TW201229196A - Manganese-activated germanate fluorescent substance, production method therefor, and light-emitting element - Google Patents

Description

201229196 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有用地成為紅色螢光體之錳活化錯 酸鹽螢光體及其製造方法。此外，本發明係關於一種使用 該錳活化鍺酸鹽螢光體之發光元件。 【先前技術】 在近年來’大多知道：藍色二極體係進行實用化而以 該二極體作為發光源之白色發光二極體之研究。發光二極 體係具有所謂輕量且不使用水銀而成為長壽命之優點。 知道例如在藍色發光元件來塗佈Y3Als〇i2 : Ce之白色 發光二極體。但是’該發光二極體係嚴密地說，並非白色， 成為混合藍綠色之白色。因此，提議：混合Y3Ah〇i2 :以 和吸收藍色光而發出紅色螢光之紅色螢光體，調整色調。 關於吸收藍色光而發出紅色螢光之紅色螢光體之報告係大 多是關於有機系材料，但是，關於無機系材料係變少。 另一方面’作為一般之紅色螢光體係也提議氧化物螢 光體、氧硫化物螢光體、硫化物螢光體、氮化物螢光體等 之無機系材料，也提議藉由下列之通式（A)所表示之錳活 化錯酸鹽螢光體（例如參考下列之專利文獻1〜2。）。 a* MgO · b* MgF2 . cGe〇2 ： x' Mn4+ ( A)

(在化子式中，成為a +b’ =4，b’係表示0.5Sb， S 1.0，x 係表示 〇.001gx， g〇 〇i。） 但是，錳活化鍺酸鹽螢光體係在發光強度，有問題發

201229196 生’量子良品率也變低。 【先前技術文獻】 【專利文獻】 【專利文獻1】日本特開昭54一 158387號公報 【專利文獻2】日本特開平u_ 1 58464號公報 【發明内容】 【發明所欲解決之課題】 因此’本發明係提供一種藉由藍色光來進行激發而以 高發光強度來發出紅色光之錳活化鍺酸鹽螢光體、以及其 有利於工業之製造方法。 【用以解決課題之手段】 本發明人們係在此種貫情，全心重複地進行研究結 果認為：在藉由特定之通式而表示之錳活化鍺酸鹽螢光 體，藉由一氧化矽原子，以特定量，而取代鍺原子之一部 分，但是，以比起習知還更加高之發光強度，來發出紅色 光，以致於完成本發明。 本發明係根據前述之意見而完成的，提供一種猛活化 鍺酸鹽螢光體，其特徵在於：藉由下列之通式（1), aMgO · bMgF2 · c { ( Ge卜ySiy) 〇2 } : xMn“ （ j ) (在化學式中’ a係表示〇<a$4, b係表示〇.5sbs4, c 係表示0.8SCS1.2’ χ係表示〇·0〇1$χ$〇 〇5 , 丫係表示 0 < y S 0. 28。）所表示。 ’ 化錯酸鹽營光體之 此外’本發明係用以製造前述疏活

