TW201346001A

TW201346001A - 切割用黏著片

Info

Publication number: TW201346001A
Application number: TW102106572A
Authority: TW
Inventors: Toshimasa Sugimura; Takashi Habu; Katsutoshi Kamei
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2012-02-27
Filing date: 2013-02-25
Publication date: 2013-11-16
Also published as: JP2013175629A; CN103289586A

Abstract

本發明提供一種於切割步驟中切削屑及碎屑之產生受到抑制的切割用黏著片。本發明之切割用黏著片具備包含非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之黏著劑層，且該非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為200,000以上，該丙烯-(1-丁烯)共聚物之分子量分佈(Mw/Mn)為3以下。於較佳之實施形態中，上述黏著劑層進而包含結晶性聚丙烯系樹脂。

Description

切割用黏著片

本發明係關於一種切割用黏著片。

包含矽、鎵、砷等之半導體晶圓係以大直徑狀態而製造，於在表面形成圖案後對背面進行研削，通常，使晶圓之厚度薄至100~600 μm左右，進而切割分離(dicing)為元件小片(半導體晶片)，進而轉移至安裝步驟。於此種半導體晶圓之製造步驟中，廣泛使用黏著片。例如，於切割步驟中，為了固定半導體晶圓而使用切割用黏著片。

切割步驟中通常利用切割刀片切割半導體晶圓。此時，若自切割用黏著片產生切削屑，則該切削屑污染半導體晶片及其他構件，降低電子零件之可靠性及良率。作為使自切割用黏著片產生之切削屑減少之技術，提出有如下者：藉由使用具有特定構造且具有高熔點之烯烴系熱塑性彈性體作為基材膜，而減少來自基材膜之切削屑(專利文獻1)。但，即便使用此種技術，仍無法消除黏著劑由切割刀片帶出而產生之來自黏著劑的切削屑。又，提出有具備高彈性模數之黏接著劑層之切割用黏著片(專利文獻2)。但，即便於該技術中，切削屑之減少效果亦不充分。又，高彈性模數之黏接著劑層不具有充分之黏著力，該技術中該問題亦無法解決。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2003-7654號公報

[專利文獻2]日本專利特開2005-159069號公報

本發明係為了解決上述先前之課題而完成者，其目的在於提供一種切割步驟中切削屑之產生受到抑制之切割用黏著片。

本發明之切割用黏著片具備包含非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之黏著劑層，且該非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為200,000以上，該丙烯-(1-丁烯)共聚物之分子量分佈(Mw/Mn)為3以下。

於較佳之實施形態中，上述黏著劑層進而包含結晶性聚丙烯系樹脂。

於較佳之實施形態中，上述結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率為相對於上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與該結晶性聚丙烯系樹脂的合計量為50重量%以下。

於較佳之實施形態中，上述黏著劑層於20℃下之貯存模數(G')為0.5×10⁶ Pa~1.0×10⁸ Pa。

於較佳之實施形態中，本發明之切割用黏著片進而具備基材層。

於較佳之實施形態中，上述基材層之厚度相對於上述黏著劑層與該基材層之合計厚度為10%~90%。

於較佳之實施形態中，本發明之切割用黏著片係將上述黏著劑層與上述基材層一次性成形而得到。

根據本發明，藉由具備包含具有特定重量平均分子量及分子量分佈之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物的黏著劑層，可提供切割步驟中切削屑之產生受到抑制之切割用黏著片。

10‧‧‧黏著劑層

20‧‧‧基材層

100‧‧‧切割用黏著片

圖1係本發明之較佳實施形態之切割用黏著片的概略剖面圖。

A.切割用黏著片之整體構成

圖1係本發明之較佳實施形態之切割用黏著片的概略剖面圖。切割用黏著片100具備黏著劑層10。黏著劑層10包含非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物。本發明之切割用黏著片既可為黏著劑層10之單層片，亦可如圖1所示進而具備基材層20。

