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TW201405796A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TW201405796A
TW201405796A TW102112581A TW102112581A TW201405796A TW 201405796 A TW201405796 A TW 201405796A TW 102112581 A TW102112581 A TW 102112581A TW 102112581 A TW102112581 A TW 102112581A TW 201405796 A TW201405796 A TW 201405796A
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Chun-Gi You
Joon-Hoo Choi
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法。有機發光顯示裝置包含﹕基板；在基板的主動層；與主動層隔離且重疊主動層的閘極電極；源極電極，含有連接至主動層的第一源極電極層以及連接至第一源極電極層且大於第一源極電極層的第二源極電極層；汲極電極，含有連接至主動層的第一汲極電極層以及連接至第一汲極電極層且大於第一汲極電極層的第二汲極電極層；電性連接源極電極或汲極電極的第一電極；在第一電極上且含有有機發光層的中間層；以及在中間層上的第二電極。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年7月30日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0083515號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
本發明之一個或更多實施例係有關於一種有機發光顯示裝置，更特別的是，有關於一種可改進顯示品質的有機發光顯示裝置及其方法。
顯示裝置係被可攜式且輕薄的平面顯示裝置所取代。在複數種平面顯示裝置之中，因為有機發光顯示裝置有自發光特性與優秀特性，例如寬廣視角、高對比率與較短反應時間，所以有機發光顯示裝置係已受注意作為下一世代的顯示裝置。
有機發光顯示裝置包含中間層、第一電極與第二電極。中間層包含有機發光層，與當電壓施加至第一電極與第二電極時，從有機發光層發出可見光。
有機發光顯示裝置可進一步包含用於操作有機發光顯示裝置的薄膜電晶體。薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極以及汲極電極。
在此情形中，當薄膜電晶體係形成，絕緣層係安置在薄膜電晶體之複數個薄層之間。例如，絕緣層可安置在源極電極與閘極電極之間、以及在汲極電極與閘極電極之間。
當絕緣層形成時，由於粒子穿透絕緣層或是形成在絕緣層下的元件之型態，例如閘極電極，被絕緣層隔離的複數個元件之間仍可能發生短路，例如閘極電極與源極電極之間或是閘極電極與汲極電極之間。特別的是，當製造具有高解析度的有機發光顯示裝置時，複數個線路之線寬與線路之間的距離係減少。如此，上述缺陷係頻繁地發生，而且改進有機發光顯示裝置之顯示品質時係受到限制。
本發明之一或更多的實施例的態樣係針對一種可改進顯示品質的有機發光顯示裝置以及製造有機發光顯示裝置的方法。
根據本發明的實施例，係提供一種有機發光顯示裝置，其包含﹕基板；形成在基板的主動層；與主動層隔離且重疊主動層的閘極電極；源極電極，其含有連接至主動層的第一源極電極層以及連接至第一源極電極層且大於第一源極電極層的第二源極電極層；汲極電極，其含有連接至主動層的第一汲極電極層以及連接至第一汲極電極層且大於第一汲極電極層的第二汲極電極層；電性連接源極電極或汲極電極的第一電極；安置在第一電極上且包含有機發光層的中間層；以及安置在中間層上的第二電極。
有機發光顯示裝置可進一步包含﹕形成在閘極電極上且包含第一接觸孔的第一層間絕緣層；以及形成在第一層間絕緣層上且包含第二接觸孔的第二層間絕緣層。
第一源極電極層與第一汲極電極層可形成對應於第一接觸孔，與第二源極電極層與第二汲極電極層可形成對應於第二接觸孔。
第一接觸孔可具有小於第二接觸孔之尺寸。
複數個第一接觸孔可形成連接至相同的第二接觸孔。
第一層間絕緣層可包含無機材料，而第二層間絕緣層可包含有機材料。
第二層間絕緣層之上表面可為平坦。
有機發光顯示裝置可進一步包含定義在基板上的儲存區、以及形成在儲存區中且包含第一電容電極與第二電容電極的電容。
有機發光顯示裝置可進一步包含﹕形成在閘極電極上的第一層間絕緣層；以及形成在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層，其中每一第一層間絕緣層與第二層間絕緣層包含對應於電容的開口。
有機發光顯示裝置可進一步包含形成在電容上方以重疊電容的電源供應線。
至少一絕緣層可安置在電容與電源供應線之間。
有機發光顯示裝置可進一步包含﹕形成在閘極電極上的第一層間絕緣層；以及形成在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層，其中第一層間絕緣層與第二層間絕緣層係安置在電容與電源供應線之間。
有機發光顯示裝置可進一步包含形成在電容上方以重疊電容的數據線。
至少一絕緣層可安置在電容與數據線之間。
有機發光顯示裝置可進一步包含﹕形成在閘極電極上的第一層間絕緣層；以及形成在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層，其中第一層間絕緣層與第二層間絕緣層係安置在電容與數據線之間。
有機發光顯示裝置可進一步包含形成在電容上方以重疊電容的電源供應線與數據線，其中電源供應線與數據線係形成在不同層藉此彼此重疊。
有機發光顯示裝置可進一步包含﹕形成在閘極電極上的第一層間絕緣層；以及形成在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層，其中電源供應線係形成在第一層間絕緣層上，而數據線係形成在第二層間絕緣層上。
有機發光顯示裝置可進一步包含﹕形成在閘極電極上的第一層間絕緣層；以及形成在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層，其中數據線係形成在第一層間絕緣層上，而電源供應線係形成在第二層間絕緣層上。
