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TW201528305A - 保護元件 - Google Patents

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TW201528305A
TW201528305A TW103101693A TW103101693A TW201528305A TW 201528305 A TW201528305 A TW 201528305A TW 103101693 A TW103101693 A TW 103101693A TW 103101693 A TW103101693 A TW 103101693A TW 201528305 A TW201528305 A TW 201528305A
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TW
Taiwan
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heating element
electrode
electrodes
conductor
laminated
Prior art date
Application number
TW103101693A
Other languages
English (en)
Inventor
Chisato Komori
Koichi Mukai
Kazutaka Furuta
Toshiaki Araki
Koji Ejima
Takashi Fujihata
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to TW103101693A priority Critical patent/TW201528305A/zh
Publication of TW201528305A publication Critical patent/TW201528305A/zh

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Abstract

為了使保護元件之額定上升而增加可熔導體之剖面積並同時維持絕緣性能。保護元件,具備:絕緣基板(11);發熱體(14),積層於絕緣基板(11);絕緣構件(15),覆蓋發熱體(14);第1及第2電極(12),積層於積層有絕緣構件(15)之絕緣基板(11);發熱體引出電極(16),積層於絕緣構件(15)上以與發熱體(14)重疊,在第1及第2電極(12)間之電流路徑上電氣連接於該發熱體(14);以及可熔導體(13),以從發熱體引出電極(16)至第1及第2電極(12)之方式積層,藉由熱使第1電極(12)與第2電極(12)間之電流路徑熔斷;在可熔導體(13)之熔斷部(13a)之下方設有已熔融之可熔導體(13)流入之流入部(40)。

Description

保護元件
本發明係關於一種藉由使電流路徑熔斷以停止對連接於電流路徑上之電池之充放電,據以抑制電池之熱失控之保護元件。
大多數可充電反覆利用之二次電池被加工成電池組並供應給使用者。尤其是重量能量密度高之鋰離子二次電池,為了確保使用者及電子機器之安全,一般而言,將過充電保護、過放電保護等數個保護電路內設於電池組,具有在既定情形遮斷電池組之輸出之功能。
此種保護元件,會有使用內設於電池組之FET開關進行輸出之ON/OFF,據以進行電池組之過充電保護或過放電保護動作之情形。然而,在因某種原因而使FET開關短路損壞之情形、或被施加雷電突波等而大電流瞬間流過之情形、或因電池單元之壽命使得輸出電壓異常降低、或相反地輸出過大之異常電壓之情形時,仍必須保護電池組或電子機器免於受到起火等意外之影響。因此,為了在上述可假設之任一異常狀態下皆能安全地遮斷電池單元之輸出,係使用由保險絲元件構成之保護元件,該保險絲元件具有以來自外部之訊號遮斷電流路徑之功能。
作為此種適於鋰離子二次電池等之保護電路之保護元件,如專利文獻1記載,將可熔導體連接於電流路徑上之第1及第2電極間而構成電流路徑之一部分,將此電流路徑上之可熔導體藉由過電流導致之自身 發熱或設在保護元件內部之發熱體熔斷。此種保護元件,藉由使熔融後之液體狀可熔導體聚集在第1及第2電極上遮斷電流路徑。
