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TW201439133A - 導電膜形成用組成物及使用其的導電膜的製造方法 - Google Patents

導電膜形成用組成物及使用其的導電膜的製造方法 Download PDF

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TW201439133A
TW201439133A TW103106159A TW103106159A TW201439133A TW 201439133 A TW201439133 A TW 201439133A TW 103106159 A TW103106159 A TW 103106159A TW 103106159 A TW103106159 A TW 103106159A TW 201439133 A TW201439133 A TW 201439133A
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TW
Taiwan
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group
formula
conductive film
composition
polymer
Prior art date
Application number
TW103106159A
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English (en)
Inventor
Toru Watanabe
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Publication date
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Abstract

本發明的課題在於提供一種導電膜形成用組成物，其即便進行利用光照射的燒結，亦可獲得與基材的密接性良好且導電性優異的導電膜。本發明的導電膜形成用組成物含有：氧化銅粒子及/或銅粒子、包含具有還原性基的由特定式所表示的重複單元及具有交聯性基的由特定式所表示的重複單元的聚合物、以及與上述交聯性基進行反應的硬化劑。

Description

導電膜形成用組成物及使用其的導電膜的製造方法
本發明是有關於一種導電膜形成用組成物及使用其的導電膜的製造方法。
已知如下方法：藉由利用印刷法，將金屬粒子或金屬氧化物粒子的分散體塗佈於基材上，進行加熱處理而使其燒結，從而形成配線等導電膜。
與現有的藉由高熱．真空製程(濺鍍)或鍍敷處理的導電膜形成方法相比，上述方法由於簡便．節約能源．節約資源，故而在下一代電子開發中受到很大期待。其中，近年來，就低成本化的觀點而言，如下方法受到關注：藉由使用包含金屬氧化物粒子的組成物，對其進行加熱處理而使其還原，並且使其燒結而形成導電膜。
另一方面，於以上述方式進行加熱處理而燒結的情況下，基材被暴露於高溫中。因此，存在基材藉由熱而變形，難以獲得均勻的導電膜的問題。
其中，專利文獻1中揭示有如下方法：藉由進行利用光照射的燒結(光燒結)，不會對基材過度加熱，將基材上的氧化銅 墨水燒結而形成金屬銅膜(段落0013、實施例1等)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2010-528428號公報
然而，本發明者以專利文獻1為參考，於基材上賦予包含銅粒子或氧化銅粒子及黏合劑(聚乙烯基吡咯啶酮等)的組成物，進行加熱乾燥而形成塗膜，然後對所形成的塗膜照射光而形成導電膜，結果瞭解到基材與導電膜之間的密接性變得不充分。若如上所述，基材與導電膜之間的密接性不充分，則當形成配線等時容易產生斷線或短路等異常，因此成為問題。另外，亦瞭解到存在所得導電膜的導電性變得不充分的情況。
因此，本發明鑒於上述實際情況，目的在於提供一種即便進行利用光照射的燒結，亦可獲得與基材的密接性良好且導電性優異的導電膜的導電膜形成用組成物。
本發明者為了完成上述課題而進行積極研究，結果發現，藉由製成包含氧化銅粒子及/或銅粒子、包含具有特定還原性基的重複單元及具有特定交聯性基的重複單元的聚合物、以及與上述交聯性基進行反應的硬化劑的組成物，則對由組成物形成的塗膜照射光而獲得的導電膜與基材的密接性良好，且導電性優異，從而完成本發明。
即，本發明者等人發現可藉由以下的構成來解決上述課題。
(1)一種導電膜形成用組成物，其含有：氧化銅粒子及/或銅粒子、包含後述式(1)所表示的重複單元及後述式(2)所表示的重複單元的聚合物、以及與後述式(2)中的B所表示的交聯性基進行反應的硬化劑。
(2)如上述(1)所述的導電膜形成用組成物，其中上述聚合物為：包含後述式(3)所表示的重複單元及後述式(2)所表示的重複單元的聚合物、包含後述式(4)所表示的重複單元及後述式(5)所表示的重複單元的聚合物、或者包含後述式(6)所表示的重複單元的聚合物。
(3)如上述(2)所述的導電膜形成用組成物，其中上述聚合物為包含上述式(3)所表示的重複單元及上述式(2)所表示的重複單元的聚合物。
(4)如上述(1)~(3)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述式(2)中的B為上述式(B-1)或式(B-7)所表示的基，上述硬化劑為胺或醇。
(5)如上述(1)~(3)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述式(2)中的B為上述式(B-2)所表示的基，上述硬化劑為環氧化物、醛、或者具有2個以上的後述式(13)所表示的部分結構的化合物。
(6)一種導電膜的製造方法，其包括：塗膜形成步驟，將如上述(1)~(5)中任一項所述的導電膜形成用組成物賦予至基材上，於上述基材上形成組成物層，然 後，對上述組成物層實施加熱處理而形成塗膜；以及還原步驟，對上述塗膜進行光照射處理，將上述氧化銅粒子及/或銅粒子還原而形成導電膜。
(7)如上述(6)所述的導電膜的製造方法，其中上述光照射處理為脈衝光照射處理。
依據本發明，能夠提供即便進行利用光照射的燒結，亦可獲得與基材的密接性良好，且導電性優異的導電膜的導電膜形成用組成物。
[導電膜形成用組成物]
本發明的導電膜形成用組成物(以下亦稱為本發明的組成物)含有：氧化銅粒子及/或銅粒子、以及包含後述式(1)所表示的重複單元及後述式(2)所表示的重複單元的聚合物。此處，如後所述，式(1)所表示的重複單元具有特定的還原性基。另外，式(2)所表示的重複單元具有特定的交聯性基。另外，本發明的組成物含有與上述式(2)中的B所表示的交聯性基進行反應的硬化劑。
藉由本發明的組成物採取此種構成，則對由組成物形成的塗膜照射光而獲得的導電膜成為與基材的密接性良好，且導電性優異的膜。
其詳情並不明確，但大致推測如下。
於對由含有氧化銅粒子及/或銅粒子的組成物所獲得的塗膜照射光而使其光燒結的情況下，藉由塗膜中的溶劑或黏合劑等成分分解．揮發，塗膜自身會產生微觀或宏觀的破裂，結果，認為所得的導電膜與基材的密接性或導電性變得不充分。
