TW201507046A - 使用特製印刷方法的多重柱電子束檢測 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 50
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims description 43
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 64
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 156
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 100
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 6
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 3
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 26
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 2
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 2
- 241001674044 Blattodea Species 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000013102 re-test Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/282—Determination of microscope properties
- H01J2237/2826—Calibration
Landscapes
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Abstract
一種測試光罩印刷錯誤的方法,包含將一光罩印刷劃分成子區域並以一不同的(例如,電子)射束柱檢查每一子區域,每一子區域在一校準程序期間均對齊一射束柱軸線。不同的子區域可以在一晶圓平面上的不同光罩印刷上接受檢測。
Description
本申請案基於35 U.S.C.§119(e)條款主張於2013年5月23日所提申之美國申請案第61/826,500號之優先權,在此將其全體一併整合參考之。
本發明是有關於使用特製印刷方法的多重柱電子束檢測。
積體電路(IC)晶片之圖案化晶圓瑕疵檢測在晶片製程中找出故障之位置,並且從而藉由微調製程參數以最小化故障率而導致良率之改善。半導體晶圓檢測技術包含二種主要類型-光學檢測,其使用一光源做為一照射源,以及掃描電子束檢測,其使用電子做為一照射源。
光學檢測系統通常使用平行成像技術,其容許一高資料採集率,並且對於每小時檢測之晶圓提供一高產出量。對於一300毫米的晶圓而言,一光學檢測系統通常耗費數小時以掃描整片晶圓。由於相對而言光子的較大波長,一光學檢測系統之解析度受限於繞射像差(diffraction aberration)。相較於光子,電子具有顯著較小的波長,此提供掃描電子束檢測工具較高之解析度及性能(相對於光學檢測系統而言)以辨識尺寸上數個奈米的晶圓瑕疵。然而,掃描電子束檢測工具使用一循序資料採集方法,
此限制了晶圓檢測之產出量。例如,當前可用之系統在20奈米IC設計規則之下可能耗費超過一個月以完整檢測一300毫米之晶圓。因此,許多研究人員曾提出多重電子束系統利用平行資料採集方式掃描及檢測同一晶圓,以在同樣高的解析度之下達到較佳的產出量。
利用平行資料採集之一多重電子束檢測系統可以增加產出量並縮短檢測晶圓的時間。然而,一掃描電子束檢測系統之資料採集率受限於大約每秒400百萬像素。因此,其需要超過10,000個理想的平行電子束以針對14奈米及10奈米晶片設計規則在一小時之內掃描一個完整的晶圓。但建構一個具有10,000個理想射束的多重柱硬體(multi-column hardware)係昂貴且不切實際的。另一方面,製造一個具有大約100個射束的多重柱系統則相對地容易,但此一多重柱系統將耗費超過一星期以掃描一個完整晶圓。許多瑕疵檢測應用並不需要一個完整晶圓的瑕疵資訊,對於此等應用,僅有一晶圓的一部分需要被檢測。例如,位於一光罩(光標(reticle))上之瑕疵將被印刷於一晶圓上的不同重複圖案化區域的同一座標處。因此,藉由僅檢測該等重複圖案化區域的其中一者,即能夠捕獲光罩上的此等重複瑕疵。對於局部晶圓檢測應用而言,有效率地僅收集所需之資訊極為困難,因為成像位置被多重柱硬體固定,而積體電路晶片之目標檢測區域卻依據晶片尺寸散佈於一產出晶圓之上。所有的多重柱硬體,用以僅檢測晶圓的一部分者,均苦於一產出晶圓上的柱體配置與晶片配置之間的錯位。
根據本發明的一觀點,一種半導體晶圓檢測製程,包含:自一特製光罩曝光佈局配置建立一檢測測試晶圓,該特製光罩曝光佈局配置