專利文獻1:日本特開2010-003665號公報
使用上述可熔導體之保護元件,為了提升電流路徑遮斷時之絕緣性能,較佳為,拉開第1及第2電極間之距離。然而,隨著電子機器之小型化、薄型化,作為內設於電池組之保護元件亦要求進一步小型化、薄型化,因此不易拉開第1及第2電極間之距離。又,隨著二次電池之高容量化、高輸出化,關於保護元件之額定亦要求要更大。
此處,為了提升保護元件之額定,必須取得可熔導體之導體電阻之降低與在電流路徑遮斷時之絕緣性能之平衡。亦即,為了使更多電流流過,必須降低導體電阻,因此必須增加可熔導體之剖面積。另一方面,在電流路徑遮斷時,構成可熔導體之金屬體因產生之電弧放電往周圍飛散,會有形成新的電流路徑之虞,可熔導體之剖面積愈大其風險愈高。
又,藉由發熱體之熱使保護元件熔融並引入第1及第2電極上而熔斷之情形,若使可熔導體之剖面積增加,則待熔融之可熔導體之量亦增加,會有超過可在電極上保持之容許量之虞。此情形,會有從電極上溢出之可熔導體使電極間短路之虞。
如上述,期盼為了使額定上升而增加可熔導體之剖面積並能同時維持絕緣性能之保護元件之開發。
為了解決上述課題,本發明之保護元件,具備:絕緣基板;發熱體,積層於該絕緣基板;絕緣構件,積層於該絕緣基板以覆蓋至少該 發熱體;第1及第2電極,積層於積層有該絕緣構件之該絕緣基板;發熱體引出電極,積層於該絕緣構件上以與該發熱體重疊,在該第1及第2電極間之電流路徑上電氣連接於該發熱體;以及可熔導體,以從該發熱體引出電極至該第1及第2電極之方式積層,藉由熱使該第1電極與該第2電極間之電流路徑熔斷;在該可熔導體之熔斷部之下方設有已熔融之該可熔導體流入之流入部。
根據本發明,藉由設置流入部,能使發熱體引出電極與第1及第2電極之各個間之路徑更長,即使附著因電弧放電而熔融、飛散之熔融導體,亦可防止因該熔融導體形成在發熱體引出電極與第1及第2電極之各個間之電流路徑,能使在電流路徑遮斷時之絕緣性能提升。
10,50,60,70,80‧‧‧保護元件
11‧‧‧絕緣基板
12‧‧‧電極
13‧‧‧可熔導體
13a‧‧‧熔斷部
14‧‧‧發熱體
15‧‧‧絕緣構件
16‧‧‧發熱體引出電極
18‧‧‧發熱體電極
19‧‧‧覆蓋構件
20‧‧‧電池組
21~24‧‧‧電池單元
26‧‧‧檢測電路
27‧‧‧電流控制元件
30‧‧‧充放電控制電路
31,32‧‧‧電流控制元件
33‧‧‧控制部
35‧‧‧充電裝置
40‧‧‧流入部
41‧‧‧凹部
42‧‧‧貫通孔
45‧‧‧發熱體模組
46‧‧‧底基板
47‧‧‧凹面部
圖1A係顯示本發明適用之保護元件之剖面圖,圖1B係顯示本發明適用之保護元件之俯視圖。
圖2係組裝有本發明適用之保護元件之電池組之電路圖。
圖3係本發明適用之保護元件之等效電路。
圖4係顯示可熔導體之熔斷部之剖面圖。
圖5係顯示本發明適用之保護元件之變形例之剖面圖。
圖6係顯示本發明適用之保護元件之變形例之剖面圖。
圖7係顯示本發明適用之保護元件之變形例之剖面圖。
圖8係顯示本發明適用之保護元件之變形例之剖面圖。
圖9係顯示本發明適用之保護元件之變形例之剖面圖。
圖10係顯示本發明適用之保護元件之變形例之剖面圖。
以下,參照圖式詳細說明本發明適用之保護元件。此外,本發明不僅限定於以下實施形態,在不脫離本發明要旨之範圍內當然可進行各種變更。又,圖式係以示意方式顯示,會有各尺寸之比率等與現實不同之情形。具體之尺寸等應參酌以下說明判斷。又,在圖式彼此間當然含有彼此之尺寸關係或比率不同之部分。
(保護元件之構成)
如圖1所示,本發明適用之保護元件10具備絕緣基板11、積層於絕緣基板11且被絕緣構件15覆蓋之發熱電阻體14、形成在絕緣基板11之兩端之電極12(A1),12(A2)、以與發熱電阻體14重疊之方式積層在絕緣構件15上之發熱體引出電極16、兩端分別連接於電極12(A1),12(A2)且中央部連接於發熱體引出電極16之可熔導體13。
絕緣基板11係使用例如氧化鋁、玻璃陶瓷、多鋁紅柱石、氧化鋯等之具有絕緣性之構件形成為大致方形。絕緣基板11,除此之外,使用用於玻璃環氧基板、酚醛基板等之印刷配線基板之材料亦可,但必須留意保險絲熔斷時之溫度。
