TW201633392A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

提供確實除去存在於噴嘴頭之凹部之液滴，或是藉由使液滴不會滯留在凹部之方式，可以抑制由於在基板處理工程中之再附著而導致水漬產生的基板處理裝置。 實施形態之基板處理裝置具備：除去部(D1)，其係除去存在於凹部(30)之液滴；排液孔(30a)，其係被設置在噴嘴頭32之凹部30之底部，將成為除去對象之液滴朝凹部(30)之外排出；和控制部(8)，其係以藉由處理液對被處理面進行的沖洗處理結束，並且至開始使用氣體的乾燥處理為止之期間，存在使不到達至基板(W)之被處理面之程度的流量之氣體從氣體吐出噴嘴(33)吐出之期間之方式，控制氣體吐出噴嘴(33)之吐出狀態。

Description

基板處理裝置

實施形態係關於基板處理裝置。

基板處理裝置係在半導體或液晶面板等之製造工程中，對晶圓或液晶基板等之基板之表面供給處理液(例如，光阻剝離液、蝕刻液等之藥液或純水等之沖洗液)而對基板表面進行處理之裝置。

在該基板處理裝置之中，開發出在水平狀態下使基板旋轉而從噴嘴對基板表面之略中央供給藥液，藉由離心力使其藥液在基板表面擴散之旋轉處理的裝置。並且，也開發出除了對其旋轉之基板的表面外，也對基板之背面，從噴嘴噴射供給藥液，並對基板之兩面進行處理的裝置。

而且，對基板進行上述般之處理後，使用純水等之沖洗液對基板之兩面進行洗淨處理，之後進行藉由使基板旋轉除去殘留附著在基板上之沖洗液的乾燥處理。

對基板之背面進行上述洗淨處理、乾燥處理之時，從被設置在噴嘴頭之噴嘴吐出沖洗液或乾燥處理所使用之氣體。即是，噴嘴被配置在與作為基板之被處理面之背面相 向的位置上。再者，在噴嘴頭具備朝向該背面開口之剖面形狀為逆圓錐形狀的凹部。

但是，在以往之基板處理裝置中，並無考慮到下述點。

即是，被認為有於對基板之背面進行洗淨處理之時從基板之背面掉落的藥液，或含藥液之沖洗液，或者來自吐出藥液之噴嘴的藥液成為液滴而滯留在上述凹部的可能性。尤其，在噴嘴前端被形成多少從凹部之表面突出之情況下，容易在該噴嘴附近滯留液滴。

當洗淨處理結束時，接著前進至基板背面之乾燥處理，此時，氣體從噴嘴吐出以謀求促進乾燥處理。從噴嘴吐出氣體之時，若在凹部之表面或吐出藥液之噴嘴附近滯留液滴，有藉由從噴嘴吐出之氣體，滯留的液滴擴散成霧狀的可能性。該霧狀之液當再次附著於基板之背面時，則成為水漬(水印)。

本發明所欲解決之課題係提供藉由確實除去存在於噴嘴頭之凹部之液滴，或是使液滴不會滯留在凹部之方式，可以抑制由於在基板處理工程中之再附著而導致水漬產生的基板處理裝置。

若藉由一個實施形態之基板處理裝置時，係屬於具有：噴嘴頭，其係與基板之被處理面相向，具備有朝向被處理面開口的凹部；處理液供給噴嘴，其係被設置在噴嘴 頭，對被處理面供給處理液；及氣體吐出噴嘴，其係朝向被處理面吐出氣體，對被處理面進行藉由處理液之處理和使用氣體之乾燥處理的基板處理裝置，其具備：除去部，其係除去存在於凹部之液滴；排液部，其係被設置在噴嘴頭之凹部之底部，將成為除去對象之液滴朝凹部之外排出；及控制部，其係以藉由處理液對被處理面進行的沖洗處理結束，並且至開始使用氣體的乾燥處理為止之期間，存在使不到達至基板之被處理面之程度的流量之氣體從氣體吐出噴嘴吐出之期間之方式，控制氣體吐出噴嘴之吐出狀態。

