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TW201303902A - 可阻擋水氣及氧之導電膜結構以及使用此導電膜結構之電子裝置 - Google Patents

可阻擋水氣及氧之導電膜結構以及使用此導電膜結構之電子裝置 Download PDF

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TW201303902A
TW201303902A TW100144400A TW100144400A TW201303902A TW 201303902 A TW201303902 A TW 201303902A TW 100144400 A TW100144400 A TW 100144400A TW 100144400 A TW100144400 A TW 100144400A TW 201303902 A TW201303902 A TW 201303902A
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Taiwan
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oxide
conductive film
film structure
oxygen
metal
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Application number
TW100144400A
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路智強
鍾昇峰
姚寶順
江政禕
Original Assignee
財團法人工業技術研究院
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Abstract

一種可阻擋水氣及氧之導電膜結構以及使用此導電膜結構之電子裝置，此可阻擋水氣及氧之導電膜結構包括金屬電極、金屬氧化物層以及絕緣層。金屬氧化物層位於金屬電極上，其中金屬氧化物層之材料為金屬電極之氧化物。絕緣層覆蓋金屬氧化物層，其中絕緣層中具有至少一孔隙。

Description

可阻擋水氣及氧之導電膜結構以及使用此導電膜結構之電子裝置
本揭露是有關於一種可阻擋水氣及氧之導電膜結構以及使用此導電膜結構之電子裝置。
相較於一般硬質基板，可撓性基板的應用更為廣泛，其優點為可撓、方便攜帶、符合安全性、產品應用廣，但其缺點為不耐高溫、阻水阻氧氣性差、耐化學藥品性差及熱膨脹係數大。典型之可撓性基板由於無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，進而加速基板上之電子元件老化，導致所製成的元件壽命減短，無法符合商業上的需求。
根據目前軟性電子裝置的發展，以聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)或其他光學塑膠材料作為可撓式元件之基材已是未來發展的必然趨勢。但是，塑膠基板本身阻水阻氧的能力較差，因此有水氣及氧氣滲透問題，因而容易造成電子元件內部材料的劣壞，使元件衰退或降低其壽命。
因此，為了避免水氣及氧氣滲透進入電子元件內部而傷及電子元件中之主動層(active layer)，如何製造出具有高阻擋水氣及氧(high moisture resistance and oxygen resistance)功能之導電膜是維持電子元件之高效能、高穩定性之關鍵要素之一。
本揭露提供一種可阻擋水氣及氧之導電膜結構以及使用此導電膜結構之電子裝置，其可以解決上述先前技術所存在的問題。
本揭露提出一種可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其包括金屬電極、金屬氧化物層以及絕緣層。金屬氧化物層位於金屬電極上，其中金屬氧化物層之材料為金屬電極之氧化物。絕緣層覆蓋金屬氧化物層，且絕緣層中具有至少一孔隙。
本揭露提出一種可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其包括透明導電層、透明金屬電極、透明金屬氧化物層以及絕緣層。透明金屬電極位於透明導電層上。透明金屬氧化物層位於透明金屬電極上，其中透明金屬氧化物層之材料為透明金屬電極之氧化物。絕緣層覆蓋透明金屬氧化物層，其中絕緣層中具有至少一孔隙(pinhole)。
