TW201300569A - 薄膜沉積系統 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用以形成至少一材料層在至少一基板上之系統，系統包括一載台，載台沿著一載台軸進行旋轉，至少一承座齒輪設置在載台上，承座齒輪與載台一起沿著載台軸進行旋轉，至少兩相鄰的承座齒輪之齒紋將會有至少部份重疊且未相互接觸，一中央齒輪咬合至承座齒輪，當各承座齒輪沿著載台軸進行旋轉時，中央齒輪帶動各承座齒輪沿著其各自對應的承座軸進行旋轉。

Description

薄膜沉積系統

　　本發明有關於一種薄膜沉積裝置，尤指一種在基板上沉積薄膜材料之旋轉系統。

　　薄膜沉積已經廣泛使用在各種物件的表面處理之上，例如：首飾、餐具、工具、模具、及/或半導體裝置。通常，在金屬、合金、陶器及/或半導體的表面上係形成同質或非同質的薄膜組成物，以增進構造表面的耐磨、耐熱及/或耐蝕等特性。薄膜沉積技術主要分成兩種，其中一種為物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition；PVD)，另一種為化學氣相沈積(chemical vapor deposition ；CVD)。
　　隨著沉積技術及沉積處理參數之差異，所沉積的薄膜結構可能為一單晶、一多晶或非結晶的結構。單晶及/或多晶薄膜往往亦可用以形成磊晶層，該磊晶層對於半導體積體電路的製程而言十分重要。例如：磊晶層可製作為半導體層，且亦可在特定條件(例如:真空條件)之下進行摻質的分佈而摻雜形成該磊晶層，藉以抑制氧及/或碳雜質的污染。
　　一種化學氣相沈積(CVD)處理形式稱之為有機金屬化學氣相沈積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)。在有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)方面，將會有至少一載流氣體來載運至少一氣相試劑及/或反應源進入一反應腔(例如：一真空腔)，反應腔包含至少一基板(例如：半導體基板(晶圓))。基板的背面往往透過射頻(RF)感應或電阻加熱元件進行加熱以提升基板的溫度。在高溫時，氣相試劑及/或反應源亦可發生至少一化學反應以轉換出至少一固態產物，且沉積在基板的表面上。
　　某些過程中，有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)所形成的磊晶層將使用於製作發光二極體(Light Emitting Diodes；LEDs) 上。再者，利用有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)所製作出的發光二極體，其品質將會因為各種因素而受到影響，例如：在反應腔中流量的穩定度或均勻度、在基板表面上流量的均勻度、溫度控制的精確度及/或其他因素。上述因素將會影響到有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)所形成的磊晶層，進而影響到及其製作出的發光二極體之品質。
　　在此，本發明將提出一種利用有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)進行磊晶成形之改善技術之系統及其方法，尤指一種可在磊晶層之沉積期間改善在真空腔中及基板表面上之流體均勻度之系統及其方法。

　　本發明一實施例中，提出一種用以形成至少一材料層在至少一基板上之薄膜沉積系統，系統包括一載台，載台繞一載台軸旋轉；至少一承座齒輪設置在載台上，各承座齒輪與載台一起繞載台軸旋轉，其中至少兩相鄰的承座齒輪之齒紋至少部份重疊且未相互接觸；一中央齒輪咬合各承座齒輪，當各承座齒輪沿著載台軸旋轉時，中央齒輪帶動各承座齒輪繞其各自對應的承座軸旋轉。
　　本發明又一實施例中，提出一種用以形成至少一材料層在至少一基板上之薄膜沉積方法，方法包括：使至少一基板繞一載台軸旋轉，至少一基板是設在至少一承座齒輪上，且至少一承座齒輪設置在一載台上；當承座齒輪繞載台軸旋轉時，以一中央齒輪使各承座齒輪繞其各自對應的承座軸進行旋轉，其中至少兩相鄰的承座齒輪之齒紋咬合中央齒輪之齒紋以及至少兩相鄰的承座齒輪之齒紋將至少部份重疊且未相互接觸；當至少一基板繞載台軸及各承座軸旋轉時，至少一材料層形成在基板上。
　　本發明又一實施例中，各相鄰的承座齒輪之齒紋將至少部份重疊且未相互接觸，以致各相鄰的承座齒輪被中央齒輪帶動旋轉時彼此之間不會相互干擾。
　　本發明又一實施例中，各相鄰的承座齒輪之齒紋將至少部份重疊，且在各相鄰的承座齒輪中之其中一承座齒輪之齒紋位於另一承座齒輪之齒紋上方。
　　本發明又一實施例中，至少兩相鄰的承座齒輪包括齒紋，至少兩相鄰的承座齒輪之齒紋咬合中央齒輪之齒紋。
　　本發明又一實施例中，中央齒輪之齒紋厚度超過至少兩相鄰的承座齒輪之齒紋厚度。
　　本發明又一實施例中，至少一材料層利用化學氣相沈積方式形成在至少一基板上。