若藉由上述實施形態之基板處理裝置時，藉由確實除去存在於噴嘴頭之凹部之液滴，或是不使液滴滯留在凹部之方式，可以抑制由於在基板處理工程中之再附著而導致水漬產生。

1‧‧‧杯體

1a‧‧‧排出管

2‧‧‧通孔

3‧‧‧動力傳達體

4‧‧‧控制馬達

5‧‧‧定子

6‧‧‧轉子

7‧‧‧螺桿

8‧‧‧控制部

11‧‧‧旋轉台

12‧‧‧下板

13‧‧‧上板

14‧‧‧通孔

15‧‧‧支撐筒部

16‧‧‧通孔

17a‧‧‧軸襯

17b‧‧‧軸襯

18‧‧‧保持構件

19‧‧‧軸部

20‧‧‧頭部

21‧‧‧推拔構件

21a‧‧‧推拔面

22‧‧‧卡合銷

25‧‧‧小齒輪

26‧‧‧主齒輪

27‧‧‧軸承

28‧‧‧彈簧

30‧‧‧凹部

30a‧‧‧排液孔

30b‧‧‧斜面

31‧‧‧保持筒

32‧‧‧噴嘴頭

32a‧‧‧外緣

32b‧‧‧斜面

33‧‧‧氣體吐出噴嘴

34‧‧‧純水吐出噴嘴

35‧‧‧開關閥

35a‧‧‧流量調整閥

35b‧‧‧開關閥

35c‧‧‧氣體供給源

36‧‧‧純水供液管

36a‧‧‧流量調整閥

36b‧‧‧開關閥

36c‧‧‧沖洗液供給源

37‧‧‧排液管

38a‧‧‧流量調整閥

38b‧‧‧三方閥

40‧‧‧第1藥液吐出噴嘴

41‧‧‧第2藥液吐出噴嘴

45‧‧‧蓋部

45a‧‧‧折返部

46‧‧‧相向壁部

47‧‧‧周壁部

48‧‧‧開口

49‧‧‧通孔

50‧‧‧第1上部噴嘴部

51‧‧‧第2上部噴嘴部

52‧‧‧第3上部噴嘴部

53‧‧‧第4上部噴嘴部

60‧‧‧振動部

70‧‧‧加熱部

80‧‧‧吸引部

100‧‧‧旋轉處理裝置

100A‧‧‧基板處理裝置

100B‧‧‧基板處理裝置

100C‧‧‧基板處理裝置

W‧‧‧基板

W2‧‧‧背面

D1‧‧‧第1噴嘴

D1a‧‧‧孔

D3a‧‧‧除去材供給通路

D3b‧‧‧庇部

D3c‧‧‧除去部

D4a‧‧‧噴嘴

D4b‧‧‧開口

D4c‧‧‧引導溝

D4d‧‧‧吐出口

D5a‧‧‧溝部

D6a‧‧‧溝部

D2‧‧‧第2噴嘴

D3‧‧‧除去部

D4‧‧‧除去部

圖1為表示當作適用本發明之基板處理裝置的旋轉處理裝置之概略構成的剖面圖。

圖2為在圖1所示之基板處理裝置中所使用之配管系統圖。

圖3為從基板側觀看構成第1實施形態之基板處理裝置的噴嘴頭之狀態的放大俯視圖。

圖4為表示第1實施形態之除去部之構成的概略剖面圖。

圖5為從基板側觀看構成第2實施形態之除去部之構成之狀態的放大俯視圖。

圖6係在圖5中之X-X線切斷，表示配管系統之放大概略剖面圖。

圖7為圖6中之部分放大圖。

圖8為相當於表示第3實施形態之除去部的圖6之放大概略剖面圖。

圖9為相當於表示第4實施形態之除去部的圖6之放大概略剖面圖。

圖10為從基板側觀看構成第5實施形態之除去部之構成之狀態的放大俯視圖。

圖11為在圖10中之A-A線切斷之概略剖面圖。

圖12為在圖10中之B-B線切斷之概略剖面圖。

圖13為相當於表示第6實施形態之除去部的圖12之概略斜視圖。

圖14為從基板側觀看構成第7實施形態之除去部之構成之狀態的放大俯視圖。

圖15為從基板側觀看構成第8實施形態之除去部之構成之狀態的放大俯視圖。

圖16為在圖15中之C-C線切斷表示之概略部分放大剖面圖。

圖17為相當於表示第9實施形態之除去部的圖16之概略部分放大剖面圖。

圖18為從基板側觀看構成第10實施形態之除去部之 構成之狀態的放大俯視圖。

圖19為在圖18中之D-D線切斷之概略剖面圖。

圖20為相當於表示第11實施形態之除去部之構成，相當於圖19之概略斜視圖。

圖21為從基板側觀看構成第12實施形態之除去部之構成之狀態的放大俯視圖。

圖22為在圖21中之E-E線切斷之概略剖面圖。

圖23為相當於在圖21中之F-F線切斷第13實施形態之除去部之構成之圖示的概略斜視圖。

圖24為表示第14實施形態之基板處理裝置之概略構成的剖面圖。

圖25為表示第15實施形態之基板處理裝置之概略構成的剖面圖。

圖26為表示第16實施形態之基板處理裝置之概略構成的剖面圖。

圖27為從基板側觀看構成第17實施形態之除去部之構成之狀態的放大俯視圖。

圖28為從基板側觀看構成第18實施形態之除去部之構成之狀態的放大俯視圖。

以下，針對本發眀之實施形態，參考圖面而予以詳細說明。

圖1為表示當作適用本發明之基板處理裝置的旋轉處 理裝置100之概略構成的剖面圖。

該旋轉處理裝置100具有在同圖以二點鏈線表示之杯體1。在該杯體1之底部之徑向中心部設置有通孔2，在周邊部以特定間隔在圓周方向連接有複數排出管1a。

在通孔2設置有圓筒狀之動力傳達體3。該動力傳達體3係藉由作為驅動手段之控制馬達4被旋轉驅動。該控制馬達4具有筒狀之定子5，和可旋轉地被插入至該定子5內之相同筒狀之轉子6。

動力傳達體3係使下端接觸於轉子6之上端面，其部分藉由螺桿7而被固定。因此，動力傳達體3成為與轉子6一體性旋轉。並且，控制馬達4係藉由控制部8(參照圖2)控制旋轉速度。

在突出於動力傳達體3之杯體1內之上端部，安裝有旋轉台11。該旋轉台11係重疊呈圓盤狀之下板12和上板13而構成，在該些下板12和上板13之中心部分，形成有與動力傳達體3之內部空間連通之通孔14。

在旋轉台11之上板13之周邊部，以特定間隔例如90度間隔在圓周方向形成4個支撐筒部15。在與下板12支撐筒部15對應之部分形成有通孔16。

在支撐筒部15和通孔16分別嵌合安裝軸襯17a、17b，在該軸襯17a、17b上可旋轉地支撐保持構件18。該保持構件18具有被支撐於軸襯17a、17b之軸部19，和較被一體形成在該軸部19之上端部之上述軸部19之直徑大的頭部20。

在頭部20之上端面，於從軸部19之旋轉中心偏心之位置上安裝有推拔構件21。在該推拔構件21之推拔面21a之傾斜方向上端部，突出設置有卡合銷22。

而且，在被設置在個保持構件18之推拔構件21上，以於其推拔面21a載置周邊部之背面W2之方式來設置半導體晶圓等之基板W。在其狀態下，當使各保持構件18朝例如特定方向例如順時鐘方向旋轉時，推拔構件21偏心旋轉。依此，由於從基板W之周邊部沿著推拔構件21之推拔面21a上升，且其外周面抵接於卡合銷22，故基板W藉由4個保持構件18被一體性地保持在旋轉台11上。

當使保持構件18朝與先前相反方向的逆時鐘方向旋轉時，卡合銷22遠離基板W之外周面的方向偏心旋轉。依此，藉由基板W之四個保持構件18的保持狀態被開放。

如圖1所示般，保持構件18之軸部19係下端突出至旋轉台11之下面側，在其突出端部固定小齒輪25。被固定在各保持構件18之軸部19之小齒輪25與主齒輪26咬合。該主齒輪26經軸承27可旋轉地被保持於動力傳達體3。

主齒輪26藉由被設置在動力傳達體3之外周面之彈簧28被彈推至特定旋轉方向，例如逆時鐘方向。依此，由於小齒輪25順時鐘方向旋轉，保持構件18與其旋轉連動而推拔構件21偏心旋轉，使得基板W藉由各保持構件 18之卡合銷22而被保持在旋轉台11。

為了解除基板W之保持狀態，藉由無圖示之解除機構使主齒輪26反抗彈簧28之彈推力而朝順時鐘方向旋轉。具體而言，藉由解除機構阻止主齒輪26旋轉，在其狀態下藉由控制馬達4使旋轉台11朝逆時鐘方向旋轉。依此，保持構件18朝逆時鐘方向旋轉後，藉由卡合銷22之基板W之保持狀態被解除。

在動力傳達體3之內部被插通固定於旋轉處理裝置100之本體的保持筒31。在該保持筒31之上端安裝有噴嘴頭32。在該噴嘴頭32形成上面開口之剖面形狀為逆圓錐形狀或研缽形狀(以下以逆圓錐形狀為代表)之凹部30。因保持筒31從動力傳達體3被切離，故即使旋轉台11等旋轉，噴嘴頭32也不會旋轉。

在噴嘴頭32以前端朝向凹部30之表面開口之方式形成有朝向被保持在旋轉台11之基板W之背面W2之中心部，吐出氮氣等之氣體的氣體吐出噴嘴33、吐出當作沖洗液之純水的純水吐出噴嘴34、吐出蝕刻液等之藥液的第1藥液吐出噴嘴40(參照圖3)、吐出例如包含氨水和過氧化氫水之藥液(SC-1溶液)之第2藥液吐出噴嘴41(參照圖3)。

純水吐出噴嘴34、第1藥液吐出噴嘴40、第2藥液吐出噴嘴41構成處理液供給噴嘴。而且，在噴嘴頭32形成有使前端開口在凹部30之內面之最下端的排液孔30a。

在氣體吐出噴嘴33之後端連接供氣管35，在純水吐出噴嘴34之後端連接純水供液管36。並且，在排液孔30a連接排液管37，排液孔30a和排液管37形成排液部。並且，雖無圖示，在第1藥液吐出噴嘴40、第2藥液吐出噴嘴41之後端分別連接有第1藥液供液管、第2藥液供液管。

