TW201300565A - 透明導電膜之製程方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種透明導電膜之製程方法，其包含下列步驟：(a)提供成膜裝置；(b)提供預熱裝置；(c)提供透明導電膜所需之起始原料進入成膜原料供應單元，並藉由輸送裝置將基板傳送至成膜室內沈積透明導電膜層而形成透明導電基板；(d)提供退火裝置，藉由輸送裝置將透明導電基板傳送至退火裝置進行退火處理；以及(e)將透明導電基板進行冷卻處理。藉此，可以得到連續且均勻的大面積薄膜之沉積。

Description

透明導電膜之製程方法

本發明係有關於一種導電膜之製程方法，且特別係有關於一種透明導電膜之製程方法。

液晶顯示元件、電激發光元件等之各種顯示元件或薄膜太陽電池之電極，其電極主要為具有可見光線透過率高，且電阻低之透明導電性之薄膜。因此，透明導電膜成為完成現今各種顯示器元件中不可或缺的電極材料。例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化錫(Tin Oxide，TO)、摻雜有氟之錫氧化物(Fluorine－doped Tin Oxide，FTO)或摻雜鋁之鋅氧化物(Aluminum－doped Zinc Oxide，AZO)等導電性金屬氧化物為主要成分之膜，兼具對可見光優異之透明性及優異之電性傳導性。在製備透明導電膜時，常分為物理沉積以及化學法兩種方式。其中，物理沉積方式有：熱蒸鍍、電子束蒸鍍(E-beam evaporation)、直流濺鍍(sputtering)、射頻濺鍍等。而化學沉積方式有：噴霧熱分解法(Spray pyrolysis technique,SPT)、浸染法(Dip coating)、溶膠凝膠法(Sol-gel)、塗佈法(Spin coating)、化學氣相沉積法(Chemical vapor deposition,CVD)等方法製備。

此外，一般製造透明導電膜的裝置係使用，例如電漿CVD方法。此方法將既有的靶材或成膜原料先驅物(Precursor)，以電漿的方式在基板上進行成膜。由於製程條件必須在真空(或接近真空)下進行，所以這樣的製程假如是以連續式操作的話，所必須使用的設備不僅複雜且昂貴，使得所製造的成品價格甚高。且銦(In)因為價格昂貴，資源有限，所以並不適合未來產業的發展。而氧化錫薄膜，由於價格低、在高溫下穩定性佳以及化性穩定，且用來形成氧化錫薄膜的鍍膜製程不需要在真空的環境下進行，所以這樣的製程條件對透明導電膜的發展極具競爭力。

參照中國專利公開的二氧化錫透明導電膜的製造設備，公開號CN1563482A號。該專利揭示一種二氧化錫透明導電膜的製造設備，其主要特徵在於在鍍膜軌道上以陶瓷管作為傳動件，並將噴頭裝置(Shower head)設置在製程腔體之中部，對基板表面噴鍍二氧化錫透明導電膜。然而該專利揭示噴頭裝置係設置在製程腔體之中部，並不利於大面積且連續式製程，無法得到大面積且均勻之薄膜。且，該專利並未進一步揭示作為傳動件之陶瓷管之材質與其具體實施方法，因此在傳送基板時可能會造成基板的磨損等。

此外，習知製造氧化錫的導電膜裝置欲進行連續式操作的製程時需結合目前常用於浮法玻璃(在高溫下將熔化的玻璃液流在熔融的金屬液面上，浮飄拋光，成型為平整、光潔的平板玻璃)的製程及其退火製程。此習知技術必須將一浮法玻璃導入一體成型的隧道爐中。然而須根據各種薄膜反應物的製程條件對隧道爐進行改裝以符合不同製程需求，例如習知有在常壓下進行的化學氣相沉積法(CVD)製程。然而，對於沒有具備浮法製程的廠商，就無法施行透明導電膜的鍍膜製程。

