[go: up one dir, main page]

TW201406926A - 用於製備磷光體之方法 - Google Patents

用於製備磷光體之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201406926A
TW201406926A TW102124991A TW102124991A TW201406926A TW 201406926 A TW201406926 A TW 201406926A TW 102124991 A TW102124991 A TW 102124991A TW 102124991 A TW102124991 A TW 102124991A TW 201406926 A TW201406926 A TW 201406926A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cerium
alkaline earth
nitride
earth metal
mmol
Prior art date
Application number
TW102124991A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI602903B (zh
Inventor
Tim Vosgroene
Holger Winkler
Ralf Petry
Andreas Benker
Christof Hampel
Original Assignee
Merck Patent Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent Gmbh filed Critical Merck Patent Gmbh
Publication of TW201406926A publication Critical patent/TW201406926A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI602903B publication Critical patent/TWI602903B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明係關於一種用於製備具有增加發射效率之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之方法。此外，本發明係關於可由本發明製備方法獲得之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物，及本發明之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物作為轉換型磷光體之用途。此外，本發明亦關於一種包含本發明之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之發光裝置。

Description

用於製備磷光體之方法
本發明係關於一種用於製備具有增加發射效率之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之方法。此外，本發明係關於可藉由根據本發明之製備方法獲得之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物，及根據本發明之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物作為轉換型磷光體之用途。此外，本發明係關於一種包含根據本發明之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之發光裝置。
可在藍色及/或UV光譜區內被激發之無機螢光粉末在作為磷光體轉換LED(簡稱pc-LED)之轉換型磷光體方面正受到越來越高度的重視。同時，已知有許多轉換型磷光體系統，諸如(例如)鹼土金屬正矽酸鹽、硫代鎵酸鹽、石榴石及氮化物，其等各摻雜有Ce3+或Eu2+。特定言之，最後提及的氮化物磷光體(例如M2Si5N8：Eu(M=Ca、Sr及/或Ba)或MAlSiN3：Eu(M=Ca及/或Sr)係目前密集研究之主題，因為此等材料具有高於600nm之發射波長，且因此對生產色溫<4000K之暖白色pc-LED具有重要意義。
以下簡要概述目前已知用於製備M2Si5N8：Eu之方法，其中M代表鹼土金屬：
(1)(2-x)M+x Eu+5 Si(NH2) → M2-xEuxSi5N8+5 H2
(Schnick等人，Journal of Physics and Chemistry of Solids(2000),61(12),2001-2006)
(2)(2-x)M3N2+3x EuN+5 Si3N4 → 3 M2-xEuxSi5N8+0.5x N2
(Hintzen等人，Journal of Alloys and Compounds(2006),417(1-2),273-279)
(3)(2-x)MO+1.666 Si3N4+0.5x Eu2O3+(2+0.5x)C+1.5 N2 → M2-xEuxSi5N8+(2+0.5x)CO
(Piao等人，Applied Physics Letters 2006,88,161908)
(4)2 Si3N4+2(2-x)MCO3+x/2 Eu2O3 → M2-xEuxSi5N8+M2SiO4+CO2
(Xie等人，Chemistry of Materials,2006,18,5578)
(5)(2-x)M+x Eu+5 SiCl4+28 NH3 → M2-xEuxSi5N8+20 NH4Cl+2 H2
(Jansen等人，WO 2010/029184 A1)。
矽氧氮化物可藉由(例如)混合化學計量之SiO2、M3N2、Si3N4及EuN且隨後在約1600℃之溫度下煅燒(例如按照WO 2011/091839)來獲得。
在以上用於製備矽氮化物之方法中，方法(2)係尤其適宜，因為相應起始材料係可購得，在合成中不形成二次相，且所獲得材料之效率係最高。在該方法之後經常進行第二煅燒步驟，該步驟進一步稍微提升該材料之效率。
在改進上述方法(2)時，可以相對於方程式(2)中所指示之化學計量為至多30莫耳%之超量使用鹼性鹼土金屬氮化物。使用超化學計量之該鹼土金屬氮化物導致所獲得的轉換型磷光體之輻射誘導型發射效率提高。
此外，亦已發現，可選擇使所使用的鹼土金屬氮化物之超量足夠高，以便在理論上形成另一氮化物相。若按照以下反應方程式(ii)使用各起始材料，則所形成的材料並非係同樣已知的SrSiN2，而是Sr2Si5N8，該材料係按照反應方程式(i)所形成之標準物(為簡便起見， 已忽略摻雜銪所必需之銪化合物)：2/3 Sr3N2+5/3 Si3N4 → Sr2Si5N8 (i)
1/3 Sr3N2+1/3 Si3N4 ≠> SrSiN2→ 0.2 Sr2Si5N8+0.2 Sr3N2 (ii)
然而，根據方程式(ii)，僅可製得鍶化合物。然而，相應Ba2Si5N8無法與反應方程式(ii)類似地以純相形式製得，而僅可按照反應方程式(i)製得。
此外，已發現在於改良自方法(2)之反應中使用超化學計量之鹼土金屬氮化物之情況下，即使存在第二煅燒步驟亦無法影響以此方式製備之材料之效率。
由於鹼土金屬氮化物極為昂貴，因此以超化學計量使用其等之方法之弊端係顯而易見。為節約資源，因而希望可獲得需要較少量鹼土金屬氮化物之方法。然而，如上所述，使用化學計量或僅稍微過量之鹼土金屬氮化物之方法之弊端在於所獲得的材料之輻射誘導型發射效率較低。
因此，本發明之目標係提供一種可用於提升經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之輻射誘導型發射效率且不必使用極端過量之鹼土金屬氮化物進行合成之方法。除此以外，本發明之另一目標係提供一種用於製備具有增加輻射誘導型發射效率之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之方法，藉助該方法不僅可獲得鍶化合物，且亦可獲得鋇化合物。本發明之另一目標係提供一種可用於使經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之發射波長偏移至更大或更小波長之方法。
在本發明之第一實施例中，提供一種用於提升經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物之輻射誘導型發射效率及/或用於使其發射波長發生偏移之方法，其包括以下步驟： (a)製備經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物及鹼土金屬氮化物之混合物，其中該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物與該鹼土金屬氮化物之鹼土金屬可為相同或不同；及(b)在非氧化條件下煅燒該混合物。
熟習此項技術者已知經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物係轉換型磷光體，且熟習此項技術者已知何種化合物屬於此等類別之材料。特定言之，此等物質係除摻雜劑以外基本上由鹼土金屬元素(特定言之Ca、Sr及/或Ba)、矽、氮及氧(就氧氮化物而言)組成之化合物。其等亦可包含SiO2及/或Si3N4，其等各可呈非晶及/或結晶形式。應指出的是，就本申請案而言，不應將此外還含有鋁之鋁矽氮化物(alumosiliconitride)視為矽氮化物或矽氧氮化物。術語「轉換型磷光體」在本申請案中意指吸收電磁光譜中某一波長區內(較佳藍色或UV光譜區內)之輻射，並發射電磁光譜之另一波長區內(較佳在紅色、橙色、黃色或綠色光譜區內，尤其在紅色光譜區內)之可見光之材料。
術語「輻射誘導型發射效率」亦應以此方式理解，亦即：轉換型磷光體吸收某一波長區內之輻射，並以某一效率發射另一波長區內之輻射。發射效率之提升係由發射光強度之提升衡量。術語「發射波長偏移」意指與另一或類似轉換型磷光體相比，某一轉換型磷光體發射不同波長的光，亦即偏移至更小或更大波長。發射最大值因此發生偏移。
用於上述方法之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物較佳為具有以下通式(I)之化合物：EAdEucEeNfOx‧m SiO2‧n Si3N4 式(I)
其中以下定義適用於所用符號及指數： EA為至少一種鹼土金屬，尤其選自由Ca、Sr及Ba組成之群；E為至少一種選自第四主族之元素，尤其係Si；0.80d1.995；0.005c0.2；4.0e6.00；5.00f8.70；0x3.00；0m2.50；0n0.50；其中，以下關係另外適用於該等指數：2d+2c+4e=3f+2x。
在式(I)化合物中，較佳地，m=0且n=0。
此外，較佳之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物為具有下式(Ia)及(Ib)之化合物：Ba2-a-b-c+1.5zSraCabEucSi5N8-2/3x+zOx‧m SiO2‧n Si3N4 式(Ia)
其中，所用指數具有以下定義：0a2；0b2；0.01c0.2，較佳0.02c0.1；0x1，較佳0x0.6；0z3.0，較佳0z1.0，尤佳z=0；且a+b+c2+1.5z；0m2.50，較佳0m1.00，尤佳m=0；0n0.50，較佳n=0；Ba2-a-b-c-0.5x+1.5zSraCabEucSi5N8-x+zOx‧m SiO2‧n Si3N4 式(Ib)
其中，所用指數具有以下含義： 0a2；0b2；0.01c0.2，較佳0.02c0.1；0x1，較佳0x0.6；0z3.0，較佳0z1.0，尤佳z=0；0m2.50，較佳0m1.00，尤佳m=0；0n0.50，較佳n=0。
可用於上述方法中之另一適宜鹼土金屬矽氮化物為具有以下通式(II)之化合物：Ba1-a-b-cSraCabEucSi7N10‧m SiO2‧n Si3N4 式(II)
其中，所用指數具有以下含義：0a1；0b1；0.01c0.2，較佳0.02c0.1；及a+b+c1；0m2.50，較佳0m1.00，尤佳m=0；0n0.50，較佳n=0。
在式(I)、(Ia)、(Ib)及(II)化合物中，較佳地，m=0或n=0，尤佳地，m=0且n=0。
在式(Ia)、(Ib)及(II)化合物中，上述較佳項尤佳係同時出現。
可藉由先前技術中已知之任何方法(如(例如)上文之方法(1)至(5)或WO 2011/091839中所述)製備用於步驟(a)中之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物。然而，尤佳係藉由包括在非氧化條件下煅燒包含銪源、矽源及鹼土金屬氮化物之混合物之步驟(a')來製備經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物。該步驟(a')係在上述方法之步驟(a)之前進行。
用於步驟(a')中之銪源可為可用於製備經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之任何可預期的銪化合物。用於本發明方法中之銪源較佳為氧化銪(尤其Eu2O3)及/或氮化銪(EuN)，尤其為Eu2O3。
用於步驟(a')中之矽源可為可用於製備經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之任何可預期的矽化合物。用於本發明方法中之矽源較佳為氮化矽且視情況為氧化矽。若欲製備純氮化物，則該矽源較佳為氮化矽。若需製備氧氮化物，則所用矽源除氮化矽以外還有二氧化矽。
鹼土金屬氮化物意指式M3N2化合物，其中M在每次出現時彼此獨立地為鹼土金屬離子，其尤其係選自由鈣、鍶及鋇組成之群。換言之，該鹼土金屬氮化物較佳係選自由氮化鈣(Ca3N2)、氮化鍶(Sr3N2)、氮化鋇(Ba3N2)及其混合物組成之群。
在用於製備經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之步驟(a')中所用之化合物較佳係相互成比例地使用，以使得鹼土金屬、矽、銪、氮及氧(若使用)之原子數對應於上述式(I)、(Ia)、(Ib)或(II)之鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物中之所需比例。特定言之，使用化學計量比，但亦可使用稍微過量之鹼土金屬氮化物。
