TW201505739A

TW201505739A - 薄膜形成用濺鍍靶及其製造方法

Info

Publication number: TW201505739A
Application number: TW103115698A
Authority: TW
Inventors: Atsushi Saito; Rie Mori
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2013-05-07
Filing date: 2014-05-01
Publication date: 2015-02-16
Also published as: JP2014237889A

Abstract

本發明之目的係提供一種在成膜記錄膜時，不需使用反應性濺鍍氣體，即能夠進行直流(DC)濺鍍，減低材料費之同時，適用於記錄膜時，亦可得到充分特性的薄膜之薄膜形成用濺鍍靶。本發明之薄膜形成用濺鍍靶，係由具有已分散分佈金屬相與氧化物相的組織之燒結體構成，該金屬相為Cu及Ti之中的1種或2種，包含Zn、與Si、與Al、Ga以及In之中的1種或2種以上，包含在前述燒結體之金屬元素，係以原子比(Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.001以上，Si/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.005以上，(Si+Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.33以下，(Cu+Ti)/(Cu+Ti+Al+Ga+In+Zn+Si)為0.15~0.90。

Description

薄膜形成用濺鍍靶及其製造方法

本發明係關於例如用於形成CD、DVD、Blu-ray Disc(登錄商標，以下稱為BD)等中所使用之光記錄介質中的成膜記錄膜的薄膜形成用濺鍍靶及其製造方法。

近年來伴隨著照片或動畫的高畫質化，記錄到光記錄介質等之際，數字化數據增大，被要求記錄介質的高容量化，當作高記錄容量的光記錄介質，藉由兩層記錄方式，已經被銷售具有50GB之容量的BD。此BD係今後亦被期望更高容量化，廣泛地進行藉由記錄膜的多層化之高容量化的研究，進而，亦進行光記錄介質的低成本化。

在以往光記錄介質，例如於BD之記錄膜，當作一例採用由Sn-Nb-N構成的氮化物，藉由濺鍍法成膜(例如參照專利文獻1)。在此記錄膜，組合藉由記錄時的加熱，於層達到溫度以下持有分解溫度之金屬的氮化物，與藉由記錄時的加熱，於層達到溫度不會引起化學反應或相變之金屬的氮化物，在穩定性、記錄後之低雜訊的點來看，在前者的氮化物，Sn的氮化物，在後者的氮化物，Nb的氮化物被使用。成膜此記錄膜時，在真空室內流動微量Ar及N₂的混合氣體，設為規定的壓力，然後，藉由於金屬之Sn與Nb所構成之Sn-Nb濺鍍靶施加高頻率(RF)電力並放電，由Sn-Nb濺鍍靶被彈出的元素Sn及Nb與N₂反應，成膜Sn-Nb氮化物。

又，上述記錄膜的成膜時，雖使用Sn-Nb濺鍍靶，亦已知準備Sn濺鍍靶與Nb濺鍍靶之分別的靶，進行共濺射靶之情形(例如參照專利文獻2)。此情形係於真空室內流通微量Ar及N₂的混合氣體，設為規定的壓力，接著，於Sn濺鍍靶施加直流(DC)電力，於Nb濺鍍靶施加高頻率(RF)電力，藉由放電，自Sn濺鍍靶與Nb濺鍍靶而分別被彈出的元素Sn及元素Nb會與N₂反應，而成膜Sn-Nb氮化物。

又，雖敘述有關於上述記錄膜使用Sn-Nb氮化物的情形，已知在記錄膜也使用其它例如Te-Pd氧化物(例如參照專利文獻3)。此係使用Te-Pd濺鍍靶，在濺鍍氣體Ar及O₂的環境中，施加高頻率(RF)電力之同時，成膜由Te-O-Pd構成的記錄膜者。

另一方面，亦已知將氧化鋅設為主成分之氧化鋅薄膜形成用濺鍍靶(例如參照專利文獻4)。此濺鍍靶係當作元素種含有具有鋅(Zn)及氧(O)以外之至少一種以上之元素種的添加元素X，前述添加元素X係在靶中未含有氧的化合物，具有前述添加元素X與在靶中含有氧的化合物之添加元素Y係共存的組織。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本國特開2007-335020號公報(A)

[專利文獻2]日本國特開2006-18981號公報(A)

[專利文獻3]日本國專利第4560495號公報(B)