有鑑於此，需要提供一種能符合前述需求之透明導電膜成膜裝置與製程方法，能在大面積的基板上得到連續且均勻連續之成膜。

本發明之主要目的是在提供一種透明導電膜之製程方法，藉由該方法可以在大面積的基板形成連續且均勻的高品質薄膜。

為達上述目的，本發明尚提出一種透明導電膜之製程方法，其步驟包含：(a)提供成膜裝置；(b)提供預熱裝置；(c)提供透明導電膜所需之起始原料進入成膜原料供應單元，並藉由輸送裝置將基板傳送至該成膜室內並沈積透明導電膜層形成透明導電基板；(d)提供退火裝置，藉由該輸送裝置將該透明導電基板傳送至退火裝置進行退火處理；以及(e)將透明導電基板進行冷卻處理。於步驟(a)：該成膜裝置，其包含：爐體、成膜室、輸送裝置、第一加熱器及可拆卸式進出氣結構。其中，成膜室橫向貫穿爐體，成膜室具有基板輸入端以及基板輸出端，且成膜室之底部面積介於600 mm×600 mm至1600mm×2400 mm之間。輸送裝置具有貫穿成膜室之輸送軌道，第一加熱器係設置於輸送軌道下方。可拆卸式進出氣結構設置於成膜室上方且面對輸送裝置，可拆卸式進出氣結構包含：板體；第一鎖固元件，圍繞板體，以將板體鎖固於爐體上；排氣單元，設置於板體之一端，且鄰近成膜室之基板輸出端；成膜原料供應單元，設置於板體中相對於排氣單元之另一端，且鄰近成膜室之基板輸入端；以及第二加熱器，設置於板體中，且位於排氣單元與成膜原料供應單元之間。於步驟(b)：將基板置於預熱裝置內進行預熱，預熱裝置包含升溫區、恆溫區與降溫區。其中，升溫區係用以將基板從室溫加熱至590~620℃之間並且持溫5~8分鐘；恆溫區係用以將基板於590~620℃之間持溫約30~40秒；降溫區係用以將基板降溫至400~500℃之間。於步驟(d)：退火處理之退火溫度係由500~620℃降至250~400℃。

根據本發明之一特徵，其中步驟(b)之降溫區與步驟(d)之退火處理之間係包含：第一反應區，藉由排氣單元進行排氣處理；第一緩衝區設置於第一反應區之後，並採用第一加熱器與第二加熱器進行熱處理；第二反應區設置於第一緩衝區之後，藉由排氣單元進行排氣處理；第二緩衝區設置於第二反應區之後，並採用第一加熱器與第二加熱器進行熱處理；第三反應區設置於第二緩衝區之後，藉由排氣單元進行排氣處理；第三緩衝區設置於第三反應區之後，並採用第一加熱器與第二加熱器進行熱處理；第四反應區，設置於第三緩衝區之後，藉由排氣單元進行排氣處理。

本發明之一種透明導電膜之製程方法具有以下功效：

1.藉由使用導電膜成膜裝置之製程方法，利用原料供應孔與抽氣開口設計，可以在大面積形成連續且均勻薄膜；

2.　本製程方法係藉由連接元件的設置，使得成膜裝置的前段製程與後段製程具有更彈性的選擇性，且具有可替換性，具有可節省改裝機台成本的優點，達到降低生產成本之目的；

3.　本製程方法係藉由可拆卸式進出氣結構的獨立設計，使得導電膜成膜裝置的成膜原料供應管路以及排氣管路具有拆卸方便以及清洗容易的優點；以及

4.　本製程方法係藉由滾輪上之鍍覆設計，可方便清除製程進行時附著於滾輪上之附著物，減少薄膜不均勻造成之導電性劣化。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數個較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

雖然本發明可表現為不同形式之實施例，但附圖所示者及於下文中說明者係為本發明可之較佳實施例，並請瞭解本文所揭示者係考量為本發明之一範例，且並非意圖用以將本發明限制於圖示及/或所描述之特定實施例中。

