TW201230136A - Electrode for fluorescent lamp and fluorescent lamp - Google Patents

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201230136 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種螢光燈。 【先前技術】 顯示裝置之背光、及各種生產步 螢光燈廣泛用於照明、顯六 驟中之光照射等用途。 於螢光燈之電極、尤其是熱陰極螢錢之電極中，通常 情形時使用包含鶴（包括鎢合金）之燈絲。但是，為提高營 於此種燈絲之表面設置有稱為發 藉此，電極之功函數降低，從而 光燈之啟動性及燈效率，方 射極之電子釋放性物質。| 促進放電時之熱電子釋放。 又，尤其是於冷陰極螢光燈之電極中，使用包含錄（包 括鎳合金）、鉬（包括鉬合金）、鎢（包括鎢合金）之杯狀之電

料（基材）之内表面設置導電性鈣鋁石化合物，可使螢光燈 之放電開始電壓降低（專利文獻丨）。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:國際公開第WO 2009/145200號 【發明内容】 發明所欲解決之問題 導電性鈣鋁石化合物與電極材料（基材）相比，對汞或稀 有氣體之離子之濺鍍·有良好之耐性。因此，電極之設置有 導電性鈣鋁石化合物之區域遍及長時間而比較穩定。 159468.doc 201230136 然而，於專利文獻w記載之技術令，並未於杯狀之電 極材料之端面設置導電性仙石化合物，端面為露出之狀 態。因此，若於放電期間電極材料之露出部受到利用汞或 稀有氣體之離子等的義，則可能會產生電極材料自露出 部飛散之問題。 此種現象因與電極之消耗、進而螢光燈之壽命之短時間 化相關聯，故不佳。 又，飛散之濺鍍物質附著於位於電極之外側的玻璃管之 内壁而形成附著物。由於該附著物於通常情形時為黑色， 故若此種附著物附著於玻璃管之内壁，則螢光燈變得昏 暗，並且螢光燈之外觀變差。進而，於為通常之螢光燈之 情形時，電極之外表面與玻璃管之内壁之間之間隔並非很 寬廣。因此，若附著物之量變得明顯，則玻璃管與電極會 經由該附著物而電性接觸。若產生此種現象，則有玻璃管 被加熱而加速螢光燈之劣化之虞。 本發明係鑒於此種問題而完成者，本發明之目的在於提 供一種對利用離子之濺鍍有顯著之耐性且可遍及長期而適 且地使用之螢光燈用之電極、及具有此種電極之螢光燈。 解決問題之技術手段 本發明提供一種電極，該電極之特徵在於：其係螢光燈 用之電極，且該電極具有離子碰撞而參與放電之放電區 域，遍及該放電區域之整體而設置有導電性鈣鋁石化合 物。 此處’本發明中之電極亦可具有杯狀之形狀。 159468.doc 201230136 又’本發明之電極亦可包括導電性之基材、及設置於該 基材之表面的上述導電性鈣鋁石化合物之層。 進而本發明乂供一種螢光燈’該螢光燈之特徵在於： 其包括：燈管，其具有填充有放電氣體之内部空間；螢光 體，其設置於該燈管之内表面；及電極，其於上述内部空 間使放電產生且維持該放電；且上述電極係具有如上所述 之特徵者。 於本發明之螢光燈中，上述放電氣體為汞、與選自由 風、氖及氪所'组成之群中之至少一誠體之混合氣體， 又，亦可為氙、氙及氦'氬及氮、或一氧化碳。 發明之效果 本發明可提供-種對利用離子之賤鑛有顯著之耐性且可 遍及長期而適宜地使用之螢光燈用之電極、及具有此種電 極之螢光燈。 