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TW201309586A - 電極結構及其製造方法 - Google Patents

電極結構及其製造方法 Download PDF

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TW201309586A
TW201309586A TW101127153A TW101127153A TW201309586A TW 201309586 A TW201309586 A TW 201309586A TW 101127153 A TW101127153 A TW 101127153A TW 101127153 A TW101127153 A TW 101127153A TW 201309586 A TW201309586 A TW 201309586A
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Joon-Rak Choi
Jong-Woon Moon
Young-Sun You
Kyoung-Hoon Chai
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Lg Innotek Co Ltd
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Abstract

本發明係一電結構及其製造方法。該方法包括配置第一以及第二奈米線在一基板上，並且使第一及第二奈米線相互接合。該電極結構包括一基板，一第一奈米線配置在基板，一第二奈米線配置在基板。第一奈米線與第二奈米線交錯排列，並且第一與第二奈米線相互接合。

Description

電極結構及其製造方法
本發明主張關於2011年07月18日申請之韓國專利案號10-2011-0071140之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種電極結構及其製造方法。
包括透明材料的透明電極已廣泛地應用在各種電子產品，例如顯示裝置、太陽能電池、以及行動裝置。作為製造透明電極的透明導電材料且在奈米尺寸下具有線形結構之奈米線的探索與研究已積極地進行。
由於奈米線具有優越的導電性、柔韌性與透光性，透明電極可表現出優良的特性。然而，當製造透明電極時，假如減少導電奈米材料的使用量，將可改善光學特性，例如透光率以及混濁度(haze)，但將降低電氣特性。相對的，假如增加導電奈米材料的使用量增加，可改善電氣特性，但將降低光學特性。
根據習知技術，奈米線被塗佈在基板上的方法如下。
首先，製備複數個奈米線。該些奈米線可透過一液相沉積法、一氣相沉積法，或使用一模板(templates)的電化學成長法等方法來製備。舉例而言，透過液相沉積法製備奈米線的方法包括對一 溶劑加熱的步驟、添加封端劑(capping agent)到該溶劑的步驟、一製備複數個晶種粒子(seed particles)在該溶劑的步驟、添加一金屬化合物至該溶劑的步驟、再添加一室溫溶劑至該溶劑的步驟、以及精煉奈米線的步驟。
透過該方法製備的奈米線可配置在一基板上。在本例中，在奈米線配置在該基板之後，可藉由施加一壓力而使奈米線接合至基板。
然而，透過上述電極結構的製造方法，介於該些奈米線和基板之間的表面電阻將會增加，以致該電極特性下降。
因此，需要一種能夠降低奈米線和電極結構表面電阻之電極結構的製造方法。
此外，需要一種在塗佈奈米線於基板之後，透過後處理而可降低表面電阻的方法。
本發明提供一種電極結構，其可以透過光處理或熱處理將奈米線相互接合而改善光學及電特性及製造一電極的方法。
根據本發明實施例，提供一用以製造一電極的方法。該方法包括製備第一與第二奈米線、配置(disposing)第一以及第二奈米線在一基板上、以及相互接合該第一和該第二奈米線。
根據本發明實施例，提供一電極結構，該電極結構包括：一基板、在該基板上的一第一奈米線、以及在該基板上的一第二奈米線。該第一奈米線與該第二奈米線相交錯，且該第一奈米線與該第二奈米線相接合。
如上述說明，根據實施例之製造電極的方法及電極結構，彼此互相交錯的奈米線可藉由對配置有奈米線的基板進行光處理或熱處理而使該些奈米線接合。在本例中，該些奈米線係彼此接合同時互相交錯，以致使表面電阻降低。因此，即使只有使用少量的奈米線，該電極結構可呈現出理想的電氣特性。
也就是說，根據本發明實施例，透過本發明實施例之電極製造方法所製造的電極可以維持高穿透率，並可呈現低的反射係數、高的導電率、高的光穿透率、以及低的混濁狀態。此外，由於電極呈現低的表面電阻，使用該電極的設備其效能可被改善。
在實施例的描述中，可被理解的是當一層(或膜)、一區域、一圖案或結構被提及而作為在其他一層(或膜)、其他區域、其他圖案或基板”上”或”下”時，其可為”直接”或”間接”在其他層(或膜)、區域、圖案或結構上；或者，一或多個中介層(intervening layers)亦可存在。所提及關於在每一層的位置將 是以參考圖式為基準。
