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TW201226407A - Bicarbazole compounds for oleds - Google Patents

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TW201226407A
TW201226407A TW100129851A TW100129851A TW201226407A TW 201226407 A TW201226407 A TW 201226407A TW 100129851 A TW100129851 A TW 100129851A TW 100129851 A TW100129851 A TW 100129851A TW 201226407 A TW201226407 A TW 201226407A
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TW
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doc
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aryl
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TW100129851A
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TWI530496B (zh
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chuan-jun Xia
Raymond Kwong
Ken-Tsung Wong
Ming-Cheng Kuo
Original Assignee
Universal Display Corp
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Publication date
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Publication of TW201226407A publication Critical patent/TW201226407A/zh
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Description

201226407 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機發光裝置（OLED)。更特定言之，本 發明係關於包含雙咔唑之磷光有機材料，該雙咔唑在9位 處具有含氮雜環。 本申請案主張2010年8月20曰申請之國際申請案第 PCT/US2010/046,218號之優先權，該案揭示内容以全文引 用的方式明確併入本文中。 φ 所主張之本發明係代表及/或聯合以下各方中之一或多 者依據大學企業共同研究協定（joint university corporation research agreement)而提出：密歇根州大學（University of Michigan)董事會、普林斯頓大學（Princeton University)董 事會、南加州大學（The University of Southern California) 董事會及通用顯示器公司（Universal Display Corporation)。 該協定在提出所主張之發明之日及之前即已生效且所主張 之發明係由在該協定範鳴内所進行之活動而提出。 # 【先前技術】 利用有機材料之光電裝置由於許多原因而變得日益合乎 需要。用於製造該等裝置之許多材料相對便宜，因此有機 光電裝置有可能具有優於無機裝置之成本優勢。此外，有 機材料之固有性質（諸如其可撓性）可使其良好適用於特定 應用，諸如在可撓性基板上製造。有機光電裝置之實例包 括有機發光裝置（OLED)、有機光電晶體、有機光伏打電 池及有機光偵測器。對於OLED，有機材料可具有優於習 158305.doc 201226407 知材料之效能優勢。舉例而言，有機發射層發射之光之波 長通常可容易地用適當摻雜劑來調諧。 當跨OLED施加電壓時，該等裝置將制發光之有機薄 膜OLED正日益成為用於諸如平板顯示器、照明及背光 之應用的值得關注之技術。若干〇咖材料及組態描述於 美國專利第5,844,363號、帛6,3G3 238號及第5,7()7,745號 中，其均以全文引用的方式併入本文中。 璃光發射刀子之—個應用為全色顯示器。