TW201508815A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

提供一種可實現縮短處理時間及減少處理液消耗量之基板處理裝置及基板處理方法。 實施形態之基板處理裝置(1)，係具備有：支撐部(4)，於平面內支撐基板(W)；旋轉機構(5)，將與由其支撐部(4)所支撐之基板(W)的表面相交的軸作為旋轉軸，使支撐部(4)旋轉；複數根噴嘴(6a、6b及6c)，以從由支撐部(4)所支撐之基板(W)的中心朝向周緣排列的方式予以設置，且分別對由旋轉機構(5)所旋轉之支撐部(4)上之基板(W)的表面吐出處理液；及控制部(9)，因應被形成於由旋轉機構(5)所旋轉之支撐部(4)上之基板(W)的表面之處理液之液膜的厚度，分別以不同的吐出時序使處理液吐出至複數根噴嘴(6a、6b及6c)。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明之實施形態，係關於基板處理裝置及基板處理方法。

基板處理裝置，係一種在半導體或液晶面板等的製造工程中，對晶圓或液晶基板等之基板的表面供給處理液(例如，光阻剝離液或洗淨液等)而處理基板表面的裝置。提出一種基板處理裝置，其係在該基板處理裝置中，使基板以水平狀態旋轉，從與其基板表面之中央對向的一根噴嘴對基板表面供給處理液，並藉由旋轉所致之離心力進行使其處理液擴散至基板表面的旋轉處理。

在前述基板處理裝置中，新的處理液(新鮮的處理液)雖會被供給至基板中心附近，但，由於被供給至基板中心附近的處理液是因離心力而流往基板周緣部，因此，將造成已進行反應或污染之處理液(舊的處理液)被供給至基板周緣部的情形。因此，基板中心部與基板周緣部，係在處理上會發生差異。為了抑制該處理差異，而繼續供給處理液直至基板周緣部之處理結束，其部分處理時間越 長，則進一步導致處理液的消耗量變多。

本發明所欲解決之課題，係提供一種可實現縮短處理時間及減少處理液消耗量之基板處理裝置及基板處理方法。

實施形態之基板處理裝置，係具備有：支撐部，於平面內支撐基板；旋轉機構，將與由支撐部所支撐之基板的表面相交的軸作為旋轉軸，使支撐部旋轉；複數根噴嘴，以從由支撐部所支撐之基板的中心朝向周緣排列的方式予以設置，且分別對由旋轉機構所旋轉之支撐部上之基板的表面吐出處理液；及控制部，因應被形成於由旋轉機構所旋轉之支撐部上之基板的表面之處理液之液膜的厚度，分別以不同的吐出時序使處理液吐出至複數根噴嘴。

實施形態之基板處理方法，係具有：使基板於平面內旋轉的工程；及因應被形成於其基板之表面之處理液之液膜的厚度，分別以不同的吐出時序將處理液從複數根噴嘴(從基板的中心向周緣排列)吐出至旋轉之基板的表面之工程。

根據上述之基板處理裝置或基板處理方法，可實現縮短處理時間及減少處理液消耗量。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理箱

3‧‧‧罩杯

4‧‧‧支撐部

4a‧‧‧支撐構件

5‧‧‧旋轉機構

6a‧‧‧噴嘴

6b‧‧‧噴嘴

6c‧‧‧噴嘴

7‧‧‧擺動機構

7a‧‧‧保持頭

7b‧‧‧支臂

7c‧‧‧支柱

8‧‧‧液體供給部

9‧‧‧控制部

W‧‧‧基板

6‧‧‧液體供給部

T‧‧‧預定厚度

10‧‧‧膜厚測定部

L1‧‧‧虛擬直線

[圖1]表示第1實施形態之基板處理裝置之概略構成 的圖。

[圖2]表示第1實施形態之每個噴嘴之吐出時序的時序圖。

[圖3]表示第1實施形態之晶圓半徑位置與接觸角之關係的圖表。

[圖4]表示第2實施形態之每個噴嘴之吐出時序的時序圖。

[圖5]用於說明第2實施形態之外周噴嘴之吐出時序的第1說明圖。

[圖6]用於說明第2實施形態之外周噴嘴之吐出時序的第2說明圖。

[圖7]用於說明第2實施形態之外周噴嘴之吐出時序的第3說明圖。

[圖8]擴大表示第2實施形態之外周噴嘴之下部之液膜厚度的圖。

[圖9]表示第2實施形態之外周噴嘴之下部之液膜厚度與殘留微粒數之關係的圖表。

[圖10]表示第3實施形態之基板處理裝置之概略構成的圖。

[圖11]用於說明第3實施形態之噴嘴配置的說明圖。

[圖12]用於說明其他實施形態之噴嘴吐出順序的說明圖。

(第1實施形態)