在本發明方法之步驟(a)中，經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物對鹼土金屬氮化物之重量比較佳係在2：1至20：1之範圍內，且更佳在4：1至9：1之範圍內。
此處，該方法係在非氧化條件下進行，亦即在實質上或完全無氧條件下(特定言之在還原條件)下進行。
若根據本發明之方法欲用於使經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之發射波長發生偏移，則步驟(a)之鹼土金屬氮化物中之鹼土金屬較佳係不同於該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物中之鹼土金屬。
例如，若步驟(a)中之鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物使用鋇作為鹼土金屬，則鹼土金屬氮化物中較佳使用鍶作為鹼土金屬。以此方式，根據本發明之方法獲得與用作起始材料之經銪摻雜之鋇矽氮化物或矽氧氮化物相比呈現紅移發射之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物。反之，若在步驟(a)之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物中使用鍶作為鹼土金屬且在鹼土金屬氮化物中使用鋇作為鹼土金屬，則此獲得與用作起始材料之鍶矽氮化物或矽氧氮化物相比呈現藍移發射之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物。
本發明之另一實施例係關於一種用於製備經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物之方法，該方法包括以下步驟：(i)合成經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物；及(ii)在非氧化條件下煅燒包含步驟(i)中所獲得之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物及鹼土金屬氮化物之混合物。
製程步驟(i)中之合成較佳係藉由在非氧化條件下煅燒包含至少一種銪源、至少一種矽源及至少一種鹼土金屬氮化物之混合物來進行。在步驟(ii)中煅燒該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物及鹼土金屬氮化物之混合物形成經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物。因此，就本發明而言，術語「後處理」係關於已在非氧化條件下連同鹼土金屬氮化物一起煅燒之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物。
在根據本發明之此實施例之方法中製得之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物同樣係如上所定義。按照本發明，上文所指示之所有較佳變型在此處亦係較佳。
步驟(i)較佳係以與上述步驟(a')相同之方式進行。按照本發明，所有上述針對步驟(a')之定義及較佳變型亦適用於步驟(i)。
步驟(i)中所得到之產物較佳為如上所定義之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物。因此，以式(I)、(Ia)、(Ib)及(II)化合物較佳。若經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物與鹼土金屬氮化物之鹼土金屬係相同，則無法參照實驗式觀察到步驟(i)中所得到之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物與根據本發明之第二實施例之方法中所製得之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之差異，因此兩種化合物較佳均為具有通式(I)、(Ia)、(Ib)或(II)之化合物。若經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之鹼土金屬不同於鹼土金屬氮化物之鹼土金屬，則經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之鹼土金屬含量亦不同於經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之鹼土金屬含量。因此，例如，若鋇矽氮化物或矽氧氮化物係經氮化鍶後處理，則在後處理後得到鋇鍶矽氮化物或矽氧氮化物。然而，可觀察到之實質差異並不在於所示的結構式(I)或(II)，而尤其在於所觀察到之輻射誘導型發射效率。若用於步驟(i)之鹼土金屬氮化物係不同於步驟(ii)中之鹼土金屬氮化物，則步驟(i)之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物與藉由步驟(ii)獲得之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物之差異在於輻射誘導型發射之發射最大值發生偏移。
步驟(i)之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物對步驟(ii)中之鹼土金屬氮化物之重量比較佳係在2：1至20：1之範圍內，且更佳在4：1至9：1之範圍內。
所有在根據本發明之方法中製備之混合物較佳係藉由將起始化合物轉化為均勻混合物而製得。換言之，該等起始化合物係以粉末形式使用並藉由(例如)研缽彼此轉化為均勻混合物。
所有煅燒步驟(諸如步驟(a')、(b)、(i)及(ii))較佳係在非氧化條件下進行。非氧化條件意指任何可預期之非氧化氣氛，特定言之係實質 上無氧氣氛，亦即最大氧氣含量<100ppm(特定言之<10ppm)之氣氛，其中在本發明情形中，真空係不適宜作為非氧化氣氛。可藉由(例如)使用保護氣體(尤其係氮氣或氬氣)產生非氧化氣氛。較佳非氧化氣氛為還原氣氛。該還原氣氛係被定義為包含至少一種具有還原作用之氣體。熟習此項技術者已知何種氣體具有還原作用。適宜還原氣體之實例為氫氣、一氧化碳、氨或乙烯，更佳為氫氣，其中此等氣體亦可與其他非氧化氣體混合。該還原氣氛尤佳係由氮氣及氫氣之混合物(較佳以10：50至33：30之H2：N2比，在各情況下均為體積比)產生。
煅燒步驟(a')、(b)、(i)及(ii)較佳係各彼此獨立地在1200℃至2000℃，更佳1400℃至1800℃及最佳1500℃至1700℃之溫度下進行。在各情況下，此處的煅燒持續時間較佳係彼此獨立地為2至14小時，更佳4至12小時及最佳6至10小時。
在各情況下，該煅燒較佳係藉由將所得混合物引入高溫烘箱(例如氮化硼容器)中進行。該高溫烘箱較佳為含有由鉬箔製成之盤之管狀爐。
在步驟(b)或步驟(ii)中之煅燒後，較佳以酸處理所得化合物，以洗出未反應的鹼土金屬氮化物。所用酸較佳為鹽酸。較佳地，將此處所得之粉末懸浮於0.5莫耳濃度至2莫耳濃度鹽酸(更佳約1莫耳濃度鹽酸)中，歷時0.5至3小時(更佳0.5至1.5小時)，隨後濾出，並在80至150℃之溫度下乾燥。
在本發明之另一實施例中，在該煅燒及處理(其可如上所述藉由酸處理進行)後又進行另一煅燒步驟。此步驟較佳係在200至400℃(尤佳250至350℃)之溫度下進行。該另一煅燒步驟較佳係在還原氣氛下進行。該煅燒步驟之持續時間通常係介於15分鐘與10小時之間，較佳介於30分鐘與2小時之間。
在又一實施例中，藉由上述根據本發明之方法中之一者獲得之化合物可經塗覆。熟習此項技術者自先前技術知曉的用於磷光體之所有塗覆方法係適於此目的。特定言之，適於該塗覆之材料為金屬氧化物及氮化物，特定言之係鹼土金屬氧化物(諸如Al2O3)及鹼土金屬氮化物(諸如AlN)及SiO2。此處可藉由(例如)流化床法進行該塗覆。其他適宜塗覆方法係自JP 04-304290、WO 91/10715、WO 99/27033、US 2007/0298250、WO 2009/065480及WO 2010/075908知曉。
此外，本發明係關於一種可藉由根據本發明之方法之一者得到之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物。藉由本發明方法製得之化合物係不同於根據先前技術製得之相同或類似組合物，事實上，其具有更高發射效率。由於本發明化合物具有複雜結構，故無法藉由結構特徵明確地分析本發明化合物之特性。然而，可透過以下事實明確地區分本發明化合物與自先前技術得知之化合物：與其中尚未連同鹼土金屬氮化物另外進行煅燒步驟之對應材料相比，本發明化合物具有更高輻射誘導型發射效率或強度且其發射最大值可發生色彩偏移。
上述式(Ia)鹼土金屬矽氧氮化物係新穎，且因此係本發明之另一標的物。該化合物係根據本發明之第一實施例之方法中之基本起始材料。此外，取決於進行該方法之確切方式及取決於所使用的起始材料，該化合物對應於後處理步驟後之反應產物。
因此，本發明另外係關於式(Ia)化合物：Ba2-a-b-c+1.5zSraCabEucSi5N8-2/3x+zOx‧m SiO2‧n Si3N4 式(Ia)
其中，所用指數具有以下含義：0a2；0b2；0.01c0.2，較佳0.02c0.1； 0<x1，較佳0.03x0.8，尤佳0.1x0.6；0z3.0，較佳0z1.0，尤佳z=0；0m2.50，較佳0m1.00，尤佳m=0；0n0.50，較佳n=0；且a+b+c2+1.5z。
在式(Ia)化合物中，較佳地，m=0或n=0，尤佳地，m=0且n=0。
尤佳地，上述較佳項係同時出現在式(Ia)化合物中，亦即此等化合物較佳係符合以下情況之化合物：0a2；0b2；0.02c0.1；0.03x0.8；0z1.0；0m1.00；n=0；且a+b+c2+1.5z。
此等化合物尤佳係符合以下情況之化合物：0a2；0b2；0.02c0.1；0.1x0.6；z=0；m=0；n=0；且a+b+c2+1.5z。
此外，本發明係關於一種本發明之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物或具有上述式(Ia)化合物作為磷光體(尤其作為轉換型磷光體)之用途。
此外，本發明係關於一種包含本發明之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物或式(Ia)化合物之發射轉換材料。該發射轉換材料可由本發明之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物或式(Ia)化合物組成，且在此情況下將等同於上文所定義之術語「轉換型磷光體」。
根據本發明之發射轉換材料亦可包含本發明化合物以外之其他轉換型磷光體。在此情況中，根據本發明之發射轉換材料包含至少兩種轉換型磷光體之混合物，其中之一為根據本發明之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物或式(Ia)化合物。該至少兩種轉換型磷光體尤佳係發射彼此互補之不同波長的光之磷光體。若根據本發明之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物或式(Ia)化合物為發紅光磷光體，則其較佳與發綠光或黃光磷光體或亦與發青光或藍光磷光體組合使用。或者，根據本發明之發紅光轉換型磷光體亦可與發藍光及綠光轉換型磷光體組合使用。或者，根據本發明之發紅光轉換型磷光體亦可與發綠光轉換型磷光體組合使用。因此，根據本發明之轉換型磷光體較佳可與根據本發明之發射轉換材料中的一或多種其他轉換型磷光體組合使用，其等隨後一起較佳發射白光。
在本申請案之文中，藍光意指發射最大值介於400與459nm之間之光，青光意指發射最大值介於460與505nm之間之光，綠光意指發射最大值介於506與545nm之間之光，黃光意指發射最大值介於546與565nm之間之光，橙光意指發射最大值介於566與600nm之間之光，及紅光意指發射最大值介於601與670nm之間之光。根據本發明之經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物或式(Ia)化合物較 佳為發紅光轉換型磷光體。
可與本發明化合物一起使用之其他轉換型磷光體通常可為任何可能的轉換型磷光體。