【實施方式】 以下，參照圖式對本發明進行說明。 首先，為更佳地理解本發明之特徵，參照圖⑶先前之 螢光燈之構成及動作簡單地進行說明。 圖1表示先前之登光燈之概略性之剖面圖。 如圖1所示，先前之螢光燈Μ 兀*且10包括：具有放電空間20」 包含玻璃等之管狀之燈管3〇、一 組電極40Α、40Β、及； 封部51。 1 膜6〇及螢光體70。於放電 ’所謂放電氣體係指封入 於燈管30之内表面設置有保護 空間2〇内封入有放電氣體。此處 159468.doc 201230136 於放電空間20内之氣體，具體而言為包含汞、與選自由 氬、氖及氣所組成之群中之至少一種氣體之混合氣體、或 者氙、氙及氦、氬及氮、或一氧化碳之氣體。 密封部5 1於螢光燈1 〇之兩端以密閉燈管3〇之放電空間2〇 之方式而設置。 各電極40A、40B包括杯狀之基材42、及設置於該基材 42之内表面之導電性鈣鋁石化合物之層45。 於杯狀之基材42之一部分連接有導電性之導線55之一 端。導線55之另一端貫通密封部51而導出至螢光燈1〇之外 部。導線55用作對電極4〇A、40B施加電壓時之端子。 於此種螢光燈10之構成中，經由導線55而對電極4〇A、 40B之間施加電壓。導電性鈣鋁石化合物之功函數為2 4 eV，比較低，且有導電性。因此，於電極中設置有導電性 鈣鋁石化合物之螢光燈於啟動時，即便為較小之施加電壓 亦可開始利用2次電子釋放之放電（再者，因於通常情形時 對兩電極40A、40B施加交流，故任一電極均成為陽極及 陰極）。 其次’電子之一部分與封入於燈管3〇之放電空間2〇内之 汞原子碰撞。藉此，汞原子被激發，於經激發之汞返回至 基底狀態時釋放出紫外線。所釋放出之紫外線照射至燈管 3 0之螢光體70，藉此，自螢光體7〇產生可見光線。 進而，導電性鈣鋁石化合物藉由該放電而被自我加熱， 根據放電之條件而迅速地轉移至熱電子釋放階段。於此情 形時’可更有效地釋放電子。 159468.doc 201230136 藉由以上一系列之過程’可自榮光燈10中使可見光線釋 放。 再者，導電性鈣鋁石化合物之層45與基材42相比，對放 電氣體之離子之濺鍍有良好之耐性。因此，電極4〇A、 40B之「放電區域」中之設置有導電性鈣鋁石化合物之層 45之區域的劣化比較少，且可遍及•長時間而比較穩定地存 在。 此處’需要注意的是「放電區域」之用語係指電極中之 離子碰撞而參與放電之區域整體。例如，於為如圖1所示 之杯狀之電極4〇A、40B之情形時，「放電區域」係指杯狀 之基材42之内表面（由導電性鈣鋁石化合物之層45覆蓋之 區域及杯狀之基材42之底面之部分）、與杯狀之基材42之 私面42C之部分合在一起之區域。由於杯狀之基材42之外 表面即與燈管30之内表面對向之面與燈管3〇之内表面之距 離為0.2 mm左右，故不放電。 然而，於電極40 A、40B之放電區域存在未設置導電性 鈣鋁石化合物之層45之部位。即，於基材42之端面42C未 設置導電性鈣鋁石化合物之層45。 於螢光燈10之放電期間，若露出此種基材42之放電區域 受到利用離子之濺鍍，則可能會產生構成基材42之物質飛 散至周圍之問題。 由於此種現象與由基材42之消耗即電極4〇A、4〇B之消 耗引起之螢光燈1 0之壽命之短時間化相關聯，•故不佳。 又’於飛散之物質以覆蓋導電性鈣鋁石化合物之層45之 159468.doc 201230136 方式堆積之情形時，由於導電性鈣鋁石化合物之良好之電 子釋放特性得不到發揮，故不佳。