[專利文獻4]日本國特開2009-263709號公報(A)

當作藉由上述以往技術的記錄膜，例如成膜由Sn-Nb氮化物構成的膜時，採用使用Sn-Nb濺鍍靶之濺鍍法，或採用使用Sn濺鍍靶與Nb濺鍍靶之共濺射靶法，任一種濺鍍法中，當作反應濺鍍氣體，需要N₂，變成成本增多，還有，使用高頻率(RF)濺鍍，不提升生產性。又，即使將Te-Pd氧化物使用於記錄膜之情形，施加高頻率(RF)電力成膜，不僅不提升生產性，亦有材料成本變高的問題。

於是，本發明之目的係提供成膜記錄膜時，不需使用反應性濺鍍氣體，即能夠以一個濺鍍靶進行直流(DC)濺鍍，並在減低材料費之同時，適用於記錄膜時，得到充分特性的薄膜之薄膜形成用濺鍍靶。

本發明者們注目於表示在上述引用文獻4之將氧化鋅(ZnO)設為主成分的氧化鋅薄膜形成用濺鍍靶。另外，此濺鍍靶係透明導電膜用，因並非將光記錄介質的記錄膜當作目的者，而無法得到當作記錄膜的充分特性。

於是，使用於ZnO添加氧化鋁(Al₂O₃)與氧化矽(SiO₂)而構成之AZOSO系濺鍍靶與銅(Cu)構成金屬靶，藉由進行共濺射靶，試圖由AZOSO-Cu構成薄膜的成膜。至於於此成膜的薄膜，照射激光束，實施記錄標記的書寫評估時，得到此薄膜的特性係充分接近以往使用的記錄膜之特性(藉由書寫的調製率)的結果。此處，AZOSO系濺鍍靶與Cu構成金屬靶，藉由共濺射靶而濺鍍成膜，可以一個AZOSO系濺鍍靶成膜之方式，在濺鍍靶的成分組成上下工夫。

於是，將經調配ZnO粉末、Al₂O₃粉末、SiO₂粉末、Cu粉末的混合粉末加壓燒結，製作濺鍍靶，使用此濺鍍靶藉由直流(DC)濺鍍成膜薄膜時，證實可得到由AZOSO-Cu構成的薄膜。接著，關於此薄膜，照射激光束，實施對比變化的評估時，得到當作記錄膜之提供在實用上的充分特性(調製率)。

進而，關於此濺鍍靶的成分組成，進行各種檢討時，取代Al₂O₃粉末調配氧化鎵(Ga₂O₃)粉末、氧化銦 (In₂O₃)粉末，進一步，當作金屬成分，Cu粉末以外即使調配鈦(Ti)粉末，可得到當作記錄膜之提供在實用上的充分特性(調製率)之結果。

因此，本發明係由上述見識得到者，為了解決前述課題採用以下的構成。

(1)本發明之一種濺鍍靶，係由具有已分散分佈金屬相與氧化物相的組織之燒結體構成，該金屬相為由Cu及Ti之中的1種或2種，該氧化物相為包含Zn、與Si、與Al、Ga以及In之中的1種或2種以上，其特徵為：包含在前述燒結體之金屬元素係以原子比(Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.001以上，Si/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.005以上，(Si+Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.33以下，(Cu+Ti)/(Cu+Ti+Al+Ga+In+Zn+Si)為0.15~0.90。

(2)本發明之一種薄膜形成用濺鍍靶的製造方法，其特徵為：調製包含Al氧化物粉末、Ga氧化物粉末及In氧化物粉末之中的1種或2種以上與Zn氧化物粉末與Si氧化物粉末與Cu及Ti之中的1種或2種之金屬粉末之混合粉末，將該混合粉末在真空或惰性環境中燒結而得到燒結體。

(3)本發明之一種光記錄介質用記錄膜，其特徵為：使用如前述(1)的濺鍍靶而以濺鍍成膜，且含有Cu及 Ti之中的1種或2種與Zn與Si與Al、Ga及In之中的1種或2種以上。