關於該種顯示 器之工業標準需要適合於發射特定色彩（稱為「飽和」色） 之像素。詳言之’言亥等標準需要飽和紅色、綠色及藍色像 素。色彩可使用此項技術中熟知的座標量測。 綠光發射分子之一實例為參（2-苯基《比咬）銥，表示為 Ir(ppy)3，其具有結構： 在此圖及下文之圖式中，以直線描繪氮至金屬(此處為 Ir)之配位鍵（dative bond)。 如本文中所用之術有機」包括可用於製造有機光電 裝置之聚合材料及小分子有機材料。「小分子」係指不為 聚合物之任何有機材料4「小分子」實際上可能相當 大。在-些情況下’小分子可包括重複單元。舉例而言， 使用長鏈烷基作為取代基並不會將某一分子自「小分子」 類別中移除。小分子亦可例如作為聚合物线上之側基1 158305.doc 201226407 作為主鏈之一部分併入聚合物中。 小分子亦可充當樹狀體 之核心部分，該樹狀體由建立於兮 , %该核心部分上之一系列化 學殼層組成。樹狀體之核心部分 1刀j為螢光或磷光小分子 射體。樹狀體可為「小分子，且为产s _ 且咸k目前用於〇Led領 域之所有樹狀體均為小分子。 如本文中所用，「頂部」意謂離基板最遠，*「底部」 思谓距基板最近。在將第一層描述「 後 「上方」•，第-層係安置於離基板較遠…= -層與第二層「接觸」’否則第—層與第二層之間可存在 其他層。舉例而言，即使陰極與陽極之間存在各種有機 層’陰極亦可被描述為「安置於」陽極「上方」。 如本文中所用，「溶液可加工」意謂能夠溶解、分散或 傳輸於液體介質中及/或自液體介質沈積，該液體介質呈 溶液或懸浮液形式。
當咸h配位體直接促成發射材料之光敏性質時，配位體 可稱為「光敏性」配位體。當咸信配位體並不促成發射材 料之光敏性質時，配位體可稱為「輔助性」配位體，但輔 助性配位體可能改變光敏性配位體之性質。 如本文中所用且如熟習此項技術者通常所理解，若第一 能階較接近於真空能階，則第一「最高佔用分子轨域」 (Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或「最低未 佔用分子轨域」（Lowest Unoccupied Molecular Orbital， LUMO)之能階「大於」或「高於」第二HOMO或LUMO能 階。由於經量測，游離電位（IP)相對於真空能階為負能 158305.doc 201226407 量，故較高HOMO能階對應於具有較小絕對值之IP(IP為較 大負值（less negative))。類似地，較高LUMO能階對應於 具有較小絕對值之電子親和力（EA)(EA為較大負值）。在頂 部為真空能階之習知能階圖上，一種材料之LUMO能階高 於同一材料之HOMO能階。「較高」HOMO或LUMO能階 看起來比「較低」HOMO或LUMO能階更接近於該圖的頂 部。 如本文中所用且如熟習此項技術者通常所瞭解，若第一 功函數具有較高絕對值，則第一功函數「大於」或「高 於」第二功函數。由於經量測，功函數通常相對於真空能 階為負數，故此意謂「較高」功函數為較大之負值（more negative)。在頂部為真空能階之習知能階圖上，「較高」 功函數圖示為在向下方向上離真空能階較遠。因此， HOMO及LUMO能階之定義遵循與功函數不同的慣例。 關於OLED之更多詳情及上述定義可見於美國專利第 7,279,704號中，其以全文引用的方式併入本文中。 【發明内容】 提供包含雙咔唑之化合物。該等化合物具有下式：
/Vi A i, τ 式1 〇
Ri、R2、R3及R4可表示單取代、雙取代、三取代或四取 158305.doc 201226407 、烷基、烷氧基、胺 之群0 Ar!、Ar2及 Ar3 代。R丨、R2、R3及R4獨立地選自由氫 基、烯基、炔基、芳基及雜芳基組成 及Ar3可經進一步取 獨立地選自芳基或雜芳基。Ar 代。X為C或Ν。 獨立地選自由苯基 疋？佩丁 萘、聯苯、聯三苯 '第、_ 弗—本开呋喃、二苯并噻吩、菲及 聯伸三苯組成之群β Ar、△ _ 1 Aq及A1·3獨立地經選自由氫、 基、烧氧基、胺基、嫌其 a# # ^ 丞席基、炔基、芳基及雜芳基 的^基進-步取代’但取代基不為與^ —基。A—獨立地選自由笨：接 …蔡組成之群。私較佳係選自由苯基、聯苯本基： 并呋喃及二苯并噻吩組成之群。 一本 在另一態樣中’H、m4為氫。 亦提供包含雙〇卡π企夕A , 叉卡圭之化合物之特定實例。詳言之， 物係選自由以下組成之群： 匕5
158305.doc 201226407
化合物1 化合物2
化合物3 化合物4 158305.doc 201226407 Ο
158305.doc -9· 201226407
158305.doc • 10· 201226407
158305.doc -11 - 201226407
化合物17 化合物18+
化合物19 化合物20