如圖2所示般，供氣管35經流量調整閥35a、開關閥35b連接於對氣體吐出噴嘴33供給氮氣等之氣體的氣體供給源35c。因此，當開關閥35b被打開時，從氣體吐出噴嘴33吐出氣體，當開關閥35b關閉時，停止氣體之吐出。吐出時之氣體之流量藉由流量調整閥35a設定。

純水供液管36係經流量調整閥36a、開關閥36b被連接於對純水吐出噴嘴34供給沖洗液(純水等)之沖洗液供給源36c。因此，當開關閥36b被打開時，從純水吐出噴嘴34吐出純水，當開關閥36b關閉時，停止純水之吐出。吐出時之沖洗液之流量藉由流量調整閥36a設定。

再者，雖無圖示，但是第1藥液供液管、第2藥液供液管分別經流量調整閥、開關閥連接於對第1藥液吐出噴嘴40供給蝕刻液等之藥液之供給源，對第2藥液吐出噴嘴41供給SC-1液等之藥液的供給源。並且，雖然詳細如後述，被設置在配管之途中的流量調整閥或開關閥藉由控制部8被控制。

旋轉台11之上面及外周面係藉由該旋轉台11和一體之蓋部45而被覆蓋。該蓋部45具有與被保持於旋轉台 11之基板W之背面W2相向之相向壁部46，和垂直地被設置在該相向壁部46之周緣部的周壁部47。

在相向壁部46形成有用以使從氣體吐出噴嘴33被吐出之氮氣等之氣體、從純水吐出噴嘴34被吐出之純水、從第1、第2藥液吐出噴嘴40、41被吐出之藥液到達至基板W之背面W2之開口48。

被設置在旋轉台11之上面的4根保持構件18之上端部係從被設置成貫通蓋部45之相向壁部46的通孔49突出至其上面側。

再者，在旋轉台11之上方，與基板W之背面W2側相同，配置有對基板W吐出蝕刻液等之藥液的第1上部噴嘴體50、吐出SC-1溶液等之液藥的第2上部噴嘴體51、吐出當作沖洗液的純水之第3上部噴嘴體52，及吐出氮氣等之氣體的第4上部噴嘴體53。

在此，藉由上述構成之旋轉處理裝置100，針對處理基板W之時的動作進行說明。該實施形態中之基板W之處理係由蝕刻工程、藥液洗淨工程、沖洗工程及乾燥工程所構成。再者，控制部8進行所有動作控制。

控制部8具備集中性控制各部之微電腦，和記憶與基板處理有關之基板處理資訊或各種程式等之記憶部。該控制部8係根據基板處理資訊或各種程式以下式之方式進行控制。

首先，在旋轉台11保持基板W，以數十~數百r.p.m之低速使該旋轉台11旋轉。一面使旋轉台11旋轉，一面 從第1藥液吐出噴嘴40和第1上部噴嘴體50，對基板W之表面W1(上面)和背面W2(下面)供給蝕刻液。被供給至基板W之蝕刻液係以離心力朝向基板W之外周部，遍及基板全面。當從蝕刻液之供給開始經過特定時間結束蝕刻處理時，停止蝕刻液之供給。接著，從第2藥液吐出噴嘴41和第2上部噴嘴體51，對基板W之表面W1和背面W2供給SC-1溶液。依此，除去殘留在基板W之蝕刻液。

若藉由SC-1溶液對基板W進行處理時，停止SC-1溶液之供給。接著，從純水吐出噴嘴34和第3上部噴嘴體52，對基板W之表面W1和背面W2供給純水。依此，進行沖洗處理，除去附著殘留在基板W表背面之SC-1溶液。

最後以數千r.p.m之高速使旋轉台11旋轉，從氣體吐出噴嘴33和第4上部噴嘴53對基板W之表面W1和背面W2噴吹氮氣等之氣體。依此，殘留在基板W之處理液從基板W之表背面吹飛，進行乾燥處理。

並且，被供給至基板W之表面W1的藥液或沖洗液，以藉由基板W之旋轉的離心力被吹飛至外方，於衝突至杯體1之內面之後，從排出管1a被回收。另外，雖然被供給至基板W之背面W2的藥液或沖洗液也利用離心力被吹飛至外方，但是被供給至背面W2之藥液或沖洗液之一部分飛散至凹部30，在凹部30流動而從排液孔30a被排出。

然而，在以上述般之旋轉處理裝置100代表的基板處理裝置中，當藥液或包含藥液之沖洗液在凹部30成為液滴而滯留時，如同上述在基板之背面產生水漬(水印)，以下針對防止此的實施形態依順序說明。

圖3為從基板W側觀看構成第1實施形態之基板處理裝置100的噴嘴頭32之狀態的放大俯視圖。在該俯視圖中，以最外側之線表示的係噴嘴頭32之外緣32a。再者，在內側所示的係成為凹部30之斜面30b之上端的噴嘴頭32之內緣32b。在較內緣32b內側，在圖3中之中央，表示設置於凹部30之底部的排液孔30a。

在圖3所示之俯視圖中，表示被設置在斜面30b之四個噴嘴。在圖3之俯視圖中，在排液孔30a之左側，設置有持朝向背面W2吐出氣體之氣體吐出噴嘴33，在夾著排液孔30a與氣體吐出噴嘴33相向之位置，設置有朝向背面W2吐出純水之純水吐出噴嘴34。再者，在圖3中，在排液孔30a之上側，設置有吐出蝕刻液等之藥液的第1藥液吐出噴嘴40，在排液孔30a之下側設置有吐出SC-1溶液等之藥液的第2藥液吐出噴嘴41。

再者，圖3係以通過排液孔30a之中心之方式，藉由一點鏈線表示互相正交之中心線。上述四個噴嘴被設置成任一者的中心位於該中心線上。

並且，針對各種噴嘴之數量、配置位置，在本發明之實施形態中，雖然如同圖3所示之俯視圖般，但是針對其數量或配置位置可以任意設定。

再者，在說明中，以下以「除去部D」表示除去液滴之機構、構造。

圖4為表示第1實施形態之除去部D1之構成的概略剖面圖。為了方便以「第1噴嘴D1」表示在圖4中表示之除去部D1。第1噴嘴D1利用氣體吐出噴嘴33之構成。因此，第1噴嘴D1持有氣體吐出噴嘴33，也發揮為了在背面W2之乾燥處理中促進乾燥對背面W2吐出氣體的作用。

在此，如圖4所示般，首先將第1噴嘴D1之吐出口構成其一端部從凹部30之斜面30b突出。即使採用使第1噴嘴D1之一端部如此地稍微突出之構成，若擔保對背面W2適當地吐出氣體時，就不會導致乾燥處理中的不良影響。

在從該斜面30b突出之第1噴嘴D1之一端部側新設孔D1a。由於在第1噴嘴D1之一端部設置有用以對背面W2吐出氣體之吐出口，故從該吐出口吐出之氣體朝圖4之箭號所示之方向吐出。

對此，設置有孔D1a之位置更具體而言係在與來自吐出口之氣體之吐出方向(圖4之箭號之方向)正交之方向而能夠使氣體朝向凹部30吐出的位置。在圖4中，孔D1a係被設置在正面可看到其開口的位置上。

