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TW201233817A - Silver-gold-palladium ternary alloy bonding wire - Google Patents

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TW201233817A
TW201233817A TW100129493A TW100129493A TW201233817A TW 201233817 A TW201233817 A TW 201233817A TW 100129493 A TW100129493 A TW 100129493A TW 100129493 A TW100129493 A TW 100129493A TW 201233817 A TW201233817 A TW 201233817A
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TW
Taiwan
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gold
mass
silver
bonding wire
palladium
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TW100129493A
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TWI428455B (zh
Inventor
Jun Chiba
Satoshi Teshima
Tasuku Kobayashi
Yuki ANTOKU
Original Assignee
Tanaka Electronics Ind
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Publication date
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    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • C22C5/06Alloys based on silver
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Description

201233817 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種非常適合使用於半導體裝置之1(:晶片電極與 外部導腳4之基板連接的Ag-Au-Pd三元合金系接合線,且特別有 關於一種使用於車載用或高速裝置用之高溫環境下的Ag_AU_pd三 元合金系接合線。 【先前技術】 長久以來,連接半導體裝置之1C晶片電極與外部導腳之金 線,有在高純度金微量添加其他金屬元素之純度99· 99質量%以 上之金線,此種金線可靠性優良而用途很多。這種純金線係一端 藉超音波併賴壓接接合法,與IC ^電極上之触(A1)焊塾 或紹a金知塾連接,另一端連接在基板上之外部導腳等,之後, 樹脂封裝以成半導體裝置。這種_ (A1)焊墊或紹合金焊塾, 通常藉真空蒸著以形成。 另外,Ag-Au-Pd三元合金系接合線,在日本特開平 號公報開示有「-種在重量上使Ag為1()〜6Q%,使㈣為_ 〜〇. 8%,使Cu、Pd、Pt至少一種合計為〇. 〇〇5〜5%,而且使Ca、 Be、La、Ce、Y至少一種合計狀_2〜M3%,剩下部份為金 及不可避免不純物所構成之半導狀件用金合金細線」。 又,在日本特開測—腿62號公報開 旧膏U〜⑽,T1孤 201233817
Ca、Be、La t-種或兩種以上:卜5〇此_,剩下部份為金及 不可避免不純物所構成之金合金製成之半導體裝置接合用金合金 細線」。此等接合線係開發作為金線之代替接合線,可減少昂貴金 (Au)之使用量,同時可在大氣中形成炫融焊球。 但疋,當欲使銀(Ag)含量超過6〇%之元合金 系接合線’在大氣巾接合時,麵融料表面會析出氧化物,無 法連接在紹合金焊墊等。此氧化物之原因係含在貴金屬中之氧化 性非貴金屬元素或含在原料Ag中之不可避免不純物,前述微量添 加成分或不可避免不純物係在熔融焊球表面析出,與大氣中之氧 結合以成為氧化物。 又,當銀(Ag)含量超過6〇%時,接合線本身之剛性增加以 變硬,所以,在成形接合線後,一般會進行最終退火熱處理。例 如在日本特開平3—74851號公報(下述之「專利文獻丨」)中,開 不有「在比再結晶溫度還要高溫之溫度進行熱處理過之Ag_pd$ 金、Au-Ag-Pd合金等之線體」’在日本特開2〇ι〇-ι71378號公報 中,開示有一種藉抽線加工,使線徑為0. 