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CN103827984A - 电极结构和用于制造电极的方法 - Google Patents

电极结构和用于制造电极的方法 Download PDF

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CN103827984A
CN103827984A CN201280047780.4A CN201280047780A CN103827984A CN 103827984 A CN103827984 A CN 103827984A CN 201280047780 A CN201280047780 A CN 201280047780A CN 103827984 A CN103827984 A CN 103827984A
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CN
China
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nano wire
substrate
electrode
nanowire
nanowires
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Application number
CN201280047780.4A
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崔准洛
文钟云
柳永先
蔡京勳
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LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
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Abstract

公开了一种电极结构和用于制造电极的方法。所述方法包括：将第一纳米线和第二纳米线布置在衬底上；以及将所述第一纳米线和第二纳米线彼此接合。所述电极结构包括衬底、布置在所述衬底上的第一纳米线和布置在所述衬底上的第二纳米线。所述第一纳米线与所述第二纳米线交叉，并且所述第一纳米线和第二纳米线彼此接合。

Description

电极结构和用于制造电极的方法
技术领域
实施例涉及电极结构和用于制造电极的方法。
背景技术
包括透明材料的透明电极已经被应用到电子产品，诸如显示器、太阳能电池和移动装置。已经积极地进行了关于纳米线的研究，纳米线作为用于透明电极的透明导电材料，并且具有纳米大小的线形状的结构。
因为纳米线具有优越的导电率、柔性和透射率，透明电极可以表现出优越的特性。然而，当制造透明电极时，如果减小所使用的导电纳米材料的量，则可以改善诸如透射率和雾度的光学特性，但是电特性变差。相反，如果增多了所使用的纳米材料的量，则可以改善电特性，但是光学特性会变差。
根据相关技术，以如下方式在衬底上涂敷纳米线。
首先，制备多条纳米线。可以通过液相方案、气相方案或使用模板的电化学生长方案来制备纳米线。例如，通过液相方案来制备纳米线的方案包括加热溶剂的步骤、向溶剂添加封端剂的步骤、在溶剂中制备多个种子微粒的步骤、向溶剂添加金属化合物的步骤、额外地向溶剂添加室温溶剂的步骤和精制纳米线的步骤。
通过该方案制备的纳米线可以布置在衬底上。在该情况下，在已经将纳米线布置在衬底上之后，可以通过向衬底施加压力来将纳米线接合到衬底。
然而，在通过上面的方法制造的电极结构中，增大了在纳米线和衬底之间的表面电阻，使得电特性会降低。
因此，需要用于制造能够减小纳米线的表面电阻的电极结构的方法和通过该方法制造的电极结构。
另外，需要能够在衬底上涂敷纳米线后通过后处理来减小表面电阻的方法。
发明内容
技术问题
实施例可以提供一种电极结构和一种用于制造电极的方法，所述电极结构能够通过经由光处理或热处理将纳米线彼此接合而改善光学和电学特性两者。
技术解决方案
根据所述实施例，提供了一种用于制造电极的方法。所述方法包括：制备第一纳米线和第二纳米线；将所述第一纳米线和第二纳米线布置在衬底上；并且，将所述第一纳米线和第二纳米线彼此接合。
