TWI718553B - 初始化覆蓋控制器之個別曝光場參數 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種用於初始化覆蓋控制器之個別曝光場參數的方法，其包括：初始化具有與第一產品類型相關之第一使用場合的第一控制線程，其中，為該第一產品類型定義第一曝光場的第一佈局以在步進曝光機中加工。該方法進一步包括：重新映射先前控制狀態資料集至該第一佈局中，該控制線程集與不同於該第一產品類型之其他產品類型關聯。該其他產品類型具有不同於該第一佈局的第二曝光場的佈局。使用已被重新映射之該先前控制狀態資料來產生與該第一產品類型關聯之該第一控制線程的初始控制狀態資料集。使用該初始控制狀態資料集來組配該步進曝光機以用於加工該第一產品類型的第一基板。
Description
本揭示內容大體有關於半導體加工的領域，特別是，有關於用於初始化覆蓋控制器之個別曝光場參數的技術。
形成於半導體晶圓上的積體電路通常包括形成電路的大量電路元件。除了例如場效電晶體及/或雙極電晶體的主動裝置以外，積體電路可包括例如電阻器、電感器及/或電容器的被動裝置。
微影製程常用來使標線片(遮罩，這兩個用語在此可互換使用)之圖案轉印至晶圓以促進形成IC結構在晶圓上。藉由使光能穿過具有布局的遮罩以使所欲圖案成像於光阻層上，可從設置於晶圓上的光阻層形成圖案。結果，圖案被轉印至光阻層。在光阻被充分曝光的區域中(且在顯影循環後)，光阻材料變成可溶，致使光阻材料可被移除而選擇性暴露出下覆層(例如，半導體層、金屬或含金屬層、介電層、硬遮罩層等)。光阻層中未暴露於臨界量的光能的部分不會被移除且在進一步加工晶圓(例如，蝕刻下覆層的暴露部分、植入離子於晶圓中等)期間用來保護下覆層。之後，可移除光阻層的其餘部分。
微影製程的關鍵參數之一涉及準確的覆蓋定位，亦即，使當前的層中之圖案特徵與先前形成的層中被先前圖案化之特徵對準的製程。覆蓋傳統用相較大的測試結構測量，測試結構則位於形成在半導體晶圓上的產品晶粒之間的切割道中。覆蓋控制器提供修正參數給步進曝光機(stepper)以提高對準準確度。
批次(run-to-run)製程控制策略(常被稱為先進製程控制(APC))被用來控制步進曝光機的工具參數以用於覆蓋控制。此類控制器通常採用線程法(threaded approach)，在此各控制線程代表由特定製程操作、產品、步進曝光機ID、標線片ID等界定的特定使用場合(context)。各控制線程代表一虛擬控制器，其使用製程模型及測量資料(前製程與後製程)來產生用於給定使用場合之處方參數。從此資訊及製程模型，製程控制器在考量特定使用場合下，判定描述製程或數個製程之影響的控制器狀態或製程狀態，並產生用於步進曝光機之當前批次的工具參數。
在出現新使用場合時(例如，用於新產品的新使用場合，或先前計量資料已過時的現有使用場合)會出現一難題。使用場合的當前狀態的估計可能由於缺乏資料或資料老舊而不可靠。此類新使用場合通常藉由先在製程流程中跑前導基板(pilot substrate)以得到足夠資料以估計“實際”控制狀態然後基於前導基板所得到的資料來進行控制操作來初始化。然而，前導基板的加工可能極為昂貴又耗時，從而使得產出量、工具利用率及獲利率減少。再者，由於前導基板是在沒有APC控制器的效益下加工，因此它們常需要二次加工。
本發明針對可解決或至少減少前述問題中之一些或所有的方法及系統。
為了提供本發明之一些方面的基本理解，以下提出簡化的發明內容。此發明內容並非本發明的窮舉式總覽。它不是旨在識別本發明的關鍵或重要元件或者是描繪本發明的範疇。本發明內容的唯一目的是要以簡化的形式提出一些概念作為以下更詳細之說明的前言。
本揭示內容大體針對用於初始化覆蓋控制器之個別曝光場參數的技術。一示範方法包括：初始化具有與第一產品類型相關之第一使用場合的第一控制線程。為用於在步進曝光機中加工的該第一產品類型定義第一曝光場的第一佈局。該方法進一步包括：重新映射用於控制線程集的先前控制狀態資料集至該第一佈局中，該控制線程集與不同於該第一產品類型之其他產品類型關聯。該其他產品類型具有不同於該第一佈局的第二曝光場的佈局。使用已被重新映射之該先前控制狀態資料為與該第一產品類型關聯之該第一控制線程產生初始控制狀態資料集。使用該初始控制狀態資料集來組配該步進曝光機以加工該第一產品類型之第一基板。