切割用黏著片100之厚度較佳為50 μm~300 μm，進而較佳為75 μm~200 μm，尤佳為75 μm~125 μm。

黏著劑層10之厚度較佳為10 μm~300 μm，進而較佳為15 μm~150 μm，尤佳為30 μm~100 μm。切割用黏著片不具備基材層之情形時，黏著劑層之厚度較佳為50 μm~300 μm，進而較佳為75 μm~200 μm，尤佳為75 μm~125 μm。切割用黏著片100具備基材層20之情形時，黏著劑層10之厚度較佳為10 μm~150 μm，進而較佳為15 μm~100 μm，尤佳為15 μm~50 μm，最佳為30 μm~50 μm。本發明之切割用黏著片中，即便增厚黏著劑層之厚度，亦可抑制碎屑(半導體晶片之碎片)之產生。又，由於可增厚黏著劑層之厚度，故而若使用本發明之切割用黏著片，則可不將切痕切入至基材層而進行切割步驟，其結果為，可防止來自基材層之切削屑之產生。

基材層20之厚度較佳為10 μm~150 μm，進而較佳為20 μm~100 μm。

基材層20之厚度相對於黏著劑層10與基材層20之合計厚度，較佳為10%~90%，進而較佳為15%~80%。

本發明之切割用黏著片進而可具備任意適當之其他層。作為其他層，例如可列舉於基材層之與黏著劑層相反側具備之、可對切割用黏著片賦予耐熱性之表面層。又，於黏著劑層之與基材層相反側亦可具備接著劑層。本發明之切割用黏著片具備接著劑層之情形時，切割後之半導體晶片剝離時，將接著劑層自黏著劑層剝離(即，將接著劑層與半導體晶片剝離)。該接著劑層係作為將晶片安裝於基板上時之接著劑層、或作為將晶片多級積層時晶片間之接著劑而發揮作用。作為接著劑層中之接著劑，可使用先前公知之半導體用接著劑。

本發明之切割用黏著片可由隔片保護而提供。本發明之切割用黏著片可於由隔片保護之狀態下捲取為卷狀。隔片具有作為保護切割用黏著片直至供於實際使用前之保護材料的功能。作為隔片，例如可列舉經矽系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯)膜、不織布或紙等。

本發明之切割用黏著片例如於不受隔片保護之情形時，亦可對與黏著劑層相反側之最外層進行背面處理。背面處理例如可使用矽系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行。本發明之切割用黏著片藉由進行背面處理，可捲取為卷狀。

B.黏著劑層

上述黏著劑層包含非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物。本發明之切割用黏著片藉由具備此種黏著劑層，而可抑制切割步驟中產生來自黏著劑層之切削屑。又，即便由於包含非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物而增厚黏著劑層之厚度，亦可抑制碎屑之產生。進而，由於可增厚黏著劑層之厚度，故而若使用本發明之切割用黏著片，則可不將切痕切入至基材層而進行切割步驟，其結果為，可防止來自基材層之切削屑之產生。再者，本說明書中，「非晶質」係指不具有如結晶質般明確之熔點的性質。

上述黏著劑層可為單層，亦可為包含成分含有比例(例如，非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物及/或結晶性聚丙烯系樹脂(後述)之含有比例)不同之層的多層體。