如上所述，本發明的組成物由於含有特定的聚合物(具有特定的還原性基及特定的交聯性基的聚合物)以及與上述特定的交聯性基進行反應的硬化劑，故而由本發明的組成物形成的塗膜中會形成聚合物彼此的交聯結構。因此，於對由本發明的組成物所獲得的塗膜照射光的情況下，塗膜自身不會發生物理性分解，藉由特定的還原性基等，氧化銅粒子或一部分被氧化的銅粒子被還原，銅粒子彼此熔著，而獲得與基材的密接性優異的導電膜。推測其原因亦在於：於如後述比較例所示，雖含有特定的聚合物但不含硬化劑的情況(比較例1~比較例8)，或雖含有硬化劑但不含特定聚合物(含有雖具有特定的交聯性基但不具有特定的還原性基的聚合物)情況(比較例9)下，密接性變得不充分。
另外，如上所述，認為本發明的組成物中所含有的聚合物由於具有特定的還原性基，故而於光燒結時快速產生氧化銅粒子或一部分被氧化的銅粒子的還原，獲得導電性優異的導電膜。
此外，於除了具有交聯性基的聚合物以外，另外僅調配並不固定為聚合物的還原劑的情況下，還原劑會於光燒結時揮發，因此氧化銅粒子等的還原並未充分進行，所得導電膜的導電性變得 不充分。即，可以說本發明的其中1個特徵在於使用兼具還原性與交聯性的功能的聚合物。
以下，首先，對導電膜形成用組成物的各種成分(氧化銅粒子等、聚合物、硬化劑等)進行詳細說明，然後，對導電膜的製造方法進行詳細說明。
<氧化銅粒子及/或銅粒子>
本發明的組成物中含有氧化銅粒子及/或銅粒子(較佳為氧化銅粒子)。如上所述，於對由本發明的組成物形成的塗膜照射光的情況下，氧化銅粒子或一部分被氧化的銅粒子被快速還原而形成導電性優異的導電膜。
(氧化銅粒子)
本發明的組成物中所含有的氧化銅粒子只要是粒子狀的氧化銅，則並無特別限定。
所謂粒子狀，是指小的粒狀，其具體例可列舉球狀、橢球(ellipsoid)狀等。不必為完全的球或橢球，亦可為一部分歪斜。
氧化銅粒子較佳為氧化銅(I)粒子或氧化銅(II)粒子，就可低廉地獲取，另外，所得導電膜的導電性良好的理由而言，更佳為氧化銅(II)粒子。
氧化銅粒子較佳為奈米粒子。
氧化銅粒子的平均粒徑並無特別限制，但較佳為200nm以下，更佳為100nm以下。下限亦無特別限制，但較佳為1nm以上。
若平均粒徑為1nm以上，則粒子表面的活性不會變得過高，在組成物中不會溶解，操作性優異，因此較佳。另外，若平均粒徑為200nm以下，則使用組成物作為噴墨用墨水組成物，容易利用印刷法來進行配線等的圖案形成，當將組成物製成導體時，對金屬銅的還原變得充分，所得導電膜的導電性變得良好，因此較佳。
此外，本發明中的平均粒徑是指平均一次粒徑。平均粒徑是藉由穿透型電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，TEM)觀察，測定至少50個以上的氧化銅粒子的粒徑(直徑)，將該些粒徑進行算術平均而求出。此外，於觀察圖中，氧化銅粒子的形狀不為圓球狀的情況下，測定長徑作為直徑。
氧化銅粒子例如可較佳地使用關東化學公司製造的CuO奈米粒子、西格瑪奧德里奇(Sigma-Aldrich)公司製造的CuO奈米粒子等。
(銅粒子)
本發明的組成物中所含的銅粒子只要是粒子狀的銅，則並無特別限定。
粒子狀的定義與上述氧化銅粒子相同。
銅粒子較佳為奈米粒子。
銅粒子的平均粒徑的較佳態樣與上述氧化銅粒子相同。
<聚合物>
本發明的組成物中含有包含下述式(1)所表示的重複單元及 下述式(2)所表示的重複單元的聚合物(以下亦稱為特定聚合物)。
如上所述，由於本發明的組成物中所含的特定聚合物含有特定的交聯性基，故而於對所得的塗膜照射光的情況下，塗膜自身不會發生物理性分解，獲得與基材的密接性優異的導電膜。另外，由於本發明的組成物中所含的特定聚合物具有特定的還原性基，故而光燒結時快速產生氧化銅粒子或一部分被氧化的銅粒子的還原，獲得導電性優異的導電膜。
上述式(1)中，R1表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基(較佳為碳數1~5的烷基)。其中，較佳為氫原子、甲基，更佳為氫原子。
上述式(1)中，L1表示單鍵或2價有機基。
2價有機基可列舉：經取代或未經取代的脂肪族烴基(例如伸烷基；較佳為碳數1~8)、經取代或未經取代的芳香族烴基(例如伸芳基；較佳為碳數6~12)、-O-、-S-、-SO2-、-N(R)-(R：烷基)、 -CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或者將該些基組合而成的基團(例如伸烷基氧基、伸烷基氧基羰基、伸烷基羰基氧基等)等。其中，較佳為伸烷基、-O-、-COO-、或者將該些基組合而成的基團。
上述式(1)中，A為還原性基，具體而言，表示含有醯胺基(-CON<)的有機基、或者羥基(-OH)。其中，就所得導電膜的密接性更優異的理由而言，較佳為含有醯胺基的有機基。此外，上述還原性基於光燒結時對氧化銅粒子或一部分被氧化的銅粒子表現出還原性。
上述含有醯胺基的有機基並無特別限制，較佳態樣例如可列舉下述式(7)所表示的基。
上述式(7)中，R71表示可具有雜原子的烴基。存在多個的R71可分別相同亦可不同。R71可由R71彼此形成環。
上述可具有雜原子的烴基的雜原子例如可列舉氧原子、氮原子、硫原子、磷原子等。
上述可具有雜原子的烴基例如可列舉：脂肪族烴基、芳香族 烴基、或者將該些基組合而成的基團等。
上述脂肪族烴基可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀的任一種。上述脂肪族烴基的具體例可列舉：直鏈狀或分支狀的烷基(特別是碳數1~10)、直鏈狀或分支狀的烯基(特別是碳數2~10)、直鏈狀或分支狀的炔基(特別是碳數2~10)等。
上述芳香族烴基例如可列舉芳基、萘基等。上述芳基例如可列舉苯基、甲苯基、二甲苯基等碳數6~18的芳基等。
上述式(7)中，*表示鍵結位置。
上述式(7)所表示的基的較佳態樣例如可列舉由R71彼此形成環的態樣。其中，較佳為下述式(8)所表示的基。
上述式(8)中，R81表示氫原子、或可具有雜原子的烴基。存在多個的R81可分別相同亦可不同。R81的具體例與上述R71相同。其中，較佳為氫原子。
上述式(2)中，R2表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。R2的具體例及較佳態樣與上述R1相同。
上述式(2)中，L2表示單鍵或2價有機基。L2的具體例及較佳態樣與上述L1相同。
上述式(2)中，B為交聯性基，表示選自由下述式(B-1)~式(B-9)所組成的組群中的基。
上述式(B-1)~式(B-9)中，Rb表示氫原子、或可具有雜原子的烴基。存在多個的Rb可分別相同亦可不同。*表示鍵結位置。
上述式(B-1)中，Rb較佳為氫原子或者經取代或未經取代的烷基，更佳為氫原子。
上述式(B-3)中，Rb較佳為經取代或未經取代的烷基(特別 是碳數1~5的烷基)。
上述式(B-6)中，Rb較佳為氫原子或者經取代或未經取代的烷基(特別是碳數1~5的烷基)，更佳為甲基。
上述式(B-7)中，Rb較佳為氫原子或者經取代或未經取代的烷基，更佳為氫原子。m表示0~11的整數。n表示0~2的整數。其中，於n為0的情況下，m表示0~7的整數，於n為1的情況下，m表示0~9的整數，於n為2的情況下，m表示0~11的整數。
上述式(B-8)中，Rb較佳為氫原子或者經取代或未經取代的烷基，更佳為氫原子。
上述式(B-9)中，Rb較佳為氫原子或者經取代或未經取代的烷基，更佳為氫原子。
上述式(2)中，就所得導電膜的密接性更優異的理由而言，B較佳為選自由式(B-1)、式(B-3)、式(B-4)、式(B-5)、式(B-6)及式(B-7)所組成的組群中的基，更佳為選自由式(B-1)、式(B-3)、式(B-4)、式(B-6)及式(B-7)所組成的組群中的基，尤佳為選自由式(B-1)、式(B-3)、式(B-6)及式(B-7)所組成的組群中的基，特佳為式(B-1)或式(B-7)。
