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TW201427132A - 複合漸變折射層結構及包括此結構之封裝結構 - Google Patents

複合漸變折射層結構及包括此結構之封裝結構 Download PDF

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TW201427132A
TW201427132A TW101148228A TW101148228A TW201427132A TW 201427132 A TW201427132 A TW 201427132A TW 101148228 A TW101148228 A TW 101148228A TW 101148228 A TW101148228 A TW 101148228A TW 201427132 A TW201427132 A TW 201427132A
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refractive layer
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TW101148228A
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Chun-Ting Chen
Kun-Wei Lin
Li-Wen Lai
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Ind Tech Res Inst
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Abstract

本揭露之一實施例，提供一種複合漸變折射層結構，包括：一基板；以及一複合漸變折射層，形成於該基板上，其中該複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該複合漸變折射層之折射率自該第一表面至該第二表面遞減。本揭露另提供一種包括此複合漸變折射層結構之封裝結構。

Description

複合漸變折射層結構及包括此結構之封裝結構
本揭露係有關於一種複合漸變折射層結構，特別是有關於一種可增進光取出效果及降低水氣滲透之複合漸變折射層結構。
近年來，有機發光二極體(OLED)以其自發光、無視角、省電、製程簡易、低成本、低操作溫度範圍及高應答速度等優點，使其具有極大的應用潛力，其中白光OLED更被市場所重視，因其可用來做成固態照明光源，亦可用來做成LCD背光源及全彩OLED顯示器(白光OLED搭配彩色濾光片)。最近，由於各國政府及業界積極投入推動有機發光材料、元件及照明應用的研發，技術進展快速，發光效率已突破601m/W，甚至可達1001m/W。雖白光OLED技術目前仍在實驗室研發階段，一旦突破壽命問題、生產技術成熟，有可能成為白光照明及背光源主角，亦被視為顯示器外，另一重要應用領域。在白光OLED照明應用中，除壽命問題外，發光效率亦是需要提升的問題，對於底部發光的有機發光二極體而言，其外部效率通常被限制為約20%，因有近80%的發射光，由於陽極透明電極與玻璃基板間的折射率差異，以及玻璃基板與空氣間的折射率差異造成波導效應，而困於有機發光二極體中，因此，如何提升光取出效率已成為改善有機發光二極體發光效率的最重要因素之一，此問題將限制有機發光二極體整體效率，進 而影響其在顯示器與固態照明的發展。
目前，已有許多致力於改善有機電致發光器件光取出效率的方式，例如在玻璃基板表面噴砂造成散射效果、貼附擴散膜、增亮膜與製作微透鏡陣列來改善基板與空氣間的臨界角效應，使其光輸出比例獲得提升，或在基板表面製作奈米微結構，此外，亦可在基板與透明導電膜(例如ITO)間利用光子晶體結構提升光取出效率，其他諸如利用奈米壓印製作方式對基板進行圖案化，亦對有機發光二極體發光效率有改善效果，然，上述方式所面臨的是製作成本較高，步驟複雜，生產速率慢等問題，較不適合用於現今產業做生產，為考慮以簡便方式提升OLED光取出效率，通常會在基板與透明導電膜(例如ITO)間插入幾種不同折射率折射層的方式，使其折射率變化不至過於明顯，亦可達到降低臨界角損耗的功效；一般以高分子材料(例如fluorinated ethylene propylene(n=1.34)/Acrylic adhesive(n=1.47)/Zecnor cyclo olefin(n=1.53))多層堆疊於透明導電膜與基板之間作為漸變折射層，來達成光取出效果，但，此類結構中折射率的變化範圍過小且其與透明導電膜ITO的折射率(n=1.8)仍有些許差距，致出光效果改善較為有限。此外，在基板與透明導電膜(例如ITO)間加入一圖案化薄膜亦可改善出光臨界角，但其將面臨後續蒸鍍有機層時因表面不平整所導致整體阻水/阻氣效果不佳的情況，造成OLED元件壽命減少或損壞。