本揭露提出一種電子裝置，其具有如上所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構。
基於上述，在本揭露所提供的導電膜結構中，絕緣層以及金屬電極(或透明金屬電極)之間形成有金屬氧化物層，且絕緣層中之孔隙與金屬氧化物層相接觸。因此外界之水氣以及氧氣經由孔隙而擴散及穿遂至金屬氧化物層中。因金屬氧化物層可以防止水氣以及氧氣往下滲透或擴散至金屬電極(或透明金屬電極)，因此金屬電極(或透明金屬電極)不會受到水氣以及氧氣之氧化或侵蝕。因而金屬電極(或透明金屬電極)可以保有原來的電氣特性，使得使用此導電膜之電子裝置之元件效能不受到影響。
為讓本揭露之上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
第一實施例
圖1是根據本揭露一實施例之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之剖面示意圖。圖2是圖1之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之上視示意圖。請同時參照圖1以及圖2，本實施例之可阻擋水氣及氧之導電膜結構10包括金屬電極102、金屬氧化物層104以及絕緣層106。
金屬電極102包括金屬或是複合金屬。換言之，金屬電極102可由單一金屬材料製成或是由多種金屬複合而形成。根據本實施例，所述單一金屬材料例如是鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)或是其他的金屬。所述複合金屬包括銀(Ag)/銅(Cu)、鋁(Al)/銀(Ag)、鋁(Al)/鉑(Pt)、金(Au)/銅(Cu)、鉑(Pt)/金(Au)、鋅(Zn)/銅(Cu)或是其他的複合金屬。在此，所述複合金屬指的是由兩種以上之金屬所形成的合金。舉例來說，複合金屬銀(Ag)/銅(Cu)即為由銀(Ag)以及銅(Cu)所製成的合金。另外，形成金屬電極102之方法包括進行物理氣相沉積、化學氣相沉積、濺鍍、印刷、遮罩沉積或整面沉積。
金屬氧化物層104位於金屬電極102上。特別是，所述金屬氧化物層104之材料為上述金屬電極102之氧化物。在此，形成金屬氧化物層104之方法例如是於形成金屬電極102之後，接著對金屬電極102進行氧化程序，以於金屬電極102之表面生成一層金屬氧化層104。上述之氧化程序可為乾式氧化程序或是濕式氧化程序。以上述氧化程序所形成之金屬氧化物層104的厚度為1～5nm。根據本實施例，金屬電極102以及金屬氧化層104可於同一反應腔室中形成，因而形成金屬電極102以及金屬氧化層104之程序又可稱為原位(in-situ)程序。
由於金屬氧化物層104之材料為金屬電極102之氧化物，因此若金屬電極102是由單一金屬材料製成(例如是鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)或是其他的金屬)，那麼覆蓋在金屬電極102表面上之金屬氧化物層104之材料包括氧化鋁、氧化銅、氧化銀、氧化鉑或是氧化金。上述之氧化鋁包括Al2O3，上述之氧化銅包括CuO，上述之氧化銀包括AgO及/或Ag2O，上述之氧化鉑包括PtO2，且上述之氧化金包括Au2O3。
類似地，若金屬電極102是由複合金屬材料製成，例如是銀(Ag)/銅(Cu)合金、鋁(Al)/銀(Ag)合金、鋁(Al)/鉑(Pt)合金、金(Au)/銅(Cu)合金、鉑(Pt)/金(Au)合金或是鋅(Zn)/銅(Cu)合金，那麼形成在金屬電極102表面上之金屬氧化物層104之材料包括金屬或複合金屬之氧化物，例如是氧化銀、氧化銅或銀(Ag)/銅(Cu)合金氧化物；氧化鋁、氧化銀或鋁(Al)/銀(Ag)合金氧化物；氧化鋁、氧化鉑或鋁(Al)/鉑(Pt)合金氧化物；氧化金、氧化銅或金(Au)/銅(Cu)合金氧化物；氧化鉑、氧化金或鉑(Pt)/金(Au)合金氧化物；或是氧化鋅、氧化銅或鋅(Zn)/銅(Cu)合金氧化物。