此外，於上述式(2)中的B所表示的交聯性基為上述式(B-2)的情況下，上述式(1)所表示的重複單元與上述式(2)所表示的重複單元可相同。另外，於上述式(2)中的B所表示的交聯性基為上述式(B-2)的情況下，上述特定聚合物只要至少包 含上述式(2)所表示的重複單元即可。
其原因在於，於上述式(2)中的B所表示的交聯性基為上述式(B-2)的情況下，上述交聯性基亦發揮還原性基的功能。
上述特定聚合物的較佳態樣例如可列舉：包含下述式(3)所表示的重複單元及下述式(2)(與上述式(2)相同)所表示的重複單元的聚合物P、包含下述式(4)所表示的重複單元及下述式(5)所表示的重複單元的聚合物Q、以及包含下述式(6)所表示的重複單元的聚合物R。其中，就所得導電膜的密接性更優異的理由而言，較佳為聚合物P或聚合物R，更佳為聚合物P。
上述式(3)中，R3表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。R3的具體例及較佳態樣與上述R1相同。
上述式(3)中，R31表示氫原子、或可具有雜原子的烴基。存在多個的R31可分別相同亦可不同。R31的具體例與上述R71相同。其中，較佳為氫原子。
上述式(4)及式(5)中，R4及R5分別獨立地表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。R4及R5的具體例及較佳態樣與上述R1相同。
此外，包含上述式(4)所表示的重複單元及下述式(5)所表示的重複單元的聚合物Q中，上述式(4)所表示的重複單元既相當於上述式(1)所表示的重複單元，亦相當於上述式(2)所表示的重複單元。即，上述式(4)中的OH基為上述式(1)中的A(還原性基)，且亦為上述式(2)中的B(交聯性基)。
上述式(6)中，R6表示氫原子、或者經取代或未經取 代的烷基。R6的具體例及較佳態樣與上述R1相同。
上述式(6)中，L6表示單鍵或2價有機基。L6的具體例與上述L1相同。其中，較佳為伸烷基、-O-、-COO-、-CO-或者將該些基組合而成的基團，更佳為-CO-。
上述式(6)中，R61表示2價脂肪族烴基。其中，較佳為碳數1~5的伸烷基，更佳為1~3的伸烷基，尤佳為伸乙基。
上述式(6)中，p表示1~100的整數。其中，較佳為5~30的整數。
此外，包含上述式(6)所表示的重複單元的聚合物R中，上述式(6)所表示的重複單元既相當於上述式(1)所表示的重複單元，亦相當於上述式(2)所表示的重複單元。即，位於上述式(6)中的側鏈的末端的OH基為上述式(1)中的A(還原性基)，且亦為上述式(2)中的B(交聯性基)。
就粒子分散性良好，所得導電膜的均勻性提高的觀點而言，上述特定聚合物較佳為水溶性。
上述特定聚合物的分子量並無特別限制，但就組成物的製備，塗佈性、膜性質提高等觀點而言，較佳為1000~1000000，更佳為10000~500000。
此外，本申請案中，使用東曹公司製造的凝膠滲透層析儀(Gel Permeation Chromatograph，GPC)，將N-甲基吡咯啶酮作為溶劑，以聚苯乙烯換算來測定上述特定聚合物的重量平均分子量。
上述特定聚合物的製造方法並無特別限制，可採用公知 的方法。例如，可藉由使用形成所需重複單元的乙烯基系單體，進行自由基聚合、陽離子聚合或者陰離子聚合，而獲得所需的乙烯基系聚合物。
此外，各聚合形式中可視需要使用各種起始劑(例如自由基聚合起始劑等)。
本發明的組成物中，就所得導電膜的導電性與組成物的保存穩定性的平衡的觀點而言，相對於上述氧化銅粒子與上述銅粒子的合計含量，上述特定聚合物的含量較佳為1質量%~50質量%，更佳為3質量%~30質量%，尤佳為5質量%~15質量%。
<硬化劑>
本發明的組成物中含有與上述式(2)中的B所表示的交聯性基進行反應的硬化劑。
此種硬化劑只要是與上述式(2)中的B所表示的交聯性基進行反應的硬化劑，則並無特別限制，例如可列舉：胺(含胺基的化合物)、醇(將鏈式或脂環式烴的氫原子以羥基取代的化合物)、環氧化物(含環氧基的化合物)、醛(含醛基的化合物)、自由基起始劑、乙烯基化合物(含乙烯基的化合物)、酸觸媒、羧酸等。
上述胺並無特別限制，但較佳為具有多個(特別是2個)胺基的胺。此種胺例如可列舉：二伸乙基三胺或三伸乙基四胺等脂肪族多胺、間苯二胺或二胺基二苯基甲烷或二胺基二苯基碸等芳香族多胺等。其中，較佳為下述式(16)所表示的化合物。
H2N-L16-NH2 式(16)
上述式(16)中，L16表示單鍵或2價有機基。L16的具體例與上述L1相同。其中，較佳為伸烷基、或者伸烷基與-NH-組合而成的基團。
上述醇並無特別限制，但較佳為具有多個(特別是2個)羥基的可具有雜原子的脂肪族烴。此種脂肪族烴例如可列舉：乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺、雙羥基甲基脲等。其中，較佳為具有二級胺基(-NR-：R為氫原子或烴基)或者三級胺基(-N<)的化合物，更佳為下述式(9)所表示的化合物。
上述式(9)中，R91表示2價脂肪族烴基。R91的具體例與上述R61相同。其中，較佳為碳數1~5的伸烷基。
上述式(9)中，s為0或1。
上述式(9)中，t為2或3。
上述式(9)中，s及t滿足s+t=3的關係式。
另外，上述醇的較佳態樣例如可列舉具有2個以上的下 述式(13)所表示的部分結構的化合物。
上述式(13)中，R131表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。R131的具體例與上述R1相同。R131較佳為氫原子。
具有2個以上的上述式(13)所表示的部分結構的化合物的較佳態樣例如可列舉下述式(14)所表示的化合物。
上述式(14)中，R141表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。R141的具體例與上述R1相同。R141較佳為氫原子。
上述環氧化物只要是含有環氧基的化合物，則並無特別限制，但較佳為含有多個(特別是2個)環氧基的化合物。其中，較佳為下述式(10)所表示的化合物。
上述式(10)中，L10表示單鍵或2價有機基。L10的具體例及較佳態樣與上述L1相同。
上述醛只要是含有醛基的化合物，則並無特別限制，但較佳為含有多個(特別是2個)醛基的化合物。其中，較佳為下述式(11)所表示的化合物。
上述式(11)中，L11表示單鍵或2價有機基。L11的具體例與上述L1相同。其中較佳為單鍵。
上述醛較佳為乙二醛(glyoxal)。
上述自由基起始劑並無特別限制，例如可使用：苯乙酮(acetophenone)類、安息香(benzoin)類、二苯甲酮(benzophenone)類(1-羥基-1,2,3,4,5,6-六氫二苯甲酮等)、氧化膦(phosphine oxide)類、縮酮(ketal)類、蒽醌(anthraquinone)類、硫雜蒽酮(thioxanthone)類、偶氮化合物、過氧化物類、2,3-二烷基二酮 化合物類、二硫醚化合物類、氟胺化合物類、芳香族鋶類、咯吩二聚物(lophine dimer)類、鎓鹽類、硼酸鹽類、活性酯類、活性鹵素類、無機錯合物、香豆素類、有機或無機過氧化物、有機偶氮或者重氮化合物(例如後述VA-080)等。
上述乙烯基化合物只要是含有乙烯基的化合物，則並無特別限制，但較佳為含有多個(特別是2個)乙烯基的化合物。其中，較佳為下述式(12)所表示的化合物。