再者，孔D1a之開口徑係考慮藉由從該孔D1a吐出氣體，使氣體從吐出口朝背面W2且往用以進行乾燥的箭號方向吐出的威力不會衰退來決定。

氣體吐出噴嘴33如使用圖2說明般，經流量調整閥35a、開關閥35b而連接於氣體供給源35c。控制部8係藉由調整流量調整閥35a調整從第1噴嘴D1之一端部吐出之氣體，和從第1噴嘴D1之孔D1a吐出之氣體的吐出量，藉由開關閥35b之切換調整氣體之吐出時序。

更具體而言，控制部8係交從第1噴嘴D1之一端部吐出之氣體之流量(流速)切換成至少兩個不同之第1流量和第2流量。在此，第1流量係指從第1噴嘴D1之一端部吐出之氣體雖不到達至基板W之背面W2，但是從第1噴嘴D1之孔D1a被吐出之氣體能以旋渦狀、螺旋狀沿著凹部30之斜面30b在凹部30之周方向移動之程度的流量。對此，第2流量係從第1噴嘴D1之一端部吐出之氣體之流量足夠以進行基板之背面W2之乾燥處理的流量。因此，第1流量少第2流量很多。

而且，在本實施形態中，至先前所述之蝕刻工程、藥液洗淨工程、沖洗工程中，將開關閥35b設為關閉。而且，在沖洗工程結束，並且至乾燥工程開始之期間，將開關閥35b切換成開。當開關閥35b被切換成開時，首先從第1噴嘴D1之一端部吐出之氣體之流量被設定成第1流量。凹部30由於被形成逆圓錐形狀，故藉由設置孔D1a從孔D1a被吐出之氣體沿著周方向移動凹部30之斜面30b。因此，可以使存在於凹部30之液滴朝排液孔30a移動。即是，在該實施形態中，基板之乾燥所使用之氮氣等之氣體當作除去材而發揮功能。

當該狀態經過事先設定之時間時，從第1噴嘴D1之一端部吐出之氣體之流量切換成第2流量。依此，從第1噴嘴D1之一端部對高速旋轉之基板W之背面W2吐出第2流量之氣體，進行乾燥工程。此時，也從第1噴嘴D1之孔D1a持續吐出氣體。而且，當乾燥工程結束時，開關閥35b成為關閉，停止從第1噴嘴D1和孔D1a吐出氣體。

如此一來，在本實施形態中，即使藥液或含藥液之沖洗液在凹部30成為液滴而滯留，其液滴藉由從第1噴嘴D1之孔D1a被吐出之氣體使斜面30b移動，可以引導至排液孔30a。因此，可以防止在乾燥工程中藥液等附著於基板之不良情況(產生水漬等)。

再者，因於除去存在凹部30之液滴之時也能夠利用為了促進背面W2之乾燥而使用之氣體(惰性氣體等)，故即使不準備為了除去液滴的另外氣體亦可。

再者，在沖洗工程結束，乾燥工程開始之前階段，首先將從第1噴嘴D1之一端部吐出之氣體之流量設定成第1流量，從第1噴嘴D1之一端部，就算少量也使氣體吐出。因此，在蝕刻工程、藥液洗淨工程、沖洗工程等之使用處理液之處理工程中，即使處理液浸入第1噴嘴D1之一端部或是設置在第1噴嘴D1之孔D1a內，亦可以在開始乾燥工程之前階段從兩噴嘴內去除其處理液。這也可以防止如在乾燥工程中藥液等附著於基板之不良情況。

並且，在圖4所示之孔D1a朝向正面，僅設置一個。 但是，孔D1a即使設置複數亦可。例如，即使以可以朝向斜面30b吐出氣體之方式，在第1噴嘴D1朝向斜面30b改變角度設置複數孔亦可。於對背面W2吐出乾燥促進用之氣體之時，同時對斜面30b之寬廣範圍吐出該氣體，依此可以效率更佳地進行液滴之除去。

接著，使用圖5至圖7，針對第2實施形態之除去部D2進行說明。

並且，在以下之說明中，對與已說明之構成要素相同之構成要素賦予相同符號，因相同之構成要素之說明重覆，故省略。

圖5為從基板側觀看構成第2實施形態之除去部之構成之狀態的放大俯視圖。

除去部D2係與第1實施形態相同利用吐出至背面W2之氣體，為與氣體吐出噴嘴33不同另外設置第2噴嘴D2，使氣體從該第2噴嘴D2吐出至凹部30者。

在圖5所示之圖中，在凹部30中之純水吐出噴嘴34和第2藥液吐出噴嘴41之間形成第2噴嘴D2。第2噴嘴D2係使氣體吐出至蓋部45之噴嘴。在第2實施形態中，採用改變朝向蓋部45吐出之氣體之方向，將氣體引導至凹部30之構造。

圖6係在圖5中之X-X線切斷，表示配管系統之概略剖面圖，圖7為圖6中之部分放大圖。

在圖6中，第2噴嘴D2被形成貫通噴嘴頭32之內部，作為氣體之吐出口的第2噴嘴D2之一端朝斜面30b 開口。再者，當第2噴嘴D2之另一端與氣體供給源35c連接，被供給之氣體從第2噴嘴D2之一端朝向蓋部45被吐出。並且，在圖5中，第2噴嘴D2雖然在噴嘴頭32僅設置一處，但是即使設置複數亦可。

在蓋部45於開口48之邊緣的全周形成有改變從第2噴嘴D2朝向蓋部45吐出之氣體之方向的折返部45a。折返部45a如圖6、圖7所示般，採用覆蓋斜面30b之上部之庇部般的形狀。從第2噴嘴D2被吐出之氣體碰撞該折返部45a而擴散。

接著，針對從第2噴嘴D2被吐出之氣流和藉由該氣體除去來自斜面30b之液滴進行說明。

從第2噴嘴D2被吐出之氣體首先碰撞於蓋部45。被吐出之氣體碰撞係包含蓋部45之折返部45a的區域。碰撞於折返部45a之氣體沿著折返部45a而擴散於其周圍。再折返部45a擴散之氣體沿著折返部45a流動，雖然其一部分從噴嘴頭32和蓋部45之間隙排出至蓋部45之外方，但是殘留之氣體從斜面30b之上部朝向排液孔30a流動。

另外，當該蓋部45及基板W旋轉時，氣流朝其旋轉方向流動。也有該氣流之流動的作用，從第2噴嘴D2被吐出之氣體朝向排液孔30a沿著斜面30b流動，並且流向斜面30b之周方向。該氣體之流動如同圖6之箭號所示般。

藉由如此地氣體流動，可以使存在於斜面30b上之液 滴朝排液孔30a移動，並可以除去滯留在凹部30之液滴。

被形成在第2噴嘴D2之上方的折返部45a由於需要使被吐出之氣體擴散，並且改變其方向，故被形成確實地進行氣體之擴散、方向之變更。再者，如圖5所示般，因蓋部45被形成略圓盤狀，故折返部45a也被形成略圓盤狀。

第2噴嘴D2係如圖6所示般，經流量調整閥38a、三方閥38b連接於氣體供給源35c。該氣體供給源35c係對氣體吐出噴嘴33供給氣體的供給源。再者，該三方閥38b係將進行閥之開關而從氣體供給源35c被供給之氣體，分配給朝向基板之背面W2吐出氣體之氣體吐出噴嘴33和第2噴嘴D2。

而且，與第1實施形態相同，控制部8係在沖洗工程結束，並且至開始乾燥工程為止之期間，將三方閥38b切換成開啟。依此，進行從第2噴嘴D2吐出氣體。該吐出即使在乾燥工程也持續，當乾燥工程結束時，三方閥38b關閉而停止。

