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TW201448202A - 顯示元件的製造方法，顯示元件及顯示裝置 - Google Patents

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TW201448202A
TW201448202A TW103104407A TW103104407A TW201448202A TW 201448202 A TW201448202 A TW 201448202A TW 103104407 A TW103104407 A TW 103104407A TW 103104407 A TW103104407 A TW 103104407A TW 201448202 A TW201448202 A TW 201448202A
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TW
Taiwan
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layer
resin
peeling
region
display
Prior art date
Application number
TW103104407A
Other languages
English (en)
Inventor
Kentaro Miura
Tatsunori Sakano
Tomomasa Ueda
Nobuyoshi Saito
Shintaro Nakano
Yuya Maeda
Hajime Yamaguchi
Original Assignee
Toshiba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Toshiba Kk filed Critical Toshiba Kk
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Abstract

根據一實施例，揭示顯示元件的製造方法。該方法可包括：形成剝離層、形成樹脂層、形成障壁層、形成互連層、形成顯示層、及移除。該剝離層係形成在基體的主表面上。該主表面具有第一、第二、及第三區。該剝離層包括第一、第二、及第三剝離部。該樹脂層係形成在該剝離層上。該樹脂層包括第一和第二樹脂部。該障壁層係形成在該第一、第二、及第三剝離部上。該互連層係形成在該障壁層上。該顯示層係形成在該互連層上。該第一剝離部係從該第一樹脂部移除，及該第二剝離部係從該第二樹脂部移除。

Description

顯示元件的製造方法，顯示元件及顯示裝置
此處所說明的實施例係相關於顯示元件的製造方法、顯示元件及顯示裝置。
撓性薄板型顯示元件的需求隨著行動裝置的快速普及而增加。希望增加此種顯示元件的可靠性。
DL‧‧‧劃分線
dr‧‧‧距離
α‧‧‧部位
Da‧‧‧顯示區
Pa‧‧‧周邊區
dx‧‧‧照射間隔
5‧‧‧基體
5mf‧‧‧主表面
5a‧‧‧第一區
5b‧‧‧第二區
5c‧‧‧第三區
10‧‧‧剝離層
11‧‧‧第一剝離部
12‧‧‧第二剝離部
13‧‧‧第三剝離部
20‧‧‧樹脂層
20d‧‧‧溝渠
21‧‧‧第一樹脂部
21s‧‧‧第一側表面
22‧‧‧第二樹脂部
22s‧‧‧第二側表面
31‧‧‧障壁層
32‧‧‧第一保護層
33‧‧‧第二保護層
40‧‧‧互連層
41‧‧‧閘極絕緣膜
42‧‧‧通道保護層
43‧‧‧鈍化層
44‧‧‧平面化層
45‧‧‧像素電極
46‧‧‧觸排
50‧‧‧顯示層
51‧‧‧電洞注入層
52‧‧‧電洞傳輸層
53‧‧‧有機發光層
54‧‧‧電子傳輸層
55‧‧‧電子注入層
56‧‧‧陰極
57‧‧‧反射率控制層
57a‧‧‧微膠囊
57b‧‧‧第一粒子
57c‧‧‧第二粒子
58‧‧‧上電極
60‧‧‧接合層
70‧‧‧支撐本體
80‧‧‧襯墊區
81‧‧‧襯墊電極
82‧‧‧襯墊互連
83‧‧‧襯墊溝渠
90‧‧‧薄膜電晶體
91‧‧‧閘極電極
92‧‧‧通道層
93‧‧‧源極電極
94‧‧‧汲極電極
95‧‧‧源極接觸
96‧‧‧汲極接觸
110‧‧‧顯示元件
120‧‧‧顯示元件
200‧‧‧顯示裝置
201‧‧‧顯示裝置
202‧‧‧顯示裝置
210‧‧‧連接構件
220‧‧‧電路基板
230‧‧‧驅動單元
240‧‧‧光學層
圖1A至圖1C為根據第一實施例之顯示元件的概要圖；圖2A至圖2D為根據第一實施例之顯示元件的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖；圖3A至圖3D為根據第一實施例之顯示元件的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖；圖4A至圖4D為根據第一實施例之顯示元件的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖； 圖5A及圖5B為根據第一實施例之顯示元件的製造方法之處理的順序之概要平面圖；圖6A及圖6B為根據第一實施例之顯示元件的製造方法之處理的順序之概要平面圖；圖7A至圖7C為根據第二實施例之顯示裝置及顯示裝置的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖；圖8A及圖8B為根據第二實施例之另一顯示裝置及顯示裝置的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖；圖9A至圖9D為根據第二實施例之另一顯示裝置及顯示裝置的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖；圖10A至圖10D為根據第二實施例之另一顯示裝置的概要圖；以及圖11為根據第三實施例之顯示元件的概要橫剖面圖。
【發明內容及實施方式】
