TW201304634A - 電路基板之製造方法、以及以該製造方法所得之電路基板 - Google Patents

Abstract

本發明係提供一種電路基板之製造方法，其包括有在形成於絕緣基材表面上的光阻上形成電路圖案之步驟；使用該製造方法可對凹凸構造體表面形成均勻厚度的樹脂皮膜，且減少材料損失，結果可獲得可靠度非常高之優異電路基板。所提供的電路基板之製造方法，包括有下述步驟：在絕緣基材表面上形成樹脂皮膜的光阻形成步驟；以及以樹脂皮膜的外表面為基準，形成深度達樹脂皮膜厚度分量以上之凹部而形成電路圖案的電路形成步驟；又，前述樹脂皮膜係利用靜電噴霧形成。

Description

電路基板之製造方法、以及以該製造方法所得之電路基板 發明領域

本發明係關於電路基板之製造方法、以及以該製造方法所得之電路基板。

發明背景

近年，隨電性‧電子領域的電性電路高密度化，正朝佈線寬細線化、佈線間隔狹窄化演進。但是，佈線間隔越狹窄，相鄰接佈線間越容易發生短路、遷移。

就能因應此項問題的技術，專利文獻1有記載如下述的電路基板之製造方法。首先，在絕緣基材表面上形成樹脂皮膜(光阻)。接著，以樹脂皮膜的外表面為基準，形成深度達樹脂皮膜厚度分量以上的凹部而形成電路圖案。接著，使電路圖案的表面及樹脂皮膜的表面被覆著電鍍觸媒或其前驅體。接著，從絕緣基材去除樹脂皮膜。接著，僅在經除去樹脂皮膜後有殘留電鍍觸媒或其前驅體的部分處形成無電解電鍍膜。根據此種製造方法，便可在絕緣基材上形成高精度電性電路，俾可獲得經抑制短路與遷移發生的電路基板。

另一方面，此種電路基板之製造方法中，依均勻厚度形成樹脂皮膜之事(成膜性)、以及由薄膜形成之事(薄膜形成性)係屬非常重要。

截至目前為止，就平面體上的佈線形成，已知供用以 形成樹脂皮膜的方法係有採用旋塗法(例如專利文獻2)、及乾膜的方法(例如專利文獻3)。

先行技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2010-135768號公報

專利文獻2：日本專利特開2011-44722號公報

專利文獻3：日本專利特開2005-266347號公報

發明概要

然而，依旋塗法雖可形成某程度的薄膜，但另一方面卻會有材料損失較大、較難大面化等問題。又，就對立體的電路形成，當施行旋塗時，即便有施行液黏度的調整、旋塗條件的調整等，仍頗難在凹凸構造體的表面上形成均勻厚度之樹脂皮膜層。

再者，當構造體的凸頂點部欲確保厚度的情況，便考慮提高樹脂液的黏度、或降低旋塗旋轉數等方法，但此情況會有在凸構造體的下緣部分處發生滯液的問題。當有發生滯液的情況，在雷射加工時，光阻並不會被除去而殘存，因而僅該部分未形成電路(電路開路)，導致喪失作為電性電路的功能。

另一方面，為使不會發生滯液情形，雖有考慮降低液黏度、或提高旋塗旋轉數等方法，但此情況會有凸體構造體頂點部分的厚度變為極端地薄，依情況會有未形成樹脂皮膜，導致多處發生過度電鍍(電路短路)情形，致使喪失作 為電性電路的功能。

再者，雖亦有考慮使用噴霧塗佈機(或淋幕塗佈機)，但此情況會有薄膜形成的控制困難、因所吹抵粒徑較大因而造成厚度不均變大，頗難在平面體及凹凸構造體上均勻成膜。

即便使用乾膜的方法，亦會有為薄膜乾膜化而較耗成本、頗難追蹤凹凸形狀進行貼合，此亦無法適用於對凹凸構造體的樹脂皮膜形成。

本發明係有鑑於該等實情而完成，為解決如上述問題，便使用改變上述的樹脂皮膜形成方法，對凹凸構造體表面形成均勻厚度的樹脂皮膜、且降低材料損失，結果便提供可靠度非常高的優異電路基板。

本發明者等為解決前述問題而經深入鑽研，結果發現利用以下的手段便可解決前述問題。

本發明一佈局的前述電路基板之製造方法，係包括有：在絕緣基材表面上形成樹脂皮膜的光阻形成步驟；以及以樹脂皮膜的外表面為基準，形成深度達樹脂皮膜厚度分量以上之凹部而形成電路圖案的電路形成步驟；又，前述樹脂皮膜係利用靜電噴霧形成。

再者，本發明另一佈局的電路基板係利用前述製造方法進行製造。

根據本發明，電路基板之製造方法的樹脂皮膜形成中，材料不會浪費損失、在凹凸構造體表面上亦可薄膜形成均勻厚度的樹脂皮膜，能依高生產性獲得高可靠度的優 異電路基板。

圖式簡單說明

第1(A)~(E)圖係本發明實施形態的電路基板之製造方法的步驟圖。

第2圖係對平面進行靜電噴霧的態樣概略圖。

第3圖係對立體面進行靜電噴霧的態樣概略圖。

第4圖係實施例的樹脂皮膜厚度測定點之圖。

用以實施發明之形態

本實施形態的電路基板之製造方法係包括有：在絕緣基材表面上形成樹脂皮膜的光阻形成步驟；以及以樹脂皮膜的外表面為基準，形成深度達樹脂皮膜厚度分量以上之凹部而形成電路圖案的電路形成步驟；其特徵在於：前述樹脂皮膜係利用靜電噴霧形成。

