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TW201322434A - 裝置及半導體影像感測元件與其形成方法 - Google Patents

裝置及半導體影像感測元件與其形成方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供之半導體影像感測元件包括非切割線區域與切割線區域。半導體影像感測元件包括第一基板部份於非切割線區域中。第一基板部份含有摻雜的輻射線感測區。半導體影像感測元件包括第二基板部份於切割線區域中。第二基板部份與第一基板部份具有相同的材料組成。本發明亦提供形成半導體影像感測元件的方法，包括形成多個輻射線感測區於基板中。輻射線感測區係形成於半導體影像感測元件的非切割線區域中。上述方法包括蝕刻半導體影像感測元件的切割線區域中的基板，以形成開口於切割線區域中。蝕刻製程後將保留部份基板於切割線區域中。上述方法包括將有機材料填入開口。

Description

裝置及半導體影像感測元件與其形成方法
本發明係關於背照式半導體影像感測元件，更特別關於其切割線區域中的結構。
半導體影像感測器可感測輻射線如光。互補式金氧半(CMOS)影像感測器(CIS)，與電荷耦合元件(CCD)感測器已廣泛應用於多種領域，比如數位相機或行動電話的照相功能。上述元件採用的畫素陣列，係位於具有光電二極體與電晶體之基板中。基板可吸收入射至基板的輻射線，並將輻射線轉換為電子訊號。
影像感測元件可為背照式(BSI)影像感測元件。背照式影像感測元件之操作方式，係偵測來自元件背面的光。背照式影像感測元件含有彩色濾光片。依彩色濾光片對應光譜中的顏色，可濾除入射光中特定波長的波段。在背照式影像感測器之彩色濾光片的習知形成方法中，特別是背照式影像感測器之切割線區域，容易遭遇熱膨脹的問題。熱膨脹會使影像感測器之感光區產生橫向應力，並惡化影像感測器的暗電流問題。
如此一來，現有的半導體影像感測器能應用於一般預定的情況，但無法完全滿足所有的情況。
本發明一實施例提供裝置，包括：半導體影像感測元件具有非切割線區域與切割線區域，且半導體影像感測元件包括：第一基板部份位於非切割線區域中，其中第一基板部份含有掺雜的輻射線感測區；以及第二基板部份位於切割線區域中，其中第二基板部份與第一基板部份具有相同的材料組成。
本發明一實施例提供半導體影像感測元件，包括：輻射線感測區位於矽基板中，輻射線感測區係用以感測由矽基板背面入射之輻射線；矽構件緊鄰矽基板；有機物構件位於矽構件的背面上；以及內連線結構位於矽基板的正面上與矽構件的正面上，其中：輻射線感測區位於半導體影像感測元件之畫素區中；以及矽構件與有機物構件位於半導體影像感測元件之切割線區域中。
本發明一實施例提供形成半導體影像感測元件的方法，包括：形成多個輻射線感測區於基板中，且輻射線感測區係形成於半導體影像感測元件的非切割線區域中；蝕刻半導體影像感測元件的切割線區域中的基板，以形成開口於切割線區域中，其中蝕刻製程後將保留部份基板於切割線區域中；以及將有機材料填入開口。
下述揭露內容提供多種實施例或實例以說明本發明的多種特徵。為了簡化說明，將採用特定的實施例、單元、及組合方式說明。然而這些特例僅用以說明而非限制本發明。此外，形成某一元件於另一元件上包含兩元件為直接接觸，或者兩者間隔有其他元件這兩種情況。為求圖示簡潔清楚，不同結構可能以不同尺寸繪示。
第1圖係本發明多種實施例中，製作半導體影像感測元件的方法10之流程圖。如第1圖所示，方法10之步驟15形成多個輻射線感測區於基板中。輻射線感測區係形成於影像感測元件之非切割線區域中。方法10之步驟20形成開口於影像感測元件之切割線區域中。開口的形成方法為蝕刻切割線區域中的基板。在蝕刻過後，仍有部份基板保留於切割線區域中。方法10之步驟25填充有機材料於開口中。可以理解的是在第1圖之方法10之前、之中、或之後可進行額外步驟。然而為了簡化說明，下述內容將不討論這些額外步驟。
