TW201513271A - 半導體封裝及半導體裝置 - Google Patents

Abstract

一實施例的半導體封裝是具備基礎金屬部，框體，複數的配線，及蓋體。前述基礎金屬部是在背面具有複數的溝，且可在表面搭載半導體晶片者。前述框體是配置於前述基礎金屬部的表面上。前述複數的配線是設成貫通前述框體的側面。前述蓋體是配置在前述框體上。

Description

半導體封裝及半導體裝置

本發明的實施例是有關半導體封裝及半導體裝置。

以往的半導體裝置是具有被搭載於半導體封裝的內部之半導體晶片。此以往的半導體裝置中，半導體封裝是具有：搭載半導體晶片的基礎金屬部，及在此基礎金屬部上設成包圍半導體晶片的框狀的陶瓷框，及安裝於陶瓷框上的蓋體。半導體晶片是藉由陶瓷框及蓋體來氣密密封。

如此的以往的半導體裝置為了將半導體晶片所發出的熱予以放熱，而安裝於散熱裝置(heat sink)使用。最好半導體裝置是儘可能以低的熱阻(Thermal resistance)來安裝於散熱裝置。

然而，因為構成半導體封裝的各個零件的線膨脹係數的不同，及與基礎金屬部的表面平行的剖面之半導體封裝的形狀的不同等的影響，在半導體封裝的製造工程中的熱工程中，有基礎金屬部彎曲，半導體封裝全體彎曲的問題。一旦將如此產生彎曲的半導體封裝安裝於散熱裝置，則會在兩者之間形成空氣層。由於此空氣層是不成為放熱 路徑，所以兩者間的熱阻會增加。

作為抑制在半導體裝置與散熱裝置之間形成空氣層的手段，有在半導體封裝的基礎金屬部與散熱裝置之間夾著放熱薄板的手段，及在半導體封裝的基礎金屬部與散熱裝置之間塗佈放熱油脂的手段為人所知。

然而，例如以使用GaAs或GaN等而形成的FET等那樣發熱量大的功率半導體作為半導體晶片搭載於半導體封裝時，就上述手法而言是難以充分地使兩者間的熱阻降低。

於是，思考直接對散熱裝置錫焊半導體裝置而安裝的手段。焊錫是熱傳導率比放熱薄板或放熱油脂高。因此，可想像能使半導體裝置與散熱裝置之間的熱阻更為降低。

但，通常，半導體封裝的基礎金屬部的背面為了儘可能縮小半導體裝置與散熱裝置之間的熱阻，而被平坦化。因此，在半導體裝置與散熱裝置之間溶融的焊錫是在平坦的基礎金屬部的背面中擴展差，有時在焊錫內形成氣泡。

一旦如此在焊錫內形成氣泡，亦即焊錫的品質降低，則半導體裝置與散熱裝置之間的熱阻會增加。

本發明是以提供一種可利用焊錫以低熱阻來安裝於散熱裝置之半導體封裝及半導體裝置為目的。

一實施例的半導體封裝是具備基礎金屬部，框體，複數的配線，及蓋體。前述基礎金屬部是在背面具有複數的 溝，且可在表面搭載半導體晶片者。前述框體是配置於前述基礎金屬部的表面上。前述複數的配線是設成貫通前述框體的側面。前述蓋體是配置在前述框體上。

一實施例的半導體裝置是具備基礎金屬部，半導體晶片，框體，複數的配線，及蓋體。前述基礎金屬部是在背面具有複數的溝。前述半導體晶片是搭載於前述基礎金屬部的表面上。前述框體是在前述基礎金屬部的表面上，配置成包圍前述半導體晶片。前述複數的配線是設成貫通前述框體的側面，一端電性連接至前述半導體晶片。前述蓋體是配置在前述框體上。