本揭露之一實施例，提供一種複合漸變折射層結構，包括：一基板；以及一複合漸變折射(graded refractive index,GRI)層，形成於該基板上，其中該複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該複合漸變折射層之折射率自該第一表面至該第二表面遞減。
本揭露之一實施例，提供一種封裝結構，包括：一基板；一複合漸變折射(GRI)層，形成於該基板上，其中該複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該複合漸變折射層之折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及一電子元件，設置於該複合漸變折射層之該第一表面。
本揭露之一實施例，提供一種封裝結構，包括：一基板；一第一複合漸變折射(GRI)層，形成於該基板上，其中該第一複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該第一複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該第一複合漸變折射層之折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及一電子元件，設置於該第一複合漸變折射層之該第一表面與該基板之間。
本揭露提供一種應用於有機發光二極體(OLED)元件的光取出結構，以兩種折射率差異較大的氧化物(氧化鋅、 二氧化矽)作為靶材透過調變氧化鋅濺鍍功率與二氧化矽濺鍍功率製作成以氧化鋅矽(ZnxSiyOz)無機氧化層為主的複合漸變折射(graded refractive index,GRI)層，其折射率大小自入光側至出光側之間依序由大至小排列，一方面利用複合漸變折射層的折射率漸變特性使光由例如ITO的透明導電層入射至複合漸變折射層時，可有效降低入射光臨界角損失，另方面，具有高阻水氣效果(<0.01g/m2-day)的複合漸變折射層亦可阻擋入侵的水氣/氧氣，大幅增進OLED元件的光取出效果。此外，本揭露複合漸變折射層可利用共濺鍍(co-sputter)技術於同一腔體中連續鍍製，免去一般製程須傳片與傳片時的微粒汙染，可達省時、提高良率及降低成本的目的。此外，本揭露整體封裝結構的可見光穿透率可達95%，具有極高光穿透率。
為讓本揭露之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，作詳細說明如下：
本揭露之一實施例，請參閱第1圖，說明一種複合漸變折射層結構。複合漸變折射層結構10包括一基板12與一複合漸變折射(graded refractive index,GRI)層14。複合漸變折射(GRI)層14形成於基板12上。基板12可為玻璃基板。複合漸變折射層14具有一第一表面16與一第二表面18，第一表面16為一入光側，第二表面18為一出光側。值得注意的是，複合漸變折射層14的各層由氧化鋅矽所構 成，例如具有化學式ZnxSiyOz，化學式中，0x1，0y1，0<z3。此外，複合漸變折射層14的折射率自第一表面16至第二表面18遞減，變化範圍大體介於1.46~2.3之間。
在一實施例中，請同時參閱第1圖與第2圖，複合漸變折射(GRI)層14包括一第一折射層20與一第二折射層22。第一折射層20具有一第一折射率n1，第二折射層22具有一第二折射率n2。第一折射層20包括第一表面16，第二折射層22包括第二表面18，第一表面16為一入光側，第二表面18為一出光側。第一折射率n1大於第二折射率n2。
在一實施例中，請同時參閱第1圖與第3圖，複合漸變折射(GRI)層14包括一第一折射層20、一第二折射層22與一第三折射層24。第一折射層20具有一第一折射率n1，第二折射層22具有一第二折射率n2，第三折射層24具有一第三折射率n3。第一折射層20包括第一表面16，第三折射層24包括第二表面18，第一表面16為一入光側，第二表面18為一出光側。第一折射率n1大於第二折射率n2，第二折射率n2大於第三折射率n3。
在一實施例中，請同時參閱第1圖與第4圖，複合漸變折射(GRI)層14包括一第一折射層20、一第二折射層22、一第三折射層24與一第四折射層26。第一折射層20具有一第一折射率n1，第二折射層22具有一第二折射率n2，第三折射層24具有一第三折射率n3，第四折射層26具有一第四折射率n4。第一折射層20包括第一表面16， 第四折射層26包括第二表面18，第一表面16為一入光側，第二表面18為一出光側。第一折射率n1大於第二折射率n2，第二折射率n2大於第三折射率n3，第三折射率n3大於第四折射率n4。