第一電容電極可形成在與主動層相同之層上，而第二電容電極可形成在與閘極電極相同之層上。
第一電極可包含氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋁鋅。
第一電極可形成在與閘極電極相同之層上。
閘極電極可包含第一導電層以及形成在第一導電層上的第二導電層，而第一電極可使用與形成第一導電層相同之材料以形成在與第一導電層相同之層上。
根據本發明的實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置的方法，其包含﹕形成主動層在基板上；形成與主動層隔離且重疊主動層的閘極電極；形成含有連接主動層的第一源極電極層以及連接至第一源極電極層且大於第一源極電極層之第二源極電極層的源極電極；形成含有連接主動層的第一汲極電極層以及連接第一汲極電極層且大於第一汲極電極層之第二汲極電極層的汲極電極；形成電性連接至源極電極或汲極電極的第一電極；形成安置在第一電極上且包含有機發光層的中間層；以及形成安置在中間層上的第二電極。
該方法可進一步包含﹕在閘極電極上形成的第一層間絕緣層，其中第一層間絕緣層包含第一接觸孔；以及在第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層，其中第二層間絕緣層包含第二接觸孔。
每一源極電極之形成與汲極電極之形成可包含形成第一源極電極層與第一汲極電極層以對應於第一接觸孔，以及形成第二源極電極層與第二汲極電極層以對應於第二接觸孔。
每一源極電極之形成與汲極電極之形成可包含在第一層間絕緣層之形成與第二層間絕緣層之形成之後，同步地或同時形成第一源極電極層、第一汲極電極層、第二源極電極層以及第二汲極電極層。
100、200、300．．．有機發光顯示裝置
101、201、301．．．基板
102、202、302．．．緩衝層
103、203、303．．．主動層
104、204、304．．．閘極絕緣層
105．．．第一導電層
106．．．第二導電層
107、207、307．．．閘極電極
108、208、308．．．第一電極
108a、208a、308a．．．導電部
108b．．．導電層
109、209、309．．．第一層間絕緣層
109a、119a．．．開口
109c、209c、309c．．．第一接觸孔
110、210、310．．．電容
111、211、311．．．源極電極
111a、211a、311a．．．第一源極電極層
111b、211b、311b．．．第二源極電極層
112、212、312．．．汲極電極
112a、212a、312a．．．第一汲極電極層
112b、212b、312b．．．第二汲極電極層
113、213、313．．．第一電容電極
117、217、317．．．第二電容電極
118．．．覆蓋層
119、219．．．第二層間絕緣層
119c、219c、319c．．．第二接觸孔
130、230、330．．．像素定義層
140、240、340．．．中間層
150、250、350．．．第二電極
280、380．．．電源供應線
390．．．數據線
391．．．第一數據線
392．．．第二數據線
393．．．第三數據線
TFT．．．薄膜電晶體
A．．．部分
PA．．．發光區
TR．．．電路區
ST．．．儲存區
X、Y、Z．．．方向
藉由參考附圖詳細描述例示性實施例，本發明的上述內容與其他特性與優勢將變成更清楚明顯，其中﹕
第1圖係為根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置的示意剖面圖；
第2圖係為第1圖之部分A之詳細平面圖；
第3A圖至第3F圖係為依序地繪示根據本發明的實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的示意剖面圖；
第4圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光顯示裝置的示意剖面圖；以及
第5圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光顯示裝置的示意剖面圖。
現在將參閱顯示本發明之例示性實施例的附圖完整地描述本發明的結構與操作。
第1圖係為根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置100 的示意剖面圖。
請參閱第1圖，根據本實施例之有機發光顯示裝置100包含基板101、緩衝層102、第一電極108、薄膜電晶體TFT、中間層140、第二電極150、第一層間絕緣層109、第二層間絕緣層119以及電容110。
基板101係由複數個區域所定義，其包含發光區PA、電路區TR以及儲存區ST。
發光區PA係為至少重疊中間層140且從中間層140發出可見光的區域。電路區TR係為一區域，在此區域中係傳送用於在發光區PA中執行操作的各種電性訊號以及安置薄膜電晶體TFT。
薄膜電晶體TFT包含主動層103、閘極電極107、源極電極111以及汲極電極112。此外，源極電極111包含第一源極電極層111a與第二源極電極層111b，而汲極電極112包含第一汲極電極層112a與第二汲極電極層112b。
電容110係安置在儲存區ST且包含第一電容電極113與第二電容電極117。
現在將更詳細描述元件之構造。
基板101可用含有二氧化矽作為主要成分的透明玻璃材料來形成。然而，本發明的態樣不因此受限制，而基板101亦可用透明塑膠材料形成。在此情形中，用於形成基板101的透明塑膠材料可選自各種合適的有機材料中的至少一種。
緩衝層102係形成在基板101上。緩衝層102係避免或阻隔雜質元素滲透到基板101且平坦化基板101之上方部分。如此，緩衝層102可用具有此功能的各種合適材料來形成。例如，緩衝層102可包含無機材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、或氮化鈦，及/或有機材料，例如聚酰亞胺（polyimide）、聚酯（polyester）或壓克力。緩衝層102可具有以複數材料沉積之堆疊結構。
而且，緩衝層102係為不必要的元件，如此根據製程條件可省略不用。