上述構成的半導體封裝及半導體裝置是可利用焊錫以低熱阻來安裝於散熱裝置。

10‧‧‧半導體裝置

11‧‧‧半導體晶片

12‧‧‧基礎金屬部

13‧‧‧框體

13a‧‧‧凹部

13b‧‧‧凹部

14‧‧‧蓋體

15a‧‧‧輸入側配線

15b‧‧‧輸出側配線

16a‧‧‧第1介電質塊

16b‧‧‧第1介電質塊

17a‧‧‧第2介電質塊

17b‧‧‧第2介電質塊

18a‧‧‧輸入導線

18b‧‧‧輸出導線

19‧‧‧切縫

20a‧‧‧輸入用的整合電路圖案

20b‧‧‧輸出用的整合電路圖案

21a‧‧‧介電質基板

21b‧‧‧介電質基板

22a‧‧‧連接導體

22b‧‧‧連接導體

23‧‧‧散熱裝置

24‧‧‧焊錫

30‧‧‧半導體裝置

32‧‧‧基礎金屬部

39‧‧‧切縫

100‧‧‧半導體裝置

101‧‧‧空氣層

112‧‧‧基礎金屬部

圖1是模式性地表示第1實施例的半導體裝置的平面圖。

圖2是沿著圖1的一點虛線A-A'的半導體裝置的剖面圖。

圖3是沿著圖2的一點虛線B-B'的半導體裝置的剖面圖。

圖4是由背面側來看第1實施例的半導體裝置的半導體封裝時的平面圖。

圖5是表示安裝於散熱裝置的第1實施例的半導體裝置的圖，對應於圖2的剖面圖。

圖6是表示安裝於散熱裝置的第1實施例的半導體裝置的圖，對應於圖3的剖面圖。

圖7是表示以往的半導體裝置安裝於散熱裝置的情況的平面圖。

圖8是表示以往的半導體裝置安裝於散熱裝置的情況的圖，沿著圖7的一點虛線C-C'的剖面圖。

圖9是表示第1實施例的變形例的半導體裝置的圖，對應於圖4的平面圖。

圖10是表示第1實施例的變形例的半導體裝置的圖，對應於圖2的平面圖。

圖11是表示第1實施例的變形例的半導體裝置的圖，對應於圖3的平面圖。

圖12是由背面側來看第2實施例的半導體裝置的半導體封裝時的平面圖。

圖13是沿著圖12的一點虛線D-D'的第2實施例的半導體裝置的剖面圖。

圖14是沿著圖13的一點虛線B-B'的第2實施例的半導體裝置的剖面圖。

一實施例的半導體封裝是具備基礎金屬部，框體，複數的配線，及蓋體。前述基礎金屬部是在背面具有複數的溝，且在表面可搭載半導體晶片。前述框體是被配置於前述基礎金屬部的表面上。前述複數的配線是設成貫通前述 框體的側面。前述蓋體是配置於前述框體上。

一實施例的半導體裝置是具備基礎金屬部，半導體晶片，框體，複數的配線，及蓋體。前述基礎金屬部是在背面具有複數的溝。前述半導體晶片是被搭載於前述基礎金屬部的表面上。前述框體是在前述基礎金屬部的表面上，配置成包圍前述半導體晶片。前述複數的配線是設成貫通前述框體的側面，一端被電性連接至前述半導體晶片。前述蓋體是被配置於前述框體上。

以下，說明有關實施例的半導體封裝及半導體裝置。

(第1實施例)

圖1是模式性地表示第1實施例的半導體裝置的平面圖。又，圖2是沿著圖1的一點虛線A-A'的半導體裝置的剖面圖。另外，在圖1中，有關半導體封裝的內部構造是以點線表示。圖1及圖2所示的半導體裝置10是在半導體封裝的內部搭載有半導體晶片11者。

半導體封裝是藉由基礎金屬部12，框體13，及蓋體14(圖2)所構成。

基礎金屬部12是可在表面搭載半導體晶片11等。此基礎金屬部12是例如層壓加工銅及鉬等之類的異種金屬者，或藉由混合銅及鎢等之類的異種金屬的粉而凝固之粉末冶金法所形成者。銅是具有高的熱傳導性，鉬及鎢是線膨脹係數與例如由GaAs，GaN等所構成的半導體晶片11近似。藉由如此的異種金屬所形成的基礎金屬部12是具 有高的熱傳導性。而且，如上述般藉由異種金屬所形成的基礎金屬部12是可抑制因與所被搭載的半導體晶片11的線膨脹係數的不同而產生的彎曲。