在圖式中，每一層的厚度或尺寸是被誇飾、省略或示意地被描繪以方便說明。以及，圖式中所描繪的每一層(或膜)、區域、圖案或結構之尺寸並非全部反應至真實尺寸。
下文中，本發明實施例將配合圖示詳細說明如下。
下文中，根據本發明實施例，將參考圖1說明一電極的製造方法。
參考圖1，根據本發明實施例之電極的製造方法包括：製備複數個奈米線的步驟(ST10)、配置該些奈米線在一基板的步驟(ST20)、以及相互接合奈米線的步驟(ST30)。
在製備複數個奈米線的步驟(ST10)中，該些奈米線，舉例而言，將製備第一與第二奈米線。
在製備該些奈米線的步驟中，該些奈米線可透過一液相沉積法、一氣相沉積法、或一使用模板(templates)的電化學成長法來製備。舉例而言，透過該液相沉積法製備該些奈米線的步驟可如以下說明執行之。
製備該奈米線的步驟(ST10)可以包括對一溶劑加熱的步驟、添加一封端劑(capping agent)至該溶劑的步驟、製備複數個晶種粒子(seed particles)在該溶劑內的步驟、添加一金屬化合物(metallic compound)至該溶劑內的步驟、額外添加一室溫溶劑至 該溶劑的步驟、以及精煉奈米線的步驟。這些步驟並非完全必要的步驟，部份根據本發明的製造方法步驟可不執行，且步驟的順序是可改變的。
在對該溶劑加熱的步驟中，該溶劑加熱至適合至製備金屬奈米線的反應溫度。
該溶劑包括多元醇(polyol)。該多元醇作為重要的還原劑(reducing agent)，同時作為混合不同材料之溶劑藉以幫助金屬奈米線的製備。該多元醇可包括乙二醇(ethylene glycol,EG)、丙二醇(propylene glycol,PG)、丙三醇(glycerine)、丁三醇(glycerol)或葡萄糖(glucose)。各種不同的反應溫度可考慮依照採用的型態及溶劑與金屬化合物的特性而有所調整。
在添加一封端劑至該溶劑的步驟中，係添加了誘發製備奈米線的封端劑至該溶劑。假如用以製備奈米線的還原劑反應太快，則金屬被聚合，以致導線外形(wire shape)尚未成形。因此，藉由適當地分散包含在該溶劑中的材料，封端劑可用來防止金屬聚合。
該封端劑可包括各種不同的材料。例如，該封端劑可包含選自由聚乙烯(polyvinylpyrrolidone,PVP)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)、十六基三甲基氨溴化物(cetyl trimethyl ammonium bromide,CTAB)、十六基三甲基氨氯化物(cetyl trimethyl ammonium chloride,CTAC)、以及聚丙烯醯胺(polyacrylamide,PAA)所組成的群組。
此後，在添加催化劑(catalyst)至該溶劑的步驟中，海鹽或精鹽可被添加為催化劑。海鹽或精鹽包括各種不同的金屬或結合氯化鈉(NaCl)的鹵素元素，以形成晶種用來製備金屬奈米線或加速製備金屬奈米線的反應。這些各種不同的金屬或鹵素元素可包括：鎂(Mg)、鉀(K)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、硒(Se)、錳(Mn)、磷(P)、溴(Br)，以及碘(I)。
在添加金屬化合物至該溶劑的步驟中，藉由添加金屬化合物至該溶劑中形成一反應溶劑。本例中，溶於一分離溶劑中的金屬化合物可被添加至具有封端劑及催化劑的溶劑中。該分離的溶劑可包括與初始階段中所使用之溶劑完全相同或不相同的材料。在催化劑被添加之後的一段預定時間後，可添加該金屬化合物，因此得以穩定一理想的反應溫度。
在本例中，該金屬化合物包括一金屬化合物，該金屬化合物包含用以製備一所欲金屬奈米線的金屬。為了製備一銀奈米線，該金屬化合物可包括：氯化銀(AgCl)、硝酸銀(AgNO3)、氰化銀鉀(KAg(CN)2))。
如上述說明，假如金屬化合物被添加至具有封端劑及催化劑的溶劑中，其可造成反應的發生，啟動金屬奈米線的製備。
在精煉奈米線的步驟中，該金屬奈米線在另一用來精煉奈米線的溶液中進行精煉並被收集。
本發明揭露透過一液相沉積法製備奈米線的步驟(ST10)。然而，實施例並不限定於此。所以，在製備該奈米線的步驟(ST10)中，該奈米線可透過一液相沉積法、一氣相沉積法，或使用一模板(templates)電化學成長法等方法製備。
在製備該奈米線的步驟(ST10)中，第三與第四奈米線可和第一與第二奈米線同時製備。然而，實施例並不限定於此，且可製備複數個奈米線。
透過以上步驟製備的奈米線，其直徑為約10nm至約200nm，且其長度為約10μm至約100μm。
下文中，配置(disposing)奈米線在該基板上的步驟(ST20)可包括塗佈第一和第二奈米線的步驟，以及烘乾該基板的步驟。