本實施形態的電路基板之製造方法係在具有上述構成的前提下，其他步驟並無特別的限定，以下針對該實施態樣之一，使用第1圖具體例示。另外，第1圖及第2圖中的各元件符號係如下所示：1.絕緣基材、2.樹脂皮膜(光阻)、3.電路槽(凹部(電路圖案))、4.貫通孔(凹部(電路圖案))、5.電鍍觸媒、6.電性電路(無電解電鍍膜)、10.電路基板、11.噴嘴。

首先，如第1圖所示，本實施形態的電路基板10之製造方法，係包括有光阻形成步驟(A)、電路形成步驟(B)、觸媒被覆步驟(C)、皮膜除去步驟(D)、及電鍍處理步驟(E)。該 光阻形成步驟(A)係在絕緣基材1的表面上形成樹脂皮膜(光阻)2。該電路形成步驟(B)係以樹脂皮膜2的外表面為基準，利用雷射加工形成深度達樹脂皮膜2之厚度分量以上的凹部3、4，而形成電路圖案。該觸媒被覆步驟(C)係使電路圖案的表面及樹脂皮膜2的表面上，被覆著電鍍觸媒5或其前驅體。該皮膜除去步驟(D)係從絕緣基材1上去除樹脂皮膜2。該電鍍處理步驟(E)係僅在經去除樹脂皮膜2後而殘留有電鍍觸媒5或其前驅體的部分處，形成無電解電鍍膜6。

然後，如第1(A)圖所示，光阻形成步驟係在絕緣基材1的表面上形成樹脂皮膜2。

其次，如第1(B)圖所示，電路形成步驟係以樹脂皮膜2的外表面為基準，利用雷射加工形成深度達樹脂皮膜2之厚度分量以上的凹部3、4，而形成電路圖案。電路圖案係亦可為到達絕緣基材1之表面處的凹部，但就從最終所獲得電性電路6不易脫離等觀點，最好如圖示，更佳係挖鑿入絕緣基材1的凹部。

圖中，元件符號3係構成電路圖案的電路槽，元件符號4係構成同電路圖案的貫通孔。利用該等電路槽3及貫通孔4，便規範形成無電解電鍍膜6(即電性電路)的部分。以下，就電路圖案係以電路槽3為中心進行說明，但貫通孔4的狀況亦同。

其次，如第1(C)圖所示，在觸媒被覆步驟中，使電路槽3的表面、及未形成電路槽3的樹脂皮膜2之表面上，被覆著電鍍觸媒5或其前驅體。

其次，如第1(D)圖所示，在皮膜除去步驟中，從絕緣基材1上去除樹脂皮膜2。結果，絕緣基材1的表面中，僅在有形成電路槽3的部分之表面上殘留著電鍍觸媒5或其前驅體。另一方面，在樹脂皮膜2之表面上所被覆的電鍍觸媒5或其前驅體，係依載持於樹脂皮膜2上的狀態一起與樹脂皮膜2被除去。

然後，如第1(E)圖所示，在電鍍處理步驟中，對已去除樹脂皮膜2的絕緣基材1施行無電解電鍍。結果，僅在電鍍觸媒5或其前驅體有殘留的部分處形成無電解電鍍膜6。即，在有形成電路槽3的部分處，形成將成為電性電路6的無電解電鍍膜。電性電路6係可僅由無電解電鍍膜形成，亦可對無電解電鍍膜更進一步施行無電解電鍍(填滿電鍍)，而將電鍍膜更進一步厚膜化者。例如圖示，亦可依埋藏電路槽3與貫通孔4整體的方式，形成由無電解電鍍膜構成的電性電路6，俾解除絕緣基材1與電性電路6的高度差。

依照前述各步驟(A)~(E)便製得如第1(E)圖所示的電路基板10。該電路基板10係在絕緣基材1上形成高精度的電性電路6，且短路與遷移的發生已受抑制。

以下，針對上述各步驟，特別係以材料及樹脂皮膜之成膜法為主更進一步進行具體說明。

<絕緣基材>

絕緣基材1係在能使用於電路基板之製造的前提下，其餘並無特別的限定。例如含有樹脂的樹脂基材等。

樹脂基材係在能使用於電路基板(例如多層電路基板) 之製造的各種有機基板之前提下，其餘均可無特別限定地採用。有機基板的具體例係自習知起便使用於多層電路基板之製造，由例如：環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚苯醚樹脂、氰酸酯樹脂、苯并樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂等構成的基板。

環氧樹脂係在能使用於電路基板之製造的各種有機基板，屬於構成該等有機基板的環氧樹脂之前提下，其餘並無特別的限定。可例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、芳烷基環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、烷基酚酚醛型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、酚類與具有酚性羥基之芳香族醛的縮合物之環氧化物、異三聚氰酸三環氧丙酯、脂環式環氧樹脂等。又，為賦予難燃性，亦可例如：經溴化或磷改質過的環氧樹脂、含氮之樹脂、含聚矽氧之樹脂等。該等樹脂係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。