框體13是例如由陶瓷所構成的陶瓷框，配置於基礎金屬部12的表面上。而且，在框體13上設有例如由與框體13同一材料的陶瓷所構成的板狀的蓋體14(圖2)。

並且，在如此的半導體封裝中設有：對被搭載於內部的半導體晶片11輸入高頻訊號等的輸入側配線15a，及輸出在半導體晶片11中所被處理的高頻訊號等的輸出側配線15b。該等的配線15a，15b是設成貫通框體13。

圖3是沿著圖2的一點虛線B-B'的半導體裝置的剖面圖。如圖3所示般，在框體13的一側面設有凹部13a。而且，在凹部13a內，第1介電質塊16a，輸入側配線15a，及第2介電質塊17a是設成填埋凹部13a。輸入側配線15a是設在第1介電質塊16a上，第2介電質塊17a是在第1介電質塊16a上，設成覆蓋輸入側配線15a。

參照圖1及圖2。第1介電質塊16a及輸入側配線15a是設成從框體13的內側面突出至半導體封裝的內部方向，且從框體13的外側面突出至半導體封裝的外部方向。第2介電質塊17a也同樣，設成從框體13的內側面突出至半導體封裝的內部方向，且從框體13的外側面突出至半導體封裝的外部方向。但，第2介電質塊17a是設成覆蓋輸入側配線15a的一部分，亦即，使輸入側配線 15a的一端及另一端露出。而且，在輸入側配線15a之中，從第2介電質塊17a露出的另一端是設有輸入導線18a。

與圖3同樣的圖示雖省略，但實際在輸出側也成為同樣的構成。亦即，在與具有凹部13a的側面對向的框體13的另一側面也設有凹部13b。而且，與輸入側同樣，在此凹部13b內，第1介電質塊16b，輸出側配線15b，及第2介電質塊17b是設成填埋凹部13b(圖1及圖2)。

第1介電質塊16b及輸出側配線15b是設成從框體13的內側面突出至半導體封裝的內部方向，且從框體13的外側面突出至半導體封裝的外部方向。第2介電質塊17b也同樣從框體13的內側面突出至半導體封裝的內部方向，且從框體13的外側面突出至半導體封裝的外部方向。但，第2介電質塊17b是設成使輸出側配線15b的一端及另一端露出。而且，在輸出側配線15b之中，從第2介電質塊17b露出的另一端是設有輸出導線18b。

圖4是由背面側來看如此的半導體封裝時的平面圖。如圖4所示般，在半導體封裝的背面，亦即基礎金屬部12的背面是設有複數的切縫(slit)19。複數的切縫19是在基礎金屬部12的背面全面設成網眼狀。亦即，複數的切縫19是以彼此分離且互相平行設置的複數的第1切縫19a與同樣彼此分離且互相平行設置的複數的第2切縫19b會互相交叉的方式，設在基礎金屬部12的背面全面。

在本實施例的半導體裝置10中，複數的切縫19是設成複數的第1切縫19a與複數的第2切縫19b會彼此實質地垂直交叉。

如圖2及圖3所示般，各個的切縫19是設成其垂直剖面的形狀會成為V字狀。例如各個的切縫19是設成具有基礎金屬部12的厚度的1/3以下程度，例如0.1~3.0mm程度的深度。在此，所謂切縫19的深度是意思基礎金屬部12的背面與切縫19的頂點(在圖4中以點線所示的部分)的距離。

具有如此的複數的切縫19之基礎金屬部12是例如形成以下般。首先，直到成為基礎金屬部12的金屬板的背面的中心線平均粗度例如成為1.6a程度為止，對於金屬板重複銑刀加工，使金屬板的背面平坦化。其次，例如藉由切削機(machining center)等來加工所被平坦化的金屬板的背面，藉此設置複數的切縫19。如此形成基礎金屬部12。

