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TW201426201A - 曝光修正方法與控制裝置 - Google Patents

曝光修正方法與控制裝置 Download PDF

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TW201426201A
TW201426201A TW102144551A TW102144551A TW201426201A TW 201426201 A TW201426201 A TW 201426201A TW 102144551 A TW102144551 A TW 102144551A TW 102144551 A TW102144551 A TW 102144551A TW 201426201 A TW201426201 A TW 201426201A
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scanner
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average
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semiconductor
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TW102144551A
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TWI521313B (zh
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曾衍迪
盧欣榮
牟忠一
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一種曝光修正方法包括實行半導體製造程序於複數基板。該複數基板分為第一組與第二組。再加工實行於第二組的複數基板但不實行於第一組的複數基板。第一組與該第二組的複數基板的各自光微影製程的至少一曝光參數的一平均值被計算出來。掃描機重疊修正值與平均修正值被應用來曝光複數第二基板，這些複數第二基板沒有經過再加工程序。平均修正值係根據平均值而算出。

Description

曝光修正方法與控制裝置
本發明有關於半導體製程，且特別有關於用於光微影技術的掃描設備。
光微影技術廣泛地寓於積體電路(IC)的製造中，將材料層配置於晶圓片上。遮罩材料形成於材料層上並以特定的圖樣曝光來形成蝕刻用硬光罩。沒有被光罩重疊的部分材料層會被蝕刻而形成一或多種圖樣(例如溝)來填入導電材料(例如銅)並平面化來形成電路路徑。另一個材料層配至於圖樣化的第一材料層上，接著重複相同的步驟使第二層材料層也圖樣化。這樣的步驟會重複多次。
為了確保適當的連接性與成效，在相鄰的層之間的圖樣彼此適當地對齊。對準圖案(例如方塊)會用來使新增的層對齊前一個形成的層。
為了維持層與層之間適當的對齊，會使用批次控制(run-to-run control)的形式，這種形式稱為先進製程控制(APC)。對齊的錯誤因此被監控。操作者有時每週或每月地輸入校正(例如轉譯、旋轉或尺度校正)至掃描曝光工具。這樣的校正用來補償產生未對準的狀況。
本發明係提供一種曝光修正方法，包括：(a)提供已經被一半導體製造程序處理的複數第一半導體基板；(b)提供已經被該半導體製造程序與一再加工程序處理的複數第二半導體基板；(c)使用一第一掃描機重疊修正值來曝光複數該第一半導體基板；以及(d)使用一第二掃描機重疊修正值與一平均修正值來曝光複數該第二半導體基板。
上述方法更包括：在步驟(d)之前計算該平均修正值，該平均修正值係以下兩值的差值：已經經該半導體製造程序及該再加工程序處理的複數第三基板中的一曝光參數的平均值；以及已經經該半導體製造程序但未經該再加工程序處理的複數第四基板中的一曝光參數的平均值。
上述方法中，至少一曝光參數包括：一第一方向的第一晶圓片尺度係數；以及一第二方向的第二晶圓片尺度參數，該第二方向與該第一方向正交。
上述方法中，該半導體製造程序係一執行於該複數第二基板之一者的一層上之化學機械研磨(CMP)程序，該再加工程序係一執行於同一基板的同一層上之化學機械研磨再加工程序。
本發明更提供一種控制裝置，包括：一控制器，用來決定要被掃描機曝光的一半導體基板是否已進行一再加工程序；以及一非暫態機械可讀儲存媒體包括一平均修正值，如果該半導體基板已進行該再加工程序，該平均修正值會用於對該半導體基板曝光的掃描機，其中該控制器用來控制使用一掃描機重疊修正值的掃描機，並且如果要被該掃描機曝光的該 半導體基板已經進行該再加工程序，該控制器更利用該平均修正值來調整該掃描機的一曝光參數。