進而，⑤飛散之物質堆 積於位於電極40A、40B之外側的燈管30之内壁之情形 時，由於該堆積物通常情形時為黑色，故若此種堆積物附 著於燈管30之内壁，則螢光燈1〇變得昏暗，並且螢光燈10 之外觀變差。進而，於為通常之螢光燈1〇之情形時電極 40A、40B之外表面與燈管3〇之内壁之間隔並非很寬廣。 因此，若朝燈管30之内壁之堆積物之量變得明顯，則燈管 30與電極40A ' 40B會經由該堆積物而電性接觸。若產生 此種現象，則有燈管30被加熱而加速螢光燈1〇之劣化之 虞。 相對於此，如以下詳細地所示般，本發明具有電極之放 電區域整體由導電性鈣鋁石化合物之層覆蓋之特徵。此種 電極對利用放電氣體之離子之濺鍍的耐性較高，且電極可 遍及長時間而穩定地使用。因此，本發明可使電極、進而 螢光燈之壽命提高。 又’本發明顯者地抑制附著於燈管之内壁之附著物之 量’藉此’可減輕螢光燈之外觀變差、或燈管經由附著物 而被加熱、從而加速螢光燈之劣化之問題。 進而，一般而言，於因濺鍍而使飛散物堆積時，於堆積 物中取入存在於放電空間20中之采或稀有氣體等放電氣體 之情況較多。因此’於先前之螢光燈10中，伴隨飛散物之 堆積量之增加’成為電漿源之放電氣體之量下降，藉此， 可能會產生勞光燈10之壽命減少之問題。然而，於^發明 159468.doc 201230136 中，由於飛散物之量減少，藉此，可獲得可顯著地抑制所 取入之放電氣體之量、從而可顯著地抑制螢光燈之壽命之 減少之追加之效果。 (關於本發明之螢光燈） 以下，參照圖2對本發明之螢光燈詳細地進行說明。圖2 係表示本發明之螢光燈之概略性之一例之剖面圖。 如圖2所示，本發明之螢光燈1〇〇包括：具有放電空間 120且包含玻璃等之管狀之燈管13〇、一對電極14从、 140B、及密封部151。 螢光燈100例如亦可用作熱陰極螢光燈、冷陰極螢光燈 等。 於燈管130之内表面設置有保護膜16〇及螢光體17〇 ^於 放電空間120内封入有放電氣體，放電氣體使用汞、與選 自由氬、氖及氪所組成之群中之至少一種氣體之混合氣 體、或者氤、氣及氦、氬及氮、或一氧化碳。保護膜16〇 藉由防止燈管U0中所含之鈉之溶出，主要藉由抑制汞與 鈉之化合物生成之情況，而具有防止螢光燈内壁黑化之作 用。其中，保護膜160之設置任意。 密封部151於螢光燈100之兩端以密閉燈管13〇之放電空 間之方式設置。再者，於圖2之例中，密封部i5i形成為與 燈管130—體化之單一之構件。然而，密封部151亦可包括 與燈管130不同之構件。 電極140具有基材142、及導電性鈣鋁石化合物之層 145。基材142具有杯狀之形狀。 I59468.doc 201230136 於基材142之一部分連接有導電性之導線155之一端。導 線155用作對電極140A、140B施加電壓時之端子。於圖2 之例中’導線155之一端插入在設置於基材142之中央部之 開口 159内。但是，其為一例，基材142與導線1 55之連接 方法並無特別限定。又’基材142與導線155亦可構成為一 體化物。再者’導線155之另一端貫通密封部151而導出至 螢光燈100之外部。 如上所述，導電性妈铭石化合物之層14 5以覆蓋電極 140A、140B之放電區域整體之方式設置於基材ι42上。 即，於電極140A、140B中，導電性鈣鋁石化合物之層145 亦設置於基材142之端面142C上。