201245813 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種例如用於液晶顯示裝置等平板顯示器 (Flat Panel Displa厂以下稱為「FPD」）等之製造的光罩之 製造方法、圖案轉印方法及顯示裝置之製造方法。 【先前技術】 目前，作為液晶顯示裝置所採用之方式，有VA(垂直對 準’ Vertical Alignment)方式及IPS(共平面切換，匕p丨抓
Switching)方式等。藉由應用該等方式可提供液晶之反應 較快且提供充分之視角的優異動態圖像。又，藉由於應用 該·#方式之液晶顯示裝置之像素電極部使用透明導電膜之 線與空間之圖案，即使用線與空間圖案（丨ine and space pattern) ’可實現響應速度及視角之改善β 近年來，為了進而提高液晶之響應速度及視角而對將線 與空間圖案之線寬（CD(Critical Dimension，臨界尺寸））微 細化之像素電極有著需求（neecjs)(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利特開2007-206346號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 通常’為了形成液晶顯示裝置之像素部等之圖案而實施 光微影步驟。於光微影步驟中，於對形成於所蝕刻之被加 工體上之抗钱膜，使用光罩轉印特定之圖案，並使該抗蝕 162971.doc 201245813 膜顯影而形成抗蝕圖案之後，將該抗蝕圖案作為遮罩進行 被加工體之蝕刻。 例如，於上述液晶顯示裝置中，有時係使用於透明導電 膜上形成有線與空間圖案者（梳型像素電極等），而作為用 於形成其之光罩，係使用所謂之二元遮罩（binary mask)。 二元遮罩係藉由將形成於透明基板上之遮光膜圖案化而包 括遮住光之遮光部（黑色）以及透過光之透光部（白色）之雙 階光罩。於使用二元遮罩形成線與空間圖案之情形時，係 使用將形成於透明基板上之線圖案（line pattern)於遮光部 形成且將空間圖案（space pattern)於透光部形成的二元遮 罩。 一“、 此處，要求較先前更微細地形成此種線與空間圖案之間 距寬度。例如，於VA方式之液晶顯示裝置中，若將透明 導電膜之像素電極之間距寬度微細化’則可獲得如下優 點：於液晶顯示裝置中透過率提高，可降低背光之照度且 獲得明亮之圖像；或者可提高圖像之對比度。再者，由於 間距寬度為線寬與空間寬度之合計值，因此若將間距寬度 微細化，則可將線及/或空間之寬度微細化。 又，於VA方式以外之方式中，例如於lps方式中，亦非 常期待可形成微細化之線與空間圖案。進而，於上述用途 之外亦要求顯示裝置之配線圖案等使用較先前更微細之線 與空間圖案。 然而，於減小形成於光罩中之線與空間圖案之間距寬度 方面，存在以下課題。於經由光罩之線與空間圖案而向形 162971.doc 201245813 成於被加工體上之抗蝕膜照射光罩之透過光之情形時，若 間距寬度較小’則與此對應’光透過之空間寬度較小，進 而，光之繞射之影響變顯著。其結果為，照射至抗蝕膜之 透過光之光強度之明暗之振幅減小，且照射至抗蝕膜之合 计透過光量亦減少。於由正（positive)型抗蝕劑形成抗蝕膜 之情形時，該抗蝕膜藉由光照射而反應，從而該抗蝕膜之 溶解性提高，該部分藉由顯影液而除去，但是，照射至欲 除去之部分之光量減少意味著無法獲得所需之圖案寬度。 進而，作為光罩之轉印用圖案而形成之線與空間圖案之 尺寸設計必須考慮下述側向蝕刻（side etching)寬度。即， 於對被加工體進行蝕刻加工時，必須考慮因側向蝕刻而產 生之線部之尺寸減少部分，並預先將與該減少部分相當之 尺寸附加至光罩之線圖案（於本申請案中，將該附加部分 稱為「側向蝕刻寬度」，詳情於以下敍述）。尤其於應用濕 式姓刻（wet etching)之情形時不可忽略該尺寸變化部分。 再者’由此而應附加之尺寸即便間距寬度較小其亦為同 等’故伴隨線與空間圖案微細化而間距寬度減少，轉印用 圖案之開口面積減少。即，下述轉印用圖案之空間寬度Ms 相對於線寬ML之比例（MS/ML)減小。 因為此種理由’右使用具有微細之線與空間圖幸之光罩 進行曝光，則到達至被加工體之透過光之光量降低而光強 度分佈平坦化。而且’即便使抗蝕膜顯影，亦無法形成作 為用於蝕刻被加工體之遮罩的抗蝕圖案。換言之，因為線 與空間之間距寬度之減少而無法獲得充分之解像度。 162971.doc 201245813 使用圖1〜圖3說明該點。 圖1係例不光罩100’所包括之轉印用圖案1〇2p•之平面放 大圖。轉印用圖案l〇2p，係藉由將形成於透明基板1〇1，上之 例如遮光膜或半透光膜等光學膜圖案化而形成。圖2係表 示使用圖1所例示之光罩100,之顯示裝置之製造步驟之一步 驟之概略圖。於圖2中，（a)係表示經由光罩1〇〇,向抗蝕膜 203照射曝光光之情況，係表示使經曝光之抗蝕膜2〇3顯 影而形成抗蝕圖案203p之情況，（c)係表示將抗蝕圖案2〇3p 用作遮罩而對被加工體（形成於基板201上之圖案化對象薄 膜）202進行濕式蝕刻從而形成膜圖案⑼邛之情況，（d)係表 示將抗蝕圖案203p剝離之情況。又，圖3(a)係表示伴隨圖j 所例示之轉印用圖案1〇2ρ·之間距寬度p之微細化而產生抗 钱劑除去不良之情況之概略圖，（b)係-藉由光強度分佈表示 伴隨圖1所例示之轉印用圖案之間距之微細化而照射至抗 蝕膜之曝光光之照射光量減少之情況之概略圖。 圖1係例示作為轉印用圖案102p，而形成之間距寬度P為8 μηι之線與空間圖案之平面放大圖。此處，側向姓刻寬度α 為0_8 μιη。即’於圖2(b)至圖2(c)中對被加工體202進行濕 式蝕刻時’被加工體202自作為蝕刻遮罩之抗蝕圖案2〇3ρ 之側面側起與蝕刻液接觸，接受所謂之側向蝕刻，因此而 產生之尺寸變化部分為0·8 μπι(各單側為0.4 μιη)。