另外，基礎金屬部12的背面的複數的切縫19是亦可為例如銑刀加工終了前的金屬板所具有的複數的凹部。亦即，當金屬板的背面的中心線平均粗度為6.3a以上時，亦可將如此的金屬板的背面的複數的凹部設為複數的切縫。以凹部作為切縫時，可省略形成基礎金屬部12時的銑刀加工的重複次數，及用以形成切縫19的加工工程，因此基礎金屬部12的形成變容易。

以下，在本案中，將上述的切縫19及凹部稱為溝， 但在實施例的說明中是說明溝為切縫19的情況。

參照圖1及圖2。在以上說明那樣在具有複數的切縫19設於背面的基礎金屬部12之半導體封裝的內部分別搭載有半導體晶片11及輸出入用的整合電路圖案20a，20b。該等是在基礎金屬部12的表面上搭載成被框體13包圍。

半導體晶片11是例如使用氮化鎵的高輸出電晶體(GaN-HEMT)等的功率半導體，搭載於基礎金屬部12的表面上。另外，如圖1所示般，在實施例的半導體裝置10中是搭載2個的半導體晶片11，但半導體晶片11的數量是不被限定。並且，被搭載的半導體晶片11是不限於功率半導體。

並且，輸入用的整合電路圖案20a是在基礎金屬部12的表面上，設在輸入側配線15a與半導體晶片11之間所設的介電質基板21a的表面上。此整合電路圖案20a是在一端連接至半導體晶片11，在另一端連接至輸入側配線15a的一端。整合電路圖案20a的一端與半導體晶片11之間，整合電路圖案20a的另一端與輸入側配線15a的一端之間，是分別藉由例如接線(wire)等的連接導體22a所連接。

輸出用的整合電路圖案20b是在基礎金屬部12的表面上，設在輸出側配線15b與半導體晶片11之間所設的介電質基板21b的表面上。此整合電路圖案20b是在一端連接至半導體晶片11，在另一端連接至輸出側配線15b 的一端。整合電路圖案20b的一端與半導體晶片11之間，整合電路圖案20b的另一端與輸出側配線15b的一端之間，是分別藉由例如接線等的連接導體22b所連接。

另外，如圖1所示般，在實施例的半導體裝置10中是搭載有2個的半導體晶片11。因此，輸入用的整合電路圖案20a是成為從輸入側配線15a朝半導體晶片11呈2分岐的分岐電路，輸出用的整合電路圖案20b是成為從半導體晶片11朝輸出側配線15b呈2個線路合波的合波電路。但，輸入用的整合電路圖案20a的分岐數，及輸出用的整合電路圖案20b的合波數是分別依據所被搭載的半導體晶片11的數量而定。

圖5及圖6是分別表示安裝於散熱裝置的本實施例的半導體裝置的圖。圖5是對應於圖2的剖面圖，圖6是對應於圖3的剖面圖。如圖5及圖6所示般，半導體裝置10是經由焊錫24來安裝於表面為平坦的散熱裝置23。焊錫24是設成接觸於包含基礎金屬部12的切縫19內部之半導體裝置10的背面全面，半導體裝置10是經由如此的焊錫24來安裝於表面為平坦的散熱裝置23。

若根據以上說明的本實施例的半導體封裝及半導體裝置10，則由於在基礎金屬部12的背面設有複數的切縫19，因此可抑制基礎金屬部12彎曲，可抑制半導體封裝及半導體裝置10彎曲。以下，說明有關此效果。

因為製造半導體封裝時的熱工程，基礎金屬部會相應於構成半導體封裝的各零件，半導體封裝的形狀，而產生 彎曲的現象。此現象是因為製造半導體封裝時的熱工程而在基礎金屬部的各部產生應力，此應力會使基礎金屬部表面的長度與基礎金屬部背面的長度不同。