當由各樹脂構成基材的情況，一般為使能硬化而使含有硬化劑。硬化劑係在能使用為硬化劑之前提下，其餘並無特別的限定。例如：雙氰胺、酚系硬化劑、酸酐系硬化劑、胺基三酚醛系硬化劑、氰酸酯樹脂等。酚系硬化劑係可例如酚醛型、芳烷基型、萜烯型等。又，為賦予難燃性，亦可例如經磷改質過的酚樹脂、或經磷改質過的氰酸酯樹脂等。該等硬化劑係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。

另外，雖無特別的限定，在電路形成步驟(B)中因為利用雷射加工形成電路圖案，因而較佳係使用在例如100~400nm波長區域中的雷射光吸收率較高的樹脂等。例如聚醯亞胺樹脂等。

絕緣基材1中亦可含有填料。填料係可為無機微粒子、亦可為有機微粒子，並無特別的限定。藉由含有填料，在雷射加工部會露出填料，藉由所露出填料的凹凸便提電鍍與樹脂間之密接度。

構成無機微粒子的材料係可例如：氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鎂(MgO)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、二氧化矽(SiO₂)、鈦酸鋇(BaTiO₃)、氧化鈦(TiO₂)等高介電常數填充材；硬性肥粒鐵等磁性填充材；氫氧化鎂(Mg(OH)₂)、氫氧化鋁(Al(OH)₂)、三氧化銻(Sb₂O₃)、五氧化銻(Sb₂O₅)、胍鹽、硼酸鋅、鉬化合物、錫酸鋅等無機系難燃劑；滑石(Mg₃(Si₄O₁₀)(OH)₂)、硫酸鋇(BaSO₄)、碳酸鈣(CaCO₃)、雲母等。該等無機微粒子係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。因為該等無機微粒子的熱傳導性、相對介電常數、難燃性、粒度分佈、色調自由度等較高，因而當使選擇性發揮所需功能的情況，藉由適當進行摻合及粒度設計，便可輕易地進行高填充化。又，雖無特別的限定，但較佳係具有絕緣基材1之厚度以下平均粒徑的填料，例如使用0.01~10μm、較佳0.05μm~5μm平均粒徑的填料。

為提高絕緣基材1中的無機微粒子分散性，亦可對無機微粒子利用矽烷偶合劑施行表面處理，亦可在絕緣基材1中 摻合入矽烷偶合劑。矽烷偶合劑並無特別的限定。例如：環氧矽烷系、硫醇基矽烷系、胺基矽烷系、乙烯基矽烷系、苯乙烯基矽烷系、甲基丙烯醯氧基矽烷系、丙烯醯氧基矽烷系、鈦酸酯系等矽烷偶合劑等等。該等矽烷偶合劑係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。

再者，為提高絕緣基材1中的無機微粒子分散性，亦可將分散劑摻合於絕緣基材1中。分散劑並無特別的限定。例如：烷基醚系、山梨糖醇酐酯系、烷基聚醚胺系、高分子系等分散劑等等。該等分散劑係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。

<樹脂皮膜>

樹脂皮膜2係為能使電鍍觸媒5或其前驅體僅被覆並殘留於經施行雷射加工部分處的光阻。樹脂皮膜2係只要屬於利用後述靜電噴霧便能光阻形成者，且在觸媒被覆步驟(C)中不會被除去，但在皮膜除去步驟(D)中則可除去者便可，其餘並無特別的限定。

例如利用有機溶劑、鹼溶液便可輕易溶解的可溶型樹脂；或者由利用後述膨潤液(例如皮膜除去步驟所使用的鹼性溶液等)便可膨潤之樹脂構成的膨潤性樹脂皮膜等。

再者，該等樹脂皮膜所使用的樹脂係因為利用後述靜電噴霧而光阻形成，因而較佳係含有具相對介電常數達2以上之介電性的溶劑至少1種以上。若相對介電常數達2以上，便可毫無問題地執行靜電噴霧，較佳係使用相對介電常數達4以上、更佳係達8以上的溶劑。

再者，本實施形態的樹脂皮膜所使用之樹脂，最好係黏度在400mPas以下。若樹脂黏度在400mPas以下，便可毫無問題地執行靜電噴霧，較佳係使用黏度在200mPas以下、更佳係100mPas以下的樹脂。此種樹脂的黏度係依照樹脂中所摻合溶劑的種類與量便可進行調節。另外，本實施態樣中，上述黏度係依25℃條件進行測定。

若溶劑的相對介電常數較低於上述、或樹脂黏度較高於上述，會有在靜電噴霧中不會執行噴霧，導致無法執行皮膜形成的可能性。

樹脂皮膜2的厚度較佳係5μm以下、更佳係3μm以下。又，樹脂皮膜2的厚度較佳係0.1μm以上、更佳係0.5μm以上、特佳係1μm以上。若樹脂皮膜2的厚度過厚時，會有在電路形成步驟(B)中利用雷射加工所形成的電路槽3、貫通孔4等電路圖案精度降低、或較難形成均勻膜厚樹脂皮膜2的傾向。若樹脂皮膜的厚度過薄時，再使被覆電鍍觸媒5或其前驅體時，會有樹脂皮膜2剝落，導致不需要部分處形成電鍍的可能性。