發熱電阻體14係電阻值較高且通電則發熱之具有導電性之構件,由例如W、Mo、Ru等構成。藉由使用網版印刷技術將此等合金或組成物、化合物之粉狀體與樹脂結合劑等混合而成糊狀者在絕緣基板11上形成圖案、加以燒成等形成。
以覆蓋發熱電阻體14之方式配置絕緣構件15,以隔著此絕 緣構件15與發熱電阻體14對向之方式配置發熱體引出電極16。為了將發熱電阻體14之熱高效率地傳至可熔導體,在發熱電阻體14與絕緣基板11之間積層絕緣構件15亦可。
發熱體引出電極16之一端連接於發熱體電極18(P1)。又,發熱電阻體14之另一端連接於另一發熱體電極18(P2)。
可熔導體13由因發熱電阻體14之發熱而迅速地熔斷之低熔點金屬構成,能較佳地使用以例如Sn為主成分之無Pb焊料。又,可熔導體13為低熔點金屬與Ag、Cu或以此等為主成分之合金等之高熔點金屬之積層體亦可。
藉由將高熔點金屬與低熔點金屬加以積層,將保護元件5回焊構裝時,回焊溫度超過低熔點金屬層之熔融溫度,即使低熔點金屬層熔融,作為可熔導體13亦不至於熔斷。上述可熔導體13藉由使用鍍敷技術將低熔點金屬成膜於高熔點金屬來形成亦可,藉由使用其他周知之積層技術、膜形成技術來形成亦可。此外,可熔導體13,能使用構成外層之低熔點金屬焊料連接至發熱體引出電極16及電極12(A1),12(A2)。
此外,保護元件5,為了防止外層之低熔點金屬層13b之氧化,在可熔導體13上之大致整面塗布助焊劑亦可。又,保護元件5,為了保護內部,將覆蓋構件19載置於絕緣基板11上亦可。
(保護元件之使用方法)
如圖2所示,上述保護元件10係用在鋰離子二次電池之電池組20內之電路。
例如,保護元件10係組裝於具有由合計4個鋰離子二次電 池之電池單元21~24構成之電池堆疊25之電池組20並使用。
電池組20具備電池堆疊25、控制電池堆疊25之充放電之充放電控制電路30、在電池堆疊25異常時遮斷充電之本發明適用之保護元件10、檢測各電池單元21~24之電壓之檢測電路26、及依據檢測電路26之檢測結果控制保護元件10之動作之電流控制元件27。
電池堆疊25係串聯有需要用以保護免於受到過充電及過放電狀態之影響之控制之電池單元21~24,透過電池組20之正極端子20a、負極端子20b可拆裝地連接於充電裝置35,施加來自充電裝置35之充電電壓。將被充電裝置35充電之電池組20之正極端子20a、負極端子20b連接於以電池動作之電子機器,藉此能使該電子機器動作。
充放電控制電路30具備串聯於從電池堆疊25流至充電裝置35之電流路徑之二個電流控制元件31,32、及控制此等電流控制元件31,32之動作之控制部33。電流控制元件31,32係由例如場效電晶體(以下,稱為FET)構成,藉由控制部33控制閘極電壓,藉此控制電池堆疊25之電流路徑之導通與遮斷。控制部33從充電裝置35接受電力供應並動作,依據檢測電路26之檢測結果,在電池堆疊25為過放電或過充電時,控制電流控制元件31,32之動作以遮斷電流路徑。
保護元件10,例如,連接於電池堆疊25與充放電控制電路30之間之充放電電流路徑上,其動作被電流控制元件27控制。
檢測電路26與各電池單元21~24連接,檢測各電池單元21~24之電壓值,將各電壓值供應至充放電控制電路30之控制部33。又,檢測電路26,在任一個電池單元21~24為過充電電壓或過放電電壓時,輸 出控制電流控制元件27之控制訊號。
電流控制元件27由例如FET構成,藉由從檢測電路26輸出之檢測訊號,在電池單元21~24之電壓值為超過既定過放電或過充電狀態之電壓時,使保護元件10動作,控制成不依據電流控制元件31,32之開關動作遮斷電池堆疊25之充放電電流路徑。
在以上構成之電池組20,本發明適用之保護元件10,具有圖3所示之電路構成。亦即,保護元件10係由透過發熱體引出電極16串聯之可熔導體13、藉由透過可熔導體13之連接點通電發熱使可熔導體13熔融之發熱電阻體14構成之電路構成。又,在保護元件10,例如,可熔導體13串聯於充放電電流路徑上,發熱電阻體14與電流控制元件27連接。保護元件10之二個電極12中之一方連接於A1,另一方連接於A2。又,發熱體引出電極16與連接於此之發熱體電極18連接於P1,另一方之發熱體電極18連接於P2。
上述電路構成之保護元件10,藉由發熱電阻體14之發熱,能將電流路徑上之可熔導體13確實地熔斷。
此外,本發明之保護元件並不限於用在鋰離子二次電池之電池組之情形,當然亦可應用在必需遮斷電氣訊號之電流路徑之各種用途。