在一實施例中，請同時參閱第1圖與第5圖，複合漸變折射(GRI)層14包括一第一折射層20、一第二折射層22、一第三折射層24、一第四折射層26與一第五折射層28。第一折射層20具有一第一折射率n1，第二折射層22具有一第二折射率n2，第三折射層24具有一第三折射率n3，第四折射層26具有一第四折射率n4，第五折射層28具有一第五折射率n5。第一折射層20包括第一表面16，第五折射層28包括第二表面18，第一表面16為一入光側，第二表面18為一出光側。第一折射率n1大於第二折射率n2，第二折射率n2大於第三折射率n3，第三折射率n3大於第四折射率n4，第四折射率n4大於第五折射率n5。
值得注意的是，複合漸變折射(GRI)層14的水氣滲透率(WVTR)低於5×10-3g/m2/day。
本揭露之一實施例，請參閱第6圖，說明一種封裝結構。封裝結構100包括一基板120、一複合漸變折射層140與一電子元件300。基板120可為玻璃基板。複合漸變折射層140具有一第一表面160與一第二表面180，第一表面160為一入光側，第二表面180為一出光側。複合漸變折射層140形成於基板120上。電子元件300設置於複合漸變折射層140的第一表面160。值得注意的是，複合漸 變折射層140的各層由氧化鋅矽所構成，例如具有化學式ZnxSiyOz，化學式中，0x1，0y1，0<z3。此外，複合漸變折射層140的折射率自第一表面160至第二表面180遞減，變化範圍大體介於1.46~2.3之間。
在此實施例中，電子元件300為一有機發光二極體(OLED)元件，由一第一電極320，一發光層340與一第二電極360所構成。第一電極320例如為銦錫氧化物(ITO)電極，第二電極360例如為金屬電極，因此，在此實施例中，電子元件300為一下發光裝置。
在此實施例中，封裝結構100更包括一第二複合漸變折射層140’，形成於電子元件300上，如第6-1圖所示。
第二複合漸變折射層140’的各層由氧化鋅矽所構成，例如具有化學式ZnxSiyOz，化學式中，0x1，0y1，0<z3。
值得注意的是，複合漸變折射層140與第二複合漸變折射層140’的水氣滲透率(WVTR)低於5×10-3g/m2/day。
本揭露之一實施例，請參閱第7圖，說明一種封裝結構。封裝結構100’包括一基板120、一複合漸變折射層140與一電子元件300。基板120可為玻璃基板。複合漸變折射層140具有一第一表面160與一第二表面180，第一表面160為一入光側，第二表面180為一出光側。複合漸變折射層140形成於基板120上。電子元件300設置於複合漸變折射層140的第一表面160與基板120之間。值得注意的是，複合漸變折射層140的各層由氧化鋅矽所構成， 例如具有化學式ZnxSiyOz，化學式中，0x1，0y1，0<z3。此外，複合漸變折射層140的折射率自第一表面160至第二表面180遞減，變化範圍大體介於1.46~2.3之間。
在此實施例中，電子元件300為一有機發光二極體(OLED)元件，由一第一電極320，一發光層340與一第二電極360所構成。第一電極320例如為銦錫氧化物(ITO)電極，第二電極360例如為金屬電極，因此，在此實施例中，電子元件300為一上發光裝置。
本揭露之一實施例，請參閱第8圖，說明一種封裝結構。封裝結構100”包括一基板120、一複合漸變折射層140與一電子元件300。基板120可為玻璃基板。複合漸變折射層140具有一第一表面160與一第二表面180，第一表面160為一入光側，第二表面180為一出光側。複合漸變折射層140形成於基板120上。電子元件300設置於複合漸變折射層140的第一表面160與基板120之間。值得注意的是，複合漸變折射層140的各層由氧化鋅矽所構成，例如具有化學式ZnxSiyOz，化學式中，0x1，0y1，0<z3。此外，複合漸變折射層140的折射率自第一表面160至第二表面180遞減，變化範圍大體介於1.46~2.3之間。
在此實施例中，電子元件300為一有機發光二極體(OLED)元件，由一第一電極320，一發光層340與一第二電極360所構成。第一電極320例如為銦錫氧化物(ITO)電 極，第二電極360例如為金屬電極，因此，在此實施例中，電子元件300為一上發光裝置。
在此實施例中，封裝結構100”更包括一第二複合漸變折射層140’，形成於電子元件300與基板120之間。值得注意的是，第二複合漸變折射層140’的各層由氧化鋅矽所構成，例如具有化學式ZnxSiyOz，化學式中，0x1，0y1，0<z3。
值得注意的是，複合漸變折射層140與第二複合漸變折射層140’的水氣滲透率(WVTR)低於5×10-3g/m2/day。
本揭露之一實施例，請參閱第8-1圖，說明一種封裝結構。封裝結構100'''包括一基板120、一複合漸變折射層140與一電子元件300。基板120可為玻璃基板。複合漸變折射層140具有一第一表面160與一第二表面180，第一表面160為一入光側，第二表面180為一出光側。複合漸變折射層140形成於基板120上。電子元件300設置於複合漸變折射層140的第一表面160與基板120之間。值得注意的是，複合漸變折射層140的各層由氧化鋅矽所構成，例如具有化學式ZnxSiyOz，化學式中，0x1，0y1，0<z3。此外，複合漸變折射層140的折射率自第一表面160至第二表面180遞減，變化範圍大體介於1.46~2.3之間。