因此，本發明之螢光燈 1〇〇可減輕或抑制由汞或稀有氣體之離子等之濺鍍引起之 基材142之消耗。又，藉此，可使電極14〇A、140B '進而 螢光燈100長哥命化。進而，朝燈管13〇之内壁之堆積物之 量減少，從而可減輕螢光燈1〇〇之外觀變差、或燈管13〇經 由附著物而被加熱、從而加速螢光燈1 〇〇之劣化之問題。 又’隨之，可顯著地抑制取入至堆積物中之放電氣體，從 而可顯著地抑制螢光燈1〇〇之壽命之減少。 再者，於圖2中’導電性鈣鋁石化合物之層145除設置於 電極140A、140B之放電區域以外亦設置於與燈管13〇之内 表面對向之面之一部分。然而，其為一例，導電性鈣鋁石 化合物之層145之設置部分並不限定於圖2所示之態樣。例 如圖3所示’導電性4弓銘石化合物之層145亦可僅設置 於電極140A、140B之放電區域。 159468.doc 201230136 (關於本發明之螢光燈之各構件之詳細内容） 其次’對本發明之螢光燈100之電極l4〇A、14〇B及榮光 體no詳細地進行說明。再者，關於燈管13〇、密封部 151、及保護膜160等構件，由於其規格對本領域技術人員 而言十分明瞭’故省略其記載。 (電極 140A、140B) 如上所述’本發明之電極l4〇A、i4〇b包括基材142、及 導電性#5紹石化合物之層14 5。 基材142只要具有導電性，亦可包含任何材料。作為基 材142之普通之材料，有鎳（包括鎳合金）、鉬（包括鉬合 金）、及鎢（包括鎢合金）等。 此處，所謂「導電性㈣石化合物」係肋石化合物中 之顯現導電性之化合物之總稱。 又，所謂「鈣鋁石化合物」係具有籠（cage)結構之 :2Ca(>7Al203(以下亦稱為「C12A7」）及具有與〇2八7同 等之結晶結構之化合物（同型化合物）之總稱。 一般而言，鈣鋁石化合物於籠之中包藏有氧離子，尤 其’該氧離子稱為「游離氧離子」。 又，該「游離氧離子」冑由還原處理等可由電子取代其 一部分或全部，尤其，電子密度為1.OxlO15 Cm-3以上者成 為「導電性鈣鋁石化合物」。「導電性鈣鋁石化合物」因如 其名所不般具有導電性，故可用作如本發明般之電極材 料。 於本發明中，「導電性鈣铭石化合物」之電子密度較佳 159468.doc 201230136 為1.0X10 cm-3以上，更佳為^^…今em-3以上，進而較 佳為l.OxlO20 cm·3以上。於導電性鈣鋁石化合物之電子密 度低於l.OxlOU cm·3之情形時，用於電極時之電極之電阻 增大β 再者，於本申請案中，所謂導電性約紹石之電子密度係 指藉由以電子自旋共振裝置（ESR⑷ectr〇nic resonance)裝置）進行測定而獲得之自旋密度之測定值或 藉由根據光吸收測定獲得之吸收係數之測定值而計算出之 值。一般而言，於電子密度小於10i9 cm-3之情形時，較佳 為使用電子自旋共振裝置進行測定，於超過1〇ls cm-3之情 形時，較佳為如以下般根據光吸收測定而計算電子密度。 首先，使用分光光度計對利用導電性鈣鋁石之籠中之電 子的光吸收之強度進行測定，並求出於2.8 eV時之吸收係 數。其次，利用該獲得之吸收係數與電子密度成比例而測 疋導電性辦鋁石之電子密度。又，於導電性鹤鋁石為粉末 等而難以藉由光度計測定透射光譜之.情形時，使用積分球 測疋光擴散光s酱，並根據藉由庫貝卡_孟克（Kubelka_Munk) 法而獲得之值計算導電性鈣鋁石之電子密度。 