圖8雖然表示第3實施形態之除去部，但是亦可僅在開口48之一部分形成折返部45a，在其他部分不形成折返部45a。

圖9表示第4實施形態之除去部，沿著開口48之周圍，設置有明確形成有折返部45a之區域和不形成有折返部45a之區域，關於位於兩個區域之間的區域，折返部 45a之部分被形成沿著開口48之周方向而逐漸消失。

如第3、第4實施形態般，於僅在開口48之周緣部之一部分設置折返部45a之時，在設置有折返部45a之區域中，如上述般，從第2噴嘴D2吐出之氣體擴散，以一部分沿著周方向在斜面30b流動之方式移動。

另外，在不設置有折返部45a之區域，從第2噴嘴D2被吐出之氣體朝向基板W之背面W2前進，在背面W2擴散，其一部分到達至蓋部45之表面。到達至蓋部45之表面之氣體被產生在成為一體旋轉的蓋部45和基板W之間的氣流吸引，而成為蓋部45之表面朝向外周方向移動。此時，例如，使於進行基板之背面W2之洗淨之時附著於蓋部45之表面的處理液強制性地移動至蓋部45之外側而予以除去，故可以保持基板之背面W2之洗淨度。

再者，藉由三方閥38b之操作，控制成從第2噴嘴D2被吐出之氣體僅於折返部45a位於其吐出方向之時被吐出(間歇吐出)亦可。

接著，針對本發明之第5實施形態使用圖10至圖12進行說明。圖10為從基板W側觀看構成第5實施形態之除去部D3之狀態的放大俯視圖。

在此，例如將如純水之液體當作除去材來除去存在於凹部30之藥液等之液滴。作為吐出純水之吐出口的除去部D3沿著凹部30之周緣部設置成環狀。如圖10之放大俯視圖所示般，除去部D3係沿著內緣32b環狀地配置在接近於噴嘴頭32之內緣32b之凹部30之上部。即是，藉 由使純水從凹部30之斜面30b之盡可能高的位置流向排液孔30a，確實地除去存在斜面30b之液滴。

除去部D3係為了除去存在於凹部30之斜面30b之液滴而設置，為了使純水沿著斜面30b流向排液孔30a，如圖11所示般，除去部D3之吐出口被形成持有與斜面30b之傾斜吸相同的傾斜。藉由從如此之除去部D3吐出純水等之除去材，可以除去存在於凹部30之液滴。

如此一來除去部D3係藉由使純水在斜面30b流動而除去液滴，但是在圖12表示對除去部D3供給除去材之除去材供給通路D3a。除去材供給通路D3a貫通噴嘴頭32內而被形成，並且如圖12所示般，在凹部30之上部，為了充分對沿著內緣32b而被環狀配置之除去部D3供給除去材，在噴嘴頭32內被形成環狀。並且，在圖12中，純水吐出噴嘴34省略圖示。

也如圖12所示般，除去部D3係沿著內緣32b環狀地配置在接近於噴嘴頭32之內緣32b之凹部30之上部。即是，在內緣32b和斜面30b之間，設置有用以作為使除去材朝向斜面30b流出之間隙的吐出口，自此吐出除去材。即是，該間隙相當於除去部D3。再者，為了將除去材遍及地供給至該除去部D3所有，除去材供給通路D3a也形成環狀。

在如此之構成中，藉由除去部D3從凹部30之周方向全區域流出之純水如圖12箭號所示般，順著斜面30b，朝向排液孔30a而直線性地落下。因此，使用從斜面30b 流下之純水，可以除去存在於凹部30，即是斜面30b之液滴。

圖13為相當於表示第6實施形態之除去部D3之圖12的概略斜視圖。與圖12所示之除去部D3不同的係在噴嘴頭32之內緣32b之部分設置有庇部D3b之點。如圖13所示之除去部D3也從作為被設置在噴嘴頭32之內緣32b和斜面30b之間的間隙之吐出口朝向斜面30b吐出除去材(純水等)，即使藉由在內緣32b設置庇部D3b，純水從除去材供給通路D3a以例如強勁力道被吐出，從除去部D3被吐出之純水碰撞庇部D3b，掉入內緣32b附近。因此，從除去部D3被吐出之純水一定從斜面30b之高的位置流向排液孔30a。因此，可以確實地除去存在於斜面30b之液滴。

並且，藉由設置庇部D3b，作為為了除去存在於斜面30b之液滴而使用的除去材，不僅液體，亦可利用氣體。即是，從除去部D3被吐出之氣體碰撞庇部D3b而朝向斜面30b噴吹。

因藉由如此地設置庇部D3b，可以強制性地變更從吐出口被吐出之除去材之方向，故即使除去材為氣體，從吐出口被吐出之氣體不會擴散，可以引導至斜面30b。

圖14為從基板W側觀看第7實施形態之除去部D3c之構成之狀態的放大俯視圖。在該實施形態中，並非如上述除去部D3般，從環狀地設置在凹部30之斜面30b之吐出口吐出除去材，而係設成沿著斜面30b之周圍設置複數 吐出口，使從各吐出口吐出除去材者。

在圖14所示之俯視圖中，設置有具備四個吐出口的除去部D3c。四個除去部D3c分別被設置在較處理液之吐出噴嘴更上部。再者，該些除去部D3c被設置在分別連結排液孔30a之中心，例如第1藥液吐出噴嘴40或第2藥液吐出噴嘴41之中心的線上。

藉由在如此之位置設置除去部D3c，可以確實地洗淨、除去例如第1藥液吐出噴嘴40或第2藥液吐出噴嘴41被吐出之藥液，且滯留在該些吐出噴嘴附近之液滴。

並且，若為可以無遺漏地除去存在於斜面30b者時，針對要設置幾個吐出口(除去部D3c)可以任意設定。再者，從各吐出口(除去部D3c)被吐出之除去材之吐出角度也可以任意設定，例如即使設定成可以將除去材以廣角吐出的角度亦可。還有，亦可從除去部D3c吐出氣體而非純水等的液體。

如此一來，由於從設置複數的除去部D3c之吐出口吐出除去材，故可以沿著斜面30b使除去材流向排液孔30a，排出且除去存在於凹部30之液滴。

並且，藉由從蝕刻工程之階段除去部D3或從除去部D3c持續性地吐出除去材，可以奪取液滴滯留在斜面30b的機會。若可進行如此之控制，可以消除液滴朝斜面30b存在本身，並可以簡便地進行液滴除去本身。

再者，為了使除去材持續性地從除去部D3、D3c吐出，設成被設置在噴嘴頭32之凹部30之各噴嘴33、 34、40、41之前端部從凹部30之斜面30b突出為佳。若構成如此，因可以防止從除去部D3、D3c被吐出而在斜面30b流動之處理液浸入至各噴嘴33、34、40、41內之故。

圖15係從基板W側觀看第8實施形態之除去部D4之構成的狀態之放大俯視圖，圖16在圖15中之C-C線切斷而表示的概略部分放大剖面圖。除去部D4係從剖面為圓形狀之噴嘴D4a所構成，在接近於噴嘴頭32之內緣32b之凹部30之上部，形成其吐出口在與斜面30b略平行之方向上。即是，吐出口被配置成朝向斜面30b之周方向。