主動層103與第一電容電極113係形成在緩衝層102上。主動層103與第一電容電極113可用相同材料形成。主動層103與第一電容電極113包含半導體材料，例如，矽。
閘極絕緣層104係形成在緩衝層102上，藉此覆蓋主動層103與第一電容電極113。
閘極電極107、第一電極108與第二電容電極117係形成在閘極絕緣層104上。
閘極電極107包含第一導電層105與第二導電層106。第一導電層105包含透光導電性材料，例如，第一導電層105可用氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵或氧化鋁鋅形成。
第二導電層106可形成在具有金屬或金屬合金的第一導電層105上，例如鉬、鎢鉬合金、或以鋁為基礎的合金（Al-based alloy）。然而，本發明的態樣不因此受限制，而第二導電層106亦可包含鉬/鋁/鉬之堆疊結構。
第一電極108包含透光導電性材料，且可用與形成第一導電層105相同之材料來形成。導電部108a係安置在第一電極108之設定或預設上區域中。在一實施例中，導電部108a係以與形成第二導電層106相同的材料來形成。
第二電容電極117可用與形成第一導電層105相同的材料來形成。
第一層間絕緣層109係形成在第一電極108、閘極電極107以及第二電容電極117上。第一層間絕緣層109可包含各種合適的絕緣材料，例如，無機材料。
第一層間絕緣層109包含第一接觸孔109c。
而且，第一層間絕緣層109係形成不覆蓋第二電容電極117之上表面之至少一區域。更詳細地說，第一層間絕緣層109可包含重疊第二電容電極117之上表面的開口109a。
而且，第一層間絕緣層109係形成不覆蓋第一電極108之上表面之設定或預設區域。
源極電極111之第一源極電極層111a以及汲極電極112之第一汲極電極層112a係形成對應於第一層間絕緣層109之第一接觸孔109c。
第一源極電極層111a與第一汲極電極層112a係形成以連接至主動層103。第一源極電極層111a與第一汲極電極層112a可使用各種合適的材料形成。例如，第一源極電極層111a與第一汲極電極層112a可用金屬形成，例如金、鈀、鉑、鎳、銠、釕、銥、錒、鋁、鉬、釹、鉬、鎢、或含有前述材料中之二個或更多材料的合金。然而，本發明的態樣不因此受限制。
第二層間絕緣層119係形成在第一層間絕緣層109上。第二層間絕緣層119可包含各種合適的絕緣材料，例如，有機材料。
第二層間絕緣層119包含第二接觸孔119c。
而且，第二層間絕緣層119係形成不覆蓋第二電容電極117之上表面之至少一區域。詳細地說明，第二層間絕緣層119可包含重疊第二電容電極117之上表面的開口119a。
而且，第二層間絕緣層119係形成不覆蓋第一電極108之上表面之設定或預設區域。
源極電極111之第二源極電極層111b以及汲極電極112之第二汲極電極層112b係形成對應於第二層間絕緣層119之第二接觸孔119c。
第二源極電極層111b係連接至第一源極電極層111a，以及第二汲極電極層112b係連接至第一汲極電極層112a。第二源極電極層111b與第二汲極電極層112b可用各種合適的材料形成。例如，第二源極電極層111b與第二汲極電極層112b可用金屬形成，例如金、鈀、鉑、鎳、銠、釕、銥、錒、鋁、鉬、釹、鉬、鎢、或含有前述材料中之二個或更多材料的合金。然而，本發明的態樣不因此受限制。
源極電極111之第一源極電極層111a係形成小於第二源極電極層111b。詳細地說明，第一層間絕緣層之第一接觸孔109c係形成小於第二層間絕緣層119之第二接觸孔119c，而第一源極電極層111a係形成對應於第一接觸孔109c，而第二源極電極層111b係形成對應於第二接觸孔119c。而且，如在第2圖中所繪示，複數個第一接觸孔109c係形成以連接至第二接觸孔119c，致使複數個第一源極電極層111a係形成以連接至第二源極電極層111b。
汲極電極112之第一汲極電極層112a係形成小於第二汲極電極層112b。詳細地說明，第一層間絕緣層之第一接觸孔109c係形成小於第二層間絕緣層119之第二接觸孔119c，而第一汲極電極層112a係形成對應於第一接觸孔109c，而第二汲極電極層112b係形成對應於第二汲極電極層112b之第二接觸孔119c。而且，如在第2圖中所繪示，複數個第一接觸孔109c係形成以連接至第二接觸孔119c，致使複數個第一汲極電極層112a係形成以連接至第二汲極電極層112b。
其結果是，在本實施例，二個層間複數絕緣層109與119係形成在閘極電極107、第二源極電極層111b以及第二汲極電極層112b之間，致使可有效地避免由於當閘極電極107、第二源極電極層111b以及第二汲極電極層112b形成時剩餘的金屬成分而造成在閘極電極107、第二源極電極層111b以及第二汲極電極層112b之間產生外來物質，或者造成在閘極電極107、第二源極電極層111b以及第二汲極電極層112b之間發生短路。
特別的是，首先，第一層間絕緣層109，其包含有可避免濕氣滲透之良好能力與良好的台階覆蓋特性(step coverage characteristic)之無機材料，係形成在閘極電極層107上致使閘極電極107可藉由第一層間絕緣層109有效地與主動層103隔離。
在此情形中，第一層間絕緣層109之第一接觸孔109c係形成小尺寸，致使源極電極111與汲極電極112之間的距離以及其他複數個線路之間的距離係最小化(或能夠減少)藉此容易地實現具有高解析度的有機發光顯示裝置100。此外，第二層間絕緣層119之第二接觸孔119c係形成大於第一接觸孔109c致使可改進薄膜電晶體TFT的電氣特性。
特別的是，複數個第一接觸孔109c係形成以連接至第二接觸孔119c，致使可容易改進在第一源極電極層111a與主動層103之間的電氣接觸特性以及在第一汲極電極層112a與主動層103之間的電氣接觸特性。
而且，源極電極111與汲極電極112中的其中一個係電性連接至第一電極108。第1圖係繪示汲極電極112之第二汲極電極層112b電性連接至第一電極108。詳細地說明，汲極電極112係接觸導電部108a，如此以電性連接至第一電極108。
像素定義層（PDL）130係形成在第二層間絕緣層119上以覆蓋源極電極111之第二源極電極層111b、汲極電極112之第二汲極電極層112b、以及第二電容電極117。像素定義層130係形成不覆蓋第一電極108之上表面之至少一區域。
