TW201237201A

TW201237201A - Al-based alloy sputtering target and production method of same

Info

Publication number: TW201237201A
Application number: TW100136476A
Authority: TW
Inventors: Katsushi Matsumoto; Katsutoshi Takagi; Yuichi Taketomi; Junichi Nakai; Hidetada Makino; Toshiaki Takagi
Original assignee: Kobe Steel Ltd; Kobelco Res Inst Inc
Priority date: 2010-10-08
Filing date: 2011-10-07
Publication date: 2012-09-16
Also published as: JP2012224942A; TWI534284B; CN103154308A; KR20130080047A; WO2012046768A1; EP2626443A1; US20130233706A1; CN103154308B

Description

201237201 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係有關一種A1基合金濺鍍靶及其製造方法，詳言之，係有關一種提高使用濺鍍靶時之成膜速度（濺鍍速度），較佳者可防止產生飛濺情形之A1基合金濺鍍靶及其製造方法。【先前技術】 A1基合金藉由電阻率低、容易加工等之理由，被廣泛地使用於液晶顯示裝置（LCD)、電漿顯示面板（PDP)、光致電場顯示裝置（ELD)、場發射顯示裝置（FED)、微機電 (MEMS)顯示裝置等之平板顯示裝置（FPD)、觸控板、電子紙之領域’利用於配線膜、電極膜、反射電極膜等之材料〇於形成A1基合金薄膜時，一般而言採用使用濺鏟靶之濺鍍法。濺鑛法係在基板、及由與薄膜材料相同材料所構成的濺鎪靶之間形成電漿放電，且藉由使因電漿放電而被離子化的氣體與濺鍍靶衝突而敲打出濺鍍靶之原子，積層於基板上，以製作薄膜的方法。濺鍍法係具有可形成與真空蒸鍍法不同，且與濺鍍靶相同組成之薄膜的優點。特別是以濺鍍法所成膜的A1基合金薄膜’由於平衡狀態可使沒有固熔的Nd等之合金元素予以固熔，發揮作爲薄膜之優異性能，故在工業上爲有效的薄膜製作方法，進行開發由該原料所形成的濺鍍靶。 -5- 201237201 近年來，爲對應於提高FPD之生產性等時，會有濺鍍步驟時之成膜速度（濺鍍速度）較習知者更爲高速化的傾向。爲使成膜速度變快時，增大濺鍍能力係最爲簡便，惟增加濺鍍能力時，會產生飛濺情形（微細的熔融粒子）等之濺鍍不良，且配線膜等產生缺陷，故會有FPD之處理或運作性能降低等之問題。此處，以提高成膜速度爲目的時，例如提案有專利文獻1及2之方法。其中，於專利文獻1中記載控制A1基合金濺鍍靶之濺鍍面的（1Π)結晶方位含率，以提高成膜速度的方法。另外，於專利文獻2中記載控制Al-Ni-稀土類元素合金職鍍IE之職鍍面的<001>、<011>、<111>、<311> 結晶方位面積率之比例，以提高成膜速度之方法。 [習知技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開平6-128737號公報 [專利文獻2]日本特開2008-127623號公報【發明內容】如前所述’直至目前雖提案有以提高成膜速度爲目的之各種技術’惟企求更進一步進行改善。本發明係有鑑於上述情形者，其目的係提高使用濺鍍靶時之成膜速度’較佳者係提供一種可防止產生飛濺情形之A1基合金濺鍍靶及其製造方法。

S -6 - 201237201 可解決上述課題之本發明的A1基合金濺鍍靶，係M 有含Ta爲要旨者。於本發明之較佳實施形態中，上述之A1基合金m鑛祀，係滿足含A1及Ta之Al-Ta系金屬間化合物的平均粒子直徑爲0.005 μηι以上、Ι.Ομιη以下，且前述Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子間距離爲Ο.ΟΙμπι以上、1〇.0μιη以下。於本發明之較佳實施形態中，上述之Α1基合金灘鑛靶’係氧含量爲0.01原子％以上、0.2原子％以下。於本發明之較佳實施形態中，上述Α1基合金職鍍耙 ’其尙含有選自由稀土類元素所成的第1群、由Fe、Co、Ni及Ge所成的第2群、由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo及W所成的第3群、以及由Si及Mg所成的第4群之至少一群的元素。於本發明之較佳實施形態中，上述A1基合金濺鍍耙，其尙含有選自由稀土類元素所成的第1群中之至少一種的元素。於本發明之較佳實施形態中，上述A1基合金濺鍍靶 ’其尙含有選自由Fe、Co、Ni及Ge所成的第2群中之至少一種的元素。於本發明之較佳實施形態中，上述A1基合金濺鍍靶 ’其尙含有選自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo及W所成的第3群中之至少一種的元素。 201237201 於本發明之較佳實施形態中，上述A1基合金濺鍍靶 ’其尙含有選自由Si及Mg所成的第4群中之至少一種的元素。於本發明之較佳實施形態中，上述第1群中之至少一種的元素爲選自由Nd及La所成群中之至少一種的元素。於本發明之較佳實施形態中，選自上述第1群中之至少一種的元素爲Nd。於本發明之較佳實施形態中，選自上述第2群中之至少一種的元素爲選自由Ni及Ge所成群中之至少一種的元素。於本發明之較佳實施形態中，選自上述第3群中之至少一種的元素爲選自由Ti、Zr及Mo所成群中之至少一種的元素。於本發明之較佳實施形態中，選自上述第3群中之至少一種的元素爲Zr。於本發明之較佳實施形態中，選自上述第4群中之至少一種的元素爲Si。於本發明之較佳實施形態中，上述A1基合金濺鍍祀之維氏硬度（Hv)爲26以上。本發明亦包含上述之Α1基合金濺鍍靶之製造方法，該方法具有藉由噴霧成型法製得合金鑄塊後，順序進行緻密化手段、锻造、熱壓延、退火時，以下述條件進行上述噴霧成型法、熱壓延及退火之特徵。噴霧成型時之熔解溫度：700〜1400。〇