(熔斷部)
接著,說明本發明適用之保護元件10之進一步具體構成。保護元件10,在熔斷可熔導體13之熔斷部13a之下方設有藉由電弧放電而熔融、飛散之熔融導體流入、堆積之流入部40。可熔導體13連接於發熱體引出電極16及電極12(A1),12(A2)間,因過電流導致之自身發熱(焦耳熱)或發熱電阻體 14之熱熔融,熔斷發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)間。藉此,保護元件13遮斷電流路徑。
可熔導體13之熔斷部13a,如圖4所示,係指在連接於發熱體引出電極16及電極12(A1),12(A2)間之可熔導體13之熔斷部位,具體而言,係發熱體引出電極16與電極12(A1)之間、及發熱體引出電極16與電極12(A2)之間。
(流入部)
此外,保護元件10,在連接於發熱體引出電極16及電極12(A1),12(A2)間之可熔導體13之熔斷部13a之下方設有因過電流導致熔斷時產生之電弧放電而熔融、飛散之熔融導體流入、堆積之流入部40。藉由熔融、飛散之熔融導體流入、堆積於流入部40,可防止因該熔融導體構成發熱體引出電極16及電極12(A1),12(A2)間之電流路徑。
亦即,保護元件10,藉由在熔斷部13a之下方形成流入部40,發熱體引出電極16與電極12(A1)及電極12(A2)間之路徑延長。是以,保護元件10,即使附著有熔融導體之情形,藉由使附著該熔融導體之路徑變長,亦可防止因該熔融導體構成發熱體引出電極16及電極12(A1),12(A2)間之電流路徑。
此外,保護元件10,若藉由使可熔導體13之剖面積變大以使額定提升,則因熔斷時產生之電弧放電而熔融、飛散之熔融導體亦增加,但藉由設置流入部40,可防止形成該熔融導體構成之電流路徑。又,保護元件10,不需將發熱體引出電極16與電極12(A1)及電極12(A2)間之距離設定地較長即可維持絕緣性能,可實現保護元件之小型化。
(流入部之構成1)
流入部40係設在電極12(A1)與發熱體引出電極16之間、及電極12(A2)與發熱體引出電極16之間。亦即,分別形成在連接於發熱體引出電極16及電極12(A1),12(A2)間之可熔導體13之二個熔斷部13a之下方。
此外,流入部40僅設在電極12(A1)與發熱體引出電極16之間、或電極12(A2)與發熱體引出電極16之間之任一方亦可。只要在任一方能防止形成熔融導體構成之電流路徑,則能遮斷組裝有保護元件10之機器之充放電路徑。然而,為了確實地維持絕緣性能,較佳為,流入部40設在發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間。
(流入部之構成2)
流入部40,如圖1或圖4所示,可由形成在絕緣基板11之凹部41構成。凹部41在絕緣基板11之電極12(A1)與發熱體引出電極16之間、及電極12(A2)與發熱體引出電極16之間形成為槽狀。
凹部41可依據絕緣基板11之材質由表面切削或蝕刻等公知方法形成,或依據凹部41之形狀將基板加以積層等公知方法形成。保護元件10,藉由形成凹部41,能使發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間之路徑變長。是以,藉由使過電流時因電弧放電而熔融、飛散之熔融導體流入,可防止形成該熔融導體構成之電流路徑。又,保護元件10,在過電壓等時,即使因發熱體引出電極16產生之熱熔融之可熔導體13從電極12(A1),12(A2)或發熱體引出電極16上溢出之情形,藉由使溢出之熔融導體流入凹部,可防止發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間之短路。
又,凹部41,如圖5所示,形成為朝向絕緣基板11之下方擴徑亦可。藉此,能使發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間之路徑進一步延長,且增加凹部41之容積。是以,保護元件10,即使熔融導體之流入量較多之情形,亦能更確實地防止電流路徑之形成。
又,凹部41,較佳為,具有較可熔導體13之熔斷部13a之堆積大之容積。藉此,保護元件10,即使在熔斷部13a之熔融導體流入凹部41之情形,熔融導體亦不會從凹部41溢出,可防止因溢出之熔融導體形成電流路徑。