根据所述实施例，提供了一种电极结构。所述电极结构包括衬底、在所述衬底上的第一纳米线和在所述衬底上的第二纳米线。所述第一纳米线与所述第二纳米线交叉，并且所述第一纳米线接合到所述第二纳米线。
有益效果
如上所述，根据所述实施例的用于制造电极的方法和所述电极结构，彼此交叉的所述纳米线通过对布置了纳米线的所述衬底执行光处理和热处理而彼此接合。在该情况下，所述纳米线在彼此交叉的同时彼此接合，使得可以降低表面电阻。因此，电极结构可以表现出高的电特性，即使使用小数量的纳米线。
换句话说，通过根据所述实施例的用于制造电极的方法制造的电极可以保持高的透射率，并且可以表现出低的反射率、高的导电率、高的透光率和低雾度。另外，因为所述电极表现出低表面电阻，所以可以改善使用所述电极的装置的性能。
附图说明
图1是示出根据本实施例的用于制造电极的方法的流程图。
图2是示出根据本实施例的电极结构的平面图。
图3是示出根据本实施例的电极结构的截面图。
图4是示出纳米线的图3的部分A的放大视图。
图5是沿着图4的线所取的A-A'的截面图。
图6是示出根据本实施例的、进行了光处理或热处理的电极结构的平面图。
图7是根据本实施例的已经进行了光处理或热处理的纳米线的截面图。
图8是示出根据第一实施例的触摸板的示意截面图。
图9是示出根据第二实施例的太阳能电池的示意截面图。
图10是示出根据第三实施例的液晶显示器的示意截面图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应理解，当层（或膜）、区域、图案或结构被称为在另一个层（或膜）、另一个区域、另一个图案或另一个结构“上”或“下”时，它可以“直接地”或“间接地”在另一个层（或膜）、区域、图案或结构上，或者也可以存在一个或多个介入层。已经参考附图描述了每层的这样的位置。
为了方便或清楚的目的，可能夸大、省略或示意地描绘在附图中所示的每层（或膜）、区域、图案或结构的厚度和大小。另外，每层（或膜）、区域、图案或结构的大小不完全反映实际大小。
以下，将参考附图详细描述本公开的实施例。
以下，将参考图1来描述根据本实施例的用于制造电极的方法。
参见图1，根据实施例的用于制造电极的方法包括：制备多条纳米线的步骤（步骤ST10）；将纳米线布置在衬底上的步骤（步骤ST20）；以及，将纳米线彼此接合的步骤（步骤ST30）。
在制备多条纳米线的步骤（步骤ST10）中，可以制备多条纳米线，例如，第一纳米线和第二纳米线。
在制备纳米线的步骤中，可以通过液相方案、气相方案或使用模板的电化学生长方案来制备纳米线。例如，可以以如下方式执行通过液相方案来制备纳米线的步骤。
制备纳米线的步骤（步骤ST10）可以包括加热溶剂的步骤、向溶剂添加封端剂的步骤、在溶剂中制备多个种子微粒的步骤、向溶剂添加金属化合物的步骤、额外地向溶剂添加室温溶剂的步骤和精制纳米线的步骤。这些步骤并非都是必要步骤，可以根据制造方法而不执行这些步骤中的某些部分，并且，这些步骤的次序可以改变。
在加热溶剂的步骤中，在适合于金属纳米线的制备的反应温度下加热溶剂。
该溶剂可以包括多元醇。该多元醇作为温和的还原剂，同时作为将不同材料混合的溶剂，由此帮助金属纳米线的制备。该多元醇可以包括乙二醇（EG）、丙二醇（PG）、甘油、丙三醇或葡萄糖。通过考虑溶剂和金属化合物的类型和特性来不同地调整反应温度。
在向溶剂添加封端剂的步骤中，向溶剂添加引导纳米线制备的封端剂。如果迅速执行用于纳米线的制备的还原，那么金属会聚合，导致无法形成线形状。因此，封端剂通过恰当地分散在溶剂中包含的材料来防止金属聚合。
封端剂可以包括各种材料。例如，封端剂可以包括选自由下述物质构成的组的材料：聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、聚乙烯醇（PVA）、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）、十六烷基三甲基氯化铵（CTAC）和聚丙烯酰胺（PAA）。
其后，在向溶剂添加催化剂的步骤中，添加粗盐或精盐来作为催化剂。除NaCl以外，粗盐或精盐还包括各种金属或卤族元素，以形成用于制备金属纳米线的种子或加速制备金属纳米线的反应。该各种金属或卤族元素可以包括Mg、K、Zn、Fe、Se、Mn、P、Br和I。
在向溶剂添加金属化合物的步骤中，通过向溶剂添加金属化合物来形成反应溶液。在该情况下，可以将溶化在独立溶剂中的金属化合物添加到具有封端剂和催化剂的溶剂中。该独立溶剂可以包括与在初始阶段中所用溶剂中的材料相同或不同的材料。可以在添加催化剂后预定时间之后来添加金属化合物。因此，可以稳定在期望的反应温度。