根據一實施例，揭示顯示元件的製造方法。方法可包括形成剝離層、形成樹脂層、形成障壁層、形成互連層、形成顯示層、及移除。具有第一線性熱膨脹係數之剝離層係形成在基體的主表面上。主表面具有第一區、設置在第一區四周的第二區、及設置在第一區與第二區之間的第三區。第一區對應於顯示元件的顯示區。剝離層包括位在第一區上之第一剝離部、位在第二區上之第二剝離部、及位在第三區上之第三剝離部。具有第一可透水性和不同於第一線性熱膨脹係數的第二線性熱膨脹係數之樹脂層係形成 在剝離層上。樹脂層包括位在第一剝離部上之第一樹脂部和位在第二剝離部上之第二樹脂部。具有低於第一可透水性的第二可透水性之障壁層係形成在第一樹脂部、第二樹脂部、及第三剝離部上。互連層係形成在障壁層上。顯示層係形成在第一樹脂部上之互連層的至少一部分上。第一剝離部係從第一樹脂部移除，及第二剝離部係從第二樹脂部移除。
根據一實施例，顯示元件係藉由顯示元件的製造方法所製造。方法可包括：將具有第一線性熱膨脹係數的剝離層形成在基體的主表面上，主表面具有第一區、設置在第一區四周的第二區、及設置在第一區與第二區之間的第三區，第一區對應於顯示元件的顯示區，剝離層包括位在第一區上之第一剝離部、位在第二區上之第二剝離部、及位在第三區上之第三剝離部。方法可包括：將具有第一可透水性和不同於第一線性熱膨脹係數的第二線性熱膨脹係數之樹脂層形成在剝離層上，樹脂層包括位在第一剝離部上之第一樹脂部和位在第二剝離部上之第二樹脂部。方法可包括：將具有低於第一可透水性的第二可透水性之障壁層係形成在第一樹脂部、第二樹脂部、及第三剝離部上；將互連層形成在障壁層上；及將顯示層形成在第一樹脂部上之互連層的至少一部分上。此外，方法可包括：從第一樹脂部移除第一剝離部，及從第二樹脂部移除第二剝離部。
根據第一實施例，顯示元件包括：樹脂層，其具有第一可透水性；障壁層，係設置在樹脂層上，及具有低於第 一可透水性的第二可透水性；顯示層，係設置在障壁層上；電路基板，係在與樹脂層朝向顯示層的第一方向交叉的第二方向上與顯示層分離；第一保護層，係設置在電路基板上，及具有低於第一可透水性的第三可透水性；以及互連層，其包括設置在障壁層與顯示層之間的第一部，及設置在電路基板與第一保護層之間的第二部，當被投影到垂直於第二方向的平面上時，第二部與樹脂層重疊。
下文將參考附圖說明各種實施例。
圖式為概要或概念的；及部位的厚度與寬度之間的關係、部位之間的尺寸比例等等並不一定同於其實際值。另外，甚至針對完全相同的部位，在圖式之間亦可圖解成不同的尺寸及/或比例。
在申請案的圖式及說明書中，類似於有關上文圖式所說明之組件的組件係以相同參考號碼標示，及詳細說明被適當省略。
第一實施例
圖1A至圖1C為根據第一實施例之顯示元件的概要圖。圖1A為顯示元件110的概要平面圖。圖1B為沿著圖1A的線A1-A2之橫剖面圖。圖1C為圖1B之一部分的放大圖。
如圖1A所示，顯示元件110具有顯示區Da和周邊區Pa。在顯示區Da中執行顯示。周邊區Pa係設置在顯示區Da四周。
如圖1B所示，顯示元件110包括：樹脂層20、障壁層 31、互連層40、顯示層50、及第一保護層32。障壁層31係設置在樹脂層20上。互連層40係設置在障壁層31上。顯示層50係設置在互連層40的一部分上。第一保護層32係設置在顯示層50和互連層40的一部分上。
在申請案的說明書中，“設置在...上”的狀態不僅包括被設置成直接接觸的狀態，亦包括將另一層插入在其間之狀態。
從樹脂層20朝向顯示層50的方向被取作堆疊方向(Z軸方向)。垂直於Z軸方向的一方向被取作X軸方向。垂直於Z軸方向和X軸方向的方向被取作Y軸方向。
樹脂層20包括第一樹脂部21和第二樹脂部22。當被投影到垂直於堆疊方向的平面上時，第一樹脂部21與顯示區Da重疊。第二樹脂部22係設置在對應於周邊區Pa的一部分之位置中。
樹脂層20適合具有例如耐熱性、抗化學性、及尺寸穩定性。樹脂層20包括例如聚醯亞胺樹脂。樹脂層20可包括例如丙烯酸、醯胺、環氧樹脂、環聚烯烴、或液晶聚合物。樹脂層20可包括耐高熱樹脂。例如，選自對二甲苯樹脂、含氟樹脂、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、及聚醚醚酮(PEEK)的至少其中之一可被使用做為耐高熱樹脂。
例如，在顯示元件110具有光係從樹脂層20側擷取之結構的事例中，樹脂層20適合在可見光區為透明的。在此種事例中，樹脂層20包括例如透明聚醯亞胺樹脂或透明醯 胺樹脂。
障壁層31係設置在第一樹脂部21和第二樹脂部22上。障壁層31覆蓋第一樹脂部21的第一側表面21s。在例子中，障壁層31亦覆蓋第二樹脂部22的第二側表面22s。障壁層31亦設置在例如第一樹脂部21與第二樹脂部22之間。
障壁層31的可透水性(第二可透水性)係低於樹脂層20的可透水性(第一可透水性)。障壁層31具有例如低於樹脂層20的可透氧性之可透氧性。障壁層31包括無機材料。例如，選自氮化矽膜(SiNx)、氮氧化矽膜(SiOxNy)、氧化矽膜(SiOx)、及氧化鋁膜(AlOx)的至少其中之一被使用做為無機材料。
障壁層31可包括無機膜和有機樹脂膜的堆疊膜。藉此，應力被鬆弛；及抑制龜裂的發生。有機樹脂膜包括例如聚醯亞胺、丙烯酸、對二甲苯樹脂等等。在堆疊膜被使用做為障壁層31之事例中，諸如氧化矽膜(SiOx)、及氧化鋁膜(AlOx)等無機材料適合被使用做為障壁層31的最上層。
顯示層50係設置在第一樹脂部21的一部分上。顯示層50包括例如有機發光層。顯示層50可包括具有包括根據選自透過互連層40所供應之電壓和電流的至少其中之一而發生的透射比、反射比、散射比、吸收比、及折射率的至少其中之一的光發射及/或光學特性變化之層。顯示層50發射例如用於顯示的光。顯示層50可執行光的轉換。例如，顯示層50可調節光。
第一保護層32包括例如無機材料。無機材料包括例如選自氮化矽膜(SiNx)、氮氧化矽膜(SiOxNy)、氧化矽膜(SiOx)、及氧化鋁膜(AlOx)的至少其中之一。第一保護層32可包括與障壁層31相同的材料；或者可使用不同的材料。第一保護層32的可透水性(第三可透水性)例如低於樹脂層20的可透水性(第一可透水性)。
在如圖1B所示之顯示元件110中，樹脂層20(第一樹脂部21)和顯示層50係設置在顯示區Da中。具有樹脂層20無法充分抑制濕氣及/或氧的滲透之事例。在顯示元件110中，例如，可抑制從第一側表面21s到第一樹脂部21之濕氣及/或氧的滲透，因為第一樹脂部21的第一側表面21s被覆蓋有障壁層31。因此，獲得顯示元件110的高度可靠性，因為抑制濕氣及/或氧滲透到互連層40及/或顯示層50內。
在例子中，顯示元件110另包括接合層60和支撐本體70。
接合層60係設置在支撐本體70與第一保護層32之間。在例子中，支撐本體70係藉由接合層60接合到第一保護層32。
