TW201350007A - 熱消散特徵,併入有熱消散特徵之電子器件及製造熱消散特徵之方法 - Google Patents
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Abstract
併入有熱消散特徵之電子器件包括一罩殼及定位於該罩殼內之至少一發熱組件。該熱消散特徵充分耦接至該至少一發熱組件以促進自該發熱組件之熱傳導。該熱消散特徵包括曝露在罩殼外部之複數個突起。熱絕緣材料可安置於該等突起中之至少一些突起的至少一尖端部分上。該熱絕緣材料經選擇以提供低於預定臨限值之觸摸溫度。在一些情況下,熱絕緣材料可藉由選擇材料來提供此觸摸溫度,該材料包括熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質使得乘積k*ρ*Cp產生小於人皮膚之k*ρ*Cp乘積的值。
Description
本文中所揭示之各種特徵大體上係關於電子器件,且至少一些特徵係關於用於促進電子器件之熱消散的器件及方法。
隨著手持式及攜帶型電子器件在能力及功能性方面的提高,器件內之電子元件必須提供改良之計算效能位準。為了達成此等較高之計算效能位準,此等電子器件必須以熱之形式消散增加之量的能量。歸因於典型器件之緊湊大小,此能量可快速加熱器件,從而引起正觸摸器件(例如,用手、臉、身體)之使用者的不適或甚至造成傷害。
人皮膚可對由器件表面消散之熱敏感。習知地,電子熱管理系統使用多個溫度感測器來監視及管理器件之整體溫度。當溫度變得過大時,軟體及/或硬體可藉由減小積體電路之計算效能來限制(例如,減緩)器件之整體效能。由於人皮膚對由器件表面消散之熱的敏感性,所以一旦罩殼之溫度達到約45℃,熱管理通常便開始限制器件(處理器)效能。此限制可變成對效能的主要限制因素。舉例而言,圖形或視訊之圖框速率可受到限制,應用程式之計算速度及/或回應性可受到限制,等。
熱管理之另一習知解決方案涉及風扇強制通風主動冷卻以改良傳熱,但此選項在實用性方面受限制且為昂貴的。風扇強制通風冷卻系統可引起用以賦能強制通風的增加之電力消耗,且亦可增加器件外殼之大小、噪音及可靠性。空氣冷卻亦受到許多攜帶型電子器件之小外觀尺寸的限制。
各種特徵促進諸如攜帶型電子器件之電子器件中的熱消散。一個態樣提供包括一罩殼及定位於該罩殼內之至少一發熱組件的電子器件。熱消散特徵被熱耦接至該一或多個發熱組件以促進自該發熱組件之熱傳導。該熱消散組件包括曝露在罩殼外部之複數個突起及一安置於該複數個突起中之至少一些突起的至少一尖端部分上的熱絕緣材料。該熱絕緣材料可經選擇以提供低於預定臨限值之觸摸溫度。
根據至少一進一步態樣,提供熱消散特徵,其經調適以供在電子器件中使用。此等熱消散特徵可包括一經調適以促進自發熱組件之熱傳導的基座。複數個突起可自基座延伸,其中該等突起經調適成曝露在電子器件之罩殼外部。熱絕緣材料可安置於該複數個突起中之至少一些突起的至少一尖端部分上。該熱絕緣材料可經選擇以包含熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質的各別值,使得此等值之乘積(k*ρ*Cp)小於人皮膚之相同性質之值的乘積k*ρ*Cp。
在又進一步態樣中,包括製造電子器件之方法。根據至少一實例,此等方法可包括形成一基座及自該基座延伸之複數個突起。可將熱絕緣材料安置於該等突起中之至少一些突起的至少一尖端部分上。該熱絕緣材料可包含熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質的各別值,使得此等值之乘積(k*ρ*Cp)小於人皮膚之相同性質之值的乘積k*ρ*Cp。基座可相對於至少一發熱組件而安置以便促進自該發熱組件至該基座及該複數個突起的熱傳導。
根據進一步態樣,提供電子器件,其中該等電子器件包括用於進行自定位於罩殼內之發熱組件至罩殼之外部環境的熱傳導的構件。亦包括用於提供低於預定臨限值之觸摸溫度的構件。
100‧‧‧電子器件
102‧‧‧罩殼
104‧‧‧熱消散特徵
104a‧‧‧熱消散特徵
104b‧‧‧熱消散特徵
104c‧‧‧熱消散特徵
106‧‧‧外部表面
202‧‧‧發熱組件
204‧‧‧突起
206‧‧‧孔隙
208‧‧‧基座
210‧‧‧凹陷區
214‧‧‧熱絕緣材料
702‧‧‧封裝
802‧‧‧行動電話
804‧‧‧攜帶型電腦
806‧‧‧固定位置遠端單元