050mm〜0. 〇l〇mm之含有 8. 00〜30. 〇〇重量%金、66· 00〜9〇 〇〇重量%銀及〇 〇1〜6. 〇〇重 量%鈀之金銀鈀合金線,將金銀鈀合金線之表面洗淨、乾燥及進 行退火處理之合金線製造方法。 但是,Ag-Au-Pd三元合金系接合線,係銀(Ag)含量愈多, 因為捲入大氣中之氧氣而表面張力變小’所以,熔融焊球之焊球 形狀不穩定,而且,因為析出上述氧化物,所以,僅能以超音波 201233817 進行楔接合連接。 ,日,、之料财置在高溫之嚴酷朗環境下,杂 使用於被要求很高可練之車_ ic,或者,動作 : 週波用iC或高亮度_時,在進行過最终退火二 A“u,三元合金系接合線中’高溫特性非常不足。因此實際上, Ag-Au-Pd三το合金系接合線尚未實用化。 [先行技術文獻] [專利文獻1]日本專利綱平3_7觀號公報 [專利文獻2]日本專利特開平9-272931號公報 [專利文獻3]日本專觸開__15()562號公報 【發明内容】 本發日狀目的在於提供—種被難封裝之半導職置,即使 ^㈣及高壓之嚴酷使用環境下被使用,亦能轉與銘焊 二:好連接可靠性且使用於焊球接合用之ΑΗιΗΜ三元合金系 接合線。 本發明人特眼於^,三元合金系接合線,不致如銅 u錢合線般地發生氧化,魏岐圍氣财,脑焊塾接 2高溫連接可靠性曾進行調查。錢錢圍氣體,即使為不完 II: _氛圍氣體’又,即使不使隨氣錢氣之混合氣體, w干球形鱗,僅藉奴氮氣,即可獲得真球度甚高的無氣 201233817 體焊球(FAB)。 X ’本發明人等添加微量的氧化性非貴金屬元素至高純度
Ag_A:Pd三元合金,細微分散在高純度Ag Au_pd三元合金中,藉 此藉由抽、線中的退火熱處理,Lpd三元合金結晶粒不致粗 大化’使加X扭曲變形开去除,在連續模具抽線後的接合線内 僅殘留抽線组織。 用於解決上述課題之本發明半導體裝置用Ag_Au_pd三元合 金系接合線,係由純度99. 99 f量%以上之銀(Ag)、純度99·, ΐ量%以上之金(Au)及純度99. 99 f量%以上之把⑽)所構 成的二凡合金系接合線,其特徵在於:其由4〜10質量%之金 (Au) 2〜5貪之把⑽)、15〜70質量ppm之氧化性非貴金 屬添加元素及餘量為銀(Ag)所構成,該接合線在連續模具抽線 刖,經予退火熱處理,在連續模具抽線後,予以調質熱處理,在 氮氣氛圍氣體中予以焊球接合。 (Ag-Au-Pd三元合金) 本發明之Ag-Au-Pd三元合金,係由4〜1〇質量%之金(Au)、 2 5貝里%之|巴(pd)及餘量為銀(Ag)所構成的完全均勻固溶 合金。 在本發明中,使銀(Ag)為84質量%之餘量,係因為明白當 與純叙(A1)焊墊或鋁合金焊墊連接時,在大氣中形成的銀(Ag) 與銘(A1)之金屬間化合物,於氮氣氛圍氣體中幾乎不形成。 又’在本發明中,金(Au)在氮氣氛圍氣體中,金(Au)與 201233817 紹㈤間不會形成金屬間化合物,而且,具有在第工接合時, 使麟相真瞧合嫩。蝴财,使金(Au)為4 二#超過1Q f _ ’ W球之形成溫 度,會形成氧錄非貴金屬綠之氧化物,無法獲得· 當未滿4質量%時,炫轉球變得不穩定,無法· 之真球度。金㈤以6〜9 f量%之範圍内為宜。 又,在本發明中,纪⑽具有在第1接合時,阻止銀㈤ 與1呂(A1)之金相化合物形叙效果,具有半導體元件在 南溫高濕環境下使用時,抑制銀㈤翻(M)之金屬間化合 物劣化的效果。 在先前銀接合線之情形下,在此等接合界面會生成金屬間化 合物Ag2Al。 此八糾與焊球之界面在含有水分之環境下會雜,生成仏 與歸。在本申請案之Ag如_微量添加元素〇之情形下,在 與焊球間會生成_與阳濃化層,能抑制軸之雜。 ★第1圖:^圖所不’當為銀接合鱗’於經傾合的焊球 與糾墊之界面上,會形成域金屬間化合物’在含有水分之環 境下’腐财進行(參考第j⑻圖)。 、相對於此’在本_之Ag-Au-Pd三元合錢合線之情形下, 如第1 (A)圖所示’相同地在焊球接合界面上,雖然會形成刷 金屬間化合物’但是’ Au與pd之相溶性良好,在焊球側會形成 AU2A1與Pd濃化層以抑制銘之顧,剪力強度及可靠性顯著 201233817 提高。 尸使把(Pd)為2〜5質量%之原因在於:當超過5質量%時, 在氮氣氛圍氣體中形成·融焊球_得太硬,當未滿2質量% 時,無法確保抑制銀(Ag)油(A1)之金屬間化合物劣化之效 果。鈀(Pd)以於3〜5質量%範圍内為宜。 (氧化性非責金屬添加元素) 在本發明中,氧化性非貴金屬添加元素係15〜70質量酬。 在本發明中’雖然銀㈤之純度為99. 99質量%以上,但是實 質上不可避免不純物為2〇ppm左右。