接合層60包括例如壓敏材料、熱固材料、紫外線熟化材料等。接合層60適合包括具有低可透水性的材料。接合層60包括例如環氧樹脂或丙烯酸樹脂。在接合層60包括熱固材料之事例中，在溫度約100℃熱處理令人滿意。藉此，可抑制顯示層50的劣化。
接合層60的厚度例如不小於500nm且不大於50μm。藉由將接合層60的厚度設定在此範圍內，將包括在接合層60中之濕氣或氧降低。再者，可抑制濕氣及/或氧從接合層60滲透。
接合層60可包括例如吸濕劑或去濕劑。藉此，增加接合層60的可靠性。
支撐本體70包括例如選自氮化矽膜(SiNx)、氮氧化矽膜(SiOxNy)、氧化矽膜(SiOx)、及氧化鋁膜(AlOx)的至少其中之一。支撐本體70適合對濕氣和氧具有高屏障特性。支撐本體70例如可以是撓性的。例如，使用膜做為支撐本體70。膜的厚度例如不小於10μm且不大於250μm。在需要撓性顯示器之應用中，厚度為100μm或更薄是令人滿意的。
顯示元件110包括例如：樹脂層20，其具有第一可透水性；障壁層31，係設置在樹脂層20上及具有低於第一可透水性的第二可透水性；及顯示層50，係設置在障壁層31上。也包括電路基板220，其在與從樹脂層20朝向顯示層50的第一方向交叉的第二方向上與顯示層50分離；第一保護層32，係設置在電路基板220上，及具有低於第一可透水性的第三可透水性；以及互連層40。互連層40包括例如：第一部，係設置在障壁層31與顯示層50之間；以及第二部，係設置在電路基板220與第一保護層32之間。當被投影到垂直於第二方向的平面上時，互連層40的第二部與樹脂層20重疊。
顯示元件110具有例如將互連層40的第二部定位成低於第一部(在與堆疊方向相對的方向上)之結構。因此，安裝期間的產量增加。
圖1C為將包括顯示區Da之部位α放大的概要橫剖面圖。
如圖1C所示，互連層40包括例如薄膜電晶體90(TFT)。薄膜電晶體90包括閘極電極91、閘極絕緣膜41、通道層92、通道保護層42、源極電極93、及汲極電極94。互連層40亦包括鈍化層43、平面化層44、像素電極45、及觸排46。
例如，閘極電極91係形成在障壁層31上。此時，亦形成連接到閘極電極91之閘極互連(未圖示)。閘極電極91和閘極互連係藉由例如以濺鍍等形成金屬薄膜、及藉由使用由光致微影等所形成之抗蝕圖案做為遮罩來蝕刻金屬薄膜的一部分所形成。金屬薄膜包括例如選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、及銀(Ag)的其中之一，或者包括選自這些金屬的其中之一的合金。金屬薄膜可以是單層膜或堆疊膜。
閘極絕緣膜41係形成在閘極電極91和障壁層31上。閘極絕緣膜41係藉由例如化學汽相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、或濺鍍所形成。閘極絕緣膜41包括例如選自氮化矽膜(SiNx)、氮氧化矽膜(SiOxNy)、氧化矽膜(SiOx)、及氧化鋁膜(AlOx)的至少其中之一。
通道層92係形成在閘極絕緣膜41上。通道層92係藉由 例如以濺鍍等將通道膜形成在閘極絕緣膜41上以及藉由以光致微影圖案化等所形成。
用於形成通道層92之通道膜包括例如氧化物半導體材料。通道膜可包括例如O(氧)及選自In(銦)、Ga(鎵)、及Zn(鋅)的至少其中之一。通道膜可包括例如InGaZnO、InSnZnO、InO、InZnO、InGaO、ZnO、ZnON、及Ga2O3的至少其中之一。通道膜可包括例如有機半導體材料、多晶矽、或非晶矽。有機半導體材料可包括例如戊省。在通道層92包括非晶矽之事例中，例如，n+ a-Si層被形成提供與源極電極93和汲極電極94的接觸。
例如，通道保護層42係形成在通道層92和閘極絕緣膜41上。通道保護層42包括例如氧化矽膜(SiOx)及/或氧化鋁膜(AlOx)。為了增加屏障特性，可使用包括選自至少氮化矽膜(SiNx)、氮氧化矽膜(SiOxNy)、氧化矽膜(SiOx)、及氧化鋁膜(AlOx)的至少兩膜之堆疊膜。例如，通道保護層42係藉由以濺鍍等形成用於形成通道保護層42之通道保護膜以及藉由在通道保護膜中製造接觸洞所形成。同時，可在通道保護膜中製造到閘極互連的接觸洞。通道保護層42係可藉由以使用背曝光的自校準法之圖案化來形成。藉此，圖案化精確性增加；及例如可獲得精密薄膜電晶體90。
可使用未使用通道保護層42之背通道切割薄膜電晶體90。在通道層92包括氧化物半導體材料之事例中，背通道介面的特性大幅影響TFT特性。因此，在此種事例中使用 通道保護層42較佳。
例如，源極電極93、汲極電極94、源極接觸95、及汲極接觸96係同時形成。例如，金屬薄膜係形成在通道保護層42上及接觸洞內部。源極電極93和汲極電極94係藉由以光致微影等圖案化金屬薄膜所形成。可在事先形成遮罩之後形成金屬薄膜；以及可移除遮罩。
源極電極93、汲極電極94、源極接觸95、及汲極接觸96係可彼此分開形成。
金屬薄膜包括例如選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、及銀(Ag)的其中之一，或者包括選自這些金屬的其中之一的合金。金屬薄膜可以是單層膜或堆疊膜。
藉此，形成薄膜電晶體90。雖然上面說明具有底閘極結構的薄膜電晶體90之例子，但是可使用具有另一結構的薄膜電晶體90。
鈍化層43係形成在源極電極93、汲極電極94、及通道保護層42上。鈍化層43包括例如選自氮化矽膜(SiNx)、氮氧化矽膜(SiOxNy)、氧化矽膜(SiOx)、及氧化鋁膜(AlOx)的至少一無機材料。鈍化層43可包括樹脂材料。例如，丙烯酸、環氧樹脂、聚醯亞胺、或對二甲苯樹脂被使用做為樹脂材料。
在例子中，平面化層44係形成在鈍化層43上。平面化層44包括例如樹脂材料。樹脂材料包括例如丙烯酸、環氧樹脂、聚醯亞胺、對二甲苯樹脂等等。
平面化層44可包括著色層。例如，著色層可被形成作平面化層44。著色層可與用於形成平面化層44的一部分之膜相堆疊。著色層係可藉由例如光致微影等來形成。
著色層充作例如濾色器。可針對各個像素設置不同顏色的著色層。
著色層亦充作遮光層(光衰減層)。藉由設置遮光層，薄膜電晶體90的特性波動(如、漏光等)被抑制。在從顯示層50所發出的光為白色之事例中，對波長約400nm具有例如低透射比之層可被使用做為著色層。在彩色光(紅、綠、藍等)係從顯示層50發出之事例中，著色層適合具有與從顯示層50所發出之彩色光一樣的顏色。遮光之著色層(衰減光、如、黑層)係可設置在與薄膜電晶體90相對的位置中。