中間層140係形成在第一電極108上。更詳細地說，中間層140係形成以接觸第一電極108中沒有被像素定義層覆蓋的上表面130。
中間層140包含有機發光層以發出可見光。
中間層140可為低分子量有機層或高分子有機層。當中間層140為低分子量有機層時，中間層140可包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、有機發光層、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)。
HIL可用酞菁化合物（phthalocyanine）化合物形成，例如銅酞菁(CuPc)或星射線型胺基衍生物(starburst-type amine derivative)，例如TCTA、4,4',4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺(m-MTDATA)或者m-MTDAPB。
HTL可用N,N'-二苯基-N,N'-二（3-甲基苯基）-1,1'-聯苯-4,4'-二胺（TPD）、N,N-二苯基-N,N-二（α-萘基）-1,1-聯苯-4,4-二胺(α-NPD)或是其相似材料形成。
EIL可用例如氟化鋰、氯化鈉、氟化銫、氧化鋰、氧化鋇、或8-羥基喹啉鋰(Liq)等材料形成。
ETL可使用三-8-羥基喹啉鋁（tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)形成。
有機發光層可包含基質材料和摻雜劑材料。
第二電極150係形成在中間層140上。第二電極150可用金屬形成，例如銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰或鈣。此外，第二電極150可包含氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅或氧化銦等等的透光材料。
此外，封裝構件可形成在第二電極150上。封裝構件可用有機材料及/或無機材料來形成。
在根據本實施例之有機發光顯示裝置100中，二個層間複數絕緣層109與119係形成在閘極電極107、第二源極電極層111b以及第二汲極電極層112b之間，致使可有效地避免在閘極電極107、第二源極電極層111b以及第二汲極電極層112b之間發生的短路。如此，可改進在有機發光顯示裝置100之顯示品質中的缺陷，藉此改進有機發光顯示裝置100之顯示品質。
特別的是，第一層間絕緣層109之第一接觸孔109c係形成小尺寸，致使源極電極111與汲極電極112之間的距離以及其他線路之間的距離係最小化(或能夠減少)藉此容易地實現具有高解析度的有機發光顯示裝置100。此外，第二層間絕緣層119之第二接觸孔119c係形成大於第一接觸孔109c，致使可改進薄膜電晶體TFT的電氣特性。
在此情形中，複數個第一接觸孔109c係形成以連接至第二接觸孔119c，致使可容易地改進在第一源極電極層111a與主動層103之間的電氣接觸特性以及在第一汲極電極層112a與主動層103之間的電氣接觸特性。
第3A圖至第3F圖係為依序地繪示根據本發明的實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的示意剖面圖。
詳細地說明，第3A圖至第3F圖係繪示製造第1圖之有機發光顯示裝置100的方法之實施例。為了說明方便，以下僅描述第1圖、第2圖與第3A圖至第3F圖之間的差異。
首先，參閱第3A圖，備製基板101。緩衝層102係形成在基板101上。
主動層103與第一電容電極113係形成在緩衝層102上。第一電容電極113與主動層103可用相同材料形成。此外，可使用遮罩執行圖案化製程以同步地或同時形成主動層103與第一電容電極113。
如此，參閱第3B圖，閘極絕緣層104係形成在緩衝層102上以覆蓋主動層103與第一電容電極113，而閘極電極107、第一電極108、與第二電容電極117係形成在閘極絕緣層104上。
閘極電極107包含第一導電層105與第二導電層106。第一電極108可用與形成第一導電層105相同之材料形成。導電層108b係安置在第一電極108上且用與形成第二導電層106相同之材料形成。
第二電容電極117可用與形成第一導電層105相同之材料形成。覆蓋層118係形成在第二電容電極117上。覆蓋層118係用與形成閘極電極107之第二導電層106相同的材料形成。可使用遮罩執行圖案化製程以形成閘極電極107、第一電極108、導電層108b、第二電容電極117以及覆蓋層118。
接著，參閱第3C圖，第一層間絕緣層109係形成在導電層108b與閘極電極107上。第一層間絕緣層109包含對應於主動層103的第一接觸孔109c。雖然未顯示在第3C圖，複數個第一接觸孔109c係形成對應於主動層103基於閘極電極107的一區域，如在第2圖所繪示。
此外，第一層間絕緣層109包含對應於覆蓋層118的開口109a。第一層間絕緣層109係形成以暴露導電層108b之上表面之設定或預設區域。
接著，參閱第3D圖，第二層間絕緣層119係形成在第一層間絕緣層109上。第二層間絕緣層119包含連接至第一接觸孔109c的第二接觸孔119c。第二接觸孔119c係形成大於第一接觸孔109c。特別的是，當第一層間絕緣層109係以無機材料形成，而第二層間絕緣層119係以有機材料形成，第一接觸孔109c可容易地形成均勻的小尺寸，而第二接觸孔119c可容易地形成大於第一接觸孔109c。
接著，參閱第3E圖，源極電極111與汲極電極112係形成。更詳細地說，源極電極111之第一源極電極層111a以及汲極電極112之第一汲極電極層112a係形成對應於第一層間絕緣層109之第一接觸孔109c，而源極電極111之第二源極電極層111b以及汲極電極112之第二汲極電極層112b係形成對應於第二層間絕緣層119之第二接觸孔119c。在此情形中，可使用遮罩執行圖案化製程同步地形成第一源極電極層111a、第一汲極電極層112a、第二源極電極層111b、以及第二汲極電極層112b。
如此，第一源極電極層111a與第一汲極電極層112a係分别地形成小於第二源極電極層111b與第二汲極電極層112b。此外，複數個第一源極電極層111a係連接至第二源極電極層111b，而複數個第一汲極電極層112a係連接至第二汲極電極層112b。
此外，導電部108a係藉由移除在第一電極108上的導電層108b之設定或預設區域而形成，而第一電極108之上表面係被暴露。
