TW201439272A - 黏著片材 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種黏著片材,其於貼附於半導體晶圓並供於半導體晶圓的背面研磨步驟之情形時,能夠防止研磨水及/或研磨屑滲入黏著片材與半導體晶圓之間。本發明之黏著片材具備包含2種以上之樹脂之黏著劑層,該黏著劑層中,由利用原子力顯微鏡測定之與被黏著體相接觸側之表面的相位圖像獲得的以縱軸(y軸)為相位差、以橫軸(x軸)為測定距離的第1方向及與該第1方向正交的第2方向的線分佈中,第1方向上之相位差的大小(P1-avg)與第2方向上之相位差的大小(P2-avg)之比(P1-avg/P2-avg)為0.94~1.06。
Description
本發明係關於一種黏著片材。
包含矽、鎵、砷等之半導體晶圓以大直徑狀態製造,於表面形成圖案後研磨背面,通常將晶圓之厚度磨薄至100~600μm左右,進而切割分離(dicing)為元件小片,進一步移送至安裝步驟。
於研磨半導體晶圓之背面之步驟(背面研磨步驟)中,為了保護半導體晶圓之圖案面而使用黏著片材。該黏著片材通常於背面研磨步驟後被剝離。以此種目的而使用之黏著片材需要有於背面研磨步驟中不會發生剝離之程度的黏著力,另一方面,要求於背面研磨步驟後能夠容易地剝離,而且不損壞半導體晶圓之程度之低黏著力。為了如此調整黏著力,提出具有將2種以上之樹脂(例如,黏著性樹脂及非黏著性樹脂)摻合而形成之黏著劑層的黏著片材(專利文獻1)。
但是,將具有由2種以上之樹脂形成之黏著劑層的黏著片材貼附於半導體晶圓,並將半導體晶圓供於背面研磨步驟之情形時,有此種問題:研磨水及/或研磨屑容易滲入至黏著片材與半導體晶圓之間,有污染半導體晶圓之虞。
專利文獻1:日本專利特開2012-62406號公報
本發明係為了解決上述先前課題而成者,其目的在於提供一種黏著片材,其於貼附於半導體晶圓並供於半導體晶圓之背面研磨步驟之情形時,能夠防止研磨水及/或研磨屑滲入至黏著片材與半導體晶圓之間。
本發明之黏著片材具備包含2種以上之樹脂之黏著劑層,於該黏著劑層中,由利用原子力顯微鏡測定之與被黏著體相接觸側之表面的相位圖像獲得的以縱軸(y軸)為相位差、以橫軸(x軸)為測定距離的第1方向及與該第1方向正交的第2方向的線分佈中,第1方向上之相位差的大小(P1-avg)與第2方向上之相位差的大小(P2-avg)之比(P1-avg/P2-avg)為0.94~1.06。
於較佳之實施形態中,構成上述黏著劑層之2種以上的樹脂分別具有共通之構成單元作為主要構成單元。
根據本發明,可提供一種黏著片材,其於貼附於半導體晶圓並供於半導體晶圓之背面研磨步驟之情形時,能夠防止研磨水及/或研磨屑滲入至黏著片材與半導體晶圓之間。
10‧‧‧黏著劑層
20‧‧‧中間層
30‧‧‧基材層
100‧‧‧黏著片材
圖1係本發明之黏著劑層之由利用原子力顯微鏡之相位圖像而獲得的線分佈。
圖2係本發明之一個實施形態之黏著片材的概略剖面圖。
A.黏著劑層
本發明之黏著片材具備黏著劑層。該黏著劑層包含2種以上之樹脂,較佳為包含至少1種以上之黏著性樹脂及至少1種以上之非黏著性
樹脂。若黏著劑層如此包含2種以上之樹脂,則變得容易調整樹脂之種類及樹脂之含有比例來適當控制黏著力及儲存模數(G')。
上述黏著劑層於50℃下老化2天後,將半導體鏡面晶圓(矽製)作為試驗板,利用以JIS Z 0237(2000)為基準之方法(貼合條件:2kg輥往復1次、剝離速度:300mm/min、剝離角度180°)測定之黏著力較佳為0.1N/20mm~3.0N/20mm,進而較佳為0.2N/20mm~2.5N/20mm,特別較佳為0.2N/20mm~2.0N/20mm。若為此種範圍,則能夠兼顧黏著力及剝離性,能夠獲得例如於半導體晶圓之背面研磨步驟中之研磨加工中不剝離,而於研磨加工後能夠容易地剝離之黏著片材。
上述黏著劑層之儲存模數(G')較佳為0.5×106Pa~1.0×108Pa,進而較佳為0.8×106Pa~3.0×107Pa。若上述黏著劑層之儲存模數(G')在此種範圍,則能夠獲得可兼顧對表面具有凹凸之被黏著體之充分的黏著力及適度之剝離性的黏著片材。另外,具備此種儲存模數(G')之上述黏著劑層之黏著片材於用於半導體晶圓加工用之情形時,能夠有助於達成晶圓之背面研磨中之優異的研磨精度。再者,本發明中之儲存模數(G')可藉由動態黏彈性光譜測定來測定。