接觸洞係藉由移除鈍化層43的一部分及平面化層44的一部分以露出汲極電極94來製造。例如，像素電極45(第一電極)係形成在接觸洞內部及平面化層44上。像素電極45包括例如透明的導電膜(如、銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO))。可執行像素電極45的表面之諸如氧電漿處理、UV(紫外線)臭氧清潔等表面處理。藉此，例如，可增加洞的注射效率。
例如，在從顯示層50所發出的光係從支撐本體70側發出之事例中，Al(鋁)及/或Ag(銀)的反射層係可形成在平面化層44上；及ITO膜係可形成在反射層上。
在例子中，在觸排46被形成以防止像素電極45端部的 短路。觸排46覆蓋平面化層44的一部分上之像素電極45的端部。觸排46包括例如諸如聚醯亞胺、丙烯酸等樹脂。觸排46可包括例如諸如氧化矽膜(SiOx)、氮化矽膜(SiNx)等無機材料。
如圖1C所示，顯示層50包括電洞注入層51、電洞傳輸層52、有機發光層53、電子傳輸層54、電子注入層55、及陰極56(第二電極)。顯示層50係藉由例如真空汽相沉積來形成在像素電極45和觸排46上。此時，電洞注入層51、電洞傳輸層52、有機發光層53、電子傳輸層54、電子注入層55、及陰極56係以此順序來形成。顯示層50對應於例如有機電致發光元件(OLED)的發光單元。
在使用發出白光之有機發光層53之事例中，藉由使用著色層做為互連層40的一部分(如、平面化層44)來獲得彩色顯示。例如，有機發光層53係可被形成為紅、綠、及藍像素的每一個發出不同顏色的光。在此種事例中，具有不同顏色之有機發光層53係可藉由例如遮罩(金屬遮罩)來形成。
藉由將薄膜電晶體90切換到開通狀態及施加電壓到源極電極93和陰極56，電流被供應到有機發光層53；及光係從有機發光層53發出。經由例如透光之像素電極45、平面化層44、鈍化層43、閘極絕緣膜41、障壁層31、及樹脂層20，從有機發光層53所發出的光係從顯示元件110發出。換言之，在例子中，下表面(樹脂層20側上的表面)被使用做為發光表面。
現在將說明顯示元件110的製造方法之例子。
圖2A至圖2D、圖3A至圖3D、及圖4A至圖4D為根據第一實施例之顯示元件的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖。
圖5A、圖5B、圖6A、及圖6B為根據第一實施例之顯示元件的製造方法之處理的順序之概要平面圖。
圖5A為圖2A的平面圖。圖5B為圖2B的平面圖。圖6A為圖3A的平面圖。圖6B為圖4A的平面圖。
如圖2A及圖5A所示，剝離層10係形成在基體5的主表面5mf上。基體5包括例如玻璃。例如，可使用具有絕佳耐熱性及少許金屬污染之玻璃。例如，使用無鹼玻璃。
如圖5A所示，基體5的主表面5mf具有第一區5a、第二區5b、及第三區5c。在例子中，主表面5mf多個包括第一至第三區5a至5c的每一個。第二區5b係設置在第一區5a四周。第三區5c係設置在第一區5a與第二區5b之間。第一區5a對應於顯示元件110的顯示區Da。第二區5b和第三區5c對應於顯示元件110的周邊區Pa。
在圖2A所示之例子中，剝離層10包括多個第一剝離部11、多個第二剝離部12、及多個第三剝離部13。第一剝離部11係設置在第一區5a上。第二剝離部12係設置在第二區5b上。第三剝離部13係設置在第三區5c上。如圖5A所示，當被投影到垂直於堆疊方向的平面上時，第三剝離部13係配置在第一剝離部11與第二剝離部12之間。
剝離層10具有第一線性熱膨脹係數。第一線性熱膨脹 係數不同於樹脂層20的第二線性熱膨脹係數。剝離層10包括例如具有與樹脂層20的線性熱膨脹係數大不相同之線性熱膨脹係數的材料。例如，第一線性熱膨脹係數係小於第二線性熱膨脹係數。剝離層10適合包括例如吸收大部分波長1μm的光之材料。剝離層10包括例如選自金屬、金屬氧化物、及金屬氮化物的至少其中之一。剝離層10包括例如Ti(鈦)。剝離層10可包括例如諸如鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)等等金屬，或者包括選自這些金屬的其中之一的合金。
如圖1B及圖5B所示，樹脂層20係形成在剝離層10上。樹脂層20的第一樹脂部21係形成在第一剝離部11上。樹脂層20的第二樹脂部22係形成在第二剝離部12上。在例子中，形成多個第一樹脂部21和第二樹脂部22。
例如，用於形成樹脂層20之樹脂膜係可形成在第一剝離部11、第二剝離部12、及第三剝離部13上。藉由移除第三剝離部13上之樹脂膜，在樹脂膜中製作溝渠20d(凹處)。藉此，形成第一樹脂部21和第二樹脂部22。樹脂層20係可選擇性形成在例如第一剝離部11和第二剝離部12上。
例如，印刷被用於形成樹脂層20(樹脂膜)。例如，絲網印刷、膠版印刷、噴墨印刷等可被用於印刷。光致微影可被用於形成樹脂層20。例如，可使用藉由使用光敏樹脂的顯影處理之圖案化。例如，可使用藉由使用光致抗蝕劑的蝕刻之圖案化。
樹脂層20(樹脂膜)的厚度例如不小於1μm且不大於30μm。例如，藉由將樹脂層20的厚度設定成5μm或更厚，可使移除(剝離)剝離層10變得較容易。藉由將樹脂層20的厚度設定成20μm或更薄，甚至在例如從樹脂層20將光發射到外面之事例中，仍可抑制諸如雙折射、吸收等光學特性的劣化及由於濕氣吸收等導致尺寸穩定性降低。樹脂膜可被形成具有大於5μm的厚度；及在移除(剝離)基體5之後，樹脂膜(樹脂層20)的厚度可被圖案化成20μm或更薄。
如圖5B所示，第三剝離部13係配置在第一樹脂部21四周。第二樹脂部22係配置在第三剝離部13四周。例如，第三剝離部13係從樹脂層20的溝渠20d(凹處)露出。
當被投影到垂直於堆疊方向的平面上時，第一樹脂部21與第二樹脂部22之間的距離dr例如不小於1μm且不大於100μm。距離dr對應於溝渠20d(凹處)的寬度(垂直於堆疊方向之方向上的長度)。例如，藉由將距離dr設定成1μm或更厚，在隨後處理中可充分實現第一樹脂部21與第二樹脂部22之間的障壁層31之濕氣屏障效果(在溝渠20d內部)。如下述，藉由將距離dr設定成100μm或更薄，更容易剝離剝離層10。
如圖2C所示，用於形成障壁層31之障壁膜係形成在第一樹脂部21、第二樹脂部22、及第三剝離部13上。障壁層31亦被形成在第一樹脂部21的第一側表面21s上。障壁層31(障壁膜)接觸例如第三剝離部。
