JP6564325B2 - ウエハの処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定した状態でウエハを処理するウエハの処理方法であって、薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有するにもかかわらず、ウエハ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後にはウエハを損傷したり糊残りしたりすることなく支持板をウエハから剥離できるウエハの処理方法に関する。

半導体チップの製造工程においては、ウエハの加工時に取扱いを容易にし、破損したりしないようにするためにウエハを支持板に固定することが行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、接着剤組成物を介して厚膜ウエハを支持板に接着することが行われる。

ウエハを支持板に接着する接着剤組成物には、加工工程中にウエハを強固に固定できるだけの高い接着性とともに、工程終了後にはウエハを損傷することなく剥離できることが求められる（以下、「高接着易剥離」ともいう。）。
高接着易剥離を実現した接着剤組成物として特許文献１には、アゾ化合物等の刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する接着層を有する両面接着テープを用いたウエハの処理方法が記載されている。特許文献１に記載されたウエハの処理方法では、まず、両面接着テープを介してウエハを支持板に固定する。その状態で研削工程等を行った後に刺激を与えると、気体発生剤から発生した気体がテープの表面とウエハとの界面に放出され、その圧力によって少なくとも一部が剥離される。特許文献１の両面接着テープを用いれば、ウエハを損傷することなく、かつ、糊残りもすることなく剥離できる。

一方、近年の半導体チップの高性能化に伴い、ウエハの表面に薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施す工程が行われるようになってきた。例えば、次世代の技術として、複数の半導体チップを積層させてデバイスを飛躍的に高性能化、小型化したＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビヤ／Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉ ｖｉａ）を使った３次元積層技術が注目されている。ＴＳＶは、半導体実装の高密度化ができるほか、接続距離が短くできることにより低ノイズ化、低抵抗化が可能であり、アクセススピードが飛躍的に速く、使用中に発生する熱の放出にも優れる。このようなＴＳＶの製造では、研削して得た薄膜ウエハをバンピングしたり、裏面にバンプ形成したり、３次元積層時にリフローを行ったりする等の２００℃以上の高温処理プロセスを行うことが必要となる。
このような過酷なウエハ処理工程を伴うウエハの処理においては、特許文献１に記載された従来のウエハの処理方法では、ウエハの表面に薬液処理を施す工程において接着剤組成物が侵されて接着力が低下してしまったり、逆に高温によって接着剤組成物が接着亢進して剥離性が低下してしまったりすることがあった。

特開２００３−２３１８７２号公報

本発明は、上記現状に鑑み、接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定した状態でウエハを処理するウエハの処理方法であって、薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有するにもかかわらず、ウエハ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後にはウエハを損傷したり糊残りしたりすることなく支持板をウエハから剥離できるウエハの処理方法を提供することを目的とする。

本発明は、電磁波、電子線又は超音波により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定する支持板固定工程と、前記接着剤組成物に電磁波、電子線又は超音波を照射して硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程と、前記支持板に固定されたウエハの表面に薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程と、前記処理後のウエハから支持板を剥離する支持板剥離工程とを有するウエハの処理方法である。
以下に本発明を詳述する。

本発明のウエハの処理方法では、まず、電磁波、電子線又は超音波により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定する支持板固定工程を行う。
ウエハを支持板に固定することにより、加工時に取扱いを容易にし、破損したりしないようにすることができる。

上記接着剤組成物は、電磁波、電子線又は超音波により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する。
上記硬化型接着剤成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分とする硬化型接着剤が挙げられる。

上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。

上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。

上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。

上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。

上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。

上記重合性ポリマーは、ラジカル重合性の不飽和結合の含有量の好ましい下限が０．０１ｍｅｑ／ｇ、好ましい上限が２．０ｍｅｑ／ｇである。上記重合性ポリマーのラジカル重合性の不飽和結合の含有量がこの範囲内であると、上記接着剤硬化工程において接着剤組成物に電磁波、電子線又は超音波を照射して硬化型接着剤成分を架橋、硬化した後の接着剤組成物について、動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率を２．０×１０^５〜１０^８Ｐａ程度の範囲に調整することができる。これにより、上記支持板剥離工程においてウエハから支持板を剥離したときに、ウエハの表面に糊残りが発生するのをより効果的に防止することができる。上記重合性ポリマーのラジカル重合性の不飽和結合の含有量のより好ましい下限は０．０５ｍｅｑ／ｇ、より好ましい上限は１．０ｍｅｑ／ｇである。

上記硬化型接着剤成分は、ラジカル重合開始剤を含有していていてもよい。ラジカル重合開始剤を含有することにより、ラジカル重合反応を加速させることができる。
上記ラジカル重合開始剤は、光照射又は加熱により活性化ラジカルを発生するものが挙げられる。
上記光照射により活性化されるラジカル重合開始剤は、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等が挙げられる。
上記加熱により活性化されるラジカル重合開始剤は、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
これらのラジカル重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化型接着剤は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による接着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。