該不可避免不純物亦也與 氧化性非貴金加元素―同細微分散於Ag_Au_pd三元合金中, 藉銷釘岐⑽by Pln)_,發揮防止Ag如阳三元合金结晶 粒粗大化之絲。氧化_貴金屬添加元素之主要效果,在於提 向接合線之機械性特性,或者,提高第1接合時的壓接焊球之真 圓性。當氧化性非貴金屬添加騎最多為7G質量_以下時,即 使將Ag-Au-PG元合金在大氣巾退火熱歧,於合金表面不會產 生較厚的氧細以變色。氧化性非貴金屬添力4素宜為20〜 6〇ppm,較宜為 20〜50 ppm。 至於氧化性非貴金屬添加元素,則有約(Ca)、稀土類元素(卜 La、Ce、EU、Gd、Nc^Sm)i(Be)、mMg)^(Sn)j(in)、 鉍(B〇。宜為㈣(Ca)及稀土類元素,以鑭(La)及鍵(此 尤宜。 ‘ (退火熱處理) 201233817 本發财之退火熱處理,係用於去除“g_Au_pds元合金抽 線加工而狀的加工扭曲變形,以防止加工紐。氧化性非貴金 屬添加元素必須耗細微分散人Agn給金内,所以在熱 。中度無法提向至接近Ag-Au-Pd三元合金融點(約1〇〇〇 。)通*係在500 C加熱2小時、在_。〇加熱3()分鐘或在7〇〇 C加熱100分鐘左右。在退火熱處理後藉由施加抽線加工,在 接錢會形成抽線組織。因此,宜為於最終的連續抽線前,事先 實化退火熱處理。又,當重複退火熱處理時,接合線之抽線組織 會變緻密,所以,顧宜為重複2次以上,但是唯恐影響生產效 率’較宜為重複2〜3次。 (調質熱處理) ▲本《月之。周質熱處理’與金線之情形同樣地,係在管狀爐中, ^ &及速度後’使於拉伸破壞試驗機進行拉伸相整至成為4 义之熱處理。通常係在冒c加熱2秒鐘左右。 "如上所述’本發明之接合線用㈣刊合金線係在氮氣氛圍 乳體中,進行第1接合,所以,炫融焊球與純銘(A1)焊墊或銘 合金焊墊之接合性良好,能確讎接焊球之真圓性,又,即使使 用於高溫高濕下之半導體裝置,在呂⑻之金屬間化合物於第丨 接合之接合界面上,粗缝不會麵展,能確觸定的接合可靠 p。而且,由本發明Ag如pd合金所構成的接合線係機械性質較 車人’所以測平度Ueaning)或縣高度方面並無離散度 spersity) *且,具有由超音波接合而得的第2接合接合強 201233817 度離散度校少的效果。 【實施方式】 [實施例] 溶解鑄造具有表示於表1左攔成分組成之Ag_Au-Pd合金,柚 線加工由直徑iOmm至直徑3mm,在60ITC退火熱處理30分鐘,接 著,抽線加工至直徑0 lmm,在6〇{rc退火熱處理3〇分鐘。其後, 以濕式進行最終的連續抽線,藉此,製造具有2〇#m線徑之本發 明接合線用Ag-Au-Pd合金線(以下稱本發明接合線)丨〜27及不 進入本發日紐_之比m的Ag_Au_pd合金線(以下稱比較接 合線)28〜36。設定此等本發明接合線丨〜27及比較接合線狀〜 3^Kulicke&Soffa製接合線接合機(商品名:Max/zmultra) 上’在載置於半導體IC晶片之由A1_〇. 5質量%Cu合金所製成5〇 _四方形A1合金輕上’製作錢魏_體吹拂下,目標% 及HAST可靠性之評估 _之_ ’在加熱溫度為·。c,環套長度為—,環套高心 220_ ’ |接焊球直徑為48卿壓接焊球高度為…⑺之條件 進行接合’以進行FAB魏度、真圓性之離散度、第i焊球❿ 〈FAB真球度之評估方法〉 測量FAB之X ’藉由其差值 對於各種合金組成,以接合機製作⑽個刚, (與接合線成方向)及y (接合線方向) 予以評估。此等評估結果示於表】右側搁。又 201233817 〈真圓性離散度之評估方法〉 對於各種合金组成,測量在評側IC晶片上接合謂條時之 壓接焊球之X方向(與施加超音波方向麵直)及丫方向(施加 超曰波之方向)之長度’評估其比之離散度。此等評估結果表示 於表1右側搁。 〈第1輝球努切之評估方法〉 對於各種合金組成’以接合機對專用ic晶片進行接合,針對 1〇〇點’使用Dage公司製商品名「萬能接合測試機⑽(侧 本)」進仃第1祕知球之剪切強度評估。此等評估結果表示於 表1右側欄。 〈HAST可靠性之評估方法〉 :於各種合金喊,以接合機_丨⑻(引腳)進 Si:用:塑勝樹崎’製作電阻測量用試樣。將該試 1力2. 2大氧壓之條件下, 阻使用k_ley公司製商品^、、旦92二喊,測量電阻。電 型)」,以專用的m° A源里測器(source meter )(2004 量方法以所ι'/Γ及專⑴編自動測量系統進行測量。測 鄰接的外部導腳間(選擇IC曰片捏里$針流入一定電流至 針間之電壓。 曰曰片接塾形成短路的對),測量探 ’在放置於HAST裝置 評估電阻上昇率。此 電阻係針對外部導腳⑽對⑽ 續放置於HAS丁裝置後進行電阻測量, 201233817 等評估結果示於表1右側欄。 〔表1〕