上述黏著劑層中,由利用原子力顯微鏡測定之與被黏著體相接觸側之表面之相位圖像獲得的以縱軸(y軸)為相位差(利用原子力顯微鏡測定之輸入信號與輸出信號之相位差(°))、以橫軸(x軸)為測定距離之第1方向及與該第1方向正交之第2方向的線分佈中,第1方向上之相位差的大小(P1-avg)與第2方向上之相位差的大小(P2-avg)之比(P1-avg/P2-avg)為0.94~1.06。此處,第1方向上之相位差的大小(P1-avg)係指於上述第1方向之線分佈中,將以第1方向之特定距離L上之相位差平均線為基準的波形面積除以該距離L而獲得之值設為P1(°),由隨機抽取之128條線獲得之P1的平均值。另外,第2方向上之相位差的大小(P2-avg)係指
上述第2方向之線分佈中,將以第2方向之特定距離L上之相位差平均線為基準的波形面積除以該距離L而獲得的值設為P2(°),由隨機抽取之128條線獲得之P2的平均值。圖1表示由上述相位圖像獲得之線分佈的一例。另外,P1(°)及P2(°)用下述式(1)表示。上述L例如設定為1μm~10μm,較佳為2μm~5μm,更佳為2.5μm。相位圖像之測定方法於下文進行說明。於一個實施形態中,上述第2方向為平行於製造黏著片材時之搬送方向之方向(MD),上述第1方向為與MD正交的方向(TD)。
上述P1-avg與P2-avg之比(P1-avg/P2-avg)表示相位圖像之各向異性。(P1-avg/P2-avg)越接近1,則各向異性越低;若為1則可稱為各向同性。根據相位圖像之各向異性能夠推測2種以上之樹脂的混合狀態。具體而言,若相位圖像之各向異性較低,則可認為2種以上之樹脂相容並形成黏著劑層,或者即便不相容亦均勻分散。另外,於各向異性較高之相位圖像中可觀察到各樹脂呈條紋狀分佈之情況,若相位圖像之各向異性較高,則可認為2種以上之樹脂之混合不均勻。本發明之黏著片材藉由將(P1-avg/P2-avg)設定為上述範圍,可獲得於貼附於半導體晶圓並供於半導體晶圓之背面研磨步驟時可防止研磨水及/或研磨屑滲入至黏著片材與半導體晶圓之間的黏著片材。(P1-avg/P2-avg)較佳為0.97~1.03,更佳為0.98~1.02,進而較佳為0.99~1.01,特別較佳為1。顯示上述範圍之(P1-avg/P2-avg)之黏著劑層例如可藉由適當地選擇構成該黏著劑層之2種以上之樹脂來形成。
上述P1-avg及P2-avg例如為0.1°~20°。於本發明中,上述P1-avg及P2-avg各自之值的大小對本發明之效果造成之影響較小。無論相位圖像之各方向上之各自的相位差的大小如何,均可藉由調整相位圖像之各向異性(即P1-avg/P2-avg)獲得上述效果,為本發明之成果之一。
於一個實施形態中,構成黏著劑層之各樹脂分別具有共通之構成單元作為主要構成單元。再者,主要構成單元係指構成各樹脂之構成單元中最多之構成單元。構成黏著劑層之各樹脂中的各樹脂中共通之構成單元的含有比率較佳為40莫耳%以上,更佳為50莫耳%以上,進而較佳為70莫耳%以上,特別較佳為78莫耳%以上。若使用此種具有共通之構成單元之2種以上的樹脂,則樹脂能夠均勻混合而形成上述相位圖像中各向異性較小的樹脂層。
於一個實施形態中,構成黏著劑層之各樹脂間之SP值之差較佳為0(cal/cm3)1/2~2.0(cal/cm3)1/2,更佳為0(cal/cm3)1/2~1.0(cal/cm3)1/2,進而較佳為0(cal/cm3)1/2~0.5(cal/cm3)1/2。若為此種範圍,則樹脂能夠均勻混合而形成上述相位圖像中各向異性較小之樹脂層。
於一個實施形態中,構成黏著劑層之各樹脂間之190℃、2.16kgf下的熔融流動速率之差較佳為0g/10min~50g/10min,更佳為0g/10min~20g/10min,進而較佳為0g/10min~15g/10min。若為此種範圍,則樹脂能夠均勻混合而形成上述相位圖像中各向異性較小之樹脂層。熔融流動速率可利用以JIS K 7210為基準之方法來測定。