上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコール＃７００ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化型接着剤は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型接着剤が上記気体発生剤を含有する場合には、後述する支持板剥離工程において、処理後のウエハに刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなくウエハから支持板を剥離することができる。

ここで、上記硬化型接着剤成分と上記気体発生剤とは、硬化型接着剤成分を架橋、硬化させる電磁波、電子線又は超音波と、気体発生剤から気体を発生させる刺激が質的又は量的に異なる組み合わせを選択する。このような組み合わせを選択することにより、後述する接着剤硬化工程における電磁波、電子線又は超音波の照射によって、気体発生剤から気体が発生したウエハと支持板とが剥離してしまうのを防止することができる。具体的には例えば、電磁波、電子線又は超音波以外の刺激により気体を発生する気体発生剤を選択することが挙げられる。また、気体発生剤から気体を発生させる刺激も電磁波、電子線又は超音波である場合でも、硬化型接着剤成分を架橋、硬化させる電磁波、電子線又は超音波とは波長が異なったり、波長が重複しても、硬化型接着剤成分を架橋、硬化させる照射量よりもより多くの照射量を要したりする気体発生剤を選択する。

上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができる。
また、薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理によっても剥離しない、即ち、これらの処理に対する耐性に優れることから、下記一般式（１）で表されるカルボン酸化合物又はその塩も好適である。このような気体発生剤は、紫外線等の光を照射することにより気体（二酸化炭素ガス）を発生する一方、２００℃程度の高温化でも分解しない高い耐熱性を有する。また、酸、アルカリ、有機溶剤等の薬液に対する耐性にも優れる。このような気体発生剤は、後述する過酷なウエハ処理工程においても反応して気体を発生してしまうことがない。

式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^７は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^７は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ^１〜Ｒ^７のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。

上記一般式（１）における有機基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基や、カルボキシル基や、水酸基や、ニトロ基や、フェニル基等の芳香族基や、ナフチル基、フルオレニル基、ピレニル基等の多環式炭化水素基や、ビフェニル基等の環集合炭化水素基や、キサンテニル基等のヘテロ環基等が挙げられる。
なかでも、上記式（１）中のＲ^３〜Ｒ^７のうちの１つが、下記式（２）で表される有機基であるか、又は、上記式（１）中のＲ^３〜Ｒ^７のうちの隣り合う２つが互いに結合して下記式（３）で表される環状構造を形成していることが好ましい。

式（２）中、Ｒ^８〜Ｒ^１２は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ^８〜Ｒ^１２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ^８〜Ｒ^１２のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。
式（３）中、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ^１３〜Ｒ^１６のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。
また、上記式（１）中のＲ^１は、メチル基であることが好ましい。

上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の具体例としては、例えば、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸、２−フェニルプロピオン酸、２，２−ジフェニルプロピオン酸、２，２，２−トリフェニルプロピオン酸、２−フェニルブチル酸、α−メトキシフェニル酢酸、マンデリック酸、アトロラクトン酸、ベンジリック酸、トロピック酸、フェニルマロン酸、フェニルコハク酸、３−メチル−２−フェニル酪酸、オルトトルイル酢酸、メタトルイル酢酸、４−イソブチル−α−メチルフェニル酢酸、パラトルイル酢酸、１，２−フェニレンジ酢酸、１，３−フェニレンジ酢酸、１，４−フェニレンジ酢酸、２−メトキシフェニル酢酸、２−ヒドロキシフェニル酢酸、２−ニトロフェニル酢酸、３−ニトロフェニル酢酸、４−ニトロフェニル酢酸、２−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、３−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、４−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、３，４−ジメトキシフェニル酢酸、３，４−（メチレンジオキシ）フェニル酢酸、２，５−ジメトキシフェニル酢酸、３，５−ジメトキシフェニル酢酸、３，４，５−トリメトキシフェニル酢酸、２，４−ジニトロフェニル酢酸、４−ビフェニル酢酸、１−ナフチル酢酸、２−ナフチル酢酸、６−メトキシ−α−メチル−２−ナフチル酢酸、１−ピレン酢酸、９−フルオレンカルボン酸又は９Ｈ−キサンテン−９−カルボン酸等が挙げられる。

なかでも上記式（１）で表されるカルボン酸化合物は、下記式（１−１）で表されるケトプロフェン、又は、下記式（１−２）で表される２−キサントン酢酸であることが好ましい。

上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩も、上記式（１）で表されるカルボン酸化合物に由来する骨格を有することから、光が照射されると容易に脱炭酸を起こし、二酸化炭素ガスを発生させることができる。