在此實施例中，電子元件300為一有機發光二極體(OLED)元件，由一第一電極320，一發光層340與一第二電極360所構成。當第一電極320與第二電極360同樣為 銦錫氧化物(ITO)電極時，電子元件300為一上下兩面發光裝置。
在此實施例中，封裝結構100'''更包括一第二複合漸變折射層140’，形成於電子元件300與基板120之間。第二複合漸變折射層140’具有一第一表面160’與一第二表面180’，第一表面160’為一入光側，第二表面180’為一出光側。在此實施例中，電子元件300設置於複合漸變折射層140的第一表面160與第二複合漸變折射層140’的第一表面160’之間。值得注意的是，第二複合漸變折射層140’的各層由氧化鋅矽所構成，例如具有化學式ZnxSiyOz，化學式中，0x1，0y1，0<z3。此外，第二複合漸變折射層140’的折射率自第一表面160’至第二表面180’遞減，變化範圍大體介於1.46~2.3之間。
值得注意的是，複合漸變折射層140與第二複合漸變折射層140’的水氣滲透率(WVTR)低於5×10-3g/m2/day。
以下說明本揭露複合漸變折射層的製備方法，以共濺鍍(co-sputter)技術為例作說明，首先，通入氬氣(流量10sccm)至真空腔體中，在工作壓力5mtorr，基板溫度25℃條件下，調變氧化鋅(ZnO)與二氧化矽(SiO2)濺鍍功率，以將兩種不同折射率的氧化鋅與二氧化矽靶材製鍍成多層折射率漸變的氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層。氧化鋅濺鍍功率調變範圍可介於0~1,000W，二氧化矽濺鍍功率調變範圍可介於0~1,000W。
本揭露提供一種應用於有機發光二極體(OLED)元件 的光取出結構，以兩種折射率差異較大的氧化物(氧化鋅、二氧化矽)作為靶材透過調變氧化鋅濺鍍功率與二氧化矽濺鍍功率製作成以氧化鋅矽(ZnxSiyOz)無機氧化層為主的複合漸變折射(graded refractive index,GRI)層，其折射率大小自入光側至出光側之間依序由大至小排列，一方面利用複合漸變折射層的折射率漸變特性使光由例如ITO的透明導電層入射至複合漸變折射層時，可有效降低入射光臨界角損失，另方面，具有高阻水氣效果(<0.01g/m2-day)的複合漸變折射層亦可阻擋入侵的水氣/氧氣，大幅增進OLED元件的光取出效果。此外，本揭露複合漸變折射層可利用共濺鍍(co-sputter)技術於同一腔體中連續鍍製，免去一般製程須傳片與傳片時的微粒汙染，可達省時、提高良率及降低成本的目的。此外，本揭露整體封裝結構的可見光穿透率可達95%，具有極高光穿透率。
【實施例】 【實施例1】 本揭露漸變折射(GRI)層之折射率範圍
表1為本揭露在不同氧化鋅濺鍍功率與二氧化矽濺鍍功率條件下所製得漸變折射(GRI)層(氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層)的折射率變化範圍。
由表1可看出，本揭露藉由調變氧化鋅濺鍍功率與二氧化矽濺鍍功率所製得的漸變折射(GRI)層(氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層)其折射率可達大的變化範圍。
【實施例2】 本揭露漸變折射(GRI)層之穿透率
表2為本揭露在不同氧化鋅功率與二氧化矽功率條件下所製得漸變折射(GRI)層(氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層)的穿透率。
由表2可看出，本揭露藉由調變氧化鋅濺鍍功率與二氧化矽濺鍍功率所製得的漸變折射(GRI)層(氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層)具備94%以上的高穿透率。
【實施例3】 本揭露複合漸變折射(GRI)層(1)對入射光臨界角之提升效果
請參閱第2圖，入射光由第一折射層20(具有第一折射率n1)一側進入，而從第二折射層22(具有第二折射率n2)一側出光。折射率大小為第一折射率n1大於第二折射率n2，根據式1(式中n1為入射端折射率，n2為出射端折射率，θc為臨界角)及式2(折射層厚度需滿足此式，才不致造成光反射)(式中d為折射層厚度，λ為發光波長，n為折射率，m為不為零的整數(例如1、2、3...，此處取m=1))，可計算出當第一折射率n1=1.694，第二折射率n2=1.594時，第一折射層20的厚度為70.1nm，第二折射層22的厚度為74.5nm，且入射光的臨界角可由56度提升至70.2度以上。此結果將有效降低例如有機發光二極體(OLED)發光層/透明導電層內部的光波導(optical waveguide)效應。
【實施例4】 本揭露複合漸變折射(GRI)層(2)對入射光臨界角之提升效果