如上所述，關於本申請案之切割用黏著片抑制切割步驟中來自黏著劑層之切削屑，推測其機制如下。切割步驟中來自黏著劑層之切削屑可認為是黏著劑層受加熱、其後藉由受冷卻而產生之來自黏著劑層的分離物。此處，加熱具體而言係指由與刀片之摩擦而產生之熱，由於該熱而黏著劑層被急劇加熱。上述冷卻具體而言係指利用冷卻水進行之冷卻。先前之切割用黏著片之黏著劑(例如丙烯酸系黏著劑)為確保凝聚性而由交聯之樹脂構成，藉由上述加熱而軟化但不具有流動性。因此，切割時，具有凝聚性之黏著劑被刀片帶出而附著於半導體晶片上，冷卻而以來自黏著劑層之切削屑之形式殘留於半導體晶片上。另一方面，本發明之切割用黏著片之黏著劑層具有非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物，即便不使其交聯，亦可確保所需之凝聚力。本發明之切割用黏著片之黏著劑層未以交聯之樹脂為主成分，因而藉由上述加熱，而黏著劑層具有流動性，並且推斷於切割時其被排出至體系外。其結果為，推斷不產生來自黏著劑層之切削屑而可防止半導體晶片之污染。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之分子量分佈(Mw/Mn)為3以下，較佳為2以下，進而較佳為1.1~2，尤佳為1.2~1.9。分子量分佈(Mw/Mn)處於此範圍之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物低分子量成分較少，因而本發明之切割用黏著片係切割步驟中來自黏著劑層之切削屑之產生受到抑制，且耐碎屑性(半導體晶片碎片之抑制性)優異。又，可防止由低分子量成分之滲出造成之半導體晶片的污染。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為200,000以上，較佳為200,000~500,000，進而較佳為200,000~300,000。若處於此範圍內，則可獲得切割步驟中來自黏著劑層之切削屑之產生受到抑制、且耐碎屑性優異的切割用黏著片。又，可防止由低分子量成分之滲出造成之半導體晶片的污染。進而，切割用黏著片之成形中採用共擠出成形時，可無加工不良地形成黏著劑層。再者，具備包含具有上述範圍之重量平均分子量(Mw)之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之黏著劑層的切割用黏著片，即便不具備基材層，亦具有可供於實際使用之處理性。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物係只要可獲得上述所需之特性，則可使用任意適當之共聚物。較佳為使用藉由使用茂金屬觸媒使丙烯與1-丁烯聚合而得到之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物。此種非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物例如可藉由如下方式而獲得：進行使用茂金屬觸媒使丙烯與1-丁烯聚合之聚合步驟，於該聚合步驟後，進行殘留觸媒去除步驟、異物去除步驟等後處理步驟。該非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物經過上述步驟，例如可以粉末狀、顆粒狀等形狀而獲得。作為茂金屬觸媒，例如可列舉：包含茂金屬化合物與鋁氧烷之茂金屬均勻混合觸媒、於微粒狀之載體上載持有茂金屬化合物之茂金屬載持型觸媒等。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物中，來自丙烯之構成單元之含有比率較佳為80 mol%~99 mol%，進而較佳為85 mol%~99 mol%，尤佳為90 mol%~99 mol%。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物中，來自1-丁烯之構成單元之含有比率較佳為1 mol%~15 mol%，進而較佳為1 mol%~10 mol%。若處於此種範圍內，則可獲得韌性與柔軟性之平衡優異、對凹凸面之追隨性優異之切割用黏著片。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之於230℃、2.16 kgf時之熔融流動速率較佳為1 g/10 min~50 g/10 min，進而較佳為5 g/10 min~30 g/10 min，尤佳為5 g/10 min~20 g/10 min。若非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之熔融流動速率處於此範圍內，則可成形性良好地形成黏著劑層，例如，切割用黏著片之成形中採用共擠出成形時，可無加工不良地形成厚度均勻之黏著劑層。熔融流動速率可利用依據JISK7210之方法進行測定。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物亦可以無損本發明之效果之範圍進而包含來自其他單體之構成單元。作為其他單體，例如可列舉：乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴。

上述黏著劑層較佳為進而包含結晶性聚丙烯系樹脂。藉由包含結晶性聚丙烯系樹脂，可使黏著劑層之貯存模數增加。其結果為，可提高切割用黏著片之耐碎屑性。又，可獲得處理性優異之切割用黏著片。此種切割用黏著片即便不具備基材層處理性亦優異。進而，藉由包含結晶性聚丙烯系樹脂，可使黏著劑層之黏著力降低而獲得黏著力與剝離性之平衡優異之切割用黏著片。

上述結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率較佳為相對於上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與該結晶性聚丙烯系樹脂之合計重量，較佳為50重量%以下，進而較佳為40重量%以下，尤佳為30重量%以下。若處於此範圍，則可抑制切割步驟中來自黏著劑層之切削屑之產生，且可提高耐碎屑性。又，可獲得黏著力與剝離性之平衡優異之切割用黏著片，即，於切割時可充分固定半導體晶圓、於拾取半導體晶片時可容易地剝離之切割用黏著片。另一方面，若上述結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率多於50重量%，則黏著劑層之貯存數数(G')提高，可提高耐碎屑性，但有黏著力降低、晶片之保持性降低之虞。