以下說明關於上述本發明之薄膜形成用濺鍍靶的製造方法。

此製造方法係由含有以適宜的比率已調配Cu粉末及Ti粉末之金屬原料粉末成形壓粉體，燒結此壓粉體製造薄膜形成用濺鍍靶。各原料粉末係滿足金屬元素的原子比R1、R2、R3、R4成為以下條件的方式調配。金屬元素的原子比R1：(Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.001以上，原子比R2：Si/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.005以上，原子比R3：(Si+Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.33以下，且，原子比R4：Me/(Me+Al+Ga+In+Zn+Si)為0.15~0.90之條件。藉此可得到具有本發明所規定的組成之濺鍍靶。尚且，金屬元素的原子比R1~R4中，關於無法調配金屬元素，當作0計算。

上述金屬元素之原子比R1~R4的標記中，「Me」表示每恆定體積之濺鍍靶的Cu元素與Ti元素的合計原子數。同樣地「Al」、「Ga」、「In」、「Zn」及「Si」分別表示鋁原子、鎵原子、銦原子、鋅原子及矽原子的原子數。

此處，將原子比R1設為0.001以上之理由，係若其R1未達0.001，則氧化物組織的比電阻變高，與金屬組織之比電阻的差别變得太大，濺鍍時容易發生異常放電。

將原子比R2設為0.005以上之理由，係若其R2未達0.005，則膜的結晶化抑制變成不充分，即使照射激光束，無法獲得足以當作記錄膜之提供在實用上左右的大調製率。

又，將原子比R3設為0.33以下之理由，係若其R3超過0.33，則氧化物組織的比電阻變高，與金屬組織之比電阻的差别變得太大，容易發生濺鍍時的異常放電。

進而，藉由調配金屬粉末，濺鍍靶本身的比電阻較小，雖可進行直流(DC)濺鍍，但將原子比R4設為0.15~0.90之理由，係若其R4未達0.15，則「Cu」及「Ti」過少，即使激光束的照射，無法獲得足以當作記錄膜之提供在實用上左右的大調製率，若超過0.90，則「Cu」及「Ti」過多，此情形亦即使激光束的照射，同樣地無法產生大對比變化。尚且，關於原子比R4，設為0.15~0.90，藉由佳為0.25~0.85，更佳為0.35~0.80，可得到更大調製率。

說明了關於原子比的數值範圍，至於濺鍍靶組成亦同樣。

接著，本發明之薄膜形成用濺鍍靶的製造時，將Al氧化物粉末、Ga氧化物粉末及In氧化物粉末之中的1種或2種以上，與Zn氧化物粉末與Si氧化物粉末與Me粉末(Cu金屬粉末及Ti金屬粉末之中的1種或2種)滿足上述原子比R1~R4的條件之方式調配並混合，將所得到混合粉末以750~1350℃，佳為900~1250℃，2~ 9小時，100~500kgf/cm²的加重，在真空或惰性氣體環境中加壓燒結，而所得到燒結體當做濺鍍靶。尚且，加壓燒結係熱壓(HP)、熱等靜壓(HIP)之任一者均可。

說明關於以本發明的製造方法所製造之薄膜形成用濺鍍靶的一具體例。

首先準備Al₂O₃粉末：0.9mol%、SiO₂粉末：7mol%、Cu粉末：65mol%、ZnO粉末：殘餘，混合該粉末，在真空環境中將所得到混合粉末以900℃、3小時、300kgf/cm²的加重加壓燒結而得到燒結體。機械加工該燒結體，而製造濺鍍靶。此處，原子比R1為0.049，原子比R2為0.197，原子比R3為0.246，原子比R4為0.644，滿足上述的原子比R1~R4的條件。至於所製造濺鍍靶的組成成分進行分析，在圖1表示該分析結果。

關於所製造濺鍍靶，圖1的照片係以EPMA(場發射式電子探針)所得到元素分佈圖像，從圖中的5張照片，可分別觀察到Al、Zn、Si、O、Cu之各元素的組成分佈之狀態。尚且，雖然根據EPMA之元素分佈圖像係原本為彩色圖像，在圖1的照片，示出已轉換為黑白圖像，該照片中顯示越白則該元素濃度越高。

具體而言，在有關Al的分佈圖像，可觀察到Al元素為白色，斑點狀(較為白色部分)分佈，在有關Zn的分佈圖像，可觀察到Zn元素係分散分佈地存在，其中，該濃度越高則所看到白色部分會存在，在有關O的分佈圖像，可觀察到O元素係存在於與Zn元素的分散分佈重複的區域。並且，Al、Zn、Si的各元素係與O元素的分散分佈重複。另一方面，根據有關Cu的分佈圖像，可觀察到Cu元素濃度越高的部分，係存在於O元素非存在的部分。就這些關點，可推及Zn與Al與Si之複合氧化物係存在於Cu金屬的基體中。