在樹脂層20的形成處理中，具有用於形成樹脂層20的少量有機物質存在於第三剝離部13上之事例。例如，在印刷處理中，具有少量有機物質非有意地存在於第三剝離部13上之事例。或者，在蝕刻處理中，具有用於形成樹脂層20之材料的殘餘物(有機物質)留在第三剝離部13上之事例。諸如殘餘物等有機物質存在於第三剝離部13上之狀態亦包括在障壁層31接觸第三剝離部13的狀態中。當藉由例如電子顯微鏡觀察時，具有未觀察到諸如殘餘物等有機物質之事例。具有藉由元素分析等探測到有機物質之事例。
如圖2D所示，用於形成互連層40之互連膜係形成在障壁膜上。
如圖3A及圖6A所示，顯示層50係形成在互連膜的一部分上。如圖6A所示，當被投影到垂直於堆疊方向的平面上時，顯示層50與顯示區Da重疊。
障壁膜(障壁層31)和互連膜(互連層40)未圖示於圖6A。例如，第一樹脂部21的外邊緣係位在顯示層50的外邊緣之外側上。藉此，增加顯示層50的可密封性。
如圖3B所示，用於形成第一保護層32之第一保護膜係形成在顯示層50上及在互連膜(互連層40)上。例如，CVD或ALD被用於形成第一保護膜。以例如約100℃的溫度形成第一保護膜。藉此，例如，可抑制顯示層50的劣化。例如，以第一保護膜密封顯示層50。
第一保護膜(第一保護層32)包括例如無機材料，諸如氮化矽膜(SiNx)、氧化鋁膜(AlOx)等。有機膜和無 機膜的堆疊膜可被使用做為第一保護膜以提高密封性能。例如，丙烯酸、對二甲苯樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺等可被使用做為有機膜。藉由形成有機層，較容易釋出應力及增加無機膜的障壁特性；藉由平面化作用可抑制由於灰塵等缺陷；及可抑制由於無機膜的針孔所導致之水及氧的滲透。
第一保護膜(第一保護層32)的厚度例如不小於1μm且不大於30μm。在第一保護膜的厚度不小於1μm之事例中，例如，甚至在具有外來材料的混合之事例中，仍可確保足夠的密封性能。
如圖3C及圖3D所示，用於形成接合層60之接合膜係形成在第一保護膜上。支撐本體70係形成在接合膜上。
在例子中，接合膜和支撐本體70係形成在第一保護膜的整個表面之上。例如，接合膜和支撐本體70可形成在除了下述安裝區以外的區域中(第一保護層32上的基體5之第二區5b的一部分)。
圖4A及圖6B圖示修剪基體5上之多個顯示元件110的處理。障壁膜(障壁層31)、互連膜(互連層40)、第一保護膜(第一保護層32)、接合膜(接合層60)、及支撐本體70未圖示於圖6B。
如圖4A所示，在對應於基體5的第二區5b之位置中劃分第二樹脂部22、障壁膜(障壁層31)、互連膜(互連層40)、第一保護膜(第一保護層32)、接合膜(接合層60)、及支撐本體70。藉由在基體5上劃分來增加劃分精 確性。
在圖6B中，第二樹脂部22等係沿著劃分線DL來劃分。
在劃分時，例如，照射光(第一光)。例如，使用短脈衝雷射。藉由使用短脈衝雷射，抑制發生過熱。藉此，例如，劃分的精確性增加；及再生性提高。例如，可使用微微秒雷射、毫微微秒雷射。可使用紫外線雷射。
例如，可使用使用切割鋸等的機械切割。
圖4B圖示基體5的剝離處理。
在圖4B所示之例子中，將諸如例如雷射等光(第二光)照射經過基體5到剝離層10內。剝離層10係藉由光照射來加熱；及例如由於熱膨脹係數之間的差而發生應力。由於應力而從樹脂層20移除(剝離)剝離層10。剝離層10留在例如基體5上。具有一部分被加熱蒸發之事例。
第二光的光源適合包括例如可穩定產生高輸出之雷射。例如，可藉由諸如YAG雷射等固態雷射來照射具有線組態的射束。
在將紅外線雷射用於剝離之事例中，可以規定的照射間隔dx來間歇性照射具有線組態之射束。照射間隔dx例如不大於100μm。藉由將照射間隔dx設定成100μm或更少，未被雷射照射之區域亦被同時剝離。可將連續照射與間歇性照射組合。
在例子中，樹脂層20未被形成在基體5的第三區5c上。換言之，當被投影到垂直於堆疊方向的平面上時，第 三剝離部13接觸第一樹脂部21與第二樹脂部22之間的障壁層31(障壁膜)。藉由將第一樹脂部21與第二樹脂部22之間的距離dr設定成100μm或更短，甚至在未形成樹脂層20的部位中，仍可剝離剝離層10。
例如，可使用燈做為第二光的光源。可在剝離處理中使用微波。而且，可在不使用電磁波等之下以機械式剝離剝離層10。
如圖4C所示，藉由將基體5剝離來修剪顯示元件110。障壁膜被用於形成障壁層31。互連膜被用於形成互連層40。第一保護膜被用於形成第一保護層32。接合膜被用於形成接合層60。藉此，形成顯示元件110。
如圖4D所示，可將第二保護層33形成在藉由將剝離層10移除而露出之樹脂層20的表面上。例如，藉由第二保護層33防止濕氣及/或氧的滲透。第二保護層33包括例如無機材料，諸如氮化矽膜(SiNx)、氧化鋁膜(AlOx)等。第二保護層33可包括無機膜和有機膜的堆疊膜。
適合在乾燥大氣中或減壓中(如、真空中)執行從樹脂層20剝離剝離層10的處理與形成第二保護層33的處理。藉此，可抑制濕氣等的滲透。
上面說明將多個顯示元件形成在基體5上之例子。甚至在將一顯示元件形成在基體5上之事例中，仍可應用上述之製造方法。在此種事例中，可省略劃分的處理。
在顯示元件110的製造方法中，設置當被投影到垂直於堆疊方向的平面上時樹脂層20未形成在第一樹脂部21與 第二樹脂部22之間的區域。例如，藉由移除第一樹脂部21與第二樹脂部22之間的樹脂層20之樹脂膜，在樹脂層20中製造溝渠20d(凹處)。以障壁層31覆蓋第一樹脂部21的第一側表面21s，因為障壁層31同樣被形成在溝渠20d內部。藉此，可抑制濕氣及/或氧從樹脂層20的側表面(第一側表面21s)滲透到顯示層50內。顯示層50可被充分密封，而不需要大幅增加處理數目。藉此，可製造具有高度可靠性的顯示元件。
在顯示元件110的製造方法中，在基體5上實施樹脂層20、障壁層31(障壁膜)、互連層40(互連膜)、及第一保護層32(第一保護膜)的劃分。因此，可以高度精確地劃分。藉此，可有狹窄的邊界。另外，產量增加。在方法中，基體5未被劃分，因為剝離層10存在。因此，在移除之後，可將基體5重新利用；及可降低成本。再者，在製造方法中，可獲得具有高度可靠性的顯示元件110，因為沒有顯示元件110經過裝載之處理。
第二實施例
實施例係相關於包括有關第一實施例所說明的顯示元件之顯示裝置及顯示裝置的製造方法。