含有元素(質量%) 氧化性非貴金屬元素(質量 ppm) 評估項目 Ag Au Pd Ca La Eu Be FAB 真圓 第1 HAST 可 真球 性之 焊球 靠性 -度 離散 剪切 度 實施 1 餘量 4 2 0 5 10 0 〇 〇 〇 〇 品 2 餘量 4 3 5 10 15 5 〇 〇 ◎ ◎ 3 餘量 4.5 4 10 15 20 10 〇 〇 〇 ◎ 4 餘量 4. 5 5 15 20 0 0 〇 〇 ◎ ◎ 5 餘量 5 2 20 0 5 5 ◎ ◎ ◎ 〇 6 餘量 5 2.5 0 5 10 10 ◎ ◎ ◎ 〇 7 餘量 5.5 3 5 10 15 0 ◎ 〇 ◎ ◎ 8 餘量 5,5 3.5 10 15 20 5 ◎ ◎ ◎ ◎ 9 餘量 6 4 15 20 0 10 ◎ ◎ ◎ ◎ 10 餘量 6 4.5 20 0 5 10 ◎ 〇 ◎ ◎ 11 餘量 6.5 5 0 5 10 5 ◎ ◎ ◎ ◎ 12 餘量 6. 5 2 5 10 15 10 ◎ ◎ ◎ 〇 13 餘量 7 2 10 15 20 0 ◎ 〇 ◎ 〇 14 餘量 7 2.5 15 20 0 5 ◎ ◎ ◎ 〇 15 餘量 7.5 2.5 20 0 5 10 ◎ ◎ ◎ 〇 16 餘量 7.5 3 0 5 10 0 ◎ 〇 〇 ◎ 17 餘量 8 3 5 10 15 5 ◎ ◎ ◎ ◎ 18 餘量 8 3,5 10 15 20 10 ◎ ◎ 〇 ◎ 19 餘量 8.5 3.5 15 20 0 0 ◎ 〇 ◎ ◎ 20 餘量 8.5 4 20 0 5 5 ◎ ◎ ◎ ◎ 21 餘量 9 4 0 5 10 10 ◎ ◎ ◎ ◎ 22 餘量 9 4.5 5 10 15 0 ◎ 〇 ◎ ◎ 23 餘量 9.5 4.5 10 15 20 5 〇 〇 ◎ ◎ 24 餘量 9,5 5 15 20 0 10 〇 〇 ◎ ◎ 25 餘量 10 5 20 0 5 0 〇 〇 ◎ ◎ 26 餘量 10 2 0 5 10 5 〇 〇 ◎ 〇 27 餘量 4 5 5 10 15 10 〇 〇 ◎ ◎ 比較 28 餘量 5 0 0 40 30 0 〇 〇 〇 X 品 29 餘量 6 1 10 0 40 5 ◎ ◎ 〇 X 30 餘量 7 6 20 10 0 10 ◎ ◎ △ X 31 餘量 8 1 30 20 10 0 ◎ 〇 〇 X 12 201233817
32 餘量 9 6 40 30 1〇 ~~ 5 〇 〇 X X 33 餘量 1 2 0 40 30 10 △ Δ △ Y 34 餘量 L 3 10 0 40 0 △ △ Δ X 35 餘量 3 4 20 10 0 5 Δ △ △ X 36 餘量 11 5 30 20 10 10 △ Δ X X 表1右側欄中,fab真球度係表示觀察結果,◎係、差值為1 ’以内,◦係差值為2"m以内,△係差值超過2_。 表1右侧欄t,真圓性離散度係表示標準偏差之數值,◎係 未滿 0· 8 ’ ◦係 0. 〇,△係 h 〇Μ. 5,χ 係超過 h 5。 表1右侧欄令,帛1焊球剪切係表示剪切負載值,◎係邮 以上’〇係12gf以上’ △係1〇 gf以上’未滿师或產生焊球 剝離之情形則以X表示。 表1右侧攔中’ HAST可靠性係表示相對於放置在HAST裝置 前電阻值之放置於HAST裝置後電阻值之上昇率,◎係娜以下, 〇係50%以下,X係超過50%。 由表1右欄所示結果可知,本發明引線係㈣焊球之真球度 2好’壓接焊球之真圓性良好1 !焊球之接合性良好,職可 靠性良好’相對於此’比較引線25〜31在此等特性中至少一項為 不良。 ‘ 、本發日狀接合線在高溫高濕之用途中,可於在被要求低 成本之1C雜或甚難使關接合線之IG _裝(層疊式1C、 ic) ’或者,車載用或高亮度LED用半導體等用途。
S 13 201233817 【圖式簡單說明】 第1 (A)圖係表示本發明Ag-Au-Pd三元合金系引線與鋁焊墊 接合界面之圖面;第1 (B)圖係表示本發明Ag引線與鋁焊墊 接合界面之圖面。 【主要元件符號說明】

Claims (1)

  1. 201233817 七、申請專利範圍: 1.種銀金—纪二元合金系接合線’係由純度99. 99質量%以 上之銀、純度99. 999質量%以上之金及純度99, 99質量% 以上之鈀所構成,其特徵在於:其由4〜1〇質量%之金、2 〜5質量%之鈀、15〜70質量ppm之氧化性非貴金屬添加元 素及餘量為銀所構成,該接合線在連續模具抽線前,經予退 火”’'處理,在連續模具抽線後,予以調質熱處理,使能於氮 氣氛圍氣體中進行焊球接合。 2·如申請專利範圍第1項所述之銀_金_鈀三元合金系接合線,其 中前述金係6〜9質量%,鈀係3〜5質量%。 3_如申請專利範圍第1項所述之銀-金巴三元合金系接合線,其 中刖述氧化性非貴金屬添加元素係鈣。 4. 如申請專利範圍第1項所述之銀-金-I巴三元合金系接合線,其 中則述氧化轉貴金屬添加元素係稀土類元素。 5. 如申請專利範圍» 1項所述之銀-金-把三元合金系接合線,其 中雨述氧化性非貴金屬添加元素係鋼。 6. 如申請專利範圍» 1項所述之銀-金-把三元合金系接合線,其 201233817 中前述退火熱處理係重複2次以上。 7.如申請專利範圍第1項所述之銀-金-鈀三元合金系接合線,其 中前述退火熱處理之溫度較前述調質熱處理之溫度高。 S 16