上述控制裝置中，該控制器更用來控制該掃描機來曝光基板而不使用該平均修正值，該基板係沒有實行該再加工程序。
上述控制裝置中，該控制器係用來計算該平均修正值，該平均修正值係以下兩值的差值：已經經該半導體製造程序及該再加工程序處理的複數第一基板中的一曝光參數的平均值；以及已經經該半導體製造程序但未經該再加工程序處理的複數第二基板中的一曝光參數的平均值。
上述控制裝置中，該曝光參數包括：一第一方向的第一晶圓片尺度係數；以及一第二方向的第二晶圓片尺度參數，該第二方向與該第一方向正交。
上述控制裝置中，該半導體製造程序係一執行於該複數第二基板之一者的一層上之化學機械研磨(CMP)程序，該再加工程序係一執行於同一基板的同一層上之化學機械研磨再加工程序。
上述控制裝置中，該控制器具有一對應到該掃描機的重疊先進製程控制模型，該模型包括晶圓片旋轉的調整、晶圓片非正交的調整、以及晶圓片尺度係數的調整。
100‧‧‧系統
102‧‧‧控制器
104‧‧‧光學工具(掃描機)
106‧‧‧非暫態機械可讀儲存媒體
108‧‧‧平均修正值
112‧‧‧第一組
114‧‧‧第二組
120‧‧‧先進製程控制模型
122‧‧‧掃描機重疊修正值模組
124‧‧‧平均修正模組
502‧‧‧經過再加工的重疊誤差的平均
504‧‧‧沒有經過再加工的重疊誤差的平均
第1圖係一控制掃描機的系統之方塊圖。
第2A~2D圖顯示場間重疊模型的例子的參數。
第2E~2H圖顯示曝光場重疊模型的例子的參數。
第3圖係第1圖的APC控制器的概要圖。
第4圖係控制第1圖的掃描機的方法的流程圖。
第5圖係沒有平均修正的重疊誤差資料。
第6圖係對再加工晶圓片有平均修正的重疊誤差資料。
實施例的說明係需配合圖式來理解，圖式並視為說明的一部分。
第1圖係一控制掃描機的系統100之方塊圖。光學工具104用來執行光微影曝光製程。在一些實施例中，光學工具104是一步進機。步進機使光通過光照或十字標線，形成十字圖樣的影像。影像被一透鏡聚焦且減少，並且投影到一塗布有光阻的半導體基板的表面。藉由將晶圓片在步進機的透鏡下前後移動，步進機從晶圓片一個領域或照射位置移動至另一個。
在一些實施例中，光學工具104是一台掃描機。掃描機在曝光期間以步進的方式使十字標線平台與晶圓片平台朝彼此的相反方向相對移動。曝光是透過寬度與曝光領域相同但長度為曝光領域的一部分的孔徑來進行，而非一次曝光整個領域。透過孔徑的影像掃描跨過曝光區域。雖然以下說明了掃描機的一個例子，但以下敘述的關於掃描機104的技術也可以應用於其他形式的步進機。
控制器102控制掃描機的動作。控制器102包括先進製程控制模型120、掃描機重疊修正值模組122、平均修正模 組124。在某些實施例，控制器102包括泛用處理器，用來執行在此所述的計算。泛用處理器可以是電腦、內嵌處理器或微處理器。在某些實施例中，控制器包括特定應用積體電路(ASIC)，用來實現在此敘述的機能。
控制器102具有讀取或寫入非暫態機械可讀儲存媒體106的存取權。此非暫態機械可讀儲存媒體106已寫入或儲存有一個或多個均值校正值，用在一個或多個掃描機使用的曝光參數的各個偏差上。
在一些實施例中，控制器包括對應到掃描機的掃描機重疊修正值模組122。掃描機重疊修正值模組122包括晶圓片旋轉的調整、晶圓片非正交的調整、晶圓片尺度係數的調整。在一些實施例中，會使用其他的曝光參數，例如圓片旋轉、晶圓片非正交、晶圓片尺度係數的組合中的一個或多個。
配置控制器102的平均修正模組124是用來決定曝光於掃描機的半導體基板是否已提供至特定的程序或步驟，例如再加工程序。在一些實施例中，平均修正模組124辨識基板是屬於已經經過第一套製造程序的第一組112或是已經經過第二套製造程序的第一組114。第一套製造程序與第二套製造程序在某些地方並不相同。
非暫態機械可讀儲存媒體106包括平均修正值108。如果半導體基板被提供至再加工程序，平均修正值108會用於曝光半導體基板的掃描機上。當控制掃描機104來曝光第二組114中的基板，但不控制掃描機104來曝光第一組112中的基板時，平均修正模組124會使用平均修正值108。
系統100更包括一個或多個半導體製造工具110，例如CMP工具。工具110提供屬於第一組112的複數第一晶圓片與屬於第二組114的複數第二晶圓片。例如，在一些實施例中，工具110是CMP工具。在第一組112中的晶圓片被工具110平面化且再沒有進入再加工的狀態下通過檢查。在第二組114中的晶圓片沒有立刻通過全部的驗收標準，因此進入CMP再加工程序。
控制器102的平均修正模組124是用來控制進行掃描機重疊修正值的掃描機104。當要被掃描機曝光的半導體基板被提供至再加工程序，控制器102更利用平均修正值來調整掃描機的曝光參數。控制器102也可不使用平均修正值來控制掃描機，用以曝光未進行再加工程序的基板。