於本發明中,較佳為如上所述地組合使用黏著性樹脂與非黏著性樹脂作為2種以上之樹脂。於本發明中,藉由具備抑制非黏著性樹脂呈條紋狀分佈之樹脂層,能夠獲得於貼附於半導體晶圓並供於半導體晶圓之背面研磨步驟之情形時,可防止研磨水及/或研磨屑滲入至黏著片材與半導體晶圓之間的黏著片材。
作為上述黏著性樹脂,可使用任意適當之樹脂。作為上述黏著性樹脂,例如可列舉聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂等熱塑性樹脂。較佳為使用聚烯烴系樹脂。作為聚烯烴系樹脂之具體例,可列舉低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、非晶質聚丙烯系樹脂(例如,非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物、非晶質丙烯-乙烯共聚物等)、離聚物樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物、乙烯-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚物等乙烯共聚物、或聚烯烴改性聚合物等。其中較佳為非晶質聚丙烯系樹脂。
上述黏著性樹脂之230℃、2.16kgf下之熔融流動速率較佳為1g/10min~50g/10min,進而較佳為5g/10min~30g/10min,特別較佳為5g/10min~20g/10min。
上述非晶質聚丙烯系樹脂較佳為能夠藉由使用茂金屬觸媒將丙烯與烯烴(例如1-丁烯、乙烯等)聚合而獲得。使用茂金屬觸媒進行聚合獲得之非晶質聚丙烯系樹脂顯示狹窄之分子量分佈。具體而言,上述非晶質聚丙烯系樹脂之分子量分佈(Mw/Mn)為2.5以下,較佳為1.0~2.3,進而較佳為1.0~2.1。分子量分佈狹窄之非晶質聚丙烯系樹脂之低分子量成分較少,因此若使用此種非晶質聚丙烯系樹脂,則能夠獲得可防止由低分子量成分之滲出引起之被黏著體污染之黏著片材。
上述非晶質聚丙烯系樹脂中之來自丙烯之構成單元的含有比率較佳為70莫耳%~99莫耳%,進而較佳為75莫耳%~99莫耳%,特別較佳為78莫耳%~99莫耳%。
上述非晶質聚丙烯系樹脂中之來自烯烴之構成單元的含有比率較佳為1莫耳%~30莫耳%,進而較佳為1莫耳%~12莫耳%。若為此種範圍,則能夠獲得韌性與柔軟性之平衡優異之黏著片材。
上述非晶質聚丙烯系樹脂可為嵌段共聚物,亦可為無規共聚
物。
上述非晶質聚丙烯系樹脂之重量平均分子量(Mw)為100,000以上,較佳為100,000~500,000,進而較佳為100,000~300,000。若非晶質聚丙烯系樹脂之重量平均分子量(Mw)為此種範圍,則與一般之苯乙烯系熱塑性樹脂、丙烯酸系熱塑性樹脂(Mw為100,000以下)相比,低分子量成分較少,能夠獲得可防止被黏著體污染之黏著片材。
上述非晶質聚丙烯系樹脂於無損本發明之效果之範圍內,亦可進而包含來自其他單體之構成單元。作為其他單體,例如可列舉1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴。
作為上述非黏著性樹脂,只要與上述黏著性樹脂的混合性良好且不顯示黏著性,則能夠使用任意適當之樹脂。
作為能夠與上述非晶質聚丙烯系樹脂組合使用之非黏著性樹脂,例如可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸丁二酯等)、聚烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等)、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素類、氟系樹脂、聚醚、聚苯乙烯系樹脂(聚苯乙烯等)、聚碳酸酯、聚醚碸等。其中,較佳為聚丙烯系樹脂,更佳為結晶性聚丙烯系樹脂。
上述非黏著性樹脂之230℃、2.16kgf下之熔融流動速率較佳為1g/10min~50g/10min,進而較佳為5g/10min~30g/10min,特別較佳為5g/10min~20g/10min。