參閱圖1~圖3，說明第1實施形態。

如圖1所示，第1實施形態之基板處理裝置1，係具備有：處理箱2，形成為處理室；罩杯3，設置於該處理箱2內；支撐部4，在其罩杯3內以水平狀態支撐基板W；及旋轉機構5，使其支撐部4在水平面內旋轉。且，基板處理裝置1，係具備有：複數根噴嘴6a、6b及6c，分別對支撐部4上之基板W的表面供給處理液；擺動機構7，支撐該些噴嘴6a、6b及6c並使其移動至處理位置與待機位置；液體供給部8，對各噴嘴6a、6b及6c供給處理液；及控制部9，控制各部。

罩杯3，係被形成為圓筒形狀，且從周圍包圍支撐部4而收容於內部。罩杯3之周壁的上部，係朝向徑方向之內側面傾斜，且以支撐部4上之基板W露出的方式呈開口。該罩杯3，係用以接收從旋轉之基板W上流下來或飛散的處理液。另外，在罩杯3的底部，設有用於排出所接收之處理液的排出管(未圖示)。

支撐部4，係被設置為位於罩杯3內的中央附近，且可於水平面內旋轉。該支撐部4，係具有複數個插銷等的支撐構件4a，且藉由該些支撐構件4a，可裝卸地保持晶圓或液晶基板等的基板W。

旋轉機構5，係具有馬達等，該馬達係形成為使連接於支撐部4的旋轉軸或其旋轉軸旋轉的驅動源(皆未圖 示)，且藉由馬達的驅動經由旋轉軸使支撐部4旋轉。該旋轉機構5，係被電性連接於控制部9，該驅動係藉由控制部9來控制。

各噴嘴6a、6b及6c，係沿著支撐部4上之基板W的表面，以從其基板W的中心朝向周緣排列且位於支撐部4上之基板W的表面上方的方式予以設置。該些噴嘴6a、6b及6c，係從支撐部4上之基板W的上方朝向旋轉中之基板W的表面吐出從液體供給部8所供給的處理液，並供給至其基板表面。另外，在圖1中，噴嘴根數係3根，該根數為例示，並不特定限定。

作為第1噴嘴的噴嘴6a，係被設置於與支撐部4上之基板W之表面之中心附近對向的位置，作為第2噴嘴的噴嘴6b，係被設置於與支撐部4上之基板W之表面中之半徑方向之中央附近對向的位置。又，作為第3噴嘴的噴嘴6c，係被設置於與支撐部4上之基板W之表面之周緣側附近的位置。

在此，各噴嘴6a、6b及6c，係沿著支撐部4上之基板W的表面，朝向半徑方向延伸的一直線上予以配置。但是，該些噴嘴6a、6b及6c的配置，係不限於一直線上，亦可例如以跨越其一直線的方式交替配置，只要在基板W的表面分別配置於直徑不同的3個圓的圓周上即可。

另外，作為各噴嘴6a、6b及6c，係使用吐出口徑之直徑為1mm的噴嘴為較佳(各噴嘴6a、6b及6c的吐出 口徑亦可各相同亦可各不同)，又，相對於基板W之表面的吐出角度為90度以下。且，各噴嘴6a、6b及6c與基板W之表面的間隔距離，係設為3mm以上為較佳。

又，亦必需對基板W之背面進行處理的情況下亦即處理基板W之兩面的情況下，係除了前述的各噴嘴6a、6b及6c之外，亦可設成為例如在支撐部4內設置朝向支撐部4上之基板W的背面吐出處理液的噴嘴，且從其噴嘴將處理液供給至旋轉中之基板W之背面的中央。

擺動機構7係藉由下述所構成，其包括：保持頭7a，保持各噴嘴6a、6b及6c；支臂7b，能夠使其保持頭7a與各噴嘴6a、6b及6c沿著支撐部4上之基板W的表面移動；及支柱7c，在水平面內可旋轉地支撐其支臂7b。該擺動機構7，係被電性連接於控制部9，該驅動係藉由控制部9來控制。