再者’於本發明中，導電性鈣鋁石化合物只要具有包含 #5 (Ca)、紹（A1)及氧（0)之C12A7結晶結構，選自由辦 (Ca)、鋁（A1)及氧（〇)之中之至少1種原子之一部分或全部 亦可由其他原子或原子團取代。例如，鈣（Ca)之一部分亦 可由鎂（Mg)、锶（Sr)、鋇（Ba)、鋰（Li)、鈉（Na) ' 鉻（Cr) ' 錳（Mn)、鈽（Ce)、鈷（Co)、鎳（Ni)及/或銅（Cu)等原子取 159468.doc •12- 201230136 代。又，鋁（A1)之一部分亦可由矽（Si)、鍺（Ge)、硼（B)、 鎵（Ga)、鈦（Ti)、錳（Mn)、鐵（Fe)、鈽（Ce)、镨（pr)、銃 (Sc)、鑭（La)、釔（γ)、銪（Eu)、镱（Yb)、鈷（co)、鎳（Ni)及 / 或試（Tb)等取代。又’籠之骨架之氧亦可由氮（N)等取代。 又’導電性鈣鋁石化合物較佳為12CaO,7Al2〇3化合物、 12Sr〇7Al2〇3化合物、該等之混晶化合物、或該等之同型 化合物。 於本發明中，並不限定於該等，作為導電性鈣鋁石化合 物’例如可考慮下述（1)〜(4)所示之化合物。 (1) 構成C12A7化合物之骨架之鈣（Ca)之—部分由鎂（Mg) 或锶（Sr)取代的鈣鎂鍅（Cai yMgy)]2AlM〇33、或鈣鏍锆 (Ca|-zSrz)12A114〇33。再者，較佳為y及z為〇_1以下。 (2) 作為矽取代型鈣鋁石之Cai2All()Si4〇35。 (3) 籠中之游離氧離子由H-、h2-、H2-、〇·、〇2.、〇H-、 F_、Cl.、Br·、S2-或Au-等陰離子取代之例如cauAii4〇32: 20H·或 Ca12Al14032 : 2F·。 (4) 陽離子及陰離子均經取代之例如和田石

Ca12Al1()Si4〇32 : 6CT。 於本發明中，導電性㈣石化合物之導電率例如藉由還 原性環境下之熱處理等可比較容易地進行調整。 導電性鈣鋁石化合物之層145之厚度並無特別限定，但 厚度例如為0,1 μιη〜2 mm之範圍。若未滿〇1㈣，則整體 無間隙而難以進行製膜’若超過2 mm’則有由於與基材之 熱膨脹差而產生裂縫、從而會產生剝離等缺陷之虞。導電 159468.doc -13- 201230136 性鈣鋁石化合物之層之厚度較佳為i μηι〜丨mm之範圍，進 而較佳為10〜500 μηι之範圍。 (螢光體170) ' 作為螢光體170，例如，可單獨或混合使用銪活化氧化 釔螢光體 '鈽鈦活化磷酸鑭螢光體、銪活化_磷酸鳃螢光 體、銪活化鋇鎂鍅螢光體、銪錳活化鋇鎂鍅螢光體、鈦活 化飾錯榮光體、鈇活化鈽鎂锆螢光體、及銻活化齒磷酸鈣 螢光體等》 再者，於螢光燈1〇〇中，形狀、大小、瓦特數以及螢 光燈釋放出之光色及顯色性等並無特別限定。關於形狀， 並不限定於如圖2所示之直管，例如，亦可為圓形、二重 %形、雙形、緊凑形、U字形、燈泡形等形狀。關於大 小’例如，亦可為4形〜丨1〇形等。關於瓦特數，例如，亦 可為數瓦特〜數百數十瓦特等。關於光色，例如，有晝光 色、晝白色、白色、溫白色、及燈泡色等。 (關於螢光燈之其他構成） 其次，參照圖4對本發明之螢光燈之其他構成進行說 明。 圖4係表示本發明之螢光燈之其他構成者。再者，於圖4 之螢光燈200中，需要注意的是對與圖2相同之構件附上與 圖2相同之參照符號。 如圖4所示，該螢光燈2〇〇具有與圖2所示之螢光燈相 同之構成。但是，於螢光燈200中，電極240A、240B之構 成與圖2中之電極140八、14〇B不同。