在该情况下，该金属化合物包括包含用于制备期望的金属纳米线的金属的化合物。为了制备银纳米线，该金属化合物可以包括AgCl、AgNO3或KAg(CN)2。
如上所述，如果向具有封端剂和催化剂的溶剂添加该金属化合物，则反应发生，使得金属纳米线的制备开始。
在精制纳米线的步骤中，在用于精制纳米线的另一反应溶液中精制并收集该金属纳米线。
本公开公开了通过液相方案来制备纳米线的步骤（步骤ST10）。然而，实施例不限于此。因此，在制备纳米线的步骤（步骤ST10）中，可以通过液相方案、气相方案或使用模板的电化学生长方案来制备纳米线。
在制备纳米线的步骤（步骤ST10）中，可以在制备第一纳米线和第二纳米线的同时额外地制备第三纳米线和第四纳米线。然而，实施例不限于此，并且可以制备多条纳米线。
通过上面的步骤制备的纳米线可以具有在大约10nm至大约200nm的范围中的直径，并且可以具有在大约10微米至大约100微米的范围中的长度。
其后，将纳米线布置在衬底上的步骤（步骤ST20）可以包括涂敷第一纳米线和第二纳米线的步骤和将衬底干燥的步骤。
在执行涂敷步骤之前，执行通过将纳米线分散在乙醇中来制备电极材料的步骤。换句话说，可以在衬底上涂敷通过将纳米线分散在诸如乙醇或水的溶液中而制备的电极材料。因此，可以以均匀但不彼此聚合的分散状态在衬底上涂敷纳米线。因此，可以改善包括纳米线的电极的透射率，并且可以降低电阻。
在涂敷步骤中，可以执行浸涂方案。浸涂方案是涂敷方案之一，并且指的是通过下述方式而获得涂敷膜的方案：通过将要涂敷的材料浸入涂敷溶液或浆料中而在被涂敷材料的表面上形成前体层后，在期望的温度下烘烤被涂敷的材料。
然而，实施例不限于此。因此，可以通过诸如旋涂方案、流涂计划、喷涂方案、狭缝挤压涂敷方案和辊涂方案的各种涂敷方案来执行涂敷步骤。
其后，可以通过下述方式来将第一纳米线和第二纳米线布置在衬底上：将被涂敷的衬底在大约50℃至大约150℃的温度下干燥大约一分钟至大约30分钟。
可以连同第一纳米线和第二纳米线一起也将第三纳米线和第四纳米线布置在衬底上。换句话说，第一纳米线可以与第二纳米线和第四纳米线交叉，并且第二纳米线可以与第一纳米线和第三纳米线交叉。
其后，在将纳米线彼此接合的步骤中（步骤ST30），第一纳米线和第二纳米线可以彼此接合。
第一纳米线可以在与第二纳米线交叉的同时接合到第二纳米线。通过对布置了第一纳米线和第二纳米线的衬底执行光处理或热处理，第一纳米线可以接合到第二纳米线。
可以通过向衬底辐射具有大约5J至大约50J的能量的光来执行光处理。例如，可以通过使用IPL（强脉冲光）装置来执行光处理。IPL装置是用于周期性地发射具有强的波长的光的机器。
可以通过向衬底施加具有大约150℃至大约300℃的温度的热量来执行热处理。例如，可以通过下述方式来执行热处理：在将衬底置入被填充了还原气体的反应腔室后，将衬底在大约150℃或150℃以上的温度下加热大约30分钟。
布置在衬底上的第一纳米线和第二纳米线可以通过光处理或热处理而彼此接合。换句话说，第一纳米线和第二纳米线彼此接合，使得可以彼此一体地形成第一纳米线和第二纳米线。
根据相关技术，通过下述方式来将第一纳米线和第二纳米线布置在衬底上：将第一纳米线和第二纳米线涂敷在衬底上并且将衬底干燥后向衬底施加压力。然而，在该情况下，为了增强电特性而施加高的压力，使得基座或纳米线可能变形。
然而，根据本实施例的用于制造电极的方法，仅有第一纳米线和第二纳米线通过光处理或热处理而彼此接合，使得可以在使用小数量的纳米材料的同时满足电特性和光特性两者。换句话说，当与根据相关技术的电极作比较时，可以通过将纳米线彼此接合使得纳米线容易彼此接触，来将表面电阻减小大约30%至大约95%。优选的是，根据用于制造电极的方法制造的电极可以具有在大约1000Ω/□至1800Ω/□的范围中的表面电阻。因此，根据本实施例的用于制造电极的方法，即使使用小数量的纳米材料，也可以降低表面电阻。因此，可以制造出表现出改善的电特性、高的透光率和低的雾度的电极。
以下，将参考图2至图7来详细描述根据本实施例的电极结构。
参见图2至图4，根据该实施例的电极结构包括衬底110、布置在衬底110上的第一纳米线131和布置在衬底上的第二纳米线132。第一纳米线131与第二纳米线132交叉，并且第一和第二纳米线131和132彼此接合。