上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩は、上記式（１）で表されるカルボン酸化合物と塩基性化合物とを容器中で混合するだけで、複雑な合成経路を経ることなく簡単に調製することができる。
上記塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、アミン、ヒドラジン化合物、水酸化四級アンモニウム塩、ホスフィン化合物等が挙げられる。
上記アミンは特に限定されず、一級アミン、二級アミン及び三級アミンのいずれをも用いることができる。
なかでも上記塩基性化合物は、モノアルキルアミン又はジアルキルアミンが好適である。モノアルキルアミン又はジアルキルアミンを用いた場合には、得られる上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩の極性を低極性化でき、接着剤成分との溶解性を高めることできる。より好ましくは、炭素数６〜１２のモノアルキルアミン又はジアルキルアミンである。

上記気体発生剤は、また、下記一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）で表されるテトラゾール化合物若しくはその塩も好適である。これらの気体発生剤も、紫外線等の光を照射することにより気体（チッソガス）を発生する一方、２００℃程度の高温化でも分解しない高い耐熱性を有する。また、酸、アルカリ、有機溶剤等の薬液に対する耐性にも優れる。これらの気体発生剤は、後述する過酷なウエハ処理工程においても反応して気体を発生してしまうことがない。

式（４）〜（６）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２は、水素、炭素数が１〜７のアルキル基、アルキレン基、フェニル基、メルカプト基、水酸基又はアミノ基を表す。

上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩も、上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物に由来する骨格を有することから、光が照射されるとチッソガスを発生させることができる。
上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩は特に限定されず、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等が挙げられる。

上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩は、上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物と塩基性化合物とを容器中で混合するだけで、複雑な合成経路を経ることなく簡単に調製することができる。
上記塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、アミン、ヒドラジン化合物、水酸化四級アンモニウム塩、ホスフィン化合物等が挙げられる。
上記アミンは特に限定されず、一級アミン、二級アミン及び三級アミンのいずれをも用いることができる。
なかでも上記塩基性化合物は、モノアルキルアミン又はジアルキルアミンが好適である。モノアルキルアミン又はジアルキルアミンを用いた場合には、得られる上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩の極性を低極性化でき、硬化型接着剤成分との溶解性を高めることができる。より好ましくは、炭素数６〜１２のモノアルキルアミン又はジアルキルアミンである。

上記一般式（４）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５，５−アゾビス−１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−（ジメチルアミノエチル）−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール等が挙げられる。

上記一般式（５）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、５，５’−ビステトラゾールジアンモニウム塩等が挙げられる。

上記一般式（６）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、５，５’−ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等が挙げられる。

上記気体発生剤の含有量は、上記硬化型接着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量が５重量部未満であると、刺激による二酸化炭素ガス又は窒素ガスの発生が少なくなり充分な剥離を行うことができないことがあり、５０重量部を超えると、硬化型接着剤成分へ溶けきれなくなり接着力が低下してしまうことがある。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。

上記接着剤組成物は、更に、光増感剤を含有してもよい。
上記光増感剤は、上記気体発生剤への光による刺激を増幅する効果を有することから、より少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、より広い波長領域の光により気体を放出させることができる。

上記光増感剤は、耐熱性に優れるものであれば特に限定されない。
耐熱性に優れた光増感剤は、例えば、アルコキシ基を少なくとも１つ以上有する多環芳香族化合物が挙げられる。なかでも、一部がグリシジル基又は水酸基で置換されたアルコキシ基を有する置換アルコキシ多環芳香族化合物が好適である。これらの光増感剤は、耐昇華性が高く、高温下で使用することができる。また、アルコキシ基の一部がグリシジル基や水酸基で置換されることにより、上記硬化型接着剤成分への溶解性が高まり、ブリードアウトを防止することができる。

上記多環芳香族化合物は、アントラセン誘導体が好ましい。上記アルコキシ基は、炭素数１〜１８のものが好ましく、炭素数１〜８のものがより好ましい。

上記アルコキシ基を少なくとも１つ以上有する多環芳香族化合物は、例えば、９，１０−ジメトキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、９−メトキシ−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジエトキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジエトキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジエトキシアントラセン、９−エトキシ−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジプロポキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン、９−イソプロポキシ−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジベンジルオキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン、９−ベンジルオキシ−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン、９−（α−メチルベンジルオキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（２−カルボキシエトキシ）アントラセン等のアントラセン誘導体等が挙げられる。