　　在本專利之內容中，“耦接”一詞是指直接連接或間接連接(例如：至少一介於中間的連接)在至少一物件或組件之中。
　　請參閱第1A圖及第1B圖，為描述本發明旋轉系統100之一具體實施例，本發明旋轉系統100可將至少一材料形成在至少一基板上。某些實施例中，旋轉系統100包括至少一載台110，至少一旋轉殼體112、至少一內齒輪114、至少一外齒輪116及至少一馬達118。一些實施例中，旋轉系統100尚包括至少一中央齒輪120。某些實施例中，旋轉系統100尚包括至少一基板承座130、至少一承座齒輪132及至少一承座環134。某些實施例中，基板承座130用以支撐基板140(例如：至少一晶圓)。一些實施例中，內齒輪114及外齒輪116形成一驅動配件，該驅動配件尚可包括馬達118。
　　雖然上述旋轉系統100係使用一選定的群組構件，然，熟悉該項技藝者亦可清楚明白該群組之各個構件亦可輕易進行替代、更換或變化。例如：一些組件可擴充及/或合併，其他構件可插入於那些擴充及/或合併的構件之中。再者，根據上述之實施例，各個構件的配置位置可與其他構件進行相互替換。
　　某些實施例中，旋轉殼體112之底部固定內齒輪114，而頂部直接或間接支撐載台110。一些實施例中，旋轉殼體112之頂部固定載台110。本發明又一實施例中，內齒輪114咬合外齒輪116。另一實施例中，外齒輪116透過馬達118驅動旋轉，以致內齒輪114跟著旋轉。根據於一實施例，內齒輪114的旋轉將會帶引著旋轉殼體112及載台110沿著一共軸(例如：一載台軸)進行旋轉，例如：旋轉殼體112透過使用一迴轉軸承進行旋轉。
　　某些實施例中，在載台110上包括至少一基板承座130、至少一承座齒輪132及至少一承座環134。一些實施例中，基板承座130、承座齒輪132及承座環134與載台110一起沿著共軸旋轉。一些實施例中，各承座齒輪132支撐對應的各基板承座130，且各基板承座130承載至少一基板140(例如：至少一晶圓)。
　　一些實施例中，中央齒輪120咬合至少一承座齒輪132。一實施例中，當承座齒輪132與載台110一起沿著共軸旋轉時，中央齒輪120會保持靜止，以使各承座齒輪132分別沿著其對應的承座軸進行旋轉。
　　又一實施例中，當承座齒輪132與載台110一起沿著共軸進行相同方向的旋轉且兩者具有不同的旋轉速度時，中央齒輪120將會以一角速率沿著共軸進行一方向的旋轉。中央齒輪120的旋轉將導致各承座齒輪132分別沿著其對應的承座軸進行旋轉。某些實施例中，承座齒輪132沿著其對應的承座軸旋轉時之角速率將藉由中央齒輪120與各承座齒輪132之間的齒輪比以及中央齒輪120與各承座齒輪132之間沿著共軸旋轉之角速比進行決定。
　　另一實施例中，中央齒輪120沿著共軸進行一方向的旋轉，當承座齒輪132與載台110沿著共軸進行另一方向的旋轉時，將使得至少一承座齒輪132分別沿著其對應的承座軸進行旋轉。
　　某些實施例中，各承座齒輪132與各基板承座130固定一起，以致各基板承座130也會分別沿著其對應的承座軸進行旋轉。一些實施例中，各承座齒輪132分別透過至少一滾珠軸承而與承座環134接觸一起。一些實施例中，承座環134與載台110固定一起，所以承座環134將不會與承座齒輪132沿著承座軸一起旋轉。
　　如第1A圖所示，為了清楚地描述各組件，基板支架130、承座齒輪132與承座環134顯示出拆解的狀態，而中央齒輪120顯示出與承座齒輪132進行脫離的狀態。第2A圖為描述旋轉系統100之中央齒輪120咬合各承座齒輪132之一具體實施例。此外，第2B圖為描述本發明旋轉系統100之基板承座130、承座齒輪132及承座環134處在一配置狀態之一具體實施例。