接著，覆蓋層118係從第二電容電極117之上方部分移除。
接著，參閱第3F圖，像素定義層（PDL）130係形成在第二層間絕緣層119上以覆蓋源極電極111之第二源極電極層111b、汲極電極112之第二汲極電極層112b以及第二電容電極117。像素定義層130係形成不覆蓋第一電極108之上表面之至少一區域。
中間層140係形成在第一電極108上。更詳細地說，中間層140係形成以接觸第一電極108中不被像素定義層130覆蓋的上表面。
中間層140包含有機發光層以發出可見光。
第二電極150係形成在中間層140上，而封裝構件可形成在第二電極150上。
在本實施例中，在閘極電極107形成之後，在源極電極111與汲極電極112形成之前，二個複數絕緣層109與119係形成，如此可有效地避免在閘極電極107、源極電極111以及汲極電極112之間發生的短路。如此，可改進有機發光顯示裝置100之顯示品質中的缺陷，致使可改進有機發光顯示裝置100之顯示品質。
特別的是，第一層間絕緣層109之第一接觸孔109c係形成小尺寸，致使源極電極111與汲極電極112之間的距離以及其他線路之間的距離係最小化(或能夠減少)藉此容易地實現具有高解析度的有機發光顯示裝置100。此外，第二層間絕緣層119之第二接觸孔119c係形成大於第一接觸孔109c，致使可改進薄膜電晶體TFT的電氣特性。
在此情形中，複數個第一接觸孔109c係形成以連接至第二接觸孔119c，致使可容易地改進在第一源極電極層111a與主動層103之間的電氣接觸特性以及在第一汲極電極層112a與主動層103之間的電氣接觸特性。
第4圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光顯示裝置200 的示意剖面圖。
請參閱第4圖，根據本實施例之有機發光顯示裝置200包含基板201、緩衝層202、第一電極208、薄膜電晶體TFT、中間層240、第二電極250、第一層間絕緣層209、第二層間絕緣層219、電容210以及電源供應線280。
基板201係藉由複數個區域定義，其包含發光區PA、電路區TR以及儲存區ST。
發光區PA係為至少重疊中間層240且從中間層240發出可見光的區域。電路區TR係為一區域，在此區域中係傳送用於在發光區PA中執行操作的各種電性訊號以及安置薄膜電晶體TFT。
薄膜電晶體TFT包含主動層203、閘極電極207、極電極211以及汲極電極212。此外，源極電極211包含第一源極電極層211a與第二源極電極層211b，而汲極電極212包含第一汲極電極層212a與第二汲極電極層212b。
電容210係安置在儲存區ST且包含第一電容電極213與第二電容電極217。
現在將更詳細描述元件之構造。為了說明方便，以下僅描述第1圖與第2圖、第3A圖至第3F圖以及第4圖之間的差異。
緩衝層202係形成在基板201上。緩衝層202係避免或阻隔雜質元素滲透到基板201且平坦化基板201之上方部分。緩衝層202可用具有此功能的各種材料形成。此外，緩衝層202係為不必要的元件，如此根據製程條件可省略不用。
主動層203與第一電容電極213係形成在緩衝層202上。主動層203與第一電容電極213可用相同的材料形成。
閘極絕緣層204係形成在緩衝層202上以覆蓋主動層203與第一電容電極213。
閘極電極207、第一電極208以及第二電容電極217形成在閘極絕緣層204上。
第一電極208包含透光導電性材料，且可用與形成第二電容電極217相同之材料來形成。導電部208a係安置在第一電極208之預設上區域中。導電部208a係以與形成閘極電極207相同之材料形成。
第一層間絕緣層209係形成在第一電極208、閘極電極207以及第二電容電極217上。第一層間絕緣層209可包含各種合適的絕緣材料，例如，無機材料。
第一層間絕緣層209包含第一接觸孔209c。
此外，第一層間絕緣層209係形成以覆蓋第二電容電極217。
此外，第一層間絕緣層209係形成不覆蓋第一電極208之上表面之設定或預設區域。
源極電極211之第一源極電極層211a以及汲極電極212之第一汲極電極層212a係形成對應於第一層間絕緣層209之第一接觸孔209c。
第一源極電極層211a與第一汲極電極層212a係形成以連接至主動層203。
第二層間絕緣層219係形成在第一層間絕緣層209上。第二層間絕緣層219可包含各種合適的絕緣材料，例如，有機材料。
第二層間絕緣層219包含第二接觸孔219c。
第二層間絕緣層219係形成以覆蓋第二電容電極217且不覆蓋第一電極208之上表面之預設區域。
源極電極211之第二源極電極層211b以及汲極電極212之第二汲極電極層212b係形成以對應於第二層間絕緣層219之第二接觸孔219c。
第二源極電極層211b係連接至第一源極電極層211a，而第二汲極電極層212b係連接至第一汲極電極層212a。
源極電極211之第一源極電極層211a係形成小於第二源極電極層211b。更詳細地說，第一層間絕緣層209之第一接觸孔209c係形成小於第二層間絕緣層219之第二接觸孔219c，而第一源極電極層211a係形成以對應於第一接觸孔209c，而第二源極電極層211b係形成以對應於第二接觸孔219c。此外，如先前在第2圖所繪示，複數個第一接觸孔209c係形成以連接至第二接觸孔219c致使複數個第一源極電極層211a係形成以連接至第二源極電極層211b。
汲極電極212之第一汲極電極層212a係形成小於第二汲極電極層212b。更詳細說明，第一層間絕緣層209之第一接觸孔209c係形成小於第二層間絕緣層219之第二接觸孔219c，而第一汲極電極層212a係形成以對應第一接觸孔209c，而第二汲極電極層212b係形成以對應第二接觸孔219c。此外，如先前在第2圖所示，複數個第一接觸孔209c係形成以連接至一第二接觸孔219c致使複數個第一汲極電極層212a係形成以連接至第二汲極電極層212b。
此外，源極電極211與汲極電極212之其中一個係電性連接至第一電極208。在第4圖中，汲極電極212之第二汲極電極層212b係電性連接至第一電極208。詳細地說明，汲極電極212係接觸導電部208a，如此係電性連接至第一電極208。
電源供應線280係形成在第二層間絕緣層219上。電源供應線280係為用於供應電源給有機發光顯示裝置200的配線，藉此在發光區PA中執行發光操作。特別的是，電源供應線280可為電源線。電源供應線280係配置以重疊儲存區ST之電容210。