上述結晶性聚丙烯系樹脂可為均聚丙烯，亦可為由丙烯和可與丙烯共聚合之單體得到之共聚物。作為可與丙烯共聚合之單體，例如可列舉：乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴等。

上述結晶性聚丙烯系樹脂較佳為與上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物同樣地藉由使用茂金屬觸媒進行聚合而得到。若使用以此種方式得到之結晶性聚丙烯系樹脂，則可防止因低分子量成分之滲出而對半導體晶片造成污染。

上述結晶性聚丙烯系樹脂之結晶度較佳為10%以上，進而較佳為20%以上。結晶度代表性地係利用差示掃描熱量分析(DSC)或X射線繞射而求得。

上述黏著劑層於20℃下之貯存模數(G')較佳為0.5×10⁶ Pa~1.0×10⁸ Pa，進而較佳為1.0×10⁶ Pa~8.0×10⁷ Pa，尤佳為1.5×10⁶ Pa~5.0×10⁷ Pa。本發明之切割用黏著片具有處於此範圍之貯存模數(G')，並且黏著力與剝離性之平衡優異。若上述黏著劑層之貯存模數(G')處於上述範圍，則可獲得耐碎屑性優異、且具有充分黏著力之切割用黏著片。更詳細而言，若上述黏著劑層之貯存模數(G')為0.5×10⁶ Pa以上，則可抑制切割時之黏著劑層之振動，防止碎屑之產生。又，若上述黏著劑層之貯存模數(G')為1.0×10⁸ Pa以下，則具有充分之黏著力，可於切割時良好地固定半導體晶圓(晶片)，防止晶片飛散。又，若上述黏著劑層之貯存模數(G')處於上述範圍，則可獲得處理性優異之切割用黏著片。進而，即便於半導體晶圓表面具有凹凸之情形時，亦可獲得可追隨該凹凸之切割用黏著片。若使用此種切割用黏著片，則可防止於切割步驟中由切削水造成半導體晶片之污染。再者，本發明中之貯存模數(G')可藉由動態黏彈性光譜測定而進行測定。

上述黏著劑層之黏著力較佳為0.3 N/20 mm~3.0 N/20 mm，進而較佳為0.4 N/20 mm~2.5 N/20 mm，尤佳為0.4 N/20 mm~2.0 N/20 mm，最佳為0.9 N/20 mm~2.0 N/20 mm。若處於此種範圍內，則可獲得黏著力與剝離性之平衡優異之切割用黏著片。再者，於本說明書中，黏著劑層之黏著力係指將本發明之切割用黏著片以50℃熟化2天後，以半導體鏡面晶圓(矽製造)作為試驗板，並利用依據JIS Z 0237(2000)之方法(溫度：23℃，貼合條件：2 kg輥往返一次，剝離速度：300 mm/min，剝離角度180°)測定之黏著力。

上述黏著劑層亦可以無損本發明之效果之範圍進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑、抗靜電劑等。其他成分之種類及使用量可根據目的進行適當選擇。

C.基材層

作為構成上述基材層之材料，可採用任意適當之材料。作為構成基材層之材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烴系樹脂；聚醯亞胺(PI)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；聚醚醚酮(PEEK)；聚氯乙烯(PVC)等聚氯乙烯系樹脂；聚苯乙烯系樹脂；丙烯酸系樹脂；氟系樹脂；纖維素系樹脂；聚碳酸酯系樹脂。就成形性方面而言，可較佳地使用熱塑性樹脂。基材層可為包含同種或不同種材料之多層構造。

構成上述基材層之材料於190℃、2.16 kgf下之熔融流動速率較佳為2 g/10 min~20 g/10 min，進而較佳為5 g/10 min~15 g/10 min，尤佳為7 g/10 min~12 g/10 min。若構成基材層之材料之熔融流動速率處於此範圍內，則於切割用黏著片之成形中採用共擠出成形時，可無加工不良地形成基材層。