上記一部がグリシジル基又は水酸基で置換されたアルコキシ基を有する置換アルコキシ多環芳香族化合物は、例えば、９，１０−ジ（グリシジルオキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（グリシジルオキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ（グリシジルオキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（グリシジルオキシ）アントラセン、９−（グリシジルオキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（２−ビニルオキシエトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（２−ビニルオキシエトキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ（２−ビニルオキシエトキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（２−ビニルオキシエトキシ）アントラセン、９−（２−ビニルオキシエトキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（３−メチル−３−オキセタニルメトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（３−メチル−３−オキセタニルメメトキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ（３−メチル−３−オキセタニルメメトキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（３−メチル−３−オキセタニルメメトキシ）アントラセン、９−（３−メチル−３−オキセタニルメメトキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１０−ジ（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）アントラセン、９−（ｐ−エポキシフェニルメトキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）アントラセン、２−エチル−９，１０−ジ（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）アントラセン、２−ｔブチル−９，１−ジ（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）アントラセン、２，３−ジメチル−９，１０−ジ（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）アントラセン、９−（ｐ−ビニルフェニルメトキシ）−１０−メチルアントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシプロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシブトキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシ−３−ブトキシプロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシ−３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシ−３−アリロキシプロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロポキシ）アントラセン、９，１０−ジ（２，３−ジヒドロキシプロポキシ）アントラセン等が挙げられる。

上記光増感剤の含有量は、上記硬化型接着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が０．０５重量部、好ましい上限が１０重量部である。上記光増感剤の含有量が０．０５重量部未満であると、充分な増感効果が得られないことがあり、１０重量部を超えると、光増感剤に由来する残存物が増え、充分な剥離を行えなくなることがある。上記光増感剤の含有量のより好ましい下限は０．１重量部、より好ましい上限は５重量部である。

上記接着剤組成物は、ヒュームドシリカを含有してもよい。ヒュームドシリカを配合することにより上記接着剤組成物の凝集力が上がる。このため、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに極性の異なる添加剤を混合しても分離することなく、接着剤組成物を均一にすることができる。また、引張強度が著しく改善するため、薬液処理や２００℃以上の高温処理を経た後でも、剥離時の応力によって接着剤が破断せず、糊残りすることなく剥離できる。

上記ヒュームドシリカの平均粒子径の下限は０．０５μｍ、上限は３μｍである。上記ヒュームドシリカの平均粒子径がこの範囲内である場合に、薬液処理や２００℃以上の高温処理を施した場合にでも浮き等が発生しない高い耐薬品性、耐熱性と、薬液処理や２００℃以上の高温処理を経た後に剥離したときにでも糊残りしない高い非糊残り性とを発揮することができる。上記ヒュームドシリカの平均粒子径の好ましい下限は０．０６μｍ、好ましい上限は２μｍであり、より好ましい下限は０．０７μｍ、より好ましい上限は１μｍである。
なお、本明細書においてヒュームドシリカの平均粒子径は、レーザー散乱・回折法又は動的光散乱法のいずれかの方法を用いて、配合前のメチルエチルケトン、メチルエチルケトン／トルエン（６０：４０）溶液等の媒体に分散したヒュームドシリカを測定した粒子径を意味する。

上記ヒュームドシリカを配合する場合、上記硬化型接着剤成分１００重量部に対して４０重量部以下の配合量が好ましい。４０重量部以下の配合量で、凝集力を向上させて接着剤組成物を均一にする効果や、非糊残り性向上の効果を発揮することができる。上記ヒュームドシリカの配合量の下限は特に限定されないが、上記粘着剤組成の均一性、及び非糊残り性向上の効果を充分に発揮させるためには、３重量部以上配合することが好ましい。

上記接着剤組成物は、上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物（以下、単に「シリコーン化合物Ａ」ともいう。）を含有してもよい。
シリコーン化合物は、耐薬品性、耐熱性に優れることから、薬液処理や２００℃以上の高温処理を経ても接着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有することにより、電磁波、電子線又は超音波を照射することにより上記硬化型接着剤成分と化学反応して上記硬化型接着剤成分中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。また、シリコーン化合物を配合することにより支持板に対する親和性が向上し、ウエハ上への糊残りを防止する効果も発揮される。

上記シリコーン化合物Ａのシリコーン骨格は特に限定はされず、Ｄ体、ＤＴ体のいずれでもよい。
上記シリコーン化合物Ａは、該官能基をシリコーン骨格の側鎖又は末端に有することが好ましい。
なかでも、Ｄ体のシリコーン骨格を有し、かつ、末端に上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を用いると、高い初期接着力と薬液処理や２００℃以上の高温処理後の剥離力とを両立しやすいことからより好適である。