現請參照第1圖，其顯示為本發明之一種透明導電膜之製程方法，包含下列步驟：步驟110：請配合參照第2圖，提供一成膜裝置200；步驟120：提供預熱裝置，將一基板201置於預熱裝置內進行預熱之動作；步驟130：提供透明導電膜所需之起始原料進入成膜原料供應單元，並藉由輸送裝置將基板201傳送至成膜室內並沈積透明導電膜層形成透明導電基板；步驟140：提供退火裝置，藉由輸送裝置將透明導電基板傳送至退火裝置進行退火處理；以及步驟150：將透明導電基板進行冷卻處理。

現請再配合參照第2圖，其係為步驟110中之成膜裝置200之結構示意圖。透明導電膜之成膜裝置200包含爐體210、輸送裝置220、加熱器230、可拆卸式進出氣結構240、連接元件250以及連接元件260。

成膜作業係於爐體210內的成膜室211內進行。成膜室211具有基板輸入端212以及基板輸出端213，以便於將欲進行成膜作業的基板201經由基板輸入端212輸入，並經由基板輸出端213輸出。而爐體210具備隔熱材，以防止爐體210的熱散失。隔熱材可例如一保溫棉。基板201可以使用玻璃或不銹鋼或軟性基板等。其中，較佳係使用玻璃基板，其厚度介於2~5 mm，基板201之最小面積：600 mm×600 mm，最大面積可以是1300 mm×2200 mm。基板201亦可以是直徑600 mm的圓型基板。亦即是，成膜室211所能承載基板之底部面積需略大於基板之面積，亦即是介於600 mm×600 mm至1600 mm×2400 mm之間。此外，輸送裝置220包含輸送軌道221，例如可為履帶，用以將進行成膜作業的基板201自基板輸入端212輸送至基板輸出端213。輸送裝置220可利用例如滾輪輸送裝置220，其包含有複數個可自由滾動的滾輪222、繞設於這些滾輪222外的輸送軌道221以及滾輪驅動裝置。而滾輪驅動裝置係受傳動馬達所驅動。這些滾輪之輪軸係藉由結合件結合在一起。結合件可例如為鏈條或皮帶。滾輪驅動裝置則與這些滾輪222其中一個的輪軸相互結合，藉由驅動滾輪222的輪軸來驅動所有的滾輪222轉動。當啟動傳動馬達後，滾輪驅動裝置將會驅動所有滾輪222轉動，藉此滾輪222帶動輸送軌道221，以將基板201自基板輸入端212輸送到成膜室211內。其中，輸送裝置220更包含控制結構(未繪示)以控制滾輪驅動裝置的驅動速度，藉此可控制滾輪222的轉動速度，以達到調整基板201在成膜室211內的移動速度。為了得到均勻的傳送速度，並且於傳送時不傷害到基板201的表面，滾輪222的設計與材質是一重要之考量。滾輪222材質係為陶瓷所組成，較佳係能承受高溫且不因製程高溫產生大量熱漲冷縮而造成成膜品質劣化之材質，如氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、碳化矽等，但不限於以上之材質。較佳地，滾輪222滾輪直徑為55 mm，滾距為100 mm，且其材質為電鑄石英輥。需注意的是，在製程進行中，由於成膜原料亦可能附著滾輪222，因此在本發明中，滾輪222更包含鍍覆三氧化二鋁的布，可方便清除製程進行時附著於滾輪222之附著物。

加熱器230設置於輸送裝置220的下方，且設置於爐體210內，以對成膜室211內的基板201進行加熱處理。其中，加熱器230的係獨立設置於輸送裝置220下方。亦即，滾輪222的轉動並不會帶動加熱器230轉動，使得基板201在受到加熱器230均勻受熱的情況下，進行成膜製程。

可拆卸式進出氣結構240係獨立設置於成膜室211的上方，且面對輸送裝置220。其中，此可拆卸式進出氣結構240包含有板體241、第一鎖固元件242、排氣單元243、成膜原料供應單元244以及第二加熱器245。板體241較佳係以高耐熱的金屬所形成，並鋪設有隔熱材，以隔絕爐體內的熱散失。第一鎖固元件242，例如包含螺絲242a與螺絲孔242b之組合。螺絲孔242b環繞設置於板體241之週邊，藉由螺絲242a將上述板體241鎖固於爐體210上。