本文揭示的一種示範系統包括：步進曝光機，用於曝光基板，以及覆蓋控制器，其係用於初始化具有與第一產品類型關聯之第一使用場合的第一控制線程。為用於在步進曝光機中加工的第一產品類型定義第一曝光場的第一佈局。重新映射用於控制線程集的先前控制狀態資料集至該第一佈局中，該控制線程集與不同於該第一產品類型之其他產品類型關聯，
其中，該其他產品類型具有不同於該第一佈局的第二曝光場的佈局。使用已被重新映射之該先前控制狀態資料為與該第一產品類型關聯之該第一控制線程產生初始控制狀態資料集，以及使用該初始控制狀態資料集來組配該步進曝光機以加工該第一產品類型之第一基板。
100‧‧‧系統
105A、105B‧‧‧基板、晶圓
110A、110B‧‧‧光阻工具、工具
115A、115B‧‧‧步進曝光機、工具
120‧‧‧覆蓋控制器
125‧‧‧計量工具
130A、130B‧‧‧晶粒
140A、140B‧‧‧對準缺口
145A、145B‧‧‧曝光場
300‧‧‧資料點
310‧‧‧箭頭
400‧‧‧方法
405-440‧‧‧方法區塊
d‧‧‧距離
R1、R2‧‧‧標線片
參考以下結合附圖的說明可明白本揭示內容，其中，類似的元件以相同的元件符號表示，且其中：第1圖的方塊圖根據一些具體實施例圖示藉由測量晶圓變形且基於晶圓變形來修正覆蓋以在晶圓上執行曝光操作的系統；第2圖的簡圖圖示先前技術晶圓的曝光場；第3A圖及第3B圖根據一些具體實施例圖示曝光場在不同產品類型之間的重新映射；以及第4圖的流程圖根據一些具體實施例圖示用於初始化覆蓋控制器的一示範方法。
儘管揭示於本文的專利標的容易做成各種修改及替代形式，但仍以附圖舉例圖示其特定具體實施例且詳述於本文。不過，應瞭解本文所描述的特定具體實施例並非旨在把本發明限定為本文所揭示的特定形式，反而是，本發明是要涵蓋落在如隨附申請專利範圍所界定之本發明精神及範疇內的所有修改形式、等價形式及替代形式。
以下描述本發明的各種示範具體實施例。為了清楚說明，本專利說明書沒有描述實際具體實作的所有特徵。當然，應瞭解，在開發任一此類的實際具體實施例時，必需做許多與具體實作有關的決策以達成開發人員的特定目標，例如遵循與系統相關及商務有關的限制，這些都會隨著每一個具體實作而有所不同。此外，應瞭解，此類開發可能是複雜又耗時的，但對於受益與本揭露的本技術領域中之一般技術人員來說仍然屬可承擔之例行工作。
此時以參照附圖來描述本揭示內容。示意圖示於附圖的各種結構、系統及裝置係僅供解釋以及避免熟諳此技藝者所習知的細節混淆本發明。儘管如此，仍納入附圖以描述及解釋本揭示內容的示範實施例。應使用與相關技藝技術人員所熟悉之意思一致的方式理解及解釋用於本文的字彙及片語。本文沒有特別定義的術語或片語(亦即，與熟諳此技藝者所理解之普通或慣用意思不同的定義)旨在用術語或片語的一致用法來說明。如果術語或片語旨在具有特定的意思時(亦即，不同於熟諳此技藝者所理解的意思)，則會在本專利說明書中以直接明白地提供特定定義的方式清楚地陳述該術語或片語的特定定義。
第1圖的方塊圖根據一些具體實施例圖示用於在基板105A、105B(例如，晶圓)上進行光阻操作(resist operation)的系統100。系統100包括用於施加光阻層至基板105A、105B的光阻工具110A、110B與使用標線片來圖案化光阻層的步進曝光機115A、115B。對於給定製程操作(例如，層)，可使用不同的標線片(例如，標線片R1、R2)。步進曝光機115A、115B藉由使用APC演算法的覆蓋控制器120控制。計量工具
125(例如用於估計光阻特徵之線寬的光學儀器)係設置成可操作地連接至覆蓋控制器120以用於提供測量結果。因此，覆蓋控制器120與計量工具125建立反饋控制迴路，其中，反饋控制迴路係基於先前已被加工的基板來算出用於步進曝光機115A、115B的當前工具參數設定值。
步進曝光機115A、115B本身可提供其他的計量資料。當基板105A、105B載入步進曝光機115A、115B時，可使用晶圓上由先前製程操作形成的對準標記進行對準測量。這些對準標記提供關於基板105A、105B之先前諸層的資訊。原始對準測量可以是產生干涉圖案的具有不同間距之光柵的雷射掃描。