即，.計 入（假定）蝕刻製程中之0.8 μηι程度之線寬減少而預先附加 0.8 μιη程度之抗蝕圖案之線寬（各單側為0.4 μιη) »側向蝕 刻寬度α之量根據所應用之蝕刻條件而變動，但若蝕刻條 16297丨.doc 201245813 件固定，則側向蝕刻寬度α基本不會受到轉印用圖案102ρ· 之間距寬度P影響。 使用具有圖1所例示之轉印用圖案l〇2p’之光罩100,，藉 由大型光罩曝光裝置（未圖示），向被加工體202上之抗蝕膜 203照射曝光光（圖2(a))，並進行顯影，對在此時所獲得之 抗蝕圖案203p(圖2(b))之剖面形狀進行評價。圖3係表示藉 由模擬（simulation)而形成之抗蝕圖案2〇3p之剖面形狀。作 為模擬條件，將構成轉印用圖案1 〇2p，之遮光膜之光學密度 設為3.0以上，將曝光裝置之光學系統之數值孔徑να設為 0.08，將光學系統之σ(照明光學系統之να與投影光學系統 之ΝΑ之比）設為0.8 ’將g線/h線/i線之曝光波長強度比設為 1:1:1 ’基板201之材料為Si〇2,抗蝕膜203之材料為正型抗 触劑’且將抗蝕膜203之膜厚設為1.5 μπι。又，自8 4爪起 至4 μπι為止使轉印用圖案ι〇2ρ，之間距寬度ρ以1 μιη為單位 依序減少而進行模擬。再者，由於側向蝕刻寬度為〇8 μπι ’因此轉印用圖案ι〇2ρ，之線寬Mj^p/2 + 〇 8 ，空間 寬度Ms為Ρ/2-0.8 μηι。 上述模擬之條件係考慮標準LCD(液晶顯示器，Liquid
Crystal Display)用曝光機所具備之性能而設定。例如，數 值孔徑NA可處於〇.〇6〜〇 1〇之範圍’ σ可處於〇 5〜丨〇之範 圍。此種曝光機通常可將約3 μηι作為解像極限。為了更廣 泛地覆蓋曝光機，可使數值孔徑ΝΑ處於0·06〜014或 〇.06〜〇·15之範圍。其原因在於：亦需要數值孔徑ΝΑ超過 0.08之高解像度曝光機。 I62971.doc 201245813 於圖3(a)中，從上至下依序排列間距寬度p依序減小時 (自8 μιη起至4 μιη為止以1 為單位依序減少時）之抗蝕圖 案203ρ之形狀之變化。可知隨著間距寬度ρ減少，藉由曝 光引起之光反應而產生之抗蝕膜2〇3之除去量減少，抗蝕 圖案203ρ之起伏變緩。而且可知，於間距寬度ρ為6 以 下時，抗蝕劑除去不良變顯著，抗蝕圖案2〇3ρ之相鄰線部 相互連結。於該情形時，即便將該抗蝕圖案2〇3ρ用作遮罩 而對被加工體202進行濕式蝕刻，亦難以形成具有所需之 線與空間圖案之膜圖案202ρβ其較大之一原因認為在於： 由於間距寬度ρ減小而轉印用圖案102ρ，之空間寬度Ms相對 於線寬ML之比例（Ms/Ml)減小’從而透過光罩1〇〇，而到達 至抗蝕膜203之曝光光之照射光量不足。 藉由光罩透過光之光強度分佈將間距寬度P減小而曝光 光之照射光量不足之情況例示於圖3(b)中。圖3(b)之橫軸 係表示抗㈣2G3上之曝光位置㈣，縱軸係表示曝光光 之…、射光量《可知’如圖3(b)所示，肖由使間距寬度ρ自 8·0μιη至4.0μιη依序減少，而到達至抗蝕膜2〇3之曝光光之 照射光量依序減少。又’可知於照射曝光光之位置（對應 於空間部之位置）與遮蔽曝光光之位置（對應於線部之位置） 處差減j再者’圖3(b)中之係表示上述側向钱刻寬 度α。 此處，為了提高曝光時之解像度而進行更微細之圖案 化’考慮應用作為先前之LSI(大型積體電路，large_scale mtegration)製造用技術等而開發之各種方法。例如考慮採 162971.doc 201245813 用將曝光裝置所包括之光學系統之數值孔徑擴大'進行曝 光光之短波長化、進行曝光光之單—波長化以及進行光罩 之相位偏移遮蔽化等方法。然而，為了使用該等方法不僅 需要巨大投資導致無法取得與市場所期望之產品價格之整 合性’而且直接應用於顯示裝置所使用之大面積被加工體 於技術方面亦不方便或不合理。 再者，於微細化之線與空間圖案之轉印中，如上所述之 透過光量之減少成為問題’對此或許亦會考慮例如將光微 影步驟中之曝光量進而增加至先前以上，從而增加透過光 之強度。然而，為了增加曝光量，必須提高曝光裝置之光 源之輸出，或者增加照射時間，從而招致進一步之設備投 資或耗能增大，又，就生產效率降低方面而言亦不利。 本發明係鑒於上述情況研究而成者，其目的在於提供一 種即便於在被加工體上形成微細之間距寬度之線與空間圖 案之情形時亦可幾乎無需追加投資而進行圖案化之光罩之 製造方法、圖案轉印方法及顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之第1態樣係一種光罩之製造方法，該光罩係於 透明基板上具有包含間距寬度P之線與空間圖案之轉印用 圖案’上述線與空間圖案包括：包含形成於上述透明基板 上之半透光膜之線部；及上述透明基板露出而成之空間 部；且 該光罩之製造方法係藉由使用曝光裝置與上述光罩之曝 光’將上述轉印用圖案轉印至形成於被加工體上之抗蝕 16297l.doc 10· 201245813 膜，藉此形成線與空間之抗敍圖案； 藉由將上述抗蝕圖案作為遮罩之蝕刻，於上述被加工體 上形成線寬Wl、空間寬度Ws之線與空間之膜圖案；且 基於蝕刻上述被加工體時之蝕刻條件決定側向蝕刻寬度 α ； 基於上述側向蝕刻寬度01、及上述膜圖案之線寬、空 間寬度WS’決定上述轉印用圖案之線寬、空間寬度 Ms ’ _進而，以藉由使用具有上述所決定之線寬Ml、空間寬 度Ms之上述轉印用圖案之上述光罩的上述曝光以及上述蝕 刻而於上述被加工體上形成線寬WL、空間寬度ws之線 與二間之上述膜圖案之方式，決定上述曝光時所應用之曝 光條件以及上述半透光膜之光透過率。 本發明之第2態樣係如第丨態樣之光罩之製造方法，其中 基於上述曝光時所應用之曝光條件之決定而決定上述半透 光膜之光透過率。 