絕緣層106覆蓋金屬氧化物層104，且絕緣層106中具有至少一孔隙110，且所述孔隙110貫穿絕緣層106以使孔隙110之一端110a與金屬氧化物層106相接觸。根據本實施例，絕緣層106可包括氧化矽、氮化矽、氧化鈦、乙酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate,EVA)、環氧樹脂(Epoxy)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)、乙烯-四氟乙烯(ethylene-tetrafluoroethylene,ETFE)或是其組合。形成絕緣層106之方法包括進行物理氣相沉積、化學氣相沉積、濺鍍、印刷、遮罩沉積或整面沉積。
在本實施例中，當以上述任一沈積方法形成絕緣層106時，絕緣層106中或多或少都會存在有細微的孔隙110。也就是因為所述孔隙110的存在，外界的水氣以及氧氣便可透過孔隙110而滲入或擴散至絕緣層106底下的膜層。換言之，因孔隙110之一端110b是暴露於外界環境中，且孔隙110之另一端110b暴露出絕緣層106下方之膜層，因此外界的水氣以及氧氣便可透過孔隙110而滲入或擴散至絕緣層106底下的膜層。
而在本實施例中，由於金屬電極102之上方形成有金屬氧化物層104，因此貫穿絕緣層106之孔隙110會暴露出金屬氧化物層104。當外界的水氣以及氧氣透過孔隙110而滲入或擴散至絕緣層106之下方時，水氣以及氧氣只會在金屬氧化物層104中產生氧化擴散作用，而形成擴散氧化物120，如圖3以及圖4所示。
特別是，由於金屬氧化物層104本身即是氧化物材料，因此當水氣以及氧氣擴散或滲透至金屬氧化物層104時，水氣以及氧氣在金屬氧化物層104所產生的氧化作用相當有限或是緩慢。換言之，水氣以及氧氣會被金屬氧化物層104隔離而無法擴散至金屬電極。由於位於金屬氧化物層104下方之金屬電極102不會被水氣以及氧氣氧化或侵蝕，因而能使金屬電極102保有原來的電氣特性。
根據一實施例，上述之導電膜結構10可以設置在基板100或是電子元件200上。
所述之基板100可為硬質基板(例如是玻璃基板或是矽基板)或是可撓性基板(例如是塑膠基板或是金屬基板)。若導電膜結構10是設置在基板100，那麼設置在基板100上之導電膜結構10可作為單純的導線結構、電極結構或是導電層結構。
根據另一實施例，上述之導電膜結構10是設置在電子元件200上，以構成電子裝置。所述電子元件200電子元件可包括顯示器元件、太陽電池元件、發光二極體元件、軟性電路板元件或是場效電晶體元件。換言之，設置在電子元件200上之導電膜結構10是做為電子裝置的一部份。舉例來說，若導電膜結構10是設置在太陽能電池元件上，那麼導電膜結構10可作為太陽能電池裝置中之其中一接觸電極。若導電膜結構10是設置在發光二極體元件上，那麼導電膜結構10即可作為發光二極體裝置中之其中一電極層。
第二實施例
圖5是根據本揭露一實施例之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之剖面示意圖。圖6是圖5之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之上視示意圖。請同時參照圖5以及圖6，本實施例之可阻擋水氣及氧之導電膜結構20包括透明導電層202、透明金屬電極204、透明金屬氧化物層206以及絕緣層208。
透明導電層202可包括無機導電材料或是有機導電材料。所述無機導電材料包括銦錫氧化物(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(AZO)或銦鋅錫氧化物(IZTO)。所述無機導電材料還包括奈米銀線(silver nano-wires)。所述有機導電材料包括共軛高分子、奈米碳管或石墨烯。另外，形成透明導電層202之方法包括進行物理氣相沉積、化學氣相沉積、濺鍍、印刷、遮罩沉積或整面沉積。
透明金屬電極204位於透明導電層202上。根據本實施例，透明金屬電極204的厚度為5～10nm。換言之，由於金屬電極204的厚度足夠薄，因此可使得金屬電極204呈現透光或是透明。類似地，透明金屬電極204包括金屬或是複合金屬。換言之，透明金屬電極204可由單一金屬材料製成或是由多種金屬複合所製成。根據本實施例，所述單一金屬例如是鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)或是其他的金屬。所述複合金屬包括銀(Ag)/銅(Cu)、鋁(Al)/銀(Ag)、鋁(Al)/鉑(Pt)、金(Au)/銅(Cu)、鉑(Pt)/金(Au)、鋅(Zn)/銅(Cu)或是其他的複合金屬。在此，所述複合金屬指的是由兩種以上之金屬所形成的合金。舉例來說，複合金屬銀(Ag)/銅(Cu)即為由銀(Ag)以及銅(Cu)所製成的合金。另外，形成透明金屬電極204之方法包括進行物理氣相沉積、化學氣相沉積、濺鍍、印刷、遮罩沉積或整面沉積。