158305.doc -12- 201226407
158305.doc -13- 201226407
158305.doc -14- 201226407
化合物31 化合物32 158305.doc -15- 201226407
化合物33 化合物34
化合物35 化合物36 158305.doc •16- 201226407
158305.doc -17- 201226407
化合物43 化合物44 158305.doc -18 - 201226407
158305.doc •19- 201226407
化合物49 化合物50
化合物51 化合物52 158305.doc 201226407
化合物55 化合物56 158305.doc •21- 201226407
化合物59 化合物60 158305.doc -22- 201226407
158305.doc -23- 201226407 Ο
158305.doc 24 · 201226407
化合物69 化合物70
化合物71 化合物72 158305.doc -25- 201226407
化合物75 化合物76 158305.doc -26- 201226407
158305.doc -27· 201226407
158305.doc -28- 201226407
158305.doc -29- 201226407
158305.doc -30- 201226407
158305.doc •31 - 201226407
S
158305.doc -32- s 201226407
158305.doc -33- 201226407
158305.doc -34- s 201226407
158305.doc 201226407
158305.doc -36. 201226407
化合物118 化合物117
158305.doc •37- 201226407
P N
158305.doc -38- 201226407 Ο
158305.doc •39- 201226407
201226407
158305.doc •41 201226407
N丄N
158305.doc ·42· 201226407
158305.doc -43- 201226407
化合物145 化合物146
158305.doc -44· S 201226407
158305.doc • 45· 201226407
158305.doc -46- 201226407
158305.doc -47 * 201226407
158305.doc -48- 201226407
158305.doc • 49· 201226407
158305.doc -50- 201226407
158305.doc -51- 201226407
201226407
183 化合物184 亦提供包含有機發光裝置之第一裝置。該裝置進一步包 含陽極、陰極及安置於陽極與陰極之間的有機層。有機層 包含如上文所描述之式I化合物。
Ri、R2、R3及R4可表示單取代、雙取代、三取代或四取 代。Ri、R2、R3及R4獨立地選自由氫、烷基、烷氧基、胺 基、烯基、炔基、芳基及雜芳基組成之群。Ari、Ar2及Αγ3 獨立地選自芳基或雜芳基。Ari、Ah及可經進一步取 代。X為C或Ν。 在一態樣中’ Ari、Ah及An獨立地選自由苯基、。比。定、 158305.doc •53- 201226407 萘、聯苯、聯三苯、苐、二苯并呋喃、二苯并噻吩、菲及 聯伸二苯組成之群。Ar广Ah及A1·3獨立地經選自由氫、烷 基、烷氧基、胺基、烯基、炔基、芳基及雜芳基組成之群 的取代基進一步取代，但取代基不為與Ari、A。及A。直接 稠合之芳基或雜芳基。八^及Ar*2較佳獨立地選自由苯基、 。比啶及萘組成之群。Ah較佳係選自由笨基、聯苯、二苯 并0夫喃及二苯并《塞吩組成之群。 在另一態樣中’ R,、R2、反3及尺4為氫。 亦提供含有包含雙料之化合物之裝置的特定實例 言之，化合物係選自由化合物〗至化合物184組成之群。 在一態樣中，使用溶液加工來沈積有機層。 雜劑 在一態樣中，有機層為發射層且式以匕合物為主體。 在另一態樣中，有機層進—步包含具有下以發射_
158305.doc •54· 201226407
158305.doc ·55· 201226407
D23 D24
158305.doc -56- 201226407
D33 D34 D35