S 201229196 適當方法，提供一 一種錳活化鍺酸鹽螢光體之製造方法 之製造方法，其

【發明效果】

方法的話’則能夠以有利於工業之方法， 藉由本發明之製造 來製造該螢光體。 【實施方式】 在以下’根據其理想之實施形態而說明本發明。 本發明之錳活化鍺酸鹽螢光體係在基本上，藉由藍色 光而進行激發，發出紅色光。具體地說，藉由至少27〇〜 550nm、最好是380〜 490nm之激發光而進行發光。此外， 在600〜750nm、最好是650〜70〇nm之區域，具有發光帶 (也就是具有紅色光譜）。 本發明之錳活化鍺酸鹽螢光體係藉由下列之通式（i ) 所表示。 aMgO · bMgF2 · c { ( Ge卜ySiy) 〇2 } : XMn4+ ^ j ^ 通式（1)之化學式中之a係〇< 4、最好是1<a $3.4 ’ b 係 〇.5$b$4、最好是 0.6Sb各3，c 係 〇.8sc $1.2、最好是 〇.9gcsl.i，x係 0 〇〇1$χ$〇 〇5、最好 是 0. 005 $ 〇· 〇3。 此外，顯示鍺原子之一氧化石夕原子之取代率之化學气 中之y係0<y$0.28、最好是0<yg0.25,藉由該二氧化 201229196 矽原子之取代率成為前述之範 療，紅色光之發光強 又另一方面，在y之值超過〇 28之時， 量子效率而變得不理想。 _者士降低内部 本發明之錳活化鍺酸鹽螢光體係 並盔牲丨阳Μ 遛，其粒子形狀係 …特別限制。粒子形狀係除了可 ^ rr, ,± 疋列如球狀、多面體 狀紡錘形狀、針狀以外，還可以是不定形。 本發明之錳活化鍺酸鹽螢光體係平均粒徑 5〇/im，特別最好是5〜45#m。在平均粒徑未 古机找,A 1工衣滿1 # m之時’ 請先谷易散亂而降低激發光之吸收效率之傾向發生。 千均粒徑超過5〇^之時’粒子表面積變小，激發光之 吸收仍_是容易不充分。此外，在本 /發先之 =係白一次粒子凝集而形成之二次粒子之平均粒徑。該平 γ立㈣中值粒徑。二次粒子之平均粒徑（中值粒徑）係 :如可以藉由堀場製作所製造之雷射繞射/散亂式粒度分 布測定裝置（型號：LA—92〇)而 丁判疋以樣本之折射 =為181，作為分散媒之折射率⑶，藉由體積基準而 :平均粒徑係可以例如正如以下而進行調節。也就是 :’可以藉由在後面敘述之燒成製程來得到之猛活化錯酸 -螢光體之燒成體’施行由於自動研鉢或球磨機等而造成 :粉碎處理’隨著狀態而使用位處於目的粒徑之開孔之 筛’進行分、級，來得到具有要求之平均粒徑之粉體。 本發明之錳活化鍺酸鹽螢光體係BET比表面積最好是 ο.1〜i〇〇"g、特別是丨〜-乂。在BET比表面積未滿

S 6 201229196 0. lm2/ g之時，激發光之吸收容易變得不充分。在比 表面積超過10〇m2/g之時，隨著表面積變大而使得平均粒 徑變小，因此，激發光呈散亂而使得激發光之吸收變得不 充分。BET比表面積係例如可以使用島津製作所製造之抓τ 法之單吸附比表面積測定裝置（FlowS〇rb n23〇〇)而進行 測定。 BET比表面積係可以例如正如以下而進行調節。也就 是說，可以藉由在後面敘述之燒成製程來得到之錳活化鍺 酸鹽螢光體之燒成體，施行由於自動研銶或球磨機等而造 成之粉碎處理，隨著狀態而使用位處於目的粒徑之開孔之 篩，進2分級，來得到具有要求之BET比表面積之粉體。 接著，就本發明之錳活化鍺酸鹽螢光體之理想之製造 方法而進行說明。 入本發明之錳活化鍺酸鹽螢光體之理想之製造方法係包 含：「混合氟化鎂、氟化鎂以外之鎂化合物（在以下，僅稱 .、b 5物」。）、鍺化合物、矽化合物和錳化合物， 燒成侍到之混合物之製程。也就是說’本發明之錳活化鍺 酸鹽勞光體之製造方法係大致包含(甲）混合製程以及（乙) 燒成製程。 a在（甲）之混合製程’調製均勻地混合氟化鎂、鎂化 _ 鍺化a物、z夕化合物和猛化合物之均勻化合物。 β由均勻之混合可以變得容易之觀點來看的話，則最好 疋第1原料之氟化鎂係氟化鎂之理想物性為平均粒徑1。" m以下；t好是卜⑺“、特別是 201229196 原、料之錢化合物係除了氧化鎮以外，在後面敛述 之，乙）燒成製程，使用可以轉換成為氧化鎂者。作為此 種鎮化口物係可以使用例如鎮之氧化物、碳酸鹽酸睡、 ::鹽在氣氧化物等。這些化合物係可以使用i種或Γ種 料間中’在燒成後而不殘留不純物之方面以及 . :性變高之方面，最好是使用氫氧化鎂。由均