808‧‧‧中繼器件
A-A‧‧‧剖面
圖1說明根據至少一實例之電子器件之等角視圖。
圖2說明根據一實例之在圖1中之剖面A-A處截取的橫截面正視圖,其中熱消散特徵經由罩殼中之孔隙而被曝露。
圖3說明根據一實例之在圖1中之剖面A-A處截取的橫截面正視圖,其中熱消散特徵與罩殼形成一體。
圖4為根據至少一實例之熱消散特徵的放大等角視圖,該熱消散特徵包括延伸跨越該熱消散特徵之長度的突起。
圖5為根據至少一實例之熱消散特徵的放大等角視圖,該熱消散特徵包括經組態為支柱的突起。
圖6為說明一種製造包括熱消散特徵之電子器件之方法之至少一實例的流程圖。
圖7說明根據一實例之在圖1中之剖面A-A處截取的橫截面正視圖,其中熱消散特徵與組件封裝形成一體。
圖8為說明電子器件之一些非限制性實例的方塊圖。
在一些情況下,本文中所呈現之說明並非任何特定突起、熱消散特徵或電子器件之實際視圖,而是僅為用以描述關於本發明之各種態樣的理想化表示。另外,諸圖所共有的元件可保持相同之數字指定。
呈現了包括熱消散特徵之電子器件,其中該熱消散特徵經調適以促進自一位於電子器件之罩殼內的發熱組件至罩殼之外部環境的熱
傳導。該熱消散特徵包括一熱絕緣材料,其安置於複數個突起之表面上以保護電子器件之使用者免遭可由熱消散特徵(其被曝露至位於罩殼外部之環境)之溫度引起的不適及/或傷害。該熱絕緣材料經選擇以提供低於預定臨限值之觸摸溫度。在一些情況下,熱絕緣材料可藉由將該材料選擇為包括熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質使得乘積k*ρ*Cp產生小於人皮膚之乘積k*ρ*Cp的值來提供此觸摸溫度。
本發明之各種態樣包括經調適以促進自內部組件至電子器件之外部區域的傳熱的電子器件。參看圖1,展示根據至少一實例之電子器件100之等角視圖。如所說明,電子器件100包括罩殼102及熱消散特徵104。
根據至少一特徵,電子器件100可經調適以達成可攜性。亦即,雖然電子器件亦可根據各種實施例為至少實質上固定的,但電子器件100可為攜帶型及/或手持式電子器件。圖8為說明電子器件之一些實例的方塊圖。在圖8中,將電子器件展示為無線區域迴路系統中之行動電話802、攜帶型電腦804及固定位置遠端單元806。如所示,該等電子器件可直接地抑或借助於一或多個中繼器件808而彼此通信。再次參看圖1,藉由實例且非限制,電子器件100可經實施為行動電話、智慧型手機、會話起始協定(SIP)電話、膝上型電腦、筆記型電腦、迷你筆記型電腦、智慧筆記型電腦、輕量級筆記型電腦、平板電腦、電子書閱讀器、個人數位助理(PDA)、全球定位系統(GPS)器件、導航器件、多媒體器件、視訊器件、音樂播放器、娛樂單元、機上盒、固定位置資料單元(諸如儀錶讀取設備)、相機、遊戲機或可在使用時與使用者皮膚接觸的任何其他電子器件。雖然本文中說明及/或描述電子器件之各種實例,但本發明並不限於此等實例。本發明之態樣可合適地用於經調適以在使用期間與使用者皮膚接觸的任何電子器件
中。電子器件100亦可包括未展示之其他特徵,諸如使用者介面(例如,觸控螢幕、顯示器、鍵盤、滑鼠)、用於連接一或多個輸入器件之輸入介面、用於連接一或多個輸出器件之輸出介面,等。
罩殼102經設定大小及經塑形以收容電子器件100之一或多個電子組件。例如,罩殼102可經組態以至少實質上包圍一或多個電子組件。罩殼102可由複數種合適材料中之任一者或材料之組合形成。舉例而言,罩殼102可由金屬或金屬合金、聚合物、玻璃以及任何其他合適之材料或材料之任何組合形成。
亦可表徵為熱消散組件之熱消散特徵104可安置於罩殼102之一或多個不同側上。熱消散特徵104可經安置以形成罩殼102之整個表面(例如,與顯示器相反之背側的整個表面、整個側表面,等),或熱消散特徵104可安置於罩殼102之表面的僅一部分處。熱消散特徵104之特定大小及形狀可根據特定實施及變化之設計要求而變化。
一般而言,一或多個熱消散特徵104被曝露於罩殼102之外部表面106處。在至少一些實例中,熱消散特徵104之至少一部分可經由形成於罩殼102之一部分中的孔隙(例如,圖2中之孔隙206)而曝露。在一或多個其他實例中,熱消散特徵104可與罩殼一體式形成且曝露於罩殼之外部表面106處。