在此，各噴嘴6a、6b及6c，係藉由前述擺動機構7，例如移動至處理位置與待機位置，該處理位置係與支撐部4上之基板W的表面對向，該待機位置係可供從其處理位置退避且進行支撐部4上之基板W的設置及搬出。

液體供給部8，係具備有儲存處理液的儲槽或形成為驅動源的泵、形成為調整供給量之調整閥的閥等(皆未圖示)，且藉由泵的驅動對各噴嘴6a、6b及6c供給處理液。該液體供給部8，係被電性連接於控制部9，該驅動係藉由控制部9來控制。

在此，作為處理液，係例如可使用臭氧水或氫氟酸(HF)、超純水(DIW)等，此外，因應處理內容可使用各種處理液。

控制部9，係具備有集中控制各部之微電腦與記憶關於基板處理之基板處理資訊或各種程式等的記憶部。該控制部9，係基於基板處理資訊或各種程式加以控制旋轉機構5或液體供給部8等，且對旋轉中之支撐部4上之基板W的表面，進行從各噴嘴6a、6b及6c吐出從液體供給部6所供給的處理液並予以供給之基板處理的控制。

在基板處理中，控制部9，係以從基板W之中心朝向周緣的順序，進行使處理液吐出至各噴嘴6a、6b及6c的控制。詳細進行說明，控制部9，係分別控制連接於噴嘴6a之配管途中的開關閥、連接於噴嘴6b之配管途中的開關閥及連接於噴嘴6c之配管途中的開關閥(皆未圖示)的開關狀態，且以從基板W的中心朝向周緣側的順序使各開關閥呈開啟狀態，並使處理液吐出至各噴嘴6a、6b及6c。

在此，如圖2所示，作為第1噴嘴6a的噴嘴1，係以預定間隔形成ON(吐出)。作為第2噴嘴6b的噴嘴2，係在該噴嘴1從ON形成OFF的時序，形成ON。相同地，作為第3噴嘴6c的噴嘴3，係在該噴嘴2從ON形成OFF的時序，形成ON。如此一來，處理液，係從各噴嘴6a、6b及6c，以從基板W的中心朝向周緣的順序亦即噴嘴1、噴嘴2及噴嘴3的順序被吐出，且被供給至旋轉 中之基板W的表面。另外，各噴嘴6a、6b及6c，係在前述形成ON的時間內，以事先設定的時間間歇性吐出處理液。

如此一來，處理液，係從各噴嘴6a、6b及6c，以從基板W的中心朝向周緣的順序被間歇性吐出，且被供給至旋轉之基板W的表面。從噴嘴6a被供給至基板中心附近的處理液，係因離心力而流往基板周緣部，相同地，從噴嘴6b被供給至基板半徑中心附近的處理液亦因離心力而流往基板周緣部。又，從噴嘴6c被供給至基板周緣附近的處理液亦因離心力而流往基板周緣部。藉此，基板W的表面，係在基板處理中被處理液覆蓋。

此時，除了基板中心附近之外，新的處理液(新鮮的處理液)亦被供給至基板半徑中央附近或基板周緣附近。處理液僅被供給至基板中心附近時，將導致已進行反應或污染之處理液(舊的處理液)被供給至基板半徑中央附近或基板周緣部附近。然而，除了基板中心附近之外，處理液亦被直接供給至基板半徑中央附近或基板周緣附近的情況下，新的處理液(新鮮的處理液)亦被供給至基板半徑中央附近或基板周緣附近。藉此，可抑止在基板中心部與基板周緣部，於處理上發生差異的情形。又，可提升基板W之表面中之處理(例如，蝕刻或清淨度等)的均勻性。

在此，在圖3中，圖表A1係僅從噴嘴6a供給處理液時的結果(參閱白色圓形)，圖表A2係以如前述之順序，使處理液從各噴嘴6a、6b及6c間歇性供給時的結果 (參閱黑色圓形)。在圖表A2中，係相較於圖表A1，接觸角(deg)較小(接觸角越小，則進行了處理)。特別是，在作為圓形狀之基板W亦即晶圓之半徑位置為200mm附近，接觸角將縮小至1/2或2/3左右。另外，晶圓的直徑，係例如450mm。