排氣單元243設置於板體241之一端，且鄰近於成膜室211的基板輸出端212。其中，排氣單元243排氣單元係為一Clean dry air(CDA)系統，包含至少一個抽氣管。其中，這些抽氣管中的每一者均具有一氣體流量控制閥320位於管內，藉此可形成均勻的抽氣效果，且這些抽氣管共同具有抽氣開口330。藉由抽氣開口330的抽氣可使成膜室211內產生風道效應，使得成膜室內的氣體會因排氣單元243的抽取，而自基板輸入端212向基板輸出端213的方向流動。因此，當基板201由基板輸入端212移動至基板輸出端213時，至此成膜作業已大致完成。抽氣開口330視抽氣量之速度而有不同之設計，為了得到均勻之抽氣速率，抽氣開口330為一條狀結構。在其他實施例中，抽氣開口330為一孔狀。其中，排氣單元243包含至少一個隔板，使得這些抽氣管中的相鄰每兩者具有抽氣室，藉此可進一步提高抽氣的均勻性。其中，氣體流量控制閥320可以是球閥或者蝴蝶閥。

現請參照第3圖，成膜原料供應單元244包含容室350以及管路將成膜原料輸送至容室350內。容室350更包含至少一個垂直設立之隔板，用以將容室354分隔成至少二個容室354a以進一步提高成膜原料之混合均勻性。而原料供應孔352亦可以設置於容室350靠近成膜原料供應單元244之一側，而非位於容室350之上部或底部。藉此成膜原料在容室350底部進一步進行儲存，直至液面高於原料供應孔352而流向入成膜室211內之基板201，以提高成膜的均勻度。需注意的是，原料供應孔352亦可以設置於容室350靠近排氣單元243之一側。

成膜原料供應單元244之設計係為本發明之一重要特徵。該成膜室211腔體的原料供應孔352及抽氣開口330的配置，是為了增加製程成膜原料在基板201上停留時間，因此能在大面積形成連續且均勻薄膜。因此配置在進片位置及出片位置兩端，其進料口(原料供應孔352)及出氣口(抽氣開口330)間之距離為1.5公尺，特別有利於進行面積為1000 mm×1000 mm以上基板之製程。

此外，此可拆卸式進出氣結構更包含加熱器245，係設置於板體241中，且位於排氣單元243與成膜原料供應單元244之間。

現請同時參照第1圖與第4圖，其中第4圖係繪示依據本發明之成膜裝置200之立體側視圖。連接元件250、260係分別設置於成膜裝置200之基板輸入端212以及基板輸出端213。其中，成膜裝置200包含預熱裝置400a。於步驟120中，預熱裝置400a又包含升溫區、恆溫區與降溫區。其中，升溫區之係用以將基板201從室溫加熱至590~620℃之間並且持溫5~8分鐘；恆溫區係用以將基板201於590~620℃之間持溫約30~40秒；降溫區係用以將基板201降溫至400~500℃之間。設置預熱裝置400a之目的為基板201在進到成膜裝置200前即具有預設溫度。連接元件260係用以連接成膜裝置200，例如退火裝置400b，以使得基板201在進行成膜作業後可進行退火製程。

於步驟130中，提供透明導電膜所需之起始原料進入成膜原料供應單元244。其中透明導電膜所需之原料係以霧氣態噴塗至基板201上，成膜原料係組成薄膜成分的各種起始原料，係包含一含氟之前軀物及一含錫之前軀物，該含氟之前軀物係為三氟乙烯、氫氟酸及氟化銨之一；以及該含錫之前軀物係為二氯化錫、三氯化錫及四氯化錫之一。此外，並藉由該輸送裝置220將基板201傳送至成膜室內並沈積透明導電膜層形成透明導電基板。其中，輸送速率為0.2~5 m/min之間。於步驟140中，退火處理之退火溫度係由500~620℃降至250~400℃且輸送速率為0.2~5 m/min之間。最後，於步驟150中，將透明導電基板進行冷卻處理，並取出透明導電基板。其中，冷卻處理係包含熱風冷卻段以及冷風冷卻段，且於熱風冷卻段與冷風冷卻段，輸送速率分別為0.2~5 m/min與0.2~5 m/min之間。