例如，以下化合物便適用於此處：Ba2SiO4：Eu2+、BaSi2O5：Pb2+、BaxSr1-xF2：Eu2+、BaSrMgSi2O7：Eu2+、BaTiP2O7、(Ba,Ti)2P2O7：Ti、Ba3WO6：U、BaY2F8：Er3+,Yb+、Be2SiO4：Mn2+、Bi4Ge3O12、CaAl2O4：Ce3+、CaLa4O7：Ce3+、CaAl2O4：Eu2+、CaAl2O4：Mn2+、CaAl4O7：Pb2+、Mn2+、CaAl2O4：Tb3+、Ca3Al2Si3O12：Ce3+、Ca3Al2Si3Oi2：Ce3+、Ca3Al2Si3O2：Eu2+、Ca2B5O9Br：Eu2+、Ca2B5O9Cl：Eu2+、Ca2B5O9Cl：Pb2+、CaB2O4：Mn2+、Ca2B2O5：Mn2+、CaB2O4：Pb2+、CaB2P2O9：Eu2+、Ca5B2SiO10：Eu3+、CaO.5Ba0.5Al12O19：Ce3+,Mn2+、Ca2Ba3(PO4)3Cl：Eu2+、含於SiO2中之CaBr2：Eu2+、含於SiO2中之CaCl2：Eu2+、含於SiO2中之CaCl2：Eu2+,Mn2+、CaF2：Ce3+、CaF2：Ce3+,Mn2+、CaF2：Ce3+,Tb3+、CaF2：Eu2+、CaF2：Mn2+、CaF2：U、CaGa2O4：Mn2+、CaGa4O7：Mn2+、CaGa2S4：Ce3+、CaGa2S4：Eu2+、CaGa2S4：Mn2+、CaGa2S4：Pb2+、CaGeO3：Mn2+、含於SiO2中之CaI2：Eu2+、含於SiO2中之CaI2：Eu2+,Mn2+、CaLaBO4：Eu3+、CaLaB3O7：Ce3+,Mn2+、Ca2La2BO6.5：Pb2+、Ca2MgSi2O7、Ca2MgSi2O7：Ce3+、CaMgSi2O6：Eu2+、Ca3MgSi2O8：Eu2+、Ca2MgSi2O7：Eu2+、CaMgSi2O6：Eu2+,Mn2+、Ca2MgSi2O7：Eu2+,Mn2+、CaMoO4、CaMoO4：Eu3+、CaO：Bi3+、CaO：Cd2+、CaO：Cu+、CaO：Eu3+、CaO：Eu3+,Na+、CaO：Mn2+、CaO：Pb2+、CaO：Sb3+、CaO：Sm3+、CaO：Tb3+、CaO：Tl、CaO：Zn2+、Ca2P2O7：Ce3+、α-Ca3(PO4)2：Ce3+、β-Ca3(PO4)2：Ce3+、Ca5(PO4)3Cl：Eu2+、Ca5(PO4)3Cl：Mn2+、Ca5(PO4)3Cl：Sb3+、Ca5(PO4)3Cl：Sn2+、β-Ca3(PO4)2：Eu2+,Mn2+、Ca5(PO4)3F：Mn2+、Cas(PO4)3F：Sb3+、Cas(PO4)3F：Sn2+、 α-Ca3(PO4)2：Eu2+、β-Ca3(PO4)2：Eu2+、Ca2P2O7：Eu2+、Ca2P2O7：Eu2+,Mn2+、CaP2O6：Mn2+、α-Ca3(PO4)2：Pb2+、α-Ca3(PO4)2：Sn2+、β-Ca3(PO4)2：Sn2+、β-Ca2P2O7：Sn,Mn、α-Ca3(PO4)2：Tr、CaS：Bi3+、CaS：Bi3+,Na、CaS：Ce3+、CaS：Eu2+、CaS：Cu+,Na+、CaS：La3+、CaS：Mn2+、CaSO4：Bi、CaSO4：Ce3+、CaSO4：Ce3+,Mn2+、CaSO4：Eu2+、CaSO4：Eu2+,Mn2+、CaSO4：Pb2+、CaS：Pb2+、CaS：Pb2+,Cl、CaS：Pb2+,Mn2+、CaS：Pr3+,Pb2+,Cl、CaS：Sb3+、CaS：Sb3+,Na、CaS：Sm3+、CaS：Sn2+、CaS：Sn2+,F、Cas：Tb3+、CaS：Tb3+,Cl、CaS：Y3+、CaS：Yb2+、CaS：Yb2+,Cl、CaSiO3：Ce3+、Ca3SiO4Cl2：Eu2+、Ca3SiO4Cl2：Pb2+、CaSiO3：Eu2+、CaSiO3：Mn2+,Pb、CaSiO3：Pb2+、CaSiO3：Pb2+,Mn2+、CaSiO3：Ti4+、CaSr2(PO4)2：Bi3+、β-(Ca,Sr)3(PO4)2：Sn2+Mn2+、CaTi0.9Al0.1O3：Bi3+、CaTiO3：Eu3+、CaTiO3：Pr3+、Ca5(VO4)3Cl、CaWO4、CaWO4：Pb2+、CaWO4：W、Ca3WO6：U、CaYAlO4：Eu3+、CaYBO4：Bi3+、CaYBO4：Eu3+、CaYB0.8O3.7：Eu3+、CaY2ZrO6：Eu3+、(Ca,Zn,Mg)3(PO4)2：Sn、CeF3、(Ce,Mg)BaAl11O18：Ce、(Ce,Mg)SrAl11O18：Ce、CeMgAl11O19：Ce：Tb、Cd2B6O11：Mn2+、CdS：Ag+,Cr、CdS：In、CdS：In、CdS：In,Te、CdS：Te、CdWO4、CsF、Csl、CsI：Na+、CsI：Tl、(ErCl3)0.25(BaCl2)0.75、GaN：Zn、Gd3Ga5O12：Cr3+、Gd3Ga5O12：Cr,Ce、GdNbO4：Bi3+、Gd2O2S：Eu3+、Gd2O2Pr3+、Gd2O2S：Pr,Ce,F、Gd2O2S：Tb3+、Gd2SiO5：Ce3+、KAI11O17：Tl+、KGa11O17：Mn2+、K2La2Ti3O10：Eu、KMgF3：Eu2+、KMgF3：Mn2+、K2SiF6：Mn4+、LaAl3B4O12：Eu3+、LaAlB2O6：Eu3+、LaAlO3：Eu3+、LaAlO3：Sm3+、LaAsO4：Eu3+、LaBr3：Ce3+、LaBO3：Eu3+、(La,Ce,Tb)PO4：Ce：Tb、LaCl3：Ce3+、La2O3：Bi3+、LaOBr：Tb3+、LaOBr：Tm3+、LaOCl：Bi3+、LaOCl：Eu3+、LaOF：Eu3+、 La2O3：Eu3+、La2O3：Pr3+、La2O2S：Tb3+、LaPO4：Ce3+、LaPO4：Eu3+、LaSiO3Cl：Ce3+、LaSiO3Cl：Ce3+,Tb3+、LaVO4：Eu3+、La2W3O12：Eu3+、LiAlF4：Mn2+、LiAl5O8：Fe3+、LiAlO2：Fe3+、LiAlO2：Mn2+、LiAl5O8：Mn2+、Li2CaP2O7：Ce3+,Mn2+、LiCeBa4Si4O14：Mn2+、LiCeSrBa3Si4O14：Mn2+、LiInO2：Eu3+、LiInO2：Sm3+、LiLaO2：Eu3+、LuAlO3：Ce3+、(Lu,Gd)2Si05：Ce3+、Lu2SiO5：Ce3+、Lu2Si2O7：Ce3+、LuTaO4：Nb5+、Lu1-xYxAlO3：Ce3+、MgAl2O4：Mn2+、MgSrAl10O17：Ce、MgB2O4：Mn2+、MgBa2(PO4)2：Sn2+、MgBa2(PO4)2：U、MgBaP2O7：Eu2+、MgBaP2O7：Eu2+,Mn2+、MgBa3Si2O8：Eu2+、MgBa(SO4)2：Eu2+、Mg3Ca3(PO4)4：Eu2+、MgCaP2O7：Mn2+、Mg2Ca(SO4)3：Eu2+、Mg2Ca(SO4)3：Eu2+,Mn2、MgCeAlnO19：Tb3+、Mg4(F)GeO6：Mn2+、Mg4(F)(Ge,Sn)O6：Mn2+、MgF2：Mn2+、MgGa2O4：Mn2+、Mg8Ge2O11F2：Mn4+、MgS：Eu2+、MgSiO3：Mn2+、Mg2SiO4：Mn2+、Mg3SiO3F4：Ti4+、MgSO4：Eu2+、MgSO4：Pb2+、MgSrBa2Si2O7：Eu2+、MgSrP2O7：Eu2+、MgSr5(PO4)4：Sn2+、MgSr3Si2O8：Eu2+,Mn2+、Mg2Sr(SO4)3：Eu2+、Mg2TiO4：Mn4+、MgWO4、MgYBO4：Eu3+、Na3Ce(PO4)2：Tb3+、NaI：Tl、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi4O11：Eu3+、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi5O13．xH2O：Eu3+、Na1.29K0.46Er0.08TiSi4O11：Eu3+、Na2Mg3Al2Si2O10：Tb、Na(Mg2-xMnx)LiSi4O10F2：Mn、NaYF4：Er3+、Yb3+、NaYO2：Eu3+、P46(70%)+P47(30%)、SrAl12O19：Ce3+、Mn2+、SrAl2O4：Eu2+、SrAl4O7：Eu3+、SrAl12O19：Eu2+、SrAl2S4：Eu2+、Sr2B5O9Cl：Eu2+、SrB4O7：Eu2+(F,Cl,Br)、SrB4O7：Pb2+、SrB4O7：Pb2+、Mn2+、SrB8O13：Sm2+、SrxBayClzAl2O4-z/2：Mn2+、Ce3+、SrBaSiO4：Eu2+、含於SiO2中之Sr(Cl,Br,I)2：Eu2+、含於SiO2中之SrCl2：Eu2+、Sr5Cl(PO4)3：Eu、SrwFxB4O6.5：Eu2+、SrwFxByOz：Eu2+,Sm2+、SrF2：Eu2+、 SrGa12O19：Mn2+、SrGa2S4：Ce3+、SrGa2S4：Eu2+、SrGa2S4：Pb2+、SrIn2O4：Pr3+、Al3+、(Sr,Mg)3(PO4)2：Sn、SrMgSi2O6：Eu2+、Sr2MgSi2O7：Eu2+、Sr3MgSi2O8：Eu2+、SrMoO4：U、SrO．3B2O3：Eu2+,Cl、β-SrO．3B2O3：Pb2+、β-SrO．3B2O3：Pb2+,Mn2+、α-SrO．3B2O3：Sm2+、Sr6P5BO20：Eu、Sr5(PO4)3Cl：Eu2+、Sr5(PO4)3Cl：Eu2+,Pr3+、Sr5(PO4)3Cl：Mn2+、Sr5(PO4)3Cl：Sb3+、Sr2P2O7：Eu2+、β-Sr3(PO4)2：Eu2+、Sr5(PO4)3F：Mn2+、Sr5(PO4)3F：Sb3+、Sr5(PO4)3F：Sb3+,Mn2+、Sr5(PO4)3F：Sn2+、Sr2P2O7：Sn2+、β-Sr3(PO4)2：Sn2+、β-Sr3(PO4)2：Sn2+,Mn2+(Al)、SrS：Ce3+、SrS：Eu2+、SrS：Mn2+、SrS：Cu+,Na、SrSO4：Bi、SrSO4：Ce3+、SrSO4：Eu2+、SrSO4：Eu2+,Mn2+、Sr5Si4O10Cl6：Eu2+、Sr2SiO4：Eu2+、SrTiO3：Pr3+、SrTiO3：Pr3+,Al3+、Sr3WO6：U、SrY2O3：Eu3+、ThO2：Eu3+、ThO2：Pr3+、ThO2：Tb3+、YAl3B4O12：Bi3+、YAl3B4O12：Ce3+、YAl3B4O12：Ce3+,Mn、YAl3B4O12：Ce3+,Tb3+、YAl3B4O12：Eu3+、YAl3B4O12：Eu3+,Cr3+、YAl3B4O12：Th4+,Ce3+,Mn2+、YAlO3：Ce3+、Y3Al5O12：Ce3+、Y3Al5O12：Cr3+、YAlO3：Eu3+、Y3Al5O12：Eu3r、Y4Al2O9：Eu3+、Y3Al5O12：Mn4+、YAlO3：Sm3+、YAlO3：Tb3+、Y3Al5O12：Tb3+、YAsO4：Eu3+、YBO3：Ce3+、YBO3：Eu3+、YF3：Er3+,Yb3+、YF3：Mn2+、YF3：Mn2+,Th4+、YF3：Tm3+,Yb3+、(Y,Gd)BO3：Eu、(Y,Gd)BO3：Tb、(Y,Gd)2O3：Eu3+、Y1.34Gd0.60O3(Eu,Pr)、Y2O3：Bi3+、YOBr：Eu3+、Y2O3：Ce、Y2O3：Er3+、Y2O3：Eu3+(YOE)、Y2O3：Ce3+,Tb3+、YOCl：Ce3+、YOCl：Eu3+、YOF：Eu3+、YOF：Tb3+、Y2O3：Ho3+、Y2O2S：Eu3+、Y2O2S：Pr3+、Y2O2S：Tb3+、Y2O3：Tb3+、YPO4：Ce3+、YPO4：Ce3+,Tb3+、YPO4：Eu3+、YPO4：Mn2+,Th4+、YPO4：V5+、Y(P,V)O4：Eu、Y2SiO5：Ce3+、YTaO4、YTaO4：Nb5+、YVO4：Dy3+、YVO4：Eu3+、ZnAl2O4：Mn2+、ZnB2O4：Mn2+、ZnBa2S3：Mn2+、 (Zn,Be)2SiO4：Mn2+、Zn0.4Cd0.6S：Ag、Zn0.6Cd0.4S：Ag、(Zn,Cd)S：Ag,Cl、(Zn,Cd)S：Cu、ZnF2：Mn2+、ZnGa2O4、ZnGa2O4：Mn2+、ZnGa2S4：Mn2+、Zn2GeO4：Mn2+、(Zn,Mg)F2：Mn2+、ZnMg2(PO4)2：Mn2+、(Zn,Mg)3(PO4)2：Mn2+、ZnO：Al3+,Ga3+、ZnO：Bi3+、ZnO：Ga3+、ZnO：Ga、ZnO-CdO：Ga、ZnO：S、ZnO：Se、ZnO：Zn、ZnS：Ag+,Cl-、ZnS：Ag,Cu,Cl、ZnS：Ag,Ni、ZnS：Au,In、ZnS-CdS(25-75)、ZnS-CdS(50-50)、ZnS-CdS(75-25)、ZnS-CdS：Ag,Br,Ni、ZnS-CdS：Ag+,Cl、ZnS-CdS：Cu,Br、ZnS-CdS：Cu,I、ZnS：Cl-、ZnS：Eu2+、ZnS：Cu、ZnS：Cu+,Al3+、ZnS：Cu+,Cl-、ZnS：Cu,Sn、ZnS：Eu2+、ZnS：Mn2+、ZnS：Mn,Cu、ZnS：Mn2+,Te2+、ZnS：P、ZnS：P3-,Cl-、ZnS：Pb2+、ZnS：Pb2+,Cl-、ZnS：Pb,Cu、Zn3(PO4)2：Mn2+、Zn2SiO4：Mn2+、Zn2SiO4：Mn2+,As5+、Zn2SiO4：Mn,Sb2O2、Zn2SiO4：Mn2+,P、Zn2SiO4：Ti4+、ZnS：Sn2+、ZnS：Sn,Ag、ZnS：Sn2+,Li+、ZnS：Te,Mn、ZnS-ZnTe：Mn2+、ZnSe：Cu+,Cl或ZnWO4。
此外，本發明係關於一種根據本發明之發射轉換材料於光源中之用途。該光源尤佳為LED，特定言之為磷光體轉換LED(簡寫為pc-LED)。此處，該發射轉換材料尤佳包含除本發明轉換型磷光體以外之至少一種其他轉換型磷光體，特定言之，以便該光源發射白光或具有特定色點之光(按需色彩原則)。「按需色彩原則」意指藉助使用一或多種轉換型磷光體之pc-LED得到具有特定色點之光。
因此，本發明此外係關於一種包括初始光源及該發射轉換材料之光源。
此處，該發射轉換材料尤佳亦包含除本發明轉換型磷光體以外之至少一種其他轉換型磷光體，以使該光源較佳發射白光或具有特定色點之光。
根據本發明之光源較佳為pc-LED。pc-LED通常包括初始光源及發射轉換材料。根據本發明之發射轉換材料可出於此目的分散於樹脂(例如環氧樹脂或聚矽氧樹脂)中，或若具有適宜尺寸比，則直接配置於該初始光源上或遠離該第一光源(端看應用而定(後一配置亦包括「遠程磷光體技術」))。
該初始光源可係半導體晶片、發光光源(諸如ZnO(所謂的TCO(透明導電氧化物))、以ZnSe-或SiC為主之配置)、以有機發光層(OLED)或電漿放電源為主之配置，最佳為半導體晶片。此類初始光源之可能形式係熟習此項技術者所知。
若該初始光源為半導體晶片，則其較佳為如先前技術中已知之發光氮化鋁銦鎵(InAlGaN)。
此外，雷射亦適宜作為光源。
為用於光源(尤其pc-LED)，亦可將根據本發明之發射轉換材料轉化為任何所需外形，諸如球形顆粒、薄片及結構材料及陶瓷。此等形狀係概述為術語「成形主體」。該等成形主體因而係發射轉換成形主體。
此外，本發明係關於一種包含至少一種本發明光源之照明單元。此種照明單元係主要用於具有背光之顯示器裝置，尤其液晶顯示器裝置(LC顯示器)。因此，本發明亦係關於此種顯示器裝置。
在根據本發明之照明單元中，該發射轉換材料與初始光源(尤其半導體晶片)間之光耦合較佳係由導光配置實現。此可使初始光源得以安裝在中央位置並藉由導光裝置(諸如(例如)光纖)光耦合至發射轉換材料。以此方式，可獲得適合照明願望之燈，其係由可經配置以形成光屏之一或多種不同轉換型磷光體及與初始光源耦合之光波導組成。因此，可將強初始光源置於有利於電氣裝置之位置，並僅藉由佈置光波導將包含耦合至該等光波導之發射轉換材料之燈安裝在任何所 需位置，而無需另外進行電氣佈線。
以下實例及圖式意欲說明本發明。然而，決不應將其等視作限制。
圖1係以不同方式製備之氮化物磷光體之發射光譜。以1表示之曲線顯示按照比較實例1A)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係藉由反應混合物之化學計量組成製得。以2表示之曲線顯示按照比較實例1B)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係以過量氮化鍶於單一煅燒步驟中製得。