透明金屬氧化物層206位於透明金屬電極204上，其中透明金屬氧化物層206之材料為透明金屬電極204之氧化物。在此，形成透明金屬氧化物層206之方法例如是於形成透明金屬電極204之後，接著對透明金屬電極204進行氧化程序，以於透明金屬電極204之表面生成一層金屬氧化層206。上述之氧化程序可為乾式氧化程序或是濕式氧化程序。以上述氧化程序所形成之透明金屬氧化物層206的厚度為1～5nm。根據本實施例，透明金屬電極204以及透明金屬氧化層206可於同一反應腔室中形成，因而形成透明金屬電極204以及透明金屬氧化層206之程序又可稱為原位(in-situ)程序。
由於透明金屬氧化物層206之材料為透明金屬電極204之氧化物，因此若透明金屬電極204是由單一金屬材料製成，例如是鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)或是其他的金屬，那麼覆蓋在透明金屬電極204表面上之透明金屬氧化物層206之材料包括氧化鋁、氧化銅、氧化銀、氧化鉑或是氧化金。上述之氧化鋁包括Al2O3，上述之氧化銅包括CuO，上述之氧化銀包括AgO及/或Ag2O，上述之氧化鉑包括PtO2，且上述之氧化金包括Au2O3。
類似地，若透明金屬電極204是由複合金屬材料製成，例如是銀(Ag)/銅(Cu)合金、鋁(Al)/銀(Ag)合金、鋁(Al)/鉑(Pt)合金、金(Au)/銅(Cu)合金、鉑(Pt)/金(Au)合金或是鋅(Zn)/銅(Cu)合金，那麼形成在透明金屬電極204表面上之透明金屬氧化物層206之材料包括金屬或複合金屬之氧化物，例如是氧化銀、氧化銅或銀(Ag)/銅(Cu)合金氧化物；氧化鋁、氧化銀或鋁(Al)/銀(Ag)合金氧化物；氧化鋁、氧化鉑或鋁(Al)/鉑(Pt)合金氧化物；氧化金、氧化銅或金(Au)/銅(Cu)合金氧化物；氧化鉑、氧化金或鉑(Pt)/金(Au)合金氧化物；或是氧化鋅、氧化銅或鋅(Zn)/銅(Cu)合金氧化物。
絕緣層208覆蓋透明金屬氧化物層206，其中絕緣層208中具有至少一孔隙210，且所述孔隙210貫穿絕緣層208以使孔隙210之一端210a與透明金屬氧化物層206相接觸。根據本實施例，絕緣層208可包括氧化矽、氮化矽、氧化鈦、乙酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate,EVA)、環氧樹脂(Epoxy)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)、乙烯-四氟乙烯(ethylene-tetrafluoroethylene,ETFE)或是其組合。另外，形成絕緣層208之方法包括進行物理氣相沉積、化學氣相沉積、濺鍍、印刷、遮罩沉積或整面沉積。
在本實施例中，當以上述任一沈積方法形成絕緣層208時，絕緣層208中或多或少都會存在有細微的孔隙210。也就是因為所述孔隙210的存在，外界的水氣以及氧氣便可透過孔隙210而滲入或擴散至絕緣層208底下的膜層。換言之，因孔隙210之一端210b是暴露於外界環境中，且孔隙210之另一端210b暴露出絕緣層208下方之膜層，因此外界的水氣以及氧氣便可透過孔隙210而滲入或擴散至絕緣層208底下的膜層。
而在本實施例中，由於透明金屬電極204之上方形成有透明金屬氧化物層206，因此貫穿絕緣層208之孔隙210暴露出位於絕緣層208下方之透明金屬氧化物層206。當外界的水氣以及氧氣透過孔隙210而滲入或擴散至絕緣層208下方時，水氣以及氧氣只會擴於透明金屬氧化物層206產生氧化擴散作用，而形成擴散氧化物220，如圖7以及圖8所示。
特別是，由於透明金屬氧化物層206本身即是氧化物材料，因此當水氣以及氧氣擴散或滲透至透明金屬氧化物層206時，水氣以及氧氣在透明金屬氧化物層206所產生的氧化作用相當有限或是緩慢。換言之，水氣以及氧氣會被透明金屬氧化物層206隔離而無法擴散至金屬電極。由於位於透明金屬氧化物層206下方之透明金屬電極204以及透明導電層202就不會被水氣以及氧氣氧化或侵蝕，因而能使透明金屬電極204以及透明導電層202保有原來的電氣特性。
類似地，上述之導電膜結構20可以設置在基板100或是電子元件200上。