上述式(12)中，L12表示單鍵或2價有機基。L12的具體例與上述L1相同。其中較佳為具有硫原子的有機基，更佳為-S-或-SO2-，尤佳為-SO2-。
上述酸觸媒並無特別限制，可使用公知的酸觸媒。具體例可列舉：乙二酸、酒石酸、琥珀酸、檸檬酸、鹽酸、硫酸、對甲苯磺酸等。
上述羧酸並無特別限制，只要是具有羧基的化合物，則並無特別限制，較佳為含有多個(特別是2個)羧基的化合物。其中，較佳為下述式(15)所表示的化合物。
HOOC-L15-COOH 式(15)
上述式(15)中，L15表示單鍵或2價有機基。L15的具體例與上述L1相同。其中較佳為伸烷基(特別是碳數1~5)。
於上述式(2)中的B(交聯性基)為上述式(B-1)或式(B-7)~式(B-9)的情況下，就所得導電膜的密接性及導電性更優異的理由而言，硬化劑較佳為上述胺或上述醇，更佳為上述胺。
於上述式(2)中的B(交聯性基)為上述式(B-4)的情況下，就所得導電膜的密接性及導電性更優異的理由而言，硬化劑較佳為上述酸觸媒或上述醇，更佳為上述酸觸媒。
於上述式(2)中的B(交聯性基)為上述式(B-5)的情況下，就所得導電膜的密接性及導電性更優異的理由而言，硬化劑較佳為上述羧酸。
於上述式(2)中的B(交聯性基)為上述式(B-2)的情況下，就所得導電膜的密接性及導電性更優異的理由而言，硬化劑較佳為上述環氧化物、具有2個以上的上述式(13)所表示的部分結構的化合物、上述乙烯基化合物或上述醛，更佳為上述環氧化物、、具有2個以上的上述式(13)所表示的部分結構的化合物或上述乙烯基化合物，尤佳為上述環氧化物或具有2個以上的上 述式(13)所表示的部分結構的化合物，特佳為上述環氧化物。
於上述式(2)中的B(交聯性基)為上述式(B-3)的情況下，就所得導電膜的密接性及導電性更優異的理由而言，硬化劑較佳為上述醇，更佳為具有2個以上的上述式(13)所表示的部分結構的化合物。
於上述式(2)中的B(交聯性基)為上述式(B-6)的情況下，就所得導電膜的密接性及導電性更優異的理由而言，硬化劑較佳為上述自由基起始劑。
本發明的組成物中，就效率良好地將聚合物交聯的觀點而言，相對於上述特定聚合物的含量，上述硬化劑的含量較佳為0.01質量%~30質量%，更佳為0.1質量%~20質量%。
<溶劑>
就黏度調節的容易度、以及印刷性的觀點而言，本發明的組成物較佳為含有溶劑。溶劑發揮氧化銅粒子及/或銅粒子的分散介質的功能。
溶劑的種類並無特別限制，例如可使用水或醇類、醚類、酯類等有機溶劑等。其中，就形成均質的膜，結果所形成的導電膜的導電性更優異的理由而言，較佳為使用水、具有1價~3價羥基的脂肪族醇、源自該脂肪族醇的烷基醚、源自該脂肪族醇的烷基酯、或者該些溶劑的混合物。其中，就沸點不會過高的方面而言，特佳為使用水作為主溶劑。所謂主溶劑，是指溶劑中含有率最多的溶劑。
溶劑的含量並無特別限制，但就抑制黏度的上升，操作性更優異的方面而言，相對於組成物總質量，上述溶劑的含量較佳為5質量%~90質量%，更佳為8質量%~80質量%。
<其他成分>
本發明的組成物中可包含上述各成分以外的成分。
例如，本發明的組成物中可包含界面活性劑。界面活性劑發揮使氧化銅粒子及/或銅粒子的分散性提高的作用。界面活性劑的種類並無特別限制，可列舉陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑、氟系界面活性劑、兩性界面活性劑等。該些界面活性劑可單獨使用1種，或者將2種以上混合使用。
<導電膜形成用組成物的黏度>
本發明的組成物的黏度較佳為調整為適合於噴墨、網版印刷等印刷用途的黏度。於進行噴墨噴出的情況下，較佳為1cP~50cP，更佳為1cP~40cP。於進行網版印刷的情況下，較佳為1000cP~100000cP，更佳為10000cP~80000cP。
<導電膜形成用組成物的製備方法>
本發明的組成物的製備方法並無特別限制，可採用公知的方法。例如，可藉由在上述溶劑中添加上述氧化銅粒子及/或銅粒子、上述特定聚合物、以及上述硬化劑後，利用超音波法(例如利用超音波均質機的處理)、混合機法、三輥法、球磨機法等公知的方法，使成分分散而獲得組成物。
[導電膜的製造方法]
本發明的導電膜的製造方法至少包括塗膜形成步驟及還原步驟。以下，對各步驟進行詳細說明。
<塗膜形成步驟>
本步驟是將上述導電膜形成用組成物賦予至基材上，於基材上形成組成物層，然後，對組成物層實施加熱處理而形成塗膜的步驟。藉由本步驟而獲得實施還原處理之前的前驅體膜。
所使用的導電膜形成用組成物如上所述。
本步驟中使用的基材可使用公知的基材。基材中使用的材料例如可列舉：樹脂、紙、玻璃、矽系半導體、化合物半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、木材、或者該些材料的複合物。
更具體而言，可列舉：低密度聚乙烯樹脂、高密度聚乙烯樹脂、丙烯腈丁二烯苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS)樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、氯乙烯樹脂、聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯)、聚縮醛樹脂、聚碸樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醚酮樹脂、纖維素衍生物等樹脂基材；非塗佈印刷用紙、微塗佈印刷用紙、塗佈印刷用紙(銅版紙(art paper)、塗佈紙(coated paper))、特殊印刷用紙、複印用紙(普通紙複印機(plain paper copier，PPC)用紙)、未漂白包裝紙(unbleached wrapping paper)(重袋用運輸袋/牛皮紙(unglazed shipping sacks kraft paper)、運輸袋/牛皮紙(kraft paper))、漂白包裝紙(bleached wrapping paper)(漂白牛皮紙(bleached kraft paper)、純白捲筒紙(pure white roll paper))、塗佈紙板(coated board)、粗紙板(chipboard)、硬紙板(cardboard)等紙基材；鈉玻璃、硼矽酸玻璃、二氧化矽玻璃、石英玻璃等玻璃基材；非晶矽(amorphous silicon)、多晶矽(polysilicon)等矽系半導體基材；CdS、CdTe、GaAs等化合物半導體基材；銅板、鐵板、鋁板等金屬基材；氧化鋁、藍寶石、氧化鋯、氧化鈦、氧化釔、氧化銦、銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、奈塞(NESA)(氧化錫)、摻銻的氧化錫(antimony-doped tin oxide，ATO)、摻氟的氧化錫、氧化鋅、摻鋁的氧化鋅(aluminum-doped zinc oxide，AZO)、摻鎵的氧化鋅、氮化鋁基材、碳化矽等其他的無機基材；紙-酚樹脂、紙-環氧樹脂、紙-聚酯樹脂等紙-樹脂複合物、玻璃布-環氧樹脂、玻璃布-聚醯亞胺系樹脂、玻璃布-氟樹脂等玻璃-樹脂複合物等複合基材等。該些基材中，較佳為使用聚酯樹脂基材、聚醚醯亞胺樹脂基材、紙基材、玻璃基材、玻璃布-環氧樹脂。