在執行塗佈步驟前，先執行藉由分散在乙醇(ethanol)的奈米線以製備電極之步驟。也就是說，藉由分散在如乙醇或水的溶劑中之奈米線可塗佈在該基板上製備電極材料。因此，該奈米線可以被均勻分散地塗佈在基板上而不會互相聚合。所以，該包括奈米線電極的透光率可被改善，並且其電阻得以降低。
在塗佈的步驟中，本發明係使用一浸泡法(dip coating scheme)製作。該浸泡法係為塗佈法的一種，其係在藉由浸泡一塗 佈材料至一塗佈溶劑或漿料而形成一前導層(precursor layer)於該塗佈之表面上之後，以一理想的溫度烘烤該塗佈材料而獲得一塗佈薄膜的方法。
然而，實施例並非限定於此，因此，該塗佈步驟可以透過各種不同塗佈方法如：一旋轉塗佈(spin coating)法，一流動塗佈(flow coating)法，一噴霧塗佈(spray coating)法，一縫模塗佈(slit die coating)法，以及一捲輪塗佈(roll coating)等方法執行。
之後，可藉由約50℃至約150℃的溫度，約1至約30分鐘的時間，烘乾被塗佈的基板，使該第一與該第二奈米線配置在該基板上。
該第三與該第四奈米線可如該第一及該第二奈米線配置在該基板上。也就是說，該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相互交錯，而該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相交錯排列。
之後，在相互接合的奈米線步驟中(ST30)，該第一與該第二奈米線可相互接合。
該第一奈米線可接合該第二奈米線同時相互交錯。該第一奈米線可藉由對配置該第一與該第二奈米線的基板，執行光處理或熱處理使該第一與該第二奈米線相互接合。
該光處理係藉由輻射光以能量約5J至約50J照射在基板上。 舉例而言，該光處理可藉由使用一脈衝光(Intense Pulsed Light,IPL)裝置執行之。該IPL裝置係一發光機器以週期性發出具有一強波長的光。
該熱處理係藉由施加一約150℃至約300℃之溫度的熱能至該基板上。舉例而言，熱處理係將基板放入一充滿反應氣體的反應腔室內之後，藉由約150℃或更高的溫度，加熱約30分鐘時間而成。
配置在該基板上的該第一以及該第二奈米線，可透過光處理或熱處理使其相互接合。也就是說，該第一與該第二奈米線相互接合，所以該第一與該第二奈米線可以相互整合為一體。
根據習知技術，在塗佈該第一以及該第二奈米線在該基板上並烘乾該基板之後，再藉由施加一壓力至基板，以使該第一以及該第二奈米線配置在該基板上。然而，在本例中，施加一高壓力以增進電氣特性，所以該底座或該奈米線可能因此變形。
然而，根據本發明實施例之電極製造方法，僅該第一與該第二奈米線透過光處理或熱處理而相互接合，所以在使用少量奈米材料時，可同時滿足電氣與光學特性。也就是說，當根據習知技術比較電極特性時，藉由相互接合奈米線，可減少約30%至約95%的表面電阻，所以該些奈米線容易相互接觸。較佳的，根據該製造電極的方法所製造出的電極，其表面電阻值在約1000Ω/□至 1800Ω/□的範圍。所以，根據本實施例之製造電極的方法，即使僅使用少量的奈米材料，電極的表面電阻可被降低。所以，可製造出具有改善電氣特性、高的光穿透率、以及的混濁度的電極。
在下文中，根據本發明實施例，一電極結構將參考圖2至7詳細說明之。
參考圖2至4，根據本發明實施例之電極結構100包括：一基板110、一第一奈米線131配置在基板110之上，以及一第二奈米線132配置在該基板之上。第一奈米線131與第二奈米線132相互交錯，並且第一奈米線131與該第二奈米線132相互接合。
第一奈米線131與第二奈米線132配置在基板110上的一初級(preliminary)電極部120。第一奈米線131與第二奈米線132可直接配置在基板上，或可在該基板上沉積一不同的層(different layer)之後，再配置在該不同(the different)的層上。
參考圖3，初級電極部120配置在基板110上，並且複數個奈米線130配置在初級電極部120中。該些奈米線130彼此相互交錯。
該奈米線的直徑約10nm至約200nm的範圍。此外，該些奈米線130的長度為約10μm至約100μm的範圍。
圖4係圖3奈米線的放大圖，以及圖5係沿圖4中線A-A’的 剖面圖。
參考圖4，該些奈米線130可由該第一奈米線131、該第二奈米線132、一第三奈米線133、以及一第四奈米線134彼此交錯形成之網格狀(mesh)的形式提供。也就是說，第一、第三奈米線131、133與第二、第四奈米線132、134彼此相互交錯。
如圖5，由於第一至第四奈米線131,132,133,134彼此交錯，在該些奈米線130之間形成接觸點，並且由於該接觸點使得表面電阻可能增加。因此，電極結構的電氣特性可能會顯著下降。
因此，如圖6所示，根據本發明實施例之電極結構，基板110接受光處理或熱處理以使第一至第四奈米線131,132,133,134可以相互接觸。