第1圖中的虛線箭頭表示基板105A、105B通過工具110A、110B、115A、115B的不同可能流徑，以及可使用的不同的標線片R1、R2。覆蓋控制器120為各個獨特使用場合(亦即，先前工具歷史(例如，光阻工具110A、110B、步進曝光機115A、115B)、產品(例如，基板105A、105B)、標線片R1、R2等的各個組合)採用控制線程。覆蓋控制器120基於正在執行之操作的獨特使用場合以及與使用場合關聯的控制狀態來計算特定步進曝光機115A、115B的修正因素。
在廣義的製程控制場景中，從與進入之基板105A、105B中之特定一者關聯的計量資料來產生當前控制狀態。例如，覆蓋控制器120可橫跨整個基板105A或105B編譯對準標記測量以產生平移、旋轉及放大修正因素。該等修正因素表示當前基板105A或105B的當前狀態。用於產生修正因素的技術為本技藝一般技術人員所習知，因此在此不予詳述以免混淆本專利標的。當前控制狀態與先前控制狀態在覆蓋控制器120中組合
以產生更新的控制狀態。可使用各種技術(例如指數加權移動平均、卡爾曼濾波(Kalman filtering)、最大似然等)來組合當前及先前控制狀態。
不過，對由於缺乏測量資料或測量資料老舊而缺少測量資料的新線程而言，先前控制狀態可能缺乏或不完整。取而代之的是，可使用來自其他線程的測量資料來填充(populate)該線程。用於線程重建的廣義方程式為：AB=Y，在此，A表示特定使用場合，B表示控制狀態估計值，且Y表示與使用場合關聯的測量資料。可使用來自其他使用場合(例如，相同的光阻工具110A、110B及步進曝光機115A、115B，但不同的基板105A、105B)的測量資料來計算新線程的先前控制狀態，使得先前控制狀態可與當前控制狀態組合以產生更新的控制狀態，且可使用更新的控制狀態來產生用於相關步進曝光機115A、115B的控制動作。
第2圖圖示可能在步進曝光機115A、115B中經受曝光製程之兩個基板105A、105B的示範具體實施例。複數個晶粒130A、130B形成於各晶圓105A、105B之上。晶粒130A、130B界定基板105A、105B中將形成產品積體電路裝置(例如，微處理器、ASIC、記憶體裝置)的區域。每個基板105A、105B的晶粒130A、130B的大小、形狀及個數取決於建構中之裝置的類型以及基板105A、105B的大小。例如，晶粒130A小於晶粒130B。各基板105A、105B可具有對準缺口140A、140B，其係用來在步進曝光機115A、115B中提供基板105A、105B的相對粗糙對準(relatively rough alignment)。
在基板105A、105B相對於光源移動或步進時，在基板105A、105B上進行的曝光製程通常是以一個閃光接著一個閃光(flash-by-flash)的方式為基礎來進行。在各步進期間，步進曝光機115A、115B中的光源(未圖示)投射光線至基板105A、105B的給定區域上，亦即，投射各個閃光於曝光場145A、145B上。各曝光場145A、145B的大小，以及各曝光場145A、145B內的晶粒130A、130B的個數可隨著產品而大幅改變。例如，曝光場145A在2×3圖案中包括6個晶粒130A，而曝光場145B在2×2圖案中包括4個晶粒130B。
在覆蓋控制中，可提供個別修正因素給各個曝光場145A、145B，這被稱為每次曝光修正(CPE)場。示範CPE場包括：
CPE_WTRX：x平移
CPE_WTRY：y平移
CPE_FMAG：放大(場放大)
CPE_AMAG：不對稱放大
CPE_FROT：旋轉
CPE_AROT：不對稱旋轉
由於與基板105A、105B關聯的產品具有不同的曝光場145A、145B個數、大小及位置，所以與加工基板105A之使用場合關聯的CPE狀態資料不直接對應至與加工基板105B之使用場合關聯的CPE狀態資料。
為了允許使用來自其他線程的CPE狀態資料，將來自其他產品類型的CPE資料重新映射至與新線程關聯之當前產品類型的曝光場