在一些實施例中，控制器102的平均修正模組124用來計算平均修正值，做為以下兩者的差值：進入半導體製造程序與再加工程序的複數第一基板的曝光參數的平均值、以及進入半導體製造程序但不進入再加工程序的複數第二基板的曝光參數的平均值。
發明人了解到將基板提供至再加工程序可能會物理地改變基板關聯於APC模組的特性(例如厚度)。因此，在一些實施例中，控制器12控制掃描機104使用附加的修正值至第二組的基板114。在一些實施例中，這個修正值均一地使用，做為第二組114中全部的基板的調整常數。此附加的修正值不會使用於第一組112中的基板。
在一些實施例中，半導體製造程序是一種化學機 械研磨(CMP)程序，施行於複數第一基板的之一的層上。再加工程序也是一種化學機械研磨程序，施行在該基板的同一層上。在一些實施例中，曝光參數包括：用於第一方向的第一晶圓片尺度係數SX、用於與第一方向正交的第二方向的第二晶圓片尺度係數SY。
每個掃描機具有一個APC模型120，由掃描機的製造商所定義。第2A~2H顯示在一些實施例中包括於APC模型120的複數情況。
第2A~2D圖顯示場間模型內的參數。這些參數均一地用於一個場內，並且造成場內的一個位置與相鄰的場的對應的位置的偏移。第2A圖分別顯示曝光場X與Y方向轉移TX、TY。第2B圖顯示曝光場晶圓片旋轉RW。第2C圖顯示非正交(藉此一個場內的直角會轉換為另一個場內的銳角或鈍角)。第2D圖分別顯示尺度係數SX、SY(藉此使一個場在X方向與/或Y方向上相對於鄰接的曝光場拉長或壓縮)。
在一些實施例中，場間模型由以下提供：dx=TX-(RW+N)×Y+SX×X+高次項 (1)
dy=TY-RW×X+SY×Y+高次項 (2)其中(X,Y)是場間的座標系統，以晶圓片的中心為座標原點。dx、dy是場間重疊誤差，TX、TY是場間轉移，RW是圓片旋轉，N是非正交，SX、SY是晶圓片尺度係數，而高次項可以被忽略。
第2E~2H圖顯示曝光場模型內的因子。第2E圖顯示對稱旋轉。第2F圖顯示非對稱旋轉。第2G圖顯示對正放大。第2H圖顯示非對稱放大。
在一些實施例中，曝光場模型由以下提供：dx=TX-(RS+RA)×y+(MS+MA)×x+高次項 (3)
dy=TY-(RS-RA)×y+(MS-MA)×y+高次項 (4)其中(X,Y)是曝光場的座標系統，以場的中心為座標原點。dx、dy是曝光場重疊誤差，TX、TY是曝光場轉移，RS、RA是對稱與非對稱場旋轉，MS、MA是對稱與非對稱場放大。
第3圖系控制裝置100的機能方塊圖。
在第一處理組112的晶圓片(例如沒有進入CMP再加工程序的晶圓片)被曝光於使用掃描機重疊修正值122的掃描機104下。
在第二處理組114的晶圓片(例如進入CMP再加工程序的晶圓片)也被曝光於使用掃描機重疊修正值122的掃描機104下。然而對掃描機的附加修正值用於補償再加工的效果。
雖然第3圖概念地顯示分開的基板第一組112與第二組114的組的處理，但兩個組可在同一掃描機104下處理。在一些實施例中，第一組112的全部基板在第一批曝光，然後第二組114的全部基板在第二批曝光。在其他實施例中，兩個組112、114的基板可以混合。
第5、6圖顯示平均修正的影響的例子。在第5、6圖中，Y(垂直)軸表示重疊誤差，各個X(水平)軸位置表示對應到按時序處理中的晶圓片的不同的資料點。在這個例子中，重疊誤差(Y軸)對應到SX的誤差，也就是晶圓片在X方向的尺度係數的誤差。
在第5圖中，晶圓片的第一組112的上述所列的曝 光參數之一者的值以圓點表示，而晶圓片的第二組114的相對應的值以菱形表示。第二組(經過再加工)的重疊誤差的平均502實質上大於第一組(沒有經過再加工)的重疊誤差的平均504。
在一些實施例中，對CMP再加工程序來說，重疊誤差的偏移對應到平均晶圓片尺度係數SX、SY的平移。因此，在控制掃描機104的動作中，SX、SY的值會被前一次再加工程序中的再加工晶圓片所觀察到的平均值所調整，用以在掃描機104曝光新的複數再加工晶圓片114時補償再加工的效果。
第6圖中，平均值的平移(對應到未再加工與再加工的基板之間的曝光係數的平均值的差)加入掃描機重疊修正模型來補償再加工的基板。例如，在一些實施例中，平均值的平移加入上述用於每個再加工基板的式子(1)、(2)的SX與SY項。最後，可有效消除未再加工與預先處理(例如再加工)的基板之間的重疊誤差的差值。
在應用式子(1)~(4)的模型的其他實施例中，一個或多個場間模組的參數TX、TY、RW、N、SX、SY的其他的組合或一個或多個曝光場模組的參數TX、TY、RS、RA、MS、MA的其他的組合會根據各自的未再加工晶圓片與再加工晶圓片的平均值的差來調整。在其他實施例中，掃描機104的運作會根據不同的掃描機重疊控制誤差模型，實行適當的平均值平移。