　　在此，進一步強調上述之第1A圖、第1B圖、第2A圖及第2B圖之範例僅為本發明其中一實施例而已，各種結構上之變化、交換及改變皆可能落入本發明之技術領域中，熟悉該項技藝者應可明白其範例不應加以限制本發明之專利範圍。例如：至少一基板承座130亦可進行移除，而基板140(例如：至少一晶圓) 直接透過至少一承座齒輪132進行支撐。基板140與對應的承座齒輪132沿著共軸及/或沿著承座軸進行旋轉。在另一範例中，至少一承座環134亦可進行移除，如第4圖所示。
　　請參閱第3圖為描述一用以形成至少一材料在至少一基板上之旋轉系統100呈現其一基板承座之旋轉部分之一具體實施例。如第3圖所示，各承座齒輪132之外形具有一中空環，該中空環用以支撐其對應的基板承座130。某些實施例中，各承座齒輪132及其對應的基板承座130透過使用滾珠軸承320以沿著承座軸310進行旋轉。又一實施例中，滾珠軸承320設置在承座齒輪132之底部凹槽與承座環134之頂部凹槽之間。另一實施例中，承座環134固定於載台110上。
　　請參閱第4圖為描述一用以形成至少一材料在至少一基板上之旋轉系統100呈現其一基板承座之旋轉部分之又一具體實施例。如第4圖所示，各承座齒輪132之外形具有一中空環，該中空環用以支撐其對應的基板承座130。某些實施例中，各承座齒輪132及其對應的基板承座130透過使用滾珠軸承420以沿著承座軸410進行旋轉。又一實施例中，滾珠軸承420設置在內環430凹槽及承座環134凹槽之間。一些實施例中，內環430固定於基板承座130上。
　　請參閱第5A圖及第5B圖為描述本發明一反應系統之一具體實施例，該反應系統包括有一可用以形成至少一材料在至少一基板上之旋轉系統100。第5A圖為反應系統1100之一側視圖，而第5B圖為反應系統之一平視圖。反應系統1100可為一沉積薄膜在至少一基板上之真空系統。在一實施例中，反應系統1100是一化學氣相沈積(CVD)系統(例如：有機金屬化學氣相沈積(MOCVD))。
　　某些實施例中，反應系統1100包括噴氣頭組件1110、入口1101、1102、1103、1104、至少一基板承座130、至少一加熱裝置1124、一出口1140及一中央組件1150。一些實施例中，中央組件1150、噴氣頭組件1110、載台110及至少一基板承座130 (例如：基板承座130設置在載台110之上)將可形成具有入口1101、1102、1103、1104及出口1140之反應腔1160。一些實施例中，至少一基板承座130係使用於承載至少一承座140(例如：至少一晶圓)。
　　雖然上述反應系統1100係使用一選定的群組構件，然，熟悉該項技藝者亦可清楚明白該群組之各個構件亦可輕易進行替代、更換或變化。例如：一些組件可擴充及/或合併，其他構件可插入於那些擴充及/或合併的構件之中。再者，根據上述之實施例，各個構件的配置位置可與其他構件進行相互替換。
　　某些實施例中，入口1101係形成在中央組件1150之內部，其入口方向將提供至少一氣體，該入口方向將大致平行於噴氣頭1110之表面1112。一些實施例中，中央組件1150係設置在上述的中央齒輪120之上。一些實施例中，在反應腔1160之中心附近將會有至少一氣流(例如：向上流動)進入反應腔1160中，然後通過入口1101向外放射流動以從反應腔1160之中心離開。某些實施例中，入口1102、1103、1104係形成在噴氣頭1110之內部，其入口方向將提供至少一氣體，該入口方向將大致垂直於噴氣頭1110之表面1112。
　　某些實施例中，亦可透過入口1101、1102、1103、1104提供各種氣體。如表1所示之氣體可為：
表 1