第2至9圖係根據第1圖之方法10，形成背照式影像感測元件30的製程剖視圖。背照式影像感測元件30含有畫素陣列或畫素格，以感測並記錄入射背照式影像感測元件30之背面的輻射線(比如光)強度。背照式影像感測元件30可具有電荷耦合元件(CCD)、互補式金氧半(CMOS)影像感測器(CIS)、主動畫素感測器(APS)、或被動畫素感測器。背照式影像感測元件30可進一步含有緊鄰畫素格之額外電路與輸入/輸出端，以操作畫素並提供外部通訊。可以理解的是，為了讓人更容易了解本發明概念，已簡化且未完全依比例繪示第2至9圖。
如第2圖所示，背照式影像感測元件30含有元件基板40。以p型基板為例，元件基板40可為掺雜p型掺質(如硼)的矽基板。在其他實施例中，元件基板40可為其他合適的半導體材料。以n型基板為例，元件基板40可為掺雜n型掺質(如磷或砷)的矽基板。元件基板40可為其他合適的半導體元素如鍺或鑽石。元件基板40可視情況為半導體化合物及/或半導體合金。此外，元件基板40可為具有應力的磊晶層以增加效能，亦可為絕緣層上矽(SOI)結構。
如第2圖所示，元件基板40具有正面50與背面60。對背照式影像感測元件30來說，輻射線會經由背面60進入元件基板40。
多個淺溝槽隔離(STI)結構65係形成於元件基板40中。在某些實施例中，淺溝槽隔離結構65之形成方法如下：蝕刻元件基板40之正面50以形成開口；將介電材料如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、低介電常數材料、或其他合適的介電材料填入開口；以及以研磨製程(比如化學機械研磨法，CMP)平坦化填入開口的介電材料表面。在某些實施例中，可形成深溝槽隔離(DTI)結構。深溝槽隔離結構與淺溝槽隔離結構65的形成方法類似，差異在深溝槽隔離結構的深度大於淺溝槽隔離結構65的深度。在某些實施例中，可形成掺雜的隔離結構。掺雜的隔離結構之形成方法可為一或多道離子佈植製程。掺雜的隔離結構可取代或輔助淺溝槽隔離結構或深溝槽隔離結構。
多個畫素係形成於元件基板40中。畫素之輻射線感測掺雜區70的形成方法可為一或多道離子佈植製程或擴散製程，且輻射線感測掺雜區70與元件基板40(或掺雜區)之掺雜導電性相反。以p型的元件基板40為例，畫素含有n型的掺雜區。在背照式影像感測元件30中，畫素可偵測由背面60入射元件基板40的輻射線(如入射光75)。
在某些實施例中，每一畫素各自含有光二極體。在某些實施例中，可形成深佈植區於每一光二極體下方。在其他實施例中，畫素可含有PIN光二極體、光閘、重置電晶體、源極隨耦電晶體、與轉移電晶體。畫素亦可稱作輻射線偵測元件或光感測器。畫素之間可具有差異如不同的接面深度、厚度、寬度、或類似參數。在某些實施例中，每一對緊臨的畫素之間隔有前述的隔離結構(比如淺溝槽隔離結構65)。隔離結構可避免或減少畫素之間的串音。
元件基板40亦具有初始厚度78，即正面50至背面60之間的距離。在某些實施例中，初始厚度78介於約100μm至約3000μm之間，比如介於約500μm至約1000μm之間。
如第3圖所示，內連線結構80係形成元件基板40之正面50上。內連線結構80含有多個圖案化介電層與導電層，以提供背照式影像感測元件30中多種掺雜結構、電路、及輸入/輸出端之間的內連線(比如接線)。內連線結構80含有層間介電層(ILD)及多層內連線(MLI)結構。多層內連線結構含有接點、穿孔、與金屬線路。第3圖中的多個導線90與導孔/接點95僅用以舉例，其位置與構形取決於設計與製程考量，而非限於第3圖所示之型態。
多層內連線結構可含導電材料如鋁、鋁/矽/銅合金、鈦、氮化鈦、鎢、多晶矽、金屬矽化物、或上述之組合，此稱之為鋁內連線。形成鋁內連線的方法包括物理氣相沉積法(PVD)或濺鍍、化學氣相沉積法(CVD)、原子層沉積法(ALD)、或上述之組合。其他形成鋁內連線的技術可含光微影製程與蝕刻，以圖案化導電材料並形成垂直連線(比如導孔/接點95)或水平連線(比如導線90)。在其他實施例中，可採用銅多層內連線作為金屬圖案。銅內連線結構可含銅、銅合金、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、多晶矽、金屬矽化物、或上述之組合。銅內連線結構的形成方法可為化學氣相沉積法、濺鍍法、電鍍、或其他合適製程。
如第3圖所示，緩衝層100係形成於內連線結構80上。在此實施例中，緩衝層100可為介電材料如氧化矽。在其他實施例中，緩衝層100可視情況為氮化矽。緩衝層100之形成方法可為CVD、PVD、或其他合適方法。可藉由CMP製程平坦化緩衝層100的表面。