本實施形態中，樹脂皮膜2(光阻)最好具有雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性等全部均優異的特性。本實施形態中，就從此種觀點，較佳係設為由由下述共聚合體構成光阻2的聚合物成分。該共聚合體係由(i)：含有至少具1以上羧基之單體單元的單體、與(ii)能與該單體共聚合且分子末端具有不飽和鍵結的單體所構成。

本實施形態中，樹脂皮膜2的雷射加工性係認為藉由例 如提高樹脂皮膜2對絕緣基材1的密接性、聚合物容易引發分子切斷等便可提升。

本實施形態中，樹脂皮膜2的耐酸性係認為藉由例如提高樹脂皮膜2對絕緣基材1的密接性、與聚合物具有酸性官能基等便可提升。

本實施形態中，樹脂皮膜2的鹼剝離性係認為藉由例如聚合物具有酸性官能基、聚合物具有鹼溶解性、及聚合物具有龐大官能基等便可提升。

從如前述觀點，本實施形態中，聚合物較佳係含有：作為前述單體(i)之含α,β-不飽和羰基的單體計10~90質量%、及作為前述單體(ii)之能與單體(i)共聚合且分子末端具有聚合性不飽和基的單體計10~90質量%之至少二元系以上的共聚合體。此種構成的聚合物係可提供雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性等均優異的樹脂皮膜2。

前述聚合物中，含α,β-不飽和羰基之單體(i)較佳係從丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸及該等的酯化合物所構成群組中選擇至少1者。所獲得聚合物的雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性將變為更良好。

前述聚合物中，分子末端具有聚合性不飽和基的單體(ii)，較佳係從苯乙烯、及具有二烯骨架的化合物所構成群組中選擇至少1者。所獲得聚合物的雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性將變為更良好。

前述聚合物中，聚合物的重量平均分子量較佳係5,000~1,000,000。因為聚合物的重量平均分子量在 1,000,000以下，因而可確保光阻的良好剝離性。因為聚合物的重量平均分子量達5,000以上，因而可確保光阻的良好耐酸性。

如前述構成的聚合物具體例之一係可例如丙烯酸-苯乙烯-丙烯酸烷基酯的三元系共聚合聚合物。該聚合物係無規共聚合體。三元的摻合比一例係可例如丙烯酸27質量%、苯乙烯55質量%、丙烯酸烷基酯18質量%。丙烯酸烷基酯係可例如丙烯酸-2-乙基己酯。

再者，亦可使樹脂皮膜2含有填料。填料並無特別的限定，具體係可例如：二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、黏土、高嶺土、氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鋅、滑石、雲母、玻璃、鈦酸鉀、矽鈣石、硫酸鎂、硼酸鋁、有機填料等。又，光阻的厚度一般係1~10μm的較薄，因而最好填料尺寸亦較小者。可使用平均粒徑較小、或粗粒經切割者，在分散時利用粉碎、過濾便可去除粗粒。

其他添加劑係可例如：光聚合性樹脂(光聚合起始劑)、聚合終止劑、著色劑(染料、顏料、發色系顏料)、熱聚合起始劑、環氧與胺甲酸乙酯等交聯劑等等。

本發明的印刷基板加工製程中，例如使用雷射加工，當施行雷射加工的情況，必須對樹脂皮膜材料賦予因雷射而產生的剝蝕性。雷射加工機選定例如：碳酸氣體雷射、準分子雷射、UV-YAG雷射等。該等雷射加工機係具有各種特徵波長，藉由設為對該波長呈高吸收率的材料，便可提升生產性。其中，UV-YAG雷射適合細微加工，因為雷射光 的基波長係1064nm、三次諧波係355nm、四次諧波係266nm，因而樹脂皮膜材料最好係對該等波長呈較高的吸收率。另一方面，亦會有吸收率呈某程度低的材料屬於較佳之情況。具體而言，例如若使用UV吸收率較低的樹脂皮膜，因為UV光會穿透樹脂皮膜，因而可使能量集中於底層的絕緣層加工。即依照雷射光的吸收率，優點各有不同，因而配合狀況，亦可使用經調整樹脂皮膜之雷射光吸收率的樹脂皮膜。

本實施形態中，樹脂皮膜2係由上述聚合物(及視需要的其他添加劑)摻合於溶劑中之液體材料形成而獲得。此種溶劑係如上述，較佳係使用含有具相對介電常數2以上介電性之溶劑至少1種以上的溶劑。又，樹脂皮膜所使用的樹脂係就從較容易施行靜電噴霧的觀點，最好黏度在400mPas以下，因而最好依樹脂黏度成為400mPas以下的方式，適當調整樹脂中所摻合溶劑的種類與量。

更具體而言，本實施形態中能使用的溶劑係可舉例如：己烷、苯、甲苯、二乙醚、氯仿、醋酸乙酯、四氫呋喃、二氯甲烷、丙酮、乙腈、N,N-二甲基甲醛、二甲亞碸、1-丁醇、2-丙醇、1-丙醇、乙醇、甲醇、蟻酸、水等。