　　某些實施例中，載台110沿著載台軸1128(例如：一中央軸)進行旋轉，而各基板承座130沿著對應的承座軸1126(例如：承座軸310或410)進行旋轉。一些實施例中，基板承座130與載台110一起沿著載台軸1128進行旋轉，且它們也會沿著其對應的承座軸1126進行旋轉例如：同一個基板承座130上之基板140將會沿著同一個承座軸1126進行旋轉。
　　某些實施例中，入口1101、1102、1103、1104及出口1140圍繞著載台軸1128進行設置且其每一個都具有一圓形結構。一些實施例中，基板承座130(例如：八個基板承座130)沿著載台軸1128進行配置，例如：各基板承座130可以承載複數個基板140(例如：七個基板140)。
　　如第5A圖及第5B圖所示，根據一些實施例，符號A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、L、M、N、O用以表示反應系統1100中之各種尺寸大小。一實施例中，
(1).A用以表示載台軸1128與入口1102的內部邊緣之間的距離；
(2).B用以表示載台軸1128與入口1103的內部邊緣之間的距離；
(3).C用以表示載台軸1128與入口1104的內部邊緣之間的距離；
(4).D用以表示載台軸1128與入口1104的外部邊緣之間的距離；
(5).E用以表示載台軸1128與入口1101之間的距離；
(6).F用以表示載台軸1128與出口1140的內部邊緣之間的距離；
(7).G用以表示載台軸1128與出口1140的外部邊緣之間的距離；
(8).H用以表示噴氣頭組件1100之表面1112與載台110之表面1114之間的距離；
(9).I用以表示入口1101的高度；
(10).J用以表示噴氣頭組件1110之表面1112與出口1140之間的距離；
(11).L用以表示載台軸1128分別與至少一基板承座130的外部邊緣之間的距離；
(12).M用以表示載台軸1128分別與至少一基板承座130的內部邊緣之間的距離；
(13).N用以表示載台軸1128分別與至少一加熱裝置1124的內部邊緣之間的距離；及
(14).O用以表示載台軸1128分別與至少一加熱裝置1124的外部邊緣之間的距離。
　　某些實施例中，L減去M是基板承座130的直徑。一些實施例中，反應腔1160的垂直尺寸(如：由符號H表示)等於或小於20mm，或者等於或小於15mm。一些實施例中，入口1101的垂直尺寸(如：由符號Ｉ表示)將比噴氣頭組件1110之表面1112與載台110之表面1114兩者之間的垂直距離(如：由符號H表示)還要小。一些實施例中，各符號的長度大小將顯示在如下所示的表2之中。
　　　　　　　　　　　表 2