不同於一產出晶圓之一產出印刷佈局;利用一多重柱電子束系統檢測該檢測測試晶圓之瑕疵;在與該產出晶圓相同的條件下處理該檢測測試晶圓,但光微影曝光步驟被修改,以在該檢測測試晶圓之平面上建立一光罩印刷配置,從而安排每一光罩印刷之子區域使之對齊一不同射束柱;以及利用該多重柱電子束系統之一不同柱體檢查該晶圓平面上之重複光罩印刷中的子區域的其中一者。
根據本發明的另一觀點,一種半導體晶圓檢測製程,包含:印刷一檢測測試晶圓於一佈局之中,該佈局將該晶圓上之不同光罩印刷之一相同子區域對齊至一多重柱射束系統之射束軸;以及若一射束柱隨著時間之推移而失效,則運用一單柱電子束檢測系統以檢測該檢測測試晶圓上之未檢測區域。
102-108‧‧‧步驟
202‧‧‧射束軸實際座標
204‧‧‧射束軸設計座標
302‧‧‧光罩印刷
304‧‧‧子區域
402-410‧‧‧步驟
502‧‧‧子區域
504‧‧‧光罩印刷
506‧‧‧檢測測試晶圓
602‧‧‧瑕疵
702‧‧‧瑕疵位置
704‧‧‧光罩
802-808‧‧‧步驟
902‧‧‧故障中央柱體
1002‧‧‧水平涵蓋範圍
1102‧‧‧垂直涵蓋範圍
1202‧‧‧檢測測試晶圓
1204‧‧‧檢測測試晶圓
1206‧‧‧子區域群組
1208‧‧‧子區域群組
1302-1312‧‧‧步驟
1402‧‧‧檢測測試晶圓
1404‧‧‧不同光罩印刷之同一座標
1406‧‧‧圖案
1502‧‧‧瑕疵
1602‧‧‧光罩印刷子區域
1604‧‧‧光罩印刷子區域
1606‧‧‧光罩印刷子區域
1608‧‧‧光罩印刷子區域
1700‧‧‧電腦系統
1706‧‧‧外部儲存裝置
1708‧‧‧外部裝置/其他電腦系統
1708a-n‧‧‧外部裝置/其他電腦系統
1712‧‧‧處理單元
1714‧‧‧系統記憶體
1716‧‧‧系統匯流排
1718‧‧‧唯讀記憶體
1720‧‧‧隨機存取記憶體
1722‧‧‧基本輸入/輸出系統
1724‧‧‧硬碟機
1725‧‧‧硬碟
1726‧‧‧光碟機
1728‧‧‧磁碟機
1730‧‧‧可移除式光碟
1732‧‧‧磁碟
1734‧‧‧作業系統
1736‧‧‧應用程式
1738‧‧‧其他程式或模組
1740‧‧‧程式資料
1741‧‧‧網路用戶端程式或瀏覽器
1742‧‧‧觸控螢幕或鍵盤
1744‧‧‧指向裝置
1746‧‧‧介面
1748‧‧‧監視器
1750‧‧‧視訊介面
1752‧‧‧LAN
1754‧‧‧WAN
1757‧‧‧數據機
1758‧‧‧數據機介面
1760‧‧‧網路介面
在圖式之中,相同的參考編號及縮寫代表具有相同或類似功能的元件或動作,以便於容易理解。為了易於識別任一特定元件或動作之敘述,一參考編號中的一或多個最高有效數字表示最先引用該元件的圖式編號。
圖1例示一製程實施例,用以在一檢測測試晶圓上產生一光罩印刷佈局以供多重柱檢測。
圖2例示實際柱體電子光軸分佈與柱體電子光軸之設計位置分佈之間的偏離。
圖3例示一個被劃分成九個子區域以供一3 x 3多重柱電子束陣列檢測之一檢測測試晶圓平面上之一光罩印刷之一實例。
圖4例示一製程實施例,以產生具有用於光罩瑕疵檢測應用之一特製光罩印刷佈局之一檢測測試晶圓。
圖5例示位於具有用於光罩瑕疵檢測應用之一特製光罩印刷佈局之一檢測測試晶圓上之一示範性檢測子區域配置。
圖6例示在具有一特製光罩印刷佈局之一檢測測試晶圓上被不同射束柱(beam column)偵測到的示範性整體瑕疵(斑點)分佈。
圖7例示形成自於不同子區域中偵測到之瑕疵之一光罩印刷座標中之一整體瑕疵分佈之一實例。
圖8例示一製程實施例,用於一印刷佈局之重新組態以補償射束柱失效。
圖9例示一實例,其中光罩印刷的中央部分無法以3 x 3多重柱檢測系統之故障的中央柱體檢測。
圖10及圖11例示一檢測測試晶圓平面上用以補償錯失的中央區域之一示範性之經過重新組構之光罩印刷佈局。
圖12例示一個用以共同檢測16個檢測子區域的二檢測測試晶圓之實例。
圖13例示一個用以產生具有一特製光罩印刷佈局之一檢測測試晶圓之一製程實施例,其用於整體流程一致性及最佳化之一檢測應用。
圖14例示具有一光罩佈局之一檢測測試晶圓之一實例,其中每一射束柱均對齊不同光罩印刷之同一座標。
圖15例示在位於如圖14所例示之一檢測測試晶圓上之不同光罩印刷中所偵測到之一瑕疵分佈之一實例。
圖16例示可以使用多個檢測測試晶圓同時檢測不同光罩印刷子區域之流程一致性之多個多重柱系統,以進一步增進檢測產出量及檢測靈敏性。
圖17例示可以實施一晶圓檢測流程之一實施例之一電腦系統1700之一實施例。
文中提及"一個實施例"或者"一實施例"處,儘管可能是指同一實施例,但並非必然表示同一實施例。在整個說明及申請專利範圍的內容之中,除非上下文清楚敘明,否則"包含"、"包括"等詞應以包容性的含義視之,而非排他性或窮盡性之意義;換言之,其表示"包含,但不限於"。使用單數或複數形式之字詞亦分別包含複數或單數之含義,除非有明確限制至單一或多個之敘述。此外,"在本文之中"、"以上"、"以下"以及類似意味之字詞,當使用於本說明書中之時,表示本說明書之整體,而非本說明書之任何特定的部分。當申請專利範圍請求項在列述一個包含二或多個項目的列表時使用"或"這個字的時候,除非有明確敘明其限制,否則該字涵蓋以下的所有解釋:列表中的任一項目、列表中的所有項目、以及列表中的項目的任意組合。