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噴霧成型時之氣體/金屬比：l〇Nm3/kg以下熱壓延之壓延開始溫度：250〜500°C 熱壓延後之退火溫度：200〜45 0°C 於前述退火後，再以下述條件進行冷壓延及冷壓延後之退火較佳。冷驛延之冷延率：5〜4〇% 冷壓延後之退火溫度：150〜250°C 冷壓延後之退火時間：1〜5小時 [發明效果] 本發明之A1基合金濺鍍靶，由於如上述所構成，使用上述濺鍍靶時，可提高成膜速度，較佳者可有效地防止產生飛濺情形。 [爲實施發明之形態] 本發明人等爲提供使用濺鍍靶以提高A1基合金膜於成膜時之成膜速度（較佳者可防止產生飛濺情形）之A1基合金濺鍍靶時，再三深入硏究檢討。結果，發現爲提高成膜速度時，使用含有Ta之A1基合金濺鍍靶爲有效，特別是適當地控制A1基體中之Ta系化合物（即至少含有A1及Ta 之Al-Ta系金屬間化合物）之尺寸大小（平均粒子直徑，與相當於圓直徑同義）或分散狀態（Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子間距離）極爲有用：此外，爲防止產生飛濺情形時’將上述含有T a之灘鑛的維氏硬度（V i c k e r s H a r d n e s s)控 201237201 制於2 6以上時即可，遂而完成本發明。 (A1基合金濺鍍靶之組成）首先，說明有關本發明之A1基合金濺鏟靶的組成。如上所述，本發明之A1基合金濺鍍靶含有Ta。藉由本發明人等之實驗結果，可確認Ta與A1鍵結，藉由分布作爲Al-Ta系金屬間化合物，確認可大爲提高成膜中之成膜速度》而且，Ta係於提高使用本發明之濺鍍靶所成膜的 A1基合金膜之耐腐蝕性或耐熱性時，亦爲有用的元素。爲有效地發揮該作用時，例如以含有0.0 1原子％以上之Ta較佳。Ta之含量愈多時，可見到上述作用愈爲增加的傾向。Ta量之上限値，就上述作用而言沒有特別的限制，惟Ta之含量增加時，Al-Ta系金屬間化合物亦增加，且該化合物之熔點爲1 500°C以上之高熔點，就考慮工業規模之生產性或製造可能性等時，以Ta量之上限値控制爲大約30.0原子％較佳》更佳的Ta含量爲0.02原子％以上、 25.0原子％以下，最佳者爲0.04原子％以上、20.0原子％以下。本發明之A1基合金濺鍍靶，含有Ta、殘份：A1及無法避免的雜質，惟以更爲提高上述作用爲目的時，且以有效地發揮上述以外之作用爲目的時，亦可含有下述元素。 ⑴氧氧係對於使提高成膜速度時有用的Al_Ta系金屬間化 201237201 合物（詳細說明如下述）微細分散化，且更爲提高上述作用時爲有用的元素。如下所述，本發明之A1基合金濺鍍靶，推薦藉由噴霧成型法或粉末冶金法等予以製造，惟存在一定量的氧時，經微細分散的氧化物會在Al-Ta系金屬間化合物之析出側使該化合物更進一步微細分散化，且大爲提高成膜速度，可藉由本發明人等之實驗可得知。爲有效地發揮該作用時，以含有〇.〇1原子％以上之氧較佳。惟氧之含量過多時，所形成的氧化物粗大化，AI-Ta系金屬間化合物之微細分散效果降低，故其上限値以0.2原子％較佳。更佳的氧含量爲〇.〇1原子％以上、0.1原子％以下》 (2)稀土類元素（第1群元素） ** 稀土類元素（第1群元素），係對提高使用A1基合金濺鍍靶所形成的A1基合金膜之耐熱性，且爲防止在A1基合金膜之表面上形成小丘突起時爲有效的元素。本發明所使用的稀土類元素，係在鑭系元素（於週期表中，由原子編號57之La至原子編號71之Lu爲止之15種元素）中加入 Sc與Y之元素群，較佳的稀土類元素（第丨群元素）爲Nd 、La，更佳者的稀土類元素（第1群元素）爲Nd。此等可單獨或2種以上倂用。爲有效地發揮上述作用時，稀土類元素之含量（單獨含有稀土類元素時爲單獨之量，含有2種以上時爲此等之合計量）’以0.05原子％以上較佳。稀土類元素之含量愈多時’可見上述作用有愈爲提高的傾向，惟添加過量時， -11 - 201237201 由於Ai基合金膜之電阻率變高，其上限値以lo.o原子％較佳。更佳者爲0.1原子％以上、5.0原子％以下。 (3) Fe、Co、Ni、Ge(第 2 群元素）

Fe、Co、Ni、Ge(第2群元素），爲減低A1基合金膜、與直接接觸於該A1基合金膜之畫素電極之接觸電阻時爲有效的元素，且亦爲賦予提高耐熱性之元素。Fe、Co、 Ni、Ge，可個別單獨使用，亦可2種以上倂用。較佳的第 2群元素係選自由Ni及Ge所成群之至少一種的元素》爲有效地發揮上述作用時，Fe、Co、Ni、Ge之含量（單獨含有時爲單獨之量，含有2種以上時爲此等之合計量 )，以0.05原子％以上較佳。上述元素之含量愈多時，可見上述作用有愈爲提高的傾向，惟添加過量時，由於A1 基合金膜之電阻率變高，其上限値以1〇·〇原子％較佳。更佳者爲0.1原子％以上、5.0原子％以下。 (4) Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W(第 3 群元素）

Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W(第 3 群元素），係賦予提高A1基合金膜之耐腐蝕性或耐熱性的元素。可個別單獨使用，亦可2種以上倂用。較佳的第3群元素，係選自由Ti、Zr及Mo所成群之至少一種的元素，更佳的第 3群元素爲Zr。惟添加過量時’ A1基合金膜之電阻率變高。Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W之較佳含量（單獨含有時爲單獨之量，含有2種以上時爲此等之合計量），以

S -12- 201237201 0.05原子％以上、10.0原子％以下較佳，更佳者爲〇」原子％以上、5.0原子％以下。 (5)選自由Si及Mg所成群之至少一種的元素（第4群元素）選自由Si及Mg所成群之至少一種的元素，係可賦予提高A1基合金膜之耐候性等之耐腐蝕性的元素。可個別單獨使用，亦可倂用。較佳的第4群元素爲Si。惟添加過量時，A1基合金膜之電阻率變高。選自由Si及Mg所成群之至少一種的元素之較佳含量（單獨含有時爲單獨之量 ’含有兩者時爲此等之合計量），以0.05原子％以上、10.0 原子％以下較佳，更佳者爲0.1原子％以上、5.0原子％以下。本發明之A1基合金濺鍍靶，以·含有Ta(較佳者爲所推薦量之氧），同時含有選自由上述稀土類元素所成的第1群、由上述Fe、Co、Ni及Ge所成的第2群' 由上述Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo及W所成的第3群、以及由上述Si及Mg所成的第4群、之至少一群的元素之組成較佳。更佳組成之靶，例如下述（i)〜（iv)。 (i)下述表1的No .4〜6所示之Al(係指含有下述所示之元素，殘份爲A1及無法避免的雜質之A1合金。以下皆相同）-Ta-O-第1群元素（稀土類元素）濺鍍靶較佳。更佳者爲 -13 - 201237201