另一方面，圖2的曲線示出如上述般所製造透明氧化物膜形成用濺鍍靶之利用X-射線衍射(XRD)的分析結果。雖然圖2之上部的曲線，示出全體的尖峰，在該中間的曲線，示出Cu的尖峰，並且，在該下部的曲線，示出Zn₂SiO₄的尖峰，進而，在更下部的曲線，示出ZnO的尖峰。一併考慮表示在圖1的分佈圖像與顯示在圖2之曲線的尖峰時，可知Cu及ZnO與/或AZO(經摻雜Al的ZnO)及Zn與Si之複合氧化物係分別被檢測出尖峰。

綜上所述，在所製造濺鍍靶，於由Al-Zn-Si-Cu-O之五元系元素構成的燒結體，可確認Cu金屬相中，至少ZnO與/或AZO(經摻雜Al的ZnO)及Zn與Si的複合氧化物存在，但是SiO₂的結晶相不存在。根據此濺鍍靶，亦確認了濺鍍時可減低異常放電‧粒子數的產生，並且，可以直流(DC)濺鍍成膜薄膜。尚且，將Al取代為Ga之Ga-Zn-Si-Cu-O之五元系元素構成的燒結體之情形，進而，將Al取代為In之In-Zn-Si-Cu-O之五元系元素構成的燒結體之情形都一樣。又，將Cu取代為Ti之五元系元素構成的燒結體之情形亦一樣。

關於使用依照上述順序所製造濺鍍靶而經濺鍍成膜的薄膜，實施記錄標記的書寫評估時，得到該調製率為0.44的結果。此數值顯示當作記錄膜為可提供在實用上之充分特性。該濺鍍靶適於光記錄介質，例如CD、DVD、BD等記錄膜的成膜者。

尚且，使用上述濺鍍靶進行濺鍍成膜時，取代真空或惰性氣體環境中，若在N₂環境中進行，則可得到藉由氮化物的薄膜，此薄膜亦可當作光記錄介質的記錄膜。

如上述般，根據本發明，將Al氧化物粉末、Ga氧化物粉末與In氧化物粉末之中的1種或2種以上，及Zn氧化物粉末與Si氧化物粉末與Me金屬粉末(含有Cu金屬粉末及Ti金屬粉末之中的1種或2種)，以原子比R1為0.001以上，原子比R2為0.005以上，原子比R3為0.33以下，且原子比R4為0.15~0.90之調配比的方式調配混合粉末後燒結得到燒結體，而當作薄膜形成用濺鍍靶，於是，濺鍍時可減低異常放電‧粒子數的產生，變成可以直流(DC)濺鍍成膜薄膜，使用該濺鍍靶而經成膜的薄膜，並且，亦確認當作記錄膜具有可提供在實用上之充分特性(調製率)，可適於光記錄介質，例如CD、DVD、BD等記錄膜的成膜，另外，可以廉價材料構成，不需要反應濺鍍氣體等，可減低成膜成本，賦予光記錄介質的生產性提升。

[圖1]關於本發明之薄膜形成用濺鍍靶的一具體例，將其組織藉由EPMA測定之各元素的元素分佈圖像。

[圖2]表示本發明的薄膜形成用濺鍍靶之X射線繞射(XRD)的分析結果曲線。

接著，關於本發明的薄膜形成用濺鍍靶及其製造方法，藉由實施例以下具體地說明。

〔實施例〕

首先，為了製造本實施例的薄膜形成用濺鍍靶，準備氧化鋅粉末(化學式：ZnO、D₅₀=1μm)、氧化矽粉末(化學式：SiO₂、D₅₀=2.0μm)、氧化鋁粉末(化學式：Al₂O₃、D₅₀=0.2μm)、氧化鎵粉末(化學式：Ga₂O₃、D₅₀=1.7μm)、氧化銦粉末(化學式：In₂O₃、D₅₀=11μm)當作氧化物的原料粉末，進而，準備銅粉末(化學式：Cu、D₅₀=3.0μm)、鈦粉末(化學式：Ti、D₅₀=29.0μm))當作金屬的原料粉末。於是，如表示在表1，成為規定的比率之方式秤重選自各原料粉末的原料粉末。