"邏輯"意指機器記憶電路、機器可讀取媒體、及/或經由其包含控制及/或程序性信號及/或設定與數值(諸如電阻值、阻抗值、電容值、電感值、電流/電壓額定數值、等等)而可被運用以影響一裝置之運作的材料及/或材料能量組態。磁性媒體、電子電路、電氣及光學記憶體(包含揮發性及非揮發性二類)、以及韌體均係邏輯之實例。
熟習相關技術者應理解,邏輯之分佈可以遍及一或多個裝置之中,及/或可以包含組合記憶體、媒體、處理電路與控制器、其他電路、等等。因此,在清楚及正確性的考量下,邏輯不一定會被明顯地例示於裝置及系統的圖式之中,雖然其本身就存在於其中。
本文所述之用於印刷或製程之瑕疵測試的技術與程序可以透過分佈於一或多個計算裝置中的邏輯實施而成。邏輯的特定分佈與選擇可以隨著實施方式變動。
在一半導體晶圓製程之中,一檢測測試晶圓係自一特製印刷佈局建立而成,其可以不同於產出晶圓佈局。此特製印刷佈局藉由一多重柱電子束系統(光學照射亦可以使用於某些應用之中)針對瑕疵加以檢測。所有柱體的電子光軸之配置決定拍攝影像之處,以及預定在一晶圓上收集何種資訊。利用一校準晶圓先校準實體多重柱光軸配置以取得每一光軸之晶圓座標,其包含設計硬體配置、機械誤差、以及組合公差。檢測測試晶圓被在與產出晶圓相同的條件下進行處理,但光微影曝光(photolithography exposure)步驟被修改,以在檢測測試晶圓平面上建立一光罩印刷之配置,從而針對不同的柱體安排目標檢測子區域。光罩印刷內的子區域之座標可以在檢測測試晶圓平面的x和y維度上彼此偏移特定之量。
針對可印刷光罩瑕疵檢測,多重柱系統中的每一柱體均檢測一檢測測試晶圓平面上的重複光罩印刷之一不同檢測子區域。若某些柱體隨著時間推移而失效,則光罩印刷可以被重新產生並被重新劃分成不同數
目的檢測子區域,使得完整的光罩印刷瑕疵資訊能夠藉由殘餘的工作柱體共同取得。檢測子區域被定義成各自均具有相同的尺寸及方位。一重複光罩印刷之關鍵性區域可以被劃分成檢測子區域,此處每一子區域中之柱體射束狀況被調整成用以達成瑕疵之最佳偵測。檢測子區域可以進一步被劃分成不同的群組,且不同檢測測試晶圓上的不同群組可以由不同的多重柱檢測系統同時加以檢測。
在一實施例之中,一檢測測試晶圓在許多方面係被以與一產出晶圓相同的方式進行處理。然而,檢測測試晶圓平面上的光微影曝光被配置成使得光罩印刷之不同子區域對齊多重柱射束檢測軸。曝光之後,檢測測試晶圓可以在與產出晶圓相同的條件下進行處理。光微影瑕疵檢測係在後開發流程(post-development process)之後執行。晶圓平面光罩檢測可以在檢測測試晶圓的後開發疊層上或者後蝕刻疊層上執行(但未受限於此)。一複檢流程可以套用於檢測測試晶圓以進一步針對瑕疵進行分析及分類,且可以根據從晶圓平面上的集體瑕疵分佈到對應至偵測出之瑕疵之實體光罩座標的映射關係執行一光罩修補流程。某些時候,僅有光罩印刷的特定關鍵區域需要被檢測。在此情況下,該等關鍵區域可以利用一經過客製化的微影配方(lithographical recipe)加以共同檢測,以印刷具有相同尺寸及方位的關鍵區域的檢測子區域,使得其各自藉由一不同的柱體檢測。
在一實施例之中,一檢測測試晶圓被印刷於一佈局之中,該佈局使檢測測試晶圓上的光罩印刷之不同子區域對齊多重柱光軸之位置。若一射束柱隨時間推移而失效,則光罩印刷被重新劃分成一新佈局,使得殘餘的工作射束柱仍共同涵蓋一光罩印刷的整個重複圖案。光罩印刷之劃
分及佈局可以是以不同的方式進行,只要每一檢測子區域之尺寸及方位一致(例如,相同)即可。光罩印刷之'關鍵'區域本身可以被劃分成檢測子區域,且射束柱狀況可以針對此等子區域中的每一者加以設定以求達到最佳的瑕疵偵測。檢測子區域可以形成群組。不同檢測測試晶圓上的不同群組可以由不同的多重柱檢測系統同時加以檢測。
其可以藉由將晶圓平面上的重複光罩印刷配置成使得每一射束柱均掃描晶圓上每一光罩印刷的同一對應子區域,以測試總體流程的最佳化及一致性。印刷佈局可以以不同方式定義子區域,只要每一檢測子區域之尺寸及方位類似,例如相同,即可。印刷的'關鍵,區域可以被劃分成檢測子區域,其可以是特製成對齊多重柱光軸以在不同應用之中最佳化產出量及瑕疵靈敏度。多個檢測測試晶圓及多個多重柱檢測系統(例如,每個檢測測試晶圓一個)可被用以檢測不同的子區域。
位於多重柱系統中的每一射束柱檢測晶圓平面上一不同及重複光罩印刷中之同一子區域。若某些柱體隨著時間之推移失效,則後續的檢測可以藉由單柱電子束系統執行,捕捉尚未檢測之區域中的瑕疵。光罩印刷的關鍵區域亦可以被劃分成檢測子區域,其可以是特製成對齊多重柱光軸的實體位置以在不同應用之中最佳化產出量及瑕疵靈敏度。其可以使用一個以上的檢測測試佈局(各自位於不同的晶圓之上)以及一個以上的多重柱檢測系統以供整體光罩印刷的不同子區域之檢測。整體瑕疵分佈資訊可被分析以判定晶圓製程中的故障的根本原因。
重複及非重複瑕疵之檢測可以提供有關製程最佳化及一致性的寶貴資訊。每一光罩印刷均接受相同的晶圓製程。因此,瑕疵密度之