因此，如前述，已知在分別從各噴嘴6a、6b及6c間歇性吐出處理液而供給至基板表面時，由於接觸角的變化從圖表A1形成為圖表A2且接觸角的差(例如，最大值與最小值的差)會變小，因此，基板中心附近與基板周緣附近的處理差異等、基板W之表面之各位置中的處理差異將變小。如此一來，藉由前述的處理液供給，可抑止在基板中心部與基板周緣部，於處理上發生差異之情形。

另外，在處理中，藉由擺動機構7使各噴嘴6a、6b及6c移動的情形將受到限制。藉此，可防止因各噴嘴6a、6b及6c的移動而產生微粒，且因其微粒導致處理中的基板W被污染的情形。

如上述說明，根據第1實施形態，藉由分別從複數根噴嘴6a、6b及6c將處理液吐出至旋轉之基板W的表面，來抑制在基板W中心部與周緣部，於處理上發生差異之情形。藉此，為了抑制其處理差異，而無須繼續供給處理液直至基板周緣部之處理結束，因此，可縮短其部分處理時間，且亦進一步減少處理液的消耗量。如此一來，可實現縮短處理時間及減少處理液消耗量。

(第2實施形態)

參閱圖4~圖9，說明第4實施形態。

基本上，第2實施形態係與第1實施形態相同。在第2實施形態中，係說明與第1實施形態的相異點(每個噴嘴之吐出時序)，省略其他說明。

如圖4所示，第1噴嘴6a(噴嘴1)係以液體供給開始的時序形成ON(吐出)，從形成該ON的時序經過時間t1後形成OFF。且，第1噴嘴6a，係從形成前述OFF的時序經過時間t2後形成ON，且從形成該ON的時序經過時間t3後形成OFF。然後，第1噴嘴6a，係在時間t2之間隔，重複進行僅於時間t3形成ON之形態直至液體供給結束之時序。

第2噴嘴6b(噴嘴2)，係從第1噴嘴6a自ON形成OFF的時序經過時間t4後形成ON，且從形成該ON的時序經過時間t3後形成OFF。然後，第2噴嘴6b，係在時間t2之間隔，重複進行僅於時間t3形成ON之形態。又，從第2噴嘴6b自ON形成OFF的時序經過時間t5後，第1噴嘴6a會從OFF形成ON。另外，在圖4中，建立了t1≧t3、t2=t3+t4+t5及0≦t5≦t4之關係式。

像這樣的第1噴嘴6a(內周噴嘴)與第2噴嘴6b(外周噴嘴)之吐出時序的關係，係內周噴嘴與外周噴嘴之吐出時序的關係。因此，其吐出時序的關係，亦被應用於第2噴嘴6b與第3噴嘴6c之吐出時序的關係。亦即，第2噴嘴6b被設為內周噴嘴，第3噴嘴6c被設為外周噴 嘴，且使用與前述相同的吐出時序。

接下來，一併說明基於前述之吐出時序之第2噴嘴6b(外周噴嘴)的吐出時序與基板W之表面上的處理液擴散。與第1實施形態相同，在供給處理液時，基板W係在水平面內旋轉。另外，為了簡化說明，主要針對第1噴嘴6a(內周噴嘴)與第2噴嘴6b(外周噴嘴)之吐出進行說明，其內容係第2噴嘴6b(內周噴嘴)與第3噴嘴6c(外周噴嘴)之吐出亦相同。

如圖5所示，第1噴嘴6a(噴嘴1)係僅於時間t1形成ON時(參閱圖4)，使處理液從第1噴嘴6a以預定量被供給至基板W的表面上。被供給至其基板W之表面上的處理液，係藉由離心力而朝向基板W的外周擴散。此時，如圖6所示，基板W上的處理液，係以外周部分較其內周部分厚的方式，擴散成膜狀。

第1噴嘴6b從ON形成OFF時，從其時序經過時間t4後，第2噴嘴6b(噴嘴2)會從OFF形成ON(參閱圖4)。此時，如圖7及圖8所示，第2噴嘴6b之下方(正下方附近)之處理液的膜厚，係形成為預定厚度T以下。在該時序中，第2噴嘴6b係僅於時間t3形成ON，且處理液L係從第2噴嘴6b以預定量被供給至基板W的表面上。另外，圖7及圖8中的符號L，係表示從作為第2噴嘴6b之外周噴嘴被供給至基板W之表面上的處理液。