轉至圖2,展示根據至少一實例之在圖1中之剖面A-A處截取的橫截面正視圖,其中熱消散特徵104a經由罩殼102中之孔隙206而曝露。如所說明,罩殼102為不同於熱消散特徵104a之結構。在一些實例中,熱消散特徵104a可鄰接至罩殼102,其中複數個突起204經由孔隙206而被曝露。在其他實例中,熱消散特徵104a可經定位成最接近罩殼102,而未必接觸到罩殼。在此等情況下,一或多個額外結構可定位於熱消散特徵104a與罩殼102之間,只要複數個突起204經由孔隙206而被曝露便可。
轉至圖3,展示根據至少一實例之在圖1中之剖面A-A處截取的橫截面正視圖,其中熱消散特徵104b與罩殼102形成一體。如所說明,熱消散特徵104b可與罩殼102一體式形成且被曝露至外部環境。
轉至圖7,展示根據至少一實例之在圖1中之剖面A-A處截取的橫截面正視圖,其中熱消散特徵104c與發熱組件202之封裝702形成一體。如所說明,熱消散特徵104c可與發熱組件202之封裝702一體式地併入在一起。在此等實例中,包括熱消散特徵104c之封裝702可經由罩殼之孔隙而被曝露(例如,如圖2中所說明),或封裝702可經形成為與罩殼形成一體(例如,如圖3中所說明)。
參看圖2、圖3及圖7,將描述關於本發明之熱消散特徵104之一或多個實例的各種特徵,其中熱消散特徵104可包含104a、104b及/或104c之結構,但其不限於此。熱消散特徵104經組態以促進自位於罩殼102內部之一或多個發熱組件202至罩殼102之外部環境的熱傳導,其中此熱能可至少藉由對流而消散至外部環境。在一些實例中,熱消散特徵104可經組態為散熱片。
如圖2、圖3及圖7中所說明,熱消散特徵104與發熱組件202熱耦接。如本文中所使用,術語「熱耦接」指代促進自發熱組件202至熱消散特徵104之傳熱的耦接(例如,機械方式或其他方式)。發熱組件202可包括位於罩殼102內之產生熱的任何電子及/或機械組件。在至少一些實例中,發熱組件202可為一或多個積體電路,諸如中央處理單元(CPU)及/或圖形處理單元(GPU)。在其他實例中,發熱組件202可為一或多個類比組件,諸如功率放大器、功率轉換器、熱電帕耳帖器件及/或光子發射源。雖然所說明之實例展示具有比熱消散特徵104小之佔據面積的發熱組件202,但其他實例可使用具有等於或大於熱消散特徵104之佔據面積之佔據面積的發熱組件。
一般而言,熱消散特徵104充分耦接至發熱組件202以促進自發
熱組件202之熱傳導。在一些實例中,熱消散特徵104藉由被定位成鄰近於發熱組件202而熱耦接至發熱組件202。在其他實例中,發熱組件202藉由自熱消散特徵104橫向偏移(未圖示)且經由導熱條、薄片、管及/或某一其他合適構件加以耦接而熱耦接至熱消散特徵104。在再其他實例中,熱消散特徵104(例如,熱消散特徵104c)藉由經形成為與組件封裝形成一體而熱耦接至發熱組件202。在其他實例(未圖示)中,熱消散特徵104藉由與定位於熱消散特徵104與發熱組件202之間的一或多個其他導熱元件定位在一起而熱耦接至發熱組件202。在一個此實例中,發熱組件可包含一包括作用中面(亦即,第一側)及基板(亦即,相反之第二側)的倒裝晶片,其中該基板耦接至熱消散特徵104。此倒裝晶片之作用中面可自己產生熱及/或可歸因於其曝露至經由第二積體電路(其耦接至倒裝晶片之作用中面)所消散之熱而受熱。在此實例中,倒裝晶片(亦即,發熱組件202)可經由基板而熱耦接至熱消散特徵104,該基板可包括安置於其中之導熱介層孔。在所有該等各種實例中,來自發熱組件202之熱自發熱組件202傳導至熱消散特徵104。在任何或所有實例中,可在發熱組件202與熱消散特徵104之間或鄰近於發熱組件202及熱消散特徵104處應用其他功能元件(諸如RF屏蔽、保形塗層及/或溫度感測器)。
如圖2、圖3及圖7中所示,熱消散特徵104包括複數個突起204,該等突起204耦接至基座208,且大體上延伸遠離發熱組件202。突起204曝露在罩殼102外部以增加在罩殼102之外部表面106處的表面積。亦即,突起204被曝露至罩殼102之外部環境,且大體上形成罩殼102之外部表面106的至少一部分。如在圖2中之實例中所示,熱消散特徵104可經由形成於罩殼102中之孔隙206而曝露。在其他實例中(諸如圖3中所示之實例),熱消散特徵104可與罩殼102一體式形成且曝露至外部環境。
突起204中之每一者可由自基座208延伸之複數個翼片(亦可藉由元件204識別)形成,該基座208與發熱組件202傳導性地耦接以促進自發熱組件202之熱傳導。突起204中之每一者藉由位於該複數個突起中之每一者之間的複數個凹陷區210而與其他突起204分離。