改變乃源於總體流程的最佳化或者一致性。各種不同類型之製程均可以使用本文所述的方法之實施例進行檢測及最佳化,包含但不限於,光微影術、沉積、蝕刻、以及快速熱退火(rapid thermal annealing)。一多重柱電子束系統可用以同時檢測位於不同晶圓座標處之同一電路特徵。其可以藉由分析具有已知獨特特徵間隔之一已知校準目標(例如,一校準晶圓)之影像,校準一多重柱硬體之加工誤差及機械公差。一光微影印刷製程之光罩印刷之一相同子區域對齊至多重柱射束陣列中的每一射束柱。檢測測試晶圓被與產出晶圓相同之非光微影曝光製程進行處理。非重複瑕疵被識別出來(利用一瑕疵複檢系統)並且代表非光罩(例如,製程)相關問題。個別柱體之射束條件可以被改變成最適合用於檢測光罩印刷內的對應子區域,以及最佳化拍攝影像及瑕疵靈敏性。此不僅改善瑕疵捕捉率,並且亦增進產出量。舉例而言,一印刷之非關鍵子區域可以以一大影像像素尺寸檢測,以降低涵蓋感興趣子區域所需要的檢測像素總數,因此降低總檢測時間。
若某些射束柱隨著時間之推移發生故障,則晶圓上的對應子區域可以藉由一額外處理步驟利用單射束檢測系統加以檢測。
為了增加整體產出量,不同子區域中的瑕疵分佈可以藉由不同的多重柱系統同時對不同的檢測測試晶圓加以檢測。
圖1例示一製程實施例,用以在一檢測測試晶圓上產生光罩印刷。多重柱射束陣列檢測系統中之射束柱間隔被設計及製造成用以根據產出光罩印刷尺寸使應用最佳化(102)。射束柱間隔可以是等距或不等距地分佈。例如,若晶圓上的最大光罩印刷尺寸係26毫米乘以32毫米,則多重柱軸線陣列可以被設計成具有略微大於26毫米乘以32毫米之間隔,使得接
受檢測的每一IC區域均不會彼此交疊。由於加工誤差及公差,實體電子光軸位置可能偏離設計位置(參見圖2,其中202係一多重射束柱系統之射束軸之實際座標,而204係射束軸之設計座標)。每一柱體射束軸位置可以被量測及校準(104),例如藉由一標準或已知實體特徵之平台移動至每一柱體之涵蓋範圍之中央。此柱體射束軸位置配置可以被傳送至光微影機器。在獲知每一電子射束柱體軸線的實體陣列座標之後,一光微影系統可以不時地自一產線配方切換至一執行檢測配方之印刷,其將印刷出對齊晶圓平面上之每一電子光學柱體軸線之確切位置之感興趣光微影子區域(106)。光罩印刷佈局從而可以被多重柱射束陣列更精確地檢測(108)。
一多重柱電子束檢測系統可以使用光罩之一特製(非產品)印刷以增強檢測精確度及/或效率。晶圓平面上之一完整光罩印刷被劃分成不同的檢測子區域,其具有類似的(例如,相同的)尺寸及方位。圖3例示一個被劃分成九個子區域以供一3 x 3多重柱電子束陣列檢測之晶圓平面上之一光罩印刷(302)之一實例。每一子區域(304)均對齊以供一不同電子射束柱進行有效率之檢測。
圖4例示一示範性製程實施例,用以產生一檢測測試晶圓以供光罩可印刷瑕疵檢測之應用。一多重柱電子束陣列之一界定座標的幾何地圖被輸入至一光微影曝光系統(402)。系統根據射束柱座標將整個光罩印刷分成子區域,並且指派陣列的每一射束柱以檢測光罩印刷之一不同子區域(404及502)。檢測測試晶圓(506)依據光微影需求被塗覆以光阻劑(photoresist)。光微影系統施用一檢測測試配方以在每一射束柱下產生重複光罩印刷(406及504)。每一射束柱均檢測晶圓上之光罩印刷之一不同子區域,
使得重複印刷圖案的所有部分均被同時檢測(408)。檢測測試晶圓上被光微影曝光的特徵被顯影。
光微影的重要瑕疵(例如,光罩瑕疵)將出現於晶圓上的每一個重複光罩印刷。圖6例示在具有光罩印刷之一檢測測試晶圓上被不同射束柱偵測到的示範性瑕疵(602)。瑕疵位置被併入一光罩印刷之一整體瑕疵分佈。此合併分佈將包含重複瑕疵以及一些非重複瑕疵。
圖7例示形成自於如圖6所例示的不同子區域中偵測到之瑕疵(602)之一合併瑕疵分佈(轉譯成一光罩(704)上之瑕疵位置(702))之一實例。一電子束複檢系統可以複檢檢測測試晶圓上(或者一產出晶圓上)的不同光罩印刷上的瑕疵斑點,以對瑕疵進行分類,舉例而言,就一瑕疵是否是因光微影誤差而重複或者因其他瑕疵來源而未重複(例如,存在污染微粒)加以分類(410)。光罩印刷的光微影重複瑕疵分佈座標被映射至光罩上的實體位置。光罩上的瑕疵座標可以被輸入至光罩本身上之一瑕疵複檢系統以對瑕疵進行分類或者執行一光罩修補流程。
一些射束柱可能隨著時間的推移而故障。圖8例示一製程實施例,用於一印刷佈局之重新組態以補償射束柱失效。當一射束柱失效被偵測到之時(802),可以修改印刷佈局而產生新的檢測子區域,以補償工作射束柱數目之改變(804)。新的子區域可以實質上異於先前的(在重新組態之前的)子區域。新印刷佈局被印刷出來(806)並且由多重柱射束陣列完整地檢測,且無失效的柱體(808)。例如,圖9例示一實例,其中光罩印刷的中央部分無法以3 x 3多重柱檢測系統的中央柱體(902)加以檢測。
圖10及圖11例示晶圓平面上的重新組構光罩印刷佈局以補
償錯失的中央區域之實例。注意檢測子區域的實質重新組態,其現在包含印刷的整個水平涵蓋範圍(1002)或垂直涵蓋範圍(1102)。光罩印刷現在藉由在八個,而非九個,子區域上進行檢測,此共同涵蓋了一光罩印刷的整個圖案。