空間。第3A圖、第3B圖圖示與基板105A關聯的產品A的曝光場145A和與基板105B關聯的產品B的曝光場145B之間的對應。可使用附近曝光場145B之CPE參數的數值估計曝光場145A之特定CPE參數的數值，該特定CPE參數值係以資料點300表示。執行映射程序以從產品B曝光場空間映射CPE參數的資料值到產品A曝光場空間。
在圖示於第3A圖的一具體實施例中，使用k個最近鄰近曝光場(以粗體圖示)之CPE參數的平均值，可判定產品A曝光場145A之CPE參數的資料點300。
在圖示於第3B圖的另一具體實施例中，可基於在給定半徑內之所有其他場或所有場使用距離加權平均值來判定CPE參數的資料點300。箭頭310的長度為距離d。曝光場145B之測定值的權重隨著距離遞減。例如，可使用指數折扣因素(exponential discount factor)w：
在此，m為支配多快地折扣資料的調整參數。此函數係習知為高斯徑向基函數(RBF)。如果採用特定的半徑，則可忽略距離大於預定臨界值的資料點。
在另一具體實施例中，曝光場145B的CPE資料可擬合於例如多項式模型的模型。基於資料點300的位置，該模型可用來產生曝光場145A的估計值。
在一些具體實施例中，掃描方向也可用來過濾先前的CPE狀態資料。已注意到，y平移因素(CPE_WTRY)修正因素會被掃描方向(亦即，由上至下或由下至上)影響。因此，只使用與和曝光場145A相同之掃描方向關聯的CPE_WTRY資料來產生資料點300。
藉由合併來自其他線程的CPE狀態資料以及重新映射該等曝光場，可估計當前使用場合的先前控制狀態。該狀態估計的貢獻來自線程分量矩陣A(thread component matrix A)：
在此，Y的各個橫列對應至現有線程，且A+表示A矩陣的逆或偽逆(pseudo-inversion)。
該狀態估計可表示為：
因此，來自經重新映射之CPE資料的狀態估計係用觀測狀態(ω)的總和加權。各測量對於預測值的影響被稱為影響向量(或投影向量)ω。如果測量對於預測狀態有大影響，則它具有大量級。反之，對於預測狀態有小影響的測量具有小量級。
使用來自其他線程之CPE資料產生的狀態估計
可用作產生當前基板105A、105B之控制動作的基礎。使用來自當前基板105A之計量資料產生的當前狀態可與狀態估計
組合以更新控制狀態並產生控制動作。
第4圖的流程圖根據一些具體實施例圖示用於初始化覆蓋控制器120的示範方法400。方法400的元件可由覆蓋控制器120執行。
在方法區塊405，初始化第一控制線程。第一控制線程可能沒有先前控制狀態資料或有不完整的控制狀態資料。第一控制線程具有與第一產品類型關聯的第一使用場合。針對第一產品類型，定義第一曝光場145A的第一佈局。
在方法區塊410，重新映射用於控制線程集的控制狀態資料，該控制線程集係與除第一產品類型以外具有不同於第一佈局之第二曝光場佈局的產品類型關聯。
在方法區塊415，使用經重新映射之控制狀態資料來為第一控制線程產生初始控制狀態資料集。該第一曝光場中之各者與初始控制狀態資料集的子集關聯。例如，該子集可包括與曝光場關聯的修正因素。
在方法區塊420，測定第一基板在步進曝光機115A、115B中的對準。
在方法區塊425，基於對準資料來產生用於第一基板的當前控制狀態。例如，當前控制狀態可包括各曝光場基於經測定的對準而算出的修正參數。
在方法區塊430，可結合當前控制狀態與初始控制狀態以產生更新的控制狀態。可使用各種技術(例如指數加權移動平均值、卡爾曼濾波、最大似然法等)來結合當前及先前控制狀態。
在方法區塊435，使用更新的控制狀態來組配步進曝光機115A、115B。
在方法區塊440，使第一基板在步進曝光機115A、115B中曝光。
本文描述之來自其他產品之CPE資料的重新映射允許初始化新的控制線程(即使曝光場的佈局不同)。初始化允許覆蓋控制器120在新控制線程中對第一基板產生控制動作，而不需要使用前導晶圓。此作法增加產出量及品質，同時也減少二次加工。
在一些具體實施例中，上述技術的一些方面可由執行軟體之加工系統的一或多個處理器實現。可藉由在運算裝置上執行軟體(例如第1圖的覆蓋控制器120)來實現本文描述的方法400，不過，此類方法並不是抽象的，因為它們改善步進曝光機110A、110B的操作與製造基板105A、105B的品質。在執行前，可將軟體指令從非暫時性電腦可讀儲存媒體轉移到記憶體。