上述聚丙烯系樹脂可為均聚物,亦可為以來自丙烯之構成單元為主要構成單元之共聚物。該共聚物包含來自例如乙烯、1-戊烯、1-
己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、α-烯烴等能夠與丙烯共聚之單體的構成單元。上述聚丙烯系樹脂較佳為與上述非晶質聚丙烯系樹脂同樣,可藉由使用茂金屬觸媒進行聚合來獲得。
上述黏著性樹脂與非黏著性樹脂之混合比率可根據所期望之黏著力設為任意適當之混合比率。例如,組合使用非晶質聚丙烯系樹脂與結晶性聚丙烯系樹脂之情形時,結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率較佳為相對於上述非晶質聚丙烯系樹脂與該結晶性聚丙烯系樹脂之合計重量,較佳為50重量%以下,進而較佳為40重量%以下,特別較佳為30重量%以下。
上述黏著劑層於無損本發明之效果之範圍內可進而包含其他成分。作為該其他成分,例如可列舉抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑、抗靜電劑等。其他成分之種類及使用量可根據目的適當選擇。
黏著劑層10之厚度較佳為5μm~100μm,進而較佳為10μm~65μm。
B.其他層
本發明之黏著片材除上述黏著劑層以外,亦可進而具備任意適當之其他層。
圖2係本發明之一個實施形態之黏著片材之概略剖面圖。黏著片材100依次具備黏著劑層10、中間層20、及基材層20。
黏著片材100之厚度較佳為90μm~300μm,更佳為100μm~260μm。
中間層20之厚度較佳為50μm~200μm,更佳為80μm~180μm。
中間層20可由任意適當之樹脂構成。作為構成中間層20之樹脂,較佳使用能夠擠出成形之樹脂,更佳使用能夠與構成黏著劑層之樹脂及構成基材層之樹脂共擠出成形的樹脂。作為構成中間層20之樹
脂之具體例,可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸丁二酯等)、聚烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等)、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素類、氟系樹脂、聚醚、聚苯乙烯系樹脂(聚苯乙烯等)、聚碳酸酯、聚醚碸等。
構成中間層20之樹脂之190℃、2.16kgf下的熔融流動速率較佳為2g/10min~20g/10min,進而較佳為5g/10min~15g/10min,特別較佳為7g/10min~12g/10min。若為此種範圍,則能夠藉由共擠出成形而無加工不良地形成中間層。
基材層30之厚度較佳為10μm~200μm,更佳為20μm~150μm。
基材層30可由任意適當之樹脂構成。作為構成基材層30之樹脂,較佳使用能夠擠出成形之樹脂,更佳使用能夠與構成黏著劑層之樹脂及構成中間層之樹脂共擠出成形的樹脂。作為構成基材層30之樹脂之具體例,可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸丁二酯等)、聚烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等)、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素類、氟系樹脂、聚醚、聚苯乙烯系樹脂(聚苯乙烯等)、聚碳酸酯、聚醚碸等。
基材層30之230℃、2.16kgf下之熔融流動速率較佳為1g/10min~50g/10min,進而較佳為5g/10min~30g/10min,特別較佳為5g/10min~25g/10min。
中間層20及基材層30於無損本發明之效果之範圍內亦可進而包
含其他成分。作為該其他成分,例如可使用與上述A項中所說明之黏著劑層中可包含之其他成分相同的成分。