圖7A至圖7C為根據第二實施例之顯示裝置及顯示裝置的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖。
現在將說明根據實施例之顯示裝置200的製造方法之例子。在下述製造方法中，例如，有關圖2A至圖2D、圖 3A至圖3D、及圖4A至圖4D所說明之方法可應用到顯示元件110的形成處理。
在圖7A所示之顯示元件110中，移除藉由移除基體5所露出之障壁層31。藉此，露出互連層40。例如，諸如使用CH4、O2等的RIE等乾蝕刻處理可被用於移除障壁層31。
例如，當在形成互連層40中形成閘極電極91時，連接襯墊可被形成在基體5的第三區5c上。連接襯墊可包括例如與閘極電極91相同的材料。例如，互連層40的的連接襯墊係藉由將障壁層31移除而露出。在事先未形成連接襯墊之事例中，可在例如移除障壁層31之後形成連接襯墊。
當移除障壁層31時，可移除第一樹脂部21的一部分及第二樹脂部22的全部或一部分。藉由移除樹脂層20的一部分，可防止由於雙折射、吸收等導致光學特性劣化。再者，藉由以移除樹脂層20的一部分來使樹脂層20變薄，可抑制由於濕氣吸收導致尺寸穩定性降低。樹脂層20的厚度適合例如為3μm或更薄。當在底發射結構之事例中諸如圓形極化板等光學層裝附於表面時，藉由將樹脂層20的垂直方向上之膜厚度d(μm)及雙折射x(nm)設定成d x x不大於2000，可充分降低傾斜入射之光的反射。
如圖7B所示，連接襯墊係透過連接構件210電連接到電路基板220。連接構件210包括例如各向異性導電膜(ACF)。電路基板220包括例如撓性印刷電路板(FPC)。電路基板220連接到例如驅動單元230。藉由驅動單元230等能夠從外面輸入(及輸出)訊號。藉此，形 成顯示裝置200。連接襯墊的尺寸適合例如不大於100μm。藉此，可增加從基體5剝離的產量。
在顯示裝置200中，驅動單元230係安裝到移除基體5的表面。因此，支撐本體70的接合處理比將驅動單元230安裝到移除支撐本體70的表面之事例簡單。再者，設計的自由度增加，因為驅動單元230係安裝到移除基體5的表面。
在圖7C所示之顯示裝置200中，在光從樹脂層20側發射到外面之事例中，光學層240可被設置在與顯示層50相對的位置中。光學層240包括例如圓形極化板。藉此，可抑制外來光的反射。在例子中，光學層240被設置以覆蓋電路基板220。藉由光學層240可抑制電路基板220的剝離。藉由使用對水和氧具有高屏障特性的組件做為光學層240來增加面板的可靠性。另外，甚至在安裝連接構件210之後形成障壁層31的事例中，仍可增加面板的可靠性。
圖8A及圖8B為根據第二實施例之另一顯示裝置及顯示裝置的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖。
同樣在下面所說明之顯示裝置201的製造方法中，有關圖2A至圖2D、圖3A至圖3D、及圖4A至圖4D所說明之方法可適當應用到顯示元件110的形成處理。
如圖8A所示，例如，在顯示元件110的形成處理中，將接合層60(接合膜)和支撐本體70形成在除了第二區5b以外的區域中。例如，移除設置在第二區5b上之第一保護層32(第一保護膜)的至少一部分，以露出互連層40(互 連膜)。例如，諸如使用CH4、O2等的RIE等乾蝕刻處理可被用於移除第一保護層32。再者，可在事先形成遮罩之後形成第一保護層32。
可在形成接合層60和支撐本體70之前或之後執行第一保護層32的移除。或者，當形成第一保護層32時，可將接合層60和支撐本體70形成在除了第二區5b以外的區域中。接合層60和支撐本體70係可形成在第二區5b上；及例如，當移除第一保護層32時，可移除在第二區5b上之接合層60和支撐本體70。
如圖8B所示，露出的互連層40係透過連接構件210連接到電路基板220。電路基板220連接到例如驅動單元230。
基體5被移除。藉此，形成顯示裝置201。
在例子中，形成接合層60(接合膜)和支撐本體70；及在劃分樹脂層20等等之後，移除接合層60的一部分、支撐本體70的一部分、及第一保護層32的一部分。
實施例並不侷限於此。例如，可在形成接合層60(接合膜)和支撐本體70之前移除形成在第二區5b上之第一保護層32(第一保護膜)；及可將接合層60(接合膜)和支撐本體70形成在第一區5a和第三區5c上。
另外，可在移除第一保護層32之前或之後實施樹脂層20等的劃分。
在例子中，在安裝驅動單元230之後移除基體5。實施例並不侷限於此。例如，可在移除基體5之後安裝驅動單 元230。
圖9A至圖9D為根據第二實施例之另一顯示裝置和顯示裝置的製造方法之處理的順序之概要橫剖面圖。
在下述顯示裝置202的製造方法中，例如，有關圖2A至圖2D、圖3A至圖3D、及圖4A至圖4D所說明之方法可適當應用到顯示元件110的形成處理。
在圖9A所示之顯示元件110的形成處理中，例如，在形成第一保護層32(第一保護膜)之後，驅動單元230係直接形成在第二區5b上的第一保護層32上，及具有連接構件210插入其間。驅動單元230可包括例如薄的驅動器IC。驅動器IC的厚度例如不大於100μm。藉由將厚度設定成100μm或更薄，甚至當顯示裝置變形時，顯示裝置仍不容易龜裂。
如圖9B所示，接合層60(接合膜)和支撐本體70係形成在第一保護層32(第一保護膜)和驅動單元230上。支撐本體70、接合層60(接合膜)、互連層40(互連膜)、障壁層31(障壁膜)、及第二樹脂部22被劃分。
如圖9C所示，藉由移除基體5和使用連接構件210連接電路基板220做為連接到外部電路用以形成顯示裝置202。另外，如圖9D所示，可將光學層240形成在顯示裝置202中。因為驅動器IC被內建，所以可降低與電路基板220的連接點數目；抑制諸如破壞等互連的故障發生；及可設置具有高度可靠性的顯示裝置。
藉由以支撐本體70覆蓋驅動單元230，甚至在驅動單 元230薄的事例中，驅動單元230仍不容易龜裂。接合層60(接合膜)和支撐本體70係可形成在未包括驅動單元230之區域中。
在例子中，在移除第一保護層32(第一保護膜)的一部分和安裝驅動單元230之後，形成接合層60(接合膜)和支撐本體70。
實施例並不侷限於此。例如，可將第一保護層32、接合層60、及支撐本體70形成在基體5的第一區5a、第二區5b、及第三區5c上；及隨後可移除第二區5b上之第一保護層32、接合層60、及支撐本體70。
在安裝驅動單元230之前或之後，可實施樹脂層20等的劃分。