上記シリコーン化合物Ａの官能基は、上記硬化型接着剤成分に応じて適当なものを選択して用いる。例えば、硬化型接着剤成分が上記分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーを主成分とする硬化型接着剤である場合には、（メタ）アクリル基と架橋可能な官能基を選択する。
上記（メタ）アクリル基と架橋可能な官能基は、不飽和二重結合を有する官能基であり、具体的には例えば、ビニル基、（メタ）アクリル基、アリル基、マレイミド基等が挙げられる。

上記シリコーン化合物Ａの官能基当量は特に限定されないが、好ましい下限は１、好ましい上限は２０である。上記官能基当量が１未満であると、得られる接着剤組成物の硬化時に、シリコーン化合物Ａが充分に硬化型接着剤成分に取り込まれず、被着体を汚染してしまったり、剥離性を充分に発揮できなかったりすることがあり、２０を超えると、充分な接着力が得られないことがある。上記官能基当量のより好ましい上限は１０であり、より好ましい下限は２、更に好ましい上限は６である。

上記シリコーン化合物Ａの分子量は特に限定されないが、好ましい下限は３００、好ましい上限は５００００である。上記分子量が３００未満であると、得られる接着剤組成物の耐薬品性、耐熱性が不充分となることがあり、５００００を超えると、上記硬化型接着剤成分との混合が困難となることがある。上記分子量のより好ましい下限は４００、より好ましい上限は１００００であり、更に好ましい下限は５００、更に好ましい上限は５０００である。

上記シリコーン化合物Ａを合成する方法は特に限定されず、例えば、ＳｉＨ基を有するシリコーン樹脂と、上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有するビニル化合物とをハイドロシリレーション反応により反応させることにより、シリコーン樹脂に上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を導入する方法や、シロキサン化合物と、上記硬化型接着剤成分と架橋可能な官能基を有するシロキサン化合物とを縮合反応させる方法等が挙げられる。

上記シリコーン化合物Ａのうち市販されているものは、例えば、信越化学工業社製のＸ−２２−１６４、Ｘ−２２−１６４ＡＳ、Ｘ−２２−１６４Ａ、Ｘ−２２−１６４Ｂ、Ｘ−２２−１６４Ｃ、Ｘ−２２−１６４Ｅ等の両末端にメタクリル基を有するシリコーン化合物や、信越化学工業社製のＸ−２２−１７４ＤＸ、Ｘ−２２−２４２６、Ｘ−２２−２４７５等の片末端にメタクリル基を有するシリコーン化合物や、ダイセルサイテック社製のＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０等のアクリル基を有するシリコーン化合物や、東亞合成社製のＡＣ−ＳＱ ＴＡ−１００、ＡＣ−ＳＱ ＳＩ−２０等のアクリル基を有するシリコーン化合物や、東亞合成社製のＭＡＣ−ＳＱ ＴＭ−１００、ＭＡＣ−ＳＱ ＳＩ−２０、ＭＡＣ−ＳＱ ＨＤＭ等のメタクリル基を有するシリコーン化合物等が挙げられる。

なかでも、上記シリコーン化合物Ａは、耐薬品性、耐熱性が特に高く、極性が高いために接着剤組成物からのブリードアウトが容易であることから、下記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）で表される、シロキサン骨格に（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物が好適である。

式中、Ｘ、Ｙは０〜１２００の整数を表し（但し、Ｘ及びＹがいずれも０の場合を除く。）、Ｒは不飽和二重結合を有する官能基を表す。

上記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）で表される、シロキサン骨格に（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物のうち市販されているものは、例えば、ダイセルサイテック社製のＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０（いずれもＲがアクリル基）等が挙げられる。

また、上記シリコーン化合物は、下記一般式（ＩＶ）で表される、三次元構造を有するシリコーン化合物も用いることができる。

式中、Ｒは不飽和二重結合を有する官能基を表す。

上記シリコーン化合物Ａの含有量は、上記硬化型接着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が０．５重量部、好ましい上限が５０重量部である。シリコーン化合物Ａの含有量が０．５重量部未満であると、電磁波、電子線又は超音波を照射しても充分に接着力が低減せず被着体から剥離できないことがあり、５０重量部を超えると、被着体の汚染の原因となることがある。シリコーン化合物Ａの含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は４０重量部である。

上記接着剤組成物は、接着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の接着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記接着剤組成物は、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。

上記支持板固定工程においてウエハと支持板との接着は、上記接着剤組成物により直接接着してもよいし、少なくとも一方の面に上記接着剤組成物からなる接着剤層を有する両面接着テープを用いて接着してもよい。

上記両面接着テープは、基材の両面に接着剤層を有するサポートテープであってもよく、基材を有しないノンサポートテープであってもよい。
上記両面接着テープがサポートテープである場合、上記基材は、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。