在衬底上的预备电极部分120上布置了第一和第二纳米线131和132。第一和第二纳米线131和132可以直接地被布置在衬底上，或者可以在已经在衬底上沉积不同层后被布置在该不同层上。
参见图3，在衬底110上布置预备电极部分120，并且在预备电极部分120中布置多条纳米线130。纳米线130可以彼此交叉。
纳米线可以具有在大约10nm至大约200nm的范围中的直径。另外，纳米线130可以具有在大约10微米至大约100微米的范围中的长度。
图4是示出图3的纳米线的放大视图，并且图5是沿着图4的线A-A'所取的截面图。
参见图4，可以以网格的形式来提供纳米线130，其中第一纳米线131、第二纳米线132、第三纳米线133和第四纳米线134彼此交叉。换句话说，第一和第三纳米线131和133可以与第二和第四纳米线132和134交叉。
如图5中所示，因为第一至第四纳米线131至134彼此交叉，所以可以形成在纳米线130之间的接触点，并且，表面电阻可能因为该等接触点而增大。因此，可以显著地降低电极结构的电特性。
因此，如图6中所示，在根据该实施例的电极结构中，衬底110进行光处理或热处理，使得第一至第四纳米线131至134可以彼此接触。
如图7中所示，如果衬底110进行光处理或热处理，则彼此交叉的纳米线彼此接合，使得可以彼此一体地形成该等纳米线。换句话说，如果衬底110进行光处理或热处理，则彼此交叉的第一和第三纳米线131和133接合到第二纳米线132，使得可以与第二纳米线132一体地形成第一和第三纳米线131和133。
因为纳米线在其间的交叉部分处彼此接合，使得纳米线形成为彼此一体，所以可以降低表面电阻。因此，即使使用小数量的纳米线，也可以减小表面电阻，使得可以改善电和光特性。换句话说，根据本实施例的电极结构可以表现出高导电率、高的透光率和低的雾度。
以下，将参考图8至图10来描述包括其中布置了纳米线130的电极结构的几个实施例。
图8是示出根据第一实施例的包括纳米线130的触摸板200的示意截面图。
根据第一实施例的触摸板200包括第一衬底220、布置在第一衬底220上的第一电极240、与第一衬底220间隔开的第二衬底210、布置在第二衬底210上的第二电极230以及连接到第一和第二电极240和230的控制器250。第一电极240或第二电极230包括第一纳米线或与第一纳米线交叉的第二纳米线，并且，第一纳米线和第二纳米线可以彼此接合。
在该情况下，第一纳米线和第二纳米线可以具有在10nm至200nm的范围中的直径。
此外，该触摸板可以另外包括第三纳米线和第四纳米线。第一纳米线在与第二纳米线和第四纳米线交叉的同时接合到第二纳米线和第四纳米线，并且第二纳米线在与第一纳米线和第三纳米线交叉的同时接合到第一纳米线和第三纳米线。
图9是示出根据第二实施例的、包括纳米线130的太阳能电池300的示意截面图。
根据第二实施例的太阳能电池300包括衬底310、布置在衬底310上的第一电极320、布置在衬底310上的第二电极330、布置在第一电极320上的光吸收层340以及连接到第一和第二电极320和330的电池350。第一电极320或第二电极330包括第一纳米线和第二纳米线。第一纳米线和第二纳米线可以在彼此交叉的同时彼此接合。
在该情况下，第一纳米线和第二纳米线可以具有在10nm至200nm的范围中的直径。
此外，太阳能电池可以进一步包括第三纳米线和第四纳米线。第一纳米线可以在与第二纳米线和第四纳米线交叉的同时接合到第二纳米线和第四纳米线，并且第二纳米线可以在与第一纳米线和第三纳米线交叉的同时接合到第一纳米线和第三纳米线。
图10是示出根据第三实施例的、包括纳米线130的液晶显示器400的示意截面图。
根据第三实施例的液晶显示器400包括第一衬底410、与第一衬底410间隔开的第二衬底420、在第一和第二衬底410和420之间插入的液晶层450、布置在第一衬底410上的第一电极430以及布置在第二衬底420上的第二电极440。第一电极430或第二电极440包括第一纳米线和第二纳米线，并且第一纳米线和第二纳米线可以在彼此交叉的同时彼此接合。
在该情况下，第一纳米线和第二纳米线可以具有在10nm至200nm的范围中的直径。
此外，液晶显示器可以进一步包括第三纳米线和第四纳米线。第一纳米线可以在与第二纳米线和第四纳米线交叉的同时接合到第二纳米线和第四纳米线，并且第二纳米线可以在与第一纳米线和第三纳米线交叉的同时接合到第一纳米线和第三纳米线。