　　某些實施例中，基板承座130設置在載台110之上。一些實施例中，加熱裝置1124分別設置在基板承座130之下方。一些實施例中，加熱裝置1124分別越過基板承座130並朝著反應腔1160之中心進行延伸。某些實施例中，在氣體到達基板承座130之前，加熱裝置1124亦可從入口1101、1102、1103及/或1104處預熱至少一氣體。
　　某些實施例中，各承座齒輪132係相互分離且圍繞中央齒輪120。第6圖為描述一旋轉系統100之一具體實施例之一俯視圖，該旋轉系統100包括一具有複數個承座齒輪132之載台110，各承座齒輪132係相互分離且圍繞中央齒輪120。承座齒輪132用以支撐基板承座130及基板140。某些實施例中，承座齒輪132與基板承座130亦可形成一單一片體。一些實施例中，承座齒輪132與基板承座130係為分離的片體。
　　中央齒輪120與各承座齒輪132透過各自齒輪之齒紋而咬合一起。如第６圖所示，各承座齒輪132圍繞著中央齒輪120，且藉由間隔150進行分離。分離各承座齒輪132，將可避免相鄰的承座齒輪132相互抑制，藉以確保各承座齒輪132可順利地進行旋轉。然而，利用間隔150分離各承座齒輪132將會因此增加載台110之面積。此外，因為各承座齒輪132之間係相互分離，則加熱器必須輸出高熱能才能提升每一承座齒輪132及/或各基板承座130上之溫度達到需求溫度。
　　為了克服各承座齒輪132在分離上所產生的一些相關問題，各承座齒輪132將可設計成至少部份重疊以減少各承座齒輪132之間的間隔。第7圖為旋轉系統100’又一實施例之俯視圖，該旋轉系統100’包括一具有複數個承座齒輪132之載台110，各承座齒輪132圍繞著一中央齒輪120且相鄰的各承座齒輪132將至少部分重疊。某些實施例中，承座齒輪132A之齒紋將與承座齒輪132B之齒紋相互重疊，且承座齒輪132A與承座齒輪132B交錯圍繞中央齒輪120。
　　第8圖為描述承座齒輪132A之齒紋與承座齒輪132B之齒紋之間將會有至少部分重疊的區域(如第7圖所示之橢圓形160)之一具體實施例之一側視圖。承座齒輪132A之每一側邊具有齒紋162A，而承座齒輪132B之每一側邊具有齒紋162B。齒紋162A、162B被設計咬合中央齒輪120(如第7圖所示)，以便承座齒輪132A、132B如同承座齒輪沿著載台軸進行旋轉一般將會沿著其對應的承座軸進行旋轉。
　　如第8圖所示，齒紋162A至少有部分重疊於齒紋162B且彼此未相互接觸。例如：承座齒輪132A具有齒紋162A，齒紋162A在承座齒輪132B之齒紋162B上方，齒紋162A與齒紋162B彼此未相互接觸。齒紋162A至少有部分重疊於齒紋162B以容許承座齒輪132A至少有部分重疊於齒紋132B之上 (如第7圖所示)。再者，由於各承座齒輪132A、132B未相互咬合一起(例如：各承座齒輪132A、132B之齒紋只與中央齒輪120之齒紋咬合，而各承座齒輪132A、132B之齒紋彼此未相互接觸)，以令各承座齒輪132A、132B可順利地進行旋轉。
　　由於各承座齒輪132A、132B之間未存在有任何間隔150(如第6圖所示)，則至少部分重疊的承座齒輪132A與132B將可允許載台110縮小佔用面積。縮小載台110的佔用面積將可允許載台110之尺寸相對縮小。縮小載台110的尺寸將可允許反應系統(如第5A所示之反應系統1100)之尺寸或真空腔之尺寸跟著縮小。
　　某些實施例中，中央齒輪120的尺寸將可因為承座齒輪132A、132B之間的部份重疊而因此縮小。由於各承座齒輪132A、132B的重疊，承座齒輪132A、132B將可形成一較小的圓直徑，而中央齒輪120之直徑將可配合該具有較小圓直徑之承座齒輪132A、132B而相對縮小。某些實施例中，中央齒輪120之齒紋厚度將超過個別承座齒輪132A、132B之齒紋厚度。例如：中央齒輪120之齒紋具有較高的厚度，則中央齒輪120之齒紋將足夠大的咬合兩齒紋162A(上齒紋)、162B(下齒紋)，如第8圖所示。藉此，中央齒輪120不需要多層次的齒紋即可同時咬合兩齒紋162A、162B。
　　此外，如第7圖所示，因為承座齒輪132A至少有部分重疊於承座齒輪132B，而且，一些實施例中，載台110及中央齒輪120係具有較小的尺寸，在此，使用較少的熱能輸出就可提升每一承座齒輪132A、132B及各基板承座130上之溫度至需求溫度。在此，被加熱的總體面積(例如：載台110的面積)可因為各承座齒輪132A、132B之間的重疊而因此減少，進而減少熱能的輸出。
　　熟悉本發明之技術領域者亦可懂得本發明未限定於已描述的特定系統中，當然，亦可多樣化的。同樣地，也可懂得在此所使用的技術用語僅是為了清楚描述特定實施例而已，並非用來限定。本說明書中所使用的單數形式的“一”及 “該”，除非說明書之內容清楚地指示，否則包括有複數個。例如：所提及之“一裝置”包括兩個或兩個以上的設備及所提及之“一材料”包括混合材料。
　　本發明針對於材料製造之方法及系統，尤指一種用以形成半導體材料之磊晶層的旋轉系統及其相關方法。透過範例的方式，本發明已應用於有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)上，然而，熟悉該項技術領域者亦可明白本發明可適用於更寬廣的應用範圍。
　　本發明各實施例之更換及替代，那些描示對於熟悉技藝者而言亦可顯而易知。於是，這些描述僅作為說明而已，這些描述為了教示那些熟悉技藝者可以一般方式完成本發明。在此，可以理解本發明形式的呈現及描述將作為目前本發明較佳實施例。元素及材料亦可從那些描述之中進行替代，部分過程亦可相反的，且本發明某些特徵亦可單獨使用，在描述本發明所具有的優勢之後習知技術皆可顯而易知。其中描述的元素進行變更並不會脫離於本發明下列所述之專利範圍之精神及範圍。