本發明之第3態樣係如第丨態樣之光罩之製造方法，其中 基於上述半透光膜之光透過率之決定而決定上述曝光時所 應用之曝光條件。 本發明之第4態樣係如第丨至第3態樣中任一態樣之光罩 之製U方法，其中基於上述側向触刻寬度α及上述膜圖案 之線寬WL、空間寬度Ws，決定上述抗蝕圖案之線寬I、 空間寬度Rs ; 基於上述抗蝕圖案之線寬Rl、空間寬度RS，決定上述轉 162971.doc 201245813 印用圖案之線寬ML、空間寬度Ms。 本發明之第5態樣係如第丨至第4態樣中任一態樣之光罩 之製造方法，其中上述抗蝕圖案之線寬心、空間寬度心分 別等於上述轉印用圖案之線寬ML、空間寬度Ms。 本發明之第6態樣係如第丨至第5態樣中任一態樣之光罩 之製造方法’其中上述半透光膜之光透過率相對於丨線為 1 〜30%。 本發明之第7態樣係如第1至第6態樣中任一態樣之光罩 之製造方法，其中上述半透光膜之相位偏移量相對於丨線 為90度以下。 本發明之第8態樣係如第丨至第7態樣中任一態樣之光罩 之製造方法’其中上述間距寬度ρ(μηι)滿足 2R， (其中，ΙΙ=1<；χ(λ/ΝΑ)χ1/1〇〇〇 k ： 0.61 λ :上述曝光中所使用之波長之中間值（nm) NA:上述曝光中所使用之曝光裝置之光學系統之數 值孔徑）。 本發明之第9態樣係如第1至第8態樣中任一態樣之光罩 之製造方法，其中上述間距寬度P為6(μιη)以下。 本發明之第10態樣係如第1至第9態樣中任一態樣之光罩 之製造方法’其中於將使用包括具有於透明基板上由遮光 膜形成之線寬MLI之線部、及上述透明基板露出而成之空 間寬度Ms】之空間部且間距寬度p1>2R之線與空間圖案的光 162971.doc 12 201245813 罩進行曝光，從而於上述抗蝕膜上，形成線寬等於且 空間寬度等於MS1之線與空間之抗蝕圖案時的曝光裝置之 光之照射光量設為標準照射光量Es時， 於上述曝光時所應用之曝光條件之決定中應用小於標準 照射光量Es之有效照射光量Ee， (其中 ’ ΙΙ(μιη)=1<；χ(λ/ΝΑ)χ1/1〇〇〇 k ： 0.61 λ:上述曝光中所使用之波長之中間值（nm) ΝΑ:上述曝光中所使用之曝光裝置之數值孔徑 本發月之第11態樣係如第1至第i 〇態樣中任一態樣之光 罩之製造方法’其中包括如下步驟，gp，藉由光微影法將 形成於上述透明基板上之上述半透光膜圖案化，而形成上 述所決定之線寬ML.、空.間寬度％之上述轉㈣圖案。 本發明之第i2態樣係一種圖案轉印方法，其係使用利用 如第10或11態樣之製造方法所得之光罩，藉由具有i線〜g 線之波長帶之照射光，應用上述有效照射光量EE，將上述 轉印用圖案轉印至形成於上述被加工體上之上述抗触膜。 本發明之第13態樣係-種圖案轉印方法，其中於曝光裝 置進行上述標準照射光量匕之照射時’當以上述曝光裝置 <最大照度L進行照射面積s之照射時所需之照射時間為標 準照射時間Ts時， 藉由使用上述曝光裝置，並應m 之有效照射量EE’以小於標準照射時叫之有效= Te照射上述照射面積s。 162971.doc •13- 201245813 本發明之第14態樣係-種圖案轉印方法，其係使用利用 第10態樣之製造方法所得之光罩，將上述轉印用圖案轉印 至形成於上述被加工體上之上述抗蝕膜；上述圖案轉印方 法包括如下步驟： 基於上述所決定之曝光條件，決定使用上述曝光裝置向 上述光罩照射光之照射時間及照度，及 應用上述所決定之照射時間及照度進行曝光。 本發明之第15態樣為一種圖案轉印方法，其於將使用包 括具有於透明基板上由遮光膜形成之線寬之線部、及 上述透明基板露出而成之空間寬度M s I之空間部且間距寬 度Pi>2R之線與空間圖案的光罩進行曝光’從而於被加工 體上所形成之抗蝕膜上，形成線寬等於且空間寬度等 於MS1之線與空間之抗蝕圖案時的曝光裝置之光之照射光 量設為標準照射光量Es時， 使用包括具有於上述透明基板上由半透光膜形成之線寬 Ml之線部 '及上述透明基板露出而成之空間寬度之空 間部且間距寬度為p之線與空間圖案的光罩，應用小於上 述標準照射光量Es之有效照射光量匕進行曝光，從而於上 述抗蝕膜上形成線寬等KMl且空間寬度等於Ms2線與空 間之抗蝕圖案， (其中 ’ ΙΙ(μιη)=1ςχ(λ/ΝΑ)χ1/1000 k ： 0.61 λ :上述曝光中所使用之波長之中間值（nm) να:上述曝光中所使用之曝光裝置之數值孔徑）。 162971.doc 14 201245813 本發明之第16態樣係如第1 3態樣之圖案轉印方法，其中 上述間距寬度P為6 μιη以下。 本發明之第17態樣係一種顯示裝置之製造方法，其使用 如第12至第16態樣中任一態樣之圖案轉印方法。 [發明之效果] 根據本發明之光罩之製造方法、圖案轉印方法及顯示裝 置之製造方法，即便於在被加工體上形成微細之間距寬度 之線與空間圖案之情形時，亦可幾乎無需追加投資而進行 圖案化。 【實施方式】 基於上述内容，說明如下步驟例：藉由使用光罩之曝 光，將轉印用圖案轉印至形成於被加工體上之正型抗蝕膜 而形..成抗蝕圖案，並藉.由將抗蝕圖案用作遮罩之蝕刻，於 被加工體上形成線寬WL、空間寬度Ws之線與空間之膜圖 案。 圖4係表示使用本實施形態之光罩1〇〇的顯示裝置之製造 步驟之一步驟之流程圖。於圖4中，（3)係表示經由光罩1〇〇 向抗蝕膜203照射曝光光之情況，（b)係表示使經曝光之抗 姓膜203顯影而形成抗姓圖案2〇3p之情況，（c)係表示將抗 蝕圖案203p用作遮罩而對被加工體（形成於基板2〇1上之圖 案化對象薄膜）202進行濕式姓刻從而形成膜圖案2〇2p之情 況，（d)係表示將抗蝕圖案203p剝離之情;兄。 只要使用濕式蝕刻’被加工體（作為蝕刻對象之透明導 電膜等薄膜）202之線寬就會受到側向触刻之影響，因此尺 162971.doc 201245813 寸小於抗银圖案之線寬rl。由於該尺寸減少部分必然存 在，因此將被加工體202圖案化而成之膜圖案2〇2ρ中之線 寬WL小於抗蝕圖案203ρ之線寬RL。