本發明之黏著片材根據需要亦可進而具備其他層。例如,本發明之黏著片材亦可進而具備在供於實用之前保護黏著劑層的保護層。本發明之黏著片材於被保護層保護之狀態下可捲取為輥狀。作為保護層,例如可列舉利用矽系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈丙烯酸烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠(例如,聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯)薄膜、不織布或紙等。
本發明之黏著片材例如於未用保護層保護之情形時,亦可於與黏著劑層相反側之最外層進行背面處理。背面處理可使用例如矽系剝離劑或長鏈丙烯酸烷基酯系剝離劑等剝離劑來進行。本發明之黏著片材藉由進行背面處理,可捲取為輥狀。
C.黏著片材之製造方法
本發明之黏著片材較佳為將構成黏著片材之各層(例如,黏著劑層、中間層、基材層)之形成材料共擠出成形而製造。藉由共擠出成形,能夠以較少之步驟數且不使用有機溶劑而製造層間之接著性良好的黏著片材。
上述共擠出成形中,構成黏著片材之各層之形成材料可使用藉由任意適當之方法將各層之成分混合而成的材料。黏著劑層之形成材料較佳為將構成該黏著劑層之2種以上之樹脂熔融並混合。作為構成黏著劑層之2種以上之樹脂的混合方法,例如可列舉:自單一料斗向擠出機供給將樹脂顆粒彼此於顆粒狀態下摻合的混合物,並於熔融擠出成形時使其混合的方法;將樹脂顆粒自2個以上之料斗控制各自流量向擠出機進行供給,並於熔融擠出成形時使其混合的方法;事先用混練機等將樹脂顆粒彼此摻合製作母料,自單一料斗向擠出機進行供給,並於熔融擠出成形時使其混合的方法等。
作為上述共擠出成形之具體方法,例如可列舉:對連接有模嘴之複數個擠出機分別供給構成黏著片材之各層之形成材料,熔融後擠出,利用接觸輥成形法收取,並將積層體成形的方法。
上述共擠出成形中之成形溫度較佳為160℃~220℃,進而較佳為170℃~200℃。若為此種範圍,則成形穩定性優異。
上述共擠出成形中之製膜速度較佳為3m/min~30m/min。
上述共擠出成形中之接觸輥之溫度較佳為15℃~80℃。
以下,藉由實施例具體說明本發明,但本發明不受該等實施例之任何限定。再者,份表示重量份。
作為黏著劑層形成材料,使用利用茂金屬觸媒進行聚合之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造,商品名「TAFTHREN H5002」、來自丙烯之構成單元90莫耳%/來自1-丁烯之構成單元10莫耳%、Mw=230,000、Mw/Mn=1.8)80份及利用茂金屬觸媒進行聚合之丙烯-乙烯共聚物(日本聚丙烯公司製造,商品名「WINTEC WFX4」、來自丙烯之構成單元96莫耳%/來自乙烯之構成單元4莫耳%、熔點:125℃、軟化點115℃)20份的混合物。非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與聚丙烯-乙烯共聚物之混合係藉由自單一料斗向擠出機供給將樹脂顆粒彼此於顆粒狀態下摻合的混合物,並於熔融擠出成形時使其混合的方法來進行。
作為中間層形成材料,使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井杜邦公司製造,商品名「V523」)。
作為基材層形成材料,使用利用茂金屬觸媒進行聚合之聚丙烯-乙烯共聚物(日本聚丙烯公司製造,商品名「WINTFC WSX02」)。
將上述黏著劑形成材料、中間層形成材料及基材層形成材料進
行T模嘴熔融共擠出(擠出溫度:180℃、製膜速度:5m/min),將熔融狀態之樹脂與向接觸輥成形部(接觸輥溫度:50℃)通紙之塗佈有Si的PET隔膜(帝人杜邦公司製造,商品名「Tetoron Film G2」)積層後,進行冷卻,獲得黏著片材(基材層(厚度:30μm)/中間層(厚度:90μm)/黏著劑層(厚度:10μm)/保護層(厚度:50μm))。
將構成樹脂層之樹脂、構成中間層之樹脂、共擠出成形中之製膜速度、以及共擠出成形中之接觸輥溫度設定為如表1所示,除此以外,以與實施例1同樣之方式,獲得黏著片材。
再者,表1中記載之樹脂之詳細情況如下所述。
「WK307」:乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(住友化學公司製造,商品名「WK307」)
「H6822S」:包含丙烯-(1-丁烯)共聚物、苯乙烯系聚合物、乙烯系聚合物與丁二烯系聚合物的樹脂混合物(住友化學公司製造,商品名「TAFTHREN H6822S」)
「Vistamaxx 6202」:非晶質丙烯-乙烯共聚物(ExxonMobil Chemical公司製造,商品名「Vistamaxx 6202」,來自丙烯之構成單元78莫耳%/來自乙烯之構成單元22莫耳%、MFR(230℃、2.16kgf)=18g/10min、分子量分佈:Mw/Mn=2.05、Tg=-31.8℃)
「FLX80E4」:均聚聚丙烯(住友化學公司製造,商品名「FLX80E4」)
「WMG03」:丙烯-乙烯共聚物(日本聚丙烯公司製造,商品名「WINTEC WMG03」,來自丙烯之構成單元99莫耳%/來自乙烯之構成單元1莫耳%、熔點:142℃、軟化點:130℃)
「Vistamaxx 3980FL」:丙烯-乙烯共聚物(ExxonMobil Chemical公司製造,商品名「Vistamaxx 3980FL」,來自丙烯之構成單元87莫
耳%/來自乙烯之構成單元13莫耳%、MFR:8g/10min,分子量分布)[評價]
將實施例及比較例中獲得之黏著片材供於以下評價。結果示於表1。
(1)黏著劑層之各向異性
自實施例及比較例中獲得之黏著片材剝離保護層(塗佈有Si之PET隔膜),利用原子力顯微鏡(Veeco公司製造,NanoScope-3D)測定黏著劑層之露出面之相位圖像。作為原子力顯微鏡之懸臂,使用輕敲模式用之單晶矽製造、懸臂長為160μm、力接觸(force contact)為26N/m、共振頻率為200~400kHz之懸臂(Olympus公司製造,OMLC-AC160TS-C3)。測定係於室溫23℃、輕敲模式下進行。以256pixel×256pixel掃描5μm×5μm之範圍,掃描速度設為0.5~1.0Hz。
將如上所述測定而獲得之相位圖像用圖像分析軟體進行處理,評價黏著劑層之各向異性。具體而言,按照以下順序評價黏著劑層之各向異性。
對獲得之相位圖像進行傾斜校正後,取得以縱軸(y軸)為相位差(基於原子力顯微鏡測定之輸入信號與輸出信號之相位差(°))、以橫軸(x軸)為測定距離之第1方向(寬度方向(TD))及第2方向(長度方向(MD))的線分佈,根據上述式(1)求出各方向上之相位差之大小P1、P2。分別於各方向上求出隨機提取之128條線之P1、P2,計算其平均P1-avg、P2-avg,根據(P1-avg/P2-avg)評價黏著劑層之各向異性。
(2)水滲入
自實施例及比較例中獲得之黏著片材剝離保護層後,將該黏著片材貼附於Si鏡面晶圓,將Si鏡面晶圓之背面(與貼附面相反側)研磨至100μm。研磨後,自Si鏡面晶圓剝離黏著片材時,將於黏著片材與Si鏡面晶圓之間確認到水滴的情況設為有水滲入(表1中×)、未確認到
的情況設為無水滲入(表1中○)。
由表1可明確,具備利用原子力顯微鏡之相位圖像之各向異性較小的黏著劑層的本申請案的黏著片材之水滲入較少。
本發明之黏著片材能夠較佳地用於例如半導體裝置製造時之工件(半導體晶圓等)之暫時固定及保護。
10‧‧‧黏著劑層
20‧‧‧中間層
30‧‧‧基材層
100‧‧‧黏著片材
Claims (2)
- 一種黏著片材,其具備包含2種以上之樹脂之黏著劑層,該黏著劑層中,由利用原子力顯微鏡測定之與被黏著體相接觸側之表面的相位圖像獲得的以縱軸(y軸)為相位差、以橫軸(x軸)為測定距離之第1方向及與該第1方向正交之第2方向的線分佈中,第1方向上之相位差的大小(P1-avg)與第2方向上之相位差的大小(P2-avg)之比(P1-avg/P2-avg)為0.94~1.06。
- 如請求項1之黏著片材,其中構成上述黏著劑層之2種以上之樹脂分別具有共通之構成單元作為主要構成單元。
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