圖2係以不同方式製備之氮化物磷光體之發射光譜。以2表示之曲線顯示按照比較實例1B)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係以過量氮化鍶於單一煅燒步驟中製得。以3表示之曲線顯示按照實例1C)所製備之本發明磷光體之發射光譜，該磷光體係藉由在第一煅燒步驟中化學計量地製備磷光體及隨後伴隨添加20重量%之氮化鍶對該磷光體進行後煅燒製得。
圖3係以不同方式製備之氮化物磷光體之發射光譜。以4表示之曲線顯示按照比較實例2A)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係藉由以單一煅燒步驟進行化學計量製備製得。以5表示之曲線顯示按照比較實例2B)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係以過量氮化鋇於一個煅燒步驟中製得。
圖4係以不同方式製備之氮化物磷光體之發射光譜。以4表示之曲線顯示按照比較實例2A)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係使用化學計量混合物於單一煅燒步驟中製得。以6表示之曲線顯示按照實例2C)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係藉由在第一煅燒步驟中進行化學計量混合及隨後伴隨添加20重量%之氮化鋇對該磷光體進行後煅燒製得。
圖5係以不同方式製備之氮化物磷光體之發射光譜。以6表示之曲線顯示按照實例2C)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係藉由在第一煅燒步驟中進行化學計量混合及隨後伴隨添加20重量%之氮化鋇對該磷光體進行後煅燒製得。以7表示之曲線顯示按照實例2D)所製備之磷光體之發射光譜，該磷光體係藉由在第一煅燒步驟中進行化學計量混合及隨後伴隨添加20重量%之氮化鍶對該磷光體進行後煅燒製得。
圖6至14係根據實例13至21之LED之發射光譜及結果，其中圖6係與實例13有關，圖7係與實例14有關，且以此類推。
圖15係按照實例22A)製備之包含根據先前技術之實例8A)磷光體之LED及按照實例22B)製備之包含根據本發明之實例8C)磷光體之LED之發射光譜及結果。
實例： 測量發射之一般步驟
藉由以下一般方法測量粉末發射光譜：在具有氙氣燈作為激發光源之Edinburgh Instruments FL 920螢光光譜儀之積分球中，以450nm之波長照射深度為5mm且表面已使用玻璃板變平滑之鬆散磷光體粉末床，並以1nm步長測量所發射之螢光輻射在465nm至800nm之範圍內之強度。
實例1： A)比較實例：製備Sr 2 Si 5 N 7.666 O 0.5 ：Eu(化學計量組成)
於手套箱中稱量3.625g(12.4mmol)氮化鍶、4.438g(31mmol)氮化矽、0.451g(7.5mmol)二氧化矽及0.498g(3.0mmol)氮化銪，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃ 下，於氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
B)比較實例：使用過量Sr 3 N 2 製備Sr 2 Si 5 N 7.666 O 0.5 ：Eu
於手套箱中稱量9.452g(32.333mmol)氮化鍶、4.438g(31mmol)氮化矽、0.451g(7.5mmol)二氧化矽及0.498g(3.0mmol)氮化銪，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，於氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
C)製備Sr 2 Si 5 N 7.666 O 0.5 ：Eu(化學計量組成)並添加Sr 3 N 2 進行後煅燒
於手套箱中稱量3.625g(12.4mmol)氮化鍶、4.438g(31mmol)氮化矽、0.451g(7.5mmol)二氧化矽及0.498g(3.0mmol)氮化銪，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，於氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鍶混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鍶，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例2 A)比較實例：製備Ba 2 Si 5 N 8 ：Eu(化學計量組成)
於手套箱中稱量7.223g(16.333mmol)氮化鋇、5.964g(41.666mmol)氮化矽及0.166g(1.0mmol)氮化銪，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤上中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
B)比較實例：使用過量Ba 3 N 2 製備Ba 2 Si 5 N 8 ：Eu
於手套箱中稱量14.269g(32.333mmol)氮化鋇、4.772g(33.333mmol)氮化矽及0.166g(1.0mmol)氮化銪，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
C)製備Ba 2 Si 5 N 8 ：Eu(化學計量組成)並添加Ba 3 N 2 進行後煅燒
於手套箱中稱量7.223g(16.333mmol)氮化鋇、5.964g(41.666mmol)氮化矽及0.166g(1.0mmol)氮化銪，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鋇混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鋇，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
D)製備Ba 2 Si 5 N 8 ：Eu(化學計量組成)並添加Sr 3 N 2 進行後煅燒
於手套箱中稱量7.223g(16.333mmol)氮化鋇，5.964g(41.666mmol)氮化矽及0.166g(1.0mmol)氮化銪，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，於氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鍶混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鋇，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例3 A)比較實例：合成(Sr,Ba) 1.90 Eu 0.10 Si 5 N 7.67 O 0.5 (化學計量)
於手套箱中稱量0.443g Eu2O3(1.26mmol)、3.500g Ba3N2(7.95mmol)、5.552g Si3N4(39.58mmol)、0.376g SiO2(6.25mmol)及2.313g Sr3N2(7.95mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，於氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
B)比較實例：合成(Sr,Ba) 1.90 Eu 0.10 Si 5 N 7.67 O 0.5 (過量)
於手套箱中稱量0.443g Eu2O3(1.26mmol)、4.900g Ba3N2(10.13mmol)、5.552g Si3N4(39.58mmol)、0.376g SiO2(6.25mmol)及3.233g Sr3N2(10.13mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。為移除過量氮化鋇及氮化鍶，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
C)合成(Sr,Ba) 1.90 Eu 0.10 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量1.761g Eu2O3(5mmol)、28.008g Ba3N2(63.336mmol)、22.660g Si3N4(158.300mmol)及1.502g SiO2(25.000mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃及氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鍶混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鋇，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
D)合成(Sr,Ba) 1.90 Eu 0.10 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量1.761g Eu2O3(5mmol)、18.421g Sr3N2(63.336mmol)、22.660g Si3N4(158.300mmol)及1.502g SiO2(25.000mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鋇混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鍶，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
E)合成(Sr,Ba) 1.90 Eu 0.10 Si 5 N 7.67 O 0.5 -化學計量組成及隨後進行後煅燒
於手套箱中稱量0.443g Eu2O3(1.26mmol)、3.500g Ba3N2(7.95mmol)、5.552g Si3N4(39.58mmol)、0.376g SiO2(6.25mmol)及2.313g Sr3N2(7.95mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鍶/氮化鋇之1：1混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鋇及氮化鍶，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
F)(Sr,Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中將50g實例3A)-3E)中所述之磷光體與20重量%之氮化鈣混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例4 A)比較實例：(Sr,Ca) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -化學計量組成
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、16.370g(56.00mmol)Sr3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、5.930g Ca3N2(40.00mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃及氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
B)比較實例：(Sr,Ca) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -過量
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、23.560g(81.00mmol)Sr3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、10.674g Ca3N2(72.00mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
C)(Sr,Ca) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -化學計量組成及隨後進行後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、16.370g(56.00mmol)Sr3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、5.930g Ca3N2(40.00mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將60g以此方式得到之磷光體與20重量%之8.810g氮化鍶及3.190g氮化鈣之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鈣及氮化鍶，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽 酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
D)(Sr,Ca) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、27.924g(96.00mmol)Sr3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃及氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將60g以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鈣混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鍶，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