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681568A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 赫劳斯材料工艺有限及两合公司 用于接合应用的银合金引线
CN103811449A (zh) * 2012-11-07 2014-05-21 乐金股份有限公司 焊球凸块结构及其形成方法
TWI510651B (zh) * 2012-09-12 2015-12-01 田中電子工業股份有限公司 銀金鈀系合金凸塊線
TWI565841B (zh) * 2015-09-01 2017-01-11 光大應用材料科技股份有限公司 多鍍層銀線及其製法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201216300A (en) * 2011-07-11 2012-04-16 Profound Material Technology Co Ltd Composite silver thread
JP6103806B2 (ja) * 2011-12-26 2017-03-29 タツタ電線株式会社 ボールボンディング用ワイヤ
US8940403B2 (en) * 2012-01-02 2015-01-27 Wire Technology Co., Ltd. Alloy wire and methods for manufacturing the same
CN102912176B (zh) * 2012-09-21 2014-12-17 宁波康强电子股份有限公司 高端封装银合金键合丝及其制备方法
JP2014107418A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP6276501B2 (ja) * 2012-12-07 2018-02-07 田中電子工業株式会社 白色発光ダイオード用ボンディングワイヤ
KR101513493B1 (ko) * 2013-02-19 2015-04-20 엠케이전자 주식회사 은 합금 본딩 와이어
TWI536397B (zh) * 2013-02-21 2016-06-01 光洋應用材料科技股份有限公司 Silver alloy soldered wire for semiconductor packages
JP5529992B1 (ja) * 2013-03-14 2014-06-25 タツタ電線株式会社 ボンディング用ワイヤ
JP5399581B1 (ja) * 2013-05-14 2014-01-29 田中電子工業株式会社 高速信号用ボンディングワイヤ
JP5680138B2 (ja) 2013-05-15 2015-03-04 田中電子工業株式会社 耐食性アルミニウム合金ボンディングワイヤ
KR102215169B1 (ko) * 2013-06-20 2021-02-10 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 반도체 장치
JP6132716B2 (ja) 2013-09-10 2017-05-24 株式会社東芝 金属粒子ペースト、これを用いた硬化物、および半導体装置
KR101582449B1 (ko) 2013-09-12 2016-01-05 엠케이전자 주식회사 은 합금 본딩 와이어 및 이를 이용한 반도체 장치
CN103779309A (zh) * 2014-01-20 2014-05-07 江西蓝微电子科技有限公司 镀金金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
WO2015152191A1 (ja) 2014-03-31 2015-10-08 日鉄住金マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法
MY162021A (en) 2014-03-31 2017-05-31 Nippon Micrometal Corp Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same