即，營光燈_之電 159468.doc -14· 201230136 極240A、240B並非杯狀，而具有板狀之形狀。 更具體而言，電極240A、240B包括板狀之基材242、及 導電性鈣鋁石化合物之層245。板狀之基材242包括2個主 表面247U、247L、2個側面（於圖4僅可見1個側面247S)、1 個上表面247C、及1個下表面247D。導電性鈣鋁石化合物 之層245設置於板狀之基材242之放電區域整體。 再者，電極240A、240B之放電區域相當於將板狀之基 材242之2個主表面247U、247L、包括侧面247S之2個側 面、及1個上表面247C合在一起之區域。再者，由於板狀 之基材242之2個主表面247U、247L與燈管130之内表面之 距離通常為1.0 mm左右以上，故放電。 於此種電極240A、240B之構成中，本領域技術人員應 明瞭亦可獲得如上所述之本發明之效果。 又，如圖5所示，板狀之基材242亦可設置於基座260 上。於此情形時，導電性鈣鋁石化合物之層245設置於板 狀之基材242之2個主表面247U、247L、2個側面（於圖5中 僅可見1個側面247S)、及1個上表面247C上，該等面成為 電極240A、240B之放電區域。 再者，於以上之例中，電極之基材142、242具有杯狀或 板狀之形狀。然而，於本發明中，基材之形狀並不限定於 該等。例如，基材之形狀亦可為柱狀、角錐狀、或角柱狀 等。即，於本發明中較為重要的是電極之放電區域之整體 由導電性鈣鋁石化合物之層覆蓋，只要滿足此條件，基材 之形狀亦可為任何形狀。

S 159468.doc 15 201230136 但是，電極之放電區域不僅為玻璃管之長度方向之剖 面，較佳為於長度方向上亦具有上述放電區域。由於若放 電區域變得狹窄，則電流密度增加，且離子衝擊增加，故 會加速電極之濺鍍，從而電極之壽命減少。因此，由於放 電電流之上限降低，故不佳。 實施例 其次，對本發明之實施例進行說明。 (實施例1) 藉由以下之方法製作於放電區域設置有導電性鈣鋁石化 合物之電極樣品。 (鈣鋁石化合物之合成） 將碳酸鈣（CaCOO之粉末62.7 g、與氧化鋁（A12〇3)之粉末 37.3 g使用球磨機混合（CaC〇3 : Al2〇3=12 : 7(莫耳比》。 其次’使該混合粉末於大氣中以3 〇〇t： /小時之升溫速度升 恤至13 5 0 C，於該溫度下保持6小時。其後，使該燒結體 以3 00°C /小時之冷卻速度降溫至室溫。藉此，可獲得約72 g之白.色固形物。 將其以自動乳妹粉碎而獲得粉末（以下稱為粉末A丨）。 藉由雷射繞射散射法（SALD-2100、島津製作所公司製 造）測定該粉末A1之粒度’結果平均粒徑為2〇 。又，藉 由X射線繞射確認出粉末Α1僅具有i2Ca0:7Al203結構、且 粉末A1為（非導電性）弼紹石化合物。 (對#5铭石化合物之導電性之賦予） 其次’將3 g之粉末A1放入至碳製坩鍋（外徑為50 mm、 159468.doc -16- 201230136 ，蓋上碳製之蓋，並將