為了進一步增加產出量,多個多重柱電子束檢測系統可以合作以檢測一完整光罩印刷的不同子區域。圖12例示一個使用於二個多重柱電子束檢測系統之中以共同檢測16個檢測子區域的二檢測測試晶圓(1202及1204)之實例。檢測子區域被分成二個包含八個子區域的群組(1206及1208),而每一子區域群組係分別藉由一個不同的多重柱檢測系統加以檢測。
圖13例示一示範性製程實施例,用於產生一檢測測試晶圓以在不同晶圓位置處檢測同一光罩印刷子區域。此例中,每一射束柱均對齊至同一光罩印刷座標。一多重柱電子束陣列之一界定座標的幾何地圖被輸入至一光微影曝光系統(1302)。系統決定待檢測之光罩印刷之子區域,並指派陣列的每一射束柱檢測每一光罩印刷的同一子區域(1304)。檢測測試晶圓依據光微影需求被塗覆以光阻劑。光微影系統施用一檢測測試配方以在每一射束柱下產生重複光罩印刷,且每一射束柱均對齊至光罩印刷之同一座標(1306)。預定接受檢測的某些晶圓製程(例如,蝕刻、熱退火、沉積)可以在光微影製程之後執行(1308)。每一射束柱檢測位於檢測測試晶圓上之一不同光罩印刷之同一特定子區域(1310)。檢測程序期間偵測到的瑕疵可以針對假性偵測及分類目的進行進一步的複檢(1312)。
圖14例示具有光罩佈局之一檢測測試晶圓之一實例(1402),其中每一射束柱均對齊一不同光罩印刷之同一座標(1404)。具有相
同圖案(1406)之相同子區域將在某些預先定義的製程組合(例如,蝕刻、沉積、以及快速熱退火)之後被檢測。
圖15例示在位於如圖14所例示之一檢測測試晶圓上之不同光罩印刷中所偵測到之一瑕疵(1502)分佈之一實例。
圖16例示多個多重柱系統可以使用多個檢測測試晶圓同時檢測不同光罩印刷子區域(1602、1604、1606、1608)之流程一致性,以進一步增進檢測產出量及檢測靈敏性。
圖17例示可以實施如本文所述之一晶圓檢測流程之一實施例之一電腦系統1700之一實施例。機器網路之一特別電腦系統1700可以包含一或多個處理單元1712、一系統記憶體1714以及一系統匯流排1716,系統匯流排1716將包含系統記憶體1714之各種系統組件耦接至處理單元1712。處理單元1712可以是任何邏輯處理單元,諸如一或多個中央處理單元(CPU)、數位信號處理器(DSP)、特定用途積體電路(ASIC)、現場可程式邏輯閘陣列(FPGA)、等等。系統匯流排1716可以採用任何已知的匯流排結構或架構,包含具有記憶體控制器之一記憶體匯流排、一週邊匯流排、以及一區域性匯流排。系統記憶體1714包含唯讀記憶體(ROM)1718以及隨機存取記憶體(RAM)1720。可以構成ROM 1718一部分之一基本輸入/輸出系統(BIOS)1722包含,諸如在開機期間,協助電腦系統1700內的元件之間的資訊傳輸的基本例程。
電腦系統1700亦可以包含複數介面,諸如網路介面1760、支援數據機1757的介面1758、或者任何其他無線/有線介面。
電腦系統1700可以包含一硬碟機1724以讀寫一硬碟1725、
一光碟機1726以讀寫可移除式光碟1730、及/或一磁碟機1728以讀寫磁碟1732。光碟1730可以是一CD-ROM,而磁碟1732可以是一軟性磁碟或磁片。硬碟機1724、光碟機1726以及磁碟機1728可以透過系統匯流排1716與處理單元1712進行通訊。硬碟機1724、光碟機1726以及磁碟機1728可以包含介面或控制器(圖中未顯示),耦接於此等裝置與系統匯流排1716之間,如同相關技術熟習者所習知。裝置1724、1726與1728,以及其相連之電腦可讀取儲存媒體1725、1730、1732,可以提供電腦可讀取指令、資料結構、程式模組及其他資料的非揮發性及非暫態性儲存給電腦系統1700。雖然所繪之電腦系統1700被例示成使用硬碟1724、光碟1726及磁碟1728,但相關技術之熟習者應能理解,其亦可以使用可以儲存能夠被一電腦存取之資料的其他類型電腦可讀取儲存媒體,諸如盒式磁帶(magnetic cassette)、快閃記憶體、數位視頻光碟(DVD)、伯努利卡匣(Bernoulli cartridge)、RAM、ROM、智慧卡(smart card)、等等。例如,電腦可讀取儲存媒體可以包含,但不限於,隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、電性可抹除可編程唯讀記憶體(EEPROM)、快閃記憶體、光碟(CD-ROM)、數位視頻光碟(DVD)、或其他光碟儲存器、盒式磁帶、磁帶、磁碟儲存器或其他磁性儲存裝置、固態記憶體、或者可被用以儲存所需資訊且可被處理單元1712存取的任何其他媒體。
程式模組可以儲存於系統記憶體1714之中,諸如作業系統1734、一或多個應用程式1736、其他程式或模組1738以及程式資料1740。應用程式1736可以包含使一或多個處理器1712執行如本文所述之一晶圓檢測流程之特色的指令。其他程式模組1738可以包含用於掌控諸如通行密碼或其他存取保護及通信加密之安全性工作的指令,以及用於控制及接收來