所述基板100可為硬質基板(例如是玻璃基板或是矽基板)或是可撓性基板(例如是塑膠基板或是金屬基板)。由於本實施例之導電膜結構20是透明導電膜，因此設置在基板100上之導電膜結構20可作為單純的透明導線結構、透明電極結構或是透明導電層結構。
根據另一實施例，上述之導電膜結構20是設置在電子元件200上，以構成電子裝置。所述電子元件200電子元件可包括顯示器元件、太陽電池元件、發光二極體元件、軟性電路板元件或是場效電晶體元件。換言之，設置在電子元件200上之導電膜結構20是做為電子裝置的一部份。若導電膜結構20是設置在太陽能電池元件上，那麼導電膜結構20即可作為太陽能電池裝置中之電極。若導電膜結構20是設置在發光二極體元件上，那麼導電膜結構10即可作為發光二極體裝置中之電極層。由於本實施例之導電膜結構20是透明或是透光的，因此本實施例之導電膜結構20可以應用於需要透光之元件當中，例如本實施例之導電膜結構20可以作為太陽能電池裝置中之透明電極層或是作為發光二極體裝置中之透明電極層。
綜上所述，在本揭露之導電膜結構中，在絕緣層以及金屬電極(或透明金屬電極)之間形成有金屬氧化物層，且絕緣層中之孔隙與金屬氧化物層相接觸。因此外界之水氣以及氧氣可經由孔隙而擴散及穿遂至金屬氧化物層中。特別是，因金屬氧化物層可以防止水氣以及氧氣往下滲透或擴散至金屬電極(或透明金屬電極)，因此金屬電極(或透明金屬電極)不會受到水氣以及氧氣之氧化或侵蝕。因而金屬電極(或透明金屬電極)可以保有原來的電氣特性，使得使用此導電膜之電子裝置之元件效能不受到影響。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、20．．．導電膜結構
102．．．金屬電極
104．．．金屬氧化物層
106、208．．．絕緣層
110、210．．．孔隙
110a、110b、210a、210b．．．孔隙之兩端
120、220．．．擴散氧化物
100．．．基板
200．．．電子元件
202．．．透明導電層
204．．．透明金屬電極
206．．．透明金屬氧化物
圖1是根據本揭露一實施例之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之剖面示意圖。
圖2是圖1之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之上視示意圖。
圖3是圖1之可阻擋水氣及氧之導電膜結構中之氧化擴散之剖面示意圖。
圖4是圖3之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之上視示意圖。
圖5是根據本揭露一實施例之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之剖面示意圖。
圖6是圖5之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之上視示意圖。
圖7是圖5之可阻擋水氣及氧之導電膜結構中之氧化擴散之剖面示意圖。
圖8是圖7之可阻擋水氣及氧之導電膜結構之上視示意圖。
10．．．導電膜
102．．．金屬電極
104．．．金屬氧化物層
106．．．絕緣層
110．．．孔隙
110a、110b．．．孔隙之兩端
100．．．基板
200．．．電子元件

Claims (21)

  1. 一種可阻擋水氣及氧之導電膜結構，包括：一金屬電極；一金屬氧化物層，位於該金屬電極上，其中該金屬氧化物層之材料為該金屬電極之一氧化物；以及一絕緣層，覆蓋該金屬氧化物層，其中該絕緣層中具有至少一孔隙(pinhole)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該孔隙貫穿該絕緣層以使該孔隙之一端與該金屬氧化物層相接觸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該金屬電極包括一金屬或是一複合金屬。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該金屬包括鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉑(Pt)或是金(Au)，且該複合金屬包括銀(Ag)/銅(Cu)、鋁(Al)/銀(Ag)、鋁(Al)/鉑(Pt)、金(Au)/銅(Cu)、鉑(Pt)/金(Au)或是鋅(Zn)/銅(Cu)。