現請參照第5圖，其中步驟120之降溫區與步驟150之退火處理之間包含：第一反應區420、第一緩衝區430、第二反應區440、第二緩衝區450、第三反應區460、第三緩衝區470以及第四反應區480。

其中，第一反應區420係藉由排氣單元243進行排氣處理，且排氣處理之排氣量約300 L/min、熱處理之溫度係維持於400~500℃之間以及輸送速率為0.2~5 m/min之間；第一緩衝區430設置於第二反應區440之後，並採用第一加熱器230與第二加熱器245進行熱處理。其中，第一緩衝區430之設置原因係為避免第二反應區440噴入之氣體被第一反應區420之排氣單元243排出。此外，第一緩衝區430之長度為2~3m之間。第二反應區440設置於第一緩衝區430之後，藉由排氣單元243進行該排氣處理，且排氣處理之排氣量約300 L/min，熱處理之溫度係維持於400~500℃之間，輸送速率為0.2~5 m/min之間。第二緩衝區450設置於第二反應區440之後，並採用第一加熱器230與第二加熱器245進行熱處理。其中，第二緩衝區450之設置原因係為避免第二反應區440噴入之氣體被第三反應區460之排氣單元243排出。此外，第二緩衝區450之長度為2~3m之間。該第三反應區460設置於第二緩衝區450之後，藉由排氣單元243進行排氣處理，且排氣處理之排氣量約300 L/min，熱處理之溫度係維持於400~500℃之間，輸送速率為0.2~5 m/min之間。第三緩衝區470設置於該第三反應區460之後，並採用第一加熱器230與第二加熱器245進行熱處理。其中，第三緩衝區470之設置原因係為避免第三反應區460噴入之氣體被第四反應區480之排氣單元243排出。此外，第三緩衝區470之距離為2~3m之間。第四反應區480設置於第三緩衝區470之後，藉由排氣單元243進行排氣處理且排氣處理之排氣量約300 L/min，熱處理之溫度係維持於400~500℃之間，輸送速率為0.2~5 m/min之間。

<實施例1>

首先，將玻璃基板經過脫脂劑處理，以去除表面油污，再經過水洗後讓玻璃表面不殘留脫脂劑，保持清潔。接著，採用本發明之成膜裝置沈積一FTO透明導電膜。現請再配合參照第4圖，其中該第一反應區、第二反應區、第三反應區以及第四反應區之該熱處理之溫度係為500℃之間以及該輸送速率為0.5 m/min；第一緩衝區、該一第二緩衝區以及該第三緩衝區之該熱處理之溫度係為500℃。接著，進行500℃退火處理1小時並降溫至室溫。最後，得到一於可見光區之透光率為83%且片電阻為10Ω/□之連續且均勻極佳之透明導電膜。

<實施例2>

實施例2大致如實施例1之步驟，其主要差異係：第一反應區、第二反應區、第三反應區以及第四反應區之熱處理溫度改為450℃以及輸送速率改為1 m/min；第一緩衝區、第二緩衝區以及第三緩衝區之熱處理溫度係為450℃。接著，進行450℃退火處理1小時並降溫至室溫。最後，得到一於可見光區之透光率為81%且片電阻為11Ω/□之連續且均勻極佳之透明導電膜。