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在一態樣中，第一裝置為消費型產品。在另一態樣中， 修 第一裝置為有機發光裝置。 【實施方式】 通常，OLED包含至少一個有機層，其安置於陽極與陰 極之間且與陽極及陰極電連接》當施加電流時，陽極注入 電洞且陰極注入電子至有機層中。所注入之電洞及電子各 自朝帶相反電荷之電極遷移。當電子及電洞定位於同一分 158305.doc •58· 201226407 子上時’形成「激子」，其為具有激發能態之定域電子_ 電洞對。當激子經由光發射機制弛豫時，發射光。在_此 情況下，激子可定位於準分子或激發複合物（exciplex)上。 亦可能出現諸如熱弛豫之非輻射機制，但通常認為其不人 需要。 最初的OLED係使用自單重態發光（「螢光」）之發射分 子，如例如美國專利第4,769,292號中所揭示，其以全文引 用的方式併入本文中。螢光發射通常在小於1〇奈秒 (nanosecond)之時段内發生。 最近已說明具有自三重態發光（「磷光」）之發射材料的 OLED。Baldo等人，「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」，Nature，第 395 卷，151-154, 1998 ; (「Baldo-I」）及Baldo等人，「Very high- efficiency green organic light_emiuing devices based on electrophosphorescence」，Appl. Phys· Lett·，第 75卷，第 3 期，4-6(1999)(「Baldo-II」），兩篇文獻均以全文引用的方 式併入本文中。磷光更詳細地描述於美國專利第7,279,7〇4 號，第5-6行，其以引用的方式併入本文中。 圖1展示有機發光裝置1 〇〇。該等圖式未必按比例描繪。 裝置100可包括基板11〇、陽極115、電洞注入層120、電洞 傳輸層125、電子阻擋層13〇、發射層135、電洞阻擋層 140、電子傳輸層145、電子注入層15〇、保護層ι55及陰極 160°陰極160為具有第一導電層ι62及第二導電層164之複 合陰極。裝置1〇〇可藉由依次沈積所描述之層來製造。該 158305.doc -59- 201226407 專不π層之i1生質及功此以及貫例村料更詳細地描述於us 7,279,704，第6-10行中，其以引用的方式併入本文中。 可提供各該等層之更多實例。舉例而言，可撓且透明之 基板-陽極組合係揭示於美國專利第5,844,363號中其以 全文引用的方式併入本文中。P摻雜之電洞傳輸層之實例 為按5〇:1之莫耳比摻雜F^TCNQ之m_MTDATA，如美國專 利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，該案以全文引 用的方式併入《發射材料及主體材料之實例揭示於 Thompson等人之美國專利第6,3〇3 238號中，其以全文引 用的方式併入。η摻雜之電子傳輸層的實例為按^之莫耳 比摻雜Li之BPhen，如美國專利申請公開案第2〇〇3/〇23〇98〇 號中所揭* ’其以全文引用的方式併人。^國專利第 5,703,436號及第5,707,745號（其以全文引用的方式併入）揭 示陰極實例，包括具有金屬薄層之複合陰極，諸如上覆透 明、導電、錢沈積之IT〇層的Mg:Ag。關於阻檔層之理 論及使用更詳細地描述於美國專利第6,〇97,丨47號及美國專 利申請公開案第2003/0230980號中，其均以全文引用的方 式併入。注入層之實例提供於美國專利申請公開案第 2〇〇4/〇 174116號中’其以全文引用的方式併入。關於保護 層之說明可見於美國專利申請公開案第2〇〇4/〇ΐ74ι 16號 中，其以全文引用的方式併入。 請示倒置式〇LED 200。該裝置包括基板21〇、陰極 215、發射層220 '電洞傳輸層225及陽極23卜裝置2〇〇可 藉由依次沈積所描述之層來製造。由於最常見之〇led組 158305.doc 201226407 態中陰極安置於陽極上方’而裝置細中陰極2i5安置於陽 極230下方，故裝置2〇〇可稱為「倒置式」〇led〇與有關 裝置1〇〇所描述類似之材料可用於裝置勘之相應層卜圖 2提供一個如何自裝置1〇〇之結構省略一些層之實例。 圖1及圖2中說明之簡單層狀結構係以非限制性實例提 供，且應'理解本發明之實施例可與多種其他結構結合使 用。所描述之特定材料及結構本質上為例示性的，且可使 用其他材料及結構。可藉由以不同方式組合所描述之各種 ::獲得功能性0LED，或可基於設計、效能及成本因素 完全省去各層。亦可包括未具體描述之其他層。可使用除 具體描述之材料以外的材料。儘管本文中所提供之許多實 例將各種層描述為包含單_材料，但應瞭解可使用材料之 、·且σ諸如主體與摻雜劑之混合物，《更一般的混合物。 該$層亦可具有各種子層。本文中對各種層給出之名稱並 不意欲成為嚴格限制。舉例而言，在裝置2〇〇中，電洞傳 輸層225傳輸電洞且注入電洞至發射層22〇中，且可描述為 電洞傳輸層或電洞注入層。