上述基材層亦可以無損本發明之效果之範圍進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可使用與上述B項中所說明之黏著劑層可包含之其他成分相同之成分。

D.切割用黏著片之製造方法

作為本發明之切割用黏著片之成型方法，例如可列舉：充氣成形、壓延成形、擠出成形等。

於本發明之切割用黏著片具備上述基材層之情形時，本發明之切割用黏著片較佳為將上述黏著劑層與上述基材層一次性成形而得到。作為此種成形方法，例如可列舉：充氣成形、壓延成形、共擠出成形。其中較佳採用共擠出成形。藉由共擠出成形，可以較少之步驟數、且不使用有機溶劑而製造層間黏接性良好之切割用黏著片。

於上述共擠出成形中，上述黏著劑層及上述基材層之形成材料可使用以任意適當之方法將上述各層之成分混合而成之材料。

作為上述共擠出成形之具體方法，例如可列舉如下方法：於至少2台連接於模嘴(dies)之擠出機中，分別向1台供給黏著劑層形成材料，向另1台供給基材層形成材料，熔融後擠出，並利用接觸輥成形法進行拉取，使積層體成形。擠出時各形成材料合流之部分越接近模嘴出口(模唇)越佳。其原因在於在模嘴內難以產生各形成材料之合流不良。因此，作為上述模嘴，較佳地使用多歧管形式之模嘴。再者，於產生合流不良之情形時，發生合流不均等外觀不良，具體而言為擠出之黏著劑層與基材層之間產生波狀之外觀不均，欠佳。又，合流不良係例如由於不同種形成材料於模嘴內之流動性(熔融黏度)之差較大、及各層之形成材料之剪切速度之差較大而產生，因此若使用多歧管形式之模嘴，則比起其他形式(例如進料模組形式)，有流動性差之不同種形成材料之材料選擇範圍擴大。用於各形成材料之熔融之擠出機的螺桿類型可為單軸或雙軸。擠出機亦可為3台以上。於使黏著劑層為多層體之情形時，使用3台以上擠出機。又，於擠出機為3台以上之情形時，進而可供給其他層之形成材料。於使用3台以上之擠出機製造雙層構造(基材層+黏著劑層)之切割用黏著片之情形時，向相鄰之2台以上之擠出機供給同一種形成材料即可，例如，使用3台擠出機之情形時，可向相鄰2台擠出機供給同一種形成材料。

上述共擠出成形中之成形溫度較佳為160℃~220℃，進而較佳為170℃~200℃。若處於此範圍內，則成形穩定性優異。

上述黏著劑層形成材料與上述基材層形成材料於溫度180℃、剪切速度100 sec^-1時之剪切黏度之差(黏著劑形成材料-基材層形成材料)，較佳為-150 Pa．s~600 Pa．s，進而較佳為-100 Pa．s~550 Pa．s，尤佳為-50 Pa．s~500 Pa．s。若處於此範圍內，則上述黏著劑形成材料及基材層形成材料於模嘴內之流動性相近，可防止合流不良之產生。再者，剪切黏度可使用雙毛細管型之伸長黏度計進行測定。

[實施例]

以下，利用實施例具體說明本發明，但本發明不受該等實施例任何限制。又，於實施例中，只要未特別載明，則「份」及「%」為重量基準。

[實施例1]

作為黏著劑層形成材料，使用藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名為「Tafthren H5002」：來自丙烯之構成單元90 mol%/來自1-丁烯之構成單元10 mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)。

作為基材層形成材料，使用乙烯-乙酸乙烯酯聚合物(EVA)(三井杜邦公司製造，商品名為「EVAFLEX P-1007」)。

將上述黏著劑形成材料與基材層形成材料投入至各自之擠出機中，進行T型模嘴熔融共擠出(擠出機：GM ENGINEERING公司製造，商品名為「GM30-28」/T型模嘴：進料模組方式；擠出溫度180℃)，得到黏著劑層之厚度為30 μm、基材層之厚度為70 μm之切割用黏著片。再者，各層之厚度係利用T型模嘴出口之形狀進行控制。