2昆σ可以變得容易之觀點來看的話，則最好是鎂化A 物之理想物性係平均 娱化ϋ 十岣粒也為5 # Hi以下、最好是 m、特別是0.2〜wm。 5// 敘述料之錯化合物係除了氧化錯以外，在後面 為此種錯化合WV吏用可以轉換成為氧化錯者。作 缺脇 ’、可以使用例如鍺之氧化物、碳酸趟^ 酸鹽、硝酸鴎、_ # 厌·»»'硫 -虱氧化物、有機酸鹽等。這歧 以使用1種或2種以上。即使是在這此當中；* :物係可 鍺之揮發性變低且不容 由於氧化 个合易籍由水分而進行皮鉉 藉著後面敘述之渴弋：θ人 ，因此，由 話，則最好是使用氧化錯。由均勻之混合可以看的 觀點來看的話，則最 變件合易之 .c 、最好疋鍺化合物之理想物性係半 為50㈣以下，特別是1〜3(^m。 句粒徑 :乍為第4原料之碎化合物係除了二氧切（ 卜，在後面敘述之（乙）燒成 〇 « 氧切者。作為此”化合物係可以使用=轉換成為二 矽、碳化矽、氮化矽、獅# 如—氧化矽、 硼化矽、有機酸矽化厶物笙 化δ物係可以使用丨 口荨。這些 種次2種以上。即使是在這些當中， 201229196 也由於二氧化石夕不容易反應於水而不進行水解，因此，由 藉著後面敘述之濕式混合而容易調整組成之觀點來看的 話’則最好是使用二氧化矽。由均勻之混合可以變得容易 =觀點來看的話’則最好是二氧切之理想物性係平均粒 從為l〇#Hi以下、最好县〇 〜in 于疋υ·υυΐ〜10以"1、特別是0.001〜1 #111。 作為第5原料之猛化合物係可以使用例如經之氧化 氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、有機酸鹽等。 物 這些化合物係可以使用i種或2種以上。即使是在這些當 中，也由於燒成後而不殘留不純物之方面以及容易固溶: 母體結晶中之方面’則最好是碳酸錳。由可以容易均勻混 合之觀點來看的話，則錳化合物之理想物性係最好是平均 粒徑為1 〇 β m以下、特別是1〜9 # m。 不論前述之氟化鎂、鎂化合物、鍺化合物、矽化合物 及錳化合物之製造履歷’但是，$ 了製造高純度之錳活化 鍺酸鹽螢光體，因此，最好是儘可能地減少不純物含有量。 在本製造方法，氟化鎂、鎂化合物、鍺化合物、矽化 合物及錳化合物之混合比例係可以配合前述之要求之錳活 化鍺酸鹽螢光體之組成而適度地選擇各原料之練合比例。 具體地說，氟化鎂、鎂化合物、鍺化合物、矽化合物 及錳化合物之混合比例係氟化鎂之添加量成為氟化鎂之分 子數相對於鍺化合物中之鍺原子、矽化合物中之石夕原子和 猛化合物中之錳原子之合計原子數之莫爾數比 (Ge+Si + Mn))之 0.5〜4、最好是 〇·6〜3。 值（MgF2/ 此外，鎂化 201229196 合物之添加量係鎂化合物中之鎂原子數相對於鍺化合物中 之鍺原子、矽化合物中之矽原子和錳化合物中之錳原子之 合計原子數之莫爾數比值（Mg/ (Ge+Si + Mn))成為大 於0、小於4,最好是1〜3. 4。猛化合物之添加量係猛化 合物中之錳原子數相對於鍺化合物中之鍺原子、矽化合物 中之矽原子和錳化合物中之錳原子之合計原子數之莫爾數 比值（Mn/ (Ge+Si + Mn))成為〇 〇〇1〜〇 〇5，最好是 0. 005〜0. 03。 此外，矽化合物之添加量係矽化合物中之矽原子數相 對於鍺化合物中之鍺原子和矽化合物之矽原子之合計原子 數之莫爾數比值（Sl/Ge+Sl)成為大於〇、小於°^28, 最好是大於0、小於〇. 2 5。 作為混合第1〜第5原料之氟化鎮、鎮化合物、錯化 合物、矽化合物及錳化合物之方法係可以是濕式法和乾式 法之任何-種’但是，由可以容易地得到各原料呈均句地 =合之均W合物之方面來看的話，則最好是藉由機械手 :而以濕式法來進行者。可以藉由以成為特別是能夠同時 進仃粉碎和混合之機器之介質軋磨機， 熬式法’來進行 浞口處理，而更加容易地得到均勻混合物， j吏用 均勻混合物而得到之猛活化鍺酸鹽螢光體係特別是發 度變高。 ^ 就使用介質軋磨機之混合處理而更加地進行說明。 在介質軋磨機之混合處理係在基本上， 程以及得到之漿體導入至介質軋磨機 二：調製製 订/¾合處理之混 10 201229196 合製程來組成。 在聚體調製製程，氟化鎂、 鎂化合物、鍺化人彡 化合物及猛化合物係分散於分散媒而成為浆體。=夕 媒係即使是水及非水分散媒之任何—種= ”，、分散 處理容易等之觀點來看的話，則最好是使用：，二由 散媒。 疋便用水，來作為分 的話，則 、鍺化合 重量％ 、 由處理之規模變小且操作性容易之觀點來邊 最好是衆體之固態成分濃度（氟化鎮、鎂化合私 物、矽化合物及錳化合物之合計濃度）係5〜⑼ 特別是10〜3 0重量％ 。 可以在聚體’加入分散劑。藉由分散劑之添加而使得 氟化鎂、鎮化合物、鍺化合物、矽化合物及錳化合物更 加均勾地分散於分散媒中。結果，可以更加容易地得到這 些原料之均勻混合物。使用之分散劑係可以配合分散劑之 種類而選擇適當者。在分散劑為水之狀態下，作為分散劑 係可以使用各種之界面活㈣、聚m㈣鹽等。由充分之 分散效果之觀點來看的話，則最好是漿體中之分散劑之濃 度係〇.01〜10重量％、特別是.0.1〜5重量％。 接著，將在漿體調製製程來得到之漿體，導入至介質 軋磨機而進行混合處理，得到均句混合物。作為介質乳磨 機係可以使用顆粒軋磨機、球磨機、塗料振動器、繪圖機、 砂磨機等。特別最好是使用顆粒軋磨機。在其狀態下，運 轉條件或者是顆粒之種類及大小係可以配合裝置之尺寸或 處里量氟化鎂、鎂化合物、錯化合物、；ε夕化合物及欽化 11 201229196 5物之種類等而適度地選擇。 由得到更加均勻之混合物之觀點來 藉由濕式法而造成之人虛 ' ，」最好是 < 犯合處理係進行至 徑（二次粒子之平 心成/刀之平均粒