E)(Sr,Ca) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、14.232g(96.00mmol)Ca3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將50g以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鍶混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鍶，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
F)(Sr,Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中將50g實例4A)-4E)中所述之磷光體與20重量%之氮化鋇混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式 得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例5 A)比較實例：(Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -化學計量組成
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、17.600g(40.00mmol)Ba3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、8.302g Ca3N2(56.00mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
B)比較實例：(Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -過量
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、27.940g(63.50mmol)Ba3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、10.791g Ca3N2(72.79mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
C)(Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -化學計量組成及隨後進行後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、17.600g(40.00mmol)Ba3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、8.302g Ca3N2(56.00mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將60g以此方式得到之磷光體與20重量%之9.680g氮化鋇及2.320g氮化鈣之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除 過量氮化鈣及氮化鍶，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
D)(Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、42.240g(96.00mmol)Ba3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將80g以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鈣混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鋇，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
E)(Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、14.232g(96.00mmol)Ca3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將50g以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鋇混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化鈣，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
F)(Sr,Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中將50g實例5A)-5E)中所述之磷光體與20重量%之氮 化鍶混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例6 A)比較實例：(Sr,Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -化學計量組成
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、8.144g(28.00mmol)Sr3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、5.930g Ca3N2(40.00mmol)、12.320g(28.00mmol)Ba3N2及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
B)比較實例：(Sr,Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -過量
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、12.217g(42.00mmol)Sr3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、8.895g Ca3N2(60.00mmol)、18.480g(42.00mmol)Ba3N2及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
C)(Sr,Ba,Ca) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -化學計量組成及隨後進行後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、8.144g(28.00mmol)Sr3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)、5.930g Ca3N2(40.00mmol)、12.320g(28.00mmol)Ba3N2及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將60g以此方式得到之磷光體與約20重量%之3.054g 氮化鍶及2.313g氮化鈣及4.620g氮化鋇之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
D)(Sr,Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、14.232g(96.00mmol)Ca3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將50g以此方式得到之磷光體與約20重量%之4.000g氮化鍶及6.000g氮化鋇之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
E)(Sr,Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、27.924g(96.00mmol)Sr3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將50g以此方式得到之磷光體與約20重量%之8.200g氮化鋇及1.800g氮化鈣之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移 除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
F)(Sr,Ca,Ba) 1.92 Eu 0.08 Si 5 N 7.67 O 0.5 -後煅燒
於手套箱中稱量2.115g Eu2O3(6.00mmol)、42.240g(96.00mmol)Ba3N2、33.998g Si3N4(242.35mmol)及2.253g(37.50mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將80g以此方式得到之磷光體與約20重量%之12.000g氮化鍶及4.000g氮化鈣之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例7： A)比較實例(Ba) 1.87 Eu 0.03 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.599g Eu2O3(1.70mmol)、32.811g Ba3N2(74.57mmol)、26.589g Si3N4(189.6mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
B)(Ba) 1.87 Eu 0.03 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.599g Eu2O3(1.70mmol)、32.811g Ba3N2(74.57mmol)、26.589g Si3N4(189.6mmol)，並在手動研缽中混合，直至形成均勻混合物。於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量 %之氮化鋇混合，並混合至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並乾燥。
C)(Ba) 1.87 Eu 0.03 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.599g Eu2O3(1.70mmol)、38.133g Ba3N2(86.67mmol)、26.589g Si3N4(189.6mmol)，並在手動研缽中混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤中央，並在氮/氫氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下在1600℃煅燒8小時。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，且隨後濾出並乾燥。
D)(Ba) 1.82 Eu 0.03 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量0.199g Eu2O3(0.565mmol)、10.985g Ba3N2(24.97mmol)、8.143g Si3N4(58.10mmol)及0.817g SiO2(13.60mmol)，並在手動研缽中混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤中央，並在氮/氫氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下在1600℃煅燒8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，且隨後濾出並乾燥。
E)(Ba) 1.82 Eu 0.03 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量0.199g Eu2O3(0.565mmol)、10.985g Ba3N2(24.97mmol)、8.143g Si3N4(58.10mmol)及0.817g SiO2(13.60mmol)，並在手動研缽中混合，直至形成均勻混合物。於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鋇混合，並混合至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並乾燥。
F)(Ba) 1.82 Eu 0.03 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量0.199g Eu2O3(0.565mmol)、13.200g Ba3N2(30.00mmol)、8.143g Si3N4(58.10mmol)及0.817g SiO2(13.60mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃及氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中又1小時，隨後濾出並加以乾燥。
G)(Ba) 1.87 Eu 0.03 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.199g Eu2O3(0.565mmol)、10.985g Ba3N2(24.97mmol)、8.881g Si3N4(64.33mmol)及0.817g SiO2(13.60mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