内徑為40 mm、且高度為5〇 mm)中 該坩鍋放入至氧分壓設為1〇-3以以 於1300°C下保持2小時。其德，佶ω 上述利用雷射繞射散射法之測定之結果中，粉末Α2之平 均粒徑為20 μιη。又，藉由χ射線繞射確認出粉末八2僅具 有C12A7結構。進而，對粉末八2測定光擴散反射光譜，並 藉由庫貝卡-孟克法求出粉末入2之電子密度。其結果確認 、且粉末A2為導電性 出粉末A2之電子密度為ι 〇χι〇!9 鈣鋁石化合物。 (漿料之製備） 其次’以將異丙醇作為溶劑之濕式球磨機粉碎粉末Α2。 粉碎後經過抽氣過濾、8〇t：空氣乾燥而獲得粉末（以下稱 為粉末A3)。 上述利用雷射繞射散射法之測定之結果中，粉末A3之平 均粒徑為約5 μιη。 其次，以粉末A3 : 丁基卡必醇醋酸酯：松脂醇：乙基纖 維素之重量比成為6:2·4:ι _2 :〇.4之方式向粉末A3中添加丁 基卡必醇醋酸酯、松脂醇、及乙基纖維素，且以自動乳缽 混煉該混合物。其後，使用離心混煉機進一步混煉混合 物’從而獲得包含導電性鈣鋁石化合物之漿料。 (電極樣品之製作） 準備外徑為2.7 mm、内徑為2 4 mm、長度為10 mm之金 159468.doc 17 201230136 屬鎳製之杯。於該杯之至少内表面整體及前端面（圖2之端 面142C之部分）以不產生間隙之方式塗佈漿料。 將該杯於1001下保持丨小時並使之乾燥後，如以下般進 行锻燒處理。 首先’將杯載置於氧化鋁板上，將每個氧化鋁板設置於 碳容器内。 於對碳容器蓋上蓋之狀態下，將碳容器放入至電性爐 内，且將環境排氣至1 x 10·4 Pa。其後，以氮淨化環境後， 使碳容器以15分鐘升溫至500*>c。於該溫度下保持3〇分鐘 以上，充分地分解除去黏合劑成分後，使碳容器以24分鐘 升溫至1300。(：，於該溫度下保持3〇分鐘。其後，使碳容器 急冷至室溫。 藉此，獲得於放電區域整體形成有導電性鈣鋁石化合物 之杯狀電極之樣品（以下稱為「實施例丨之樣品」）。 樣品之包覆部呈綠色。導電性鈣鋁石化合物之膜厚為約 100 μηι。藉由X射線繞射確認出包覆部中僅存在 12CaO_7Al2〇3結構。又，測定光擴散反射光譜，並藉由庫 貝卡-孟克法求出包覆部之導電性鈣鋁石化合物之電子密 度，結果電子密度為2.〇xl〇19cm_3。 (比較例1) 以與上述實施例1之樣品之製作方法相同之方法製作比 較例1之樣品。 但是，於該比較例1中，導電性鈣鋁石化合物之漿料並 非設置於杯之放電區域整體。即，漿料僅設置於杯之内表 159468.doc •18- 201230136 面，而於杯之前端面未設置。因此，於比較例1之樣品 中’於完成後之電極之杯之前端面未設置導電性鈣鋁石化 合物。 (評價） 使用如上所述獲得之實施例1及比較例1之樣品作為電 極’且分別試製如圖2、圖1所示之螢光燈（分別稱為「實 施例1之螢光燈」、「比較例1之螢光燈」）。又，使該等營 光燈實際地作動而評價運行後之狀態。 螢光燈之兩電極之間隔設為250 mm，内徑設為3 mm。 又’將放電電流設為4 mA(實效值）而使螢光燈連續運行 1000小時° 運行後觀察附著物朝玻璃管之附著狀況。其結果確認出 於比較例1之螢光燈中在玻璃管之内壁之與電極杯之外表 面對面之部分堆積有黑色附著物。相對於此，於實施例1之 螢光燈中’於玻璃管之相同之位置並未發現特別之異常。 表1中表示比較例1之螢光燈之玻璃管的附著有附著物之 部分之EDX(Energy Dispersive X-ray，能量分散X射線）分 析結果。表1之數值之單位為原子組成百分率。再者，於 表1中為進行比較而同時表示使用前之玻璃管之ΕΕ)χ分析 結果。 [表1]