亦即，因為不需要由電源供應線280形成其中的額外區域，所以可增加有機發光顯示裝置200之開口率，藉此以改進有機發光顯示裝置200之顯示品質。
像素定義層230係形成在第二層間絕緣層219上以覆蓋源極電極211之第二源極電極層211b、汲極電極212之第二汲極電極層212b、以及電源供應線280。像素定義層230係形成不覆蓋第一電極208之上表面之至少一區域。
中間層240係形成在第一電極208上。更詳細地說，中間層240係形成以接觸第一電極208中沒有被像素定義層230覆蓋之上表面。
中間層240包含有機發光層，藉此發出可見光。
第二電極250係形成在中間層240上。
雖然未顯示，封裝構件(圖中未顯示)可形成在第二電極250上。封裝構件可使用有機材料或無機材料來形成。
在根據本實施例之有機發光顯示裝置200中，二個層間複數絕緣層209與219係形成在閘極電極207、第二源極電極層211b以及第二汲極電極層212b之間，致使可有效地避免在閘極電極207、第二源極電極層211b以及第二汲極電極層212b之間發生的短路。如此，可改進在有機發光顯示裝置200之顯示品質中的缺陷，藉此改進有機發光顯示裝置200之顯示品質。
特別的是，第一層間絕緣層209之第一接觸孔209c係形成小尺寸，致使源極電極211與汲極電極212之間的距離以及其他線路之間的距離係最小化(或能夠減少)藉此容易地實現具有高解析度的有機發光顯示裝置200。此外，第二層間絕緣層219之第二接觸孔219c係形成大於第一接觸孔209c，致使可改進薄膜電晶體TFT的電氣特性。
在此情形中，複數個第一接觸孔209c係形成以連接至第二接觸孔219c，致使可容易地改進在第一源極電極層211a與主動層203之間的電氣接觸特性以及在第一汲極電極層212a與主動層203之間的電氣接觸特性。
電源供應線280係形成在第二層間絕緣層219上以重疊電容210，致使不需要供電源供應線280形成於其中的額外空間，而可容易地改進有機發光顯示裝置200之開口率，如此可改進有機發光顯示裝置200之顯示品質。
第5圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光顯示裝置300 的示意剖面圖。
請參閱第5圖，根據本實施例之有機發光顯示裝置300包含基板301、緩衝層302、第一電極308、薄膜電晶體TFT、中間層340、第二電極350、第一層間絕緣層309、第二層間絕緣層319、電容310、電源供應線380以及數據線390。
基板301係由複數個區域所定義，其包含發光區PA、電路區TR以及儲存區ST。
發光區PA係為至少重疊中間層340且從中間層340發出可見光的區域。電路區TR係為一區域，在此區域中係傳送用於在發光區PA中執行操作的各種電性訊號以及安置薄膜電晶體TFT。
薄膜電晶體TFT包含主動層303、閘極電極307、極電極311以及汲極電極312。此外，源極電極311包含第一源極電極層311a與第二源極電極層311b，而汲極電極312包含第一汲極電極層312a與第二汲極電極層312b。
電容310係安置在儲存區ST中。電容 310 包含第一電容電極313與第二電容電極317。
現在將更詳細描述元件之構造。為了說明方便，以下僅描述第1圖與第2圖、第3A圖至第3F圖、第4圖以及第5圖之間的差異。
緩衝層302係形成在基板301上。緩衝層302係避免或阻隔雜質元素滲透到基板301且平坦化基板301之上方部分。緩衝層302可用具有此功能的各種合適的材料形成。此外，緩衝層302係為不必要的元件，如此根據製程條件可省略不用。
主動層303與第一電容電極313係形成在緩衝層302上。主動層303與第一電容電極313可用相同的材料形成。
閘極絕緣層304係形成在緩衝層302上以覆蓋主動層303與第一電容電極313。
閘極電極307、第一電極308以及第二電容電極317係形成在閘極絕緣層304上。
第一電極308包含透光導電性材料，且可用與形成第二電容電極317相同之材料來形成。導電部308a係安置在第一電極308之設定或預設上區域中。導電部308a係以與形成閘極電極307相同之材料形成。
第一層間絕緣層309係形成在第一電極308、閘極電極307以及第二電容電極317上。第一層間絕緣層309可包含各種絕緣材料，例如，無機材料。
第一層間絕緣層309包含第一接觸孔309c。
此外，第一層間絕緣層309係形成以覆蓋第二電容電極317。
此外，第一層間絕緣層309係形成不覆蓋第一電極308之上表面之設定或預設區域。
源極電極311之第一源極電極層311a以及汲極電極312之第一汲極電極層312a係形成以對應於第一層間絕緣層309之第一接觸孔309c。
第一源極電極層311a與第一汲極電極層312a係形成以連接至主動層303。
此外，電源供應線380係形成在第一層間絕緣層309上。電源供應線380係為用於供應電源給有機發光顯示裝置300的配線，藉此在發光區PA中執行發光操作。特別的是，電源供應線380可為電源線。電源供應線380係重疊儲存區ST之電容310。
亦即，因為不需要供電源供應線380形成其中的額外區域，所以可增加有機發光顯示裝置300之開口率，以改進有機發光顯示裝置300之顯示品質。
第二層間絕緣層319係形成在第一層間絕緣層309上。第二層間絕緣層319可包含各種合適的絕緣材料，例如，有機材料。
第二層間絕緣層319包含第二接觸孔319c。
第二層間絕緣層319係形成以覆蓋電源供應線380而不覆蓋第一電極308之上表面之設定或預設區域。
源極電極311之第二源極電極層311b以及汲極電極312之第二汲極電極層312b係形成以對應於第二層間絕緣層319之第二接觸孔319c。
第二源極電極層311b係連接至第一源極電極層311a，而第二汲極電極層312b係連接至第一汲極電極層312a。
源極電極311之第一源極電極層311a係形成小於第二源極電極層311b。更詳細地說，第一層間絕緣層309之第一接觸孔309c係形成小於第二層間絕緣層319之第二接觸孔319c，而第一源極電極層311a係形成對應於第一接觸孔309c，而第二源極電極層311b係形成對應於第二接觸孔319c。此外，如先前在第2圖所繪示，複數個第一接觸孔309c係形成以連接至第二接觸孔319c致使複數個第一源極電極層311a係形成以連接至第二源極電極層311b。