軟體可包括儲存在或以其他方式有形地體現於非暫時性電腦可讀儲存媒體上的一或多個可執行指令集。軟體可包括該等指令及某些資料，以在被一或多個處理器執行時，操控一或多個處理器以完成上述技術的一或多個方面。非暫時性電腦可讀儲存媒體可包括，例如，磁碟或光碟儲存裝置、固態儲存裝置(例如快閃記憶體、快取、隨機存取記憶體(RAM)或其他非揮發性記憶體裝置)，諸如此類。儲存於非暫時性電腦可讀儲存媒體上的可執行指令可為原始碼、組合語言碼、目標碼、或其他被一或多個處理器解譯或可用其他方式執行的指令格式。
電腦可讀儲存媒體可包括在使用期間可被電腦系統存取的任何儲存媒體或儲存媒體的組合，以提供指令及/或資料給電腦系統。此類儲存媒體可包括但不限於：光學媒體(例如，光碟(CD)、數位化多功能光碟(DVD)、藍光光碟)、磁性媒體(例如，軟碟、磁帶或磁性硬碟)、揮發性記憶體(例如，隨機存取記憶體(RAM)或快取)、非揮發性記憶體(例如，唯讀記憶體(ROM)或快閃記憶體)、或基於微機電系統(MEMS)的儲存媒體。電腦可讀儲存媒體可嵌入運算系統(例如，系統RAM或系統ROM)、固定附接至運算系統(例如，磁性硬碟)、可移除地附接至運算系統(例如，光碟或基於通用串列匯流排(USB)的快閃記憶體)、或經由有線或無線網路(例如，網路可存取儲存器(NAS))耦接至電腦系統。
以上所揭示的特定具體實施例均僅供圖解說明，因為熟諳此技藝者在受益於本文的教導後顯然可以不同但等價的方式來修改及實施本發明。例如，可用不同的順序完成以上所提出的製程步驟。此外，除非在以下申請專利範圍有提及，本發明不意旨限制本文所示之構造或設計的細節。因此，顯然可改變或修改以上所揭示的特定具體實施例而所有此類改變都仍被認為是在本發明的範疇與精神內。應注意，在本專利說明書及隨附申請專利範圍中為了描述各種製程或結構而使用的例如“第一”、“第二”、“第三”或“第四”用語只是用來作為步驟/結構的簡寫參考且不一定暗示該等步驟/結構的執行/形成係按照該有序序列。當然，取決於確切的申請專利範圍語言，可能需要或不需要該等製程的有序序列。因此，本文提出以下的申請專利範圍以尋求保護。
400‧‧‧方法
405-440‧‧‧方法區塊
Claims (18)
- 一種用於初始化覆蓋控制器之個別曝光場參數之方法，包含：初始化第一控制線程，該第一控制線程具有與第一產品類型相關之第一使用場合，其中，針對用於在步進曝光機中加工的該第一產品類型定義第一曝光場的第一佈局；重新映射用於控制線程集的先前控制狀態資料集至該第一佈局中，該控制線程集與不同於該第一產品類型之其他產品類型關聯，其中，該其他產品類型具有不同於該第一佈局的第二曝光場的佈局，並且其中，重新映射用於該控制線程集的該先前控制狀態資料集包含：針對該第一曝光場在該第一佈局中的選定曝光場，平均緊鄰該選定曝光場之第二曝光場集的該先前控制狀態資料集；使用已被重新映射之該先前控制狀態資料為與該第一產品類型關聯之該第一控制線程產生初始控制狀態資料集；以及使用該初始控制狀態資料集來組配該步進曝光機以加工該第一產品類型之第一基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含：使用組配有該初始控制狀態資料集的該步進曝光機曝光該第一產品類型的該第一基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該初始控制狀態資料集包含用於該第一曝光場之修正因素的模型係數集。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中，該修正因素包含x平移因素、y平移因素、放大因素、不對稱放大因素、旋轉因素與不對稱旋轉因素。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含：基於該第一基板的對準測量資料，產生用於該第一基板的當前控制狀態資料集；結合該當前控制狀態資料集與該初始控制狀態資料集以產生更新控制狀態資料集；以及基於該更新控制狀態資料集，組配該步進曝光機。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含：選擇與該選定曝光場之距離小於預定臨界值的該第二曝光場集。