上記支持板としては、充分な強度を有し、耐熱性、耐薬品性に優れ、かつ、光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、ガラス板、石英板、サファイヤ板等の板状体や、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等のシート状体が挙げられる。上記支持板としては、例えば、ＡＦ３２（Ｓｃｈｏｔｔ社製）、ｂｏｒｏｆｌｏａｔ ３３（Ｓｃｈｏｔｔ社製）等の市販品を用いることもできる。
上記ウエハとしては特に限定されず、通常の電子部品に用いられる全てのウエハの処理に本発明のウエハの処理方法を用いることができる。

本発明のウエハの処理方法では、次いで、接着剤組成物に電磁波、電子線又は超音波を照射して硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程を行う。
電磁波、電子線又は超音波の照射により架橋、硬化した硬化型接着剤成分は、耐薬品性が飛躍的に向上して、ウエハの表面に薬液処理を施す工程においても接着剤が薬液に溶け出すことがない。また、架橋、硬化した硬化型接着剤成分は、弾性率が上昇することから、高温によっても接着亢進しにくくなり、支持板剥離工程における剥離性を低下させることがない。更に、架橋、硬化して弾性率が上昇した硬い硬化型接着剤成分中で上記気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、被着体から接着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。このような易剥離が実現することにより、低タクト化も期待できる。
このように本発明においては、ウエハ処理工程の前に接着剤硬化工程を行うことにより、薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有するにもかかわらず、ウエハ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後にはウエハを損傷したり糊残りしたりすることなく支持板をウエハから剥離できる。

例えば、上記電磁波、電子線又は超音波により架橋、硬化する硬化型接着剤成分として、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーを含有する接着剤を用いた場合、電磁波、電子線又は超音波を照射することにより、上記硬化型接着剤成分を架橋、硬化させることができる。

本明細書において電磁波とは、３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚの周波数のものを意味する。
例えば、硬化型接着剤成分として側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーに対しては、電磁波として周波数２４５０ＭＨｚの電磁波を５００Ｗの強度で１０分間以上照射することが好ましく、３０分間以上照射することがより好ましい。

本明細書において電子線とは、電荷を有した粒子線を意味する。
例えば、硬化型接着剤成分として側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーに対しては、電子線として加速電圧３００ｋＶを１０ｋＧｙ以上の吸収線量で照射することが好ましく、２００ｋＧｙ以上の吸収線量で照射することがより好ましい。

本明細書において超音波とは、２０ｋＨｚ〜１０ＧＨｚの音波を意味する。
例えば、硬化型接着剤成分として側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーに対しては、超音波として周波数２００ｋＨｚの超音波を４００Ｗの強度で２時間以上照射することが好ましく、４時間以上照射することがより好ましい。

上記接着剤硬化工程後の接着剤組成物について、動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率の好ましい下限は２．０×１０^５Ｐａ、好ましい上限は１０^８Ｐａである。弾性率がこの範囲内にあると、上記ウエハ処理工程においてウエハと支持板とが意図せず剥離してしまうことがない一方、上記支持板剥離工程においてウエハから支持板を剥離する際にウエハの表面に糊残りが発生するのを防止することができる。上記弾性率のより好ましい下限は１．０×１０^６Ｐａ、より好ましい上限は５．０×１０^７Ｐａである。

上記接着剤硬化工程後の接着剤組成物は、ゲル分率が９０％以上であることが好ましい。接着剤組成物のゲル分率が９０％以上となることにより、電極や回路等が形成された、表面に凹凸を有するウエハの場合であっても、薬液処理工程における接着力の低下や、加熱処理工程又は発熱を伴う処理を施す工程における接着亢進をより効果的に防止することができる。上記接着剤硬化工程後の接着剤組成物のゲル分率は、９５％以上であることがより好ましい。
なお、本明細書においてゲル分率とは、接着剤組成物を酢酸エチル中に浸漬したときに、溶かされずに残存している部分をゲルとし、該ゲル部分の重量と酢酸エチルに浸漬する前の重量との比（百分率）を意味する。

本発明のウエハの処理方法では、次いで、上記支持板に固定されたウエハの表面に薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有する。
上記薬液処理は、酸、アルカリ又は有機溶剤を用いる処理であれば特に限定されず、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理や、フッ酸、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）等によるウェットエッチング処理や、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、モノエタノールアミン、ＤＭＳＯ等によるレジスト剥離プロセスや、濃硫酸、アンモニア水、過酸化水素水等による洗浄プロセス等が挙げられる。

上記加熱処理又は発熱を伴う処理は、少なくとも２００℃以上の高温処理プロセスを意味し、例えば、スパッタリング、蒸着、エッチング、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）、レジスト塗布・パターンニング、リフロー等が挙げられる。一方、例えば、砥石を用いてウエハを一定の厚さに研削する研削工程は、摩擦による熱が発生するものの、通常は冷却水により冷却しながら行われることから、２００℃以上の高温になることはなく、従って上記加熱処理又は発熱を伴う処理には含まれない。