於塑料容器投入經秤重的原料粉末與其3倍量(重量比)的氧化鋯球，以球磨裝置濕式混合18小時，得到實施例1~25的混合粉末。尚且，在此際的溶媒，例如使用醇。接著，乾燥所得到實施例1~25的分別混合粉末後、以各種溫度900~1200℃、3小時、300kgf/cm²環境下真空熱壓而得到燒結體。機械加工此，製作實施例1~25的濺鍍靶。對此加工後的濺鍍靶，將In當作焊料，焊接由Cu或SUS(不銹鋼)或其它金屬(例如Mo)構成墊板。尚且，靶的大小設為直徑125mm×厚度5mm。此處，取代真空中的熱壓(HP)，可在惰性氣體中進行熱壓。又，不限於熱壓，熱等靜壓(HIP)等，亦可以其它方法進行加壓燒結。

又，為了與本實施例的比較，製作比較例的濺鍍靶。使用上述已準備的各原料粉末，如表示在表1，成為規定的比率之方式秤重選自各原料粉末的原料粉末，與本實施例的情形同樣地，以球磨裝置濕式混合18小時，得到比較例1~8的混合粉末，並乾燥所得到比較例1~8之分別的混合粉末後，以各種溫度900~1000℃在3小時、300kgf/cm²的環境下真空熱壓而得到燒結體，機械加工此，製作比較例1~8的濺鍍靶。

在表1中，以莫耳比(mol%)表示實施例1~25及比較例1~8之混合粉末的原料組成。表1之此原料組成的莫耳比表示，係表示當作實際上使用之原料粉末的氧化物之作為ZnO粉末、SiO₂粉末、Al₂O₃粉末、Ga₂O₃粉末及In₂O₃粉末的分子量之莫耳比。關於Cu及Ti，係非當作上述金屬氧化物的原料粉末，而表示作為Cu及Ti之原子的莫耳比。

將最後製造濺鍍靶之恆定體積中含有鋅原子、矽原子、鋁原子、鎵原子及銦原之分別原子數以「Zn」、「Si」、「Al」、「Ga」及「In」標記，進而，若將Cu原子及Ti原子的合計原子數以「Me」標記時，則各原料粉末係滿足金屬元素的原子比R1：(Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.001以上，原子比R2：Si/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.005以上，原子比R3：(Si+Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.33以下，且，原子比R4：Me/(Me+Al+Ga+In+Zn+Si)為0.15~0.90之條件的方式調配。

實施例1~25及比較例1~8的混合粉末係滿足上述金屬元素之原子比R1~R4的條件狀態係表示在以下的表2。

接著，使用上述實施例1~25及比較例1~8的濺鍍靶，藉由以下的成膜條件，在聚碳酸酯(PC)基板上進行成膜試驗，成膜實施例1~25及比較例1~8的薄膜(記錄膜)。

<成膜條件>

‧電源：DC1000W

‧全壓：0.4Pa

‧濺鍍氣體：Ar=45sccm

‧靶-基板(TS)距離：70mm

藉由依照上述成膜條件的成膜試驗，測量異常放電次數(次數/時間)。其結果表示在表3。

<異常放電次數的測量>

以上述條件進行濺鍍1小時，測量異常放電的次數。然後，打開濺鍍真空室，確認真空室內的粒子數。

接著，至於使用上述實施例1~25及比較例1~8的濺鍍靶在PC基板上經成膜實施例1~25及比較例1~8的薄膜，藉由脈衝激光束的照射，進行對比變化的評估。其結果表示在表3。

<記錄標記的書寫評估>

在記錄標記的書寫評估時，當作樣品在厚度為1.1mm的PC基板上以瞄準100nm的厚度成膜薄膜(記錄膜)。至於所製作薄膜，使用TOPTICA Photonics AG製裝置 (MediaTest-1)，進行調製的測定。在記錄標記的書寫時，使用波長為399nm、輸出為3.0mW、300ns的脈衝激光束。又，在表示記錄標記的書寫變化之調製的測定時，使用波長為422nm、輸出為0.2mW的激光束，進行書寫照射。

尚且，關於調製率，將記錄標記的反射強度當作電壓值(V)檢測，並藉由以下的計算式求出。

(調製率)={(照射後的反射強度)-(照射前的反射強度)}/(照射前的反射強度)