將導電膜形成用組成物賦予至基材上而形成組成物層的方法並無特別限制，可採用公知的方法。例如可列舉：於導電膜形成用組成物中浸漬基材的方法、或將導電膜形成用組成物塗佈於基材上的方法等。就容易控制導電膜的厚度的方面而言，較佳為將導電膜形成用組成物塗佈於基材上的方法。
塗佈的方法例如可列舉：雙輥塗佈機、狹縫塗佈機、氣刀塗佈機、線棒塗佈機、滑板漏斗(slide hopper)、噴射塗佈、刀片(blade)塗佈機、刮刀塗佈機、壓擠塗佈機(squeeze coater)、逆轉輥塗佈 機、轉送輥塗佈機(transfer roll coater)、擠出塗佈機(extrusion coater)、簾幕塗佈機、浸漬塗佈機、模塗佈機、利用凹版輥的塗佈法、網版印刷法、浸漬塗佈法、噴射塗佈法、旋轉塗佈法、噴墨法等。其中，就簡便且容易製造尺寸大的導電膜的方面而言，較佳為網版印刷法、噴墨法。
塗佈的形狀並無特別限制，可為覆蓋基材整個面的面狀，亦可為圖案狀(例如配線狀、點狀)。
導電膜形成用組成物於基材上的塗佈量只要根據所需的導電膜的膜厚來適當調整即可，通常，塗膜的膜厚較佳為0.01μm~5000μm，更佳為0.1μm~1000μm。
對組成物層的加熱處理的條件並無特別限制，但加熱溫度較佳為80℃~200℃。
加熱處理中可使用例如送風乾燥機、烘箱、紅外線乾燥機、加熱筒(drum)等。
<還原步驟>
本步驟是對上述塗膜形成步驟中形成的塗膜進行光照射處理，將氧化銅粒子及/或銅粒子還原而形成導電膜的步驟。
光照射處理中使用的光源並無特別限制，例如有：水銀燈、金屬鹵化物燈、氙(Xe)燈、化學燈、碳弧燈等。放射線有：電子束、X射線、離子束、遠紅外線等。另外，亦使用g射線、i射線、深紫外光(Deep-UV光)、高密度能量束(雷射束)。
具體的態樣可適宜列舉：藉由紅外線雷射的掃描曝光、氙(Xe) 放電燈等高照度閃光曝光(flash exposure)、紅外線燈曝光等。
光照射處理較佳為利用閃光燈(特別是Xe閃光燈)的光照射處理，更佳為利用閃光燈(特別是Xe閃光燈)的脈衝光照射處理。高能量的脈衝光的照射由於可對賦予塗膜的部分的表面，以極短的時間來集中加熱，故而可極力減小熱對基材的影響。
脈衝光的照射能量較佳為1J/cm2~100J/cm2，更佳為1J/cm2~50J/cm2，尤佳為1J/cm2~30J/cm2。脈衝光的脈衝寬度較佳為1微秒~100毫秒，更佳為10微秒~10毫秒。脈衝光的照射時間較佳為1微秒~1000毫秒，更佳為1毫秒~500毫秒，尤佳為1毫秒~200毫秒。
實施上述光照射處理的環境並無特別限制，可列舉：大氣環境下、惰性氣體環境下、或者還原性氣體環境下等。此外，所謂惰性氣體環境，是指例如充滿氬、氦、氖、氮等惰性氣體的環境，另外，所謂還原性氣體環境，是指存在氫氣、一氧化碳、甲酸、醇等還原性氣體的環境。
<導電膜>
藉由實施上述步驟而獲得導電膜。
導電膜的膜厚並無特別限制，根據所使用的用途來適當調整最佳的膜厚。其中，就印刷配線基板用途的方面而言，較佳為0.01μm~1000μm，更佳為0.1μm~100μm。
此外，膜厚是對導電膜的任意點的厚度測定3個部位以上，將其值進行算術平均而獲得的值(平均值)。
就導電特性的方面而言，導電膜的體積電阻值較佳為2.0×10-4Ω．cm以下。
體積電阻值可藉由利用四探針法來測定導電膜的表面電阻值後，將所得的表面電阻值與膜厚相乘來算出。
導電膜可設置於基材的整個面、或者設置為圖案狀。圖案狀的導電膜可用作印刷配線基板等的導體配線(配線)。
獲得圖案狀的導電膜的方法可列舉：將上述導電膜形成用組成物於基材賦予為圖案狀，進行上述光照射處理的方法；或將設置於基材整個面的導電膜蝕刻為圖案狀的方法等。
蝕刻的方法並無特別限制，可採用公知的減色法(subtractive process)、半加成法(semiadditive process)等。
於將圖案狀的導電膜構成為多層配線基板的情況下，可於圖案狀的導電膜的表面進而積層絕緣層(絕緣樹脂層、層間絕緣膜、阻焊層(solder resist))，於其表面形成進一步的配線(金屬圖案)。
絕緣膜的材料並無特別限制，例如可列舉：環氧樹脂、聚芳醯胺(aramid)樹脂、結晶性聚烯烴樹脂、非晶性聚烯烴樹脂、含氟樹脂(聚四氟乙烯、全氟化聚醯亞胺、全氟化非晶質樹脂等)、聚醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醚酮樹脂、液晶樹脂等。
該些材料中，就密接性、尺寸穩定性、耐熱性、電氣絕緣性等觀點而言，較佳為含有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或者液晶樹 脂的材料，更佳為環氧樹脂。具體而言，可列舉味之素精細化學(Ajinomoto Fine-Techno)(股)製造的ABF GX-13等。
另外，作為用於保護配線的絕緣層的材料的一種的阻焊劑，例如詳細記載於日本專利特開平10-204150號公報、或日本專利特開2003-222993號公報等中，視需要亦可將其中記載的材料應用於本發明中。阻焊劑可使用市售品，具體而言，例如可列舉：太陽墨水製造(股)製造的PFR800、PSR4000(商品名)，日立化成工業(股)製造的SR7200G等。
上述所獲得的具有導電膜的基材(帶有導電膜的基材)可用於多種用途。例如可列舉：印刷配線基板、薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)、可撓性印刷電路(Flexible Printed Circuit，FPC)、無線射頻辨識系統(Radio Frequency Identification system，RFID)等。
[實施例]
以下，藉由實施例，對本發明進一步進行詳細說明，但本發明並不限定於該些實施例。
(合成例1：聚合物1)
於三口燒瓶中添加N-乙烯基吡咯啶酮80質量份、220質量份的二甲基乙醯胺(dimethyl acetamide，DMAc)，於氮氣流下加熱至75℃。向其中，花3小時滴加N-乙烯基吡咯啶酮(下述結構)80質量份、Cyclomer A(下述結構，大賽璐(Daicel)公司製造)29質量份、以及V-601(和光純藥公司製造，下述結構)3.7質量 份的DMAc(220質量份)溶液。滴加結束後，攪拌3小時。然後，將反應溶液冷卻至室溫。反應結束後，以己烷/乙酸乙酯進行再沈澱，取出固形物(聚合物)。所得聚合物的重量平均分子量Mw為31000。將所得的聚合物作為聚合物1。
(合成例2：聚合物2)
於三口燒瓶中添加N-乙烯基吡咯啶酮62質量份、202質量份的DMAc，於氮氣流下加熱至75℃。向其中，花3小時滴加N-乙烯基吡咯啶酮62質量份、羥基甲基丙烯醯胺(下述結構)49質量份、以及V-601(和光純藥公司製造)3.7質量份的DMAc(202質量份)溶液。滴加結束後，攪拌3小時。然後，將反應溶液冷卻至室溫。反應結束後，以乙酸乙酯進行再沈澱，取出固形物(聚合物)。所得聚合物的重量平均分子量Mw為36000。將所得的聚合物作為聚合物2。
(合成例3：聚合物3)
於三口燒瓶中添加N-乙烯基吡咯啶酮62質量份、183質量份的DMAc，於氮氣流下加熱至75℃。向其中，花3小時滴加N-乙烯基吡咯啶酮62質量份、4-羥基丁基丙烯酸酯縮水甘油醚(下述結構)32質量份、以及V-601(和光純藥公司製造)3.7質量份的DMAc(183質量份)溶液。滴加結束後，攪拌3小時。然後，將反應溶液冷卻至室溫。反應結束後，以乙酸乙酯進行再沈澱，取出固形物(聚合物)。所得聚合物的重量平均分子量Mw為30000。將所得的聚合物作為聚合物3。
(合成例4：聚合物4)