<實施例3>

首先，將玻璃基板經過脫脂劑處理，以去除表面油污，再經過水洗後讓玻璃表面不殘留脫脂劑，保持清潔。接著，採用本發明之成膜裝置沈積一FTO透明導電膜。其中，請配合參照第5圖，其係為本發明之成膜裝置的熱處理流程示意圖。其中熱處理A區段為將基板置於該加熱裝置，將基板從室溫加熱到590℃；熱處理B區段為成膜反應區之溫度，基板經由傳送裝置傳送至成膜室，維持590℃恆溫；C、D、E區段為退火及降溫區之溫度，基板經由傳送裝置傳送至基板退火裝置，溫度由590℃降至350℃；D區段溫度維持在350℃；E區段為將基板溫度降至室溫後，可取出基板。最後，得到一於可見光區之透光率為80%且片電阻為15Ω/□之連續且均勻極佳之透明導電膜。

<實施例4>

以本發明之成膜裝置來製備FTO薄膜，並使用二氯化錫和氟化銨製備成前驅溶液。其中，以改變氟的摻雜量來探討其型態與導電特性。由結果得知氟進入取代氧的位置會產生自由電子使得片電阻降低至10Ω/□，但是氟摻雜量過高時，無法佔據適當的位置而是以雜亂的分佈於結構中使其產生散射，並導致片電阻又提升30Ω/□。

<實施例5>

在另一實施例中，以本發明之成膜裝置來製備FTO薄膜，並使用二氣化錫和三氟乙烯製備成前驅溶液。其中，增加FTO膜厚時其電阻僅為些微的降低，當厚度達500 nm時，其電阻為3.5×10^-4Ωcm；光穿透率也會隨著厚度的增加而下降至79%之可見光穿透率，而電漿波長會隨厚度增加而向短波長位移。

綜上所知，本發明之一種透明導電膜之製程方法具有以下功效：

1.藉由使用導電膜成膜裝置之製程方法，利用原料供應孔與抽氣開口設計，可以在大面積形成連續且均勻薄膜。

2.本製程方法係藉由連接元件的設置，使得成膜裝置的前段製程與後段製程具有更彈性的選擇性，且具有可替換性，具有可節省改裝機台成本的優點，達到降低生產成本之目的。

3.本製程方法係藉由可拆卸式進出氣結構的獨立設計，使得導電膜成膜裝置的成膜原料供應管路以及排氣管路具有拆卸方便以及清洗容易的優點。

4.本製程方法係藉由滾輪上之鍍覆設計，可方便清除製程進行時於滾輪上之附著物，減少薄膜不均勻造成之導電性劣化。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

200．．．成膜裝置

201．．．基板

210．．．爐體

211．．．成膜室

212．．．基板輸入端

213．．．基板輸出端

221．．．輸送軌道

220．．．輸送裝置

240．．．可拆卸式進出氣結構

222．．．滾輪

242．．．第一鎖固元件

230．．．加熱器

242b．．．螺絲孔

241．．．板體

244．．．成膜原料供應單元

242a．．．螺絲

330．．．抽氣開口

243．．．排氣單元

350．．．容室

245．．．加熱器

353．．．容室

250、260．．．連接元件

354a．．．容室

320．．．氣體流量控制閥

400a．．．預熱裝置

352．．．原料供應孔

400b．．．退火裝置

354．．．容室

356．．．隔板

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：

第1圖係繪示依照本發明之一種透明導電膜之製程方法之流程圖。

第2圖係繪示依照本發明之一成膜裝置之結構示意圖。

第3圖係繪示依照本發明之成膜原料供應單元的剖面結構示意圖。

第4圖係繪示依照本發明之成膜裝置之立體側示圖。

第5圖係繪示依照本發明之降溫區與退火處理之流程圖。

第6圖係繪示依照本發明另一實施例之成膜裝置的加熱曲線示意圖。

Claims (11)