又，膜圖案2〇2ρ中之 空間寬度Ws大於抗蝕圖案203ρ之空間寬度Rs(參照圖 4(c))。 此處，若將側向蝕刻引起之尺寸變化部分設為側向蝕刻 寬度(X，則如下所述。 膜圖案202p之線寬WL〈抗蝕圖案203p之線寬RlPWl+ci), 膜圖案202p之空間寬度Ws>抗蝕圖案之空間宽度 Rs(=Ws'Ct) 因此’光罩100必須於抗蝕膜203上形成具有線tRL、空 間寬度Rs之線與空間之抗蝕圖案203p。 因此，此處於光罩100所具有之轉印用圖案102p所包括 之線與空間圖案中，亦將線寬ML與空間寬度Ms分別設定 為與抗蝕圖案203p之線寬RL與空間寬度Rs同等（參照圖4之 ⑷〜⑷）》 即’設為 轉印用圖案102p之線寬ML=抗蝕圖案203p之線寬RL， 轉印用圖案102p之空間寬度Ms=抗蝕圖案203p之空間寬 度Rs 再者，間距寬度P於光罩100之轉印用圖案102p、抗蝕圖案 203p以及加工被加工體202而成之膜圖案202p之任一者中 均為固定。 此處，考慮將欲獲得之膜圖案202p之線與空間圖案之間 162971.doc -16 · 201245813 距寬度P(即光罩100之轉印用圖案102p之間距寬度p、抗蝕 圖案203p之間距寬度p)微細化。此時，即便欲獲得之膜圖 案202p之線寬減小’若触刻條件固定，則側向触刻寬 度α之尺寸亦不會變化。因此，若將間距寬度p微細化，則 與抗蝕圖案203ρ之線寬RL之尺寸減少相比，空間寬度1之 尺寸迅速減小。結果，必須形成空間寬度Ms非常小之線與 空間圖案作為光罩1〇〇之轉印用圖案102p。 然而，即便可形成空間寬度Ms較微細之（例如低於i μη〇 線與空間圖案作為轉印用圖案1 〇2ρ，亦難以使用該光罩 100形成尺寸與轉印用圖案102ρ相同之抗蝕圖案2〇3ρ。其 原因在於：光罩100所具有之空間寬度Ms之尺寸較小，空 間寬度Ms接近曝光波長（通常為丨線〜匕線），因此微細縫隙 引起之光之繞射之影響變_著，從而無法透過能使抗蝕膜 203感光之充分之光量。 結果’若欲作為膜圖案202p而獲得之線與空間微細化， 則形成於光罩100之轉印用圖案1 〇2p亦微細化，因此無法 使用光罩100形成膜圖案2〇2p。 因此，本發明者對可於被加工體2〇2上形成此種間距寬 度P較被細之線與空間圖案之光罩之製造方法、圖案轉印 方法及顯示裝置之製造方法進行了潛心研究，並得出以下 見解。 即，於使用既存之所謂之二元遮罩作為光罩之圖案轉印 中，到達至抗姓膜之曝光光僅使用於設於光罩中之轉印用 圖案之線與空間圖案中透過空間部分之光。然而，若如上 162971.doc -17- 201245813 述般將間距寬度p微細化（將圖案微細化），則會產生光量 不足，從而產生抗蝕劑之除去不良等。本發明者針對此種 課題（光量不足）得出如下見解’即，使設於光罩中之轉印 用圖案之線部亦具有某種程度之透光性較為有效。而且得 出如下見解，即，進而藉由對利用曝光裝置而照射之照射 光量亦進行適當控制，結果可控制所形成之抗蝕圖案之形 狀，從而可實現被加工體之微細圖案化。即，圖4表示於 轉印用圖案102p中使用半透光性之膜圖案可解決上述光量 不足之問題。 以下係表示基於上述見解而完成之本申請案發明之各種 態樣。 (第1態樣） 本發明之第1態樣係一種光罩1〇〇之製造方法，該光罩於 透明基板101上具有包含間距寬度P之線與空間圖案之轉印 用圖案102p’線與空間圖案包括：包含形成於透明基板 101上之半透光膜之線部；及透明基板101露出而成之空間 部；且 該光罩100之製造方法係藉由使用曝光裝置及光罩1〇〇之 曝光，將轉印用圖案102p轉印至形成於被加工體202上之 抗蚀膜203，藉此形成線與空間之抗钱圖案203p， 藉由將抗姓圖案203p作為遮罩之钮刻，於被加工體202 上形成線寬WL、空間寬度Ws之線與空間之膜圖案202p ; 上述光罩100之製造方法之特徵在於： 基於蝕刻被加工體202時之蝕刻條件決定側向蝕刻寬度 162971.doc • 18 · 201245813 基於側向蝕刻寬度α及膜圖案2〇2p之線宽WL、空間寬度 ws，決定轉印用圖案1 〇2p之線寬ml、空間寬度Ms， 進而，以藉由使用具有所決定之線寬、空間寬度Ms 之轉印用圖案102p之光罩1〇〇的曝光以及蝕刻，而於被加 工體202上形成線寬wL、空間寬度Ws之線與空間之膜圖案 202p之方式’決定曝光時所應用之曝光條件及半透光膜之 光透過率。 於上述内容中，蝕刻較佳為應用濕式蝕刻。而且，以 下，側向蝕刻寬度α為正值（α>〇)。 再者’關於間距寬度Ρ如下所述。 間距寬度Ρ=膜圖案之線寬WL+空間寬度ws =抗蝕圖案之線寬RL+空間寬度 =轉印用圖案之線寬ML+空間宽度Ms 於間距寬度P為例如6 μιη以下時，本態樣之效果顯著。 (第2態樣） 當決定側向蝕刻寬度α時，可基於該側向蝕刻寬度α及欲 獲得之膜圖案之線寬WL、空間寬度Ws，決定如何設定抗 姓圖案203p之線寬RL與空間寬度Rs之值。繼而可決定用於 形成具有該線寬rl與空間寬度rs之抗蝕圖案2〇3p之曝光條 件及轉印用圖案102p之透過率（半透光膜之透過率）。 於第2態樣中，基於曝光條件之決定而決定轉印用圖案 102p之透過率（半透光膜之透過率）β即，首先決定所需之 曝光條件（照射光量或照射時間），並於該條件下決定轉印 162971.doc