為止。拉d成為1〇㈣以下、特別是U 在展合處理後，由渡體爽 “心 及體來過處及回收均勻混合物。问 =混合物係最好是在附加於（乙）之燒成製程片， 進仃乾處理。乾燥處理係可以在例 引 〜100小時。 (：，進行i

力於接著：將在（甲）混合製程來得到之均勾混合物，附 :;(乙）之燒成製程而得到疑活化錯酸鹽螢光體 體。燒成條件係最好是燒成溫度為1 025〜12 A 1 050〜1 200。(：。在蜱成π声去戈特別是 在燒成皿度未滿1 025t，不容易得到 、、且成物，並且，不容易固溶發光離子，另一方 溫度超過1250。(：之時，右由私4 在燒成 時有由於粒子間之燒結過度地進行而 不谷易得到粉體之傾向發生。燒成時間係最好是3小時以 上、特別是5〜36小時。燒成之氣氛係並無特別限制，可 以是大氣等之氧化性氣氛中及情性氣體氣氛中之任何一 種。 像這樣得到之燒成體係可以配合需要而附 之燒成製程。 獲歡人 可以對於在燒成後而得到之链活化錯酸鹽鸯 合需要’來進行解碎處理或粉碎處理，並且，還進行八級 本發明之猛活化錯酸鹽勞光體係可以由於改^濕性 12 201229196 因此’由於需要而還藉由金屬氧化物，來對於粒 子表面’進行表面處理。 作為前述之金屬氧化物係使用包含由Be、Mg、M、Si、 Ca 、 Sc 、 Ti 、 V 、 Cr 、 Mn 、 Fe 、 c〇 、 M 、 Cu 、 zn 、以、^ '