圖10A至圖10D為根據第二實施例之另一顯示裝置的概要圖。
圖10A為顯示元件的概要平面圖。圖10A為對應於圖6B的平面圖。圖10B至圖10D圖示襯墊電極的配置之例子。顯示元件可包括襯墊電極。或者，顯示元件可包括襯墊電極。
如圖10A所示，襯墊區80被設置在顯示元件中。例如，藉由將顯示元件連接到襯墊區80中的外部電路來形成顯示裝置。
將襯墊區80設置在例如第二區5b上(參考圖8B)，即、在第二樹脂部22上。襯墊區80係可設置在對應於第三區5c的位置中(參考圖7B)。
例如，襯墊電極81和襯墊互連82係設置在襯墊區80中。圖10B至圖10D圖示襯墊區80中之襯墊電極81和襯墊互連82的配置之例子。
如圖10B所示，多個襯墊電極81和多個襯墊互連82係設置在襯墊區80。襯墊互連82係分別連接到襯墊電極81。在例子中，多個襯墊電極81係排列在沿著從襯墊電極81朝向襯墊互連82的方向之一位置中。
在圖10C所示之例子中，多個襯墊電極81係配置在沿著從襯墊電極81朝向襯墊互連82的方向之兩位置中。
如圖10D所示，襯墊溝渠83係可設置在襯墊區80中；及襯墊電極81係可配置在襯墊溝渠83中。例如，襯墊溝渠83的寬度係可同於或不同於襯墊電極81的寬度。在例子中，襯墊溝渠83的寬度係同於襯墊電極81的寬度。另外，襯墊電極81的組態係可同於或不同於襯墊溝渠83的組態。在例子中，多個(三個)襯墊電極81係設置在一襯墊溝渠83中。例如，可針對襯墊電極81的每一個設置不同的襯墊溝渠83。
第三實施例
實施例係相關於顯示元件120。除了顯示層50之外，例如，有關圖1A所說明的組態可應用到下述顯示元件120的組態。現在將說明顯示元件120的顯示層50。
圖11為根據第三實施例之顯示元件的概要橫剖面圖。
圖11圖示顯示元件120的顯示層50。
在顯示元件120中，顯示層50包括例如反射率控制層57和上電極58。反射率控制層57包括例如微膠囊57a。在例子中，微膠囊57a包括例如第一粒子57b和第二粒子57c。第一粒子57b和第二粒子57c具有例如電荷。例如，第一粒子57b和第二粒子57c具有不同的電荷。第一粒子57b和第二粒子57c具有不同的光學反射比(包括波長相依性)。反射率控制層57例如為電泳層。反射率控制層57可包括例如支撐性的膜。在此種事例中，在顯示層50上可不設置支撐本體70。
由於施加到上電極58和像素電極45的電壓，第一粒子57b和第二粒子57c在微膠囊57a內移動。光學反射比根據微膠囊57a內的第一粒子57b和第二粒子57c之分佈而改變。藉此，執行顯示。
在顯示元件120中，可抑制濕氣、氧等滲透到顯示層50內，因為第一樹脂部21的第一側表面21s係覆蓋有障壁層31。在顯示元件120中也一樣，獲得高度可靠性。
有關圖7A至圖7C、圖8A、圖8B、圖9A、及圖9B所說明的製造方法可應用到顯示元件120的製造方法。
根據根據實施例之製造方法，可設置具有高度可靠性的顯示元件和顯示裝置。
在申請案的說明書中，“垂直”及“平行”不僅意指完全垂直和完全平行，而且包括例如由於製造處理等的波動。實質上垂直和實質上平行就足夠。
在上文中，參考特定例子說明本發明的實施例。然 而，本發明的實施例並不侷限於這些特定例子。例如，藉由從已知技藝適當選擇諸如基體、剝離層、樹脂層、障壁層、互連層、顯示層、第一保護層、接合層、支撐本體、第二保護層、連接構件、電路基板、驅動單元、光學層等包括在顯示元件的製造方法、顯示元件、及顯示裝置中之組件的特定組態，精於本技藝之人士可同樣地實施本發明；及此種實施係在本發明的範疇內至獲得類似效果之程度。
另外，在技術可行性的範圍內可組合特定例子的任何兩個或更多個組件，及包括在本發明的範疇中至包括本發明的目的之程度。
而且，依據上文如同本發明的實施例所說明之顯示元件的製造方法、顯示元件、及顯示裝置，精於本技藝之人士藉由適當設計修改可實施之顯示元件的所有製造方法、顯示元件、及顯示裝置亦在本發明的範疇內至包括本發明的精神之程度。
在本發明的精神內，精於本技藝之人士可想出各種其他變化和修改，及應明白此種變化和修改亦包含在本發明的範疇內。
儘管已說明某些實施例，但是這些實施例僅經由例子呈現，及並不用於侷限本發明的範疇。事實上，此處所說明之新穎的實施例可以各種其他形式體現；而且，在不違背本發明的精神下，可進行此處所說明之實施例的形式之各種省略、取代、和變化。附錄的申請專利範圍及其同等 物欲用於涵蓋所有落在本發明的範疇和精神內之此種形式或修改。
α‧‧‧部位
Da‧‧‧顯示區
Pa‧‧‧周邊區
20‧‧‧樹脂層
21‧‧‧第一樹脂部
21s‧‧‧第一側表面
22‧‧‧第二樹脂部
22s‧‧‧第二側表面
31‧‧‧障壁層
32‧‧‧第一保護層
40‧‧‧互連層
41‧‧‧閘極絕緣膜
42‧‧‧通道保護層
43‧‧‧鈍化層
44‧‧‧平面化層
45‧‧‧像素電極
46‧‧‧觸排
50‧‧‧顯示層
51‧‧‧電洞注入層
52‧‧‧電洞傳輸層
53‧‧‧有機發光層
54‧‧‧電子傳輸層
55‧‧‧電子注入層
56‧‧‧陰極
60‧‧‧接合層
70‧‧‧支撐本體
90‧‧‧薄膜電晶體
91‧‧‧閘極電極
92‧‧‧通道層
93‧‧‧源極電極
94‧‧‧汲極電極
110‧‧‧顯示元件

Claims (20)

  1. 一種顯示元件的製造方法，包含：將具有第一線性熱膨脹係數之剝離層形成在基體的主表面上，該主表面具有第一區、設置在該第一區四周的第二區、及設置在該第一區與該第二區之間的第三區，該第一區對應於該顯示元件的顯示區，該剝離層包括位在該第一區上之第一剝離部、位在該第二區上之第二剝離部、及位在該第三區上之第三剝離部；將具有第一可透水性和不同於該第一線性熱膨脹係數的第二線性熱膨脹係數之樹脂層形成在該剝離層上，該樹脂層包括位在該第一剝離部上之第一樹脂部、及位在該第二剝離部上之第二樹脂部；將具有低於該第一可透水性的第二可透水性之障壁層形成在該第一樹脂部、該第二樹脂部、及該第三剝離部上；將互連層形成在該障壁層上；將顯示層形成在該第一樹脂部上之該互連層的至少一部分上；以及從該第一樹脂部移除該第一剝離部，及從該第二樹脂部移除該第二剝離部。
  2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該主表面具有複數個該第一區，以及該方法另包含：在該形成該顯示層與該移除之間，沿著從該基體朝向該顯示層的堆疊方向，在該複數個第一區 之間的該第二區中，藉由在該第二樹脂部、該障壁層、及該互連層中製造溝渠，來分割該第二樹脂部、該障壁層、及該互連層。