汲極電極312之第一汲極電極層312a係形成小於第二汲極電極層312b。更詳細地說，第一層間絕緣層309之第一接觸孔309c係形成小於第二層間絕緣層319之第二接觸孔319c，而第一汲極電極層312a係形成對應於第一接觸孔309c，而第二汲極電極層312b係形成對應於第二接觸孔319c。此外，如先前在第2圖所繪示，複數個第一接觸孔309c係形成以連接至第二接觸孔319c致使複數個第一汲極電極層312a係形成以連接至第二汲極電極層312b。
此外，源極電極311與汲極電極312之其中一個係電性連接至第一電極308。在第5圖中，汲極電極312之第二汲極電極層312b係電性連接至第一電極308。詳細地說明，汲極電極312係接觸導電部308a，如此係電性連接至第一電極308。
數據線390係形成在第二層間絕緣層319上。數據線390係傳送從數據驅動單元（圖中未顯示）輸出的數據訊號到發光區PA。數據線390係重疊儲存區ST之電容310。此外，數據線390係重疊電源供應線380。
在第5圖中，數據線390包含第一數據線391、第二數據線392以及第三數據線393。數據線390係對應一個像素。第一數據線391、第二數據線392以及第三數據線393係對應於安置在一個像素中的複數個子像素。
然而，本發明的態樣不因此受限制，而對應於一子像素的數據線可形成對應於電容310與電源供應線380。
此外，在另一可選擇之實施例中，數據線390可形成在第一層間絕緣層309上，而電源供應線380可形成在第二層間絕緣層319上。
像素定義層330係形成在第二層間絕緣層319上以覆蓋源極電極311之第二源極電極層311b、汲極電極312之第二汲極電極層312b以及數據線390。像素定義層330係形成不覆蓋第一電極308之上表面之至少一區域。
中間層340係形成在第一電極308上。更詳細地說，中間層340係形成以接觸第一電極308中沒有被像素定義層330覆蓋之上表面。
中間層340包含有機發光層以發出可見光。
第二電極350係形成在中間層340上。
雖然未顯示，封裝構件圖中可形成在第二電極350上。封裝構件可使用有機材料或無機材料來形成。
在第5圖繪示之有機發光顯示裝置300中，二個層間複數絕緣層309與319係形成在閘極電極307、第二源極電極層311b以及第二汲極電極層312b之間，致使可有效地避免在閘極電極307、第二源極電極層311b以及第二汲極電極層312b之間發生的短路。如此，可改進有機發光顯示裝置300之顯示品質中的缺陷，致使可改進有機發光顯示裝置300之顯示品質。
特別的是，第一層間絕緣層309之第一接觸孔309c係形成小尺寸，致使源極電極311與汲極電極312之間的距離以及其他線路之間的距離係最小化(或能夠減少)藉此容易地實現具有高解析度的有機發光顯示裝置300。此外，第二層間絕緣層319之第二接觸孔319c係形成大於第一接觸孔309c，致使可改進薄膜電晶體TFT的電氣特性。
在此情形中，複數個第一接觸孔309c係形成以連接至第二接觸孔319c，致使可容易地改進第一源極電極層311a與主動層303之間的電氣接觸特性以及在第一汲極電極層312a與主動層303之間的電氣接觸特性。
電源供應線380係形成在第一層間絕緣層309上以重疊電容310，致使不需要供電源供應線380形成其中的額外空間，致使可容易地改進有機發光顯示裝置300之開口率，藉此以改進有機發光顯示裝置300之顯示品質。
此外，數據線390係形成在第二層間絕緣層319上以重疊電容310，致使不需要供數據線390形成其中的額外空間，致使可容易地改進有機發光顯示裝置300比率之開口率，藉此以改進有機發光顯示裝置300之顯示品質。特別的是，數據線390係重疊電容310與電源供應線380，致使可顯著地改進有機發光顯示裝置300之顯示品質。
如上所述，在根據一個或更多本發明之實施例之有機發光顯示裝置以及製造有機發光顯示裝置的方法中，可容易地改進有機發光顯示裝置之顯示品質。
本發明已參考其例示性實施例而特別地顯示及描述，此技術領域中的通常知識者將理解的是在未脫離下列的申請專利範圍與其等效範圍所定義之精神與範籌下形式與細節上的各種改變皆為可行。
100．．．有機發光顯示裝置
101．．．基板
102．．．緩衝層
103．．．主動層
104．．．閘極絕緣層
105．．．第一導電層
106．．．第二導電層
107．．．閘極電極
108．．．第一電極
108a．．．導電部
109．．．第一層間絕緣層
109a、119a．．．開口
109c．．．第一接觸孔
110．．．電容
111．．．源極電極
111a．．．第一源極電極層
111b．．．第二源極電極層
112．．．汲極電極
112a．．．第一汲極電極層
112b．．．第二汲極電極層
113．．．第一電容電極
117．．．第二電容電極
119．．．第二層間絕緣層
119c．．．第二接觸孔
130．．．像素定義層
140．．．中間層
150．．．第二電極
TFT．．．薄膜電晶體
A．．．部分
PA．．．發光區
TR．．．電路區
ST．．．儲存區
X、Z．．．方向

Claims (26)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含﹕
    一基板；
    一主動層，係在該基板上；
    一閘極電極，係與該主動層隔離且重疊該主動層；
    一源極電極，係包含連接至該主動層的一第一源極電極層以及連接至該第一源極電極層的一第二源極電極層，而該第二源極電極層係大於該第一源極電極層；
    一汲極電極，係包含連接至該主動層的一第一汲極電極層以及連接至該第一汲極電極層的一第二汲極電極層，而該第二汲極電極層係大於該第一汲極電極層；
    一第一電極，係電性連接至該源極電極或該汲極電極；
    一中間層，係在該第一電極上而包含一有機發光層；以及
    一第二電極，在該中間層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含﹕
    一第一層間絕緣層，係在該閘極電極上且包含一第一接觸孔；以及
    一第二層間絕緣層，係在該第一層間絕緣層上且包含一第二接觸孔。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一源極電極層與該第一汲極電極層係形成以對應於該第一接觸孔，以及