S -19- 201245813 用圖案102p之（半透光膜之）合適之透過率。 (第3態樣） 與第2態樣相反，亦可基於轉印用圖案1〇2p之透過率（即 半透光膜之透過率）之決定而決定曝光條件❶即，亦可首 先決定轉印用圖案l〇2p之（即半透光膜之）合適之透過率， 並於該條件下決定所需之曝光條件（照射光量或照射時 間）。 此處，曝光條件包括照射光量。該照射光量根據曝光裝 置之光源之照度與照射時間之積而定。照射時間與相對於 整個照射面之掃描曝光所需之時間相關。可決定曝光裝置 能照射之照度，並基於此而決定照射時間（以及掃描曝光 所需之時間）。或者基於所需之照射時間決定照度。 (第4態樣） 如上所述’可基於側向蝕刻寬度(X以及膜圖案202p之線 寬WL、空間寬度Ws ’決定抗姓圖案2〇3p之線寬RL、空間 寬度Rs， 基於抗蝕圖案203p之線寬RL、空間寬度1決定轉印用圖 案102p之線寬Ml。空間寬度Ms。再者，亦可基於側向蝕 刻寬度α及膜圖案202p之線寬WL、空間寬度Ws直接決定轉 印用圖案1 02p之線寬ML、空間寬度Ms。以下，利用前者 進行說明。 將經由本實施形態之光罩100對被加工體202上之抗蝕膜 203進行曝光時之情況示於圖4中。 此處，線與空間圖案之間距寬度P之數值並無特別限 162971.doc -20· 201245813 制仁疋，本實施形態之發明於欲加工微細之線與空間圖 案時可獲得顯著之效果，例如於間距寬度p為6 μιη以下時 尤其可獲得顯著之效果》 又，作為形成於光罩100上之轉印用圖案102]3的線與空 間圖案可藉由光微影法將形成於透明基板101上之半透光 膜圖案化而形成。此時，可將包括於透明基板1〇1上形成 半透光膜而成之線部及透明基板101露出而成之空間部的 線與空間圖案作為轉印用圖案1〇2ρ(參照圖4(a))。 於設計具有此種轉印用圖案1〇2ρ之光罩1〇〇時，可適當 地控制到達至被加工體202上之抗蝕膜203之光強度分佈。 因此，於本實施形態之發明中，首先基於被加工體2〇2之 银刻條件決定側向蝕刻寬度α之值。再者，此處較佳為應 用正型抗蝕劑作為抗蝕膜203之材料。 最終獲得之被加工體203之線與空間圖案中之線寬冒1與 空間寬度Ws與作為對該被加工體進行蝕刻加工時之蝕刻遮 罩的抗蝕圖案203p之線寬Rs與空間寬度Rs之關係如下所 述。 如上所述，由於側向蝕刻寬度α(>〇)係抗蝕圖案2〇3p之 線寬Rl、空間寬度Rs之各者與形成於被加工體202上之膜 圖案202p之線寬WL、空間寬度Ws之尺寸差，因此 抗蝕圖案203p之線寬RL=膜圖案202p之線寬WL+側向蝕 刻寬度α， 抗蝕圖案203ρ之空間寬度Rs=膜圖案202ρ之空間寬度Ws-側向蝕刻寬度α 162971.doc •21· 201245813 (參照圖 4(d)(e))。 因此，決定用於形成具有此種線寬Rl與空間寬度Rs之值 的抗蝕圖案203p的光罩1〇〇上之轉印用圖案l〇2p。 (第5態樣） 較佳為將抗蝕圖案203p之線寬Rl、空間寬度Rs分別設為 與轉印用圖案102p之線寬Ml、空間寬度Ms相等。 即，較佳為形成與光罩100所具有之轉印用圖案102p之 線與空間圖案具有同一線寬ML與空間寬度Ms的線與空間 圖案作為抗蝕圖案203p。藉此，易於最穩定地控制抗蝕圖 案203p之線寬精度。 而且’能以利用具有所決定之線寬ML與空間寬度Ms之 轉印用圖案102p的光罩100而形成具有線寬心與空間寬度 Rs之抗蝕圖案203p之方式，決定曝光時所應用之曝光條件 及半透光膜之光透過率❶該點係基於發明者之如下見解： 根據曝光時所應用之曝光條件，而即便轉印用圖案丨〇2p之 線寬ML與空間寬度Ms之值分別固定，抗蝕圖案2〇3p之線 寬Rl與空間寬度Rs之值亦會變動。即，若曝光條件變化， 則透過微細之線與空間圖案之光之強度分佈會變化，該光 強度分佈之變化會使形成於被加工體202上之抗蝕圖案 2〇3p之形狀變化。又，半透光膜之光透過率亦會對光強度 为佈造成影響。因此，求出所應用之曝光條件及半透光膜 之光透過率以獲得所需之線寬Rl與空間寬度Rs。 於上述内容中，曝光條件包括藉由曝光裝置向光罩1〇〇 照射光時之照射光量。例如，於使照射光量變化時，可藉 I62971.doc -22· 201245813 由模擬求出透過具有轉印用圖案lG2p之光罩_的光透過 強度曲線，從而可求出能得到欲獲得之抗蝕圖案（例如 ML=RLaMs=Rs之抗蝕圖案）2〇3p之照射光量。 因此，例如第2態樣所示，決定用於光罩1〇〇之轉印用圖 案102p的半透光膜之光透過率，並於使用此種半透光膜之 轉印用圖案l〇2p時，藉由上述模擬決定合適之曝光條件。 或者，例如第3態樣所示，先決定曝光條件，然後基於 «亥曝光條件，藉由上述模擬求出使用何種光透過率之半透 光膜。 或者亦可代替上述模擬而分別求出於使半透光膜之光透 過率及曝光條件分別變化時可獲得之線寬&與空間寬度
Rs ’掌握其相關關係，藉此求出用於獲得所需之線寬 與空間寬度ws冬條件。 此處該照射光量為曝光裝置所具有之照度與照射時間 之積因此，於決定曝光條件之步驟中，為了獲得特定之 <、、、射光里，可基於曝光裝置所包括之特定之光源之照度而 決疋照射時間。或者亦可決定所需之照射時間，並於該照 射時間下決定可使所需之照射光量充分之照度。 例如，若藉由將所使用之曝光裝置之照度設定為較大而 較先前縮短設定照射時間，則可提高最終產品（例如液晶 顯示裝置）之生產效率，於量產上為一大優點。 如根據上述内容可理解般，若轉印用圖案102{)已決定’ 則對抗蝕膜203進行曝光所需之照射光量依存於曝光條件 (照度及照射時間）與轉印關案丨Q 2 p中所使用之半透光膜 162971.doc -23- 201245813 之透過率的組合而定。因此，藉由適當選擇該三者，顯示 裝置之生產者可獲得最佳之生產條件。該點相較於使用先 前之二元遮罩之生產，帶來更顯著之優越性。 此處’根據發明者之研究，半透光膜之光透過率較佳對 於曝光裝置之照射光為1〜30°/<^此處，半透光膜之光透過 率係指轉印用圖案102p之線部分之光透過率，但是，如上 所述’作為轉印用圖案1 〇2p之一部分的光透過率因圖幸邊 緣處之光繞射等而變動，因此，此處為所使用之半透光膜 之膜透過率（相對於曝光條件下之解像極限為充分大之面 積中之光透過率）。 (第6態樣） 於本實施形態之發明中，較佳為使用包括i線〜g線之波 長帶之照射光進行抗姓膜203之曝光。其中於代表波長為i 線時’半透光膜之光透過率較佳為相對於i線為丨〜％%。