雖然上述的例子根據晶圓片是否進入CMP再加工而將基板分配到不同的組，但本方法可以運用到其他的分組方 式。例如，在一些實施例中，第一組的基板沒有進入光再加工而第二組的基板有進入光再加工。在其他的實施例中，第一組與第二組彼此不同是根據某一處理步驟(非再加工)是否在基板曝光於掃描機104前執行而定。
第4圖係一範例程序的流程圖。
在步驟400，已經經過半導體製造程序所處理的複數半導體基板提供給一步進機(例如掃描機)進行曝光。
在步驟402，基板根據是否受到特別的加工處理而分類或分泡。例如，在一些實施例中，基板分配到一個已經經過再加工(例如CMP再加工或光再加工)的群組與一個沒有再加工的群組。沒有再加工的基板分類到複數的第一半導體基板，這些第一半導體基板還未經過半導體製程與再加工程序的處理。再加工的基板分類到複數的第二半導體基板，這些第二半導體基板已經經過半導體製程與再加工程序的處理。
在步驟404，個別的平均曝光參數(例如尺度係數SX、SY)分別計算給第一半導體基板與第二半導體基板。
在步驟406，平均修正值108計算給每一實質被差別的處理所影響的曝光參數。例如，在一些實施例中，第二組的基板進行改變基板中各層厚度的附加步驟或程序，尺度係數SX、SY會受到影響。因此，X平均值的平移會由第一組基板的平均值SX減去第二組基板的平均值SX而得。相同地，Y平均值的平移會由第一組基板的平均值SY減去第二組基板的平均值SY而得。以上僅是一個例子。如果第一組與第二組因一個不同的程序或步驟(非CMP再加工)而有差異，而該程序或步驟僅 影響第二組而不影響第一組，則該模型的一個或多個不同參數的平均值的平移會被計算。
在步驟408，平均修正值108儲存於非暫態機械可讀儲存媒體106中，提供隨後的使用。在一些實施例中，此儲存值108自動前送至控制器100。在其他的實施例中，使用者從非暫態機械可讀儲存媒體106中讀出平均修正值108並手動地輸入平均修正值108於控制器100當中。
在步驟410，複數的基板被在掃描機104的曝光步驟之前所執行程序或步驟所處理。在一些實施例中，是用於在步驟400中處理的同一組基板(並且在步驟406計算過平均修正值)，但修正值應用到不同於步驟400所處理的層上。在一些實施例中，步驟410處理的基板與步驟400處理的基板不同，但掃描機的曝光程序被步驟406所計算的平均計算值所控制(基於步驟400中的處理所回授的驗證的資料)。例如，附加的晶圓片可包括沒有進行再加工程序的複數的第三基板以及有進行再加工程序的複數的第四基板。
在步驟412，判斷要處理的基板是否再加工或未再加工。在一些實施例中，此判斷是用於分組的組。在其他的實施例中，此判斷是用於個別的基板。如果要處理的基板未再加工，則下一步執行步驟414。如果要處理的基板有再加工，則下一步執行步驟416。
在步驟414，第一掃描機重疊修正值被應用到曝光複數第一基板(未再加工)的掃描機上。接著進行步驟420。
在步驟416，第二掃描機重疊修正值被應用到曝光 複數第二基板(有再加工)的掃描機上。在一些實施例中，第一與第二重疊修正值是相同的。
在步驟418，儲存於儲存媒體106的平均修正值108應用到曝光複數第二組基板的掃描機上。
在步驟420，基板對使用被給予的設定的基板曝光。因此，例如沒有進行再加工程序的複數的新的(第三)基板可以在不使用平均修正值108的狀態下被曝光。同時，有進行再加工程序的複數的新的(第四)基板可以在使用平均修正值108的狀態下被曝光。
如上所述，再加工的預處理效果、膜厚度、範圍、以及超出規格值可被重疊APC的掃描機重疊修正值與平均值平移修正的組合所消除。對再加工的基板把平均值平移加到重疊APC時，這些預處理效果會減少或消除。根據模擬，重疊誤差的標準值的偏移可藉由對再加工基板的平均值修正，而減少約14-18%。
在一些實施例中，一個方法包括：(a)提供已經被半導體製造程序處理的複數第一半導體基板；(b)提供已經被半導體製造程序與再加工程序處理的複數第二半導體基板；(c)使用第一掃描機重疊修正值來曝光複數第一半導體基板；以及(d)使用第二掃描機重疊修正值與平均修正值來曝光複數第二半導體基板。
在一些實施例中，一個方法包括：(a)在複數基板上執行半導體加工程序；(b)在步驟(a)後，將複數基板分類為第一組與第二組；(c)執行再加工程序至複數的第二 組基板，但不執行於第一組基板；(d)分別計算複數第一組與第二組基板的各自光微影製程的至少一曝光參數的平均值；(e)使用掃描機重疊修正值與平均修正值來曝光有進行再加工的複數第二基板，平均修正值是基於來自步驟(d)的平均值。
在一些實施例中，控制裝置包括：一個控制器，用來決定要被掃描機曝光的半導體基板是否已進行再加工程序。非暫態機械可讀儲存媒體包括一平均修正值。如果半導體基板已進行再加工程序，此平均修正值會用於對半導體基板曝光的掃描機。控制器用來控制使用掃描機重疊修正值的掃描機。如果要被掃描機曝光的半導體基板已經進行再加工程序，控制器更利用平均修正值來調整掃描機的曝光參數。