自一多重柱電子束陣列之資料的指令。系統記憶體1714亦可以包含通信程式,例如,一網路用戶端程式或瀏覽器1741,以使得電腦系統1700能夠針對諸如網際網路網站、企業內聯網(corporate intranet)、外聯網(extranet)、或者本文所述之其他網路及裝置、以及伺服器計算系統上的其他伺服器應用等資源進行資料的存取及交換。所描繪的實施例中的瀏覽器1741係以標記語言(markup language)為基礎,諸如超文件標記語言(Hypertext Markup Language;HTML)、可擴展標記語言(Extensible Markup Language;XML)、或者無線標記語言(Wireless Markup Language;WML),並配合標記語言運作,該等標記語言使用加入文件資料中之語法分隔字元以代表文件之結構。多個網路用戶端程式或瀏覽器可在市面上取得,諸如由Mozilla、Google、以及Microsoft提供者。
雖然例示成儲存於系統記憶體1714之中,但作業系統1734、應用程式1736、其他程式/模組1738、程式資料1740以及瀏覽器1741亦可以儲存於硬碟機1724的硬碟1725、光碟機1726的光碟1730及/或磁碟機的磁碟1732之上。
一操作者可以透過輸入裝置將命令及資訊輸入電腦系統1700,諸如透過一觸控螢幕或鍵盤1742及/或諸如滑鼠1744之一指向裝置、及/或透過一圖形使用者介面。其他輸入裝置可以包含麥克風、搖桿、遊戲控制盤、觸控板、掃描器、等等。上述及其他輸入裝置係透過一介面1746連接至一或多個處理單元1712,諸如透過一耦接至系統匯流排1716之串列埠介面,雖然亦可以使用其他介面,諸如平行連接埠、遊戲連接埠或者無線介面或者通用序列匯流排(USB)。一監視器1748或其他顯示裝置透過諸如
視訊轉接器之視訊介面1750耦接至系統匯流排1716。電腦系統1700可以包含其他輸出裝置,諸如揚聲器、印表機、等等。
電腦系統1700可以利用通往一或多個遠端電腦及/或裝置的邏輯連接,在一網路環境之中運作。舉例而言,電腦系統1700可以利用通往一或多個行動裝置、室內電話及其他服務提供者或者資訊伺服器的邏輯連接,在一網路環境之中運作。通訊可以是透過一有線及/或無線網路架構,例如有線及無線企業範圍電腦網路、內聯網、外聯網、電信網路、手機網路、傳呼網路(paging networks)、以及其他行動網路。通訊可以透過一WAN 1754或LAN 1752在電腦系統1700與外部裝置之間進行。外部裝置可以包含其他電腦系統1708a-n(共同稱為1708)以及外部儲存裝置1706。
熟習相關技術者應能領略,在相關技術之中普遍以本文闡述的方式描述裝置及/或流程,從而使用標準工程做法將此等描述之裝置及/或流程整合入更大的系統之中。
前述之特色描繪不同組件包含於其他不同組件之內,或者與其他不同組件連接。其應理解,此等描繪之架構僅係示範性質,且實務上其可以實施許多其他架構以達成相同之功能。在概念性的涵義上,達成相同功能的任何組件配置被有效地"相連",使得預定之功能得以達成。因此,在本文之中相結合以達成一特定功能的任意二組件均可以被視為彼此"相連",使得預定之功能被達成,無論其架構或居間之組件為何。同樣地,如此相連的任意二組件亦可以被視為彼此"有作用地連接"或者"有作用地耦接"以達成預定之功能。
本文所述之技術與程序可以透過分佈於一或多個計算裝置中的邏輯實施而成。邏輯的特定分佈與選擇可以隨著實施方式變動。
熟習相關技術者應能領略,本文所述之流程及/或系統能夠藉由各種邏輯實施方式加以實現(例如,硬體、軟體、及/或韌體),且較佳之手段將隨著流程安排的形式而有所不同。"軟體"表示可以因不同用途而隨時重新調構的邏輯(例如,讀/寫揮發性或非揮發性記憶體或媒體)。"韌體"表示實施成唯讀記憶體及/或媒體之邏輯。硬體則表示實施成類比及/或數位電路之邏輯。若一實施者斷定速度及精確度至為重要,則該實施者可以選擇硬體及/或韌體之手段;或者,若靈活性最為重要,則實施者可以選擇純粹的軟體實施方式;或者,又同樣備選性地,實施者可以選擇硬體、軟體、及/或韌體之組合。因此,本文所述之流程藉以實現之可能手段有許多,彼此之間並無一定的優劣判定,而是取決於手段安排的方式以及實施者的具體考量(例如,速度、靈活度、或者可預測性)以決定任何手段之選擇,任何部分均可以有所變化。熟習相關技術者應能領略,實施方式之光學特色可以包含光學導向之硬體、軟體、及/或韌體。
以上詳細說明透過方塊圖、流程圖、及/或實例之使用闡述裝置及/或流程的各種實施例。在此等方塊圖、流程圖、及/或實例包含一或多個功能及/或動作的情況下,相關領域的熟習者均應顯能理解,該等方塊圖、流程圖、或實例內的每一功能及/或動作均可以個別地及/或共同地藉由各式各樣的硬體、軟體、韌體、或者實際上其任意組合實施而成。本文所述主要內容的許多部分可以透過特定用途積體電路(ASIC)、現場可程式邏輯閘陣列(FPGA)、數位信號處理器(DSP)、或者其他整合形式實施而成。然而,
熟習相關技術者應能領略,本文揭示之實施例之若干特色,其整體或部分,可以被等效地實施於標準積體電路之中、實施成在一或多部電腦上運行之一或多個電腦程式(例如,實施成在一或多個電腦系統上運行之一或多個程式)、實施成在一或多個處理器上運行之一或多個程式(例如,實施成在一或多個微處理器上運行之一或多個程式)、實施成韌體、或者實際上實施成其任意組合,並且得力於此揭示,針對相關軟體或韌體設計電路及/或編寫程式碼應係相關領域熟習者之技能內顯能勝任之事。此外,熟習相關技術者應能理解,本文所述內容之機制均能夠以各種形式被發行為一程式產品,且無論用以實際上執行該發行之信號承載媒體之特定類型為何,本文所述內容之例示性實施例均相等地適用。信號承載媒體之實例包含,但不限於,以下項目:諸如軟碟、硬碟機、CD-ROM、數位磁帶之可寫錄類型媒體,以及電腦記憶體。