接下來，第2噴嘴6b從ON形成OFF時，從其時序經過時間t5後，第1噴嘴6a會從OFF形成ON(參閱圖 4)。該第1噴嘴6a係僅於時間t3形成ON，且處理液係從第1噴嘴6a以預定量被供給至基板W的表面上。

然後，在第1噴嘴6a，係以時間t2的間隔重複時間t3的液體供給(參閱圖4)。相同地，在第2噴嘴6b亦以時間t2的間隔重複時間t3的液體供給。此時，亦如前述，以第2噴嘴6b之下方之處理液的膜厚形成為預定厚度T以下的時序(參閱圖7及圖8)，使處理液L從第2噴嘴6b以預定量被供給至基板W的表面上。

控制部9，係以基於如前述般之吐出時序進行吐出控制的方式，在從第1噴嘴(內周噴嘴)6a被供給至基板W之表面之處理液的液膜中，第2噴嘴(外周噴嘴)6b之下方的膜厚為預定厚度T以下時，使處理液吐出至第2噴嘴6b。

前述之預定厚度T，係以從第1噴嘴(內周噴嘴)6a被供給至基板W的表面而藉由離心力朝向基板W之外周擴散的處理液，來將藉由從第2噴嘴(外周噴嘴)6b被供給至基板W之表面的處理液L而滯留的液量，設定成預定量以下的厚度。所謂預定量，係指例如滯留之處理液不會對基板W之處產生不良影響的量，0(零)為較佳。另外，作為液膜厚度之可控因子，係有基板W之旋轉數或液體流量、鄰接之噴嘴間的距離、基板W與噴嘴之間的距離、液流速(例如噴嘴徑)等。

在此，例如預定厚度T係500μm為較佳。該數值，係基於圖9所示之圖表予以求出。如圖9所示，外周噴嘴 之下方(下部)之液膜厚度為500μm以下時，殘留微粒數(未處理微粒數)為0個。然而，外周噴嘴之下方的液膜厚度大於500μm時，亦即液膜厚度為600μm則殘留微粒數為100個、700μm為1000個、800μm以上為2000個，有急遽增加之傾向。因此，預定厚度T係500μm為較佳。

液膜厚度為500μm以下時，係以從第1噴嘴6a被供給至基板W的表面而藉由離心力朝向基板W之外周擴散的處理液，來將藉由從第2噴嘴6b被供給至基板W之表面的處理液L而滯留的液量，設定成預定量以下。亦即，在使基板W之表面朝向其外周擴散之處理液的膜厚為較薄的500μm以下且液量少的情況下，即使其液量少之處理液被從第2噴嘴6b供給至基板W之表面的處理液L遮擋，亦使得滯留之液量減少而形成為預定量以下。該關係，係即使在第2噴嘴6b與第3噴嘴6c之間亦相同。因此，可抑制分別從各噴嘴6a、6b及6c所供給的處理液在基板W的表面上造成干擾進而使該些處理液之流動停滯(堵塞)產生積淤物的情形，因此，可確實地減少殘留微粒數。

另一方面，液膜厚度大於500μm時，從第1噴嘴6a被供給至基板W的表面而藉由離心力朝向基板W之外周擴散的處理液、藉由從第2噴嘴6b被供給至基板W之表面的處理液L而滯留的液量皆會多於預定量。亦即，在使基板W之表面朝向其外周擴散之處理液的膜厚為大於 500μm且液量多的情況下，當其液量多之處理液被從第2噴嘴6b供給至基板W之表面的處理液L遮擋時，會導致滯留之液量增加而超過預定量。該關係，係即使在第2噴嘴6b與第3噴嘴6c之間亦相同。因此，分別從各噴嘴6a、6b及6c所供給的處理液會在基板W的表面上造成干擾進而使該些處理液之流動停滯並產生積淤物，因此，處理液所致之處理能力會下降。

如上述之說明，根據第2實施形態，可得到與第1實施形態相同的效果。亦即，因應基板W之表面上之處理液之液膜的厚度，分別以不同的吐出時序，使處理液吐出至各噴嘴6a、6b及6c，藉此，可抑制個別從各噴嘴6a、6b及6c所供給的處理液在基板W之表面上產生干涉的情形。因此，可抑制個別從各噴嘴6a、6b及6c所供給的處理液在基板W的表面上造成干擾進而使該些處理液之流動停滯並產生積淤物的情形。因此，為了抑制處理液之積淤物發生所致的處理差異，無須繼續供給處理液直至基板周緣部的處理結束，因此，可縮短其部分處理時間，且亦進一步減少處理液的消耗量。