例如基礎金屬部彎曲成凸狀的現象是因為應力而基礎金屬部的表面的長度變長且基礎金屬部的背面的長度變短所造成。但，在背面具有複數的切縫19之基礎金屬部12中產生如此的應力時，各切縫19的寬度會擴大，抑制基礎金屬部12表面的長度與基礎金屬部12背面的長度不同。其結果，基礎金屬部12彎曲成凸狀的情形會被抑制。

並且，基礎金屬部彎曲成凹狀的現象是因為應力而基礎金屬部的表面的長度變短且基礎金屬部的背面的長度變長所造成。但，在背面具有複數的切縫19之基礎金屬部12中產生如此的應力時，各切縫19的寬度會收縮，抑制基礎金屬部12表面的長度與基礎金屬部12背面的長度不同。其結果，基礎金屬部12彎曲成凹狀的情形會被抑制。

若如此根據本實施例的半導體封裝及半導體裝置10，則藉由設在基礎金屬部12的背面之複數的切縫19的寬度伸縮，可抑制基礎金屬部12表面的長度與基礎金屬部12背面的長度不同。其結果，可抑制基礎金屬部12彎曲，可抑制半導體封裝及半導體裝置10彎曲。

其次，若根據以上說明的本實施例的半導體封裝及半導體裝置10，則由於在基礎金屬部12的背面設有複數的 切縫19，因此可使用以將半導體裝置10安裝於散熱裝置23的焊錫24的品質提升。以下，有關此效果是一邊說明半導體裝置10安裝至散熱裝置23的方法，一邊進行說明。

首先，在散熱裝置23的表面上的預定位置形成預定量的焊錫24，將焊錫24加熱而使溶融。

其次，以溶融後的焊錫24能夠接觸於半導體裝置10的背面之方式，對準配置半導體裝置10。一旦使溶融後的焊錫24接觸於半導體裝置10的背面，則溶融後的焊錫24會藉由切縫19的毛細管現象來良好地擴展於半導體裝置10的背面全體。此時，被關在半導體裝置10與散熱裝置23之間的氣泡會藉由切縫19來放出至半導體裝置10的外部。

最後，將擴展於半導體裝置10的背面全體的焊錫24冷卻凝固。藉此，如圖5及圖6所示般，半導體裝置10對散熱裝置23安裝。

另外，藉由在散熱裝置23的表面上形成焊錫24，且預先在半導體裝置10的背面也形成焊錫，安裝作業的作業性會提升，可更容易使半導體裝置10對於散熱裝置23安裝。

如以上說明般，若根據本實施例的半導體封裝及半導體裝置10，則藉由在基礎金屬部12的背面設置複數的切縫19，可利用毛細管現象來容易將溶融後的焊錫24擴展於半導體裝置10的背面全體。而且，各切縫19會成為用 以將關在半導體裝置10與散熱裝置23之間的氣泡放出至半導體裝置10的外部之放出路徑，因此可抑制在散熱裝置23與半導體裝置10之間的焊錫24內形成氣泡，可使焊錫24的品質提升。

如該等般，若根據本實施例的半導體封裝及半導體裝置10，則由於在基礎金屬部12的背面設有複數的切縫19，因此基礎金屬部12的彎曲會被抑制，且可使安裝用的焊錫24的品質提升。此結果，可使半導體裝置10與散熱裝置23之間的熱阻降低。

另外，在上述的說明中是針對適用在背面設有複數的切縫19之基礎金屬部12的情況，但即使適用具有背面的中心線平均粗度成為6.3a以上那樣的複數的凹部之基礎金屬部，也可取得同樣的效果。

(變形例)

以下，說明第1實施例的半導體封裝及半導體裝置10的變形例。在此，首先，參照圖7及圖8來說明有關被安裝於散熱裝置的以往的半導體裝置。圖7及圖8是表示以往的半導體裝置安裝於散熱裝置的情況的圖。圖7是由上側來看以往的半導體裝置時的平面圖，圖8是表示沿著圖7的一點虛線C-C'之以往的半導體裝置的剖面圖。