Al-Ta-0-Nd 濺鍍祀 ° (ii) 下述表1的No.7、8及10所示之A丨-Ta-〇-第1群元素（稀土類元素第2群元素職鍍靶較佳。更佳者爲A1-Ta-〇-(選自由^3及所成群之至少一種的元素）_(選自由Ni 及Ge所成群之至少—種的元素）濺鍍靶，更佳者爲Al-Ta- 0-Nd(Ni及Ge)激鍵祀。 (iii) 下述表2的No.17〜30所示之A丨- Ta-〇 -第1群元素（稀土類元素）-第2群元素-第3群元素濺鍍靶較佳。更佳者爲Al-Ta-0-Nd·第2群元素-第3群元素濺鍍靶，尤佳者爲 Al-Ta-0-Nd-(選自由Ni及Ge所成群之至少一種的元素）_ 第3群元素濺鍍靶，特佳者爲Al-Ta-0-Nd-(選自由Ni及 Ge所成群之至少一種的元素）_Zr濺鍍靶，最佳者爲下述表2之1^〇.29所示之八1-丁&-0以£1-(化及〇6)-21'濺鍍靶。 (、）下述表2的1^〇.34~37所示之八1-丁3-0-第1群元素（稀土類元素）-第2群元素-第3群元素-第4群元素濺鍍靶較佳。更佳者爲Al-Ta-0-Nd-第2群元素·第3群元素-第4 群元素濺鍍靶，特佳者爲Al-Ta-0-Nd-(選自由Ni及Ge所成群之至少一種的元素，特別是Ni及Ge)-第3群元素-第 4群元素濺鍍靶，尤佳者爲Al-Ta-0-Nd-(選自由Ni及Ge 所成群之至少一種的元素，特別是Ni及Ge)-Zr-第4群元素濺鑛靶，最佳者爲表2之No.34所示之Al-Ta-0-Nd-(Ni 及Ge)_Zr-Si濺鍍靶。另外，另一較佳組成之濺鍍靶，例如Al-Ta-O-第2群元素濺鍍靶、Al-Ta-O-第2群元素-第3群元素濺鍍靶、

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Al-Ta-O-第2群元素-第3群元素-第4群元素濺鍍靶。 (Al-Ta系金屬間化合物之大小及分散狀態）其次，說明有關本發明特徵之Al-Ta系金屬間化合物之大小及分散狀態。上述AUTa系金屬間化合物，係指至少含有A1與Ta 之化合物。上述金屬間化合物亦包含藉由A1基合金濺鍍靶之組成或製造條件，含有上述A1及Ta以外的元素（例如上述較佳的選擇元素等），惟另外含有該元素者亦包含於該Al-Ta系金屬間化合物之範圍內。其次，本發明之特徵係上述Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑爲〇.〇〇5μηι以上、Ι.Ομιη以下’且上述Al-Ta 系金屬間化合物之平均粒子間距離爲 Ο.ΟΙμηι 以上、 10.Ομπι以下，滿足兩方此等之要件者，與純Α1相比時，可得高的成膜速度（參照下述之實施例）。首先，上述金屬間化合物之平均粒子直徑爲〇.〇〇5μηι 以上、1.0 μιη以下。本發明藉由使該上述金屬間化合物之平均粒子直徑予以超微細化至1.Ομπι以下之奈米等級爲止，可產生均勻的濺鍍現象，提高成膜速度。爲有效地發揮該作用時，上述金屬間化合物之平均粒子直徑愈小時愈佳，就考慮工業規模之製造可能性等時，其下限値大約爲〇.〇 0 5 μιη的程度。而且，上述「平均粒子直徑」係以下述方法測定時相當於圓之直徑，詳細如下所述。另外，上述金屬間化合物之平均粒子間距離，爲 -15- 201237201 Ο.ΟΙμιη以上、ΙΟ.Ομπι以下。本發明除上徑外，另外藉由控制平均粒子間距離，且 Ta系金屬間化合物之分散狀態，可使濺鏟勻，且更爲提高成膜速度。爲有效地發揮金屬間化合物之平均粒子間距離愈小時愈規模之製造可能性等時，其下限値大約爲而且，上述「平均粒子間距離」之測定方本發明之濺鍍靶，係具有滿足上述組金屬間化合物者，維氏硬度（Hv)以26以防止產生飛濺情形。藉由使維氏硬度爲上制產生飛濺情形的理由，詳細理由雖不明下所述。換言之，上述濺鍍靶之維氏硬度於製造該濺鍍靶時使用的硏磨機（milling 等進行機械加工的加工處理面之微視平滑，由於原料表面複雜地變形且變得粗糙，的切削油等之污染進入濺鍍靶之表面而殘以繼後步驟進行表面洗淨，仍不易充分地靶表面上殘留的污染，變成濺鍍時初期飛然後，爲使該污染不會殘留於濺鍍靶之表機械加工時之加工性（切割方法），且必須變粗。因此，本發明以使濺鍍靶之維氏硬的較佳。本發明中 A1基合金濺鍍靶之維氏硬飛濺情形而言愈高愈佳，例如以3 5以上| 述之平均粒子直適當地控制A1-面之濺鍍狀態均該作用時，上述佳，就考慮工業 0.0 1 μ m 程度。法如下詳述。成及上述要件之上較佳，藉此可述之高値，可抑確，惟推測爲如低時，由於藉由 machine)或旋盤性惡化，換言之機械加工時使用留。該污染即使除去。在該濺鍍濺的產生起點。面上，必須改善不會使原料表面度增大爲次要目度，就防止產生 U圭，以40以上