(第3實施形態)

參閱圖10及圖11，說明第3實施形態。

基本上，第3實施形態係與第2實施形態相同。在第3實施形態中，係說明與第2實施形態的相異點(膜厚測定部及噴嘴配置)，省略其他說明。

如圖10所示，在第3實施形態中，設置有測定基板W上之處理液之膜厚(液膜的厚度)的膜厚測定部10。膜厚測定部10，係位於比第2噴嘴6b更往基板W之內周側且其附近處，且被設置於第1噴嘴6a與第2噴嘴6b之間。該膜厚測定部10，係電性連接於控制部9，且用以測定噴嘴6b之下方(正下方附近)之基板W上之處理液的膜厚，並將其測定結果輸入至控制部9。另外，圖10中的符號L，係表示從作為第2噴嘴6b之外周噴嘴被供給至基板W之表面上的處理液。

作為膜厚測定部10，係例如可使用雷射位移計或雷射干涉計等。又，膜厚測定部10之個數亦不特別限定，亦可在比第3噴嘴6c更往基板W之內周側且其附近設置膜厚測定部10，並用於第3噴嘴6c的吐出時序用。

控制部9，係基於膜厚測定部10的測定結果，予以調整使處理液從第2噴嘴6b吐出的時序。例如，控制部9，係在從第1噴嘴6a開始液體供給後，由膜厚測定部10所測定之處理液的膜厚成為預定厚度T(例如500μm)以下時，使處理液吐出至第2噴嘴6b。此時的吐出時序，係基於膜厚之測量值的時序，且能夠使吐出時序的精度上升。

如圖11所示，各噴嘴6a、6b及6c，係以存在於該些噴嘴中最內周側的噴嘴6a與外周側的噴嘴6c之間的噴嘴6b的吐出口從通過最內周側之噴嘴6a之吐出口與外周側之噴嘴6c之吐出口的虛擬直線L1上偏離，且不位於其虛 擬直線L1上的方式，予以設置。且，噴嘴6b，係從虛擬直線L1沿旋轉方向L2偏離預定距離而設置。藉此，可抑制分別從各噴嘴6a、6b及6c所供給的處理液在基板W的表面上造成干擾之情形，且可確實地抑止該些處理液的流動停滯而發生積淤物。

如上述之說明，根據第3實施形態，可得到與第2實施形態相同的效果。且，可藉由測定基板W之表面上之處理液之膜厚的方式，因應所測定的膜厚，分別以不同的吐出時序使處理液吐出至各噴嘴6a、6b及6c。藉此，可確實地抑制分別從各噴嘴6a、6b及6c所供給的處理液在基板W的表面上造成干擾之情形，且可確實地抑止該些處理液的流動停滯而發生積淤物。

除此之外，可藉由使存在於各噴嘴6a、6b及6c中最內周側之噴嘴6a與外周側之噴嘴6c之間的噴嘴6b之吐出口從通過最內周側之噴嘴6a之吐出口與外周側之噴嘴6c之吐出口的虛擬直線L1上偏離，進而設置各噴嘴6a、6b及6c的方式，更確實地抑制分別從各噴嘴6a、6b及6c所供給之處理液在基板W之表面上產生干涉的情形。

又，在不設置噴嘴6a而僅存在各噴嘴6b及6c的情況下，可藉由使存在於該些噴嘴6b及6c中基板中央與外周側的噴嘴6c之間的噴嘴6b之吐出口從通過基板中央與外周側之噴嘴6c的吐出口偏離，進而設置各噴嘴6b及6c的方式，更確實地抑制分別從各噴嘴6b及6c所供給的處理液在基板W之表面上產生干涉的情形。

(其他實施形態)

在前述第1或第2實施形態中，雖係以不同的吐出時序亦即以從基板W之中心朝向周緣的順序，分別從各噴嘴6a、6b及6c吐出處理液，但並不限定於此，例如亦可改變其順序，且亦可以從前述相反之周緣朝向中心的順序，從各噴嘴6a、6b及6c吐出處理液，又，亦可在處理中途改變其順序。但是，為了防止基板W之表面乾燥，而從與支撐部4上之基板W之表面的中心附近對向的噴嘴6a開始吐出處理液為較佳。