如圖7所示，假如基板110受到光處理或熱處理，彼此相互交錯的奈米線將會相互接合，致使該些奈米線可彼此形成為一體(integrally formed)。也就是說，假如基板110受到光處理或熱處理，相互平形的第一與第三奈米線131、133將和第二奈米線132相接合，致第一與第三奈米線131、133可和第二奈米線132形成為一體。
由於該些奈米線在橫截面處彼此相互接合，所以該些奈米線係形成為一體，該表面電阻得以降低。所以，即使僅使用一少量的奈米線，該表面電阻得以降低，以致該電氣特性與光學特性可 被改善。也就是說，根據本實施例之電極結構可展現出高導電率、高光穿透率、以及低混濁度。
參考圖8至10，數個包含具有奈米線130配置於其中的電極結構中之實施例將於下文中說明。
圖8係根據第一實施例，繪示包括該些奈米線130之觸控面板200的剖視圖。
根據第一實施例，一觸控面板200包括：一第一基板220、一第一電極240配置在第一基板220之下方、一第二基板210與第一基板220彼此分離、一第二電極230配置在第二基板210之下方、以及一控制器250連接至第一與第二電極240、230。第一電極240或第二電極230包括第一奈米線或橫越第一奈米線之第二奈米線，且該第一奈米線與該第二奈米線相互接合。
在本例中，該第一奈米線與該第二奈米線的直徑為10nm至200nm的範圍。
此外，該觸控面板可更包括第三奈米線及第四奈米線。該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相交錯並且相互接合，而該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相交錯並且相互接合。
圖9係根據第二實施例，包括該些奈米線130之太陽能電池300的側視圖。
根據第二實施例，太陽能電池300包括一基板310、一第一 電極320配置在基板310上、一光吸收層340配置在第一電極320上、一第二電極330配置在光吸收層340上、以及一電池350連接第一與第二電極320、330。第一電極320或第二電極330包括該第一奈米線以及該第二奈米線。該第一與該第二奈米線相互交錯並接合。
在本例中，該第一與第二奈米線具有之直徑為10nm至200nm的範圍。
此外，該太陽能電池可更包括第三與第四奈米線。該第一奈米線可與該第二、該第四奈米線相互交錯，且該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相接合，而該第二奈米線可與該第一、該第三奈米線相互交錯，並且該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相接合。
圖10係根據第三實施例，包括該些奈米線130之液晶顯示器400的側視圖。
根據第三實施例之液晶顯示器400包括：一第一基板410、一第二基板420與第一基板410分離、一液晶顯示層450插設於第一與第二基板410、420之間，一第一電極430配置在第一基板410上，以及一第二電極440配置在第二基板420之下方。第一電極430或第二電極440包括第一與第二奈米線，並且該第一與該第二奈米線相互交錯接合。
在本例中，該第一與該第二奈米線可具有的直徑為10nm至200 nm的範圍。
此外，該液晶顯示器可更包括第三與第四奈米線。該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相交錯，並且該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相互接合，以及該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相交錯，並且該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相互接合。
構成根據本實施例之觸控面板、太陽能電池、以及液晶顯示器的第一電極或第二電極包括相交錯的第一奈米線與第二奈米線，並且該第一奈米線與該第二奈米線相互接合。
因此，根據本發明實施例，該製造電極的方法以及電極結構之相同特性可以應用至觸控面板、太陽能電池，以及液晶顯示器。所以，例如觸控面板、太陽能電池、以及液晶顯示器等裝置，均可因該電極而增進其電氣特性與光學特性，且可以僅使用少量的奈米線來製造。
本實施例將於下文中更加詳細說明。然而，實施例僅作為說明之用，而實施例並非限定於此。
實施例1
該電極材料係藉由分散銀奈米線至乙醇(ethanol)中製備而成。在本例中，相對於電極材料重量而言，包含了0.15重量百分 比(wt%)的銀奈米線。在浸泡一基板至該電極材料中之後，該基板經浸泡塗佈法處理。塗佈後的基板以約80℃的溫度烘烤10分鐘。在基板被烘乾之後，藉由使用IPL以5J至50J能量的光輻照射到該透明基板上，接著量測該透明基板的光學特性與電氣特性。
實施例2