上述的方法與系統可至少部分地用電腦執行的程序與實行該些程序的裝置來實施。揭露的方法可以至少部分地被寫入有電腦程式碼的有形的、非暫態的機械可讀儲存媒體所實施。媒體可包括，例如RAMs、ROMs、CD-ROMs、DVD-ROMs、BD-ROMs、硬碟、快閃記憶體、或其他非暫態機械可讀儲存媒體，其中當電腦程式碼載入電腦或被電腦所執行，電腦會成為實行這些方法的裝置。方法也可至少部分地被載入或執行電腦程式的電腦所實施，使得電腦變為用以實行該方法的特定用途的電腦。當實行於泛用的處理器時，電腦程式碼區段將處理器轉換為特定的邏輯電路。方法可選擇地被至少部分由用來執行該方法的特殊應用積體電路組成的數位信號處理器來實施。
雖然已敘述多個實施例，但本發明並不限定於 此。申請專利範圍必須以廣泛的範圍去解讀，以包括該領域通常知識者可完成的其他的變更與實施例。

Claims (10)

  1. 一種曝光修正方法，包括：(a)提供已經被一半導體製造程序處理的複數第一半導體基板；(b)提供已經被該半導體製造程序與一再加工程序處理的複數第二半導體基板；(c)使用一第一掃描機重疊修正值來曝光複數該第一半導體基板；以及(d)使用一第二掃描機重疊修正值與一平均修正值來曝光複數該第二半導體基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之曝光修正方法，更包括：在步驟(d)之前計算該平均修正值，該平均修正值係以下兩值的差值：已經經該半導體製造程序及該再加工程序處理的複數第三基板中的一曝光參數的平均值；以及已經經該半導體製造程序但未經該再加工程序處理的複數第四基板中的一曝光參數的平均值。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之曝光修正方法，其中至少一曝光參數包括：一第一方向的第一晶圓片尺度係數；以及一第二方向的第二晶圓片尺度參數，該第二方向與該第一方向正交。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之曝光修正方法，其中該半導體製造程序係一執行於該複數第二基板之一者的一層上之化 學機械研磨(CMP)程序，該再加工程序係一執行於同一基板的同一層上之化學機械研磨再加工程序。
  5. 一種控制裝置，包括：一控制器，用來決定要被掃描機曝光的一半導體基板是否已進行一再加工程序；以及一非暫態機械可讀儲存媒體包括一平均修正值，如果該半導體基板已進行該再加工程序，該平均修正值會用於對該半導體基板曝光的掃描機；其中該控制器用來控制使用一掃描機重疊修正值的掃描機，並且如果要被該掃描機曝光的該半導體基板已經進行該再加工程序，該控制器更利用該平均修正值來調整該掃描機的一曝光參數。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之控制裝置，其中該控制器更用來控制該掃描機來曝光基板而不使用該平均修正值，該基板係沒有實行該再加工程序。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之控制裝置，其中該控制器係用來計算該平均修正值，該平均修正值係以下兩值的差值：已經經該半導體製造程序及該再加工程序處理的複數第一基板中的一曝光參數的平均值；以及已經經該半導體製造程序但未經該再加工程序處理的複數第二基板中的一曝光參數的平均值。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之控制裝置，其中該曝光參數包括：一第一方向的第一晶圓片尺度係數；以及 一第二方向的第二晶圓片尺度參數，該第二方向與該第一方向正交。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之控制裝置，其中該半導體製造程序係一執行於該複數第二基板之一者的一層上之化學機械研磨(CMP)程序，該再加工程序係一執行於同一基板的同一層上之化學機械研磨再加工程序。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之控制裝置，其中該控制器具有一對應到該掃描機的重疊先進製程控制模型，該模型包括晶圓片旋轉的調整、晶圓片非正交的調整、以及晶圓片尺度係數的調整。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8889434B2 (en) * 2012-12-17 2014-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanner overlay correction system and method