突起204可包含複數個大小及形狀中之任一者。例如,突起204可經形成而具有矩形橫截面(如所示)、三角形橫截面、卵形橫截面或其他橫截面形狀以及不同形狀之組合。類似地,凹陷區210可經形成而具有複數個橫截面形狀中之任一者,諸如矩形(如所示)、三角形、卵形或其他形狀以及不同形狀之組合。根據至少一些實例,突起204可經形成以延伸跨越整個熱消散特徵104。例如,圖4為熱消散特徵104之放大等角視圖,其展示延伸跨越熱消散特徵104之長度‘L’的突起204。在其他實例中,突起204可經形成而僅在熱消散特徵104之寬度的一部分上延伸。例如,圖5說明熱消散特徵104之放大等角視圖,該熱消散特徵104包括經組態為支柱(或接針)之突起204。根據各種實例中,經實施為支柱之突起204可經組態而具有多種形狀中之任一者,包括圓形支柱(如所示)、正方形支柱、矩形支柱、角錐形支柱、橢圓形支柱等以及不同形狀之支柱的任一組合。
再次參看圖2、圖3及圖7,在至少一些實例中,突起204可經組態以延伸大約等於罩殼102。例如,在各種實例中,突起204經設定大小及經塑形以延伸等於罩殼102之外部表面的距離。在其他實例中,突起204可經組態以延伸小於罩殼102之外部表面的距離。舉例而言,突起204可經設定大小及經塑形以被壓低為低於罩殼102之外部表面,使得與使用者皮膚接觸很少或不接觸使用者皮膚。在再其他實例中,突起204可經組態以突出超越罩殼102之外部表面。在又進一步實例中,突起204可經組態以延伸不同距離,使得一些突起204延伸比其他突起204遠的距離。換言之,熱消散特徵104可經形成而具有至少一些
較長突起204及至少一些較短突起204。根據至少一特徵,突起204可大體上經設定大小及經塑形,使得熱消散特徵104不顯著地增加罩殼102之大小(例如,厚度)且可與相對小(例如,薄)的罩殼102一起實施。
根據一特徵,熱消散特徵104進一步包括一安置於複數個突起204中之至少一些突起之至少一尖端部分上的熱絕緣材料214。一般而言,熱絕緣材料214為經選擇以保護電子器件100之使用者免遭可由熱消散特徵104(其曝露至罩殼102之外部環境)之相對高的溫度引起之不適及/或傷害(例如,灼傷)的材料。因此,熱絕緣材料214定位於可與使用者皮膚接觸的至少該一或多個表面上,該表面大體上在本文中被稱作突起204之尖端部分。因此,熱絕緣材料214可安置於突起204之至少一相對小的表面上。突起204之包括尖端部分的該部分可取決於突起204之特定定向(例如,水平及/或垂直定向)而變化。
突起204之未安置有熱絕緣材料214的該等部分可包括足夠小以保護使用者免於曝露至熱消散特徵104之相對高溫的區域。突起240之至少實質上不含熱絕緣材料214的彼等區域(例如,突起204之側表面)可促進熱消散至外部環境。
在突起204經組態以延伸不同長度(一些較長突起204及一些較短突起204)的實例中,熱絕緣材料214可安置於延伸一足夠長度而有些接觸到使用者皮膚的彼等突起204之至少尖端部分上。然而,延伸較短長度使得較短突起204將不與使用者皮膚接觸的突起204可不具有安置於其上之任何熱絕緣材料214。在一些實例中,熱絕緣材料214亦可安置於罩殼102之外部表面的一或多個部分之上。
用於本發明之各種實例中的熱絕緣材料214可經選擇以提供等於或低於某一預定臨限值的觸摸溫度。在至少一些實例中,預定臨限值可為約45℃。在其他實例中,預定臨限值可為小於或等於約60℃之溫
度。此預定臨限值可與自電子器件100之一或多個發熱組件202的預定義功率消散值相關聯及/或用於熱消散特徵104之外部表面106處的給定溫度。舉例而言,熱絕緣材料214可經選擇以在熱消散特徵104之外部表面106處的溫度落在自約175℃起及以下的範圍中(例如,在約0℃與約175℃之間)時提供等於或低於預定臨限值之觸摸溫度。
觸摸溫度指代由使用者皮膚感覺到的實際溫度,而非在熱消散特徵104之外部表面處量測的溫度。可在數學上藉由以下方程式來描述觸摸溫度(T(touch)或Ttouch):
方程式之由k*ρ*Cp表達的部分表示被相乘在一起之熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之值。