如表示在表3，確認了於實施例1~25之濺鍍靶的任一者，異常放電次數少而在濺鍍實施上不會成為任何問題程度，可進行直流(DC)濺鍍。又，確認了使用實施例1~25之濺鍍靶的任一者所成膜薄膜亦可得到充分調製率當作記錄膜。

另一方面，在使用比較例1、2、4、7、8之濺鍍靶的濺鍍，所成膜薄膜的對比變化雖然充分，但異常放電次數多，對濺鍍造成影響。又，關於比較例3的濺鍍靶，異常放電次數少，雖然濺鍍實施上不會成為任何問題，Si氧化物的添加量少，故調製率小，當作記錄膜無法提供在實用上者。關於比較例5的濺鍍靶，異常放電次數少，濺鍍實施上不會成為任何問題，但由於Cu金屬的添加量太少，調製率不會變大，而當作記錄膜無法提供在實用上者。又，關於比較例6的濺鍍靶，異常放電次數少，濺鍍實施上不會成為任何問題，當作金屬成分，由於Cu的添加量太多，調製率小，無法提供在實用上者。

如以上所述，根據藉由本發明之薄膜形成用濺鍍靶的製造方法，確認了將Al氧化物粉末、Ga氧化物粉末及In氧化物粉末之中的1種或2種以上，及Zn氧化物粉末，與Si氧化物粉末，與Me粉末(含有Cu金屬粉末及Ti金屬粉末之中的1種或2種)以成為關於Al氧化物粉末、Ga氧化物粉末及In氧化物粉末之中的1種或2種以上之原子比R1為0.001以上，關於Si氧化物粉末之原子比R2為0.005以上，關於Al氧化物粉末、Ga氧化物粉末及In氧化物粉末之中的1種或2種以上與Si氧化物粉末之原子比R3為0.33以下，且，關於Me金屬粉末之原子比R4為0.15~0.90之調配比的方式調配混合粉末後加壓燒結得到燒結體，而當作薄膜形成用濺鍍靶，於是，濺鍍時可減低異常放電‧粒子數的產生，變成可以直流(DC)濺鍍成膜薄膜，使用該濺鍍靶而經成膜的薄膜，係當作記錄膜具有可提供在實用上充分特性(調製率)。可知當作光記錄介質，例如CD、DVD、BD等記錄膜，以廉價材料構成，不需要反應濺鍍氣體等，可減低成膜成本，賦予光記錄介質的生產性提升。

尚且，為了將本發明當作濺鍍靶來利用，表面粗糙度：5.0μm以下，更佳為1.0μm以下，粒徑：20μm以下，更佳為10μm以下，金屬系雜質濃度：0.1原子%以下，更佳為0.05原子%以下，抗折強度：50MPa以上，更佳為100MPa以上為佳。上述各實施例，係任一者均滿足該條件者。

又，本發明的技術範圍並不限於上述實施形態及上述實施例者，不脫離本發明的要旨和範圍中，可進行各種修改。

例如，在上述實施形態及上述實施例中，雖藉由熱壓進行加壓燒結，當作其它方法，採用HIP法(熱間等單加壓式燒結法)等亦無妨。

Claims

一種濺鍍靶，其係由具有已分散分佈金屬相與氧化物相的組織之燒結體構成，該金屬相為由Cu及Ti之中的1種或2種所構成，該氧化物相為包含Zn、Si、Al、Ga以及In之中的1種或2種以上，其特徵為：包含在前述燒結體之金屬元素，係以原子比(Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.001以上，Si/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.005以上，(Si+Al+Ga+In)/(Al+Ga+In+Zn+Si)為0.33以下，(Cu+Ti)/(Cu+Ti+Al+Ga+In+Zn+Si)為0.15~0.90。
一種濺鍍靶的製造方法，其係如申請專利範圍第1項之濺鍍靶的製造方法，其特徵為：調製包含Al氧化物粉末、Ga氧化物粉末及In氧化物粉末之中的1種或2種以上、與Zn氧化物粉末、與Si氧化物粉末、與Cu及Ti之中的1種或2種之金屬粉末之混合粉末，將該混合粉末在真空或惰性環境中燒結得到燒結體。
一種光記錄介質用記錄膜，其特徵為：使用如申請專利範圍第1項的濺鍍靶而以濺鍍成膜，且含有Cu及Ti之中的1種或2種與Zn與Si與Al，Ga及In之中的1種或2種以上。