H)(Ba) 1.87 Eu 0.03 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.199g Eu2O3(0.565mmol)、10.985g Ba3N2(24.97mmol)、8.881g Si3N4(64.33mmol)及0.817g SiO2(13.60mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鋇混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中又1小時，隨後濾出並加以乾燥。
I)(Ba) 1.82 Eu 0.03 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量0.199g Eu2O3(0.565mmol)、13.200g Ba3N2(30.00mmol)、8.881g Si3N4(64.33mmol)及0.817g SiO2(13.60 mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃及氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例8： A)比較實例(Sr,Ba) 1.77 Eu 0.08 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量0.531g Eu2O3(1.51mmol)、4.200g Ba3N2(9.54mmol)、6.718g Si3N4(47.90mmol)、0.451g SiO2(7.50mmol)及2.775g Sr3N2(9.54mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。
B)(Sr,Ba) 1.82 Eu 0.08 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.443g Eu2O3(1.26mmol)、3.500g Ba3N2(7.95mmol)、6.077g Si3N4(43.33mmol)、0.376g SiO2(6.25mmol)及2.313g Sr3N2(7.95mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
C)(Sr,Ba) 1.77 Eu 0.08 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量1.761g Eu2O3(5mmol)、28.008g Ba3N2(63.336mmol)、22.660g Si3N4(158.300mmol)及1.502g SiO2(25.000mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃ 下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鍶混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下進行另一次煅燒，歷時8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
D)(Sr,Ba) 1.77 Eu 0.08 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量1.761g Eu2O3(5mmol)、18.421g Sr3N2(63.336mmol)、22.660g Si3N4(158.300mmol)及1.502g SiO2(25.000mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鋇混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
E)(Sr,Ba) 1.77 Eu 0.08 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量0.443g Eu2O3(1.26mmol)、4.900g Ba3N2(10.13mmol)、5.552g Si3N4(39.58mmol)、0.376g SiO2(6.25mmol)及3.233g Sr3N2(10.13mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+20L/min H2)下煅燒8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
F)(Sr,Ba) 1.82 Eu 0.08 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量1.761g Eu2O3(5mmol)、18.421g Sr3N2(63.336 mmol)、23.840g Si3N4(170.00mmol)及1.502g SiO2(25.000mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鋇混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
G)(Sr,Ba) 1.77 Eu 0.08 Si 5 N 7.7 O 0.3
於手套箱中稱量1.330g Eu2O3(3.78mmol)、10.494g Ba3N2(23.85mmol)、6.937g Si3N4(23.85mmol)、1.127g SiO2(18.75mmol)及16.652g Sr3N2(118.74mmol)，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(60L/min N2+15L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將以此方式得到之磷光體與20重量%之氮化鍶/氮化鋇之1：1混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將該磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例9： A)比較實例(Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量1.309g Eu2O3(3.72mmol)、18.979g(43.13mmol)Ba3N2、21.074g Si3N4(150.33mmol)、2.471g Ca3N2(16.67mmol)及1.399g(23.3mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1650℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2 +10L/min H2)下煅燒8小時。
B)(Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量1.309g Eu2O3(3.72mmol)、26.312g(59.80mmol)Ba3N2、21.074g Si3N4(150.33mmol)及1.399g(23.3mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將60g以此方式得到之磷光體與5重量%之氮化鈣混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
C)(Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量21.309g Eu2O3(3.72mmol)、26.312g(59.80mmol)Ba3N2、21.074g Si3N4(150.33mmol)及1.399g(23.3mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將80g以此方式得到之磷光體與20重量%之包含相對比例為80%氮化鋇及20%氮化鈣之成比例混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
D)(Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量21.309g Eu2O3(3.72mmol)、26.312g(59.80 mmol)Ba3N2、21.074g Si3N4(150.33mmol)及1.399g(23.3mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，於氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將80g以此方式得到之磷光體與20重量%之包含相對比例為90%氮化鋇及10%氮化鈣之成比例混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
E)(Ba,Ca) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量1.309g Eu2O3(3.72mmol)、8.865g(59.80mmol)Ca3N2、21.074g Si3N4(150.33mmol)及1.399g(23.3mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1650℃下，於氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。
於手套箱中將以此方式得到之50g磷光體與20重量%之氮化鋇混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
F)(Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量1.309g Eu2O3(3.72mmol)、20.534g(46.67mmol)Ba3N2、2.965g Ca3N2(20.00mmol)、21.074g Si3N4(150.33mmol)及1.399g(23.3mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中 之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(70L/min N2+10L/min H2)下煅燒8小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例10： A)比較實例(Sr,Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.757g Eu2O3(2.15mmol)、1.939g(6.67mmol)Sr3N2、8.125g(18.47mmol)Ba3N2、1.483g(10.00mmol)Ca3N2、13.183g Si3N4(94.00mmol)及0.601g(10.00mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒6小時。
B)(Sr,Ba,Ca) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.757g Eu2O3(2.15mmol)、1.939g(6.67mmol)Sr3N2、8.125g(18.47mmol)Ba3N2、1.483g(10.00mmol)Ca3N2、13.183g Si3N4(94.00mmol)及0.601g(10.00mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒6小時。
於手套箱中將60g以此方式得到之磷光體與約20重量%之1.940g及氮化鍶及1.460g氮化鈣及8.600g氮化鋇之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一.煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中又1小時，隨後濾出並加以乾燥。
C)(Sr,Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.757g Eu2O3(2.15mmol)、2.133g(7.33mmol)Sr3N2、8.800g(20.00mmol)Ba3N2、1.631g(11.00mmol)Ca3N2、 13.183g Si3N4(94.00mmol)及0.601g(10.00mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒6小時。將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
D)(Sr,Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.757g Eu2O3(2.15mmol)、15.459g(35.13mmol)Ba3N2、13.183g Si3N4(94.00mmol)及0.601g(10.00mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒6小時。
於手套箱中將80g以此方式得到之磷光體與約20重量%之10.000g氮化鍶及6.000g氮化鈣之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中又1小時，隨後濾出並加以乾燥。
E)(Sr,Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.757g Eu2O3(2.15mmol)、5.209g(35.13mmol)Ca3N2、13.183g Si3N4(94.00mmol)及0.601g(10.00mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒6小時。
於手套箱中將50g以此方式得到之磷光體與約20重量%之4.000g氮化鍶及6.000g氮化鋇之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均 勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中又1小時，隨後濾出並加以乾燥。