CN103996668A (zh) * 2014-05-30 2014-08-20 江西蓝微电子科技有限公司 银镧钙合金键合丝及其制造方法
SG11201601519YA (en) 2014-07-10 2016-04-28 Nippon Steel & Sumikin Mat Co Bonding wire for semiconductor device
JP6354467B2 (ja) * 2014-09-01 2018-07-11 株式会社デンソー 半導体装置
KR20160030777A (ko) * 2014-09-11 2016-03-21 엠케이전자 주식회사 은 합금 본딩 와이어 및 그의 제조 방법
JP5669335B1 (ja) * 2014-09-26 2015-02-12 田中電子工業株式会社 銀金合金ボンディングワイヤ
CN104372197A (zh) * 2014-09-26 2015-02-25 四川威纳尔特种电子材料有限公司 半导体封装用银合金线及其制备方法
SG10201508104TA (en) * 2015-09-29 2017-04-27 Heraeus Materials Singapore Pte Ltd Alloyed silver wire
TWI621720B (zh) 2016-04-28 2018-04-21 日鐵住金新材料股份有限公司 半導體裝置用接合線
US11342299B2 (en) 2016-04-28 2022-05-24 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor devices
WO2017221434A1 (ja) 2016-06-20 2017-12-28 日鉄住金マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
US10658326B2 (en) 2016-07-20 2020-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Bonding wire having a silver alloy core, wire bonding method using the bonding wire, and electrical connection part of semiconductor device using the bonding wire
CN110146503B (zh) * 2019-05-28 2022-02-25 青岛歌尔微电子研究院有限公司 介面金属共化物的覆盖率检测方法
WO2021065036A1 (ja) * 2019-10-01 2021-04-08 田中電子工業株式会社 ワイヤ接合構造とそれに用いられるボンディングワイヤ及び半導体装置
WO2021100583A1 (ja) * 2019-11-22 2021-05-27 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ
WO2021205931A1 (ja) 2020-04-07 2021-10-14 日鉄マイクロメタル株式会社 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ及び半導体装置
KR20230069202A (ko) 2020-10-20 2023-05-18 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤 반도체 장치용 Ag 합금 본딩 와이어
CN112342426A (zh) * 2020-11-10 2021-02-09 汕头市骏码凯撒有限公司 新型银合金键合丝及其制造方法
CN116005118A (zh) * 2022-12-05 2023-04-25 丰睿成科技(深圳)股份有限公司 超细混合高金丝及其真空磁控溅射镀金工艺、生产设备

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55158642A (en) * 1979-05-30 1980-12-10 Noge Denki Kogyo:Kk Bonding alloy wire for assembling semiconductor device
JPS60177639A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS6427237A (en) * 1987-04-28 1989-01-30 Kobe Steel Ltd Complex bonding wire
JPH01110741A (ja) * 1987-07-10 1989-04-27 Kobe Steel Ltd 複合ボンディングワイヤ