樣品 0 Na A1 Si K Ca Ni Hg 使用前之玻璃管 71.5 0.6 1.2 24.1 2.5 N.D NO N.D tb較例1之螢光燈之玻璃營 75.6 N.D 2.2 11.5 1.4 1 7.3 1 ΐ施例1之螢光燈之玻璃管 72.1 N.D 1.3 23.7 2.9 N.D N.D N.D I59468.doc -19- 201230136 如表1所示，可知於玻璃管之附著物附著部分含有大量 作為電極之杯材料之鎳、及汞。根據該結果推測出於比較 例1之螢光燈中於運行期間電極（杯材料）受到利用汞或稀有 氣體之離子之賤鍛而消耗。 另一方面，於實施例1之螢光燈中，於玻璃管之内壁未 發現附著物之附著。 於表1中為進行確認而表示實施例1之螢光燈之使用後之 玻璃管之EDX分析結果。分析場所與比較例丨之螢光燈為 相同位置。於分析結果中完全未檢測出鎳（及汞）。 根據該結果，確認出於實施例1之螢光燈中可顯著地抑 制利用果或稀有氣體之離子的電極之濺鍍、且與比較例1 之螢光燈相比可更適宜地使用。 本申請案係基於20 10年10月19日向日本專利局申請之曰 本專利特願2010-234168者，主張該申請案之優先權，且 係藉由參照而包含該申請案之所有内容者。 以上，藉由實施例對本發明進行了說明，但當然本發明 並不限疋於上述實施例，於本發明之範圍内可進行各種變 形及改良。 產業上之可利用性 本發明可應用於具有放電用之電極之螢光燈等。 【圖式簡單說明】 圖1係先前之螢光燈之一例之概略性之剖面圖。 圖2係具有本發明之電極的螢光燈之概略性之剖面圖。 圖3係具有本發明之其他電極的螢光燈之概略性之剖面 159468.doc •20· 201230136 圖。 圖4係具有本發明之進而i他雷 /、他電極的螢光燈之概略性之 剖面圖。 圖5係具有本發明之進而其 叩丹他電極的螢光燈之概略性之 剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 先前之螢光燈 20 放電空間 30 燈管 40A、40B 電極 42 基材 42C 端面 45 導電性鈣鋁石化合物之層 51 密封部 55 導線 60 保護膜 70 螢光體 100 利用本發明之螢光燈 120 放電空間 130 燈管 140A、140B 電極 142 基材 142C 端面 145 導電性鈣鋁石化合物之層 159468.doc 201230136 151 密封部 155 導線 159 開口 160 保護膜 170 螢光體 200 其他螢光燈 240A ' 240B 電極 242 基材 245 導電性鈣鋁石化合物之層 247C 基材之上表面 247D 基材之下表面 247S 基材之側面 247U ' 247L 基材之主表面 260 基座 159468.doc 22-

Claims (1)

1. 201230136 七、申請專利範圍： 1. 一種電極，其特徵在於：其係螢光燈用之電極，且 該電極具有離子碰撞而參與放電之放電區域，遍及該 放電區域之整體而設置有導電性鈣鋁石化合物。 2. 如请求項1之電極，其中該電極具有杯狀之形狀。 3. 如凊求項1或2之電極，其中該電極包括導電性之基材、 及叹置於該基材之表面之上述導電性鈣鋁石化合物之 層。 4· 一種螢光燈，其特徵在於包括： 燈管’其具有填充有放電氣體之内部空間； 螢光體’其設置於該燈管之内表面；及 電極’其於上述内部空間使放電產生且維持該放電；且 上述電極為如請求項1至3中任一項之電極。 5.如請求項4之螢光燈，其中上述放電氣體包含汞、與選 自由氬、氖及乳所組成之群中之至少一種氣體之混合氣 體’或者包含氙、氙及氦、氬及氮、或一氧化碳。 159468.doc