  3. 根據申請專利範圍第2項之方法，其中，該分割包括：藉由照射第一光到該第二樹脂部、該障壁層、及該互連層上來製造該溝渠。
  4. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該移除該剝離層包括：照射第二光經過該基體到該剝離層上。
  5. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該形成該樹脂層包括：將樹脂膜形成在該第一區上、在該第二區上、及在該第三區上，及移除該第三區上的該樹脂膜。
  6. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該障壁層接觸該第三剝離部。
  7. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該剝離層包括選自金屬、金屬氧化物、及金屬氮化物的至少其中之一。
  8. 根據申請專利範圍第1項之方法，另包含：藉由移除由該移除該第一剝離部及該第二剝離部所露出之該障壁層的一部分，而露出該互連層的一部分。
  9. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該互連層包括設置在該第一區上之第一電極，以及該顯示層包括第二電極和設置在該第一電極與該第二電極之間的有機發光層。
  10. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該樹脂 層包括選自聚醯亞胺樹脂、丙烯酸、醯胺、環氧樹脂、環聚烯烴、或液晶聚合物、對二甲苯樹脂、含氟樹脂、聚醚碸、聚萘二甲酸乙二醇酯、及聚醚醚酮的至少其中之一。
  11. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該障壁層的可透氧性係低於該樹脂層的可透氧性。
  12. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該障壁層包括選自氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化矽膜、及氧化鋁膜的至少其中之一。
  13. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該障壁層包括無機膜和有機樹脂膜的堆疊膜。
  14. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該樹脂層包括選自鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鎢(W)、及銅(Cu)的其中之一的金屬之膜，及包括該金屬的合金之膜。
  15. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該樹脂層的厚度不小於1微米且不大於30微米。
  16. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，當被投影到垂直於從該基體朝向該顯示層的堆疊方向之平面上時，該第一樹脂部與該第二樹脂部之間的距離不小於1微米且不大於100微米。
  17. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中該分割包括藉由照射第一光到該第二樹脂部、該障壁層、及該互連層上來製造該溝渠，該移除該剝離層包括照射第二光經過該基體到該剝離 層上，該第一光為從選自微微秒雷射、毫微微秒雷射、及紫外線雷射的其中之一所發出的光，以及該第二光為從選自YAG雷射、紅外線雷射、及燈的其中之一所發出的光。
  18. 一種顯示元件，係藉由該顯示元件的製造方法所製造，該方法包含：將具有第一線性熱膨脹係數之剝離層形成在基體的主表面上，該主表面具有第一區、設置在該第一區四周的第二區、及設置在該第一區與該第二區之間的第三區，該第一區對應於該顯示元件的顯示區，該剝離層包括位在該第一區上之第一剝離部、位在該第二區上之第二剝離部、及位在該第三區上之第三剝離部；將具有第一可透水性和不同於該第一線性熱膨脹係數的第二線性熱膨脹係數之樹脂層形成在該剝離層上，該樹脂層包括位在該第一剝離部上之第一樹脂部、及位在該第二剝離部上之第二樹脂部；將具有低於該第一可透水性的第二可透水性之障壁層形成在該第一樹脂部、該第二樹脂部、及該第三剝離部上；將互連層形成在該障壁層上；將顯示層形成在該第一樹脂部上之該互連層的至少一部分上；以及從該第一樹脂部移除該第一剝離部，及從該第二樹脂 部移除該第二剝離部。
  19. 一種顯示裝置，包含：顯示元件；以及驅動單元，該顯示元件係藉由該顯示元件的製造方法所製造，該方法包括：將具有第一線性熱膨脹係數之剝離層形成在基體的主表面上，該主表面具有第一區、設置在該第一區四周的第二區、及設置在該第一區與該第二區之間的第三區，該第一區對應於該顯示元件的顯示區，該剝離層包括位在該第一區上之第一剝離部、位在該第二區上之第二剝離部、及位在該第三區上之第三剝離部；將具有第一可透水性和不同於該第一線性熱膨脹係數的第二線性熱膨脹係數之樹脂層形成在該剝離層上，該樹脂層包括位在該第一剝離部上之第一樹脂部、及位在該第二剝離部上之第二樹脂部；將具有低於該第一可透水性的第二可透水性之障壁層形成在該第一樹脂部、該第二樹脂部、及該第三剝離部上；將互連層形成在該障壁層上；將顯示層形成在該第一樹脂部上之該互連層的至少一部分上；以及從該第一樹脂部移除該第一剝離部，及從該第二樹脂部移除該第二剝離部， 該驅動單元係電連接到該互連層。
  20. 一種顯示元件，包含：樹脂層，其具有第一可透水性；障壁層，係設置在該樹脂層上，及具有低於該第一可透水性的第二可透水性；顯示層，係設置在該障壁層上；電路基板，係在與該樹脂層朝向該顯示層的第一方向交叉的第二方向上與該顯示層分離；第一保護層，係設置在該電路基板上，及具有低於該第一可透水性的第三可透水性；以及互連層，其包括設置在該障壁層與該顯示層之間的第一部，及設置在該電路基板與該第一保護層之間的第二部，當被投影到垂直於該第二方向的平面上時，該第二部與該樹脂層重疊。
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