如圖7及圖8所示般，將基礎金屬部112的背面為平坦的以往的半導體裝置100安裝於散熱裝置23時，在用以將半導體裝置100安裝於散熱裝置23的焊錫24內，於 半導體裝置100的中央領域下容易形成空氣層101。由於此空氣層101是不成為放熱路徑，因此在如此半導體裝置100安裝於散熱裝置23時，兩者間的熱阻會變高。

在此，在第1實施例的半導體封裝及半導體裝置10中，複數的切縫19是設在基礎金屬部12的背面全面。但，複數的切縫19是不必一定要設在基礎金屬部12的背面全面，亦可只設在基礎金屬部12的背面的一部分領域。

圖9，圖10，及圖11是分別表示變形例的半導體封裝及半導體裝置的圖。圖9是對應於圖4的平面圖，圖10是對應於圖2的剖面圖，圖11是對應於圖3的剖面圖。另外，在圖9~圖11中，有關與第1實施例的半導體裝置10同一部分是附上同一符號。

例如圖7及圖8所示般，在焊錫24內，於半導體裝置100的中央領域下容易形成空氣層101時，如圖9，圖10及圖11所示般，複數的切縫19'是亦可只設在空氣層101容易形成且發熱的半導體晶片11正下面的領域，亦即例如僅基礎金屬部12'背面的中央部。即使是複數的切縫19'為如此只設在基礎金屬部12'的背面的一部分領域之變形例的半導體封裝及半導體裝置10'，還是可取得與第1實施例的半導體封裝及半導體裝置10同樣的效果。

(第2實施例)

圖12是由背面側來看第2實施例的半導體裝置的半 導體封裝時的平面圖。又，圖13是沿著圖12的一點虛線D-D'的第2實施例的半導體裝置的剖面圖，圖14是沿著圖13的一點虛線B-B'的第2實施例的半導體裝置的剖面圖。以下，參照圖12~圖14來說明有關第2實施例的半導體裝置30。另外，在以下的說明中，有關與第1實施例的半導體裝置10同一部分是附上同一符號，且省略說明。

如圖12~圖14所示般，第2實施例的半導體裝置30與第1實施例的半導體裝置10作比較，設在半導體封裝的基礎金屬部32的背面之切縫39的構成不同。

亦即，在第2實施例的半導體裝置30中，在半導體封裝的基礎金屬部32的背面全面，複數的切縫39是彼此平行地設成條紋狀。

如圖13所示般，各個的切縫39是設成其垂直剖面的形狀會成為V字狀。例如各個的切縫39是設成具有基礎金屬部32的厚度的1/3以下程度，例如0.1~3.0mm程度的深度。在此，所謂切縫39的深度是意思基礎金屬部32的背面與切縫39的頂點(在圖12中以點線所示的部分)的距離。

具有如此的複數的切縫39之基礎金屬部32也與第1實施例的半導體裝置10所具有的半導體封裝的基礎金屬部12同樣形成。

並且，基礎金屬部32的背面的複數的切縫39是亦可為例如銑刀加工終了前的金屬板所具有的複數的凹部。亦 即，當金屬板的背面的中心線平均粗度為6.3a以上時，亦可將如此的金屬板的背面的複數的凹部設為複數的切縫39。有關此點也是與第1實施例的半導體裝置10所具有的半導體封裝的基礎金屬部12同樣。

另外，有關如此的半導體裝置30也與第1實施例的半導體裝置10同樣經由焊錫24來安裝於散熱裝置23，但此時的焊錫24是設成接觸於包含切縫39內部之半導體裝置30的背面全面。

在如此的本實施例的半導體封裝及半導體裝置30中也是在基礎金屬部32的背面設有複數的切縫39，因此基礎金屬部32的彎曲會被抑制，且可使安裝用的焊錫24的品質提升。此結果，可使半導體裝置30與散熱裝置23之間的熱阻降低。