S -16- 201237201 更佳’以45以上最佳。而且’維氏硬度之上限値沒有特別的限制，過高時，必須增大爲調整維氏硬度時之冷延的壓延率，由於變得不易進行壓延，較佳者爲160以下，更佳者爲140以下，最佳者爲120以下。以上說明有關本發明之A1基合金濺鍍靶。其次，說明有關製造上述A1基合金濺鍍靶之方法。本發明之A1基合金濺鍍靶，例如推薦藉由噴霧成型法、粉末冶金法等製得一定組成之合金鑄塊後，視其所需進行以熱加壓之熱靜水壓加工（HIP: Hot Isostatic Pressing)等之緻密化手段，然後，進行鍛造、熱壓延、退火。於上述步驟後，亦可進行冷壓延—退火（第2次壓延— 退火之步驟）。於製得一定組成之合金鑄塊時，就可容易控制上述 Al-Ta系金屬間化合物之大小或分散狀態等而言，以使用噴霧成型法較佳。此處，噴霧成型法係在惰性氣體環境中之反應室內，於A1合金熔浴流中吹附高壓的惰性氣體予以噴霧化，且堆積經急冷成半熔融狀態•半凝固狀態•固相狀態之粒子，製得一定形狀之原形材（預成型）之方法。噴霧成型法藉由本發明申請人有很多的揭示，例如特開平 9-248 665號公報、特開平1 1 - 3 1 5 3 73號公報、特開2005 -828 5 5號公報、特開2007-247006號公報中記載，可參照此等。另外，亦可參照前述專利文獻2。具體而言，以製得企求的Al-Ta系金屬間化合物較佳。噴霧成型條件例如熔解溫度：7〇〇〜1 400°C、氣體/金屬 -17- 201237201 比爲l〇Nm /kg以下、較佳者爲5〜8Nm3/kg等。而且’於藉由噴霧成型法等製得合金鑄塊後之步驟中 ’爲製得企求的A1 · T a系金屬間化合物時，以適當控制使熱壓延條件（例如壓延開始溫度、壓延終了溫度、1次最大壓下率、總壓下率等）、退火條件（退火溫度、退火時間等）中之至少一種較佳。具體而言，於上述步驟中，以控制壓延開始溫度：250〜500 °C、退火溫度：200〜450。(：之範圍較佳。另外，於本發明中’爲調整較佳的維氏硬度時，推薦上述第2次壓延-退火之步驟中，冷延率控制於大約5〜 40 %之範圍內，且退火條件控制於約150〜2501、約1〜5 小時之範圍內等。【實施方式】於下述中，以實施例更具體地說明本發明，惟本發明不受下述實施例所限制，亦可適當改變適合於前.後記之趣旨的範圍內實施，此等皆包含於本發明之技術範圍內。 [實施例] (實施例1) 使由表1所示之組成所成的合金鑄塊以（1)噴霧成型法或（2)粉末冶金法製作。各方法之詳細的製造條件’如下所述。

S -18- 201237201 (i)噴霧成型法首先，以下述之噴霧成型條件製得表1記載的A1基合金預成型物。 (噴霧成型條件）熔解溫度：1 3 00 °C 霧化氣體：氮氣氣體/金屬比：7Nm3/kg 噴霧距離：1 05 0mm 氣體霧化出口角度：1° 收集角度：35° 其次，將所得的預成型物封入膠囊後，進行脫氣，以 HIP裝置予以緻密化。HIP處理係以HIP溫度：5 5 0°C、 HIP壓力：85MPa、HIP時間：2小時進行。使該所得的A1基合金緻密物以锻造前之加熱溫度： 5〇〇°C、加熱溫度：2小時、每1次之添加率·· 10%以下之條件進行鍛造，製得漿料（尺寸大小：厚度60mm、寬度 540mm、長度 540mm)。其次，壓延（條件：壓延開始溫度40CTC、總壓下率 85%)及退火（條件：200tx4小時）後，實施機械加工，製造A1基合金板（厚度 8mm、寬度1 50mm、長度1 50mm)。然後’對上述之A1基合金板而言，藉由實施圓化加工與旋盤加工’製得直徑4吋圓板狀濺鍍靶（厚度5mm)。 19- 201237201 (2 )粉末冶金法粉末冶金法係將100篩目之純A1粉末與各元素之粉末投入V型混合機，且進行混合45分鐘。然後’與上述（1)記載的噴霧成型法相同地，進行ΗI P 處理、鍛造前之加熱、锻造、壓延、退火、圓化加工及旋盤加工’製得直徑4吋之圓板狀濺鍍靶（厚度5mm)。爲做比較時，有關表1之No.11(純度4N之純A1)，以熔解法製造。詳言之，使厚度100mm之鑄塊藉由DC鑄造法進行造塊後，在40 0 °C下均熱處理4小時，然後，在室溫下以冷延率75%進行冷加工。其次，在20(TC下熱處理4小時，在室溫下以冷延率4 0 %進行冷壓延。有關該所得的各種濺鍍IG材料，係使Al-Ta系金屬間化合物之尺寸大小（爲平均粒子直徑，此係指相當於圓之直徑的平均値）及分散狀態（平均粒子間距離）藉由下述所示之顯微鏡觀察及影像處理。詳言之，視在視野中觀察的 Al-Ta系金屬間化合物之大小（相當於圓之直徑）而定改變顯微鏡之種類，藉由下述（3)及（4)之方法，求得Al-Ta系金屬間化合物之大小及分散狀態後，以所求得的此等之平均値作爲A1 - T a系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離。 (3 )測定A1 - T a系金屬間化合物之相當圓的直徑超過1 μ m 時之平均粒子直徑及平均粒子間距離此時，上述化合物以FE-SEM(倍率1〇〇〇倍）觀察。

S -20- 201237201 首先，如下述製作測定用試料。首測定面（對壓延面而言垂直的截面中，面，對上述濺鍍靶之厚度t而言，表 1/2 Μ部）出發，切斷上述濺鍍靶。然後時，以砂紙硏磨或鑽石漿料等進行硏磨定用試料。其次，有關上述測定用試料，使用倍），朝向濺鍍靶之板厚方向之表面側部之合計3處，各攝影5個視野（1個視 ΙΟΟμιη)。此時，使用EDS進行各金屬萃取檢測有Ta之波峰的金屬間化合物片中檢測有Ta之波峰的化合物爲至少售系金屬間化合物，且使該化合物以影像，求取各照片中每一相當圓之直徑，以「Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直卷另外，求取各照片中判斷爲Al-Ta 的數密度（2次元、每單位面積之個數）値，藉由下述之換算式，求取Al-Ta系均粒子間距離。