該電極材料係藉由分散銀奈米線至乙醇(ethanol)中製備而成。在本例中，相對於電極材料重量而言，包含了0.15重量百分比(wt%)的銀奈米線。在浸泡一基板至該電極材料中之後，該基板經浸泡塗佈法處理。塗佈後的基板以約80℃的溫度烘烤10分鐘。在基板被烘乾之後，該透明基板被置入充滿反應氣體的腔室中，並且以150℃的溫度加熱30分鐘。在還原-燒結(reduction-sintering)完成之後，接著量測該透明基板的光學特性與電氣特性。
比較例1
該電極材料係藉由分散銀奈米線至乙醇(ethanol)中製備而成。在本例中，相對於電極材料重量而言，包含了0.15重量百分比(wt%)的銀奈米線。在浸泡一基板至該電極材料中之後，該基板經浸泡塗佈法處理。塗佈後的基板以約80℃的溫度烘烤10分鐘。接著量測該透明基板的光學特性與電氣特性。
【表1】
參考表1，根據第一與第二實施例，該基板受到光處理與熱處理，其表面電阻在1000Ω/□至1800Ω/□的範圍，低於第一比較例基板的表面電阻。因此，相互接合的該些奈米線，透過光處理或熱處理，其可相互整體形成。所以，即使用少量的奈米線，其可獲得相同的光穿透率，且電氣特性得以被提高。
也就是說，根據本實施例，透過該製造電極的方法所製造的電極結構可保持高穿透率，以及呈現低反射係數、高傳導率、高光穿透率、以及低混濁度。此外，該電極呈現低的表面電阻，以致包括該電極的元件，其效能可被改善。
在本說明書中，任何指稱“一實施例”、“一件實施例”、“示範實施例”等術語，意指一與實施例有關的一特殊外形、結構，或特性至少包括在一發明實施例中。這些術語出現在說明書中不同的地方並不需參照到相同的實施例。再者，當任一實施例描述一特殊外形、結構，或特性時，其係受制於先前的技術的範 圍內，以影響與其他多個實施例相關之特殊外形、結構，或特性。
雖然已參考許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，可由熟習此項技術者設計的許多其他修改及實施例將落入本揭示案之原理之精神及範疇內。更特定言之，在本揭示案、圖式及所附申請專利範圍之範疇內的所主張之組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。除了零部件及/或配置之變化及修改外，對於熟習此項技術者而言，替代用途亦將為明顯易見的。
100‧‧‧電極結構
110‧‧‧基板
120‧‧‧初級電極部
130‧‧‧奈米線
131‧‧‧第一奈米線
132‧‧‧第二奈米線
133‧‧‧第三奈米線
134‧‧‧第四奈米線
200‧‧‧觸控面板
210‧‧‧第二基板
220‧‧‧第一基板
230‧‧‧第二電極
240‧‧‧第一電極
250‧‧‧控制器
300‧‧‧太陽能電池
310‧‧‧基板310
320‧‧‧第一電極
330‧‧‧第二電極
340‧‧‧光吸收層
350‧‧‧電池
400‧‧‧液晶顯示器
410‧‧‧第一基板
420‧‧‧第二基板
430‧‧‧第一電極
440‧‧‧第二電極
450‧‧‧液晶顯示層
A‧‧‧部份
ST10~ST30‧‧‧步驟
圖1係根據本發明實施例，繪示電極製造方法的流程圖；圖2係根據本發明實施例，繪示電極結構的側視圖；圖3係根據本發明實施例，繪示電極結構的剖視圖；圖4係圖3之部分A奈米線的放大圖；圖5係圖4中的沿線A-A’的剖視圖；圖6係根據本發明實施例，繪示電極結構受光處理或熱處理的側視圖；圖7係根據本發明實施例，繪示電極結構受光處理或熱處理的剖視圖；圖8係根據第一實施例，繪示觸控面板側視圖； 圖9係根據第二實施例，繪示太陽能電池側視圖；以及圖10係根據第三實施例，繪示液晶顯示器側視圖。
ST10~ST30‧‧‧流程

Claims (20)

  1. 一種電極製造方法，該方法包括：形成一第一奈米線和一第二奈米線；配置該第一奈米線和該第二奈米線在一基板之上；以及接合該第一奈米線和該第二奈米線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一奈米線和該第二奈米線彼此相互交錯接合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一奈米線和該第二奈米線係藉由對該於基板進行光處理或熱處理使該第一奈米線和該第二奈米線彼此相互接合。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該配置該第一奈米線和該第二奈米線在一基板之上，係藉由塗佈該第一奈米線和該第二奈米線在該基板之上，並烘乾該基板來進行。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該光處理係以5J至50J的能量進行。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該熱處理係以150℃至300℃之間的溫度進行。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含一第三奈米線及一第四奈米線在該基板之上，其中該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相接合，並與該第二、該第四奈米線相互交錯，以及 該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相接合，並與該第一、該第三奈米線相互交錯。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一奈米線和該第二奈米線具有一直徑在10nm至200nm的範圍，以及具有一長度在10μm至約100μm的範圍。