變數(k*ρ*Cp)skin指代人皮膚之k*ρ*Cp之值。根據至少一實例,人皮膚可表徵為具有約0.2W/(m*K)之熱導率(k)、約1,000kg/m3之密度(ρ)及約2,500J/(kg*K)之比熱(Cp)。因此,人皮膚之乘積k*ρ*Cp為約500,000(J*W)/(m4*K2)。
變數T(skin)(或Tskin)指代人皮膚之溫度。對於至少一些實例而言,此溫度可表徵為約36.6℃。
變數(k*ρ*Cp)insulation指代熱絕緣材料214之k*ρ*Cp之值。
變數T(surface)(或Tsurface)指代熱消散特徵104之外部表面106處的溫度。此溫度常常為發熱組件202之接面溫度的結果(由於發熱組件202之功率消散)。因此,可根據電子器件100之各種設計約束來計算及/或量測此溫度。根據以上方程式,觸摸溫度可產生低於熱消散特徵104之外部表面處之量測溫度(Tsurface)的值。
在一些實例中,可藉由選擇具有熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質且該等熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質在被相乘在一起(k*ρ*Cp)時產生小於人皮膚之相同乘積之值的熱絕緣材料214來實現獲得處於或低於預定臨限值的觸摸溫度。如上文所提及,人皮膚之乘積k*ρ*Cp可經判定為約500,000(J*W)/(m4*K2)。熱絕緣材料214可因此經選擇以包含小於約500,000(J*W)/(m4*K2)之k*ρ*Cp之值。
藉由實例且非限制,熱絕緣材料214可包含聚矽氧橡膠、聚丙烯、高密度聚乙烯、聚胺基甲酸酯及微孔聚合物發泡體。根據至少一些實例,熱絕緣材料214可大體上為輕型及絕緣材料。
習知電子器件不包括如本文中所描述之熱消散特徵。實情為,大多數習知電子器件之罩殼僅包括相對平坦之表面。由於內部電子組件消散熱,所以習知罩殼通常變熱,且可能需要控制一或多個內部電子組件之接面溫度以避免對內部電子組件造成損害及/或避免使使用者皮膚不適或受傷。在此等習知電子器件中,罩殼之外部表面處的熱係主要藉由對流式傳熱而消散,且因此受罩殼之表面積的限制。藉由使用熱消散特徵104,突起204增加罩殼102之外部表面106處的表面積,從而導致改良之熱消散。
例如,在一實例中,已發現具有在特定功率位準下操作之內部組件使得該內部組件消散3瓦特(W)功率的習知電子器件具有攝氏64.1度(℃)之接面溫度及在器件罩殼之外部表面處62.4℃的溫度(在外部表面處之自然對流的狀況下)。藉由併入有根據本發明之態樣的熱消散特徵104,在相同功率位準下操作之經類似組態的內部組件(其中其消散3瓦特)被發現產生僅44.3℃之接面溫度及在罩殼102之熱消散特徵104之外部表面106處43.6℃的溫度(在自然對流的狀況下)。如由此實例所示,接面溫度被顯著降低,從而使得發熱組件202能夠消散更大量的功率,且外部表面處的溫度亦顯著降低。
此改良之熱消散使得發熱組件202能夠更有效地且在較高功率位準下操作,但未必會保護使用者皮膚免遭不適及/或傷害(例如,灼傷)。因此,對熱絕緣材料214之選擇可產生對使用者之甚至進一步保護,且可使得發熱組件能夠消散顯著更大量的功率而不會對使用者皮膚造成不適及/或傷害。
在至少一實例中,熱絕緣材料214為具有約3,005(J*W)/(m4*K2)之k*ρ*Cp之值的玻璃纖維材料。藉由將此值代入至以上之觸摸溫度方程式中,觸摸溫度等於約Tskin *0.928+Tsurface *0.072。如在上文針對消散約3瓦特之發熱組件202而陳述的實例中所提及,熱消散特徵104之外部表面106經量測為處於43.6℃。此外,人皮膚之溫度可經估計為處於約36.6℃。將此等值用於本實例中,所得觸摸溫度為約37.1℃。因此,雖然熱消散特徵104之外部表面106處的量測溫度為43.6℃,但由使用者皮膚感覺到的溫度僅為約37.1℃。另外,接面溫度之顯著增加(導致外部表面106處之溫度的增加)將對觸摸溫度僅具有小的影響。例如,外部表面106處之溫度增加至100℃將僅使觸摸溫度增加至約41.2℃。在預定臨限值為45℃的實例中,約41.2℃之觸摸溫度仍在該預定臨限值內。因此,電子器件100可使用高效能內部組件而不超過45℃之臨限值,該等高效能內部組件使用顯著量之功率且消散足夠熱而將熱消散特徵104之外部表面106處的溫度增加至高達100℃的溫度。