在一般意義上,熟習相關技術者應能領略,本文所述之各種特色可以個別地及/或共同地藉由各式各樣的硬體、軟體、韌體、或者實際上其任意組合實施而成,此可視為其由各種類型之"電路"構成。因此,在本說明書之中,"電路"包含,但不限於,具有至少一離散電路之電路、具有至少一積體電路之電路、具有至少一特定用途積體電路之電路、形成由電腦程式組構而成之一般用途計算裝置之電路(例如,由電腦程式組構而成之一般用途電腦,該電腦程式至少局部地實現本文所述之流程及/或裝置,或者由電腦程式組構而成之一微處理器,其至少局部地實現本文所述之流程及/或裝置)、形成一記憶體裝置之電路(例如,隨機存取記憶體之形式)、及/或形成一通訊裝置之電路(例如,數據機、通訊交換機、或者光電設備)。
熟習相關技術者應能領略,在相關技術之中普遍以本文闡述的方式描述裝置及/或流程,從而使用標準工程做法將此等描述之裝置及/或流程整合入更大的系統之中。換言之,本文所述之裝置及/或流程的至少一部分可以透過一合理數量之實驗,被整合入一網路處理系統之中。
前述之特色描繪不同組件包含於其他不同組件之內,或者與其他不同組件連接。其應理解,此等描繪之架構僅係示範性質,且實務上其可以實施許多其他架構以達成相同之功能。在概念性的涵義上,達成相同功能的任何組件配置被有效地"相連",使得預定之功能得以達成。因此,在本文之中相結合以達成一特定功能的任意二組件均可以被視為彼此"相連",使得預定之功能被達成,無論其架構或居間之組件為何。同樣地,如此相連的任意二組件亦可以被視為彼此"有作用地連接"或者"有作用地耦接"以達成預定之功能。
402-410‧‧‧步驟
Claims (19)
- 一種半導體晶圓檢測製程,包含:自一特製光罩曝光佈局配置建立一檢測測試晶圓,該特製光罩曝光佈局配置不同於一產出晶圓之一產出印刷佈局;利用一多重柱電子束系統檢測該檢測測試晶圓之瑕疵;在與該產出晶圓相同的條件下處理該檢測測試晶圓,但光微影曝光步驟被修改,以在該檢測測試晶圓之平面上建立一光罩印刷配置,從而安排每一光罩印刷之子區域使之對齊不同射束柱;以及利用該多重柱電子束系統之不同柱體檢查該晶圓平面上之重複光罩印刷中的子區域的其中一者。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中位於一光罩印刷之座標內的子區域在該晶圓平面的x和y維度上均彼此偏移特定之量。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中實體多重柱射束軸位置利用一校準晶圓先被校準以取得每一射束軸之晶圓座標,其包含設計硬體配置、機械誤差、以及組合公差。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中若一射束柱隨著時間之推移而失效,則該光罩印刷被重新產生並被重新劃分成一不同數目之子區域,使得完整之光罩印刷瑕疵資訊繼續藉由殘餘的工作射束柱共同並完整地檢測。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中若一射束柱隨著時間之推移而失效,則後續的檢測藉由一單柱電子束系統執行,該系統掃描對應至故障射束柱之未檢測區域中的瑕疵。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中每一子區域均被定義成各自具有相同的尺寸及方位。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中一重複光罩印刷之關鍵區域被劃分成子區域,每一子區域之柱體射束狀況被特製地設定成用以達成對應子區域中之瑕疵之最佳偵測。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中一重複光罩印刷之關鍵區域被劃分成檢測子區域,每一特製對齊一對應射束柱之實體位置以最佳化檢測期間之產出量及瑕疵靈敏度。
- 如申請專利範圍第8項之半導體晶圓檢測製程,其中子區域被進一步分配成不同群組,且位於不同檢測測試晶圓上的不同群組由不同的多重柱射束系統同時檢測。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中每一射束柱檢測位於該檢測測試晶圓平面上之一不同光罩印刷中之一子區域。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中使用一個以上的檢測測試佈局,各自位於一不同的晶圓之上,以及一個以上的多重柱檢測系統,以供一整個光罩印刷的不同子區域之檢測。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中一複檢流程被套用至該檢測測試晶圓以進一步針對瑕疵進行分析及分類,且根據從該晶圓平面上之一集體瑕疵分佈到對應至偵測出之瑕疵之實體光罩座標的映射關係(mapping)執行一光罩修補流程。