請參閱第3圖，入射光由第一折射層20(具有第一折射率n1)一側進入，經第二折射層22(具有第二折射率n2)，而從第三折射層24(具有第三折射率n3)一側出光。折射率大小為第一折射率n1大於第二折射率n2，第二折射率n2大於第三折射率n3，根據式1(式中n1為入射端折射率，n2為出射端折射率，θc為臨界角)及式2(折射層厚度需滿足此式，才不致造成光反射)(式中d為折射層厚度，λ為發光波長，n為折射率，m為不為零的整數(例如1、2、3...，此處取m=1))，可計算出當第一折射率n1=1.725，第二折射率n2=1.65，第三折射率n3=1.575時，第一折射層20的厚度為68.9nm，第二折射層22的厚度為72nm，第三折射層24的厚度為75.4nm，且入射光的臨界角可由56度提升至73度以上，此結果將有效降低例如有機發光二極體(OLED)發光層/透明導電層內部的光波導(optical waveguide)效應。
【實施例5】 本揭露複合漸變折射(GRI)層(3)對入射光臨界角之提 升效果
請參閱第4圖，入射光由第一折射層20(具有第一折射率n1)一側進入，經第二折射層22(具有第二折射率n2)，第三折射層24(具有第三折射率n3)，而從第四折射層26(具有第四折射率n4)一側出光。折射率大小為第一折射率n1大於第二折射率n2，第二折射率n2大於第三折射率n3，第三折射率n3大於第四折射率n4，根據式1(式中n1為入射端折射率，n2為出射端折射率，θc為臨界角)及式2(折射層厚度需滿足此式，才不致造成光反射)(式中d為折射層厚度，λ為發光波長，n為折射率，m為不為零的整數(例如1、2、3...，此處取m=1))，可計算出當第一折射率n1=1.74射率n2=1.68射率n3=1.62率n4=1.56折射層20的厚度為69nm，第二折射層22的厚度為70.7nm，第三折射層24的厚度為73.3nm，第四折射層26的厚度為76.1nm，且入射光的臨界角可由56度提升至75度以上，此結果將有效降低例如有機發光二極體(OLED)發光層/透明導電層內部的光波導(optical waveguide)效應。
【實施例6】 本揭露複合漸變折射(GRI)層(4)對入射光臨界角之提升效果
請參閱第5圖，入射光由第一折射層20(具有第一折射率n1)一側進入，經第二折射層22(具有第二折射率n2)，第三折射層24(具有第三折射率n3)，第四折射層26(具有 第四折射率n4)，而從第五折射層28(具有第五折射率n5)一側出光。折射率大小為第一折射率n1大於第二折射率n2，第二折射率n2大於第三折射率n3，第三折射率n3大於第四折射率n4，第四折射率n4大於第五折射率n5，根據式1(式中n1為入射端折射率，n2為出射端折射率，θc為臨界角)及式2(折射層厚度需滿足此式，才不致造成光反射)(式中d為折射層厚度，λ為發光波長，n為折射率，m為不為零的整數(例如1、2、3...，此處取m=1))，可計算出當第一折射率n1=1.75，第二折射率n2=1.7，第三折射率n3=1.65，第四折射率n4=1.6，第五折射率n5=1.55時，第一折射層20的厚度為67.9nm，第二折射層22的厚度為69.9nm，第三折射層24的厚度為72nm，第四折射層26的厚度為74.2nm，第五折射層28的厚度為76.6nm，且入射光的臨界角可由56度提升至76度以上，此結果將有效降低例如有機發光二極體(OLED)發光層/透明導電層內部的光波導(optical waveguide)效應。
【實施例7】 本揭露封裝結構之光取出效率
請參閱第4圖與第6圖，將本揭露第6圖所示的OLED封裝結構(其複合漸變折射(GRI)層如第4圖所示)與傳統OLED封裝結構(未包括複合漸變折射(GRI)層)進行光取出效率的比較，結果如第9圖所示。
根據第9圖所示，本揭露OLED封裝結構的光取出效 率較傳統OLED封裝結構的光取出效率大幅提升約35%以上。
【實施例8】 本揭露複合漸變折射(GRI)層之阻水氣效果
本實施例以商用量測阻水/阻氣儀器MOCON量測不同鋅、矽比例的單一氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層的阻水氣率(WVTR)，結果如第10圖所示。
根據第10圖所示，隨氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層中的二氧化矽(SiO2)成分愈多，其阻水氣特性愈佳，而當氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層堆疊成四層複合漸變折射(GRI)層時，其阻水氣率已達量測儀器MOCON極限，約10-3g/m2/day。
雖然本揭露已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此項技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧複合漸變折射層結構