Sr Y Zr 、 Nb 、 Mo 、 Cd 、 In ' Sn 、 Sb 、 Te 、 Ba 、 La 、 Hf 、 Τι λ pu n . _ 、Bi、Ce、Pr、Nb、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、 y Ho Er、Tm、Yb、Lu、Th、Pa、U、Pu 而選出之 j 種 或2種以上之金屬元素之金屬氧化物。 作為藉由這些金屬氧化物而對於錳活化鍺酸鹽螢光體 之粒子表面來進行被覆處理之方法係可以使用習知之方 法，如果是顯示其一例的話，則列舉：使用包含前述金屬 凡素之金屬醇鹽，添加前述之金屬醇鹽至含有該紅色螢光 體之製體或懸濁液’進行該金屬醇鹽之水解反應，藉由前 述之金屬氧化物’而對於紅色螢光體之粒子表面，均勻地 進行表面處理之方法等。 鹽螢光體係可以使用在例如 器、電激發光等之顯示器元 450nm前後之激發光譜，因 像這樣得到之錳活化鍺酸 電解放射型顯示器、電漿顯示 件之用途。此外’具有接近於 此’可以適用在藍色LED激發用螢光體之用途。特別是適 合在電激發光之顯示器元件之用$。此外，也可以藉由併 用於藍色激發綠色螢光體之方法、併用藍“肋元件和藍 色激發綠色螢光體而使用之方法、或者是併用藍色LED元 件和藍色激發黃色發光螢光體而使用之方法等，來適用於 白色LED。

§ 13 201229196 實施例 在以下，藉由實施例而說明本發明，但是， 並非限定於這些實施例》 系 以下之實施例及比較例之平均粒徑和bet比 分別正如下列之敘述而進行測定。 ιτ' 平均粒徑：藉由堀場製作所制 作所製造之雷射繞射/散亂式 粒度分布測；t裝置（型號：LA—92{))而進行測^，以樣本 之折射率成為i. 8卜作為分散媒之折射 基準而算出。 精由體積 腸比表面積：使用島津製作所製造之βΕτ法之 附（monosorb )比表面積測定裝 進行载。 &裝置⑺⑽rbn2_)而 [實施例1 ] (曱）均勻漿體調製製程： 秤量氯氧化鎮（平均粒徑〇 57//m)、氣化錯（ 粒徑19.0M、氧化錯（平均粒徑17 7^)、二々 (平均粒徑0. 016以m)和碳酸錳（平均 哪之莫爾數比，成為1:2 =使 0.05 . 0.(Π，裝入至球磨機。在球 (花王(股)公司製、泊(一_，=: IS::來之:合液。分散劑之濃度係2%、之莫爾數 比係顯不僅來自於氫氧化鎂之莫爾數比。 在球磨機’裝入直徑2mm之氧化鍅球進 法而造成之混合粉碎i 5小睥 丁 a 濕式 …5小時。在錯由光散亂法而測定在混 14 201229196 合粉碎後之毁體固態成分之平均粒徑之時，成為〇·3“。 接者，由漿體來過濾及回收混合物，在12〇。〇，進行 1 5小時之乾燥而得到乾燥粉體。 丁 Λ Γ 祖钇屎叔體之平均粒徑係 0· 5 m。 (乙）燒成製程： 接著 以靜置6 光體》 ’在電爐，裝入乾燥粉體， 小時之狀態，來進行燒成， 在大氣下、115(Tc， 得到錳活化鍺酸鹽螢 在就得到之猛活化錯酸鹽螢光體而進行χ射線繞射測 疋之時’ 4認該錳活化鍺酸鹽螢光體係“guGe5〇“。_ 而、且成成為早一組成物之猛活化錯酸鹽營光體。 [實施例2] 除了在貝施例1之（甲）均勻混合毁體調製製程，样 量氫氧化鎂（平均粒徑。.57")、氟化鎂（平均粒徑19〇 、氧域（平均粒徑17.7“）、二氧切（平均粒 徑〇.〇i6am)和碳酸錳（平均粒徑5 2#m)而使得MgF2: : Ge : Si: Μη 之莫爾數比，成為 i : 3 : 〇. 89 : 〇. i : 〇. 〇ι , 裝入至球磨機以外，其餘係相同於實施例丨而得到錳活化 鍺酸鹽螢光體。在就得到之錳活化鍺酸鹽螢光體而進行χ 射線繞射測定之時，確認由MguGesO24和Mg〇而組成，成為 單一組成物之錳活化鍺酸鹽螢光體。 [實施例3 ] 除了在實施例1之（甲）均勻混合漿體調製製程，秤 量氫氧化鎂（平均粒徑〇· 57/z m)、氟化鎂（平均粒徑19. 〇