一般熟習此項技術者將顯而易見,將熱絕緣材料214選擇為僅具有低的熱導率值的材料不足以顯著降低觸摸溫度。例如,水泥石膏材料可展現僅0.7W/(m*K)之相對低的熱導率,但水泥石膏的乘積k*ρ*Cp為約1.456 x 106(J*W)/(m4*K2)。將此值用於先前實例之觸摸溫度的方程式中會產生約41℃之觸摸溫度,其為自外部表面106處之43.6℃之量測溫度的相對小的減小。此外,外部表面106處之溫度增
加至100℃會導致觸摸溫度增加至約76.6℃,此可對使用者皮膚造成顯著不適及/或傷害。
根據另一特徵,藉由根據熱絕緣材料214之熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)性質的值來選擇熱絕緣材料214,熱絕緣材料214進一步經調適以保護使用者皮膚不受電力湧浪影響。此電力湧浪可引起接面溫度及外部表面106處之溫度的增加。然而,熱絕緣材料214經調適以促進實現僅會由於此電力湧浪而略微增加的觸摸溫度。
本發明之各種態樣亦係關於製造具有熱消散特徵之電子器件的方法。圖6為說明一種製造包括熱消散特徵之電子器件(諸如電子器件100)之方法之至少一實例的流程圖。參看圖2、圖3、圖6及圖7,在步驟602處,形成基座208且形成自其延伸之複數個突起204。根據各種實施,該等突起204可經形成以延伸跨越熱消散特徵104之整個基座208(如圖4中所說明)及/或可經形成為複數個支柱(如圖5中所說明)。
基座208及突起204可經形成為一整體單元,或突起204可被獨立地形成,且隨後耦接至基座208。根據各種實施,可藉由擠出、機械加工、鑄造、模製或其他製造方式以及其組合來形成基座208及突起204。
基座208及突起204可由經調適以促進熱傳導的一或多種材料形成。例如,基座208及突起204可由具有相對高之熱導率值的一或多種材料(諸如導熱聚合物、金屬、金屬合金、複合物等)形成。在至少一些非限制性實例中,基座208及突起204可由鋁合金、銅、金剛石(天然的或合成的)、銅-鎢假合金、鋁基質中之碳化矽(AlSiC)、銅-銀合金基質中之金剛石(銅-金剛石複合材料(dymalloy))、鈹基質中之氧化鈹(e材料(e-material))等形成。在一些實例中,基座208及突起204可由不同材料形成。例如,基座208可由第一材料形成且突起204可由第二
材料形成。
在至少一些實施中,基座208及在一些情況下突起204可經形成為罩殼102之整體部分及/或經形成為發熱組件202之封裝702的整體部分。在一些情況下,基座208可耦接至罩殼102之孔隙206。在一些實例中,突起204可經形成以延伸至少實質上等於罩殼102之外部表面的距離。在其他實例中,突起204可經形成而被壓低為低於罩殼102之外部表面。在再其他實例中,突起204可經形成以突出超越罩殼102之外部表面。
在步驟604處,將熱絕緣材料214安置於複數個突起之至少尖端部分上。如上文所論述,根據上文所論述之觸摸溫度方程式,熱絕緣材料214可經選擇以提供低於預定臨限值之觸摸溫度。在至少一些實例中,熱絕緣材料214可經選擇以包括熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質,使得此等三個性質之值的乘積(k*ρ*Cp)產生小於人皮膚之相同性質之值的乘積(k*ρ*Cp)的值。換言之,熱絕緣材料214可經選擇使得熱絕緣材料214之乘積(k*ρ*Cp)低於人皮膚之乘積(k*ρ*Cp)。
可在複數個不同操作中之任一者中將熱絕緣材料214安置於複數個突起204之至少尖端部分上。藉由實例且非限制,可藉由將熱絕緣材料214連同突起204一起擠出、藉由將熱絕緣材料214耦接至突起204之至少尖端、藉由將熱絕緣材料214沈積於突起204之至少尖端上等而將熱絕緣材料214安置於突起204之至少尖端部分上。用於將熱絕緣材料214安置於突起204之至少尖端上的一些製程可包括自不意欲保留熱絕緣材料214的區域(例如,突起之區域及/或罩殼之區域)蝕刻掉熱絕緣材料214。
在步驟606處,將基座208耦接至至少一發熱組件202以促進自發熱組件202至基座208及複數個突起204的熱傳導。如先前所提及,基座208可直接耦接至發熱組件202、經形成為與發熱組件之封裝702形
成一體及/或可將一或多個其他導熱元件安置於基座208與發熱組件202之間。在每一情況下,來自發熱組件202之熱被從發熱組件202傳導至基座208及突起204。