12、120‧‧‧基板
14、140、140’‧‧‧複合漸變折射層
16、160、160’‧‧‧複合漸變折射層第一表面
18、180、180’‧‧‧複合漸變折射層第二表面
20‧‧‧第一折射層
22‧‧‧第二折射層
24‧‧‧第三折射層
26‧‧‧第四折射層
28‧‧‧第五折射層
100、100’、100”‧‧‧封裝結構
300‧‧‧電子元件
320‧‧‧第一電極
340‧‧‧發光層
360‧‧‧第二電極
n1‧‧‧第一折射率
n2‧‧‧第二折射率
n3‧‧‧第三折射率
n4‧‧‧第四折射率
n5‧‧‧第五折射率
第1圖係根據本揭露之一實施例，一種複合漸變折射層結構；第2圖係根據本揭露之一實施例，一種複合漸變折射(GRI)層；第3圖係根據本揭露之一實施例，一種複合漸變折射(GRI)層；第4圖係根據本揭露之一實施例，一種複合漸變折射(GRI)層；第5圖係根據本揭露之一實施例，一種複合漸變折射(GRI)層；第6圖係根據本揭露之一實施例，一種封裝結構；第6-1圖係根據本揭露之一實施例，一種封裝結構；第7圖係根據本揭露之一實施例，一種封裝結構；第8圖係根據本揭露之一實施例，一種封裝結構；第8-1圖係根據本揭露之一實施例，一種封裝結構；第9圖係根據本揭露之一實施例，OLED封裝結構之光取出效率；第10圖係根據本揭露之一實施例，不同鋅、矽比例之單一氧化鋅矽(ZnxSiyOz)化合物層之阻水氣率(WVTR)。
100‧‧‧封裝結構
120‧‧‧基板
140‧‧‧複合漸變折射層
160‧‧‧複合漸變折射層第一表面
180‧‧‧複合漸變折射層第二表面
300‧‧‧電子元件
320‧‧‧第一電極
340‧‧‧發光層
360‧‧‧第二電極

Claims (23)

  1. 一種複合漸變折射層結構，包括：一基板；以及一複合漸變折射(graded refractive index,GRI)層，形成於該基板上，其中該複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該複合漸變折射層之折射率自該第一表面至該第二表面遞減。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之複合漸變折射層結構，其中該氧化鋅矽具有化學式ZnxSiyOz，0x1，0y1，0<z3。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之複合漸變折射層結構，其中該複合漸變折射層之折射率介於1.46~2.3之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之複合漸變折射層結構，其中該複合漸變折射層包括一第一折射層與一第二折射層，該第一折射層具有一第一折射率，該第二折射層具有一第二折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第二折射層包括該第二表面，該第一折射率大於該第二折射率。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之複合漸變折射層結構，其中該複合漸變折射層包括一第一折射層、一第二折射層與一第三折射層，該第一折射層具有一第一折射率，該第二折射層具有一第二折射率，該第三折射層具有一第三折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第三折射層包括該第二表面，該第一折射率大於該第二折射率，該第二折射率大於該第三折射率。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之複合漸變折射層結構，其中該複合漸變折射層包括一第一折射層、一第二折射層、一第三折射層與一第四折射層，該第一折射層具有一第一折射率，該第二折射層具有一第二折射率，該第三折射層具有一第三折射率，該第四折射層具有一第四折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第四折射層包括該第二表面，該第一折射率大於該第二折射率，該第二折射率大於該第三折射率，該第三折射率大於該第四折射率。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之複合漸變折射層結構，其中該複合漸變折射層包括一第一折射層、一第二折射層、一第三折射層、一第四折射層與一第五折射層，該第一折射層具有一第一折射率，該第二折射層具有一第二折射率，該第三折射層具有一第三折射率，該第四折射層具有一第四折射率，該第五折射層具有一第五折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第五折射層包括該第二表面，該第一折射率大於該第二折射率，該第二折射率大於該第三折射率，該第三折射率大於該第四折射率，該第四折射率大於該第五折射率。