- 一種半導體晶圓檢測製程,包含:印刷一檢測測試晶圓於一佈局之中,該佈局將該晶圓上之不同光罩印 刷之一相同子區域對齊至一多重柱射束系統之射束軸;以及若一射束柱隨著時間之推移而失效,則運用一單柱電子束檢測系統以檢測該檢測測試晶圓上之未檢測區域。
- 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓檢測製程,其中每一檢測子區域之尺寸及方位係相同的。
- 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓檢測製程,其中光罩印刷之關鍵區域本身被劃分成檢測子區域,且射束柱狀況針對每一對應子區域被設定成用於瑕疵之最佳偵測。
- 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓檢測製程,其中子區域被形成群組,且不同群組位於不同檢測測試晶圓之上並由不同的多重柱檢測系統同時檢測。
- 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓檢測製程,其中重複光罩印刷被配置於檢測測試晶圓平面之上,使得每一射束柱均掃描每一光罩印刷之一相同對應子區域。
- 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓檢測製程,其中一複檢流程被套用於該檢測測試晶圓以進一步對瑕疵進行分析及分類。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓檢測製程,其中重複光罩印刷被配置於該檢測測試晶圓的平面之上,使得每一射束柱均掃描每一光罩印刷之一不同對應子區域。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361826500P | 2013-05-23 | 2013-05-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201507046A true TW201507046A (zh) | 2015-02-16 |
| TWI582877B TWI582877B (zh) | 2017-05-11 |
Family
ID=51933880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103117594A TWI582877B (zh) | 2013-05-23 | 2014-05-20 | 使用特製印刷方法的多重柱電子束檢測 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9040910B2 (zh) |
| TW (1) | TWI582877B (zh) |
| WO (1) | WO2014189465A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI809195B (zh) * | 2018-09-19 | 2023-07-21 | 美商科磊股份有限公司 | 用於埋藏缺陷之特徵化之系統及方法 |
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| US10347460B2 (en) | 2017-03-01 | 2019-07-09 | Dongfang Jingyuan Electron Limited | Patterned substrate imaging using multiple electron beams |
| CN115071298B (zh) * | 2022-07-11 | 2024-06-04 | 河南省华锐光电产业有限公司 | 一种混排基板的液晶印刷方法、系统及装置 |
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- 2014-05-19 WO PCT/SG2014/000216 patent/WO2014189465A1/en not_active Ceased
- 2014-05-19 US US14/281,772 patent/US9040910B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-20 TW TW103117594A patent/TWI582877B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9040910B2 (en) | 2015-05-26 |
| TWI582877B (zh) | 2017-05-11 |
| WO2014189465A1 (en) | 2014-11-27 |
| US20140346350A1 (en) | 2014-11-27 |
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