又,凹部41,如圖1B所示,較佳為,延長形成至可熔導體13之外側。藉由使凹部41延長形成至可熔導體13之下方與其外側,在已熔融之熔斷部13a之熔融導體因過電流時產生之電弧放電飛散至可熔導體13外側之情形,亦可防止因該飛散至外側之熔融導體形成電流路徑。
(流入部之構成3)
又,保護元件50,如圖6所示,由形成在絕緣基板11之貫通孔42構成流入部40亦可。貫通孔42,與凹部41同樣地,在絕緣基板11之電極12(A1)與發熱體引出電極16之間、及電極12(A2)與發熱體引出電極16之間形成為槽狀。
貫通孔42可依據絕緣基板11之材質由表面切削或蝕刻等公知方法形成,或將形成有與貫通孔42之形狀對應之開口槽之基板加以積層等公知方法形成。保護元件50,藉由形成貫通孔42,能使發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間之路徑變長,藉由使過電流時因電弧放電而熔融、飛散之熔融導體流入、堆積,可防止形成該熔融導體構成之電流 路徑。又,保護元件50,在過電壓等時,即使因發熱體引出電極16產生之熱熔融之可熔導體13從電極12(A1),12(A2)或發熱體引出電極16上溢出之情形,藉由使溢出之熔融導體流入貫通孔42,可防止發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間之短路。此時,藉由由貫通孔42構成流入部40,即使從電極上溢出之可熔導體13之量較多之情形,亦不會溢出流入部40。
又,貫通孔42,如圖7所示,形成為朝向絕緣基板11之下方擴徑亦可。又,貫通孔42,較佳為,具有較可熔導體13之熔斷部13a之堆積大之容積。再者,貫通孔42,如圖1B所示,較佳為,延長形成至可熔導體13之外側。
(流入部之構成4)
又,保護元件60,如圖8所示,藉由設置突出部43形成流入部40亦可,該突出部43係絕緣基板11之設有發熱體引出電極16之部位較電極12(A1)與發熱體引出電極16之間、及電極12(A2)與發熱體引出電極16之間突出。藉此,保護元件60,在突出部43與電極12(A1),12(A2)之間之可熔導體13之熔斷部13a下方形成凹槽狀之流入部40。
突出部43可依據絕緣基板11之材質由表面切削或蝕刻等公知方法形成,或在設置發熱體引出電極16之部位將基板加以積層等公知方法形成。保護元件60,藉由形成突出部43,能使發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間之路徑變長,可進一步提升絕緣性能。
此外,突出部43與電極12(A1),12(A2)之間之流入部40,較佳為,具有較可熔導體13之熔斷部13a之堆積大之容積。又,突出部43與電極12(A1),12(A2)之間之流入部40,較佳為,藉由將突出部43設置至可熔 導體13之外側而延長形成至可熔導體13之外側。
(流入部之構成5)
又,保護元件70,如圖9所示,藉由在絕緣基板11上搭載發熱體模組45形成流入部40亦可。在絕緣基板11上形成有電極12(A1),12(A2)。發熱體模組45具有底基板46、積層於底基板46且被絕緣構件15覆蓋之發熱電阻體14、及以與發熱電阻體14重疊之方式形成之發熱體引出電極16。底基板46,與上述絕緣基板11同樣地,使用氧化鋁、玻璃陶瓷、多鋁紅柱石、氧化鋯等之具有絕緣性之構件形成為大致方形。又,底基板46,除此之外,使用用於玻璃環氧基板、酚醛基板等之印刷配線基板之材料亦可。發熱電阻體14、絕緣構件15、及發熱電阻體16與上述相同。
保護元件70,發熱體模組45係藉由接著劑搭載於絕緣基板11之電極12(A1),12(A2)間。藉此,保護元件70,在電極12(A1)及電極12(A2)與發熱體模組45之間形成流入部40。如上述,保護元件70,藉由形成發熱體模組45並將其搭載於絕緣基板11上,可簡單地形成流入部40。
此外,發熱體模組45,較佳為,藉由將底基板46形成較厚等,使流入部40之容積較可熔導體13之熔斷部13a大。又,發熱體模組45,較佳為,藉由使底基板46之長度較可熔導體13長,使流入部40延長形成至可熔導體13之外側。
(流入部之構成6)