再者，將樹脂的黏度設為400mPas以下的實施態樣，係可例如將上述聚合物形成固體成分10~30%之有機溶劑(IPA等)溶液之後才使用等。

本實施形態中，樹脂皮膜2係在絕緣基材1的表面上，利用靜電噴霧而塗佈著能形成如上述樹脂皮膜2的液狀材 料之後，經乾燥而形成。

本實施形態中，為形成樹脂皮膜而使用的靜電噴霧法，係如第2圖與第3圖等所示，利用靜電，從非常細小的噴嘴將噴霧粒徑呈微粒化而形成薄膜的方法。如第2圖所示，從噴嘴11噴出的前述液體材料藉由靜電力破壞分裂液面的表面張力，而分子會互相排斥，故不會凝聚而於基板1上形成樹脂皮膜2。第2圖所示係對平面的基板1施行靜電噴霧，但即便對如第3圖所示的立體面基板1施行靜電噴霧亦同樣的，液體材料不會凝聚而於基板上形成均勻的樹脂皮膜2。

另外，此種靜電噴霧係可使用例如市售裝置實施，具體例係可利用山田尖端科技股份有限公司製的靜電噴霧裝置(「ZZ114-1」)等。

<電路形成步驟>

電路形成步驟係在絕緣基材1上形成電路槽3等電路圖案的步驟。電路圖案係如上述，亦可不僅到達電路槽3，亦可為前述樹脂皮膜2到達前述絕緣基材1之表面的凹部，亦可為貫通孔4。

形成前述電路圖案的方法並無特別的限定。具體係可例如：在已形成前述樹脂皮膜2的絕緣基材1上，藉由從前述樹脂皮膜2的外表面側施行諸如：雷射加工、及切割加工等切削加工、或壓模加工等機械加工等等，而使形成所需形狀及深度之電路槽3的方法等。當形成高精度細微的電路時，最好使用雷射加工。若利用依照雷射加工，則藉由使 雷射的輸出等變化，便可自由調整切削深度等。又，壓模加工最好採用例如在奈米壓印領域所採取利用細微樹脂模進行的壓模加工。

雷射加工的情況，UV-YAG雷射最好能使用適於細微加工，雷射光基波長為1064nm、三次諧波為355nm、四次諧波為266nm者。

電路槽3其中一部分亦可形成供用以形成介層洞等之用的貫通孔4。

藉由此項步驟，便規範電路槽3的形狀與深度、及貫通孔4的直徑與位置等電路圖案的形狀。電路形成步驟係只要挖鑿達樹脂皮膜2的厚度分量以上便可，亦可挖鑿樹脂皮膜2的厚度分量，亦可挖鑿超過樹脂皮膜2的厚度分量。

由電路形成步驟所形成電路槽3等電路圖案的寬度並無特別的限定。另外，使用雷射加工的情況，亦可輕易形成如線寬20μm以下的細微電路。又，電路槽的深度係當利用填滿電鍍消除電性電路與絕緣基材間之高度差的情況，便成為本實施形態所形成電性電路的深度。

<觸媒被覆步驟>

觸媒被覆步驟係使前述電路槽3等電路圖案的表面、及前述樹脂皮膜2的表面上，被覆著電鍍觸媒5或其前驅體的步驟。此時，形成貫通孔4的情況，亦在貫通孔4內壁表面上被覆著電鍍觸媒或其前驅體。

電鍍觸媒5或其前驅體係在電鍍處理步驟中，為賦予僅於利用無電解電鍍欲形成無電解電鍍膜的部分處，才形成 無電解電鍍膜用的觸媒。電鍍觸媒係在作為無電解電鍍用觸媒的已知物之前提下，其餘並無特別的限定。又，亦可預先使被覆著電鍍觸媒的前驅體，經去除樹脂皮膜後再使生成電鍍觸媒。電鍍觸媒的具體例係可例如：金屬鈀(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)等、或使生成該等的前驅體等。

使被覆著電鍍觸媒5或其前驅體的方法係可例如：利用經在pH1~3酸性條件下施行處理的酸性Pd-Sn膠體溶液進行處理後，再利用酸溶液施行處理的方法等。具體係可例如如下述方法。

首先，將在已形成電路槽3及貫通孔4的絕緣基材1之表面上所附著的油份等，在界面活性劑的溶液(清潔‧調整)中施行既定時間的熱水洗。接著，視需要利用過硫酸鈉-硫酸系軟蝕刻劑施行軟蝕刻處理。然後，在諸如pH1~2的硫酸水溶液、鹽酸水溶液等酸性溶液中施行酸洗。接著，浸漬於以諸如濃度0.1%左右的氯化亞錫水溶液等為主成分之預浸液中，施行使絕緣基材1表面上附著氯化物離子的預浸處理。然後，藉由更進一步浸漬於含有氯化亞錫與氯化鈀、且pH1~3的酸性Pd-Sn膠體等酸性電鍍觸媒膠體溶液中，而使Pd與Sn凝聚並吸附。然後，使在已吸附的氯化亞錫與氯化鈀之間，引發氧化還原反應(SnCl₂+PdCl₂→SnCl₄+Pd↓)。藉此便析出屬於電鍍觸媒的金屬鈀。

另外，酸性電鍍觸媒膠體溶液係可使用公知的酸性Pd-Sn膠體觸媒溶液等，亦可採取使用酸性電鍍觸媒膠體溶液的市售電鍍製程。此種製程係已由例如Robm and Haas電 子材料股份有限公司系統化並販售。