另外，在本實施例的半導體裝置30中，適用具有背面的中心線平均粗度成為6.3a以上那樣的複數的凹部之基礎金屬部，也可取得同樣的效果。並且，圖示雖省略，但實際與第1實施例的半導體裝置的變形例同樣，彼此平行的複數的切縫39是亦可只設在基礎金屬部32的中央領域等，基礎金屬部32的一部分領域，如此的半導體裝置也可取得與本實施例的半導體裝置同樣的效果。

雖說明本發明的幾個實施例，但該等的實施例是當作例子提示者，非意圖限定發明的範圍。該等新穎的實施例是可在其他各種的實施例被實施，可在不脫離發明的要旨的範圍內進行各種的省略，置換，變更。該等實施形態或 其變形是為發明的範圍或要旨所包含，且為申請專利範圍記載的發明及其等效的範圍所包含。

10‧‧‧半導體裝置

11‧‧‧半導體晶片

12‧‧‧基礎金屬部

13‧‧‧框體

15a‧‧‧輸入側配線

15b‧‧‧輸出側配線

16a‧‧‧第1介電質塊

16b‧‧‧第1介電質塊

17a‧‧‧第2介電質塊

17b‧‧‧第2介電質塊

18a‧‧‧輸入導線

18b‧‧‧輸出導線

20a‧‧‧輸入用的整合電路圖案

20b‧‧‧輸出用的整合電路圖案

21a‧‧‧介電質基板

21b‧‧‧介電質基板

22a‧‧‧連接導體

22b‧‧‧連接導體

Claims (20)

1. 一種半導體封裝，其特徵係具備：基礎金屬部，其係於背面具有複數的溝，可在表面搭載半導體晶片；框體，其係配置在此基礎金屬部的表面上；複數的配線，其係設成貫通此框體的側面；及蓋體，其係配置在前述框體上。
2. 如申請專利範圍第1項之半導體封裝，其中，前述溝係設在前述基礎金屬部的背面的全面。
3. 如申請專利範圍第2項之半導體封裝，其中，前述溝為切縫。
4. 如申請專利範圍第3項之半導體封裝，其中，複數的前述切縫係設成網眼狀。
5. 如申請專利範圍第3項之半導體封裝，其中，複數的前述切縫係設成條紋狀。
6. 如申請專利範圍第1項之半導體封裝，其中，前述基礎金屬部係具有背面的中心線平均粗度成為6.3a以上的複數的凹部，前述溝為此基礎金屬部所具有的凹部。
7. 如申請專利範圍第1項之半導體封裝，其中，前述溝係設在前述基礎金屬部的背面的中央部。
8. 如申請專利範圍第7項之半導體封裝，其中，前述溝為切縫。
9. 如申請專利範圍第8項之半導體封裝，其中，複數 的前述切縫係設成網眼狀。
10. 如申請專利範圍第1項之半導體封裝，其中，經由焊錫來安裝於表面為平坦的散熱裝置。
11. 一種半導體裝置，其特徵係具備：基礎金屬部，其係於背面具有複數的溝；半導體晶片，其係搭載於此基礎金屬部的表面上；框體，其係於前述基礎金屬部的表面上，配置成包圍前述半導體晶片；複數的配線，其係設成貫通此框體的側面，一端電性連接至前述半導體晶片；及蓋體，其係配置於前述框體上。
12. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置，其中，前述溝係設在前述基礎金屬部的背面的全面。
13. 如申請專利範圍第12項之半導體裝置，其中，前述溝為切縫。
14. 如申請專利範圍第13項之半導體裝置，其中，複數的前述切縫係設成網眼狀。
15. 如申請專利範圍第13項之半導體裝置，其中，複數的前述切縫係設成條紋狀。
16. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置，其中，前述基礎金屬部係具有背面的中心線平均粗度成為6.3a以上的複數的凹部，前述溝為此基礎金屬部所具有的凹部。
17. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置，其中，前 述溝係設在前述基礎金屬部的背面的中央部。
18. 如申請專利範圍第17項之半導體裝置，其中，前述溝為切縫。
19. 如申請專利範圍第18項之半導體裝置，其中，複數的前述切縫係設成網眼狀。
20. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置，其中，經由焊錫來安裝於表面為平坦的散熱裝置。