Al-Ta系化合物之平均粒子間距離 = 2χ{1+π +[數密度（2 次元）]}1/2 (4)測定Al-Ta系金屬間化合物之相當_ 下時之平均粒子直徑及平均粒子間距離先，上述濺鍍靶之與壓延方向平行的層部、l/4xt部、，爲使測定面平滑，製得FE-SEM測 FE-SEM(倍率 1000 、1/4M 部、l/2xt 野縱約80μΐηΧ橫約間化合物之分析，。然後，判斷各照 Γ Α1 及 Ta 之 Al-Ta 處理予以定量分析此等之平均値作爲 ΐ j 。系化合物之化合物，計算此等之平均金屬間化合物之平的直徑爲1 μιη以 -21 - 201237201 此時，上述化合物以TEM(倍率75〇0倍）觀察。首先，如下述製作測定用試料。先自上述灑鑛之測j 定面（對壓延面而言垂直的截面中與壓延方向ζρθ%® , 對上述濺鍍靶之厚度t而言，自表層部、l/4xt部、W2xt 部）切出厚度約〇.8mm之試料。然後，各試料以砂紙或鑽石漿料等硏磨至厚度約0.1mm爲止，將該物進行穿孔成直徑3mm之圓盤狀，以3411618製丁6111^〇1-5、使用30%硝酸-甲醇溶液作爲電解液進彳了電解餓刻，製得TEM觀察用試料。其次，有關上述測定用試料，使用TEM(倍率7500倍 )’朝向濺鍍靶之板厚方向之表層側、l/4xt部、i/2xt部等合計3處，各攝影5個視野（1個視野縱約丨0 μηι x橫約 14μιη)。此時，使用ED S進行各金屬間化合物之分析，萃取檢測有Ta之波峰的金屬間化合物。然後，判斷各照片中檢測有Ta之波峰的化合物爲至少含A1及Ta之Al-Ta 系金屬間化合物，且使該化合物以影像處理予以定量分析，求取各照片中每一相當圓之直徑，以此等之平均値作爲「A1 - Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑」。另外，求取各照片中判斷爲Al-Ta系化合物之化合物的數密度（3次元、每單位面積之個數），計算此等之平均値，藉由下述之換算式，求取Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子間距離。而且，化合物之數密度（3次元）係使觀察位置之TEΜ試料的膜厚使用污染·斑點法，在TEM內測定，且使用乘以視野面積（1視野爲縱約1 0 μ m X橫約1 4 μ m) s -22- 201237201 之體積，求取各照片之値。 A1 -Ta系化合物之平均粒子間距離 = 2χ{(3/4) + π+[數密度（3 次元）]}1/3 其次，本發明藉由上述（3)及（4)之方法，求取Al-Ta 系金屬間化合物之大小及分散狀態後，以所求得的此等平均値作爲Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離。於本發明中，該求得的Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離各爲0.005 μιη以上、 1.0 μιη以下及0.0 1 μιη以上、10.0 μιη以下者爲合格者。 (5) 測定濺鍍靶之維氏硬度另外，上述各濺鍍靶之維氏硬度（Ην)係使用維氏硬度計（明石製作所股份有限公司製、AVK-G2)，以荷重50g測定。本實施例以維氏硬度爲26以上爲合格者。 (6) 有關飛濺情形之產生數使用上述濺鍍靶，以下述條件、膜厚約爲600nm的方式進行濺鍍，觀察此時產生飛濺情形的程度。詳言之，對Corning公司製EAGLE XG玻璃基板（大小··直徑4吋X厚度0.70mm)而言，先使用島津製作所股份有限公司製「sPuttering System HSR-542S」之濺鍍裝置，進行膜厚約爲600nm之DC磁控管濺射。濺鍍條件如下所述。到達真空度：7χ1(γ6Τ〇γγ -23- 201237201

Ar 氣壓：2mTorr 放電電力：260W Ar氣體流量：30sccm 極間距離：5 0 mm 基板溫度：室溫成膜時間（濺鍍時間）：240秒其次，使用粒子計數器（TOPCON股份有限公司製：晶圓表面檢查裝置 WM-3)，計算在上述薄膜之表面上粒子之位置座標、尺寸大小（平均粒徑）、及個數。此處，以大小爲3 μηι以上者爲粒子。然後，以光學顯微鏡觀察（倍率：1 000倍）該薄膜表面，以形狀爲半球形者爲飛濺，且計算每單位面積之飛濺個數。於實施例1中，該所得的飛濺情形的產生數評估：1 〇個/cm2以下者爲〇，1 1個/cm2以上者評估爲X。本實施例中，〇評估爲合格（減輕飛濺效果）。 (7)測定與純A1之成膜速度比使藉由上述（6)之方法所製作的薄膜之膜厚藉由觸針段差計（TENCOR INSTRUMENTS 製「alpha-step 250」）進行測定。膜厚之測定，係測定自薄膜之中心部朝向半徑方向以間隔5mm共合計3點之膜厚，且以該平均値爲「薄膜之膜厚」（nm)。將該所得的「薄膜之膜厚」除以濺鍍時間 (秒），求取平均成膜速度（nm/秒）。爲做比較時，使用4N純度之純A1(表1之No. 11)，

S ~ 24 - 201237201 與上述相同地，以成膜時之平均成膜速度爲基準’與純A1 之成膜速度比（=上述薄膜之平均成膜速度/純A1之平均成膜速度）。此係指該所得與純A1之成膜速度比愈大時，成膜速度愈高。實施例1中，該所得與純A1之成膜速度比爲1.1以上者爲〇’未達1.1者評估爲X。於本實施例中，〇評估爲合格（成膜速度高）。此等之結果倂計於表1。表1中，S/F係以噴霧成型法所製造之例。而且’表1之最右欄設置爲「綜合判斷」之欄’ 「〇」係滿足全部本發明之要件例，「X」爲無法滿足任一本發明規定之要件例。 -25- 201237201 【s】濺鍍靶之特性綜合判斷〇〇 o 〇 o o o o ° X 飛濺產生數 (個/cm*〉 η- 0» CO in to CO 卜 GO CO «〇 CD CO 與純A1之㈤膜速度比 £ s u> CO GO U9 CD iq δ CO 0> 關 (D Ρ» ? 9 CO o a> eo [S 5 CO Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子間距離（⑽）对 S Μ 〇 to 5 CM 〇- IO 5 CSI CO ϋ to 5 r- 1 o =1 2 嘩 C4 〇 α> »— ο ? o o s o CM «N| 5 〇 2 1 製法 U. OT u. in lA. CO Ll. to 粉末冶金法 u. U. ΙΛ U. CO U. i/3 u. 1 熔解法 u. (/) 、殘份A1及無法避免的雜質） 0.036 0.044 0.03Θ 0.020 0.084 0.029 0.025 0.024 0.028 0.030 0.002 0.020 厂 1 \ 1 1 1 1 1 !s 1 > 1 〇 1 1 1 1 1 1 in 2 s 1 1 1 1 1 1 1 1 S ψ— o 5 1 1 ' 1 組成(單位爲原子％ JJ 1 1 1 8 oi s ci , 1 1 1 2 1 1 t § ο — CO s 1 ί 1 卜 3 1 o 3 S d o 5 s o s s csi <〇 s o 1 1 s d 1 1 CS| n 寸 IO «α 卜 CD o o 2 IV5N 寸«^: u.os -26- 201237201 由表1可知，由於No.1〜8及No.10含有Ta，且Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離滿足本發明之較佳要件，與純A1相比時，具有高的成膜速度。而且，此等由於使維氏硬度控制於較佳的範圍內，可充分減輕飛濺情形產生。對此而言，不含Ta之No. 9及No. 12，無法得到與 No. 11 (純度4N之純A1)大約相同程度之成膜速度。而且， N 〇. 1 1由於維氏硬度小於較佳範圍，故飛濺情形產生增加 (實施例2) 使由表2所示組成所成的合金之鑄塊以與上述實施例 1相同的條件，藉由（1)噴霧成型法或（2)粉末冶金法製作。有關採用上述（1)噴霧成型法者，與實施例1相同地，藉由使所得的A1合金預成型物以HIP裝置予以緻密化且锻造’進行壓延及退火，且進行圓化與旋盤加工，以製得直徑4吋之圓板狀濺鍍靶（厚度5 mm)。此外，有關採用上述 (2)粉末燒結法，與實施例1相同地混合粉末後，與上述噴霧成型法相同地，以HIP裝置予以緻密化且鍛造，進行壓延及退火，進行圓化加工與旋盤加工，製得直徑4吋之圓板狀濺鍍靶（厚度5mm)。有關該所得的各種濺鍍靶，以與實施例1相同的方法測定Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑與平均粒子間距離。然後，本發明中所測定的Al-Ta系金屬間化合物之 -27- 201237201 平均粒子直徑及平均粒子間距離各爲〇.〇〇5μιη以上、 1.0 μιη以下及0.01 μιη以上、10.0 μπι以下者爲合格。另外，有關上述各種濺鍍靶，以與實施例1相同的方法測定維氏硬度（Ην)。其次’本發明中維氏硬度（Ην)爲26 以上者爲合格。 . 此外，有關上述之各種濺鍍ΙΕ，以與實施例1相同的方法測定飛濺之產生數。其次，實施例2中飛濺之產生數爲10個/cm2以下者爲〇（合格、具有減輕飛濺效果），η 個/cm2以上者評估爲χ(不合格、沒有減輕飛濺效果）。另外，有關上述之各種濺鍍靶，以與實施例1相同的方法求得與純Α1之成膜速度比。其次，實施例2中與純 Α1之成膜速度爲1.1以上者爲〇（合格、成膜速度高），未達1.1者評估爲x(不合格、成膜速度低）。此等之結果倂計於表2。表2中，製法以s/F表示者爲以噴霧成型法所製造之例。而且，表2之最右欄係「綜合判斷」之欄’「〇」係滿足全部發明要件之例，「X」係無法滿足本發明規定要件中任一要件之例。