[實施例2]

作為黏著劑層形成材料，使用80份藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名為「Tafthren H5002」：來自丙烯之構成單元90 mol%/來自1-丁烯之構成單元10 mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)、與20份藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之結晶性聚丙烯系樹脂(Japan Polypropylene公司製造，商品名為「WINTEC WFX4」，Mw=363,000，Mw/Mn=2.87)的混合物，除此之外，以與實施例1相同之方式得到切割用黏著片。

[實施例3]

作為第1黏著劑層形成材料，使用80份藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名為「Tafthren H5002」：來自丙烯之構成單元90 mol%/來自1-丁烯之構成單元10 mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)、與20份藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之結晶性聚丙烯系樹脂(Japan Polypropylene公司製造，商品名為「WINTEC WFX4」，Mw=363,000，Mw/Mn=2.87)的混合物。

作為第2黏著劑層形成材料，使用藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名為「Tafthren H5002」：來自丙烯之構成單元90 mol%/來自1-丁烯之構成單元10 mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)。

作為基材層形成材料，使用乙烯-乙酸乙烯酯聚合物(三井杜邦公司製造，商品名為「EVAFLEX P-1007」)。

將上述第1黏著劑層形成材料與第2黏著劑層形成材料、及基材層形成材料投入到各自之擠出機中，進行T型模嘴熔融共擠出(擠出機：GM ENGINEERING公司製造，商品名「GM30-28」/T型模嘴：進料模組方式；擠出溫度180℃)，得到黏著劑層之厚度為30 μm(第1 黏著劑層之厚度：20 μm，第2黏著劑層之厚度：10 μm)、基材層之厚度為70 μm的切割用黏著片(第1黏著劑層/第2黏著劑層/基材層)。再者，各層之厚度係藉由T型模嘴出口之形狀進行控制。

[實施例4]

作為第1黏著劑層形成材料，使用70份藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名為「Tafthren H5002」：來自丙烯之構成單元90 mol%/來自1-丁烯之構成單元10 mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)、及30份藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之結晶性聚丙烯系樹脂(Japan Polypropylene公司製造，商品名為「WINTEC WFX4」，Mw=363,000，Mw/Mn=2.87)的混合物，除此之外，以與實施例3相同之方式得到切割用黏著片。

[實施例5]

作為第1黏著劑層形成材料，使用60份藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名為「Tafthren H5002」：來自丙烯之構成單元90 mol%/來自1-丁烯之構成單元10 mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)、與40份藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之結晶性聚丙烯系樹脂(Japan Polypropylene公司製造，商品名為「WINTEC WFX4」，Mw=363,000，Mw/Mn=2.87)的混合物，除此之外，以與實施例3相同之方式得到切割用黏著片。

(比較例1)

作為黏著劑層形成材料，使用熱塑性丙烯酸系樹脂(KURARAY公司製造，商品名為「LA2140e」：Mw=74,000，Mw/Mn=1.3)，除此以外，以與實施例1相同之方式得到黏著片。

(比較例2)

於25℃下，向燒瓶中投入78份丙烯酸-2-乙基己酯、19份丙烯醯基啉、3份丙烯酸、0.1份2,2'-偶氮二異丁腈、200份作為稀釋溶劑之乙酸乙酯。繼而，一面攪拌一面向燒瓶內導入氮氣約1小時，以氮氣置換內部之空氣。繼而，對燒瓶進行加溫，使燒瓶內之溫度上升至60℃，一面適當滴加乙酸乙酯，一面保持約6小時進行聚合，得到聚合物溶液。相對於所得之100份聚合物固形物成份，添加2份聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名為「CORONATE L」)、1份多官能環氧化合物(三菱瓦斯化學製造，商品名為「Tetrad C」)後，一面以乙酸乙酯進行稀釋，一面攪拌至變均勻，得到黏著劑溶液。

