，調整照射區域內之照度分布。
如申請專利範圍第1或2項之曝光裝置，其中該曝光部，包含：光控制板，沿其面方向排列有「可藉由電信號選擇光透射狀態與遮光狀態其中一方的複數之被控制區域」，該控制信號，係用來控制該被控制區域之狀態之信號、或用來控制光透射狀態之時間與遮光狀態之時間的比率之信號。
如申請專利範圍第1或2項之曝光裝置，其中該曝光部，包含複數之發光二極體，該控制信號，係用來控制該發光二極體之驅動電流之信號。
一種光阻圖案形成方法，包含下列程序：對使用光阻在基板上成膜之光阻膜，使用圖案遮罩進行圖案曝光之程序；根據事前獲得之資訊，決定分別對應基板上複數之區域之曝光量之程序；其後，根據由該程序決定之曝光量，使基板之圖案曝光區域曝光之程序；然後，對基板進行加熱之程序；接著，使基板顯影之程序。
一種光阻圖案形成方法，包含下列程序：圖案曝光程序，對使用光阻在基板上成膜之光阻膜，利用圖案遮罩進行圖案曝光；第1曝光程序，使「在該圖案曝光程序曝光之基板上之圖案曝光區域整體」曝光；曝光量決定程序，根據事前獲得之資訊，決定出分別對應於「在該圖案曝光程序曝光之基板上之圖案區域中的複數之區域」之曝光量；第2曝光程序，根據在該曝光量決定程序所決定之曝光量，使該基板上的複數之區域曝光；然後，加熱程序，對基板進行加熱；接著，顯影程序，使基板顯影。
如申請專利範圍第22或23項之光阻圖案形成方法，其中根據該曝光量決定程序進行曝光之程序，包含下列程序：使「設定為小於基板上之光阻圖案形成區域整體的曝光部之照射區域」，相對於基板沿基板之面相對移動之程序；及依該基板上的照射區域之位置，調整曝光量之程序。
如申請專利範圍第24項之光阻圖案形成方法，其中使該照射區域相對於基板沿基板之面相對移動之程序，係以基板之中心部為旋轉中心，對於照射區域使基板相對旋轉之程序。
如申請專利範圍第25項之光阻圖案形成方法，其中使該照射區域相對於基板沿基板之面相對移動之程序，更包含：使該照射區域沿基板之徑向移動之程序。
如申請專利範圍第25或26項之光阻圖案形成方法，其中包含：為調整依照射區域之位置之曝光量，而調整照射區域之移動速度之程序。
如申請專利範圍第22項之光阻圖案形成方法，其中使該基板之圖案曝光區域曝光之程序，係使基板上之光阻圖案形成區域整體同時曝光之程序。
如申請專利範圍第22或23項之光阻圖案形成方法，其中根據將「曝光後加熱，接著顯影而獲得之基板上之光阻圖案」，藉由檢查裝置檢查而取得之光阻圖案之側壁之角度資訊，選擇「進行圖案曝光區域的曝光之程序時的曝光波長」。
一種記憶媒體，記憶有用於「對形成有光阻膜之基板，在圖案曝光後使基板曝光之裝置」的電腦程式，其特徵在於：該電腦程式包含有實施如申請專利範圍第22或23項之光阻圖案形成方法的步驟群組。