100．．．旋轉系統

100’．．．旋轉系統

110．．．載台

1100．．．反應系統

1101．．．入口

1102．．．入口

1103．．．入口

1104．．．入口

1110．．．噴氣頭組件

1112．．．表面

1114．．．表面

1124．．．加熱裝置

1126．．．承座軸

1128．．．載台軸

1140．．．出口

1150．．．中央組件

1160．．．反應腔

112．．．旋轉殼體

114．．．內齒輪

116．．．外齒輪

118．．．馬達

120．．．中央齒輪

130．．．基板承座

132．．．承座齒輪

132A．．．承座齒輪

132B．．．承座齒輪

134．．．承座環

140．．．基板

150．．．間隔

160．．．橢圓形

162A．．．齒紋

162B．．．齒紋

310．．．承座軸

320．．．滾珠軸承

410．．．承座軸

420．．．滾珠軸承

430．．．內環

　　本發明裝置及方法之特徵及優點參考詳細說明即可充分理解，不過，儘管如此，本發明亦可搭配圖示進行實施例之闡述。
　　第1A圖及第1B圖：為描述一用以形成至少一材料在至少一基板上之旋轉系統之一具體實施例。
　　第2A圖：為描述旋轉系統之一中央齒輪咬合各承座齒輪之一具體實施例。
　　第2B圖：為描述旋轉系統之一基板承座、一承座齒輪及一承座環處在一配置狀態之一具體實施例。
　　第3圖：為描述一用以形成至少一材料在至少一基板上之旋轉系統呈現其一基板承座之旋轉部分之一具體實施例。
　　第4圖：為描述一用以形成至少一材料在至少一基板上之旋轉系統呈現其一基板承座之旋轉部分之又一具體實施例。
　　第5A圖及第5B圖：為描述一反應系統之一具體實施例，反應系統包括一用以形成至少一材料在至少一基板上之旋轉系統。
　　第6圖：為描述一旋轉系統之一具體實施例之一俯視圖，旋轉系統包括一具有複數個承座齒輪之載台，各承座齒輪係相互分離且圍繞一中央齒輪。
　　第7圖：為描述一旋轉系統之又一具體實施例之一俯視圖，旋轉系統包括一具有複數個承座齒輪之載台，各承座齒輪圍繞著一中央齒輪且相鄰的各承座齒輪將至少部分重疊。
　　第8圖：為描述各承座齒輪之齒紋之間將會有至少部分重疊區域之一具體實施例之一側視圖。
　　雖然本發明容許各種改變及形式的置換，但，其具體實施例將以範例的方式呈現於圖示中且在此被詳細地描述。圖示亦可不被調整。熟悉本發明技術領域者亦可懂得圖示及其詳細說明並不是用來限制本發明特定形式的揭示，反之，用意在於涵蓋全部改變、等值、替代選擇皆會落在本發明專利範圍之精神及範圍中。