藉由此種觸媒被覆處理，便可使前述電路槽3的表面、前述貫通孔4的內壁表面、及前述樹脂皮膜2的表面上，被覆著電鍍觸媒5或其前驅體。

<皮膜除去步驟>

皮膜除去步驟係從已施行前述觸媒被覆步驟的絕緣基材1上，去除前述樹脂皮膜2的步驟。

去除前述樹脂皮膜2的方法並無特別的限定。具體係可例如：經利用既定溶液(膨潤液)使前述樹脂皮膜2膨潤之後，再從前述絕緣基材1上剝離前述樹脂皮膜2的方法；利用既定溶液(膨潤液)使前述樹脂皮膜2膨潤，更進一步使其中一部分溶解之後，再從前述絕緣基材1上剝離前述樹脂皮膜2的方法；以及利用既定溶液(膨潤液)使前述樹脂皮膜2溶解而除去的方法等。前述膨潤液係在能使前述樹脂皮膜2膨潤的前提下，其餘並無特別的限定。又，前述膨潤或溶解係使已由前述樹脂皮膜2所被覆的前述絕緣基材1，在前述膨潤液浸漬既定時間等而實施。而，在此項浸漬中，亦可藉由施行超音波照射而提高除去效率。另外，當使膨潤並剝離時，亦可使用輕力拉剝。

再者，前述樹脂皮膜2係針對使用前述膨潤性樹脂皮膜的情況進行說明。

使前述膨潤性樹脂皮膜2膨潤的液體(膨潤液)，係在實質不會使前述絕緣基材1、及前述電鍍觸媒5或其前驅體分解或溶解的情況下，能使前述膨潤性樹脂皮膜2膨潤或溶解 的液體之前提下，其餘並無特別的限定均可使用。又，較佳係能使前述膨潤性樹脂皮膜2膨潤至能輕易剝離程度的液體。此種膨潤液係可依照膨潤性樹脂皮膜2的種類與厚度而適當選擇。具體係例如當膨潤性樹脂皮膜為諸如：二烯系彈性體、丙烯酸系彈性體、及聚酯系彈性體之類的彈性體；或者由含有使(a)分子中具有至少1個聚合性不飽和基之羧酸或酸酐中至少1種以上的單體、與(b)能與前述(a)單體聚合的至少1種以上單體，進行聚合而獲得的聚合體樹脂或前述聚合體樹脂之樹脂組成物、或含羧基之丙烯酸系樹脂形成的情況，最好使用例如1~10%左右之濃度的氫氧化鈉水溶液等鹼水溶液。

另外，觸媒被覆步驟中，當採取依如上述酸性條件施行處理的電鍍製程時，膨潤性樹脂皮膜2較佳係由：在酸性條件下的膨潤度低於50%、較佳為40%以下、且在鹼性條件下的膨潤度達50%以上，例如二烯系彈性體、丙烯酸系彈性體、及聚酯系彈性體之類的彈性體；或者由使(a)分子中具有至少1個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐中至少1種以上的單體、與(b)能與前述(a)單體聚合的至少1種以上單體，進行聚合而獲得的聚合體樹脂或含有前述聚合體樹脂的樹脂組成物、含羧基之丙烯酸系樹脂所形成。此種膨潤性樹脂皮膜係利用pH12~14的鹼水溶液、例如1~10%左右濃度的氫氧化鈉水溶液等，便可輕易地膨潤並剝離。另外，為提高剝離性，在浸漬中亦可施行超音波照射。又，視需要亦可使用輕力拉剝而剝離。

使膨潤性樹脂皮膜2膨潤的方法，係可例如將已由膨潤性樹脂皮膜2被覆的絕緣基材1，在膨潤液中浸漬既定時間的方法。又，為提高剝離性，更佳係在浸漬中施行超音波照射。另外，當僅依賴膨潤並無法剝離的情況，視需要亦可使用輕力拉剝。

<電鍍處理步驟>

電鍍處理步驟係對經去除前述樹脂皮膜2後的前述絕緣基材1，施行無電解電鍍處理的步驟。

前述無電解電鍍處理的方法係可採取將已部分性被覆著電鍍觸媒5或其前驅體的絕緣基材1，浸漬於無電解電鍍液中，使僅由電鍍觸媒5或其前驅體所被覆的部分處析出無電解電鍍膜(電鍍層)的方法等。

無電解電鍍所使用的金屬係可例如：銅(Cu)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋁(Al)等。該等之中，就從導電性優異的觀點，較佳係以Cu為主成分的電鍍。又，含有Ni的情況，就從耐蝕性、以及與焊錫間之密接性優異的觀點，係屬較佳。

無電解電鍍膜6的膜厚並無特別的限定。具體較佳係例如0.1~10μm、更佳係1~5μm左右。特別係藉由藉由加深前述電路槽3的深度，而形成膜厚較厚的電鍍，便可輕易地形成截面積較大的金屬佈線。此情況，就從可提升金屬佈線之強度的觀點，係屬較佳。

利用電鍍處理步驟，僅在絕緣基材1表面有殘留電鍍觸媒5或其前驅體的部分處才析出無電解電鍍膜。所以，可正確地僅在欲形成電路圖案部的部分處才形成導電層。另一 方面，可抑制無電解電鍍膜對沒有形成電路圖案部的部分處之析出。所以，即便狹窄間距間隔、且線寬狹小的細微電路形成複數條的情況，亦不會在相鄰接電路間殘留不需要的電鍍膜。故，可抑制短路發生、與遷移發生。

[實施例]