接著將載板110接合至元件基板40的緩衝層100上，以進行製程於元件基板40之背面60。在此實施例中，載板110之組成與元件基板40相同，且可為矽材。在其他實施例中，載板110可為玻璃基板或其他合適材料。藉由分子力(直接接合)或其他已知的接合方式(比如金屬擴散法或陽極接合法)，可將載板110接合至元件基板40。
如第3圖所示，緩衝層100可電性隔離元件基板40與載板110。載板110可保護形成於元件基板40之正面50上的多種結構(比如畫素)。在對元件基板40之背面60進行製程如下述時，載板110可提供足夠的機械強度與支撐。在接合製程後，可視情況回火元件基板40與載板110以提升接合強度。
如第3圖所示，在接合載板110後，對元件基板40之背面60進行薄化製程120。薄化製程120可包含機械研磨製程與化學薄化製程。機械研磨製程先由元件基板40移除大部份的基板材料。後續的化學薄化製程可施加蝕刻化學品至元件基板60的背面60，以進一步將元件基板40薄化至厚度130(比如微米級)。在某些實施例中，元件基板40之厚度130大於約1μm但小於約3μm。可以理解的是，上述特定的厚度範圍僅用以舉例，不同應用與設計需求的背照式影像感測元件30自可採用其他厚度。
如第4圖所示，抗反射塗層(ARC) 150係形成於元件基板40的背面60上。抗反射塗層150之形成方法可為合適的沉積製程如化學氣相沉積法、物理氣相沉積法、原子層沉積法、或上述之組合。抗反射塗層150可為合適材料，以降低由背面60入射至元件基板40之輻射線被反射的程度。舉例來說，抗反射塗層150可為氮化物。抗反射塗層150亦可作為蝕刻停止層。抗反射塗層150之厚度160大於約200但小於約1000。
如第5圖所示，開口180係形成於元件基板40中。開口180係形成於背照式影像感測元件30之切割線區域190中。一般而言，切割線區域190係用以分隔半導體晶粒，及與其相鄰的半導體晶粒。在將晶粒封裝與以積體電路晶片的型態販售前，會先切開切割線區域190以分隔相鄰晶粒。開口180兩側的元件基板40，將分為背照式影像感測元件30之畫素區200A與200B。元件基板40之畫素區200A與200B均含有可感測光線的輻射線感測畫素。如此一來，圖示中的背照式影像感測元件30所含有的相鄰晶粒(其畫素區分別標示為200A與200B)，將會被切割線區域190分開。
可以理解的是，除了畫素區200A、畫素區200B、與切割線區域190外，背照式影像感測元件30亦可含有外圍區域與接合墊區。外圍區域可含有數位元件或其他參考畫素。數位元件可為特用積體電路(ASIC)元件或系統單晶片(SoC)。參考畫素係用以建立背照式影像感測元件30的光強度基準。接合墊區係用以形成接合墊，而接合墊可建立背照式影像感測元件30與外部元件之間的電性連接。為了簡化說明，下述內容將不討論背照式影像感測區的其他區域。
如第5圖所示，開口180的形成方法為蝕刻製程210。在某些實施例中，蝕刻製程210為乾蝕刻製程。蝕刻製程210不會完全移出切割線區域190中的元件基板40。即使在進行蝕刻製程210後，部份元件基板40A仍將保留於切割線區域190中的內連線結構80上。藉由調整蝕刻製程210之參數(比如時間)，可達成上述效果。在某些實施例中，部份元件基板40A之厚度220大於0 但小於4000。部份元件基板40A為連續性，且直接物理接觸畫素區200A與200B中部份的元件基板40。
在上述說明中，本發明的多種實施例之製程「保留」部份元件基板40A於切割線區域190中。保留的部份元件基板40A可降低暗電流，這部份將詳述於後。
如第6圖所示，抗反射塗層230係形成於畫素區200A與200B中的抗反射塗層150上，且形成於切割線區域190中的部份元件基板40A上。抗反射塗層230亦形成於畫素區200A與200B中部份的元件基板40之側壁上。抗反射塗層230之形成方法可為合適的沉積法，比如化學氣相沉積法、物理氣相沉積法、原子層沉積法、或上述之組合。抗反射塗層230可為合適材料，以降低由背面60入射至元件基板40之輻射線被反射的程度。舉例來說，抗反射塗層230可為氮化物。在某些實施例中，抗反射塗層150與230的材料組成不同。在某些實施例中，抗反射塗層230之厚度240大於約200但小於約3000。