又,保護元件80,如圖10所示,在絕緣基板11之搭載發熱體模組45之部位形成凹面部47亦可。凹面部47,在絕緣基板11之電極12(A1),12(A2)間,設成較發熱體模組45之底基板46寬廣。又,凹面部47,可依據絕緣 基板11之材質由表面切削或蝕刻等公知方法形成,或依據電極12(A1),12(A2)之形成位置將基板加以積層等公知方法形成。
發熱體模組45,係在電極12(A1),12(A2)之間設置間隙並藉由接著劑搭載於凹面部47。藉此,保護元件80,在電極12(A1)及12(A2)與發熱體模組45之間形成流入部40。如上述,保護元件80,藉由形成發熱體模組45並將其搭載於絕緣基板11上,可簡單地形成流入部40,且藉由形成凹面部47可實現低高度化。
此外,發熱體模組45,較佳為,藉由加深凹面部47且將底基板46形成較厚等,使流入部40之容積較可熔導體13之熔斷部13a大。又,發熱體模組45,較佳為,藉由使凹面部47及底基板46之長度較可熔導體13長,使流入部40延長形成至可熔導體13之外側。
(流入部40之深度)
在上述任一保護元件10,50,60,70,80,使流入部40之深度愈深,愈能使絕緣性能提升。亦即,其原因在於,保護元件10,50,60,70,80,使流入部40之深度愈深,能使發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間之路徑愈長,即使附著因電弧放電而熔融、飛散之熔融導體,亦不易因該熔融導體形成連接於發熱體引出電極16與電極12(A1),12(A2)之各個間之電流路徑。
10‧‧‧保護元件
11‧‧‧絕緣基板
12(A1),12(A2)‧‧‧電極
13‧‧‧可熔導體
13a‧‧‧熔斷部
14‧‧‧發熱體
15‧‧‧絕緣構件
16‧‧‧發熱體引出電極
18(P1),18(P2)‧‧‧發熱體電極
19‧‧‧覆蓋構件
40‧‧‧流入部
41‧‧‧凹部
42‧‧‧貫通孔

Claims (11)

  1. 一種保護元件,具備:絕緣基板;發熱體,積層於該絕緣基板;絕緣構件,以至少覆蓋該發熱體之方式積層於該絕緣基板;第1及第2電極,積層於積層有該絕緣構件之該絕緣基板;發熱體引出電極,以與該發熱體重疊之方式積層於該絕緣構件上,在該第1及第2電極間之電流路徑上電氣連接於該發熱體;以及可熔導體,以從該發熱體引出電極跨至該第1及第2電極之方式積層,藉由熱使該第1電極與該第2電極間之電流路徑熔斷;在該可熔導體之熔斷部之下方設有熔融之該可熔導體流入之流入部。
  2. 如申請專利範圍第1項之保護元件,其中,該流入部係設在該第1電極與該發熱體引出電極之間及/或該第2電極與該發熱體引出電極之間。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之保護元件,其中,該流入部係形成在該絕緣基板之凹部。
  4. 如申請專利範圍第3項之保護元件,其中,該流入部朝向該絕緣構件下方擴徑。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之保護元件,其中,該流入部係形成在該絕緣基板之貫通孔。
  6. 如申請專利範圍第5項之保護元件,其中,該流入部朝向該絕緣構件下方擴徑。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之保護元件,其中,該流入部,係由該絕 緣基板之設有該發熱體引出電極之部位較該第1電極與該發熱體引出電極之間、及該第2電極與該發熱體引出電極之間突出而形成。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之保護元件,其中,該流入部,係藉由發熱體模組搭載於該絕緣基板上而形成,該發熱體模組在底基板上形成有該發熱體、該絕緣構件及該發熱體引出電極。
  9. 如申請專利範圍第7項之保護元件,其中,該絕緣構件之搭載該發熱體模組之部位較積層有該第1及第2電極之部位低。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之保護元件,其中,該流入部之容積較該可熔導體之熔斷部之體積大。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之保護元件,其中,該流入部係延長形成至該可熔導體之外側。
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