根据该实施例的构成触摸板、太阳能电池和液晶显示器的第一电极或第二电极包括第一纳米线和与第一纳米线交叉的第二纳米线，并且第一纳米线可以接合到第二纳米线。
因此，根据本实施例的用于制造电极的方法和电极结构的相同的特性适用于触摸板、太阳能电池和液晶显示器。因此，即使使用小数量的纳米线，也可以制造电极的电特性和光特性得以改善的、诸如触摸板、太阳能电池和液晶显示器的装置。
以下，将更详细地描述本公开的实施例。然而，出于说明性目的而提供该实施例，并且本公开不限于此。
实施例1
通过将银纳米线分散到乙醇内来制备电极材料。在该情况下，相对于该电极材料包含0.15重量%的银纳米线。在将衬底浸入电极材料中后，衬底进行浸涂方案。被涂敷的衬底在大约80℃的温度下被干燥10分钟。在将衬底干燥之后，通过使用IPL将具有5J至50J能量的光辐射到透明衬底上。在该光辐射到透明衬底上后，测量该透明衬底的光特性和电特性。
实施例2
通过将银纳米线分散到乙醇内来制备电极材料。在该情况下，相对于该电极材料包含0.15重量%的银纳米线。在将衬底浸入电极材料中后，衬底进行浸涂方案。被涂敷的衬底在大约80℃的温度下被干燥10分钟。在将衬底干燥后，将透明衬底置入被填充了还原气体的腔室内，并且在150℃的温度下加热30分钟。在完成还原烧结后，测量该透明衬底的光特性和电特性。
比较例1
通过将银纳米线分散到乙醇内来制备电极材料。在该情况下，相对于该电极材料包含0.15重量%的银纳米线。在将衬底浸入电极材料后，衬底进行浸涂方案。被涂敷的衬底在大约80℃的温度下被干燥10分钟。测量干燥后的透明衬底的光特性和电特性。
表1
【表1】
Figure BDA0000483876810000101
参见表1，根据第一和第二实施例的接受光处理和热处理的衬底的表面电阻在1000Ω/□至1800Ω/□的范围中，其小于根据第一比较例的衬底的表面电阻。因此，纳米线通过光处理或热处理彼此接合，使得纳米线可以形成为彼此一体。因此，即使使用小数量的纳米线，也可以获得相同的透光率，并且可以改善电特性。
换句话说，通过根据本实施例的用于制造电极的方法制造的电极结构可以保持高的透射率，并且可以表现出低的反射率、高的导电率、高的透光率和低的雾度。另外，电极表现出较小的表面电阻，使得可以改善包括该电极的装置的性能。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的任何引用表示结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在本说明书中的各个位置中的这样的短语的出现不一定全部指的是同一实施例。而且，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，应认为，结合其他实施例来实现这样的特定特征、结构或特性属于本领域技术人员的技术范围内。
虽然已经参考其多个说明性实施例而描述了实施例，但是应当明白，本领域内的技术人员可以设计落在本公开的精神和原理范围内的多种其他修改和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内的主组合布置的部件部分和/或布置中，可以进行各种改变和修改。除了在部件部分和/或布置中的改变和修改之外，替代使用对于本领域内的技术人员也是显然的。

Claims (20)

1.一种用于制造电极的方法，所述方法包括：
形成第一纳米线和第二纳米线；
将所述第一纳米线和所述第二纳米线布置在衬底上；以及
将所述第一纳米线和所述第二纳米线彼此接合。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一纳米线和所述第二纳米线被接合成彼此交叉。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过相对于所述衬底来执行光处理或热处理来执行所述第一纳米线和第二纳米线的彼此接合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过将所述第一纳米线和所述第二纳米线涂敷在所述衬底上并且将被涂敷的衬底干燥来执行将所述第一纳米线和所述第二纳米线布置在所述衬底上。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，在5J至50J的能量下执行光处理。