S -28- 201237201 濺鍍靶之特性丨标口判斷 Ο o 〇 ο 0 〇 ό 0 o o 〇〇〇 ο 〇〇 o o o o o o o 〇 o 飛濺產生數 (g/cm2) 1 Γ- to r- 卜 ΙΟ CD 卜 03 to CO r» CO 〇> σ> Oi 〇> 00 BO r·» 卜 r- <〇 <〇 r- 卜與純A1 之成膜速產比 1.68 」 1.63 1.48 1.49 ι 1.57 CO in 1.45 1.23 1.25 1-1-23 I 〇> 1.30 1 . 1.34 I 1.46 1.50 1.50 1.50 ro 1.46 ί 1.52 1.50 1.57 1,49 1.44 維氏硬度 S o 〇> n o Γ5 CO ΓΪ o S 5 IO r> S CO r> CO O S o o cn r> Al-Ta系金| 屬間化合物之平均粒子間距 Jliujni . 0.19 0.17 0.M 1 °·15__! 0.20 3 1 °-iflI 丨〇”__1 0.12 0.13 0.t1 0.13 丨_.⑽_1 I _I 0,18 0.21 0.20 0.20 o I 0.18 I 0.19 ! 0.2 ί 0.22 0.19 0.19 豳 Ε 0.40 | 0.42 0.39 0.37 0.32 0.30 0.28 0.27 0.22 0.22 0.24 0.25 0.24 0.2Θ 0.29 0.27 0.28 0.26 0.25 0.29 0.31 ! 0.27 | 0.29 1 0.29 1 0.26 1 製法 1 i 丨S/F法丨 S/F法丨坩伥粉末冶金法 I S/F 法 I S/F法 I s/f 法 I S/F法粉末冶金法 [粉末冶金法Ί 粉末冶金法 1粉末冶金法1 1粉末冶金法1 丨粉末冶金法I 1 S/F 法 I 1 S/F 法 I I S/F 法 I 「 S/F 法] 粉末冶金法 I S/F 法 | S/F法 I s/F 法 I 丨S/F法 S/F法 :S/F 法 m [〇.024 I 0.028 | 0.07Θ I 1 0.070 I 0.046 0.043 0.03^1 0.030 0.082 0.078 0.08^1 1 0.080 0.077 卜的I 1 0,029 Γ〇.〇ίη |α〇2θ| | 0.025 0.076 7030 0.041 0.03B 0.044 0.047 老 I 1 1 1 I 1 1 1 I 1 1 1 1 I 1 1 I * 1 1 1 l 1 C4 躲锻 * m Vi I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 ϊ I 1 1 1 1 csi d I eg 1 5 ! 1 1 to 1 1 1 1 1 ί 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 I ο S I 1 u> I 1 1 Ϊ 1 ! 1 ί 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 Μ I ΙΟ ί 1 1 1 巧气 1 1 1 1 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 气 0.35 ι 0.35] 1 0.35 0.35 燄 m sm 扫 ΠΕπί Bar Ρ in 1 1 1 «> r> 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 J 1 1 1 I 1 1 d) Ο p q ο ο to u> O' V) ir> i〇 o to ΙΑ O' in ΙΟ ο n 〇 l〇 in to to o to IO d u> ΙΛ 〇 tn 〇 m 〇芝 I 1 1 1 r 1 1 1 1 1 1 1 1 1 f 1 d 1 1 o y— tn m 〇 IO c> IO <§ I 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 ] 1 d d 1 1 1 〇· 1 1 I 1 1 t£ I 1 1 1 1 1 ) 1 1 1 I 1 Ο 5 i ) 1 1 o I 1 1 I 1 1 3 1 1 1 1 * o Ϊ o 1 N 1 csl 1 N 1 N ί (N 1 1 1 ί 1 Γ7 Γ3 1 1 1 1 s 1 N 1 0.2 1 cs 1 CM Ο 1 eg o I csl 1 l 1 1 CO n 1 1 p p 〇· q in IO 0.45 | 0.45 I 0.45 0.45 D.45 0.45 0.45 0,45 0.45 Q.45 LifiJ I 0.45 in o « in 甘 d ▼ 兮 o Z P9 ID 09 卜 CO 〇> s a S 5 S o s s s n s s lA r> CD n r- c*> -29- 201237201 由表2可知，由於Νο·13〜37含有Ta’且Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離滿足本發明之較佳要件，與純A1相比時，具有高的成膜速度。而且，此等由於使維氏硬度控制於較佳的範圍內，可充分減輕飛濺產生。 (實施例3) 除使組成爲A1-0.45原子％丁3-0.026原子％〇-0.2原子 °/〇Nd-0.1原子％川-0.5原子％〇6-0.35原子％21·(與表2之 No.29相同的組成）之直徑4吋圓板狀濺鑛靶（厚度5mm)採用表3所示之條件（噴霧成型之熔解溫度、噴霧成型之氣體/金屬比、熱壓延之壓延開始溫度及熱壓延後之退火溫度）外’與實施例1(合金之鑄塊係藉由上述（1)噴霧成型法製作）相同地製造。有關該所得的各種濺鍍靶，以與實施例1相同的方法 ’求取Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離。其次’所求得的A1 - Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離各爲〇·〇〇5μιη以上、1 .〇μηι以下及Ο.ΟΙμιη以上、ΙΟ.Ομιη以下者爲合格。另外有關上述之各種濺鍍靶，以與實施例1相同的方法求取與純Α1之成膜速度比。此等之結果倂記於表3。