  9. 一種電極結構包括：一基板；一第一奈米線配置在該基板之上；以及一第二奈米線配置在該基板之上，其中該第一奈米線和該第二奈米線相交錯，並且該第一奈米線和該第二奈米線相互接合。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電極結構，其中該第一奈米線和該第二奈米線具有一直徑在10nm至200nm的範圍，以及具有一長度在10μm至約100μm的範圍。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之電極結構，其中更包含一第三奈米線及一第四奈米線，其中該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相接合，並與該第二、該第四奈米線相互交錯，以及該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相接合，並與該第一、該第三奈米線相互交錯。
  12. 一種觸控面板包含： 一第一基板；一第一電極配置在該第一基板之上；一第二基板與該第一基板間隔開；一第二電極配置在該第二基板之上；以及一控制器連接該第一電極和該第二電極，其中該第一電極或該第二電極包含一第一奈米線和一第二奈米線，該第二奈米線和該第一奈米線相交錯，並且該第一奈米線和該第二奈米線相互接合。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板，其中該第一奈米線和該第二奈米線具有一直徑在10nm至200nm的範圍，以及具有一長度在10μm至約100μm的範圍。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板，其中更包含一第三奈米線及一第四奈米線，其中該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相接合，並與該第二、該第四奈米線相互交錯，以及該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相接合，並與該第一、該第三奈米線相互交錯。
  15. 一種太陽能電池包含：一基板；一第一電極配置在該基板之上；一第二電極配置在該基板之上； 一光吸收層配置在該第一電極之上；以及一電池連接至該第一電極和該第二電極，其中該第一電極或該第二電極包含一第一奈米線以及第二奈米線，且該第一奈米線與該第二奈米線相互接合。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池，其中該第一奈米線和該第二奈米線具有一直徑在10nm至200nm的範圍，以及具有一長度在10μm至約100μm的範圍。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池，更包含一第三奈米線及一第四奈米線，其中該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相接合，並與該第二、該第四奈米線相互交錯，以及該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相接合，並與該第一、該第三奈米線相互交錯。
  18. 一種液晶顯示器包含：一第一基板；一第二基板與該第一基板間隔開；一液晶顯示層插設在該第一基板和該第二基板之間；一第一電極配置在該第一基板之上；以及一第二電極配置在該第二基板之上；其中該第一電極或該第二電極包含一第一奈米線和一第二奈米線，並且該第一奈米線與該第二奈米線相互接合。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示器，其中該第一奈米線和該第二奈米線具有一直徑在10nm至200nm的範圍，以及具有一長度在10μm至約100μm的範圍。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示器，更包含一第三奈米線及一第四奈米線，其中該第一奈米線與該第二、該第四奈米線相接合，並與該第二、該第四奈米線相互交錯，以及該第二奈米線與該第一、該第三奈米線相接合，並與該第一、該第三奈米線相互交錯。
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