15 201229196 V m)、氧化鍺（平均粒徑17. 7 // m )、二氧化矽（平均粒 徑0. 016# m)和碳酸錳（平均粒徑5. 2" m)而使得MgF2 : 化，〇6.31:^|11之莫爾數比，成為1:3:〇.79:〇.2:〇.〇1， 裝入至球磨機以外，其餘係相同於實施例1而得到錳活化 錯營光體。在就彳于到之猛活化錯酸鹽螢光體而進行X 射線繞射測定之時，確認由Mgl4Ges〇24和Mg〇而組成，成為 單一組成物之錳活化鍺酸鹽螢光體。 [比較例1 ] 混合漿體調製製程，秤 氟化鎂（平均粒徑19. 0 除了在實施例1之（甲）均勻 量氫氧化鎂（平均粒徑〇· 57 # m )、 ㈣）、氧化鍺（平均粒徑17.7//ffl)和碳酸錳（平均粒徑 5.2“）而使得MgF2:Mg:Ge:Mn之莫爾數比，成為1:3: U9: 〇.〇卜裝入至球磨機以外，其餘係相同於實施例（ 而得到猛活化鍺酸鹽螢光體。在就得到之猛活化鍺酸鹽營 光體而進行X射線繞射料之時，仙由化如心和_ 而’且成成為單一組成物之錳活化鍺酸鹽螢光體。 [比較例2 ] 旦^ 了在貫施例1之（甲）均勻混合衆體調製製程，科 里 鎮（平均粒徑D、氣化鎮（平均粒徑19 〇 # «〇 、氧化鍺（平均粒 ,,〇 filR 、 17.7#以、二氧化矽（平均粒 k 〇. 016 # m)和碳酸錳（平

Mg . Γρ . Q. _ ♦杬 5. m)而使得]^?2:

Mg · Ge · Si : Μη之莫爾數比，成 f 人 $ 抹 n 珉為 1 · 3. 0. 69 : 〇. 3 : w， ^ 1 u外’其餘係相同於實施例1而得^ ^化 鍺酸鹽螢光體。在就得到之m 彳龍活化 到之猛活化鍺酸鹽t光體而進行χ