若 超過1〜30% ’則形成之抗蝕圖案之側面可能會傾斜，從而 有於將該抗姓圖案作為钮刻遮罩而對被加工體進行触刻時 難以控制線寬之可能性。更佳為^20%，進而較佳為 2〜10%。 進而’較佳為透過上述透明基板101之曝光光與透過上 述透明基板101及上述半透光膜之曝光光的相位差為9〇度 以下°換言之’較佳為該半透光膜之曝光光之相位偏移量 為90度以下。例如，於曝光光之代表波長為i線時，較佳 為半透光膜相對於i線之上述相位差為90度以下^更佳為 60度以下。 162971.doc -24- 201245813 其原因在於：根據發明者之研究，在轉印用圖案所使用 之半透光膜之上述相位差接近180度時’形成於被加工體 202上之抗钱圖案203p之形狀未必良化，反而有時會將半 透光膜帶來之相位偏移效果使到達至抗蝕膜之光增加的優 點減少。 (第7態樣） 本貫施形態於形成較先前更微細化之圖案時尤其有利。 即’於間距寬度P為根據瑞利（Rayleigh)公式定義之 最小解像尺寸 R(pm)=kx〇(nm)/NA)x(l/l〇〇〇) 之2倍以下之尺寸時尤其有利。此處為2倍之理由在於：間 距寬度為線寬與空間寬度之合計值。
即，於上述間距寬度P滿足 2R 時’本發明之效果增大。 其中，於上述内容中， k: 0·61(根據Rayleigh之解像極限） λ ·曝光所使用之波長（nm) ΝΑ :曝光所使用之曝光裝置之光學系統之數值孔 徑。 (第8態樣） 進而’於間距寬度Ρ(μηι)為6(μιη)以下時，發明之效果較 顯著。例如，於膜圖案2〇2ρ之線寬WL或空間寬度ws均未 達3 μηι時，本發明之效果尤其顯著。即，若考慮到通常使 用之曝光裝置之波長帶為365~436 nm(中間值400 nm)，並 162971.doc •25- 201245813 且光學系統之ΝΑ為0.08 ,則於實現間距寬度pg6 μπ1之微 細圖案時，可獲得顯著之效果。進而於實現間距寬度pg5 μιη之微細圖案時，可獲得更顯著之效果。 (第9態樣） 於使用先前之所謂之二元遮罩在被加工體2〇2上形成線 與空間圖案之方法中’於線與空間之間距寬度ρ較大時未 產生解像上之問題。另一方面，根據本實施形態，與使用 二元遮罩於被加工體202上形成線與空間圖案之先前方法 相比’可增大到達至抗蝕膜203之光強度，進而可適當選 擇曝光條件及半透光膜之透過率之兩者之條件而進行該光 強度分佈之控制’因此可製造具有高於先前之生產性之光 罩》 即’於將使用包括於透明基板1〇1上由遮光膜形成之線 寬ML1之線部、及透明基板ι〇1露出而成之空間寬度Μ。之 空間部且間距寬度Pi>2R之線與空間圖案的光罩進行曝 光’從而於抗蝕膜203上，形成線寬等於ML1且空間寬度等 於MS1之線與空間之抗蝕圖案2〇3p時的曝光裝置之光之照 射光量設為標準照射光量Es時， 可藉由於曝光時所應用之曝光條件之決定中應用小於標 準照射光量Es之有效照射光量Ee而設計光罩。可藉由該設 計製造光罩。 其中，β·(μηι)=1ίχ(λ/ΝΑ)χ1/1000 k ： 0.61 λ :上述曝光中所使用之波長之中間值（nm) 162971.doc •26· 201245813 ΝΑ:上述曝光中所使用之曝光裝置之數值孔徑β 先前，於間距寬度Ρ超過解像極限r之2倍的線與空間圖 案中’上述光罩之透過光量之不足引起之解像不良之問題 亦幾乎不造成影響。本發明者對在更微細化之線與空間圖 案中亦可形成作為蝕刻遮罩而形狀較為充分之抗蝕圖案 203ρ的光罩100進行了研究。而且，發現選擇光罩1〇〇之轉 印用圖案102ρ所使用之半透光膜之透過率以及使用光罩 100進行曝光時之曝光條件可作為其解決方法。於本態樣 中’亦提出進而對該方法加以發展而較先前進而減少照射 光量來進行微細之圖案之轉印的方法。 此處’遮光膜係指光學密度OD為3.0以上之膜。與先前 之所謂之二元遮罩所使用之遮光膜相同。 又’具有間距莧度P!>2R之線與空間圖案的光罩（線寬 、空間寬度MS1)係指間距寬度（線寬+空間寬度）為 Rayleigh公式之解像極限之2倍以上之轉印用圖案之光罩， 其用於將此種線與空間圖案形成於被加工體202上。該間 距寬度Pi大於上述Rayleigh公式中之2R。較佳為間距寬度 Pi為8 μιη以上，可設為約1 〇 。又，線寬ml丨、空間寬度 1^1較佳為大於上述尺叮4丨§11公式中之解像極限11(]^1^>11， Ms 1 >R)。 例如’較佳為線寬ML1與空間寬度MS1均為3 μπι以上且6 μπι以下。 可使用具有此種線與空間圖案之光罩，於抗蝕膜2〇2上 曝光’獲得線寬RL1等於ML1且空間寬度RS1等於MS1之線與 162971.doc •27- 201245813 空間圖案之抗蝕圖案2〇3p。於將此時之照射光量設為標準 照射量ES時，根據本實施形態，可藉由小於標準照射量Es 之標準照射量ee獲得所需之線與空間之抗蝕圖案2〇3p。 s 再者，於上述内容中，曝光裝置所使用之光學系統之條 件或用於形成抗蝕圖案203p之抗蝕劑顯影條件等為固定。' 又’照射光之波長範圍可為同一範圍。 即，藉由使形成光罩之圖案之膜為半透光性，可改變曝 光裝置之所需.照射量。 (第10態樣） 由於需設定轉印用圖案102p之線寬Ml、空間寬度Ms及 透過率’因此可於實施上述步驟之光罩設計步驟之後實 施光微影步驟，藉此製造上述光罩100 ^圖5係表示本實施 形態之光罩100之製造步驟之流程圖。 首先’準備於透明基板101上依序積層有半透光膜1〇2及 抗飯膜103之光罩用基底1 〇〇b。繼而，藉由雷射繪圖機等 對光罩用基底100b進行繪圖’使抗蝕膜1〇3部分性地感光 (圖5(a)) ^繼而’向抗蝕膜1〇3供給顯影液而實施顯影，形 成覆蓋轉印用圖案102p之線部之形成預定區域的抗蝕圖案 l〇3p(圖5(b))。繼而，將所形成之抗蝕圖案ι〇3ρ作為遮 罩’蝕刻光學膜102而形成轉印用圖案102p(圖5(c))。