在一實施例中，〇led可描述 為具有安置於陰極與陽極之間的「有機層」。該有機層可 包含單一層，或如（例如）關於圖1及2所描述一般，可進一 步包含具有不同有機材料之多個層。 亦可使用未具體描述之結構及材料，諸如包含聚合材料 之0LED(PLED) ’諸如Friend等人之美國專利第5,247，190 號中所揭示者，其以全文引用的方式併入。作為另一實 例’可使用具有單一有機層之〇LED。可堆疊〇led，如例 158305.doc 201226407 如Forrest等人之美國專利第5,7〇7,745號中所述，其以全文 引用的方式併入》0LED結構可與圖1及圖2中說明之簡單 層狀結構不同。舉例而言，基板可包括傾斜反射表面以改 良外部耦合’諸如Forrest等人之美國專利第6,091,195號t 所述之台面結構（mesa structure)，及/或如Bulovic等人之 美國專利第5,834,893號中所述之凹槽結構（pit structure)， 該等專利均以全文引用之方式併入。 除非另有說明，否則可藉由任何合適的方法沈積各種實 施例之任何層。對於有機層，較佳方法包括熱蒸發法；喷 墨法（ink-jet) ’諸如美國專利第6〇13 982號及第6〇87196 號中所述，其均以全文引用的方式併入；有機氣相沈積法 (organic vapor phase deposition，OVPD)，諸如Forrest等人 之美國專利第6,337，1 02號中所述，其以全文引用的方式併 入’及藉由有機蒸汽喷印（organic vap〇r jet printing， ovjp)進行之沈積，諸如美國專利申請案第1〇/233,47〇號 中所述其以全文引用的方式併入。其他適當的沈積方法 包括旋塗法及其他基於溶液之方法。基於溶液之方法較佳 在氮氣或惰性氛圍中進行。對於其他層，較佳方法包括熱 蒸發法。較佳圖案化方法包括透過光罩沈積、冷熔接（諸 如美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所述，其均以 全文引用的方式併入）及結合諸如喷墨及〇VJD之一些沈積 方法的圖案化方法。亦可使用纟他方法。待沈積之材料可 經改質以使其與特定沈積方法相容。舉例而言，可在小分 子中使用分支或未分支且較佳含有至少3個碳之取代基（諸 158305.doc •62· 201226407 如烷基及芳基）以增強其經受溶液加工的能力。可使用具 有20或20個碳以上之取代基且3至2〇個碳為較佳範圍。由 於不對稱材料可具有較低之再結晶傾向，故具有不對稱結 構之材料之溶液可加工性可優於具有對稱結構之材料。樹 狀體取代基可用於增強小分子經受溶液加工之能力。 根據本發明之實施例製造之裝置可併入多種消費型產品 中，包括平板顯示器、電腦監控器、電視、廣告牌、室内 或室外照明燈及/或信號燈、抬頭顯示器、完全透明顯示 器、可撓性顯示器、雷射印表機、電話、手機、個人數位 助理（PDA)、膝上型電腦、數位攝影機、攝錄影機、取景 鏡、微型顯不器、運載工具、大面積牆、劇場或運動場屏 幕’或標誌（sign)。可使用各種控制機構來控制根據本發 明製造之裝置，包括被動型矩陣及主動型矩陣。許多裝置 欲用於人類感覺舒適之溫度範圍内，諸如18。〇至3〇。〇，且 更佳為室溫（20-25°C)。 本文中所描述之材料及結構可應用於除〇LED以外的裝 置中。舉例而言’諸如有機太陽能電池及有機光偵測器之 其他光電裝置可使用該等材料及結構，更一般而言，諸如 有機電晶體之有機裝置可使用該等材料及結構。 術語鹵基、鹵素、烷基、環烷基、烯基、炔基、芳基烷 基、雜環基、芳基、芳族基及雜芳基為此項技術中已知的 且定義於US 7,279,704，第3卜32行中，其以引用的方式併 入0 提供新穎的含有雙咔唑之化合物（說明於圖3中）。更特 158305.doc -63- 201226407 定言之，該等化合物含有3,3，_雙咔唑核心及在9位處之三 嗪或嘧啶取代。該等化合物可用作磷光〇LED之主體。 先前已描述用作OLED材料之含有咔唑之化合物。詳言 之，3，3 -雙咔唑化合物具有優良的電洞傳輸性質，但對電 子具有弱穩定性。經烷基及芳基取代之3,3,_雙咔唑化合物 已被用作OLED十之電洞傳輸材料及主體；然而，該等化 合物亦具有不平衡之電荷傳輸性質及弱電子穩定性且可能 使裝置具有較低效率及有限的使用壽命。舉例而言，經二 芳基取代之3,3，-雙咔唑（亦即H1)具有約5 6 eV2H〇M〇 , 具有極佳之電洞傳輸性，但電子傳輸性及穩定性較差。因 此，文獻中報導之3,3’·雙咔唑化合物之使用受到限制。 在本發明中，將含氮缺電子雜環引入3,3,_雙咔唑化合物 中。詳言之，化合物含有3,3，_雙咔唑核心及在9位處二三 嗪或嘧啶取代。含氮雜環調諧H〇M〇/LUM〇能階且辦 合物對電子之穩定性。此外’該等化合物含有供體部分 (亦即雙咔唑）及受體部分（亦即缺電子含氮雜環卜在不受 理論約束的情&下，咸信該等供體·受體型分子可縮減= 重態及三重態能隙’且改良對電洞及電子之穩定性。因 此’該等含有氣雜環之3,3，_雙㈣化合物可提供具有較佳 穩定性及較低操作電壓之裝置。 提供包含雙咔唑之化合物。該等化合物具有下式： 158305.doc -64- 201226407