根據一態樣,可將基座208及突起204、熱絕緣材料214及該至少一發熱組件202整合至一或多個電子器件中。
應注意,雖然將以上方法描繪為將各種步驟展示為順序處理程序之流程圖,但可以另一序列、並行地或實質上同時執行以上動作中之至少一些動作。另外,可重排該等動作之次序。對於以上方法中之一或多個步驟的韌體及/或軟體實施而言,可藉由執行本文中所描述之功能的模組(例如,程序、函式等等)來實施該等處理程序。可將有形地體現指令之任何機器可讀媒體用於實施本文中所描述之處理程序。舉例而言,軟體程式碼可儲存於記憶體中且由處理器單元執行。記憶體可實施於處理器單元內或處理器單元外部。如本文中所使用,術語「記憶體」指代長期記憶體、短期記憶體、揮發性記憶體、非揮發性記憶體或其他記憶體中之任一類型而不限於任何特定記憶體類型或記憶體數目,或特定類型的儲存記憶內容之媒體。
本文中所描述之實例之各種特徵可在不脫離本發明之範疇的情況下實施於不同建構及配置中。應注意,以上實施例僅為實例且不應解釋為限制本發明。該等實例之描述意欲具有說明性而非限制申請專利範圍之範疇。因而,本發明之教示可易於應用於其他類型之裝置,且許多替代、修改及變化對於彼等熟習此項技術者而言將為顯而易見的。
100‧‧‧電子器件
102‧‧‧罩殼
104‧‧‧熱消散特徵
106‧‧‧外部表面
Claims (37)
- 一種電子器件,其包含:一罩殼;定位於該罩殼內之至少一發熱組件;一熱消散組件,其熱耦接至該至少一發熱組件以促進自該發熱組件之熱傳導,該熱消散組件包含:曝露在該罩殼外部之複數個突起;及一安置於該複數個突起中之至少一些突起的至少一尖端部分上的熱絕緣材料,其中該熱絕緣材料經選擇以提供一低於一預定臨限值之觸摸溫度。
- 如請求項1之電子器件,其中該熱消散組件與該罩殼形成一體。
- 如請求項1之電子器件,其中該熱消散組件經由一在該罩殼中之孔隙而被曝露。
- 如請求項1之電子器件,其中該熱消散組件與該至少一發熱組件之一封裝形成一體。
- 如請求項1之電子器件,其中該複數個突起中之至少一些突起延伸一至少實質上等於該罩殼之一外部表面的距離。
- 如請求項1之電子器件,其中該複數個突起中之至少一些突起被壓低為低於該罩殼之一外部表面。
- 如請求項1之電子器件,其中該複數個突起中之至少一些突起突出超越該罩殼之一外部表面。
- 如請求項1之電子器件,其中該複數個突起包括至少一些較長突起及至少一些較短突起。
- 如請求項8之電子器件,其中:該等較長突起經組態以延伸一距離以曝露至一使用者,且該 等較短突起經組態以延伸一不足以曝露至一使用者的距離;及該熱絕緣材料安置於該等較長突起之至少該等尖端部分上而不安置於該等較短突起之尖端部分上。
- 如請求項1之電子器件,其中該觸摸溫度係藉由以下方程式而判定:
- 如請求項1之電子器件,其中該熱絕緣材料包含熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質的各別值,使得此等值之一乘積(k*ρ*Cp)低於人皮膚之該等相同性質之值的一乘積k*ρ*Cp。
- 如請求項11之電子器件,其中該絕緣材料之該乘積k*ρ*Cp低於500,000(J*W)/(m4*K2)。
- 如請求項1之電子器件,其中該預定臨限值為一選自在自攝氏45度至攝氏60度之一範圍中的複數個值的溫度值。
- 如請求項1之電子器件,其中該熱絕緣材料經選擇以在該熱消散組件之一外部表面處的一溫度係在自攝氏0度至攝氏175度之一範圍中時提供一等於或低於該預定臨限值的觸摸溫度。
- 如請求項1之電子器件,其中該複數個突起中之該至少一些突起的該尖端部分包含經定位以與一使用者接觸的至少一表面。
- 一種經調適以供在一電子器件中使用的熱消散特徵,該熱消散特徵包含:一基座,其經調適以促進自一發熱組件之熱傳導;自該基座延伸之複數個突起,其中該複數個突起經調適以用於曝露在一電子器件之一罩殼外部;及一安置於該複數個突起中之至少一些突起之至少一尖端部分上的熱絕緣材料,其中該熱絕緣材料經選擇以包含熱導率(k)、 密度(ρ)及比熱(Cp)之性質的各別值,使得此等值之一乘積(k*ρ*Cp)小於人皮膚的該等相同性質之值的一乘積k*ρ*Cp。
- 如請求項16之熱消散特徵,其中該基座與一電子器件之一罩殼形成一體。
- 如請求項16之熱消散特徵,其中該基座與一發熱組件之一封裝形成一體。