繼 而’除去抗蝕圖案103p，完成本實施形態之光罩1〇〇之製 造（圖 5(d))。 再者，透明基板101係構成為例如包括石英（Si02)玻璃或 包含 Si02、Al2〇3、B2〇3、RO(R為鹼土 類金屬）及 112〇(112為 I6297I.doc -28- 201245813 鹼金屬）等之低脹玻璃等之平板。透明基板1〇1之主表面（表 面及背面）係進行研磨等而平坦且平滑地構成。透明基板 101例如可係一邊為約500 mm〜1300 mm之方形。透明基板 101之厚度例如可為約3 mm〜13 mm ° . 又，半透光膜W2可藉由包含鉻（Cr)之材料例如氮化鉻 (CrN)、氧化鉻（Cr0)、氧氮化鉻（CrON)、氟化鉻（CrF)等鉻 化合物等或者金屬矽化物（M〇Six、M〇Si〇、M〇siN、 MoSiON、TaSix等）形成。 又，抗蝕膜103可藉由正型抗蝕劑而形成。此時，例如 可使用狹縫式塗佈機（slit c〇ater)或旋轉式塗佈機（sph coater)等方法。 (第11態樣） 可實施如下圖案轉印方法，即，使用利用第卜10態樣中 任一態樣之製造方法所得之光罩100，藉由具有i線〜g線之 波長帶之照射光，應用有效照射光量EE，將轉印用圖案 102p轉印至形成於被加工體2〇2上之抗蝕膜2〇3。 (第12態樣） 可實施如下圖案轉印方法，即，於曝光裝置進行上述標 準照射光量Es之照射時，當以曝光裝置之最大照度匕進行 照射面積S之照射時所需之照射時間為標準照射時間L 時， 胃藉由使用曝光裝置’應用小於標準照射量ES之有效照射 ® Ee ’以小於標準照射時間^之有效照射時間&照射上述 照射面積S。 162971.doc •29· 201245813 (第13態樣） 可實施如下圖案轉印方法，即，使用利用第丨0態樣之製 造方法所得之光罩100’將轉印用圖案1〇2p轉印至形成於 被加工體202上之抗蝕膜203，上述圖案轉印方法包括如下 步驟，即，基於所決定之曝光條件，決定使用曝光裝置向 光罩100照射光之照射時間及照度，並應用所決定之照射 時間及照度進行曝光。 (第14態樣） 可實施如下圖案轉印方法’即，於將使用包括具有於透 明基板1 〇 1上由遮光膜形成之線寬ML1之線部、及透明基板 101露出而成之空間‘寬度MS1之空間部且間距寬度P02R之 線與空間圖案的光罩進行曝光，從而於被加工體202上所 形成之抗餘膜203上，形成線寬等於且空間寬度等於 Ms丨之線與空間之抗钮圖案時的曝光裝置之光之照射光量 設為標準照射光量E s時， 使用包括具有於透明基板101上由半透光膜形成之線寬 ML之線部、及透明基板ιοί露出而成之空間寬度Ms之空間 部且間距寬度為P之線與空間圖案的光罩1〇〇，應用小於標 準照射光量Es之有效照射光量以進行曝光，而於抗蝕膜 203上形成線寬等於ML且空間寬度等於Ms之線與空間之抗 独圖案。 其中，ΙΙ(μηι)=1ςχ(λ/ΝΑ)χ1/1000 k ： 0.61 λ :上述曝光中所使用之波長之中間值（ηηι) 162971.doc -30- 201245813 να:上述曝光中所使用之曝光裝置之數值孔徑。 (第15態樣） 於第12態樣之圖案轉印方法中，間距寬度ρ可為6 下。即’若考慮到通常使用之曝光裝置之波長帶為365〜 G6 nm(中間值400 nm) ’並且光學系統之να為〇.〇8，則於 實現間距寬度Ρ $ 6 μηι之微細圖案時，可獲得顯著之效 果。進而’於實現間距寬度Ρ $ 5 μη!之微細圖案時，可獲 得更顯著之效果。 (第16態樣） 可藉由使用第11〜第15態樣中任一態樣之圖案轉印方法 而製造顯示裝置》 先前，於在被加工體202上形成線與空間圖案時，係使 用包括具有遮光部及透光部之線與空間圖案作為轉印用圖 案的光罩。此時’不存在線部之透過率之變數，實質上可 考慮透過率為零來進行設計。 然而’於本實施形態中，係使該部分之透過率不為零， 而為特定範圍内之變數，藉此可極大地提高能設計之線與 空間圖案之自由度。進而，藉由使圖案之透過率為變數， 可自由選擇作為決定光罩100之透過光所具有之光強度分 佈曲線之另一要素的曝光裝置之曝光條件（照度、照射時 間）。即，為了實現欲於被加工體202上獲得之線與空間圖 案之形狀’可於決定對抗蝕膜203進行曝光之光強度分佈 時’藉由光罩1〇〇所具有之轉印用圖案1〇2ρ之線部之透過 率與曝光裝置之曝光條件之組合而選擇最佳條件。 162971.doc 31 201245813 再者，上述第1〜16態樣所記載之各種方法較佳可用於製 造顯示裝置之像素電極之情形。該像素電極可為將包括 ITO或IZO之透明導電膜圖案化而成者。 [實施例] 對被加工體（此處為ITO透明導電膜）進行濕式蝕刻，加 工線與空間圖案’形成包括間距寬度ρ=5 μιη(線寬wl=2.5 μιη ’空間寬度ws=2.5 μιη)之線與空間的膜圖案。根據濕 式姓刻條件，此處，將側向蝕刻寬度α設為〇,5 μιη。再 者，以下模擬所應用之條件與在圖1〜圖3中說明之條件相 同。又’於以下記載中關於曝光裝置之照射光量，係將基 準照射量標準化為100 mJ/cm2。 (比較例） 首先’作為比較例，示出具有將遮光膜（光學密度為3 〇 以上）圖案化而形成之線與空間圖案作為轉印用圖案（參照 圖6)的光罩之曝光模擬結果（參照圖7)。 圖7(a)係欲使用在遮光膜之線與空間圖案中間距寬度 卩1=8 0111^1^=4.5 4111且1^|=3.5 4111)的轉印用圖案於被加工 體上形成目標線寬（WL丨=WS ι=4 μιη)之情形時的抗钱圖案之 剖面形狀。將此時所應用之照射光量設為Es=1〇〇 mJ/cm2 ^又，側向蝕刻寬度α與圖案之間距寬度p無關而為 固定值，α=0_5 μιη。 再者，此處所使用之曝光光為i線〜g線，波長之中間值 為400 ηπ^又，由於所使用之曝光裝置之NA(數值孔徑）為 〇.