於PET隔片上塗佈所得之黏著劑溶液，利用乾燥烘箱於130℃下乾燥5分鐘，形成厚度30 μm之黏著劑層。

將所得之黏著劑層轉印至乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜上，獲得包含第1黏著劑層(丙烯酸系樹脂，厚度：30 μm)及基材層(EVA，厚度：70 μm)之切割用黏著片。再者，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜係將三井杜邦公司製造之商品名為「EVAFLEX P-1007」者擠出成形而得到。

(比較例3)

於25℃下，向燒瓶中投入40份丙烯酸-2-乙基己酯、50份丙烯酸甲酯、10份丙烯酸、0.2份過氧化苯甲醯、100份作為稀釋溶劑之乙酸乙酯。繼而，一面攪拌一面向燒瓶內導入氮氣約1小時，以氮氣置換內部之空氣。繼而，對燒瓶進行加溫，使燒瓶內之溫度上升至65℃，一面適當滴加乙酸乙酯，一面保持約6小時進行聚合，得到聚合物溶液。相對於所得之100份聚合物固形物成份，添加50份二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥公司製造，商品名為「DPHA」)、3份光聚合起始劑(BASF公司製造，商品名為「IRGACURE 651」)、3份聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名為「CORONATE L」)、及0.5份多官能環氧化合物(三菱瓦斯化學製造，商品名為「Tetrad C」)後，一面以乙酸乙酯進行稀釋，一面攪拌至變均勻，得到黏著劑溶液。

(比較例4)

於25℃下，向燒瓶中投入40份丙烯酸-2-乙基己酯、50份丙烯酸甲酯、10份丙烯酸、0.2份過氧化苯甲醯、100份作為稀釋溶劑之乙酸乙酯。繼而，一面攪拌一面向燒瓶內導入氮氣約1小時，以氮氣置換內部之空氣。繼而，對燒瓶進行加溫，使燒瓶內之溫度上升至65℃，一面適當滴加乙酸乙酯，一面保持約6小時進行聚合，得到聚合物溶液。相對於所得之100份之聚合物固形物成份，添加70份丙烯酸胺基甲酸酯(日本合成化學公司製造，商品名為「UV-1700B」)、30份丙烯酸胺基甲酸酯(日本合成化學公司製造，商品名為「UV-3000B」)、3份光聚合起始劑(BASF公司製造，商品名為「IRGACURE 651」)、及3份聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名為「CORONATE L」)後，一面用乙酸乙酯進行稀釋一面攪拌至變均勻，得到黏著劑溶液。

(比較例5)

作為黏著劑層形成材料，使用藉由茂金屬觸媒進行聚合而成之結晶性聚丙烯系樹脂(Japan Polypropylene公司製造，商品名為「WINTEC WFX4」，Mw=363,000，Mw/Mn=2.87)，除此以外，以與實施例1相同之方式得到切割用黏著片。

[評價]

將實施例及比較例中所得之切割用黏著片藉由以下之方法進行評價。將結果示於表1。

(裸片飛濺)

於切割用黏著片上安裝厚度250 μm之6英吋半導體晶圓，於以下條件下進行切割。

<切割條件>

切割機：DISCO公司製造DFD-651

刀片：DISCO公司製造NBC-ZH2050 27HECC

刀片轉速：40000 rpm

切割速度：80 mm/秒

切割尺寸：2.5 mm×2.5 mm

切割模式：下切

切割用黏著片切：20 μm

切割後，以光學顯微鏡(20倍)觀察藉由半導體晶圓之切割所得到之各半導體晶片有無向黏著片上之殘留，對裸片飛濺之數進行計數。再者，對由晶圓外周部產生之大致三角形狀之晶片之裸片飛濺、由晶圓內部產生之四角形狀之晶片之裸片飛濺的數進行計數。表1中示出裸片飛濺之數相對於切割而成之半導體晶片之總數的比例。

(碎屑)

從上述裸片飛濺之評價中所得到之各半導體晶片中取100片晶片作為樣品，以最終被切斷之線(第4線)在上之方式將晶片立於玻璃板上貼附有雙面膠帶而成之樣品台上。以光學顯微鏡(200倍)自上部進行觀察，測定距晶圓背面之碎裂(碎屑)之深度。表1中示出100片晶片中最大之碎屑深度。