- 如請求項16之熱消散特徵,其中該複數個突起經組態以延伸跨越該熱消散特徵之一寬度。
- 如請求項16之熱消散特徵,其中該複數個突起經組態為複數個支柱。
- 如請求項16之熱消散特徵,其中該熱絕緣材料進一步經選擇以提供一低於一預定臨限值之觸摸溫度。
- 如請求項21之熱消散特徵,其中該熱絕緣材料經選擇以在該複數個突起之一外部表面處的一溫度係在自攝氏0度至攝氏175度之一範圍中時提供一等於或低於該預定臨限值的觸摸溫度。
- 如請求項16之熱消散特徵,其中該絕緣材料之該乘積k*ρ*Cp低於500,000(J*W)/(m4*K2)。
- 如請求項16之熱消散特徵,其被併入至一電子器件中。
- 如請求項24之熱消散特徵,其中該電子器件至少包含選自一器件群組之器件,該器件群組包含一行動電話、一智慧型手機、一會話起始協定(SIP)電話、一膝上型電腦、一筆記型電腦、一迷你筆記型電腦、一智慧筆記型電腦、一輕量級筆記型電腦、一平板電腦、一電子書閱讀器、一個人數位助理(PDA)、一全球定位系統(GPS)器件、一導航器件、一多媒體器件、一視訊器件、一音樂播放器、一娛樂單元、一機上盒、一固定位置資料單元、一相機及一遊戲機。
- 一種製造一電子器件之方法,其包含:形成一基座及自該基座延伸之複數個突起;將一熱絕緣材料安置於該複數個突起中之至少一些突起的至少一尖端部分上,其中該熱絕緣材料包含熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質的各別值,使得此等值之一乘積(k*ρ*Cp)小於人皮膚的該等相同性質之值的一乘積k*ρ*Cp;及相對於至少一發熱組件來安置該基座以促進自該發熱組件至該基座及該複數個突起的熱傳導。
- 如請求項26之方法,其中形成該基座及該複數個突起包含:將該基座形成為與一罩殼形成一體,該罩殼經調適以至少實質上包圍該發熱組件。
- 如請求項26之方法,其進一步包含:將該基座耦接至一罩殼,該罩殼經調適以至少實質上包圍該發熱組件。
- 如請求項26之方法,其中形成該基座及該複數個突起包含:將該基座形成為與該發熱組件之一封裝形成一體。
- 如請求項26之方法,其中將一熱絕緣材料安置於該複數個突起中之至少一些突起的至少一尖端部分上包含:安置進一步經選擇以提供一低於一預定臨限值之觸摸溫度的該熱絕緣材料。
- 如請求項30之方法,其中安置進一步經選擇以提供一低於一預定臨限值之觸摸溫度的該熱絕緣材料包含:安置該熱絕緣材料,該熱絕緣材料經選擇以在該複數個突起之一外部表面處的一溫度係在自攝氏0度至攝氏175度之一範圍中時提供一等於或低於該預定臨限值之觸摸溫度。
- 如請求項26之方法,其中將該熱絕緣材料安置於該複數個突起 中之至少一些突起的至少該尖端部分上,其中該熱絕緣材料包含熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質的各別值,使得此等值之一乘積(k*ρ*Cp)小於人皮膚的該等相同性質之值的一乘積k*ρ*Cp,包含以下步驟:將該熱絕緣材料安置於該複數個突起中之至少一些突起的至少該尖端部分上,其中該熱絕緣材料包含熱導率(k)、密度(ρ)及比熱(Cp)之性質的各別值,使得此等值之該乘積(k*ρ*Cp)小於500,000(J*W)/(m4*K2)。
- 如請求項26之方法,其進一步包含:將該基座及該等突起、該熱絕緣材料及該至少一發熱組件併入至選自一器件群組之至少一器件中,該器件群組包含一行動電話、一智慧型手機、一會話起始協定(SIP)電話、一膝上型電腦、一筆記型電腦、一迷你筆記型電腦、一智慧筆記型電腦、一輕量級筆記型電腦、一平板電腦、一電子書閱讀器、一個人數位助理(PDA)、一全球定位系統(GPS)器件、一導航器件、一多媒體器件、一視訊器件、一音樂播放器、一娛樂單元、一機上盒、一固定位置資料單元、一相機及一遊戲機。
- 一種電子器件,其包含:用於將熱自一位於該電子器件之一罩殼內的發熱組件傳導至該罩殼一之外部環境的構件;及用於提供一低於一預定臨限值之觸摸溫度的構件。
- 如請求項34之電子器件,其中該觸摸溫度係藉由以下方程式而判定:
- 如請求項35之電子器件,其中(k*ρ*Cp)insulation之乘積低於乘積 (k*ρ*Cp)skin。
- 如請求項35之電子器件,其中T(surface)之值小於或等於攝氏175度。
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