式i。
Ri、R·2、R3及R4可表示單取代、雙取代、三取代或四取 代。R!、R2、R3及尺4獨立地選自由氫、烷基、烷氧基、胺 基、烯基、炔基、芳基及雜芳基組成之群。Aq、AO及Ah 獨立地選自芳基或雜芳基。Ari、Ar2及Ar3可經進一步取 代。X為C或N。 在一態樣中’ Ar!、Ar2及Ar3獨立地選自由苯基、吡啶、 萘、聯苯、聯三苯、苐、二苯并呋喃、二苯并噻吩、菲及 聯伸二苯組成之群，且Ari、Ah及A。獨立地經選自由氫、 烧基、院氧基、胺基、稀基、炔基、芳基及雜芳基組成之 群的取代基進一步取代，但取代基不為與Ar]、A。及直 接稠合之方基或雜芳基β AriAAr2較佳獨立地選自由苯 基、…萘组成之群。化較佳係選自由苯基、聯苯、 二苯并呋喃及二苯并噻吩組成之群。 在另一態樣令，R1、R2'R3及r4為氫。 詳言之，化合 亦提供包含雙。卡唾之化合物之特定實例 物係選自由以下組成之群： 158305.doc -65- 201226407
化合物1 化合物2
化合物3 化合物4
158305.doc •66- S 201226407
158305.doc -67· 201226407
158305.doc •68- 201226407
158305.doc -69- 201226407
化合物18
158305.doc -70· 201226407
158305.doc •71 · 201226407
158305.doc -72- 201226407
158305.doc -73- 201226407
化合物36 158305.doc • 74· 201226407
化合物39
化合物38
158305.doc •75 201226407
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化合物45 化合物46
化合物48 158305.doc •77 201226407
化合物49 化合物50
化合物51 化合物52 158305.doc •78· 201226407
化合物55 化合物56 158305.doc -79- 201226407
..丄
158305.doc • 80 - 201226407
化合物63 化合物64 158305.doc -81 - 201226407
N
N
化合物65 化合物66
化合物67
κι
N
化合物68 158305.doc -82 - 201226407
化合物69 化合物70
化合物71 化合物72 158305.doc -83- 201226407
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化合物85
化合物87 158305.doc 201226407
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S
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化合物113 化合物114
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化合物135 158305.doc 201226407
158305.doc •100· 201226407
化合物143 4匕合物144 158305.doc -101 201226407
化合物147 化合物148
158305.doc -102- 201226407
化合物149
化合物150
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i
I
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ry 158305.doc -109- 201226407
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亦提供包含有機發光裝置之第一裝置。該裝置進一步包 含陽極、陰極及安置於陽極與陰極之間的有機層。有機層 包含如上文所描述之式I化合物。 R!、R2、R3及FU可表示單取代、雙取代、三取代或四取 代。R,、R2、R3及I獨立地選自由氫、烷基、烷氧基、胺 基、烯基、炔基、芳基及雜芳基组成之群。An、AO及AO 獨立地選自芳基或雜芳基。Ari、Ar2及Μ可經進一步取 代。X為C或Ν。 在一態樣中 ά