  8. 一種封裝結構，包括：一基板；一複合漸變折射層，形成於該基板上，其中該複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該複合漸變折射層之折射率自該 第一表面至該第二表面遞減；以及一電子元件，設置於該複合漸變折射層之該第一表面。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之封裝結構，其中該氧化鋅矽具有化學式ZnxSiyOz，0x1，0y1，0<z3。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之封裝結構，其中該複合漸變折射層之折射率介於1.46~2.3之間。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之封裝結構，更包括一第二複合漸變折射層，形成於該電子元件上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之封裝結構，其中該第二複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之封裝結構，其中該氧化鋅矽具有化學式ZnxSiyOz，0x1，0y1，0<z3。
  14. 一種封裝結構，包括：一基板；一第一複合漸變折射層，形成於該基板上，其中該第一複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該第一複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該第一複合漸變折射層之折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及一電子元件，設置於該第一複合漸變折射層之該第一表面與該基板之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之封裝結構，其中該氧化鋅矽具有化學式ZnxSiyOz，0x1，0y1，0<z3。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之封裝結構，其中該 第一複合漸變折射層之折射率介於1.46~2.3之間。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之封裝結構，更包括一第二複合漸變折射層，形成於該電子元件與該基板之間。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之封裝結構，其中該第二複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之封裝結構，其中該氧化鋅矽具有化學式ZnxSiyOz，0x1，0y1，0<z3。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之封裝結構，其中該電子元件為一上下兩面發光裝置。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之封裝結構，更包括一第二複合漸變折射層，形成於該電子元件與該基板之間，其中該第二複合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該第二複合漸變折射層之各層由氧化鋅矽所構成，且該第二複合漸變折射層之折射率自該第一表面至該第二表面遞減。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之封裝結構，其中該電子元件設置於該第一複合漸變折射層之該第一表面與該第二複合漸變折射層之該第一表面之間。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之封裝結構，其中該第二複合漸變折射層之折射率介於1.46~2.3之間。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150052490A (ko) * 2013-11-06 2015-05-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI518435B (zh) * 2014-12-10 2016-01-21 元太科技工業股份有限公司 反射式顯示裝置
CN104950518A (zh) 2015-07-21 2015-09-30 京东方科技集团股份有限公司 量子点膜、量子点膜的制备方法及背光模组
CN108878674A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