S 16 201229196 射線繞射測定之時，確認由和Mg0而組成，成為 單一組成物之猛活化錯酸鹽螢光體。 <猛活化鍺酸鹽螢光體之物性評價> 就在實施例及比較例來得到之錳活化鍺酸鹽螢光體， 藉由記載於先前敘述之方法而測定平均粒徑及bet比表面 積，其結果’顯示於表2。 【表1】 原料裝入量（莫爾數比） 燒成溫度 燒成時間 (h) MgF2 Mg原子 Ge原子 Si原子 Μη原子 (0〇 實施例1 1 3 0.94 0.05 0.01 1150 6 實施例2 1 3 0.89 0.1 0.01 1150 6 實施例3 1 3 0.79 0.2 0.01 1150 6 比較例1 1 3 0.99 一 0.01 1150 6 比較例2 1 3 0.69 0.3 0.01 1150 6 【表2】 組成 平均粒徑 (卵） BET比表面積 (mVg) 實施例1 3MgO»lMgF2· { (Ge0.94Si0.05) 〇2} ：〇. 〇1Μη4+ 9.2 16.2 實施例2 3MgO»lMgF2· { (Ge〇.89Si〇..) 〇2} ： 0. 〇1Μη4+ 10.5 15.3 實施例3 3MgO«lMgF2· { (Ge〇.79Si〇.2) 〇2} ： 0.01Mn4+ 12.1 14.7 比較例1 3MgO · lMgFa · Ge〇.99〇2 ： 0. 01Mn4+ 7.9 20.3 比較例2 3MgO*lMgF2· { (Ge〇.69Si〇.3) O2} ： 〇. 01Mn4+ 15.3 10.8 [作為紅色螢光體之評價] 就在實施例及比較例來得到之錳活化鍺酸鹽螢光體， 錯由以下之方法而測定在激發波長45 〇nm之内部量子效率 17 201229196 及相對發光強度。這些結果，顯示於以下之表3。 [内部量子效率] 使用曰立高科技公司製之螢光分光光度計（F一 7〇〇〇) 和附屬之積为球，成為激發光45〇nm，掃描由開始至 700nm之範圍，求出轉換效率。此外，在用以測定全散亂 光之試料’使用氧化銘粉末。以藉由氧化链而得到之奶 開始至475nm之光譜強度積分值，作為激發光量，以藉由 螢光體試料而得到之435開始至475nm之光譜強度積分 值，作為吸收後激發光量，以藉由螢光體試料而得到之6〇〇 開始至70〇nm之光譜強度積分值，作為螢光量而求出。接 著，由以下之公式而求出内部量子效率。 内部量子效率（％ ) =100x螢光量+(激發光量—吸收 後激發光量）。 [相對發光強度] 使用日立高科技公司製之螢光分光光度計（F_ 7000 ) ’成為激發光450nm，掃描由470開始至800nm之 祀圍，付到螢光光譜。由得到之強度值，以最大發光強度 作為100而求出相對發光強度。 【表3】 内部量子效率 __(% ) 相對發光強度 實施例1 __64. 0 100 實施例2 _65. 6 98. 6 實施例3 __67.3 92. 6

18 S 201229196 比較例

比較例2 74. 9 61. 5 此外’由表3所示之結果而明確地判斷：實施例1之 猛活化錯酸鹽螢光體（本發明品）係比起比較例1之錳活 化鍺酸鹽螢光體，還更加地使得在紅色區域之發光強度變 南0 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無 19

Claims (1)

1. 201229196 七、申請專利範圍： 1. 一種錳活化鍺酸鹽螢光體，其特徵在於：藉由下列 之通式（1 ): aMgO · bMgF2 · c { ( Ge卜ySiy) 〇2 } : xMn4+ ( 1 ) (在化學式中，a係表示〇<a$4，b係表示〇.5SbS4，c 係表示0.8Sc$1.2，x係表示0.001SxS0.05，y係表示 〇〈y$〇.28)所表示。 2.如申請專利範圍第1項之錳活化鍺酸鹽螢光體，其 中’藉由270〜550nm之激發光而進行發光。 3·如申請專利範圍第1或2項之錳活化鍺酸鹽螢光 體’其中，在600〜750 nm之區域，具有發光帶。 4 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之锰活化鍺酸 鹽勞光體’其中，平均粒徑係1〜5〇 # m。 5. —種錳活化鍺酸鹽螢光體之製造方法，製造申請專 利範圍第1項所述之錳活化鍺酸鹽螢光體， 其特徵在於包含： 混合氟化鎂、氟化鎂以外之鎂化合物、鍺化合物、石夕 化合物和錳化合物’燒成得到之混合物之製程。 6. 如申請專利範圍第5項之錳活化鍺酸鹽螢光體之製 造方法’其中，燒成溫度係1 025〜1 25 0。(：。 7. 如申請專利範圍第5或6項之錳活化鍺酸鹽螢光體 之製造方法，其中，矽化合物係二氧化矽。 8. 種發光70件，其特徵在於：使用申請專利範圍第 1至4項中任一項所述之錳活化鍺酸鹽螢光體。 S 20