如第7圖所示，於切割線區域190進行蝕刻製程250，以露出切割線區域190中內連線結構80的金屬線路(接合墊90A)。換言之，蝕刻製程250移除部份的抗反射層230、部份的抗反射層150、與位於接合墊90A上的部份氧化物材料，並露出接合墊90A的上表面。之後可打線接合接合墊90A，以建立背照式影像感測元件30的電性連接。在某些實施例中，蝕刻製程250可為乾蝕刻。
如第8圖所示，將有機材料260填入切割線區域190中的開口180。有機材料260並不形成於畫素區200A與200B的元件基板40上，而形成於保留的部份元件基板40A上。畫素區200A與200B中的有機材料260與元件基板40之間隔有抗反射塗層230，而切割線區域190中的有機材料260與保留的部份元件基板40A之間隔有抗反射塗層230。
有機材料260之作用為形成平坦表面，以利之後形成彩色濾光片層於其上。在某些實施例中，有機材料260與彩色濾光片層之組成與製程相同。彩色濾光片層可形成於元件基板40之背面60的抗反射塗層150上。彩色濾光片層可含有多個彩色濾光片，且這些彩色濾光片位於入射輻射線可穿過的位置。彩色濾光片可為染料高分子(或樹脂)，可對應光譜顏色(比如紅、藍、綠)以濾除入射光中特定波長的波段。在其他實施例中，彩色濾光片層與有機材料260的材料組成與製程程序(比如晚於有機材料260的形成順序)不同。為簡化說明，後續內容不再詳述彩色濾光片層。
在形成彩色濾光片層後，形成具有多個微透鏡之微透鏡層於彩色濾光片層上。微透鏡可將入射的輻射線，導引與聚焦至元件基板40中特定的輻射線感測區。微透鏡可形成於不同位置與具有多種形狀，端視微透鏡材料的折射率與微透鏡及感測器表面之間的間距而定。在形成彩色濾光片層或微透鏡層之前，可視情況對元件基板40進行雷射回火製程。可以理解的是，彩色濾光片層與微透鏡層係形成於背照式影像感測元件30之畫素區200A與200B中。為簡化說明，後續內容不再詳述微透鏡層。
如第9圖所示，對切割線區域190進行切割製程280，使背照式影像感測元件30分為影像感測晶粒300A與300B。在某些實施例中，切割製程280可為晶圓切割製程，係採用刀刃、雷射、或其他合適的切割機制。切割製程280的實施方式不損傷背照式影像感測元件30(比如影像感測晶粒300A與300B的側壁)。
與習知的影像感測元件相較，上述實施例的優點在於降低暗電流的問題。然而可以理解的是，不必在此討論本發明的所有優點，其他實施例可具有其他優點，且所有實施例不需具有特定優點。
暗電流是常見的影像感測缺陷，其定義為在沒有光線照射時仍存在畫素電流。換言之，畫素「偵測」到不存在的光。暗電流缺陷的成因可能為習知影像感測器中的應力。更詳細的說明是，習知影像感測器之切割線區域中，填入的有機材料具有高熱膨脹係數。如此一來，升高溫度會讓有機材料朝不同方向(比如水平方向)膨脹。朝水平方向膨脹的有機材料，將使畫素區的輻射線感測元件具有應力。應力會縮小電荷載子的能帶並導致載子漏流，進而增加習知影像感測器的暗電流。
與習知技術比較，未完全移除切割線區域190中元件基板40的作法，可讓背照式影像感測元件30之暗電流問題最小化。更詳細的說明是，蝕刻切割線區域190時保留的部份元件基板40A，可實質上降低施加至輻射線感測區70的應力(來自有機材料膨脹)。水平應力降低的原因之一，係保留的部份元件基板40A與元件基板40的材料組成相同，因此部份元件基板40A之熱膨脹係數低於有機材料260。如此一來即使溫度上升，部份元件基板40A實質上不產生任何應力至附近的輻射線感測區70。水平應力降低的另一個原因係保留的部份元件基板40A，可分隔切割線區域190中的輻射線感測區70與有機材料260。對有機材料260熱膨脹所導致的應力來說，分隔有機材料260與輻射線感測區70可提供有效的緩衝。如此一來，部份元件基板40A可減少輻射線檢射區70承受的水平應力。根據上述理由，保留的部份元件基板40A可減少影像感測晶粒300A與300B所承受的水平應力，最終改善暗電流問題。