於三口燒瓶中添加N-乙烯基吡咯啶酮62質量份、163質量份 的DMAc，於氮氣流下加熱至75℃。向其中，花3小時滴加N-乙烯基吡咯啶酮62質量份、乙烯基噁唑啉(下述結構)16質量份、以及V-601(和光純藥公司製造)3.7質量份的DMAc(163質量份)溶液。滴加結束後，攪拌3小時。然後，將反應溶液冷卻至室溫。反應結束後，以乙酸乙酯進行再沈澱，取出固形物(聚合物)。所得聚合物的重量平均分子量Mw為24000。將所得的聚合物作為聚合物4。
(合成例5：聚合物5)
於三口燒瓶中加入180質量份的DMAc，於氮氣流下加熱至75℃。向其中，花3小時滴加Blemmer AE400(日油公司製造，下述結構)150質量份、以及V-601(和光純藥公司製造)0.7質量份的DMAc(180質量份)溶液。滴加結束後，攪拌3小時後，將反應溶液冷卻至室溫。反應結束後，以己烷/乙酸乙酯進行再沈澱，取出固形物(聚合物)。所得聚合物的重量平均分子量Mw為45000。將所得的聚合物作為聚合物5。
(合成例6：聚合物6)
於三口燒瓶中添加Karenz AOI(和光純藥公司製造，下述結構)7質量份、2,5-二-第三戊基對苯二酚(下述結構)0.01質量份、四氫呋喃(tctrahydrofuran，THF)30質量份，於冰浴下滴加2-丁酮肟(下述結構)5質量份。於室溫下攪拌1小時後，以乙酸乙酯進行萃取，藉此獲得單體6(下述結構)。
於三口燒瓶中添加N-乙烯基吡咯啶酮62質量份、188質量份的DMAc，於氮氣流下加熱至75℃。向其中，花3小時滴加N-乙烯基吡咯啶酮62質量份、單體6(37質量份)、以及V-601(和光純藥公司製造)3.7質量份的DMAc(163質量份)溶液。滴加結束後，攪拌3小時。然後，將反應溶液冷卻至室溫。反應結束後，以己烷/乙酸乙酯進行再沈澱，取出固形物(聚合物)。所得聚合物的重量平均分子量Mw為37000。將所得的聚合物作為聚合物6。
(合成例7：聚合物7)
於三口燒瓶中添加N-乙烯基吡咯啶酮80質量份、200質量份的DMAc，於氮氣流下加熱至75℃。向其中，花3小時滴加N-乙烯基吡咯啶酮80質量份、丙烯酸(下述結構)12質量份、以及V-601(和光純藥公司製造)3.7質量份的DMAc(200質量份)溶液。滴加結束後，攪拌3小時。然後，將反應溶液冷卻至室溫。
於該反應液中添加2,5-二-第三戊基對苯二酚0.05質量份、以及苄基三乙基氯化銨(下述結構)5質量份的DMAc(50質量份)溶液，進而添加甲基丙烯酸縮水甘油酯(下述結構)28質量份後，於100℃下攪拌4小時。反應結束後，以乙酸乙酯進行再沈澱，取出固形物(聚合物)。所得聚合物的重量平均分子量Mw為70000。將所得的聚合物作為聚合物7。
(聚合物8)
將PVA500(關東化學公司製造)作為聚合物8。
(聚合物9)
於三口燒瓶中加入180質量份的DMAc，於氮氣流下加熱至75℃。向其中，花3小時滴加4-羥基丁基丙烯酸酯縮水甘油醚(下述結構)150質量份、以及V-601(和光純藥公司製造)0.7質量份的DMAc(180質量份)溶液。滴加結束後，攪拌3小時後，將反應溶液冷卻至室溫。反應結束後，以己烷/乙酸乙酯進行再沈澱，取出固形物(聚合物)。所得聚合物的重量平均分子量Mw為40000。將所得的聚合物作為聚合物9。
關於上述聚合物1~聚合物9，將聚合物中所含的重複 單元歸納示於以下。此處，聚合物1~聚合物8相當於特定聚合物。另外，聚合物9是雖包含上述式(2)所表示的重複單元，但不含上述式(1)所表示的重複單元的聚合物，不相當於特定聚合物。
此外，聚合物1~聚合物4、聚合物6及聚合物7的所示的重複單元中左側的重複單元相當於上述式(1)所表示的重複單元，且右側的重複單元相當於上述式(2)所表示的重複單元。另外，關於聚合物5，所示的重複單元相當於上述式(1)所表示的重複單元及上述式(2)所表示的重複單元。另外，關於聚合物8，所示的重複單元中左側的重複單元相當於上述式(1)所表示的重複單元及上述式(2)所表示的重複單元。
(聚合物的水溶液及乙醇溶液的製備)
將上述聚合物1~聚合物8分別溶解於水中，獲得聚合物的水溶液(聚合物濃度：35質量%)。將所得的水溶液分別作為水溶液1~水溶液8。
將上述聚合物9溶解於乙醇中，獲得聚合物的乙醇溶液(聚合物濃度：35質量%)。將所得的乙醇溶液作為乙醇溶液9。
<實施例1>
利用練太郎(新基(Thinky)公司製造)(2200rpm，3分鐘)使CuO奈米粒子(關東化學公司製造：粒徑27nm~95nm)65質量份、純水35質量份分散，獲得CuO膏(CuO：65質量%)。
繼而，於上述CuO膏115質量份中添加上述水溶液1(26質 量份)、40質量% BYK-425(畢克化學日本(BYK-Chemie Japan)公司製造)丙二醇溶液8質量份、作為硬化劑的三伸乙基四胺0.4質量份，利用練太郎(2200rpm，3分鐘)進行混練，獲得組成物(導電膜形成用組成物)。
此外，上述組成物的組成以質量比計為CuO/聚合物/BYK-425/三伸乙基四胺/溶劑=50.0/6.1/2.1/0.3/41.5。
(硬化處理)
利用40μm間隙的塗佈棒將所得的組成物塗佈於玻璃環氧基板上。然後，將所塗佈的組成物於100℃下加熱乾燥10分鐘，進而於150℃下加熱1小時而使其硬化，獲得氧化銅膜。
(光照射處理)
藉由對所得的氧化銅膜照射Xe閃光燈(照射能量：4.9J/cm2，脈衝寬度：2毫秒)而獲得導電膜(銅膜)。
<實施例2>
除了代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用二乙醇胺0.4質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例3>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液2(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用對甲苯磺酸0.3質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例4>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液2(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用二乙醇胺0.5質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例5>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液3(26質量份)以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例6>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液4(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用琥珀酸0.4質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例7>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液5(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用1,4-丁二醇二縮水 