100．．．旋轉系統

112．．．載台

112．．．旋轉殼體

120．．．中央齒輪

130．．．基板承座

132．．．承座齒輪

134．．．承座環

140．．．基板

Claims (17)

1. 一種薄膜沉積系統，用以形成至少一材料層在至少一基板上，該薄膜沉積系統包括：
   一載台，繞一載台軸旋轉；
   至少一承座齒輪，設置在該載台之上，其中各承座齒輪與　該載台一起繞該載台軸旋轉，其中至少兩相鄰的該承座　齒輪之齒紋至少部份重疊且未相互接觸；及
   一中央齒輪，咬合該承座齒輪，其中當該承座齒輪沿著該　載台軸旋轉時，該中央齒輪帶動該承座齒輪繞其各自對　應的承座軸旋轉。
2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中各相鄰的承座齒輪之齒紋將至少部份重疊且未相互接觸，以致各相鄰的承座齒輪被中央齒輪帶動旋轉時彼此之間不會相互干擾。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之系統，其中各相鄰的承座齒輪之齒紋將至少部份重疊，且在各相鄰的承座齒輪中之其中一該承座齒輪之齒紋位於另一該承座齒輪之齒紋上方。
4. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該至少兩相鄰的承座齒輪包括咬合於該中央齒輪之齒紋。
5. 如申請專利範圍第1或4項所述之系統，其中該中央齒輪之齒紋厚度超過該至少兩相鄰的承座齒輪之齒紋厚度。
6. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該載台軸不同於該承座軸。
7. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該中央齒輪位在該載台軸的中心。
8. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該至少一承座齒輪用以支撐至少一基板。
9. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該至少一承座齒輪包括至少一基板承座。
10. 如申請專利範圍第1項所述之系統，尚包括至少一連接至該至少一承座齒輪之基板承座。
11. 如申請專利範圍第1項所述之系統，尚包括一載台驅動機制使該載台繞該載台軸旋轉。
12. 如申請專利範圍第1項所述之系統，尚包括一噴氣頭，其設置在該載台上方。
13. 如申請專利範圍第1項所述之系統，尚包括至少一加熱裝置，其設置在該承座齒輪下方。
14. 一種薄膜沉積方法，用以形成至少一材料層在至少一基板上，該薄膜沉積方法包括：
    使至少一基板繞一載台軸旋轉，該至少一基板是設在至少　一承座齒輪上，且該至少一承座齒輪設置在一載台上；
    當該承座齒輪繞該載台軸旋轉時，以一中央齒輪使各承座　齒輪繞其各自對應的承座軸進行旋轉，其中至少兩相鄰　的承座齒輪之齒紋咬合中央齒輪之齒紋以及至少兩相鄰　的承座齒輪之齒紋將至少部份重疊且未相互接觸；及
    當該至少一基板繞該載台軸及各承座軸旋轉時，形成至少　一材料層在基板上。
15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，尚包括利用化學氣相沈積方式形成該至少一材料層在該至少一基板上之步驟。
16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中各相鄰的該承座齒輪之齒紋將至少部份重疊且未相互接觸，以致各相鄰的該承座齒輪被該中央齒輪帶動旋轉時彼此之間不會相互干擾。
17. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中各相鄰的該承座齒輪之齒紋至少部份重疊，且在各相鄰的承座齒輪中之其中一該承座齒輪之齒紋位於另一該承座齒輪之齒紋上方。