〇8，因此根據Rayleigh公式，解像極限R之值為 I6297I.doc •32· 201245813 R=kx(X/NA)x(l/l 000)=3.0 5 k: 0.61(根據Rayleigh之解像極限）。 與此相對，由於上述P,為8 μιη，因此大於解像極限R之 值之2倍》 又’為了於被加工體上形成線寬精度較高之線與空間之 抗蝕圖案，而設為 抗蝕圖案之線寬RL=光罩之線寬Ml，且 抗蝕圖案之空間寬度RM=光罩之空間寬度Ms。 根據圖7(a) ’表示作為蝕刻遮罩可充分使用之抗蝕圖 案。繼而將使間距寬度P以1 μη!為單位減小（將線與空間圖 案微細化）時之抗蝕圖案形狀之變化示於圖7(b)〜(d)中。曝 光條件為固定。伴隨圖案微細化而抗蝕圖案形狀平坦化， 振幅減小’並且空間部之脫落變得不充分。 於圖7(d)中，於線寬]^=3.0(=2.5+0.5) μπι且空間寬度 Ms=2.0(=2.5-0.5) μιη時，抗蝕圖案全面出現脫落不良，成 為無法用作線與空間圖案之蝕刻遮罩之狀態。 (實施例） 此處’為了補充到達至抗蝕膜之光量不足而控制曝光條 件及轉印用圖案之光透過率地進行遮罩設計之情形將於以 下說明》 此處，圖8係表示藉由變更曝光裝置之照度或照射時間 而增加照射光量之情形時之抗蝕圖案之剖面形狀。即，模 擬出自圖7(d)之狀態起增加照射量而可形成線寬rl=空間 寬度Rs=2 · 5 μηι之抗姓圖案的照射光量，結果發現可採用 162971.doc -33· 201245813 125 mJ/cm2之條件，即，可使照射光量為丨乃倍。 然而’為了藉由既存之曝光裝置（不增加照度）實現如上 條件，必須使照射節拍時間為1.25倍，生產效率大幅下 降。 繼而’圖9係表示於光罩所具有之轉印用圖案中使用半 透光膜之情形時所獲得之抗蝕圖案形狀。此處所示之半透 光類型之轉印用圖案與將形成於透明基板上之半透光膜圖 案化而成者相同，其材料例如係使用包含金屬矽化物或其 化合物之半透光膜。 圖9(a)〜(f)係表示將轉印用圖案之線部所使用之半透光 膜之透過率變更為3%〜20%時之抗蝕圖案形狀之變化。再 者，此處係將半透光膜所具有之曝光光之相位偏移量均設 為40度。 根據圖9(a)可知，於在將半透光膜之透過率設為3%時相 對於基準照射量Es而增加2.5%後之照射量下，抗蝕圖案之 線部分離，可用作蝕刻遮罩。進而，藉由組合半透光膜之 光透過率與曝光裝置之照射條件，能以小於基準照射量匕 之照射量（有效照射量Ee)形成形狀良好之抗蝕圖案。 <本發明之其他實施態樣> 以上’已具體說明本發明之實施形態，但本發明並不限 定於上述實施形態’於不脫離其主旨之範圍内可作多種變 更。 例如，本發明可較佳地應用於如下光罩之製造方法， 即’該光罩包括包含藉由將形成於透明基板上之半透光膜 162971.doc •34· 201245813 圖案化而形成之透光部及半透光部的轉印用圖帛，上述光 罩之製造方法係於被轉印體上之抗蝕膜上形成有抗蝕劑殘 膜之部分及無抗蝕劑殘臈之部分。具體而言，可有利地應 用於在被加工體上形成間距寬度？為6 μιηα下之線與空間 圖案之情形。於該情形時，對應於透光部於被轉印體上形 成無抗#劑殘膜之部分，並對應於半透光部形成有抗姓劑 殘膜之部分。 並且，例如，本發明並不限定於被轉印體上之抗蝕膜係 藉由正型抗蝕劑形成之情形，亦可較佳地應用於藉由負 (negative)型抗蝕劑形成之情形。但是，抗蝕膜較佳為藉由 正型抗蝕劑形成。 如上所述，本發明之光罩例如可尤其較佳地應用於藉由 具有1線〜g線之波長帶之曝光裝置進行曝光時。又，作為 曝光裝置，例如可較佳地使用投影曝光機。但是，本發明 之光罩並不限定於該等形態，而亦可較佳地應用於藉由具 有其他波長帶之曝光裝置進行曝光時。 如上所述，本發明之光罩例如可較佳地應用於形成VA 方式、IPS方式之液晶顯示裝置所使用之像素電極用之線 與空間圖案時。但是，亦可較佳地應用於使用光微影技術 製其他方式之液晶顯示裝置或顯示裝置以外之裝置時。 於上述實施形態令，欲獲得之線與空間圖案之具體線寬 WL與空間寬度ws之值並無限制’例如較佳為〇 WsS 1.2Wl。自繪圖時之線寬控制或側向蝕刻寬度〇1及遮 罩偏差（mask bias)p之設定自由度之觀點考慮，較佳為線 162971.doc •35- 201245813 寬與空間寬度之尺寸並不相差極大β 如自以上内容明瞭般，根據本發明，可利用lcd用曝光 裝置，使用1線〜g線之曝光光，且減少曝光照射量，便可 不降低生產效率地㈣前無法解像之微細之線肖空間圖案 形成於被加工體上。 【圖式簡單說明】 圖1係例示光罩所包括之轉印用圖案之平面放大圖。 圖2(a)-(d)係表示使關i所例示之光罩之顯示裝置之製 造步驟之一步驟之概略圖。 圖3(a)係表示伴隨圖1所例示之轉印用圖案之間距之微細 產生抗飯劑除去不良之情況之概略圖，⑻係表示伴隨 間距之微細化而照射至抗钮膜之曝光光之照射光量減少之 情況之概略圖。 一圖料⑷係表示使用本發明之—實施形態之光罩的顯 不裝置之製造步驟之一步驟之流程圖。 圖5(a)-(d)係表示本發明之一實施形態之光罩之製造 驟之流程圖。 ’
圖6係例不於比較例中使用之光罩所包括之轉印用 之平面放大圖。 圖7(aHd)係表示比較例之概略圖，且表示伴隨圖 細化而產生抗飯劑除去不良之情況。 圖8係表不本發明之實施例之概略圖，且表示 照射光量而防曰加 叩防止抗蝕劑除去不良之情況β '、表不本發明之實施例之概略圖，且表示藉由 I62971.doc •36· 201245813 使轉印用圖案之線部具有透光性而防止抗蝕劑除去不良之 情況。 【主要元件符號說明】 100 光罩 101 透明基板 102p 轉印用圖案 201 基板 202 被加工體 202p 膜圖案 203 抗蝕膜 203p 抗姓圖案 Ml 線寬 Ms 空間寬度 P 間距寬度 Rl 線寬 Rs 空間寬度 WL 線寬 Ws 空間寬度 a 側向蝕刻寬度 162971.doc -37·