S -30- 201237201 【8】 m m N 鏈 m 與純A1之成膜速度比 1.50 g 5 1.44 1.40 1.02 s 踺起 'fig 0.20 0.35 CO LO Γ3 O’ 13.6 0.25 0.28 14.2 0.29 U.7 i5fi 1¾¾ ^•N 0.28 0.41 Csl 0.38 in 0*20 0.29 ； 0.31 ο τ· 逛熱壓延後之退火溫度 (βΟ 200 〇 CM o s o s 200 200 〇 CM ο esi s S in 趟1¾¾ 域鋇P nsw 400 400 400 400 400 250 〇 m 550 ο ο 400 棚 m 噴霧成型之_ 氣體/舍屬比 (NmVkg) P- r- r- o r> 卜卜 Γ-» 卜卜噴霧成型之熔解溫度 (°C) 1300 1400 1500 1300 1300 1300 1300 1300 1300 1300 1 cn C9 o 5 ΙΑ -31 - 201237201 由表3可考察下述。換言之，由於No.29、38、40、 42、43及45中噴霧成型之熔解溫度、噴霧成型之氣體/金屬比、熱壓延之壓延開始溫度及熱壓延後之退火溫度滿足本發明之較佳要件，可將Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離控制於本發明之較佳範圍內，與純A1相比時，可展現高的成膜速度。對此而言，由於No.39、41、44及46中噴霧成型之熔解溫度、噴霧成型之氣體/金屬比、熱壓延之壓延開始溫度及熱壓延後之退火溫度皆無法滿足本發明之較佳要件，故無法將Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子直徑及平均粒子間距離控制於本發明之較佳範圍內，無法得到與純A1 大約相同程度之成膜速度。 (實施例4) 除使組成爲A1-0.16原子％Ta-0.029原子％〇·〇.28原子 %Nd(與表1之Νο·6相同的組成）之直徑4吋圓板狀濺鍍靶 (厚度5mm)採用表4所示之條件（冷壓延之冷延率、冷壓延後之退火溫度、及冷壓延後之退火時間），使冷壓延及冷壓延後之退火於熱壓延後之退火後進行以外，與實施例 1(合金之鑄塊係藉由上述（1)噴霧成型法製作）相同地製造〇有關該所得的各種濺鍍靶，以與實施例1相同的方法測定維氏硬度（Hv)。其次，所測定的維氏硬度（HV)爲26 以上者爲合格。

S -32- 201237201 另外，有關上述之各種濺鍍靶，以與實施例1相同的方法測定飛濺之產生數。其次，實施例4中所計算的飛濺產生數爲10個/cm2以下者爲◎(具有減輕飛濺效果）。此等之結果倂記於表4。 ··· .{ -33- 201237201 【寸«】濺鍍靶之特性飛濺產生數 1 1 ◎ ◎ ◎ ◎ I ◎ ◎ I (個/cm2) <〇〇> CO 00 oo CO OJ 卜 CO s 維氏硬度 oo CO 00 CO CO CO CO CVJ σ> CO CO CM 製造條件冷壓延後之退火時間 (時間）寸寸 m 卜冷壓延後之退火溫度 (0〇〇 8 200 ο s 150 o m CM 350 200 200 200 冷壓延之冷延率 (%) CM in ο § o o ο o 〇 i s CM in CO lf> s ΙΟ to s -34- 201237201 由表4可考察下述。換言之，由於Νο·48〜51、53及 54中冷壓延之冷延率、冷壓延後之退火溫度及冷壓延後之退火時間滿足本發明之較佳要件，可將維氏硬度（Ην)控制於本發明之較佳範圍內，可充分減低飛濺產生情形。對此而言，由於No.47、52及55中冷壓延之冷延率、冷壓延後之退火溫度、冷壓延後之退火時間皆無法滿足本發明之較佳要件，無法將維氏硬度（Hv)控制於本發明之較佳範圍內，且無法充分減輕飛濺產生情形。 (實施例5) 使表5所示之群組I〜IV之組成的Α1基合金所成的直徑4吋圓板狀濺鍍靶（厚度5 mm)，與實施例1(合金之鑄塊係藉由上述（1)噴霧成型法製作）相同地製造。然後，使用此等各種A1基合金濺鍍靶，如下所述使各種A1基合金薄膜成膜。對Corning公司製EAGLE XG玻璃基板（尺寸：直徑4 吋X厚度0.70mm)而言，先使用島津製作所股份有限公司製「Sputtering System HSR-542S」之灘鍍裝置’進行膜厚約爲300nm之DC磁控管濺鍍。濺鍍條件如下所述。到達真空度：7xl(T6Torr ΑΓ 氣壓：2mTorr 放電電力：260W Ar氣體流量：30sccm 極間距離：5 0 m m -35- 201237201 基板溫度：室溫成膜時間（濺鍍時間）：120秒對所得的各種A1基合金薄膜而言，在惰性氣體（n2) 環境 '溫度5 5 0 °C下保持20分鐘進行加熱處理後，以直流四探針法測定各種A1基合金薄膜之電阻率。其次，有關較高耐熱性更爲重視低電阻率作爲薄膜特性之群I，評估 4μΩ(：πι以下者爲◎(相當低），超過4μΩ(：ιη、8μΩί：ηι以下者爲〇（低）’超過8μΩ^η者爲△(不低）。而且，有關較低電阻率更爲重視高耐熱性之群11〜IV作爲薄膜之特性，評估6μΩ(ηιι以下者爲◎(相虽低）’超過6μΩςηι、12μΩί：Γη以下者爲〇（低）’超過12μΩ(：ιη者爲△(不低）。該結果倂記於表5。