可以理解的是，切割線區域190中保留的部份元件基板40A的厚度，與影像感測晶粒300A與300B所承受的應力相關。一般而言，部份元件基板40A越厚，影像感測晶粒300A與300B所承受的水平應力越小。然而部份元件基板40A不可過厚，以避免無法露出接合墊90A如第7圖所示。換言之，若保留的部份元件基板40A過厚，則蝕刻製程250將無法完全移除覆蓋接合墊90A的層狀結構，也無法露出接合墊90A的表面。
另一方面，若保留的部份基板40A過薄，則無法充份減少影像感測晶粒300A與300B承受的水平應力。如此一來，需在過薄與過厚之間取得平衡。如前所述，在本發明的多種實施例中，部份基板40A的厚度小於4000，以減少水平應力且不會妨礙接觸墊露出其表面。可以理解的是其他實施例中，保留的部份基板40A可具有其他厚度以符合不同的設計需求與製程考量。舉例來說，若接觸墊是否露出不重要時，保留的部份元件基板40A的厚度可實質上大於前述範圍，甚至可能與影像感測晶粒之基板厚度相同。
本發明實施例的另一優點為可與現有製程完全相容。本發明之實施例僅稍微改變現有製程。如此一來，不需採用新增的製程設備與製程步驟。綜上所述，本發明並不會增加製程成本或製程時間。
可以理解的是，上述製程順序並非用以侷限本發明。在其他實施例中，某些層狀結構或元件可依不同的製程順序形成，而非上述的製程順序。此外，為簡化說明而未出現於上述內容中的某些其他層狀結構，亦可形成於本發明的元件中。
本發明關於裝置，其包括：半導體影像感測元件具有非切割線區域與切割線區域，且半導體影像感測元件包括：第一基板部份位於非切割線區域中，其中第一基板部份含有掺雜的輻射線感測區；以及第二基板部份位於切割線區域中，其中第二基板部份與第一基板部份具有相同的材料組成。
在某些實施例中，切割線區域緊鄰非切割線區域。
在某些實施例中，第一基板部份與第二基板部份包含矽。
在某些實施例中，第二基板部份比第一基板部份薄。
在某些實施例中，第一基板部份之厚度小於約3微米，而第二基板部份之厚度小於約4000。
在某些實施例中，第一基板部份直接物理接觸第二基板部份。
在某些實施例中，半導體影像感測元件更包括：有機物部份位於切割線區域中的第二基板部份上。
在某些實施例中，半導體影像感測元件更包括：內連線結構位於第一基板部份與第二基板部份的正面上；以及抗反射層位於第一基板部份與第二基板部份的背面上。
本發明關於半導體影像感測元件，其包括：輻射線感測區位於矽基板中，輻射線感測區係用以感測由矽基板背面入射之輻射線；矽構件緊鄰矽基板；有機物構件位於矽構件的背面上；以及內連線結構位於矽基板的正面上與矽構件的正面上，其中：輻射線感測區位於半導體影像感測元件之畫素區中；以及矽構件與有機物構件位於半導體影像感測元件之切割線區域中。
在某些實施例中，半導體影像感測元件更包括抗反射層位於矽基板之背面上，其中該矽基板與該有機物構件之間隔有部份該抗反射層。
在某些實施例中，部份該矽構件與該有機物構件之間隔有另一部份的該抗反射層。
在某些實施例中，矽基板與矽構件為連續性結構。
在某些實施例中，內連線結構包括一或多個接合墊。
在某些實施例中，矽構件實質上比矽基板薄。
本發明關於形成半導體影像感測元件的方法，包括：形成多個輻射線感測區於基板中，且輻射線感測區係形成於半導體影像感測元件的非切割線區域中；蝕刻半導體影像感測元件的切割線區域中的基板，以形成開口於切割線區域中，其中蝕刻製程後將保留部份基板於切割線區域中；以及將有機材料填入開口。
在某些實施例中，切割線區域中的部份基板，係直接物理接觸非切割線區域中的基板。
在某些實施例中，切割線區域中的部份基板，比非切割線區域中的基板薄。
在某些實施例中，形成半導體影像感測元件的方法更包括形成彩色濾光片層於基板之非切割線區域上，其中彩色濾光片層與有機材料具有相同的材料組成。
在某些實施例中，輻射線感測區係由基板之正面形成；以及在形成開口之步驟前與在形成輻射線感測區之步驟後，更包括：形成內連線結構於基板之正面上；將基板接合至載板，且內連線結構接合於基板與載板之間；以及由基板之背面薄化基板，且基板之背面位於基板之正面的相反側。
在某些實施例中，在將有機材料填入開口之步驟後，更包括蝕刻有機材料以露出內連線結構之接合墊。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．方法
15、20、25．．．步驟