本発明のウエハの処理工程は、後述する支持板剥離工程に先立って、上記処理後のウエハの処理面にダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程を有してもよい。予めダイシングテープを貼付しておくことにより、支持板剥離工程において支持板を剥離した後、速やかにダイシング工程に進むことができる。

本発明のウエハの処理方法では、次いで上記処理後のウエハから支持板を剥離する支持板剥離工程を有する。上記接着剤硬化工程において硬化型接着剤成分は架橋、硬化していることから、ウエハからの支持板の剥離は、比較的容易に、かつ、糊残りなく行うことができる。

上記接着剤組成物が上記気体発生剤を含有する場合には、支持板剥離工程において処理後のウエハに刺激を与えて前記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易にウエハから支持板を剥離することができる。

例えば、上記気体発生剤として３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから容易に剥離することができる。
このような気体発生剤に対しては、例えば、波長２５４ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長２５４ｎｍの光を１０００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、１０００ｍＪ以上、２０Ｊ以下の積算照度で照射することがより好ましく、１５００ｍＪ以上、１５Ｊ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、２０００ｍＪ以上、１０Ｊ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。

また、例えば、上記気体発生剤として２００℃以上の加熱により気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、２００℃以上の温度に加熱することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから容易に剥離することができる。

本発明によれば、接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定した状態でウエハを処理するウエハの処理方法であって、薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有するにもかかわらず、ウエハ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後にはウエハを損傷したり糊残りしたりすることなく支持板をウエハから剥離できるウエハの処理方法を提供することができる。

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１）
（１）硬化型接着剤の合成
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて硬化型接着剤を得た。

（２）接着テープの製造
得られた硬化型接着剤の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に、乾燥皮膜の厚さが３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、接着テープを得た。

（３）電子線照射後の接着剤組成物の弾性率の評価
評価用サンプルとして、接着剤組成物の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に、乾燥皮膜の厚さが５００μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた後、４０℃、３日間静置養生を行った。得られた接着テープを縦０．６ｃｍ、横１．０ｃｍの長方形状に切断して、これを評価用サンプルとした。
次いで、窒素雰囲気下で電子線照射（加速電圧３００ｋＶ、吸収線量３００ｋＧｙ）して、接着剤成分を架橋、硬化させた。硬化させた後の評価用サンプルについて、動的粘弾性測定のせん断モード角周波数１０Ｈｚで測定を行い、−５０℃から３００℃まで連続昇温した測定値の内２５℃での貯蔵弾性率の値を得た。
結果を表２に示した。

（４）電子線照射後の耐薬品性及び耐熱性評価
得られた接着テープを直径２０ｃｍの円形に切断し、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍのシリコンウエハに真空中で貼り付けた。シリコンウエハに貼り付けた面と反対の面に、直径２０ｃｍ、厚さ１ｍｍの石英ガラス板を真空中で貼りつけて積層体を得た。
得られた積層体のウエハ側をグラインド研削及び研磨を行い、厚み５０μｍまで研削した。
次いで、窒素雰囲気下でガラス板側から電子線照射（加速電圧３００ｋＶ、吸収線量３００ｋＧｙ）して、接着剤成分を架橋、硬化させた。

（４−１）
接着剤成分を架橋、硬化させた後の積層体について、以下の方法により、酸、塩基及び有機溶剤に対する耐薬品性を評価した。
即ち、酸としてスタンダードクリーン１（ＳＣ１）溶液を調製し、該ＳＣ１溶液中に接着剤成分を架橋、硬化させた後の積層体を６０℃、１時間浸漬した。浸漬後、積層体を取り出し、石英ガラス板側から接着テープとシリコンウエハとの接着面を目視にて観察し、全面に渡って浮きが認められなかった場合を「○」、浮きが認められた又は接着テープが剥離してしまった場合を「×」と評価した。
同様の評価を、塩基として２．３８％ＴＭＡＨ水溶液を、有機溶剤としてアセトンを用いて行った。
結果を表２に示した。

（４−２）
接着剤成分を架橋、硬化させた後の積層体について、以下の方法により、耐熱性を評価した。
即ち、接着剤成分を架橋、硬化させた後の積層体を２００℃、１時間熱処理を行った。熱処理後の積層体を取り出し２５℃に戻した後、石英ガラス板側から接着テープとシリコンウエハとの接着面を目視にて観察し、全面に渡って浮きが認められなかった場合を「○」、浮きが認められた又は接着テープが剥離してしまった場合を「×」と評価した。
同様の評価を、段差約５μｍの回路が形成された厚さ７００μｍのシリコンウエハ（回路ウエハ）を用いて行った。
結果を表２に示した。