F)(Sr,Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.757g Eu2O3(2.15mmol)、10.219g(35.13mmol)Sr3N2、13.183g Si3N4(94.00mmol)及0.601g(10.00mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1625℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒6小時。
於手套箱中將50g以此方式得到之磷光體與約20重量%之8.200g氮化鋇及1.800g氮化鈣之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1莫耳濃度鹽酸中1小時，隨後濾出並加以乾燥。
G)(Sr,Ca,Ba) 1.83 Eu 0.07 Si 5 N 7.8 O 0.2
於手套箱中稱量0.757g Eu2O3(2.15mmol)、2.133g(7.33mmol)Sr3N2、8.800g(20.00mmol)Ba3N2、1.156g(7.80mmol)Ca3N2、13.183g Si3N4(94.00mmol)及0.601g(10.00mmol)SiO2，並在手動研缽中加以混合，直至形成均勻混合物。將該混合物轉移至氮化硼舟皿中，並置於管狀爐中之鉬箔盤之中央位置上，並在1600℃下，在氮氣/氫氣氣氛(50L/min N2+20L/min H2)下煅燒6小時。
於手套箱中將80g以此方式得到之磷光體與約20重量%之10.000g氮化鋇、2.000g氮化鍶及4.000g氮化鈣之混合物混合在一起，並加以混合直至形成均勻混合物。隨後進行另一次煅燒，且條件與第一煅燒步驟相同。為移除過量氮化物，將以此方式得到之磷光體懸浮於1 莫耳濃度鹽酸中又1小時，隨後濾出並加以乾燥。
實例11：塗覆磷光體 A)以SiO 2 塗覆本發明磷光體
將50g上述本發明磷光體中之一者懸浮於2L反應器中之1公升乙醇中，該反應器具有磨砂玻璃蓋、加熱夾套及回流冷凝器。添加含於70ml水及100ml乙醇中之17g氨水(25重量%之NH3)之溶液。在65℃下，伴隨攪拌緩慢滴加(約1.5mL/min)含於48g無水乙醇中之48g正矽酸四乙酯(TEOS)之溶液。當該添加完成時，將該懸浮液另外攪拌1.5小時，使其變為室溫並過濾。以乙醇清洗殘餘物並在150℃至200℃下加以乾燥。
B)以Al 2 O 3 塗覆本發明磷光體
將50g上述本發明磷光體中之一者懸浮於具有加熱夾套之玻璃反應器中之950g乙醇中。在80℃下，伴隨攪拌歷時3小時將98.7g AlCl3*6H2O/kg溶液之600g乙醇溶液計量添加至該懸浮液中。在該添加期間，藉由計量添加氫氧化鈉溶液將pH始終保持在6.5下。當該計量添加完成時，在80℃下另外攪拌該混合物1小時，然後冷卻至室溫，濾出磷光體，用乙醇清洗並使其乾燥。
C)以B 2 O 3 塗覆本發明磷光體
將50g上述本發明磷光體中之一者懸浮於具有加熱夾套之玻璃反應器中之1000ml水中。將該懸浮液加熱至60℃，並在攪拌下添加4.994g硼酸H3BO3(80mmol)。在攪拌下，將該懸浮液冷卻至室溫，隨後攪拌1小時。然後，對該懸浮液進行吸濾，並在乾燥箱中加以乾燥。乾燥後，使該材料在500℃及在氮氣氛下煅燒。
D)以BN塗覆本發明磷光體
將50g上述本發明磷光體中之一者懸浮於具有加熱夾套之玻璃反應器中之1000ml水中。將該懸浮液加熱至60℃，並在攪拌下添加 4.994g硼酸H3BO3(80mmol)。在攪拌下，將該懸浮液冷卻至室溫，隨後攪拌1小時。然後，對該懸浮液進行吸濾，並在乾燥箱中加以乾燥。乾燥後，使該材料在1000℃及在氮氣/氨氣氣氛下煅燒。
E)以ZrO 2 塗覆本發明磷光體
將50g上述本發明磷光體中之一者懸浮於具有加熱夾套之玻璃反應器中之1000ml水中。將該懸浮液加熱至60℃，並調整至pH 3.0。隨後，伴隨攪拌緩慢地計量添加10g之30重量% ZrOCl2溶液。當該計量添加完成時，將該混合物另外攪拌1小時，隨後進行吸濾，並用DI水清洗。乾燥後，使該材料在600℃及氮氣氛下煅燒。
F)以MgO塗覆本發明磷光體
將50g上述本發明磷光體中之一者懸浮於具有加熱夾套之玻璃反應器中之1000ml水中。將該懸浮液保持在25℃之溫度下，並添加19.750g碳酸氫銨(250mmol)。緩慢添加100ml之15重量%氯化鎂溶液。當該計量添加完成時，將該混合物另外攪拌1小時，隨後進行吸濾，並用DI水清洗。乾燥後，使該材料在1000℃及氮氣/氫氣氣氛下煅燒。
實例12：熱後煅燒
將50g上述磷光體中之一者轉移至Alsint煅燒坩堝中，隨後進行還原煅燒。此處之煅燒係在300℃及氮氣/氫氣氣氛下進行。氫比例為至多10體積%。冷卻後，小心地對根據本發明之磷光體進行簡單研磨，隨後加以篩選，並作更詳細的特徵分析。
實例13：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為3000K之pc-LED：
稱量1g實例8C)中所述之最大發射波長為620nm之紅色磷光體及8g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混 合，以使得該磷光體濃度為14重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例14：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為5000K之pc-LED：
稱量1g實例8C)中所述之最大發射波長為620nm之紅色磷光體及19g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混合，以使得該磷光體濃度為12重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例15：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為6500K之pc-LED：
稱量1g實例8C)中所述之最大發射波長為620nm之紅色磷光體及21g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混 合，以使得該磷光體濃度為10重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例16：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為3000K之pc-LED：
稱量1g實例6F)中所述之最大發射波長為630nm之紅色磷光體及12g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混合，以使得該磷光體濃度為17重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例17：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為5000K之pc-LED：
稱量1g實例6F)中所述之最大發射波長為630nm之紅色磷光體及21g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混 合，以使得該磷光體濃度為13.5重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例18：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為6500K之pc-LED：
稱量1g實例6F)中所述之最大發射波長為630nm之紅色磷光體及23g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混合，以使得該磷光體濃度為12重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例19：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為3000K之pc-LED：
稱量1g實例5C)中所述之最大發射波長為650nm之紅色磷光體及4.5g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混 合，以使得該磷光體濃度為21重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例20：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為5000K之pc-LED：
稱量1g實例5C)中所述之最大發射波長為650nm之紅色磷光體及7.5g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混合，以使得該磷光體濃度為18重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例21：使用按照本發明所製備之磷光體生產相關色溫(CCT)為6500K之pc-LED：
稱量1g實例5C)中所述之最大發射波長為650nm之紅色磷光體及8g組成為Lu2.976Ce0.024Al5O12之綠色磷光體，並在行星式離心混合器中混合均勻。隨後將光學透明聚矽氧添加至該混合物中，並加以混 合，以使得該磷光體濃度為15重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。此等特性為色點座標CIE x及y、亮度(以流明計)及一般演色性指數Ra。
實例22 A)生產僅包含實例8A)之紅色磷光體之pc-LED
將光學透明聚矽氧添加至0.175g實例8A)中所述之紅色磷光體中，並加以混合，以使得該磷光體濃度為1.75重量%。藉助於自動分配器將以此方式得到之聚矽氧/磷光體混合物施加至藍色半導體LED之晶片上，並藉由加熱進行固化。該等用於LED特徵化之藍色半導體LED具有442nm之發射波長，且係在350mA之電流強度下操作。使用Instrument Systems光譜儀-光譜儀CAS 140及相連ISP 250積分球測量該LED之光度特性。藉由測定波長相依性光譜功率密度分析該LED之特徵。使用由該LED發射之光之所得光譜進一步計算該LED之特性。
B)生產僅包含實例8C)之紅色磷光體之pc-LED
按照實例22A)進行pc-LED之生產及其特徵分析，但使用實例8C)中所述之紅色磷光體。
結果：
從圖1可看出，按照比較實例1A)所製備之磷光體比按照比較實例1B)所製備之磷光體具有更高的發射強度。圖2顯示，按照實例1C)所製備之本發明磷光體比按照比較實例1A)所製備之磷光體具有甚至 更高的發射強度。此證實如何可藉由本發明方法製備具有高發射效率之磷光體。上述情況同樣適用於根據本發明之比較實例2A)及2B)中及實例2C)中所製備之磷光體在圖3及4中之強度比較。此外，實例2C)及2D)中所製備之磷光體在圖5中之波長比較顯示可藉由本發明方法使發射波長發生偏移。
圖6至14顯示根據本發明之磷光體係極適於生產發白光LED。
從圖15可看出，在用於pc-LED時，儘管磷光體濃度相同，但按照實例8C)所製備之本發明磷光體在LED光譜中比按照實例8A)所製備之磷光體具有更高比例之發射強度。

Claims (17)

  1. 一種使經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物之輻射誘導發射效率增加及/或發射波長偏移之方法，該方法包括以下步驟：(a)製備經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物及鹼土金屬氮化物之混合物，其中該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或該經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物與該鹼土金屬氮化物中之鹼土金屬可相同或不同；及(b)在非氧化條件下煅燒該混合物。
  2. 如請求項1之方法，其中該混合物中之該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物對該鹼土金屬氮化物之重量比係於2：1至20：1之範圍內。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該鹼土金屬氮化物中之鹼土金屬係不同於該鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物中之鹼土金屬。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中所用之該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物係由步驟(a')製備，其中步驟(a')包括在非氧化條件下煅燒包含銪源、矽源及鹼土金屬氮化物之混合物，且係在如請求項1至3中任一項之方法之步驟(a)之前。
  5. 一種製備經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物之方法，該方法包括以下步驟：(i)合成經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物；(ii)在非氧化條件下煅燒包含步驟(i)中所得到之經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物及鹼土金屬氮化物之混合物。
  6. 如請求項5之方法，其中步驟(i)中該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或該經銪摻雜的鹼土金屬矽氧氮化物之合成係由在非氧化條件煅燒包含銪源、矽源及鹼土金屬氮化物之混合物進行。
  7. 如請求項5或6之方法，其中在步驟(ii)之混合物中，步驟(i)中所得到之該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物對該鹼土金屬氮化物之重量比係於2：1至20：1之範圍內。