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該金屬氧化物層包括氧化鋁、氧化銅、氧化銀、氧化鉑、氧化金、銀/銅合金氧化物、鋁/銀合金氧化物、鋁/鉑合金氧化物、金/銅合金氧化物、鉑/金合金氧化物或是鋅/銅合金氧化物。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該金屬氧化物層的厚度為1～5nm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該絕緣層包括氧化矽、氧化鈦、乙酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate,EVA)、環氧樹脂(Epoxy)或是其組合。
  8. 一種可阻擋水氣及氧之導電膜結構，包括：一透明導電層；一透明金屬電極，位於該透明導電層上；一透明金屬氧化物層，位於該透明金屬電極上，其中該透明金屬氧化物層之材料為該透明金屬電極之一氧化物；以及一絕緣層，覆蓋該透明金屬氧化物層，其中該絕緣層中具有至少一孔隙(pinhole)。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該孔隙貫穿該絕緣層以使該孔隙之一端與該透明金屬氧化物層相接觸。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該透明導電層包括一無機導電材料或是一有機導電材料。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該無機導電材料包括銦錫氧化物(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(AZO)或銦鋅錫氧化物(IZTO)，該有機導電材料包括共軛高分子、奈米碳管或石墨烯。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該透明金屬電極的厚度為5～10nm。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該透明金屬電極包括一金屬或是一複合金屬。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該金屬包括鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉑(Pt)或是金(Au)，且該複合金屬包括銀(Ag)/銅(Cu)、鋁(Al)/銀(Ag)、鋁(Al)/鉑(Pt)、金(Au)/銅(Cu)、鉑(Pt)/金(Au)或是鋅(Zn)/銅(Cu)。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該透明金屬氧化物層包括氧化鋁、氧化銅、氧化銀、氧化鉑、氧化金、銀/銅合金氧化物、鋁/銀合金氧化物、鋁/鉑合金氧化物、金/銅合金氧化物、鉑/金合金氧化物或是鋅/銅合金氧化物。
  16. 如申請專利範圍第8項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該透明金屬氧化物層的厚度為1～5nm。
  17. 如申請專利範圍第8項所述之可阻擋水氣及氧之導電膜結構，其中該絕緣層包括氧化矽、氧化鈦、乙酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate,EVA)、環氧樹脂(Epoxy)或是其組合。
  18. 一種電子裝置，包括：一電子元件；以及一可阻擋水氣及氧之導電膜結構，位於該電子元件之表面上，其中該可阻擋水氣及氧之導電膜結構如申請專利範圍第1項所述。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之電子裝置，其中該電子元件包括一顯示器元件、一太陽電池元件、一發光二極體元件、一軟性電路板元件或是一場效電晶體元件。
  20. 一種電子裝置，包括：一電子元件；以及一可阻擋水氣及氧之導電膜結構，位於該電子元件之表面上，其中該可阻擋水氣及氧之導電膜結構如申請專利範圍第8項所述。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之電子裝置，其中該電子元件包括一顯示器元件、一太陽電池元件、一發光二極體元件、一軟性電路板元件或是一場效電晶體元件。
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