因此，當從噴嘴D4a吐出除去材時，如圖15之箭號所示般，除去材以螺旋狀(漩渦狀)流經斜面30b而到達排液孔30a。因藉由除去材在斜面30b以螺旋狀流動，使得除去材徹底地在斜面30b流動，故可以無遺漏地除去存在於凹部30之液滴。

圖17為相當於表示第9實施形態之除去部D4之圖16的概略部分放大剖面圖。在圖17所示之概略剖面圖之例中，除去部D4係當作吐出除去材之開口D4b而被構成，被直接形成在斜面30b。而且，構成除去部D4之開口D4b係於吐出除去材時，以使除去材與斜面30b之周方向並行流動之方式，設置成朝向斜面30b之周方向。在圖17之概略剖面圖中，表示開口D4b之吐出口正面，吐出口之形狀為略三角形。

即使構成如此，亦可以取得與第8實施形態相同之效果。

然而，在第8、第9實施形態中，係利用其吐出力使從噴嘴吐出之除去材以螺旋狀在斜面30b上流動，設置有用以使從噴嘴或開口吐出之除去材更確實地在斜面30b以螺旋狀流動之引導溝D4c為下一個實施形態。

圖18係從基板W側觀看第10實施形態之除去部D4之構成的狀態之俯視圖，圖19在圖18中之D-D線切斷而表示的概略斜視圖。並且，在圖19中，省略純水吐出噴嘴34或第1藥液吐出噴嘴40。

該實施形態與使用圖15而說明的第8實施形態不同之點係在除去部D4中從吐出除去材之開口沿著斜面30b，曲線狀設置引導溝D4c之點。引導溝D4c係從吐出除去材之開口形成在某距離上。在圖18中，因除去部D4被設置在純水吐出噴嘴34之上部，故引導溝D4c之起點成為純水吐出噴嘴34之上部。引導溝D4c係從該起點沿著斜面30b之周方向形成曲線狀，被形成至略第1藥液吐出噴嘴40之上部前方為止。

因此，從除去部D4被吐出之純水等之除去材從吐出後立即被引導至引導溝D4c而在斜面30b上流動，通過在第1藥液吐出噴嘴40之上部前方中之該引導溝D4c之終點之後，在斜面30b以螺旋狀流下，邊捲入存在於斜面30b之液滴邊流向排液孔30a。藉由該除去材之流動，可以排除且除去存在於凹部30之液滴。

並且，在圖19所示之實施形態中，引導溝D4c被形成從其起點至終點持有一定的溝寬。

圖20表示第11實施形態之除去部D4之構成，相當於圖19之圖示。在圖20中，與引導溝D4c中在起點的寬度相比，在終點的寬度被形成比較寬。即是，引導溝D4c之寬度被形成從起點朝向終點逐漸變寬，依此在引導溝D4c流動之純水等之除去材逐漸朝向排液孔30a而在斜面30b流動，故能夠使被吐出之除去材更自然以螺旋狀流動。

並且，要將引導溝D4c中之起端和終端之間的長度設為多少，即是要在斜面30b之哪位置設定終點可以任意決定。因此，圖18至圖20所示之引導溝D4c之距離只不過為一例。

例如，即使以繞斜面30b之周圍一圈之方式形成引導溝D4c，將終端設置至例如除去部D4之後方或下部亦可。再者，亦可以任意設定引導溝D4c之形成角度，即是從起點朝向終點之角度。

圖21為從基板W側觀看第12實施形態之除去部D4之構成之狀態的放大俯視圖。例如，在圖16、圖17所示之除去部D4被位置在無突出至斜面30b之表面的位置。對此，如圖22所示般，構成除去部D4之吐出口D4d被形成突出至斜面30b上。但是，當以彈出比較大之方式在斜面30b上形成吐出口D4d時，也有可能會導致液滴滯留在吐出口D4d之原因，故如圖22所示般，最多也只是形 成在斜面30b上產生緩傾斜之隆起的程度。若為如此之形狀，就算被形成在斜面30b上，例如在斜面30b上產生彈液，亦能迴避液滴附著於吐出口D4d。

圖23為表示第13實施形態之除去部D4之構成的概略剖面圖。具體而言，相當於在圖21中之F-F線切斷之圖的概略斜視圖。在斜面30b形成吐出口D4d，而且吐出口D4d被形成其開口不與斜面30b平行，至少朝向斜面30b之下方。

因此，從吐出口D4d被吐出之除去材如圖23之箭號所示般，傾斜地即是吐出後緊接著稍微朝斜面30b之下方吐出。如此一來，藉由賦予角度形成吐出口D4d，可以使除去材更螺旋狀地流動。再者，雖然在圖23中無表示，但是亦可在吐出口D4d上形成上述引導溝D4c。

如此一來，即使在第12、第13實施形態中，亦可以取得與上述第8、第9實施形態相同之效果。

如上述說明般，藉由採用能夠使氣體或液體等之除去材沿著斜面30b而以螺旋狀(漩渦狀)之方式流動之構成，可以無遺漏地除去存在於凹部30之液滴。

並且，即使在使用圖15至圖23進行說明的內容中追加在各處所說明之內容亦可。除去部D4即使以例如互相隔著90度之間隔而在斜面30b上形成4處之方式，在斜面30b上形成幾個亦可。再者，即使適當組合引導溝D4c亦可，也可自由地設定引導溝D4c之長度、寬度。再者，在任一的斜視圖皆以虛線表示，在除去部D3、D4設置有 用以供給除去材之除去材供給通路D3a。

圖24為表示第14實施形態之基板處理裝置之概略構成的剖面圖。基板處理裝置100A具備有振動部60。振動部60被連接於噴嘴頭32，根據來自控制部8之控制，對噴嘴頭32賦予振動。

作為振動部60，例如可以採用超音波振動裝置。

如此一來，藉由對噴嘴頭32直接賦予振動，存在於凹部30之液滴沿著斜面30b流動而集中於排液孔30a，被除去。

並且，作為一例，對噴嘴頭32賦予超音波振動係在沖洗工程結束，乾燥工程開始之前階段中開始，在乾燥工程之階段也持續。而且，乾燥工程結束之同時，停止賦予超音波振動。並且，對噴嘴頭32賦予超音波振動，即使從蝕刻工程之一開始就開始，持續至乾燥工程之結束時亦可。即是，沖洗工程結束，並且至乾燥工程開始之期間，若存在賦予振動期間即可。

接著，圖25為表示第15實施形態之基板處理裝置100B之概略構成的剖面圖。基板處理裝置100B具備有加熱部70。加熱部70加熱噴嘴頭32全體。藉由加熱噴嘴頭32，使存在於凹部30之液滴蒸發而予以除去。

並且，使用加熱部70加熱噴嘴頭32，使存在於凹部30之液滴蒸發之處理係在基板W被載置於保持構件18之期間不進行為佳。當存在於凹部30之液滴蒸發而附著於基板W之背面W2等時，可能生成再附著所致的水印。

作為加熱部，也考慮例如藉由從凹部30之上部照射例如鹵素燈等之光，加熱噴嘴頭32(凹部30)之方法。具體而言，基板處理裝置100B中之基板W之處理結束，基板W被搬出之後，從不會被基板W堵塞之上部(與凹部30相向)之位置加熱凹部30，使液滴蒸發。