1. 一種透明導電膜之製程方法，其步驟包含：(a)　提供一成膜裝置，其包含：一爐體；一成膜室，橫向貫穿該爐體，該成膜室具有一基板輸入端以及一基板輸出端，且該成膜室之底部面積介於600 mm×600 mm至1600 mm×2400 mm之間；一輸送裝置，具有貫穿該成膜室之一輸送軌道；一第一加熱器，設置於該輸送軌道下方；以及一可拆卸式進出氣結構，設置於該成膜室上方且面對該輸送裝置，該可拆卸式進出氣結構包含：一板體；一第一鎖固元件，圍繞該板體，以將該板體鎖固於該爐體上；一排氣單元，設置於該板體之一端，且鄰近該成膜室之該基板輸出端；一成膜原料供應單元，設置於該板體中相對於該排氣單元之另一端，且鄰近該成膜室之該基板輸入端；以及一第二加熱器，設置於該板體中，且位於該排氣單元與該成膜原料供應單元之間；(b)　提供一預熱裝置，將一基板置於該預熱裝置內進行預熱，該預熱裝置包含一升溫區、一恆溫區與一降溫區；其中，該升溫區係將該基板從室溫加熱至590~620℃之間並且持溫5~8分鐘；該恆溫區係將該基板於590~620℃之間持溫30~40秒；該降溫區係將該基板降溫至400~500℃之間；(c)　提供一透明導電膜所需之起始原料進入該成膜原料供應單元，並藉由該輸送裝置將該基板傳送至該成膜室內沈積一透明導電膜層而形成一透明導電基板；(d)　提供一退火裝置，藉由該輸送裝置將該透明導電基板傳送至該退火裝置進行一退火處理，且退火溫度係由500~620℃降至250~400℃；以及(e)　將該透明導電基板進行一冷卻處理。
2. 如請求項1所述之透明導電膜之製程方法，其中步驟(a)之該輸送裝置係為一滾輪輸送裝置。
3. 如請求項1所述之透明導電膜之製程方法，其中步驟(a)之該排氣單元係為一Clean dry air(CDA)系統。
4. 如請求項1所述之透明導電膜之製程方法，其中步驟(c)之該透明導電膜所需之原料係包含一含氟之前軀物及一含錫之前軀物，該含氟之前軀物係為三氟乙烯、氫氟酸及氟化銨之一；以及該含錫之前軀物係為二氯化錫、三氯化錫及四氯化錫之一。
5. 如請求項1所述之透明導電膜之製程方法，其中在步驟(c)與步驟(d)時，該輸送裝置之輸送速率為0.2~5 m/min之間。
6. 如請求項1所述之透明導電膜之製程方法，其中步驟(b)之該降溫區與步驟(d)之該退火處理之間係包含：一第一反應區，藉由該排氣單元進行一排氣處理；一第一緩衝區，設置於該第一反應區之後，並採用該第一加熱器與該第二加熱器進行一熱處理；一第二反應區，設置於該第一緩衝區之後，藉由該排氣單元進行該排氣處理；一第二緩衝區，設置於該第二反應區之後，並採用該第一加熱器與該第二加熱器進行該熱處理；一第三反應區，設置於該第二緩衝區之後，藉由該排氣單元進行該排氣處理；一第三緩衝區，設置於該第三反應區之後，並採用該第一加熱器與該第二加熱器進行該熱處理；以及一第四反應區，設置於該第三緩衝區之後，藉由該排氣單元進行該排氣處理。
7. 如請求項6所述之透明導電膜之製程方法，其中該第一反應區、該第二反應區、該第三反應區與該第四反應區之該排氣處理之排氣量約300 L/min。
8. 如請求項6所述之透明導電膜之製程方法，其中該第一緩衝區、該第二緩衝區、該第三緩衝區與該第四反應區之該熱處理之溫度係維持於400~500℃之間。
9. 如請求項6所述之透明導電膜之製程方法，其中該第一緩衝區、該第二緩衝區與該第三緩衝區之長度為2~3 m之間。
10. 如請求項1所述之透明導電膜之製程方法，其中步驟(e)之該冷卻處理係包含一熱風冷卻段以及一冷風冷卻段。
11. 如請求項10所述之透明導電膜之製程方法，其中該熱風冷卻段與該冷風冷卻段之該輸送裝置之輸送速率皆在0.2~5 m/min之間。