甘油醚0.5質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例8>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液6(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用雙羥基甲基脲0.4質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例9>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液6(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用二乙醇胺0.4質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例10>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液7(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用VA-080(和光純藥工業公司製造)0.1質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程 序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例11>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液8(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用1,4-丁二醇二縮水甘油醚0.5質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例12>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液8(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用雙羥基甲基脲0.5質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例13>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液8(26質量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用二乙烯基碸0.5質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<實施例14>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液8(26質 量份)，且代替三伸乙基四胺0.4質量份而使用乙二醛0.5質量份以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<比較例1>
除了不添加硬化劑以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<比較例2>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液2(26質量份)，且不添加硬化劑以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<比較例3>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液3(26質量份)，且不添加硬化劑以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<比較例4>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液4(26質量份)，且不添加硬化劑以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<比較例5>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液5(26質量份)，且不添加硬化劑以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<比較例6>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液6(26質量份)，且不添加硬化劑以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得導電膜(銅膜)。
<比較例7>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液7(26質量份)，且不添加硬化劑以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程 序獲得導電膜(銅膜)。
<比較例8>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述水溶液8(26質量份)，且不添加硬化劑以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，欲使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序來獲得導電膜，結果，膜飛散，無法獲得導電膜，無法對後述的體積低效率以及密接性進行評價。
<比較例9>
除了代替水溶液1(26質量份)而使用上述乙醇溶液9(26質量份)以外，依據與實施例1相同的程序獲得導電性組成物。
另外，使用所得的導電性組成物，依據與實施例1相同的程序獲得膜。
此外，欲對所得的膜測定後述的體積電阻率，結果，由於體積電阻率超過測定上限值，故而無法測定體積電阻率。
將各實施例中使用的硬化劑的結構歸納示於以下。
<體積電阻率>
對於所得的導電膜，使用四探針法電阻率計來測定體積電阻率。將測定結果示於第1表中。體積電阻率越小，導電性越優異。在實際使用時，較佳為20×10-5Ω．cm以下。
<密接性>
於所得導電膜的5mm×5mm中，利用切割機切入切口，製作25個網格(1mm見方)。接著，貼附Cellotape(註冊商標)後剝離，查明未剝離而殘留的網格的個數。
其結果為，將殘留的網格的個數為20個~25個者評價為「AA」，將15個~19個者評價為「A」，將10個~14個者評價為「B」，將1個~9個者評價為「C」，將0個者(完全剝離者)評價為「D」。
將結果示於第1表中。
根據第1表可知，由本申請案實施例1~實施例14的組成物所獲得的導電膜均表現出優異的密接性及導電性，上述組成物含有包含上述式(1)所表示的重複單元及上述式(2)所表示的重複單元的聚合物以及與上述式(2)中的B所表示的交聯性基進行反應的硬化劑。其中，上述式(1)中的A為含有醯胺基的有機基的實施例1~實施例6以及實施例8~實施例10表現出更優 異的密接性。其中，上述式(2)中的B為上述式(B-7)(脂環式環氧基)且硬化劑為胺的實施例1表現出特別優異的密接性及導電性。
另外，根據上述式(2)中的B為上述式(B-1)(環氧基)或上述式(B-7)(脂環式環氧基)的實施例1、實施例2及實施例5的對比，使用胺作為硬化劑的實施例1及實施例5表現出更優異的密接性及導電性。