    該第二源極電極層與該第二汲極電極層係形成以對應於該第二接觸孔。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一接觸孔具有小於該第二接觸孔的尺寸。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個第一接觸孔係形成以連接至該相同的該第二接觸孔。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一層間絕緣層包含無機材料，而該第二層間絕緣層包含有機材料。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二層間絕緣層之一上表面係平坦。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含﹕
    一儲存區，係定義在該基板上，以及
    一電容，係在該儲存區中並包含一第一電容電極以及一第二電容電極。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含﹕
    一第一層間絕緣層，係在該閘極電極上；以及
    一第二層間絕緣層，係在該第一層間絕緣層上，其中每一該第一層間絕緣層與該第二層間絕緣層係包含對應於該電容的一開口。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含形成在該電容上方以重疊電容的一電源供應線。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中至少一絕緣層係安置在該電容與該電源供應線之間。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含﹕
    一第一層間絕緣層，係在該閘極電極上；以及
    一第二層間絕緣層，係在該第一層間絕緣層上，其中該第一層間絕緣層與該第二層間絕緣層係安置在該電容與該電源供應線之間。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含形成在該電容上方以重疊該電容的一數據線。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示裝置，其中至少一絕緣層係安置在該電容與該數據線之間。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含﹕
    一第一層間絕緣層，係在該閘極電極上；以及
    一第二層間絕緣層，係在該第一層間絕緣層上，其中該第一層間絕緣層與該第二層間絕緣層係安置在該電容與該數據線之間。
  16. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含﹕
    一電源供應線與一數據線，係形成在該電容上方以重疊該電容，其中該電源供應線與該數據線係形成不同層藉此彼此重疊。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含﹕
    一第一層間絕緣層，係在該閘極電極上；以及
    一第二層間絕緣層，係在該第一層間絕緣層上，其中該電源供應線係在該第一層間絕緣層上，而該數據線係在該第二層間絕緣層上。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含﹕
    一第一層間絕緣層，係在該閘極電極上；以及
    一第二層間絕緣層，係在該第一層間絕緣層上，其中該數據線係在該第一層間絕緣層上，而該電源供應線係在該第二層間絕緣層上。
  19. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電容電極係在與該主動層相同之層上，以及該第二電容電極係在與該閘極電極相同之層上。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋁鋅。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極係在與該閘極電極相同之層上。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該閘極電極包含一第一導電層以及在該第一導電層上的一第二導電層，以及該第一電極係使用與形成該第一導電層相同之材料而形成在與該第一導電層相同之層上。
  23. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包含﹕
    形成一主動層在一基板上；
    形成與該主動層隔離且重疊該主動層的一閘極電極；形成包含連接至該主動層的一第一源極電極層以及連接至該第一源極電極層的一第二源極電極層的一源極電極，而該第二源極電極係大於該第一源極電極層；
    形成包含連接至該主動層的一第一汲極電極層以及連接至該第一汲極電極層的一第二汲極電極層的一汲極電極，而該第二汲極電極層係大於該第一汲極電極層；
    形成電性連接至該源極電極或該汲極電極的一第一電極；
    形成在該第一電極上而包含一有機發光層的一中間層；以及
    在該中間層上形成一第二電極。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，進一步包含﹕
    在該閘極電極上形成一第一層間絕緣層，其中該第一層間絕緣層包含一第一接觸孔；以及
    在該第一層間絕緣層上形成一第二層間絕緣層，其中該第二層間絕緣層包含一第二接觸孔。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中，每一該源極電極之該形成以及該汲極電極之該形成包含形成該第一源極電極層以及該第一汲極電極層藉此以對應於該第一接觸孔，以及形成該第二源極電極層以及該第二汲極電極層藉此以對應於該第二接觸孔。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中，每一該源極電極之該形成以及該汲極電極之該形成包含在該第一層間絕緣層之該形成與該第二層間絕緣層之該形成之後，同時形成該第一源極電極層、該第一汲極電極層、該第二源極電極層以及該第二汲極電極層。
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