例如，在HF所致之蝕刻處理結束且進行使用臭氧水之親水化處理的步驟中，如圖12所示，可依噴嘴6a→噴嘴6b→噴嘴6c→噴嘴6a→噴嘴6b→噴嘴6c‧‧‧重複從基板W之內周側朝向外周側的順序，進行間歇性吐出且對基板W全面進行親水化。又，亦可依噴嘴6a→噴嘴6b→噴嘴6c→噴嘴6b→噴嘴6a‧‧‧重複從基板W之內周側朝向外周側且進而從外周側朝向基板W之內周側的順序，進行間歇性吐出且對基板W全面進行親水化。在任一種情形下，由於可以在內周及外周重複順序的方式，經常供給新鮮的臭氧水，因此，能夠對基板W全面進行親水化。另外，新鮮的臭氧水，係指未蒸發出溶解於臭氧水中之臭氧氣體的液體。

另一方面，例如，藉由HF對處於基板W之表面的氧化膜進行蝕刻時，係可依噴嘴6c→噴嘴6b→噴嘴6a→噴 嘴6b→噴嘴6c‧‧‧重複從基板W之外周側朝向內周側且進而從內周側朝向外周側的順序，對基板W之外周部進行蝕刻後依次進行間歇性吐出。或者，將噴嘴6a及噴嘴6b設成為群組A，可依群組A→噴嘴6c→群組A→噴嘴6c‧‧‧朝基板W之中心部附近進行間歇性吐出，且在蝕刻其中心部之後，僅對基板W的外周部進行蝕刻。且，將噴嘴6b及噴嘴6c設成為群組B，可依群組B→噴嘴6a→群組B→噴嘴6a‧‧‧重複從基板W之外周側朝向內周側且進而從內周側朝向外周側的順序，對基板W之外周部進行蝕刻後依次進行間歇性吐出。

另外，在群組A中，係重複噴嘴6a與噴嘴6b的吐出切換，無論哪個噴嘴6a與噴嘴6b亦進行間歇性吐出。又，在群組B中，亦重複噴嘴6b與噴嘴6c的吐出切換，無論哪個噴嘴6b與噴嘴6c亦進行間歇性吐出。但是，並不一定要進行間歇性吐出，亦可進行連續吐出。

如前述，存在有基板W之表面上的氧化膜亦即處理對象膜時，可因應處理對象膜的厚度使用各種順序。例如，處理對象膜之外周部比內周部厚時，使用積極將處理液供給至外周部的順序。另一方面，處理對象膜之內周部比外周部厚時，使用積極將處理液供給至內周部的順序。

又，在前述第1或第2實施形態中，雖係以大致垂直於基板W之表面來設置各噴嘴6a、6b及6c，但並不限定於此，亦可傾斜設置於基板W之表面，例如，亦可朝向基板W之旋轉方向的上流側傾倒。

又，在前述第1或第2實施形態中，雖使用相同的處理液來作為從各噴嘴6a、6b及6c所吐出的處理液，但，並不限定於此，例如，亦可以從基板W之中心朝向周緣的順序或從其相反的周緣朝向中心的順序，來將從各噴嘴6a、6b及6c吐出之處理液的濃度提高。又，由於越往基板W之外周側則周速越快，因此，亦可以從基板W之中心朝向周緣的順序，來將從各噴嘴6a、6b及6c吐出之處理液的溫度升高。亦即，由於越往基板W之外周側則周速越快，而使外周其基板W之溫度低於中心部，因此，使供至外周之處理液的溫度上升為較佳。如此一來，在調整處理液之濃度或溫度時，由於可進一步抑制前述的處理差異，因此，可促進縮短處理時間及減少處理液消耗量。

在此，作為使處理液之濃度提高的手段，係有例如分別將濃度不同的處理液事先儲存於不同的儲槽，且個別從該些儲槽將處理供給至各噴嘴6a、6b及6c的手段。且，亦存在有下述手段，其係將供給有純水等之配管連接於與各噴嘴6a、6b及6c連接之各配管的途中，且以將其純水混合至處理液的方式來改變各處理液的濃度。又，作為改變處理液之溫度的手段，係例如有連接將溫度不同之處理液供給至各噴嘴6a、6b及6c之配管的手段。