另一方面，於雖含有包含上述式(1)所表示的重複單元及上述式(2)所表示的重複單元的聚合物，但不含與上述式(2)中的B所表示的交聯性基進行反應的硬化劑的情況下，成為如下結果：膜飛散而無法獲得導電膜(比較例8)，或即便獲得導電膜，密接性亦變得不充分(比較例1~比較例7)。
另外，於不含包含上述式(1)所表示的重複單元及上述式(2)所表示的重複單元的聚合物(含有不含上述式(1)所表示的重複單元，而包含上述式(2)所表示的重複單元的聚合物)的情況下，即便含有與上述式(2)中的B所表示的交聯性基進行反應的硬化劑，所得的膜的密接性及導電性亦變得不充分(比較例9)。

Claims (7)

  1. 一種導電膜形成用組成物，其含有：氧化銅粒子及/或銅粒子、包含下述式(1)所表示的重複單元及下述式(2)所表示的重複單元的聚合物、以及與下述式(2)中的B所表示的交聯性基進行反應的硬化劑， (式(1)中，R1表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基；L1表示單鍵或2價有機基；A為還原性基，表示含有醯胺基的有機基、或羥基；式(2)中，R2表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基；L2表示單鍵或2價有機基；B為交聯性基，表示選自由下述式(B-1)~式(B-9)所組成的組群中的基) (式(B-1)~式(B-9)中，Rb表示氫原子、或可具有雜原子的烴基；存在多個的Rb可分別相同亦可不同；m表示0~11的整數；n表示0~2的整數；*表示鍵結位置)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜形成用組成物，其中上述聚合物為包含下述式(3)所表示的重複單元及下述式(2)所表示的重複單元的聚合物、包含下述式(4)所表示的重複單元及下述式(5)所表示的重複單元的聚合物、或者包含下述式(6)所表示的重複單元的聚合物， (式(3)中，R3表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基；R31表示氫原子、或可具有雜原子的烴基；存在多個的R31可分別相同亦可不同；式(2)中，R2表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基；L2表示單鍵或2價有機基；B為交聯性基，表示選自由上述式(B-1)~式(B-9)所組成的組群中的基) (式(4)及式(5)中，R4及R5分別獨立地表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基) (式(6)中，R6表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基；L6表示單鍵或2價有機基；R61表示2價脂肪族烴基；p表示1~100的整數)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的導電膜形成用組成物，其中上述聚合物為包含上述式(3)所表示的重複單元及上述式(2)所表示的重複單元的聚合物。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述式(2)中的B為上述式(B-1)或式(B-7)所表示的基，上述硬化劑為胺或醇。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述式(2)中的B為上述式(B-2)所表示的基，上述硬化劑為環氧化物、醛、或者具有2個以上的下述式(13)所表示的部分結構的化合物， (式(13)中，R131表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基)。
  6. 一種導電膜的製造方法，其包括：塗膜形成步驟，將如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的導電膜形成用組成物賦予至基材上，於上述基材上形成組成物層，然後，對上述組成物層實施加熱處理而形成塗膜；以及還原步驟，對上述塗膜進行光照射處理，將上述氧化銅粒子及/或銅粒子進行還原而形成導電膜。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的導電膜的製造方法，其中上述光照射處理為脈衝光照射處理。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107422908A (zh) * 2017-06-07 2017-12-01 江苏日久光电股份有限公司 金属网格片及其制作方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6319626B2 (ja) * 2014-03-28 2018-05-09 セメダイン株式会社 導電性硬化物の製造方法及び導電性硬化物並びにパルス光硬化性組成物の硬化方法
WO2016123404A1 (en) * 2015-01-28 2016-08-04 Hercules Incorporated Ceramic binder composition for ceramic coated separator for lithium ion batteries, methods of producing same, and uses thereof
JP6805415B2 (ja) * 2016-08-10 2020-12-23 Ｋｊケミカルズ株式会社 炭素材料用接着性向上剤及びそれを用いた複合材料

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS619464A (ja) * 1984-06-22 1986-01-17 Sekisui Chem Co Ltd 帯電防止用塗料
JPH0819203B2 (ja) * 1991-03-12 1996-02-28 タツタ電線株式会社 紫外線硬化型導電性樹脂組成物
JP2004182812A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 導電性塗料及びそれを用いた導電性塗膜の形成方法
JP2006016530A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Hitachi Chem Co Ltd 導電性塗料及びこれを用いた電子機器
JP2007269879A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kuraray Co Ltd 導電性塗料およびそれをコーティングしてなる布帛
JP2007284593A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 導電性塗料
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107422908A (zh) * 2017-06-07 2017-12-01 江苏日久光电股份有限公司 金属网格片及其制作方法

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