並且，作為加熱部，藉由從凹部30之上部照射光，加熱噴嘴頭32之外，若為可以使用電熱加熱器等，加熱噴嘴頭32並使液滴蒸發時，不論手段，再者，針對加熱部70之設置位置也不限定。

接著，圖26為表示第16實施形態之基板處理裝置100c之概略構成的剖面圖。圖26所示之基板處理裝置100C具備有吸引部80。吸引部80被連接於設置在凹部30之底部的排液孔30a，吸引被排出至排液孔30a之液滴。

吸引部80係將液滴強制性地排出至凹部30外之裝置，經排液管37而連接於排液孔30a。吸引部80也被連接於控制部8，根據來自控制部8之控制訊號而被驅動。吸引部80之驅動即使使用例如空氣或氮氣般之氣體，具備流量計及空氣操作閥而進行流量管理亦可。

若藉由該實施形態時，由於藉由對排液孔30a賦予吸引力，將滯留在凹部30之液滴或欲附著於凹部之液滴強制性地排出至凹部外，故可以防止滯留在凹部30之表面之液滴所致的乾燥不良。

圖27為從基板W側觀看第17實施形態之除去部D5 之構成之狀態的放大俯視圖。並且，基板處理裝置100之基板構成與至此所說明之內容相同。

在圖27中具有特徵的係以最短距離連結作為斜面30b之上端的內緣32b和排液孔30a之方式，沿著斜面30b形成作為除去部之溝部D5a。藉由沿著斜面30b設置溝部D5a，欲停滯在斜面30b之液滴順著溝部D5a自然地被引導至排液孔30a。

溝部D5a係在圖27中，以等間隔之方式在內緣32b之周圍設置16根。但是，認為當溝部D5a之數量過少時，難以將欲停滯在斜面30b之液滴適當地引導至排液孔30a，另外，即使溝部D5之數量過多，溝部之寬度過小，亦無法使液滴適當地流動。因此，考慮溝部之大小、深度等，針對在斜面30b要設置幾個溝部D5a適當設定。

並且，於以最短距離連結作為斜面30b之上端的內緣32b和排液孔30a而形成溝部D5a之時，有在溝部D5a之途中存在氣體吐出噴嘴33、純水吐出噴嘴34、第1藥液吐出噴嘴40、第2藥液吐出噴嘴41之情形。針對如此之溝部D5a，如圖27所示，在連結內緣32b和氣體吐出噴嘴33等之各噴嘴之區域，以設為不形成溝部D5a為佳。該係為了防止順著溝部D5a而流動之液滴侵入至氣體吐出噴嘴33等之各噴嘴之故。

溝部D5a係以被構成與斜面30b之表面的境界不構成角部，且連續描繪緩傾斜之曲面為佳。即是，當該部分隨著角度形成時，由於液滴之表面張力附著於斜面30b之力 變強，難以侵入溝部D5a，有液滴難以順著溝部D5a而朝排液孔30a引導的可能性。並且，溝部D5a本身同樣以曲面構成為佳。

圖28為從基板W側觀看第18實施形態之除去部D6之構成之狀態的放大俯視圖。

構成除去部D6之溝部D6a係從作為凹部30之上部之內緣32b朝向排液孔30a，在斜面30b形成螺旋狀(在圖28中俯視觀看下為漩渦狀)。再者，溝部D6a係以避開被設置在斜面30b之各噴嘴之方式而被形成。但是，針對溝部D6a之大小、深度可任意設定。

而且，即使針對溝部D6a之形狀，也與溝部D5a相同，以形成斜面30b和溝部D6a之境界，及溝部D6a本身中之任一者持有凹面為佳。藉由將如此之溝部D6a在斜面30b之表面設置成螺旋狀(在圖28中俯視觀視下為漩渦狀)，欲停滯在斜面30b之液滴藉由流進最近的溝部D6a，被引導至排液孔30a。

溝部D6a之螺旋之方向如圖28所示般，從內緣32b朝向排液孔30a，形成逆時鐘旋轉。此係對被載置在噴嘴頭32之上方之基板W，進行各種處理之時，與該基板W之旋轉方向相同之方向。因為藉由在與基板W之旋轉方向相同之方式形成溝部D6a螺旋方向，可以利用隨著基板W之逆時鐘之旋轉產生的氣流，使存在於凹部30之液滴移動之故。

接著，作為第19實施形態，亦可以採用將噴嘴頭32 之斜面30b形成粗糙之構成。即是，針對斜面30b之形成，可以將表面粗糙度Ra設定成特定值，以持有期待之表面粗糙度的斜面30b來形成。

例如，當液滴藉由表面張力，匯集存在於斜面30b時，例如從氣體吐出噴嘴33吐出氣體之時，尤其以疏水性之材質形成噴嘴頭32之時，產生液滴藉由其氣體在凹部30內彈跳之現象，導致彈跳之液滴附著於例如基板W之背面W2等的再附著而造成水印產生。

於是，以盡量使存在於斜面30b之液滴不會因表面張力而匯集之方式，將斜面30b之表面形成粗糙，依此存在於斜面30b之液滴不會因表面張力而匯集，可隨時地流向排液孔30a。

並且，針對表面粗糙度Ra之設定，可以配合噴嘴頭32之材質任意設定。例如，假設以親水性之材質形成噴嘴頭32之情形。此情形下，因當使親水性之表面粗糙時，液滴之接觸角變小，故增加液滴對噴嘴頭32之親水性。若親水性增加，當液滴若附著於斜面30b時，容易緊貼著斜面30b。因此，可防止液滴之飛散。

另外，於噴嘴頭32以疏水性之材質形成之情況下，若將斜面30b之表面形成粗糙時，因液滴對斜面30b之接觸角變大，故液滴變得容易在斜面30b流動。但是，如上述般，因液滴飛散之可能性變高，故必須進行考慮此點之表面粗糙Ra之設定。並且，例如與基板W之背面W2之藥液處理之同時，以不會產生彈液之程度之方式朝向斜面 30b噴射氣體，依此可以邊抑制液滴之飛散邊使液滴流暢地朝向排液孔30a流動。

為了迴避液滴如此地藉由表面張力而匯集，使得斜面30b上之液滴飛散而附著於基板之背面W2，如上述般，可以採用使斜面30b之表面粗糙之方法。而且，同時亦可以利用在第15實施形態中說明之加熱部70。

即是，亦可考慮利用加熱部70而加熱噴嘴頭32全體，且提高斜面30b之表面溫度，依此防止液滴藉由表面張力而匯集。事先藉由加熱部70加熱噴嘴頭32，或是藉由持續加熱，將斜面30b之表面維持高的溫度，使液滴本身蒸發，依此邊防止液滴飛散至基板W之背面W2，邊防止液滴匯集而流至排液部30a。即使採用如此之構成，亦可以除去存在於凹部30之液滴。

作為第20實施形態，亦可以採用以多孔質之材質形成噴嘴頭32，將存在於斜面30b之液滴取入至斜面30b之內部，即是噴嘴頭32內之方法。如此一來，就算只有使存在於凹部30之液滴流向排液孔30a都無法對應之情況下，因從斜面30b之表面吸收液滴，其結果能夠從凹部30除去液滴。