S •36- 201237201 hi m » w ◎ 〇 ◎ ο ◎ o 〇〇 ◎ 〇 1¾ CM 〇 csi 〇 M 5 o 承 Up 1 M 1 U N tb If if 承 in in CO 1® m CO 蚝 in CO 〇 1 is m 0 d 1 ir Μ te> 0 〇 ο α 0 1 0 1 CO | CO 1 If a a o 〇 a> a Ο) 〇眩 in 〇丄函 to ? m u> T Eg in 0 1 IS in T lg l〇 ? Μ ΙΟ 1 lg ίο ο I z 承 z 运 Z 1 ο 5 ο 5 1 蚝 d I Eg 5 I m v— O I Μ 5 1 rf Μ to 屮 IS ir> Ό i JO 1 1 J 1 *σ 1 *〇 1 N 鹪蚝 CO esi T CO CS| o 1 Ifi 5 ο 1 屮 Μ Γ^· ca τ 承 m CM 〇 1 if CM 〇 I m Cvl 〇 1 IS CSI ο 1 Z m CO 1 z 承 rf !S CO 0 1 m <1n 〇 lh o 承 Ο 承 Ο o o 承 If 〇 ff Ο 承 1 Ο 求 Κ g d 1 〇承 n < 1 蚝 Oi C\l p I m a> S 0 1 Μ s ο I is ο s ο 1 ΰ i〇 3 Ο 1 蚝 <〇 s o | 蚝 (〇 CNi p I is CO s 〇 1 If IS S O \ 1 ισ 1 a ^βΒ 1 <0 1 1 i 承 1 If If If- rf 屮 if IS 蛏 Μ M m IS IS Η- ff <〇 "r~ CO S s to tn in u> 令 ο I o | 0 1 ο I o | 〇 1 0 1 〇 I o’ I 0 1 1 孑 < 1 < J < I J 又 1 5 1 < 1 < 1 孑 d Z CO CO LO ο τ— 00 LO a> OJ 〇> tn S CO ITS CO 雔 > -37- 201237201 由表5可考察下述。換言之，由於No.6、10、29及 34係使用本發明之A1基合金濺鍍靶中更佳組成的濺鍍靶之例。上述No. 6與No.56相比時，含有第1群元素（稀土類元素）中Nd較La展現更低的電阻率，可知優異。而且，No.10與No.58相比時，組合第2群元素之Ni與Ge較組合Co與Ge展現更低的電阻率，可知優異。此外， No.29與No.59〜61相比時，含有第3群元素中之Zr較 Ti或Mo、W展現更低的電阻率，可知優異。另外，N〇.34 與No.35相比時’含有第4群元素中之Si較Mg展現更低電阻率，可知優異。

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Claims

201237201 七、申請專利範圍： 1·—種A1基合金濺鍍靶，其特徵爲含有Ta。 2. 如申請專利範圍第1項之A1基合金濺鍍靶，其中含A1及Ta之Al-Ta系金屬間化合物的平均粒子直徑爲 0·005 μπι以上、1 ·0μιη以下，且前述Al-Ta系金屬間化合物之平均粒子間距離爲Ο.ΟΙμηι以上、ΙΟ.Ομιη以下。 3. 如申請專利範圍第2項之Α1基合金濺鍍靶，其中氧含量爲0.01原子％以上、0.2原子％以下。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項之Α1基合金濺鍍靶，其尙含有至少一種選自由稀土類元素所成的第1群、由Fe、Co、Ni及Ge所成的第2群、由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo及W所成的第3群、以及由Si及Mg所成的第4群之中的至少一群的至少一種元素。 5 ·如申請專利範圍第3項之A1基合金濺鍍靶’其尙含有選自由稀土類元素所成的第1群中之至少一種的元素〇 6. 如申請專利範圍第3項之A1基合金濺鍍靶，其尙含有選自由Fe、Co、Ni及Ge所成的第2群中之至少一種的元素。 7. 如申請專利範圍第5項之A1基合金濺鍍耙’其尙含有選自由Fe、Co、Ni及Ge所成的第2群中之至少—種的元素。 -39- 201237201 8·如申請專利範圍第6項之A1基合金濺鍍靶，其尙含有選自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo及W所成的第 3群中之至少一種的元素。 9. 如申請專利範圍第7項之A1基合金濺鍍靶，其尙含有選自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo及W所成的第 3群中之至少一種的元素。 10. 如申請專利範圍第8項之A1基合金濺鍍靶，其尙含有選自由Si及Mg所成的第4群中之至少一種的元素。 11. 如申請專利範圍第9項之A1基合金濺鍍靶，其尙含有選自由Si及Mg所成的第4群中之至少一種的元素》 12. 如申請專利範圍第5項之A1基合金濺鍍靶，其中選自前述第1群中之至少一種的元素爲選自由Nd及La所成群中之至少一種的元素。 13. 如申請專利範圍第5項之A1基合金濺鎪靶，其中選自前述第1群中之至少一種的元素爲Nd。 14. 如申請專利範圍第7項之A1基合金濺鍍靶，其中選自前述第2群中之至少一種的元素爲選自由Ni及GeK 成群中之至少一種的元素。 15. 如申請專利範圍第9項之A1基合金濺鍍靶，其中選自前述第3群中之至少一種的元素爲選自由Ti、Zr及 Mo所成群中之至少一種的元素。 16. 如申請專利範圍第9項之A1基合金濺鍍靶，其中選自前述第3群中之至少一種的元素爲Zr。 17. 如申請專利範圍第1 1項之A1基合金濺鍍靶，其 S -40- 201237201 中選自前述第4群中之至少一種的元素爲Si。 18. 如申請專利範圍第1項之A1基合金濺鍍靶，其中維氏硬度（Hv)爲26以上。 19. 一種Α1基合金濺鍍靶之製造方法，其係製造如申請專利範圍第1項之Α1基合金濺鍍靶之方法，其特徵爲藉由噴霧成型法製得合金鑄塊後，順序進行緻密化方法、锻造、熱壓延、退火時’以下述條件進行上述噴霧成型法、熱壓延及退火’ 噴霧成型時之熔解溫度：700〜1400 °C 噴霧成型時之氣體/金屬比：l〇Nm3/kg以下熱壓延之壓延開始溫度：250〜500°C 熱壓延後之退火溫度：200〜450 °C。 20. 如申請專利範圍第19項之製造方法，其中於前述退火後，再以下述條件進行冷壓延及冷壓延後之退火處理’ 冷壓延之冷延率：5〜40% 冷壓延後之退火溫度：150〜25(TC 冷壓延後之退火時間：1〜5小時。 -41 - 201237201 四指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：無 (二）本代表圖之元件符號簡單說明：無 201237201 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：無 S -4-