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，平均該先前控制狀態資料包含：採用距離加權平均值。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，重新映射用於該控制線程集的該先前控制狀態資料的步驟包含：橫跨該第二曝光場，為與該其他產品類型關聯之該控制線程集的每個成員產生該先前控制狀態資料的模型；以及採用該模型以為該第一曝光場中之各者產生控制狀態資料。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，用於該第一曝光場中之各者的該初始控制狀態資料的子集包含用於y平移修正因素的模型係數集，該第一曝光場及該第二曝光場之各者具有關連的掃描方向，且該方法進一步包含：在重新映射該先前控制狀態資料時，對於掃描方向不同 於該第一曝光場的該第二曝光場，忽略用於該y平移修正因素的先前控制狀態資料。
- 一種用於初始化覆蓋控制器之個別曝光場參數之系統，包含：步進曝光機，用於曝光基板；以及覆蓋控制器，用於：初始化具有與第一產品類型關聯之第一使用場合的第一控制線程，其中，為用於在步進曝光機中加工的該第一產品類型定義第一曝光場的第一佈局、重新映射用於控制線程集的先前控制狀態資料集至該第一佈局中，該控制線程集與不同於該第一產品類型之其他產品類型關聯，其中，該其他產品類型具有不同於該第一佈局的第二曝光場的佈局、使用已被重新映射之該先前控制狀態資料集為與該第一產品類型關聯之該第一控制線程產生初始控制狀態資料集，其中，該覆蓋控制器係用以：藉由平均緊鄰該第一曝光場之選定曝光場之第二曝光場集的該先前控制狀態資料集來重新映射用於該控制線程集的該先前控制狀態資料集、以及使用該初始控制狀態資料集來組配該步進曝光機以加工該第一產品類型的第一基板。
- 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該步進曝光機係用以在用該初始控制狀態資料集組配後，曝光該第一產品類型的該第一基板。
- 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該初始控制狀態資料集包含：用於該第一曝光場之修正因素的模型係數集。
- 如申請專利範圍第12項所述之系統，其中，該修正因素包含：x平移因素、y平移因素、放大因素、不對稱放大因素、旋轉因素、與不對稱旋轉因素。
- 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該覆蓋控制器係用以：基於該第一基板的對準測量資料來產生用於該第一基板的當前控制狀態資料集、結合該當前控制狀態資料集與該初始狀態資料集以產生更新控制狀態資料集、以及基於該更新控制狀態資料集來組配該步進曝光機。
- 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該覆蓋控制器係用以：選擇與該選定曝光場之距離小於預定臨界值的該第二曝光場集。
- 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該覆蓋控制器係用以：使用距離加權平均值來平均該先前控制狀態資料。
- 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該覆蓋控制器係用以：藉由橫跨該第二曝光場，為與該其他產品類型關聯的控制線程集的每個成員產生該先前控制狀態資料的模型，以重新映射用於該控制線程集的該先前控制狀態資料、以及採用該模型以為該第一曝光場中之各者產生控制狀態資料。
- 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，用於該第一曝光場中之各者的該初始控制狀態資料的子集包含用於y平移修正因素的模型係數集，該第一曝光場及該第二曝光場之各者具有相關掃描方向，且該覆蓋控制器係用以：在重新映射該控制狀態資料時，對於掃描方向不同於該第一曝光場的該第二曝光場，忽略用於該y平移修正因素的控制狀態資料。
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