An、An及Ah獨立地選自由苯基、吡啶、 158305.doc -111 - 201226407 萘、聯苯、聯三笨、第、二苯并。 夫喃 聯伸三苯組成之群。Α Δ sA 本并塞％、菲及 美广望其群Ar,、Ar2及ΑΓ3獨立地經選自由氫、炫 二取二i!基、烯基、快基、芳基及雜芳基組成之群 :代基步取代，但取代基不為W2w 稠口之方基或雜芳基。Ari及Ar2較佳獨立地選自由苯基、 吡啶及萘組成之群。Αγ3較佳係選自由笨基、聯笨、二苯 并11 夫喃及一笨并嗟吩組成之群。 在另一態樣中’ Ri、R2、R^r4為氫。 亦提供含有包含雙咔唑之化合物之裝置的特定實例。詳 言之，化合物係選自由化合物丨至化合物丨84組成之群。 在一態樣中，使用溶液加工方法來沈積有機層。 在一態樣中，有機層為發射層且式I化合物為主體。 在另一態樣中，有機層進一步包含具有下式之發射性掺 雜劑：
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D23 D24
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D29
D30
D33 D34 D35
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第一裝置為有機發光裝置。 與其他材料組合 本文中描述之適用於有機發光裝置中之特定層的材料可 與該裝置中存在之多種其他材料組合使用。舉例而言，本 文中揭示之發射性摻雜劑可與多種主體、傳輸層、阻擋 層’主入層、電極及其他可能存在之層結合使用。下文描 158305.doc • 116 - 201226407 述或提及之材料為可與本文中揭示之化合物組合使用之材 料的非限制性實例，且熟習此項技術者可容易地查閲文獻 以鑑別其他可組合使用之材料。 HIL/HTL ： 本發明中所用電洞注入/傳輸材料不受特定限制且可使 用任何化合物，限制條件為該化合物通常用作電洞注入/ 傳輸材料。該材料之實例包括（但不限於）：酞菁或卟啉衍 生物；芳族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟代烴之 • 聚合物；具有傳導性摻雜劑之聚合物；傳導性聚合物，諸 如PEDOT/PSS ;衍生自諸如膦酸及矽烷衍生物之化合物之 自組裝單體，金屬氧化物衍生物，諸如; p型半傳導 性有機化合物，諸如M，5,8,9，12_六氛雜三伸苯基六甲 腈；金屬錯合物及可交聯化合物。 用於HIL或HTL中之芳族胺衍生物之實例包括（但不限 於）以下一般結構：
Ar1
Ar3
Ar\ Ar4 N—Ar1-N^Vr5
Ar2、/Ar3 N
Ar4\ /Ar7、N Ar5 Ar5 ,Ατ5 、N λ M Ai4 \ / N—Ar1—N \r5 Ar«~N Ar9 V A〆
Ar6、/Ar2/Ar9 N N
Ar7 Af^
Ar!至Ah中之每一者係選自由芳族烴環狀化合物組成之 群，諸如笨、聯苯、聯三笨、聯伸三苯、萘、蒽、 158305.doc -117- 201226407 菲、第、疤、蔑、茈、奠；由芳族 兮1〜 雜每化合物組成之群， 諸如-本并嚷吩、二苯并咳喃、二笨并碼吩、 吩、苯并味喃、笨并嗟吩、苯并砸吩…卡唾、 唾"比咬基心朵、料并二。比咬"比哇、咪唾、三唾、唾 唾、嗟唾、嗓二唾、嗓三唾、二噪唾、嗟二唾…、；、 秦略咬、。比σ秦、三嗪、嗔嗓、。亞α案喊 m ^ 來心噻嗪、氧二氮雜環己 ，、㈣、苯并咪°坐、·、❹嗪、苯并μ、苯并異 鳴。坐、苯并㈣、唾琳、異㈣、怜啥。坐琳… 啉-Τ、咬it嗪、嗓咬、二苯并娘畴（xanthene)、。丫咬、 吩嗪、啡料、啡料、料W并㈣、。夫喃并二„比 咬、苯并售吩并吼咬、嗟吩并二0比〇定、苯并⑽并〇比咬及 石西酴并"比唆；及由2至1〇個環狀結構單元組成之群，其為 選自芳族烴環狀基團及芳族雜環基團之相同類型或不同類 型之基團且彼此直接鍵結或經氧原子、氮原子、硫原子、 石夕原子、鱗原子、侧原子、鏈結構單元及脂族環狀基團中 之至少一者鍵結。其中各Ar經選自由氫、烷基、烷氧基、 胺基烯基、炔基、芳基烷基、雜烷基、芳基及雜芳基組 成之群的取代基進一步取代。 在態樣中，Arl至Ar9獨立地選自由以下組成之群：
158305.doc 201226407 k為1至20之整數；X1至X8為CH或Ν ; Ar1具有以上定義 之相同基團。 用於HIL或HTL中之金屬錯合物之實例包括（但不限於） 以下通式：