以下，針對本發明利用實施例進行更具體的說明。另外，本發明的範圍不可解釋為受以下實施例的任何限定。

(試驗例1：對平面的樹脂皮膜形成)

首先，製作表面盡可能平坦的測試片(絕緣基材：本公司的開發品)，對各測試片的單面，分別使用：靜電噴霧法(山田尖端科技股份有限公司製、靜電噴霧裝置「ZZ114-1」)(實施例1)、旋塗法(Mikasa股份有限公司製、1H-2D、旋轉速度300rpm-20秒+3000rpm-20秒)(比較例1)、噴塗法(Yamanaka Semiconductor股份有限公司製、展示機)(比較例2)、乾膜(比較例3)，確認對平面的樹脂皮膜形成性。

另外，樹脂皮膜材料係使用含有丙烯酸-苯乙烯-丙烯酸-2-乙基己酯的三元系共聚合聚合物(摻合比：丙烯酸27質量%、苯乙烯55質量%、丙烯酸-2-乙基己酯18質量%)的光阻用樹脂組成物。另外，光阻用樹脂組成物的溶劑係使用異丙醇(相對介電常數18)，形成黏度10mPas、固體成分10%的溶液。相關乾膜(比較例3)，係使用由上述樹脂皮膜材料在PET膜上施行塗佈乾燥而形成的乾膜。

相關均勻性膜性、薄膜形成性，利用截面觀察樹脂皮膜形成後的測試片而施行評估。

相關雷射加工不良，係在樹脂皮膜形成後，經使用UV-YAG雷射(ESI公司製5330機)(雷射光波長：355nm)施行槽加工之後，再使用數位式顯微鏡(Hirox公司製KH-7700)確認有無加工不良。

相關各評估基準係如下。

1.均勻成膜性

從成膜樣品的截面進行判斷。若成膜表面呈平坦便評為「◎」，若非為平坦便評為「×」。

2.薄膜形成性

從成膜樣品的截面進行判斷。若可形成厚度3μm以下之薄膜便評為「◎」，若3~5μm便評為「○」，若達5μm以上便評為「×」。

3.雷射加工不良

針對成膜樣品使用UV-YAG雷射施行槽加工，經加工後，將樹脂皮膜附著於槽部的地方為0處之情況評為「◎」，將有1~2處的情況評為「△」，將有3處以上的情況評為「×」。

結果如表1所示。

由表1得知，當使用靜電噴霧及旋塗的情況，均勻成膜性‧薄膜形成性‧雷射加工不良均呈良好。當乾膜的情況，得知雖均勻成膜性高，但較難形成5μm以下的薄膜。

再者，若靜電噴霧與旋塗相比較，靜電噴霧僅對沒有成膜的地方才噴霧出材料，相對的，因為旋塗係吹飛、去除多餘的材料才成膜，因而相較於靜電噴霧之下，材料損失變為非常多。所以，對平面的樹脂皮膜形成可認為最好使用靜電噴霧。

(試驗例2：對立體的樹脂皮膜形成)

其次，就對立體的樹脂皮膜形成進行檢討。製作具有上邊60μm、下邊180μm、高100μm、長1mm之突起的測試片(絕緣基材：本公司的開發品)。對各測試片的表面，分別使用：靜電噴霧法(山田尖端科技股份有限公司製ZZ114-1)(實施例2)、旋塗法(Mikasa股份有限公司製、1H-2D、旋轉速度：300rpm-20秒+750rpm-20秒)(比較例4)旋塗法(Mikasa股份有限公司製、1H-2D、旋轉速度：300rpm-20秒+3000rpm-20秒)(比較例5)、噴塗法(Yamanaka Semiconductor股份有限 公司製展示機)(比較例6)、乾膜(比較例7)，確認對立體的樹脂皮膜形成性。

另外，相關樹脂皮膜材料係使用與上述試驗例1同樣的材料。

相關均勻成膜性、薄膜形成性，利用截面觀察經樹脂皮膜形成後的測試片，並施行第4圖所示A~D地點的厚度測量。

相關雷射加工不良，係在樹脂皮膜形成後，經使用UV-YAG雷射(ESI公司製5330機)(雷射光波長：355nm)施行槽加工之後，再使用數位式顯微鏡(Hirox公司製KH-7700)確認有無加工不良。

相關過度電鍍，係在形成樹脂皮膜之後，於整面上施行鍍覆核形成，再將樹脂皮膜予以全面剝離後施行電鍍處理，確認有無電鍍析出。

相關各評估基準係如下。

1.均勻成膜性

從成膜樣品的截面進行判斷。若測定地方A~D的厚度變動在1μm以內便評為「◎」，若為1~3μm便評為「△」，若達3μm以上便評為「×」。

2.薄膜形成性

從成膜樣品的截面進行判斷。若可形成厚度3μm以下之薄膜便評為「◎」，若3~5μm便評為「○」，若達5μm以上便評為「×」。

3.雷射加工不良

針對成膜樣品使用UV-YAG雷射施行槽加工，經加工後，將樹脂皮膜附著於槽部的地方為0處之情況評為「◎」，將有1~2處的情況評為「△」，將有3處以上的情況評為「×」。