US9059037B2 (en) * 2013-05-31 2015-06-16 Globalfoundries Inc. Methods for overlay improvement through feed forward correction
TWI560747B (en) * 2014-04-02 2016-12-01 Macromix Internat Co Ltd Method of manufacturing semiconductor and exposure system
KR20170120153A (ko) * 2015-03-13 2017-10-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 방법 및 리소그래피 장치
US9588446B2 (en) 2015-05-29 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Calibration apparatus and an adjustment method for a lithography apparatus
EP3562435B1 (en) 2016-12-30 2024-06-05 SunMed Group Holdings, LLC Artificial airway management devices, systems and methods
JP6814174B2 (ja) * 2018-04-03 2021-01-13 キヤノン株式会社 露光装置、物品の製造方法、マーク形成装置及びマーク形成方法
CN113488414B (zh) * 2021-07-06 2023-10-13 长鑫存储技术有限公司 晶圆生产监控方法、系统与电子设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100316066B1 (ko) * 1999-12-20 2001-12-13 박종섭 반도체장치의 오버레이 파라미터 보정방법
EP1235109A1 (en) 2001-02-23 2002-08-28 Infineon Technologies AG Method for exposing at least one or at least two semiconductor wafers
US7804994B2 (en) 2002-02-15 2010-09-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay metrology and control method
US7031794B2 (en) 2003-09-26 2006-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Smart overlay control
KR20050111268A (ko) * 2004-05-21 2005-11-24 주식회사 하이닉스반도체 오버레이 보정방법
JP2007067018A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Sharp Corp 露光装置の露光動作評価方法および半導体デバイスの製造方法
US7842442B2 (en) 2006-08-31 2010-11-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for reducing overlay errors within exposure fields by APC control strategies
US8175831B2 (en) * 2007-04-23 2012-05-08 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for creating or performing a dynamic sampling scheme for a process during which measurements are performed on wafers
US8655469B2 (en) 2010-06-14 2014-02-18 Kla-Tencor Corporation Advanced process control optimization
US8889434B2 (en) * 2012-12-17 2014-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanner overlay correction system and method

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