(來自黏著劑層之切削屑)

以與上述碎屑之評價相同之方式，觀察100片晶片之半導體晶片之側面，確認半導體晶片側面有無來自黏著劑層之切削屑。再者，以長徑為5 μm以上之來自黏著劑層之切削屑為觀察之對象。

(拾取)

將切割尺寸設為5 mm×5 mm，除此以外，與裸片飛濺之評價相同地實施切割。關於為紫外線硬化型黏著劑之比較例3及4，於以下所示之條件下自黏著面照射紫外線，作為拾取評價用工件。於以下所示之條件下實施拾取評價。再者，以針高為200 μm實施，於無法拾取之情形時，每次10 μm地增加針高，而以可連續拾取50片晶片時之針高作為拾取性之評價值。本評價值係值越小表示拾取性越佳，若針高為1000 μm以下，則被評為良好之拾取。

(拾取條件)

裝置 FED-1870(芝浦公司製造)

拾取速度指數4

拾取時間 100 msec

頂起量 200 μm起

擴張量 3 mm

針配置 3×3 mm

針R 250 μm

吸嘴尺寸 5×5 mm

(UV照射條件)

裝置 UM-810(日東精機公司製造)

UV照度 50 mW/cm²

UV照射時間 6秒

UV光量 300 mJ/cm²

(貯存模數)

將實施例及比較例中所使用之黏著劑層之貯存模數(G')利用以下之方法進行評價。

使用實施例中使用之黏著劑層形成材料，製作試驗片(厚度2 mm×7.9 mm )，使用動態黏彈性測定裝置(Rheometric Scientific公司製造，製品名為「ARES」)以頻率1 Hz、升溫速度5℃/分鐘於-50℃~100℃之範圍測定剪切之貯存模數(G')。

由於一部分無法進行剪切之測定，故而對該樣品使用拉伸試驗進行測定。於23℃下，使用拉伸試驗機(島津製作所公司製造，TENSILON)於夾盤間距離50 mm、拉伸速度0.3 m/min之條件下將寬度10 mm、長度80 mm之黏著劑層之樣品沿長度方向進行拉伸，測定應力-應變曲線。拉伸彈性模數係利用下式(I)算出。

Et=(σ2-σ1)/(ε2-ε1)．．．．．(I)

Et：拉伸彈性模數[MPa]

σ1：應變ε1=0.05%之拉伸應力[MPa]

σ2：應變ε2=0.25%之拉伸應力[MPa]

(黏著力(剝離速度300 mm/min))

將所得之切割用黏著片以50℃熟化2天後，貼附於4英吋之半導體晶圓之鏡面(矽製造)上，利用依據JIS Z 0237(2000)之方法(溫度： 23℃，貼合條件：2 kg輥往復一次，剝離速度：300 mm/min，剝離角度：180°)進行測定。

根據實施例可明確，根據本案發明，藉由具備包含具有特定重量平均分子量及分子量分佈之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物的黏著劑層，可獲得切割步驟中切削屑之產生受到抑制之切割用黏著片。

10‧‧‧黏著劑層

20‧‧‧基材層

100‧‧‧切割用黏著片

Claims

一種切割用黏著片，其具備包含非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之黏著劑層，且該非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為200,000以上，該丙烯-(1-丁烯)共聚物之分子量分佈(Mw/Mn)為3以下。
如請求項1之切割用黏著片，其中上述黏著劑層進而包含結晶性聚丙烯系樹脂。
如請求項2之切割用黏著片，其中上述結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率為相對於上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與該結晶性聚丙烯系樹脂的合計量為50重量%以下。
如請求項1或2之切割用黏著片，其中上述黏著劑層於20℃下之貯存模數(G')為0.5×10⁶ Pa~1.0×10⁸ Pa。
如請求項1或2之切割用黏著片，其進而具備基材層。
如請求項5之切割用黏著片，其中上述基材層之厚度相對於上述黏著劑層與該基材層之合計厚度為10%~90%。
如請求項5之切割用黏著片，其係將上述黏著劑層與上述基材層一次性成形而得到。