  8. 如請求項1至7中任一項之方法，其中該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物或該經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物為具有通式(I)或(II)之化合物：EAdEucEeNfOx‧m SiO2‧n Si3N4 (I)其中下列用於所用符號及指數：EA為至少一種鹼土金屬；E為至少一種選自第四主族之元素，尤其係Si；0.80d1.995；0.005c0.2；4.0e6.00；5.00f8.70；0x3.00；0m2.50；0n0.50；以下關係另用於該等指數：2d+2c+4e=3f+2x；Ba1-a-b-cSraCabEucSi7N10‧m SiO2‧n Si3N4 (II)其中所用指數具有以下含義：0a1； 0b1；0.01c0.2，較佳0.02c0.1；0m2.50；0n0.50；及a+b+c1。
  9. 如請求項1至8中任一項之方法，其中該經銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物或該經後處理之銪摻雜的鹼土金屬矽氮化物或矽氧氮化物為式(Ia)或(Ib)化合物：Ba2-a-b-c+1.5zSraCabEucSi5N8-2/3x+zOx‧m SiO2‧n Si3N4 (Ia)其中所用指數具有以下含義：0a2；0b2；0.01c0.2，較佳0.02c0.1；0x1，較佳0x0.6；0z3.0，較佳0z1.0，尤佳z=0；0m2.50；0n0.50；且a+b+c2+1.5z；Ba2-a-b-c-0.5x+1.5zSraCabEucSi5N8-x+zOx‧m SiO2‧n Si3N4 (Ib)其中所用指數具有以下含義：0a2；0b2；0.01c0.2，較佳0.02c0.1；0x1，較佳0x0.6；0z3.0，較佳0z1.0，尤佳z=0；0m2.50； 0n0.50。
  10. 如請求項1至9中任一項之方法，其中該鹼土金屬氮化物在每次出現時係彼此獨立地選自由由下列組成之群：氮化鈣、氮化鍶、氮化鋇及其混合物。
  11. 如請求項1至10中任一項之方法，其中步驟(a')及(b)或(i)及(ii)中之煅燒各係彼此獨立地在1200至2000℃範圍內之溫度進行。
  12. 如請求項1至11中任一項之方法，其中步驟(a')及(b)或(i)及(ii)中之該等非氧化條件係由還原氣氛產生，其中該還原氣氛較佳包含氫氣。
  13. 一種化合物，其可由如請求項8至12中任一項之方法獲得。
  14. 一種式(Ia)化合物，Ba2-a-b-c+1.5zSraCabEucSi5N8-2/3x+zOx‧m SiO2‧n Si3N4 式(Ia)其中所用指數具有以下含義：0a2；0b2；0.01c0.2；0<x1；0z3.0；0m2.50；0n0.50；且a+b+c2+1.5z。
  15. 如請求項14之化合物，其中所用指數具有以下含義：0a2；0b2；0.02c0.1；0.03x0.8，較佳0.1x0.6； 0z1.0，較佳z=0；0m1.00，較佳m=0；n=0；且a+b+c2+1.5z。
  16. 一種如請求項13至15中任一項之化合物作為轉換型磷光體之用途。
  17. 一種發光裝置，其包含如請求項13至15中任一項之化合物。
TW102124991A 2012-07-13 2013-07-11 用於製備磷光體之方法 TWI602903B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP12005188 2012-07-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201406926A true TW201406926A (zh) 2014-02-16
TWI602903B TWI602903B (zh) 2017-10-21

Family

ID=48656017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102124991A TWI602903B (zh) 2012-07-13 2013-07-11 用於製備磷光體之方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9580649B2 (zh)
EP (1) EP2872592A1 (zh)
JP (1) JP2015529701A (zh)
KR (1) KR20150034782A (zh)
CN (1) CN104428395B (zh)
TW (1) TWI602903B (zh)
WO (1) WO2014008970A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI464238B (zh) * 2013-03-27 2014-12-11 奇美實業股份有限公司 螢光體與發光裝置
JP2017509735A (ja) 2014-01-09 2017-04-06 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ ユーロピウムドープアルカリ土類金属シリコオキシナイトライドベースの蛍光体
EP3159392A4 (en) * 2014-06-18 2017-05-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for manufacturing surface-treated phosphor, surface-treated phosphor, wavelength conversion member, and light emission device
JP2016027077A (ja) * 2014-06-30 2016-02-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置
JP2016044306A (ja) * 2014-08-22 2016-04-04 太平洋セメント株式会社 窒化物蛍光体の製造方法
EP3178904A1 (de) 2015-12-09 2017-06-14 Merck Patent GmbH Leuchtstoffe
CN106076388B (zh) * 2016-06-16 2018-05-25 长沙学院 一种氮掺杂偏铟酸锂光催化材料的制备方法及其制品
US10604701B2 (en) * 2016-09-29 2020-03-31 Nichia Corporation Method of producing nitride fluorescent material, and nitride fluorescent material
KR102486988B1 (ko) * 2017-09-22 2023-01-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108410460A (zh) * 2018-06-04 2018-08-17 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种ZnS发光薄膜的制备方法
CN116083087B (zh) * 2022-12-02 2024-04-19 河北大学 一种蓝光激发的近红外荧光粉及其制备方法
CN116814264B (zh) * 2023-06-28 2024-03-15 南京信息工程大学 铕、铒单掺及铕铒共掺铟酸锶钇多晶荧光粉及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5051277A (en) 1990-01-22 1991-09-24 Gte Laboratories Incorporated Method of forming a protective bi-layer coating on phosphore particles
JP2967559B2 (ja) 1991-03-29 1999-10-25 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びその製造方法
US6265068B1 (en) 1997-11-26 2001-07-24 3M Innovative Properties Company Diamond-like carbon coatings on inorganic phosphors
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US7671529B2 (en) * 2004-12-10 2010-03-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor converted light emitting device
US20070298250A1 (en) 2006-06-22 2007-12-27 Weimer Alan W Methods for producing coated phosphor and host material particles using atomic layer deposition methods
DE102007056343A1 (de) 2007-11-22 2009-05-28 Litec Lll Gmbh Oberflächemodifizierte Leuchtstoffe
JP2011515536A (ja) 2008-03-21 2011-05-19 ナノグラム・コーポレイション 金属シリコン窒化物または金属シリコンオキシ窒化物のサブミクロン蛍光体粒子およびこれらの粒子を合成する方法
EP2163593A1 (en) 2008-09-15 2010-03-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Production of nitride-based phosphors
DE102008058295A1 (de) 2008-11-20 2010-05-27 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Rot emittierender Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff sowie Verfahren zur Herstellung des Leuchtstoffs
DE102008060680A1 (de) 2008-12-08 2010-06-10 Merck Patent Gmbh Oberflächenmodifizierte Silikat-Leuchtstoffe
CN101565612A (zh) * 2009-06-01 2009-10-28 彩虹集团公司 一种白光led用氮化物红色荧光粉制备方法
EP2528991B1 (de) 2010-01-29 2014-11-26 Merck Patent GmbH Leuchtstoffe
DE102010021341A1 (de) 2010-05-22 2011-11-24 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe
DE102010031755A1 (de) 2010-07-21 2012-02-09 Merck Patent Gmbh Aluminat-Leuchtstoffe
DE102010045368A1 (de) 2010-09-14 2012-03-15 Merck Patent Gmbh Silicophosphat-Leuchtstoffe

Also Published As

Publication number Publication date
US20150203748A1 (en) 2015-07-23
EP2872592A1 (de) 2015-05-20
TWI602903B (zh) 2017-10-21
JP2015529701A (ja) 2015-10-08
WO2014008970A1 (de) 2014-01-16
CN104428395A (zh) 2015-03-18
CN104428395B (zh) 2017-03-15
KR20150034782A (ko) 2015-04-03
US9580649B2 (en) 2017-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI602903B (zh) 用於製備磷光體之方法
KR101444085B1 (ko) 카바이도나이트라이드계 형광체들 및 이를 이용한 발광 소자들
US20160244665A1 (en) Phosphors
WO2011105571A1 (ja) ハロリン酸塩蛍光体、及び白色発光装置
JP2013528234A (ja) オキシ炭窒化物蛍光体およびこれを使用する発光素子
WO2006126567A1 (ja) 蛍光体及びその利用
KR102352032B1 (ko) 고체-상태 조명을 위한 슈퍼사면체 인광체
CN105264043B (zh) 发光材料
JP4799549B2 (ja) 白色発光ダイオード
US20160200973A1 (en) Phosphors
US20160108311A1 (en) Phosphors
JP2010121068A (ja) 蛍光体及び蛍光体含有組成物、並びに、それを用いた発光装置、照明装置及び画像表示装置
US20160152891A1 (en) Phosphors
CN101253814B (zh) 碳氮化硅酸盐发光物质
US20170306223A1 (en) Phosphors
JP6094377B2 (ja) 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置
JP2010196049A (ja) 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
TW201533219A (zh) 磷光體
TW201542771A (zh) 磷光體
TW201414802A (zh) 銪摻雜磷光體的製造方法
KR20160111463A (ko) 형광체 및 발광장치
HK1119016B (zh) 碳氮化硅酸盐发光物质

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees