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TW201339260A - 黏著劑組成物、黏著帶、及晶圓之處理方法 - Google Patents

黏著劑組成物、黏著帶、及晶圓之處理方法 Download PDF

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TW201339260A
TW201339260A TW102101006A TW102101006A TW201339260A TW 201339260 A TW201339260 A TW 201339260A TW 102101006 A TW102101006 A TW 102101006A TW 102101006 A TW102101006 A TW 102101006A TW 201339260 A TW201339260 A TW 201339260A
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wafer
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TW102101006A
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利根川亨
麻生隆浩
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積水化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於提供具有高接著力、另一方面可容易地剝離、且耐熱性優異的黏著劑組成物，使用該黏著劑組成物之黏著帶，及使用該黏著帶的晶圓之處理方法。本發明係一種黏著劑組成物，其含有光硬化型黏著劑成分、光聚合起始劑、及藉由照射光而產生氣體的氣體產生劑，該氣體產生劑以0.05~37μm之分散徑分散於黏著劑組成物中。

Description

黏著劑組成物、黏著帶、及晶圓之處理方法
本發明係關於一種具有高接著力、另一方面可容易地剝離、且耐熱性優異的黏著劑組成物，使用該黏著劑組成物之黏著帶，及使用該黏著帶的晶圓之處理方法。
含有黏著劑成分之黏著劑組成物廣泛用於黏著劑、密封劑、塗料、塗佈劑等黏合劑，黏著帶或者無支持膠帶等之黏著帶等中。
該些黏著劑組成物所要求的性能根據其用途為多種多樣，根據用途，有時要求僅於必要時顯示接著性而其後容易剝下。
例如，於半導體晶片之製造步驟中，提出了如下方法：於將自高純度之矽單晶等所切出之厚膜晶圓研磨為規定厚度而製成薄膜晶圓之步驟等中，將厚膜晶圓接著於支持板上而進行補強，藉此而效率良好地進行作業。而且，於將研削為規定厚度之薄膜晶圓切割為各個半導體晶片時，會使用被稱為切割膠帶之黏著帶。對於此種半導體之製造步驟中所使用的黏著劑組成物，要求於步驟中牢固地接著，另一方面於步驟結束後可並不損傷所得之薄膜晶圓或半導體晶片等地剝離(以下亦稱為「高接著易剝離」)。
作為下一代之技術，使用了TSV(Si貫通孔/Through Si via)之3維積層技術已受到注目，該TSV係積層複數個半導體晶片而使元件飛 躍性地高性能化、小型化。TSV可實現半導體構裝之高密度化，使存取速度飛躍性變快，且使用中所產生之熱的放出亦優異。
於此種TSV之製造中，必須進行對研削所得之薄膜晶圓進行撞擊，於內面形成凸塊，或於3維積層時進行回焊等200℃以上之高溫處理製程。因此，對在TSV製造步驟中所使用之黏著劑組成物，除了高接著易剝離以外，亦要求即使在250℃左右之高溫下亦可維持接著性之耐熱性。
作為實現高接著易剝離之黏著劑組成物，於專利文獻1中揭示了一種黏著帶，該黏著帶使用了可藉由照射紫外線等光而進行硬化，從而使黏著力降低之光硬化型黏著劑。此種黏著帶可於加工步驟中確實地固定半導體，且可藉由照射紫外線等而容易地剝離。然而，於專利文獻1中所記載之黏著帶中，照射紫外線等之後的黏著力之降低並不充分，難以並不損傷薄膜晶圓或半導體晶片等地剝離。
於專利文獻2中揭示了一種加熱剝離型黏著片，該加熱剝離型黏著片具有含有熱膨脹性微小球的黏著層。若將專利文獻2之加熱剝離型黏著片加熱至一定溫度以上，則熱膨脹性微小球膨脹而造成黏著層整體發泡，從而於表面形成凹凸，與被黏著體之接著面積減少，因此可容易地剝離被黏著體。然而，於專利文獻2中所記載之加熱剝離型黏著片中，進行加熱而使熱膨脹性微小球膨脹，從而於黏著劑表面產生微細之凹凸。由於該形狀變化而與被黏著體以面進行接著而成者，在膨脹過程中會表現出從被黏著體剝離黏著層之應力而進行剝離，但微細之凹凸與被黏著體成為點接著，殘存接著力，因此難以並不損傷薄膜晶圓或半導體晶片等地進行剝離。而且，亦存在於經剝離之被黏著體之表面殘餘糊之問題。另外，即 使於使用耐熱性相對高的熱膨脹性微小球之情形時，最高僅有130℃左右之耐熱性，難以用於TSV之製造步驟中。
於專利文獻3中記載了一種雙面黏著帶，該雙面黏著帶具有含有偶氮化合物等藉由刺激而產生氣體之氣體產生劑的黏著層。若對專利文獻3之雙面黏著帶賦予刺激，則由氣體產生劑所產生之氣體放出至膠帶之表面與被黏著體之界面，由於其壓力而造成被黏著體之至少一部分剝離。若使用專利文獻3之雙面黏著帶，則可並不損傷薄膜晶圓或半導體晶片等、且亦不殘餘糊地進行剝離。然而，專利文獻3之雙面黏著帶於耐熱性之方面亦存在問題，難以用於TSV之製造步驟中。
於現在之TSV之製造步驟中，會使用含有如碳黑這樣的光吸收體微粒子粉之黏著劑而進行接著，利用雷射誘導熱而進行黏著劑之分解分離(非專利文獻1)。然而，為了使用非專利文獻1之技術，除了必須要有雷射照射裝置這樣的設備上的問題以外，亦存在如下之問題：由於雷射照射使黏著劑分解，從而造成微粒子粉飛散，使製造環境之潔淨度降低。
專利文獻1：日本特開平5-32946號公報
專利文獻2：日本特開平11-166164號公報
專利文獻3：日本特開2003-231872號公報
非專利文獻1：「接著之技術」、Vol.28、No.1(2008)、通卷90號、P.28
本發明之目的在於提供具有高接著力、另一方面可容易地剝 離、且耐熱性優異的黏著劑組成物，使用該黏著劑組成物之黏著帶，及使用該黏著帶的晶圓之處理方法。
本發明係一種黏著劑組成物，其含有光硬化型黏著劑成分、光聚合起始劑、及藉由照射光而產生氣體的氣體產生劑，該氣體產生劑以0.05~37μm之分散徑分散於黏著劑組成物中。
以下對本發明加以詳述。
於專利文獻3等中所記載之含有偶氮化合物等藉由刺激而產生氣體之氣體產生劑的黏著劑中，必須使氣體產生劑溶解於黏著劑中。其原因在於：若氣體產生劑並未溶解於黏著劑中，則於剝離時自氣體產生劑產生氣體時，氣體產生劑自身成為核而使黏著劑整體進行發泡，從而造成剝離性降低，成為殘餘糊等之原因。
然而，本發明人發現：於選擇與黏著劑成分非相溶之氣體產生劑，使固體狀之氣體產生劑分散於黏著劑組成物中之情形時，與於黏著劑組成物中溶解氣體產生劑之情形相比，耐熱性明顯提高。特別是使用如後述之雙四唑化合物或其鹽這樣的熱分解溫度相對較高者之情形時，可發揮即使在250℃左右之高溫下亦不分解之高耐熱性。認為其原因在於：於使氣體產生劑固體狀地分散之情形時，與相溶之情形相比物質狀態穩定。
而且，本發明人發現，即便於使用此種與黏著劑成分非相溶之氣體產生劑之情形時，亦可於將黏著劑成分設為光硬化型，使對照射光之後的被黏著體的黏著力充分減低之情形時，可並不使黏著劑發泡地容易地剝離，從而完成本發明。
本發明之黏著劑組成物含有光硬化型黏著劑成分。
作為上述光硬化型黏著劑成分(以下亦簡稱為「黏著劑成分」)，並無特別限定，可使用先前公知者。具體而言，例如可列舉含有於分子內具有自由基聚合性不飽和鍵的(甲基)丙烯酸烷基酯系聚合性聚合物的光硬化型黏著劑等。
此種光硬化型黏著劑藉由照射光而整體均一且迅速地聚合交聯而一體化，因此由聚合硬化而造成之彈性模數之上升變顯著，黏著力大幅降低。
上述聚合性聚合物例如可藉由如下方式而獲得：預先合成於分子內具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物(以下亦稱為含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物)，使其與於分子內具有可與上述官能基反應之官能基與自由基聚合性不飽和鍵的化合物(以下稱為含有官能基之不飽和化合物)進行反應。
上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物作為於常溫下具有黏著性之聚合物，與一般的(甲基)丙烯酸系聚合物之情形同樣地，以烷基之碳數通常處於2~18之範圍的丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯為主單體，藉由常法使其與含有官能基之單體、以及進而視需要與可與該等共聚之其他改質用單體進行共聚而獲得。上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量通常為20萬~200萬左右。
作為上述含有官能基之單體，例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸等含有羧基之單體；丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯等含有羥基之單體；丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等含有環氧基之單體；丙烯酸異氰酸酯基乙酯、甲基丙烯酸異氰酸酯基乙酯等含有異氰酸酯基之單體；丙烯酸胺基乙酯、甲基丙烯酸胺基乙酯等含有胺基之單體等。
作為上述可共聚之其他改質用單體，例如可列舉乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等一般的用於(甲基)丙烯酸系聚合物之各種單體。
作為與上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物反應之含有官能基之不飽和化合物，可根據上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基而使用與上述之含有官能基之單體同樣者。例如，於上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羧基之情形時，使用含有環氧基之單體或含有異氰酸酯基之單體，於上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羥基之情形時，使用含有異氰酸酯基之單體，於上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為環氧基之情形時，使用含有羧基之單體或丙烯醯胺等含有醯胺基之單體，於上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為胺基之情形時，使用含有環氧基之單體。
上述於分子內具有自由基聚合性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯系聚合性聚合物亦可併用多官能寡聚物或者單體。
作為上述多官能寡聚物或者單體，較佳的是分子量為1萬以下者，更佳的是為了效率良好地進行由於加熱或者光照射所造成的黏著劑層之三維網狀化，其分子量為5,000以下且分子內之自由基聚合性不飽和鍵數為2~20個者。作為此種更佳之多官能寡聚物或者單體，例如可列舉三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯或者上述同樣之甲基丙烯酸酯類等。此外，可列舉1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之寡酯丙烯酸酯、上 述同樣之甲基丙烯酸酯類等。該些多官能寡聚物或者單體可單獨使用，亦可將2種以上併用。
本發明之黏著劑組成物含有光聚合起始劑。
作為上述光聚合起始劑，例如可列舉藉由照射250~800nm之波長的光而活化者，作為此種光聚合起始劑，例如可列舉甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物；安息香丙醚、安息香異丁醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮(benzil dimethyl ketal)、苯乙酮二乙基縮酮等縮酮衍生物化合物；氧化膦衍生物化合物；雙(η 5-環戊二烯基)二茂鈦衍生物化合物、二苯甲酮、米其勒酮、氯噻噸酮(chlorothioxanthone)、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等光自由基聚合起始劑。該些光聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
本發明之黏著劑組成物含有藉由照射光而產生氣體之氣體產生劑。
上述氣體產生劑與上述光硬化型黏著劑成分非相溶，且以固體狀分散於黏著劑組成物中。上述氣體產生劑以固體狀分散，因此本發明之黏著劑組成物與氣體產生劑溶解之情形相比可發揮出高耐熱性。
再者，於本說明書中，所謂非相溶係表示製備黏著劑組成物，於40℃熟化2日後，藉由電子顯微鏡等進行觀察時，可觀察到0.005μm以上之粒子。
上述氣體產生劑只要為與上述光硬化型黏著劑成分非相溶者則並無特別限定。上述光硬化型黏著劑成分係含有上述於分子內具有自由基聚合性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯系聚合性聚合物的光硬化型 黏著劑之情形時，例如可列舉四唑化合物或其鹽、三唑化合物或其鹽、偶氮化合物、疊氮化物、酮乙酸、碳酸鹽等。該些氣體產生劑可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，較佳的是四唑化合物或其鹽、或者三唑化合物或其鹽。作為四唑化合物或其鹽之一種的雙四唑化合物或其鹽由於耐熱性特別高、可發揮即使在250℃左右之高溫下亦不分解之高耐熱性而更佳。
上述四唑化合物例如可列舉下述通式(1)~(3)所表示之四唑化合物。
而且，上述四唑化合物之鹽例如可列舉下述通式(1')~(3')所表示之鹽，該鹽係將下述通式(1)~(3)所表示之四唑化合物與胺、肼化合物、氫氧化四級銨鹽、膦化合物等鹼性化合物於容器中混合而製備。
上述通式(1)~(3)中，R1、R2表示氫、羥基、胺基、或 者碳數為1~7之烷基、烯基、苯基、巰基。上述碳數為1~7之烷基、烯基、苯基、或者巰基亦可經取代。上述烷基等係經取代者之情形時，該取代基例如可列舉胺基、烷基、烯基、苯基、巰基等。
上述通式(1')~(3')所表示之鹽，例如可列舉鈉鹽、鉀鹽、鋅鹽、銅鹽、鐵鹽等金屬鹽或銨鹽、胍鹽等。
上述通式(1)~(3)或上述通式(1')~(3')所表示之四唑化合物或其鹽中，於使用「波長250~400 nm時之莫耳吸光係數之最大值(以下亦稱為「εmax(250-400)」)為100以上」、且「使用熱天秤而測得之自100℃加熱至200℃時之重量殘存率(以下亦簡稱為「重量殘存率」)為80%以上」之四唑化合物或其鹽之情形時，耐熱性極其優異，且即使於使用紫外線或白色光等輸出功率相對較小之光源而進行光照射之情形時，亦可容易地產生氣體(氮氣)。特佳的是於波長270~400 nm時之莫耳吸光 係數之最大值(以下亦稱為「εmax(270-400)」)為100以上之四唑化合物或其鹽。
上述通式(1)~(3)或上述通式(1')~(3')所表示之四唑化合物或其鹽中，εmax(250-400)為100以上、εmax(270-400)為100以上、且重量殘存率為80%以上之四唑化合物例如可列舉5-苯基-1H-四唑(εmax(250-400)為401、εmax(270-400)為401、重量殘存率為98%)、4,5二(四唑基)-[1,2,3]三唑(εmax(250-400)為629、εmax(270-400)為605、重量殘存率為85%)、1-(對乙氧基苯基)-5-巰基四唑(εmax(250-400)為718、εmax(270-400)為718、重量殘存率為83%)、1-(4-苯甲醯胺)-5-巰基四唑(εmax(250-400)為713、εmax(270-400)為713、重量殘存率為82%)、5-甲苯基四唑(εmax(250-400)為368、εmax(270-400)為368、重量殘存率為99%)、2-(5-四唑基)苯胺(εmax(250-400)為372、εmax(270-400)為372、重量殘存率為99%)、5-(間胺基苯基)四唑(εmax(250-400)為301、εmax(270-400)為301、重量殘存率為100%)、5-乙醯胺四唑(εmax(250-400)為262、εmax(270-400)為258、重量殘存率為100%)、N-(1H四唑-5-基)-正辛醯胺(εmax(250-400)為562、εmax(270-400)為428、重量殘存率為98%)、1-環己基-5-氯丁基四唑(εmax(250-400)為304、εmax(270-400)為262、重量殘存率為82%)等。
上述通式(1)~(3)或上述通式(1')~(3')所表示之四唑化合物或其鹽中，εmax(270-400)未達100、εmax(250-400)為100以上、且重量殘存率為80%以上之四唑化合物或其鹽例如可列舉：雙四唑 哌鹽(εmax(250-400)為606、重量殘存率為98%)、雙四唑銨鹽(εmax(250-400)為473、重量殘存率為99%)、雙四唑二鈉鹽(εmax(250-400)為320、重量殘存率為100%)、雙四唑單水合物(εmax(250-400)為402、重量殘存率為98%)、雙四唑單銨(εmax(250-400)為506、重量殘存率為97%)、5-胺基四唑單水合物(εmax(250-400)為299、重量殘存率為83%)、5-胺基甲基-1H-四唑(εmax(250-400)為282、重量殘存率為82%)、1-甲基-5-巰基四唑(εmax(250-400)為364、εmax(270-400)為364、重量殘存率為80%)等。
於本說明書中，所謂莫耳吸光係數是表示稱量10 mg之四唑化合物或其鹽，將其溶解於5 mL之甲醇與5 mL之1當量氫氧化鈉水溶液之混合溶劑中，使用分光光度計(例如日立製作所製造之U-3000)，依照下述式測定200~600 nm之波長區域的吸收光譜，使用所得之吸收光譜中之吸光度，藉由下述式計算所得之值。
ε=A/c×d
(式中ε表示莫耳吸光係數，A表示吸光度，c表示莫耳濃度，d表示單元厚度)
再者，於本說明書中，所謂波長250~400 nm時之莫耳吸光係數之最大值為100以上，只要波長250 nm~400 nm間之任意波長時之莫耳吸光係數之值為100以上即可，無須於波長250 nm~400 nm之間存在莫耳吸光係數之峰值。
上述重量殘存率例如可藉由如下方式而獲得：於熱天秤(例如SII公司製造之TG/DTA6200)之鋁鍋中稱量5~10 mg之四唑化合物或 其鹽，測定於空氣環境中(流量為200 mL/分鐘)、升溫速度為5℃/分鐘之條件下自常溫(30℃)起升溫至400℃時的重量減少率。
再者，此處設為「自100℃起」係為了排除吸附於四唑化合物或其鹽之水之影響。
上述氣體產生劑以0.05~37μm之分散徑分散於黏著劑組成物中。若上述氣體產生劑之分散徑未達0.05μm，則無法獲得可耐250℃左右之加熱處理步驟之程度的耐熱性提高效果。若上述氣體產生劑之分散徑超過37μm，則存在進行光照射時之氣體產生變得不均一而產生剝離不良之虞。而且，存在有損黏著劑組成物之黏著力之情形。特別是如後述那樣於基材之至少其中一面形成由本發明之黏著劑組成物構成之黏著劑層之情形時，若上述氣體產生劑之分散徑變得比該黏著層之厚度大，則實質的黏著力顯著降低。上述氣體產生劑之分散徑之較佳下限為0.1μm、較佳上限為10.0μm，更佳之上限為5.0μm。
再者，於本說明書中，黏著劑組成物中之氣體產生劑之分散徑係表示藉由以下之方法而測定的D50粒徑(表示於將氣體產生劑之粒子自某粒徑分為2部時，較大的一側與較小之一側成為等量之粒徑。一般亦稱為「中位數粒徑」)。
亦即，將黏著劑組成物放入至可溶解上述光硬化型黏著劑成分之溶劑中，進行24小時攪拌而使黏著劑成分溶解後，藉由50μm之篩孔對使用超音波照射機進行了1小時分散之溶液進行過濾而分離氣體產生劑之粒子。使用雷射繞射/散射式粒徑分佈測定裝置(例如HORIBA公司製造、LA-950)而對已分離之氣體產生劑進行測定，算出D50粒徑。
上述氣體產生劑之含量相對於上述黏著劑成分100重量份較佳之下限為5重量份、較佳之上限為50重量份。若上述氣體產生劑之含量未達5重量份，則存在由於光照射而產生之氣體變少，從而無法進行充分之剝離之情形；若超過50重量份，則存在黏著力降低之情形。上述氣體產生劑之含量的更佳之下限為10重量份、更佳之上限為30重量份。
本發明之黏著劑組成物亦可含有光敏劑。
上述光敏劑具有使對上述氣體產生劑之由光造成之刺激增幅之效果，因此可藉由更少之光照射而放出氣體。而且，可藉由更廣之波長區域之光而放出氣體。
上述光敏劑只要為耐熱性優異者，則並無特別限定。
耐熱性優異之光敏劑例如可列舉具有至少1個以上烷氧基之多環芳香族化合物。其中，適宜的是具有一部分經縮水甘油基或者羥基取代之烷氧基的經取代之烷氧基多環芳香族化合物。該些光敏劑之耐昇華性高，可於高溫下使用。
上述多環芳香族化合物較佳的是蒽衍生物。上述烷氧基較佳的是碳數為1~18者，更佳的是碳數為1~8者。
上述具有至少1個以上烷氧基的多環芳香族化合物例如可列舉9,10-二甲氧基蒽、2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、2-三級丁基-9,10-二甲氧基蒽、2,3-二甲基-9,10-二甲氧基蒽、9-甲氧基-10-甲基蒽、9,10-二乙氧基蒽、2-乙基-9,10-二乙氧基蒽、2-三級丁基-9,10-二乙氧基蒽、2,3-二甲基-9,10-二乙氧基蒽、9-乙氧基-10-甲基蒽、9,10-二丙氧基蒽、2-乙基-9,10-二丙氧基蒽、2-三級丁基-9,10-二丙氧 基蒽、2,3-二甲基-9,10-二丙氧基蒽、9-異丙氧基-10-甲基蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二苄氧基蒽、2-乙基-9,10-二苄氧基蒽、2-三級丁基-9,10-二苄氧基蒽、2,3-二甲基-9,10-二苄氧基蒽、9-苄氧基-10-甲基蒽、9,10-二-α-甲基苄氧基蒽、2-乙基-9,10-二-α-甲基苄氧基蒽、2-三級丁基-9,10-二-α-甲基苄氧基蒽、2,3-二甲基-9,10-二-α-甲基苄氧基蒽、9-(α-甲基苄氧基)-10-甲基蒽、9,10-二(2-羥基乙氧基)蒽、2-乙基-9,10-二(2-羧基乙氧基)蒽等蒽衍生物等。
上述具有一部分經縮水甘油基或羥基取代之烷氧基的經取代之烷氧基多環芳香族化合物例如可列舉9,10-二(縮水甘油氧基)蒽、2-乙基-9,10-二(縮水甘油氧基)蒽、2-三級丁基-9,10-二(縮水甘油氧基)蒽、2,3-二甲基-9,10-二(縮水甘油氧基)蒽、9-(縮水甘油氧基)-10-甲基蒽、9,10-二(2-乙烯氧基乙氧基)蒽、2-乙基-9,10-二(2-乙烯氧基乙氧基)蒽、2-三級丁基-9,10-二(2-乙烯氧基乙氧基)蒽、2,3-二甲基-9,10-二(2-乙烯氧基乙氧基)蒽、9-(2-乙烯氧基乙氧基)-10-甲基蒽、9,10-二(3-甲基-3-氧呾基甲氧基)蒽、2-乙基-9,10-二(3-甲基-3-氧呾基甲氧基)蒽、2-三級丁基-9,10-二(3-甲基-3-氧呾基甲氧基)蒽、2,3-二甲基-9,10-二(3-甲基-3-氧呾基甲氧基)蒽、9-(3-甲基-3-氧呾基甲氧基)-10-甲基蒽、9,10-二(對環氧苯基甲氧基)蒽、2-乙基-9,10-二(對環氧苯基甲氧基)蒽、2-三級丁基-9,10-二(對環氧苯基甲氧基)蒽、2,3-二甲基-9,10-二(對環氧苯基甲氧基)蒽、9-(對環氧苯基甲氧基)-10-甲基蒽、 9,10-二(對乙烯基苯基甲氧基)蒽、2-乙基-9,10-二(對乙烯基苯基甲氧基)蒽、2-三級丁基-9,10-二(對乙烯基苯基甲氧基)蒽、2,3-二甲基-9,10-二(對乙烯基苯基甲氧基)蒽、9-(對乙烯基苯基甲氧基)-10-甲基蒽、9,10-二(2-羥基乙氧基)蒽、9,10-二(2-羥基丙氧基)蒽、9,10-二(2-羥基丁氧基)蒽、9,10-二(2-羥基-3-丁氧基丙氧基)蒽、9,10-二(2-羥基-3-(2-乙基己氧基)丙氧基)蒽、9,10-二(2-羥基-3-烯丙氧基丙氧基)蒽、9,10-二(2-羥基-3-苯氧基丙氧基)蒽、9,10-二(2,3-二羥基丙氧基)蒽等。
上述光敏劑之含量相對於上述黏著劑成分100重量份較佳之下限為0.05重量份、較佳之上限為10重量份。若上述光敏劑之含量未達0.05重量份，則存在無法獲得充分之增感效果之情形；若超過10重量份，則存在源自光敏劑之殘存物增加、變得無法進行充分之剝離之情形。上述光敏劑之含量之更佳之下限為0.1重量份、更佳之上限為5重量份。
較佳的是本發明之黏著劑組成物含有具有可與上述黏著劑成分交聯之官能基的聚矽氧化合物(以下亦簡稱為「聚矽氧化合物A」)。
聚矽氧化合物之耐熱性優異，因此即使經過200℃以上之高溫加工製程亦可防止黏著劑之燒焦附著，於剝離時滲出至被黏著體界面，從而使剝離變容易。藉此可更有效地抑制由於在剝離時自氣體產生劑所產生之氣體使黏著劑組成物之整體發泡。
而且，聚矽氧化合物具有可與上述黏著劑成分交聯之官能基，因此藉由剝離時之光照射而與上述黏著劑成分進行化學反應而摻入於上述黏著劑成分中，因此聚矽氧化合物不會附著於被黏著體而造成污染。而且，於被 黏著體之其中一方為由玻璃板構成之支持板之情形時，藉由摻合具有可與上述黏著劑成分交聯之官能基的聚矽氧化合物，可使對支持板之親和性提高，且亦發揮防止於晶圓上殘餘糊之效果。
上述聚矽氧化合物A之聚矽氧骨架並無特別限定，可為D體、DT體之任一者。
上述聚矽氧化合物A較佳的是於聚矽氧骨架之側鏈或者末端具有該官能基。
其中，若使用具有D體之聚矽氧骨架，且於末端具有可與上述黏著劑成分交聯之官能基的聚矽氧化合物，則容易同時實現高的初始黏著力與高溫加工製程後之剝離力，因此適宜。
上述聚矽氧化合物A之官能基可根據上述黏著劑成分而選用適當者。例如，於黏著劑成分係上述以於分子內具有自由基聚合性不飽和鍵的(甲基)丙烯酸烷基酯系聚合性聚合物為主成分的光硬化型黏著劑之情形時，選擇可與(甲基)丙烯酸基交聯之官能基。
上述可與(甲基)丙烯酸基交聯之官能基係具有不飽和雙鍵之官能基，具體而言例如可列舉乙烯基、(甲基)丙烯酸基、烯丙基、順丁烯二醯亞胺基等。
上述聚矽氧化合物A之官能基當量並無特別限定，較佳之下限為1、較佳之上限為20。若上述官能基當量未達1，則於所得之黏著劑組成物之硬化時，存在聚矽氧化合物A並不充分地摻入至黏著劑成分中，對被黏著體造成污染，無法充分發揮剝離性之情形；若超過20，則存在無法獲得充分之黏著力之情形。上述官能基當量之更佳之上限為10，更佳之 下限為2，進一步更佳之上限為6。
上述聚矽氧化合物A之分子量並無特別限定，較佳之下限為300，較佳之上限為50000。若上述分子量未達300，則存在所得之黏著劑組成物之耐熱性變得不充分之情形；若超過50000，則存在與上述黏著劑成分之混合變困難之情形。上述分子量之更佳之下限為400、更佳之上限為10000；進一步更佳之下限為500、進一步更佳之上限為5000。
合成上述聚矽氧化合物A之方法並無特別限定，例如可列舉：藉由矽氫化反應使具有SiH基之聚矽氧樹脂、與具有可與上述黏著劑成分交聯之官能基的乙烯系化合物進行反應，藉此而於聚矽氧樹脂中導入可與上述黏著劑成分交聯之官能基的方法；或使矽氧烷化合物、與具有可與上述黏著劑成分交聯之官能基的矽氧烷化合物進行縮合反應的方法等。
上述聚矽氧化合物A中市售者例如可列舉信越化學工業公司製造之X-22-164、X-22-164AS、X-22-164A、X-22-164B、X-22-164C、X-22-164E等在兩末端具有甲基丙烯酸基之聚矽氧化合物，或信越化學工業公司製造之X-22-174DX、X-22-2426、X-22-2475等在單末端具有甲基丙烯酸基之聚矽氧化合物，或DAICEL-CYTEC公司製造之EBECRYL350、EBECRYL1360等具有丙烯酸基之聚矽氧化合物，或東亞合成公司製造之AC-SQ TA-100、AC-SQ SI-20等具有丙烯酸基之聚矽氧化合物，或東亞合成公司製造之MAC-SQ TM-100、MAC-SQ SI-20、MAC-SQ HDM等具有甲基丙烯酸基之聚矽氧化合物等。
其中，上述聚矽氧化合物A之耐熱性特別高且極性高，因此容易自黏著劑組成物滲出，因此適宜的是下述通式(I)、通式(II)、通 式(III)所表示之於矽氧烷骨架上具有(甲基)丙烯酸基之聚矽氧化合物。
式中，X、Y表示0~1200之整數，R表示具有不飽和雙鍵之官能基。
上述通式(I)、通式(II)、通式(III)所表示之於矽氧烷骨架上具有(甲基)丙烯酸基之聚矽氧化合物中之市售者例如可列舉DAICEL-CYTEC公司製造之EBECRYL350、EBECRYL1360(R皆為丙烯酸基)等。
上述聚矽氧化合物A之含量並無特別限定，較佳之下限為0.1重量%、較佳之上限為30重量%。若聚矽氧化合物A之含量未達0.1重量%，則存在無法自被黏著體剝離之情形；若超過30重量%，則存在無法獲得初始接著力之情形。聚矽氧化合物A之含量的更佳之下限為0.2重量%、更佳之上限為20重量%。
上述聚矽氧化合物A之含量相對於上述黏著劑成分100重量份較佳之下限為0.5重量份、較佳之上限為40重量份。若聚矽氧化合物 A之含量未達0.5重量份，則存在即使進行光照射亦無法使黏著力充分減低，從而造成無法自被黏著體剝離之情形；若超過40重量份，則存在成為被黏著體之污染的原因之情形。聚矽氧化合物A之含量的更佳之下限為1重量份、更佳之上限為30重量份。
本發明之黏著劑組成物亦可為了實現凝聚力之調節而適宜摻合異氰酸酯化合物、三聚氰胺化合物、環氧化合物等一般會被摻合於黏著劑的各種多官能性化合物。而且，亦可加入靜電防止劑、塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟、微粒子填充劑等公知之添加劑。進而，為了提高黏著劑之穩定性，亦可摻合熱穩定劑、抗氧化劑。
製造本發明之黏著劑組成物的方法並無特別限定，例如可列舉使用珠磨機、超音波分散、均質器、高輸出分散機、輥磨機等將上述黏著劑成分、光聚合起始劑、氣體產生劑、及視需要而摻合之上述聚矽氧化合物加以混合的方法等。
使上述氣體產生劑以0.05~37μm之分散徑分散於黏著劑組成物中之方法並無特別限定，可列舉預先對上述氣體產生劑進行微粉碎，藉由各篩孔尺寸之篩進行分級而將平均粒徑調整為0.05~37μm之後，與上述黏著劑成分等加以混合之方法。特別是為了將分散徑微分散為30μm以下，分散方法亦變重要。例如於使用珠磨機進行混練之情形時，可藉由使珠磨機之旋轉速度變高、使分散時間變長、或者使珠粒之粒徑變小，而將氣體產生劑之分散徑調整得更小。
本發明之黏著劑組成物具有高的初始黏著力，另一方面可藉由照射紫外線等光而容易地剝離。本發明之黏著劑組成物之耐熱性特別優 異，因此亦可於如下用途中使用：於TSV之製造步驟中將晶圓固定於支持板、於晶圓或晶片通過回焊爐時將其暫時固定於支持板等上等之進行220~270℃、較佳的是230~260℃之高溫處理的用途。
本發明之黏著劑組成物可用於各種接著性製品。
上述接著性製品例如可列舉將本發明之黏著劑組成物用作黏合樹脂之接著劑、黏著劑、塗料、塗佈劑、密封劑等，或者將本發明之黏著劑組成物用作黏著劑之單面黏著帶、雙面黏著帶、無支持膠帶(non-support tape)等黏著帶等。其中，適合用於高溫處理時之支持板固定用膠帶、兼用於高溫處理及背面研磨之固定用膠帶、兼用於高溫處理及切割之固定用膠帶、對單片化之半導體晶片進一步進行高溫處理時所使用之半導體晶片暫時固定用膠帶等。
於基材之至少其中一面具有由本發明之黏著劑組成物構成之黏著劑層的黏著帶亦係本發明之一。
上述基材例如可列舉由壓克力、烯烴、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、尼龍、胺基甲酸酯、聚醯亞胺等透明樹脂構成之片材、具有網目狀結構之片材、開孔之片材等。
製造本發明之黏著帶之方法並無特別限定，例如可使用如下先前公知之方法：使用刮刀或旋塗機將上述黏著劑等塗佈於基材上等之方法等。
本發明之黏著劑組成物適合作為如下接著劑：於包含250℃左右、更具體而言為220~270℃之高溫加工製程的晶圓加工時，為了使晶圓之操作變容易並且不會破損，而用以將晶圓固定於支持板之接著劑。
具有如下步驟之晶圓之處理方法亦係本發明之一：支持板固定步驟：經由本發明之黏著劑組成物將晶圓固定於支持板；晶圓處理步驟：對固定於上述支持板之晶圓之表面實施伴隨著220~270℃之加熱的處理；及支持板剝離步驟：對上述處理後之晶圓進行光照射，使上述黏著劑組成物硬化，將支持板自晶圓剝離。
上述支持板並無特別限定，例如可列舉玻璃板、石英玻璃板、不銹鋼板等。
對固定於上述支持板之晶圓之表面進行的伴隨250℃左右之加熱的處理並無特別限定，例如可列舉化學氣相沈積法(CVD)、回焊、反應性離子蝕刻(RIE)等。
藉由本發明可提供具有高接著力、另一方面可容易地剝離、且耐熱性優異的黏著劑組成物，使用該黏著劑組成物之黏著帶，及使用該黏著帶的晶圓之處理方法。
以下列舉實施例對本發明之態樣進行更詳細之說明，但本發明並不僅僅限定於該些實施例。
(實施例1)
準備具備溫度計、攪拌機、冷凝管之反應器，於該反應器內加入丙烯酸-2-乙基己酯94重量份、丙烯酸1重量份、丙烯酸-2-羥基乙酯5重量份、月桂基硫醇0.01重量份、與乙酸乙酯80重量份後，對反應器進行加 熱而使回流開始。繼而，於上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。其次，於自聚合開始起1小時後及2小時後亦分別添加1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷各0.01重量份，進而於自聚合開始起4小時後添加三級己基過氧基三甲基乙酸酯0.05重量份而繼續聚合反應。繼而，於自聚合開始起8小時後獲得固形物成分為55重量%、重量平均分子量為60萬之丙烯酸共聚物。
相對於所得之含丙烯酸共聚物之乙酸乙酯溶液的樹脂固形物成分100重量份，加入甲基丙烯酸-2-異氰酸基乙酯3.5重量份而進行反應。進而相對於反應後之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，加入光聚合起始劑(Esacure one、Nihon SiberHegner公司製造)1重量份、聚矽氧化合物(EBECRYL350、DAICEL-CYTEC公司製造)5重量份、雙四唑鈉鹽20重量份、聚異氰酸酯系交聯劑(Coronate L45、Nippon Polyurethane公司製造)0.5重量份，製備黏著劑組成物之乙酸乙酯溶液。
再者，雙四唑鈉鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製造、RMB-08)，於轉速為1000 rpm、12小時之條件下進行分散而成者。
使用刮刀，將所得之黏著劑組成物之乙酸乙酯溶液以乾燥皮膜之厚度成為30μm之方式塗佈於對單面實施了電暈處理之厚度為50μm之透明聚萘二甲酸乙二酯膜之電暈處理面上，於110℃進行5分鐘之加熱而使塗佈溶液乾燥。其後，於40℃進行3日之靜置熟化而獲得黏著帶。
將所得之黏著帶切細。將切下之黏著帶1 g放入至可溶解上 述丙烯酸共聚物之溶劑5 mL中，進行24小時之攪拌而使黏著劑成分溶解後，藉由50μm之篩孔對使用超音波照射機(As One公司製造、VS-100III)而進行了1小時之分散的溶液進行過濾，分離雙四唑鈉鹽之粒子。使用雷射繞射/散射式粒徑分佈測定裝置(HORIBA公司製造、LA-950)而測定已分離之雙四唑鈉鹽，結果雙四唑鈉鹽之分散徑(D50粒徑)為0.7μm。
(實施例2)
摻合雙四唑銨鹽代替雙四唑鈉鹽，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
再者，雙四唑銨鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製造、RMB-08)，於轉速為1000 rpm、12小時之條件下進行分散而成者。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑銨鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是0.7μm。
(實施例3)
摻合雙四唑哌鹽代替雙四唑鈉鹽，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
再者，雙四唑哌鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製造、RMB-08)，於轉速為1000 rpm、12小時之條件下進行分散而成者。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑哌鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是0.7μm。
(實施例4)
雙四唑鈉鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製造、RMB-08)，於轉速為1000 rpm、24小時之條件下進行分散而成者，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑鈉鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是0.4μm。
(實施例5)
雙四唑鈉鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製造、RMB-08)，於轉速為1500 rpm、30小時之條件下進行分散而成者，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑鈉鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是0.1μm。
(實施例6)
雙四唑鈉鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製造、RMB-08)，於轉速為3000 rpm、48小時之條件下進行分散而成者，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑鈉鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是0.05μm。
(實施例7)
雙四唑鈉鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸 之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製造、RMB-08)，於轉速為1000 rpm、30分鐘之條件下進行分散而成者，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑鈉鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是5μm。
(實施例8)
雙四唑鈉鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製造、RMB-08)，於轉速為1000 rpm、15分鐘之條件下進行分散而成者，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑鈉鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是10μm。
(實施例9)
雙四唑鈉鹽係使用預先微粉碎後，藉由40μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑鈉鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是37μm。
(實施例10)
摻合5-(間胺基苯基)四唑代替雙四唑鈉鹽，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
再者，5-(間胺基苯基)四唑係使用預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出5-(間胺基苯基)四唑之分散徑(D50粒徑)，結果是9μm。
(比較例1)
未摻合雙四唑鈉鹽，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
(比較例2)
準備具備溫度計、攪拌機、冷凝管之反應器，於該反應器內加入丙烯酸-2-乙基己酯85重量份、丙烯酸2.5重量份、丙烯酸-2-羥基乙酯2.5重量份、丙烯酸二甲基胺基乙酯10重量份、月桂基硫醇0.01重量份與乙酸乙酯180重量份後，對反應器進行加熱而開始回流。繼而，於上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。其次，於自聚合開始起1小時後及2小時後亦分別添加1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷各0.01重量份，進而於自聚合開始起4小時後添加三級己基過氧基三甲基乙酸酯0.05重量份而繼續聚合反應。繼而，於自聚合開始起8小時後獲得固形物成分為55重量%、重量平均分子量為60萬之丙烯酸共聚物。
相對於所得之含丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，加入甲基丙烯酸-2-異氰酸基乙酯3.5重量份而進行反應，進而相對於反應後之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，混合光聚合起始劑(Esacure one、Nihon SiberHegner公司製造)1重量份、聚矽氧化合物(EBECRYL350、DAICEL-CYTEC公司製造)5重量份、5-(間胺基苯基)四唑20重量份、聚異氰酸酯系交聯劑(Coronate L45、Nippon Polyurethane公司製造)0.5重量份，製備黏著劑組成物之乙酸乙酯溶液。
使用刮刀，將所得之黏著劑組成物之乙酸乙酯溶液以乾燥皮膜之厚度成為30μm之方式塗佈於對單面實施了電暈處理之厚度為50μm之透明聚萘二甲酸乙二酯膜之電暈處理面上，於110℃進行5分鐘之加熱而使塗佈溶液乾燥。其後，於40℃進行3日之靜置熟化而獲得黏著帶。
再者，進行顯微鏡觀察，結果5-(間胺基苯基)四唑溶解於黏著劑層中，未確認到粒子。
(比較例3)
摻合2,2'-偶氮雙-(N-丁基-2-甲基丙醯胺)20重量份代替雙四唑鈉鹽20重量份，摻合二乙基噻噸酮3重量份代替9,10-二縮水甘油氧基蒽1重量份，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得接著劑組成物及黏著帶。
再者，進行顯微鏡觀察，結果2,2'-偶氮雙-(N-丁基-2-甲基丙醯胺)溶解於黏著劑層中，未確認到粒子。
(比較例4)
相對於作為非光硬化型黏著劑之具有羥基、羧基之丙烯酸樹脂SK-Dyne 1495C(綜研化學公司製造)之樹脂固形物成分100重量份，混合雙四唑鈉鹽20重量份、聚異氰酸酯系交聯劑(Coronate L45、Nippon Polyurethane公司製造)0.5重量份而製備黏著劑組成物之乙酸乙酯溶液，除此以外與實施例1同樣地進行而獲得黏著劑組成物及黏著帶。
再者，雙四唑銨鹽係使用如下者：將預先微粉碎後，藉由100μm之篩孔尺寸之篩進行了分級者添加於乙酸乙酯中，使用珠磨機(AIMEX公司製 造、RMB-08)，於轉速為1000 rpm、12小時之條件下進行分散而成者。
關於所得之黏著帶，藉由與實施例1同樣之方法而求出雙四唑銨鹽之分散徑(D50粒徑)，結果是0.7μm。
(評價)
關於實施例及比較例中所得之黏著劑組成物及黏著帶，藉由以下之方法而進行評價。
將結果示於表1。
(1)黏著帶之熱處理前之接著性評價、剝離性評價
將切斷為直徑20 cm之圓形的黏著帶貼附於直徑為20 cm、厚度為約750μm之矽晶圓上。於與貼附於矽晶圓之面相反之面上貼附直徑為20 cm、厚度為0.7 mm之TEMPAX玻璃。
作為接著性評價，以玻璃成為上側面之方式將矽晶圓設置於吸附台上後，用吸盤對玻璃端部進行拉引，將玻璃完全無法剝離之情形評價為「○」，將能夠相對輕微地剝離之情形評價為「△」，將幾乎無阻力地剝離之情形評價為「×」。
其次，自玻璃板側，使用超高壓水銀燈，以對玻璃板表面之照射強度以254 nm換算計成為100 mW/cm2之方式調節照度而照射2分鐘之紫外線。作為光照射後之剝離性評價，以玻璃成為上側面之方式將矽晶圓設置於吸附台上後，用吸盤對玻璃端部進行拉引，將完全無阻力地剝離之情形評價為「○」，將雖然存在阻力但可剝離之情形評價為「△」，將完全無法剝離之情形評價為「×」。
(2)黏著帶之熱處理後之接著性評價、剝離性評價
將切斷為直徑20 cm之圓形的黏著帶貼附於直徑為20 cm、厚度為約750μm之矽晶圓上。於與貼附於矽晶圓之面相反之面上貼附直徑為20 cm、厚度為0.7 mm之TEMPAX玻璃。將該積層體於250℃加熱20分鐘後，恢復至室溫。
作為接著性評價，藉由目視觀察加熱後之表面，以玻璃成為上側面之方式將矽晶圓設置於吸附台上之後，用吸盤對玻璃端部進行拉引時，將於整個面看不到隆起、且即使拉引亦完全無法剝離之情形評價為「◎」，將隆起為整體面積之3%以下、且即使拉引亦無法剝離之情形評價為「○」，將隆起為整體面積之3%以上、10%以下，但即使拉引亦無法剝離之情形評價為「△」，將可容易地剝離之情形評價為「×」。
其次，自玻璃板側，使用超高壓水銀燈，以對玻璃板表面之照射強度以254 nm換算計成為100 mW/cm2之方式調節照度而照射2分鐘之紫外線。作為光照射後之剝離性評價，以玻璃成為上側面之方式將矽晶圓設置於吸附台上後，用吸盤對玻璃端部進行拉引時，將自晶圓與接著劑層之界面剝離且於晶圓上完全看不到接著劑之殘渣之情形評價為「◎」，將雖然自晶圓與接著劑層之界面剝離但於晶圓側看到稍許污垢(其中，污垢可藉由清洗而除去)之情形評價為「○」，將雖然可剝離但於晶圓側看到污垢(其中，污垢可藉由清洗而除去)之情形評價為「△」，將完全無法剝離之情形評價為「×」。關於進行了260℃、10分鐘之熱處理之情形，亦進行同樣之評價。
[產業上之可利用性]
藉由本發明可提供具有高接著力、另一方面可容易地剝離、且耐熱性優異的黏著劑組成物，使用該黏著劑組成物之黏著帶，及使用該黏著帶的晶圓之處理方法。

Claims (7)

  1. 一種黏著劑組成物，其含有光硬化型黏著劑成分、光聚合起始劑、及藉由照射光而產生氣體的氣體產生劑，其特徵在於：該氣體產生劑以0.05~37μm之分散徑分散於黏著劑組成物中。
  2. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物，其中，氣體產生劑係四唑化合物或其鹽、或者三唑化合物或其鹽。
  3. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物，其中，氣體產生劑係雙四唑化合物或其鹽。
  4. 如申請專利範圍第1、2或3項之黏著劑組成物，其中，黏著劑成分係含有具有自由基聚合性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯系聚合性聚合物的光硬化型黏著劑。
  5. 如申請專利範圍第1、2、3或4項之黏著劑組成物，其更含有具有可與光硬化型黏著劑成分交聯之官能基的聚矽氧化合物。
  6. 一種黏著帶，其於基材之至少一面具有由申請專利範圍第1、2、3、4或5項之黏著劑組成物構成的黏著劑層。
  7. 一種晶圓之處理方法，具有如下步驟：支持板固定步驟：經由申請專利範圍第1、2、3、4或5項之黏著劑組成物將晶圓固定於支持板；晶圓處理步驟：對固定於該支持板之晶圓之表面實施伴隨220~270℃之加熱的處理；及支持板剝離步驟：對該處理後之晶圓進行光照射，使該黏著劑組成物硬化，將支持板自晶圓剝離。
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