KR102274462B1 (ko) 2017-07-11 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102326303B1 (ko) * 2017-07-11 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치
CN107565055B (zh) * 2017-08-29 2019-06-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN107516713A (zh) * 2017-09-30 2017-12-26 京东方科技集团股份有限公司 一种oled发光器件及制备方法、显示基板、显示装置
US20190198809A1 (en) * 2017-12-27 2019-06-27 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin-film encapsulation structure and method for oled
CN108039421B (zh) * 2017-12-27 2020-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled薄膜封装结构及封装方法
CN111384282B (zh) * 2018-12-27 2021-10-01 Tcl科技集团股份有限公司 封装薄膜及其制备方法和发光显示装置
CN109696759A (zh) 2018-12-29 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
CN110212109B (zh) * 2019-05-22 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
US11114644B2 (en) * 2019-05-22 2021-09-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel and OLED display device
CN112349860B (zh) * 2019-10-15 2023-03-14 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法
CN119866137A (zh) * 2024-04-22 2025-04-22 广东聚华印刷显示技术有限公司 复合层及其制备方法、光电器件、显示装置
CN118660471B (zh) * 2024-08-21 2024-12-31 江苏汇显显示技术有限公司 太阳能电池的基板、太阳能电池及用电装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2745284B1 (fr) * 1996-02-22 1998-04-30 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'un revetement de couches minces
US6436541B1 (en) * 1998-04-07 2002-08-20 Ppg Industries Ohio, Inc. Conductive antireflective coatings and methods of producing same
FR2793889B1 (fr) * 1999-05-20 2002-06-28 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent a revetement anti-reflets
CN100407474C (zh) * 2003-09-15 2008-07-30 统宝光电股份有限公司 具有光效率提升结构的有机发光组件
JP5313596B2 (ja) * 2008-09-12 2013-10-09 スタンレー電気株式会社 酸化亜鉛系半導体素子及びその製造方法
JP5266466B2 (ja) * 2009-04-01 2013-08-21 東海光学株式会社 光学部材、眼鏡用プラスチックレンズ及びそれらの製造方法
JP5927457B2 (ja) * 2009-06-16 2016-06-01 東海光学株式会社 光学製品及び眼鏡プラスチックレンズ
DE102010024521A1 (de) * 2010-06-21 2011-12-22 Innovent E.V. Verfahren zur Erhöhung der Transluzenz eines Substrats
EP2697840A4 (en) * 2011-04-12 2014-11-05 Arkema Inc INTERNAL OPTICAL EXTRACTION LAYER FOR OLED DEVICES

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