JPS6455834A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Kobe Steel Ltd Manufacture of composite bonding wire
JPH01162343A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Kobe Steel Ltd ボンディングワイヤ
JPH0279439A (ja) * 1988-09-14 1990-03-20 Kobe Steel Ltd ボンディングワイヤのボールボンディング方法
JPH0374851A (ja) 1989-08-16 1991-03-29 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体素子用ボールボンディング線
JPH03174851A (ja) 1989-09-29 1991-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディジタル被変調信号復号装置
JP3527356B2 (ja) 1996-04-04 2004-05-17 新日本製鐵株式会社 半導体装置
JP3650461B2 (ja) 1996-04-04 2005-05-18 新日本製鐵株式会社 半導体素子用金合金細線
JPH10303238A (ja) 1997-04-25 1998-11-13 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体素子ボンディング用金合金線
JP3612180B2 (ja) * 1997-08-20 2005-01-19 新日本製鐵株式会社 半導体素子用金銀合金細線
JPH11288962A (ja) * 1998-04-01 1999-10-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンディングワイヤ
JP3329286B2 (ja) 1998-11-09 2002-09-30 三菱マテリアル株式会社 半導体装置のボンディング用金合金細線
US20080050267A1 (en) * 2004-09-30 2008-02-28 Hiroshi Murai Au Alloy Bonding Wire
JP4596467B2 (ja) * 2005-06-14 2010-12-08 田中電子工業株式会社 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線
JP2008251635A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tanaka Electronics Ind Co Ltd 高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線
JP5116101B2 (ja) * 2007-06-28 2013-01-09 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体実装用ボンディングワイヤ及びその製造方法
TW201028227A (en) 2009-01-23 2010-08-01 jun-de Li Method for manufacturing composite metal wire and product thereof
US8101123B2 (en) * 2009-03-23 2012-01-24 Lee Jun-Der Composite alloy bonding wire and manufacturing method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681568A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 赫劳斯材料工艺有限及两合公司 用于接合应用的银合金引线
TWI510651B (zh) * 2012-09-12 2015-12-01 田中電子工業股份有限公司 銀金鈀系合金凸塊線
CN103811449A (zh) * 2012-11-07 2014-05-21 乐金股份有限公司 焊球凸块结构及其形成方法
TWI565841B (zh) * 2015-09-01 2017-01-11 光大應用材料科技股份有限公司 多鍍層銀線及其製法

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