30．．．背照式影像感測元件
40．．．元件基板
40A．．．部份元件基板
50．．．正面
60．．．背面
65．．．淺溝槽隔離結構
70．．．輻射線感測掺雜區
75．．．入射光
78．．．初始厚度
80．．．內連線結構
90．．．導線
90A．．．接合墊
95．．．導孔/接點
100．．．緩衝層
110．．．載板
120．．．薄化製程
130．．．元件基板的厚度
150、230．．．抗反射塗層
160、240．．．抗反射塗層的厚度
180．．．開口
190．．．切割線區域
200A、200B．．．畫素區
210、250．．．蝕刻製程
260．．．有機材料
280．．．切割製程
300A、300B．．．影像感測晶粒
第1圖係本發明多種實施例中，製作半導體影像感測元件的方法之流程圖；以及
第2至9圖係本發明多種實施例中，形成影像感測元件的製程剖視圖。
30．．．背照式影像感測元件
40．．．元件基板
40A．．．部份元件基板
50．．．正面
60．．．背面
65．．．淺溝槽隔離結構
70．．．輻射線感測掺雜區
90．．．導線
90A．．．接合墊
95．．．導孔/接點
150、230．．．抗反射塗層
190．．．切割線區域
200A、200B．．．畫素區
260．．．有機材料

Claims (11)

  1. 一種裝置，包括：一半導體影像感測元件具有一非切割線區域與一切割線區域，且該半導體影像感測元件包括：一第一基板部份位於該非切割線區域中，其中該第一基板部份含有一掺雜的輻射線感測區；以及一第二基板部份位於該切割線區域中，其中該第二基板部份與該第一基板部份具有相同的材料組成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第二基板部份比該第一基板部份薄。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第一基板部份直接物理接觸該第二基板部份。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該半導體影像感測元件更包括：一有機物部份位於該切割線區域中的該第二基板部份上。
  5. 一種半導體影像感測元件，包括：一輻射線感測區位於一矽基板中，該輻射線感測區係用以感測由該矽基板的背面入射之輻射線；一矽構件緊鄰該矽基板；一有機物構件位於該矽構件的背面上；以及一內連線結構位於該矽基板的正面上與該矽構件的正面上；其中：該輻射線感測區位於該半導體影像感測元件之一畫素區中；以及該矽構件與該有機物構件位於該半導體影像感測元件之一切割線區域中。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之半導體影像感測元件，其中該矽基板與該矽構件為連續性結構。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之半導體影像感測元件，其中該矽構件實質上比該矽基板薄。
  8. 一種形成半導體影像感測元件的方法，包括：形成多個輻射線感測區於一基板中，且該些輻射線感測區係形成於該半導體影像感測元件的一非切割線區域中；蝕刻該半導體影像感測元件的一切割線區域中的該基板，以形成一開口於該切割線區域中，其中該蝕刻製程後將保留部份該基板於該切割線區域中；以及將一有機材料填入該開口。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之形成半導體影像感測元件的方法，其中該切割線區域中的部份該基板，係直接物理接觸該非切割線區域中的該基板。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之形成半導體影像感測元件的方法，其中該切割線區域中的部份該基板，比該非切割線區域中的該基板薄。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之形成半導體影像感測元件的方法，更包括形成一彩色濾光片層於該基板之非切割線區域上，其中該彩色濾光片層與該有機材料具有相同的材料組成。
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