（５）熱処理後の糊残り評価
得られた接着テープを直径２０ｃｍの円形に切断し、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍのシリコンウエハに真空中で貼り付けた。シリコンウエハに貼り付けた面と反対の面に、直径２０ｃｍ、厚さ１ｍｍの石英ガラス板を真空中で貼りつけて積層体を得た。
得られた積層体のウエハ側をグラインド研削及び研磨を行い、厚み５０μｍまで研削した。
次いで、窒素雰囲気下でガラス板側から電子線照射（加速電圧３００ｋＶ、吸収線量３００ｋＧｙ）して、接着剤成分を架橋、硬化させた。
接着剤成分を架橋、硬化させた後の積層体を２００℃、２時間熱処理を行った。熱処理後、シリコンウエハの接着テープに接着していない側の面にダイシングテープを貼り付け、吸着固定した後、石英ガラス板及び接着テープを剥離した。
接着テープを剥離したシリコンウエハの表面を目視にて観察して、糊残りが存在しなかった場合を「◎」、糊残りが全体の面積の５％未満であった場合を「○」、糊残り全体の面積の５％以上であった場合を「×」と評価した。
また、接着テープを剥離したシリコンウエハの表面を、倍率１００倍の光学顕微鏡を用いて観察して、視野内に糊残りが存在しなかった場合を「◎」、糊残りが視野全体の面積の５％未満であった場合を「○」、糊残りが視野全体の面積の５％以上であった場合を「×」と評価した。
結果を表２に示した。

（実施例２〜８、比較例１、２）
接着剤組成物の調製において、更に、ホモジナイザーを用いてメチルエチルケトン中にヒュームドシリカを分散させ、平均粒子径を０．１μｍに調整したヒュームドシリカ分散溶液（トクヤマ社製、レオロシールＭＴ−１０）、（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物（ダイセルサイテック社製、ＥＢＥＣＲＹＬ３５０）、可塑剤（根上工業社製、ＵＮ−５５００）、気体発生剤として５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール又はビステトラゾールジナトリウム塩、ラジカル重合開始剤として日本シイベルヘグナー社製のエサキュアワン又は日本油脂社製のパーヘキシルＯを表１に示したように加えたりした以外は実施例１と同様にして接着剤組成物及び接着テープを得た。得られた接着テープを用いて、実施例１と同様の評価を行った。
なお、実施例２においては、耐薬品性、耐熱性評価及び糊残り評価において、電子線吸収線量が１００ｋＧｙになるように調節して接着剤成分を架橋、硬化した。
また、比較例１、２においては、耐薬品性、耐熱性評価及び糊残り評価において、電子線を照射して接着剤成分を架橋、硬化させることを行わなかった。
結果を表２に示した。

（実施例９）
接着剤組成物を表１に示したようにした以外は実施例１と同様にして接着剤組成物及び接着テープを得た。得られた接着テープを用いて、実施例１と同様の評価を行った。なお、耐薬品性、耐熱性評価及び糊残り評価において、電磁波照射装置（２４５０ＭＨｚ、５００Ｗ）で１０分間照射して接着剤成分を架橋、硬化して、実施例１と同様の評価を行った。
結果を表２に示した。

（実施例１０）
接着剤組成物を表１に示したようにした以外は実施例１と同様にして接着剤組成物及び接着テープを得た。得られた接着テープを用いて、実施例１と同様の評価を行った。なお、耐薬品性、耐熱性評価及び糊残り評価において、超音波発生装置（２００ＫＨｚ、４００Ｗ）で２時間照射して接着剤成分を架橋、硬化して、実施例１と同様の評価を行った。
結果を表２に示した。

本発明によれば、接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定した状態でウエハを処理するウエハの処理方法であって、薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有するにもかかわらず、ウエハ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後にはウエハを損傷したり糊残りしたりすることなく支持板をウエハから剥離できるウエハの処理方法を提供することができる。

Claims (3)

1. 周波数が３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚである電磁波、電子線又は超音波により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定する支持板固定工程と、
   前記接着剤組成物に前記電磁波、電子線又は超音波を照射して硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程と、
   前記支持板に固定されたウエハの表面に薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程と、
   前記処理後のウエハから支持板を剥離する支持板剥離工程とを有する
   ことを特徴とするウエハの処理方法。
2. 接着剤硬化工程後の接着剤組成物について、動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率が２．０×１０^５〜１０^８Ｐａであることを特徴とする請求項１記載のウエハの処理方法。
3. 接着剤組成物が刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものであって、支持板剥離工程において処理後のウエハに刺激を与えて前記気体発生剤から気体を発生させることによりウエハから支持板を剥離することを特徴とする請求項１又は２記載のウエハの処理方法。