4.過度電鍍

當電鍍析出地方為0處的情況便評為「◎」，將1~2處的情況便評為「△」，將達3處以上的情況便評為「×」。

由表2中得知，當使用靜電噴霧的情況，相較於依其他方法形成樹脂皮膜的情況，呈現對立體形狀的均勻成膜性、薄膜形成性、雷射加工不良、過度電鍍均良好的結果。

所以，得知在對立體形狀進行樹脂皮膜形成時，最好使用靜電噴霧法。

(試驗例3：樹脂皮膜之厚度)

其次，針對對立體的樹脂皮膜厚度與電路形成性之關係進行檢討。

使用試驗例1所用的平坦測試片(絕緣基材：本公司的開發品)、以及試驗例2所用的具有上邊60μm、下邊180μm、高100μm、長1mm之突起的測試片(絕緣基材：本公司的開發品)。

對各測試片的表面分別使用靜電噴霧法(山田尖端科技股份有限公司製ZZ114-1)，依樹脂皮膜厚度成為1μm、3μm、5μm之方式形成樹脂皮膜，並針對各自的雷射加工不良進行評估。

另外，相關樹脂皮膜材料係使用與上述試驗例1同樣的材料。

雷射加工不良的評估係在樹脂皮膜形成後，經使用UV-YAG雷射(ESI公司製5330機)(雷射光波長：355nm)施行槽加工之後，再使用數位式顯微鏡(Hirox公司製KH-7700)確認有無加工不良。

相關雷射加工不良的評估基準係如下。

針對成膜樣品使用UV-YAG雷射施行槽加工，經加工後，將樹脂皮膜附著於槽部的地方為0處之情況評為「◎」，將有1~2處的情況評為「△」，將有3處以上的情況評為「×」。

由表3中得知，若樹脂皮膜的厚度在1~3μm範圍內，雷射加工性便呈更良好。

如以上所說明，本發明一佈局的電路基板之製造方法，係包括有：在絕緣基材表面上形成樹脂皮膜的光阻形成步驟；以及以樹脂皮膜的外表面為基準，利用雷射加工形成深度達樹脂皮膜厚度分量以上之凹部而形成電路圖案的電路形成步驟；其特徵在於：前述樹脂皮膜係利用靜電噴霧形成。

藉由此種構成，便可獲得均勻成膜性、薄膜形成性、雷射加工性均優異、且不會有材料損失、可靠度高的電路基板。特別係當對立體施行樹脂皮膜形成時，判斷可獲得優異效果。

再者，藉由前述樹脂皮膜係使用含有具相對介電常數2以上介電性之溶劑至少1種的光阻用樹脂組成物，判斷可更確實地施行前述靜電噴霧。

再者，藉由前述樹脂皮膜係使用黏度400mPas以下的光阻用樹脂組成物，便可更確實地執行靜電噴霧，並判斷可更加提升前述效果。

再者，本發明電路基板之製造方法係當電路基板屬於立體面基板的情況更能發揮效果。

本發明另一佈局的電路基板係依照前述製造方法獲得者。

本申請案係以2011年5月18日所提出申請的日本專利申請案特願2011-111534為基礎，其內容均涵蓋於本申請案中。

為展現本發明，在前述中一邊參照圖式等，一邊透過實施形態針對本發明進行適切且充分的說明，惟若屬於熟 習此技術者，可認知均能輕易地對前述實施形態進行變更及/或改良。所以，舉凡熟習此技術者所實施的變更形態或改良形態，在不脫逸申請專利範圍所記載申請項權利範圍的前提下，該變更形態或該改良形態均應解釋為涵蓋於該申請專利範圍的權利範圍中。

產業上之可利用性

本發明係在電路基板及電路基板之製造方法的技術領域，具有廣範圍的產業上可利用性。

1‧‧‧絕緣基材

2‧‧‧樹脂皮膜(光阻)

3‧‧‧電路槽(凹部(電路圖案)

4‧‧‧貫通孔(凹部(電路圖案)

5‧‧‧電鍍觸媒

6‧‧‧電性電路(無電解電鍍膜)

10‧‧‧電路基板

11‧‧‧噴嘴

第1(A)~(E)圖係本發明實施形態的電路基板之製造方法的步驟圖。

第2圖係對平面進行靜電噴霧的態樣概略圖。

第3圖係對立體面進行靜電噴霧的態樣概略圖。

第4圖係實施例的樹脂皮膜厚度測定點之圖。

1‧‧‧絕緣基材

2‧‧‧樹脂皮膜(光阻)

3‧‧‧電路槽(凹部(電路圖案)

4‧‧‧貫通孔(凹部(電路圖案)

5‧‧‧電鍍觸媒

6‧‧‧電性電路(無電解電鍍膜)

10‧‧‧電路基板

Claims (6)

1. 一種電路基板之製造方法，包括有下述步驟：光阻形成步驟，在絕緣基材表面上形成樹脂皮膜；及電路形成步驟，以樹脂皮膜的外表面為基準，形成深度達樹脂皮膜厚度分量以上之凹部而形成電路圖案；又前述樹脂皮膜係利用靜電噴霧而形成。
2. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中前述樹脂皮膜係使用含有至少1種具有相對介電常數2以上的介電性之溶劑的光阻用樹脂組成物。
3. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中前述樹脂皮膜係使用黏度400mPas以下的光阻用樹脂組成物。
4. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中前述電路基板係立體面的基板。
5. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中前述樹脂皮膜的厚度係1~3μm。
6. 一種電路基板，其特徵在於：其係依照如申請專利範圍第1項之製造方法進行製造。