上述，雖然說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態係作為例子所提出之樣態，並非意圖限定發明的範圍。例如，第1處理液或第2處理液等的供給，係在各個供給時間不重疊的實施形態下進行說明，但亦可一部分重 疊。又，上述之該些新的實施形態，係能夠以其他各種形態來實施，在不脫離發明之主旨的範圍內能夠進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，係包含於發明之範圍或主旨，並且包含於在申請專利範圍所記載的發明與其等同的範圍。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理箱

3‧‧‧罩杯

4‧‧‧支撐部

4a‧‧‧支撐構件

5‧‧‧旋轉機構

6a‧‧‧噴嘴

6b‧‧‧噴嘴

6c‧‧‧噴嘴

7‧‧‧擺動機構

7a‧‧‧保持頭

7b‧‧‧支臂

7c‧‧‧支柱

8‧‧‧液體供給部

9‧‧‧控制部

W‧‧‧基板

Claims (12)

1. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：支撐部，於平面內支撐基板；旋轉機構，將與由前述支撐部所支撐之前述基板的表面相交的軸作為旋轉軸，使前述支撐部旋轉；複數根噴嘴，以從由前述支撐部所支撐之前述基板的中心朝向周緣排列的方式予以設置，且對由前述旋轉機構所旋轉之前述支撐部上之基板的表面分別吐出處理液；及控制部，因應被形成於由前述旋轉機構所旋轉之前述支撐部上之基板的表面之前述處理液之液膜的厚度，分別以不同的吐出時序使前述處理液吐出至前述複數根噴嘴。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在從前述複數個噴嘴中的第1噴嘴被供給至前述基板的表面而藉由離心力朝向前述基板之外周擴散之處理液之液膜中之位於比前述第1噴嘴更往外周側之第2噴嘴之下方之膜厚為預定厚度以下時，使前述處理液吐出至前述第2噴嘴，前述預定厚度，係以從前述第1噴嘴被供給至前述基板的表面而藉由離心力朝向前述基板之外周擴散的處理液，來將藉由從前述第2噴嘴被供給至前述基板之表面的處理液滯留於前述基板之表面的液量，設定成預定量以下的厚度。
3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備有測定前述液膜之厚度的膜厚測定部。
4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係以從前述基板之中心朝向周緣的順序或從前述基板之周緣朝向中心的順序，使前述處理液吐出至前述複數根噴嘴。
5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，從前述複數根噴嘴吐出之前述處理液的溫度，係可在每個前述噴嘴予以改變。
6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，從前述複數根噴嘴吐出之前述處理液的濃度，係以從前述基板之中心朝向周緣的順序或從前述基板之周緣朝向中心的順序來予以提高。
7. 一種基板處理方法，其特徵，係具有：使基板於平面內旋轉的工程；及因應被形成於其基板之表面之處理液之液膜的厚度，分別以不同的吐出時序將處理液從複數個根噴嘴(從前述基板的中心朝向周緣排列)吐出至旋轉之前述基板的表面之工程。
8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，在吐出前述處理液的工程中，係在從前述複數個噴嘴中的第1噴嘴被供給至前述基板之表面而藉由離心力朝向前述基板之外周擴散之處理液的液膜中之位於比前述第1噴嘴更往外周側之第2噴嘴之下方之膜厚為預定厚度以下時，使前述處理液吐出至前述第2噴嘴，前述預定厚度，係以從前述第1噴嘴被供給至前述基 板的表面而藉由離心力朝向前述基板之外周流動的處理液，來將藉由從前述第2噴嘴被供給至前述基板之表面的處理液滯留於前述基板之表面的液量，設定成預定量以下的厚度。
9. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，更具有測定前述液膜之厚度的工程。
10. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，在吐出前述處理液的工程中，係以從前述基板之中心朝向周緣的順序或從前述基板之周緣朝向中心的順序，將前述處理液從前述複數根噴嘴吐出。
11. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，在吐出前述處理液的工程中，係在每個前述噴嘴改變前述處理液的溫度，並將前述處理液從前述複數根噴嘴吐出。
12. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，在吐出前述處理液的工程中，係以從前述基板之中心朝向周緣的順序或從前述基板之周緣朝向中心的順序，提高前述處理液的濃度，並將前述處理液從前述複數根噴嘴吐出。