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，在150℃至300℃的温度下执行热处理。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将第三纳米线和第四纳米线布置在所述衬底上，其中，在与所述第二纳米线和所述第四纳米线交叉的同时，所述第一纳米线接合到所述第二纳米线和所述第四纳米线，并且在与所述第一纳米线和所述第三纳米线交叉的同时，所述第二纳米线接合到所述第一纳米线和所述第三纳米线。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一纳米线和所述第二纳米线具有在10nm至200nm的范围中的直径，并且具有在10微米至100微米的范围中的长度。
9.一种电极结构，包括：
衬底；
布置在所述衬底上的第一纳米线；以及
布置在所述衬底上的第二纳米线，
其中，所述第一纳米线与所述第二纳米线交叉，并且，所述第一纳米线和所述第二纳米线彼此接合。
10.根据权利要求9所述的电极结构，其中，所述第一纳米线和所述第二纳米线具有在10nm至200nm的范围中的直径，并且具有在10微米至100微米的范围中的长度。
11.根据权利要求9所述的电极结构，进一步包括第三纳米线和第四纳米线，其中，在与所述第二纳米线和所述第四纳米线交叉的同时，所述第一纳米线接合到所述第二纳米线和所述第四纳米线，并且在与所述第一纳米线和所述第三纳米线交叉的同时，所述第二纳米线接合到所述第一纳米线和所述第三纳米线。
12.一种触摸板，包括：
第一衬底；
布置在所述第一衬底上的第一电极；
与所述第一衬底间隔开的第二衬底；
布置在所述第二衬底上的第二电极；以及
连接到所述第一电极和第二电极的控制器，
其中，所述第一电极或所述第二电极包括第一纳米线和与所述第一纳米线交叉的第二纳米线，并且所述第一纳米线和所述第二纳米线彼此接合。
13.根据权利要求12所述的触摸板，其中，所述第一纳米线和所述第二纳米线具有在10nm至200nm的范围中的直径，并且具有10微米至100微米的范围中的长度。
14.根据权利要求12所述的电极结构，进一步包括第三纳米线和第四纳米线，其中，在与所述第二纳米线和所述第四纳米线交叉的同时，所述第一纳米线接合到所述第二纳米线和所述第四纳米线，并且在与所述第一纳米线和所述第三纳米线交叉的同时，所述第二纳米线接合到所述第一纳米线和所述第三纳米线。
15.一种太阳能电池，包括：
衬底；
布置在所述衬底上的第一电极；
布置在所述衬底上的第二电极；
布置在所述第一电极上的光吸收层；以及
连接到所述第一电极和所述第二电极的电池，
其中，所述第一电极或所述第二电极包括第一纳米线和第二纳米线，并且，所述第一纳米线和所述第二纳米线彼此接合。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述第一纳米线和所述第二纳米线具有在10nm至200nm的范围中的直径，并且具有10微米至100微米的范围中的长度。
17.根据权利要求15所述的太阳能电池，进一步包括第三纳米线和第四纳米线，其中，在与所述第二纳米线和所述第四纳米线交叉的同时，所述第一纳米线接合到所述第二纳米线和所述第四纳米线，并且在与所述第一纳米线和所述第三纳米线交叉的同时，所述第二纳米线接合到所述第一纳米线和所述第三纳米线。
18.一种液晶显示器，包括：
第一衬底；
与所述第一衬底间隔开的第二衬底；
在所述第一衬底和所述第二衬底之间插入的液晶层；
布置在所述第一衬底上的第一电极；以及
布置在所述第二衬底上的第二电极，
其中，所述第一电极或所述第二电极包括第一纳米线和第二纳米线，并且所述第一纳米线和所述第二纳米线彼此接合。
19.根据权利要求18所述的液晶显示器，其中，所述第一纳米线和所述第二纳米线具有在10nm至200nm的范围中的直径，并且具有10微米至100微米的范围中的长度。
20.根据权利要求18所述的液晶显示器，进一步包括第三纳米线和第四纳米线，其中，在与所述第二纳米线和所述第四纳米线交叉的同时，所述第一纳米线接合到所述第二纳米线和所述第四纳米线，并且在与所述第一纳米线和所述第三纳米线交叉的同时，所述第二纳米线接合到所述第一纳米线和所述第三纳米线。
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