再者，亦考慮並非以多孔質之材質形成噴嘴頭32全體，例如在斜面30b塗佈持有多孔質之形質，且在被塗佈之材料之中吸收存在於斜面30b之液滴的實施形態。

如上述說明般，可以提供確實除去存在於噴嘴頭之凹部之液滴，或是藉由使液滴不會滯留在凹部之方式，可以 抑制由於在基板處理工程中之再附著而導致水漬產生的基板處理裝置。

並且，在本發明之實施中，適當選擇上述實施形態，亦可組合而予以利用。

例如，即使藉由組合利用氣體之除去和藉由使液體流動之除去來除去存在於凹部之液滴亦可。作為具體例，最初使用純水等之液體之除去材沖洗存在於凹部30之液滴，之後，藉由將氣體之除去材噴吹至凹部11，將殘留之液滴或除去材引導至排液孔30a的態樣。並且，即使藉由與下述構成組合更確實地除去液滴亦可，該構成係藉由組合吸引部80將液滴從凹部30吸出，並且藉由在斜面30b設置溝部D5a或溝部D6a，使液滴不殘留在斜面。

再者，在上述各實施形態中，沖洗工程(處理)結束，並且至乾燥工程(處理)開始為止之期間，存在從除去部D吐出除去材之期間，或在第16實施形態中，排液孔30a被賦予吸引力之期間為佳。例如，即使將除去材之吐出開始時序或吸引力之賦予開始時序設為沖洗工程結束，並且至乾燥開始為止之期間亦可，即使設定成沖洗工程結束之前階段，例如沖洗工程中或蝕刻工程之一開始的階段亦可。再者，即使關於吐出或吸引之結束時序，設成在乾燥工程開始之前亦可，在乾燥工程中也持續進行吐出或是吸引，在乾燥工程之途中或是乾燥工程結束之同時，或是乾燥工程結束之後停止亦可。

再者，在第1實施形態中，在沖洗工程結束，並且至 乾燥工程開始為止之期間，從第1噴嘴D1之一端部或孔D1a，即是從氣體吐出噴嘴33，以第1流量(從氣體吐出噴嘴33吐出之氣體不到達至基板W之背面W2之程度的流量(流速)開始吐出氣體，依此成為在乾燥工程開始之前階段去除浸入兩噴嘴內之藥液等之處理液，且成為防止如在乾燥工程中藥液等附著於基板的不良情況。

但是，該吐出即使設為從沖洗工程結束之前階段開始亦可。例如，即使從沖洗工程中開始氣體之吐出亦可，即使從蝕刻工程之一開始的階段開始亦可。即是，以在沖洗工程(處理)結束，並且至乾燥工程(處理)開始為止之期間，存在從氣體吐出噴嘴33以第1流量吐出氣體之期間為佳。若從蝕刻工程之一開始之階段開始氣體之吐出時，因可以防止藥液等浸入氣體吐出噴嘴內本身，故於沖洗工程結束後，可以無等待時間移行至乾燥工程，而且亦可以防止如在乾燥工程中藥液等附著於基板之不良情況。

再者，於從除去部D吐出之除去材為液體之情況下，為了除去材浸入至氣體吐出噴嘴內，或從噴嘴內去除浸入至氣體吐出噴嘴內之除去材，設為正在從除去部D吐出除去材之中，或是吐出結束以後，從氣體吐出噴嘴33以第1流量使氣體吐出為佳。

並且，在其他實施形態中也並用該些實施形態有效用。

再者，作為基板之處理內容，雖然以進行蝕刻工程、藥液洗淨工程、沖洗工程、乾燥工程之一連串的處理的例 進行說明，但是本發明若為包含使用處理液之處理時則能適用。

雖然說明本發明之實施形態，但是該些實施形態係以例之方式被表示，並無限定發明之範圍的意圖。該些實施形態可以其他各種形態來實施，只要在不脫離發明之主旨的範圍下，可做各種省略、置換及變更。該些實施形態或其變形當然也包含在發明範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明和其均等之範圍中。

8‧‧‧控制部

30‧‧‧凹部

30a‧‧‧排液孔

30b‧‧‧斜面

32‧‧‧噴嘴頭

33‧‧‧氣體吐出噴嘴

34‧‧‧純水吐出噴嘴

35a‧‧‧流量調整閥

35b‧‧‧開關閥

35c‧‧‧氣體供給源

45‧‧‧蓋部

48‧‧‧開口

D1‧‧‧第1噴嘴

D1a‧‧‧孔

Claims (15)

1. 一種基板處理裝置，其係具有：噴嘴頭，其係與基板之被處理面相向，且具備朝向上述被處理面開口之凹部；處理液供給噴嘴，其係被設置在上述噴嘴頭，且對上述被處理面供給處理液；及氣體吐出噴嘴，其係朝向上述被處理面吐出氣體，並對上述被處理面進行藉由上述處理液之處理，和使用上述氣體之乾燥處理，該基板處理裝置之特徵在於具備：除去部，其係除去存在於上述凹部之液滴；排液部，其係被設置在上述噴嘴頭之上述凹部之底部，將成為除去對象之上述液滴朝上述凹部之外排出；及控制部，其係以藉由上述處理液對上述被處理面進行的沖洗處理結束，並且至開始使用上述氣體的乾燥處理為止之期間，存在使不到達至上述基板之被處理面之程度的流量之氣體從上述氣體吐出噴嘴吐出之期間之方式，控制上述氣體吐出噴嘴之吐出狀態。
2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部係從上述噴嘴頭之表面突出而被形成，且對上述被處理面吐出氣體的第1噴嘴，上述第1噴嘴具備在與上述氣體之吐出方向正交之方向能夠使上述氣體朝向上述凹部吐出的孔。
3. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中具備有蓋部，其係被設置在上述噴嘴頭和上述基板之間，具備使從為了對上述被處理面進行處理而被設置在上 述噴嘴頭之噴嘴被吐出之處理液通過的開口，上述除去部係形成在上述噴嘴頭，具備有朝向上述蓋部之氣體的吐出口的第2噴嘴，及被形成在上述蓋部之上述開口的折返部，上述第2噴嘴為了將被吐出之上述氣體引導至上述凹部，朝向上述折返部吐出上述氣體。
4. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部係被配置在上述凹部之表面，朝向為了除去存在於上述凹部之液滴而被設置在上述底部之上述排液部吐出處理材的吐出口。
5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中上述吐出口係環狀地被設置在上述凹部表面上。
6. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中上述吐出口被配置在上述凹部之上部，被設置在與以最短連結其配置之處和上述排液部之間的直線正交，並且能夠沿著上述凹部表面吐出上述除去材之方向上。
7. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部為使上述噴嘴頭振動的振動部。
8. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部為使上述噴嘴頭加熱的加熱部。
9. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部係被連接於上述排液部，吸引存在於上述凹部之上述液滴的吸引部。
10. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中 上述除去部係被形成從上述凹部之上部以最短連結被設置在上述凹部之底部的上述排液部之間的溝部。
11. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部係從上述凹部之上部朝向被設置在上述凹部之底部的上述排液部形成螺旋狀的溝部。
12. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中被形成上述螺旋狀之溝部之方向被形成與對上述基板進行處理之時之上述基板之旋轉方向相同之方向。
13. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部係藉由使上述凹部之表面粗糙來迴避成為除去對象之上述液滴之滯留的上述噴嘴頭。
14. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部係藉由在上述凹部之表面塗佈多孔質材而形成的上述噴嘴頭。
15. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中上述除去部係藉由以多孔質材形成上述凹部而被構成的上述噴嘴頭。