Μ為原子量大於40之金屬；（YLY2)為雙齒配位體，γι及 Υ2獨立地選自C、Ν、Ο、Ρ及S ; L為輔助性配位體；爪為丄 至可連接至金屬之配位體之最大數目的整數值；且m+n為 可連接至金屬之配位體之最大數目。 在一態樣中’（Υ^Υ2)為2_笨基吡啶衍生物。 在另一態樣中，（Υ〗-Υ2)為碳烯配位體。 在另一態樣中，Μ係選自Ir、pt、〇3及Zll。 在另一態樣中，與Fc+/Fc對相比，金屬錯合物在溶液中 具有小於約0·6 V之最小氧化電位。 主體：
摻雜劑之三重態能量。 以下通式： 用作主體之金屬錯合物之實例較佳具有
158305.doc -119- 201226407 Μ為金屬；1始土 乂馬雙齒配位體，Υ3及Υ4獨立地選自 C、Ν、0、ρ 及 ς . τ Α 上 ，L為輔助性配位體；m為1至可連接至金 屬之配位體之最大數 ,大數目的整數值丨且m+n為可連接至金屬 之配位體之最大數目。 ίο >-L3*m Γ、: m J 1 ,2n-L2.m m =N)為雙齒配位體，其具有與原子〇及N配價之金屬。 在另一態樣中’M係選自ΐΓ·。 在另-態樣中’(γ'γ4)為碳烯配位體。 物二=之Ϊ機化合物之實例係選1由芳族烴環狀化合 “ 諸如苯、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、萘、 蒽、肥、菲、葙、# 一 、屈、茈、奠；由芳族雜環化合物組 成之群，諸如二苯并噻吩 畴。塞吩、苯并咦喃奸丑金 肖—本并石西吩"夫 南本并噻％、苯并硒吩、咔唑、〇引碎 并味唾、^基十朵、料并W、_、_、： 唑、噁唑、噻唑、婭- 一 咬、料，定、二rt表二。惡唾、售二。坐、。比 秦二嗪、噁嗪、噁噻嗪、氧二氮雜 =己稀、十朵、笨并味。坐、t坐、十朵噪、 苯 惡：广㈣、㈣、異…W: :駄嘻、嗓咬、二苯并派喊m定、吩唪、啡 嗟嘹、啡嗯嗪、苯并。夫。南并吼咬、秦非 吩并吡啶、噻吩龙 嗝并-比啶、本并噻 巧并二吡啶、苯并硒酚并吡啶及硒 咬；及由2至10個環狀結構單元組成之群，其為選自芳族 158305.doc 201226407 烴環狀基團及芳族雜環基團之相同類型或不同類型之基團 且彼此直接鍵結或經氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、 磷原子、硼原子、鏈結構單元及脂族環狀基團中之至少一 者鍵結。其中各基團經選自由氫、烷基、烷氧基、胺基、 烯基、炔基、芳基烷基、雜烷基、芳基及雜芳基組成之群 的取代基進一步取代。 在一態樣中，主體化合物在分子中含有以下基團中之至 少一者：
R1至R7獨立地選自由氫、烷基、烷氧基、胺基、烯基、 炔基、芳基烷基、雜烷基、芳基及雜芳基組成之群，當其 為芳基或雜芳基時，其具有與上述Ar類似之定義。 k為〇至20之整數。 X1至X8係選自CH或N。 HBL ： 158305.doc •121·
•V 201226407 可使用電洞阻擋層（HBL)降低離開發射層之電洞及/或激 子之數目。與缺乏阻擋層之類似裝置相比’裝置中存在該 阻擋層可產生實質上較高效率。又，可使用阻擋層將發射 限於OLED之所需區域。 在一態樣中，用於HBL中之化合物含有與上述用作主體 相同之分子。 在另一態樣中，用於HBL中之化合物在分子中含有以下 基團中之至少一者：
k為0至20之整數；l為輔助性配位體，m為1至3之整數。 ETL ： 電子傳輸層（ETL)可包括能夠傳輸電子之材料。電子傳 輸層可為純質（未經摻雜）或經摻雜的。可使用摻雜來增強 傳導性。ETL材料之實例不受特定限制且可使用任何金屬 錯合物或有機化合物，限制條件為其通常被用於傳輸電 在一態樣中，用於ETL中之化合物在分子中含有以下基 團中之至少一者：
158305.doc 201226407 R選自由氩、烧基、烧氧基、胺基、稀基、炔基、芳基 烷基、雜烷基、芳基及雜芳基組成之群，當其為芳基或^ 芳基時，其具有與上述Ar類似之定義。
Ar1至Ar3具有與上述Ar類似之定義。 k為0至20之整數。 X1至X8選自CH或N。 在另一態樣中，用於ETL中之金屬錯合物含有（但不限 於）以下通式： [(1 ,Be_L2.m f(1 )Zn-L2-m m [ri 匕 _ m m (Ο-N)或（N-N)為雙齒配位體，其具有與原子〇、 配價之金屬；L為辅助性配位體；瓜為丨至可連接至金屬之 配位體之最大數目的整數值。 在用於OLED裝置各層中之任何上述化合物中，連接至 共軛環之氫原子可經部分或完全氘化。 本文中描述之適用於有機發光裝置中特定層的材料可與 裝置中存在之多種其他材料組合使用。舉例而言，本文中 揭不之發射性摻雜劑可與多種主體 '傳輸層、阻擋層、注 層電極及其他可能存在之層結合使用。T文描述或提 及之材料為可與本文中揭示之化合物組合使用之材料的非 限制性實例’且熟習此項技術者可容易地查閱文獻以鑑別 其他可組合使用之材料。 除本文中揭示之材料外及/或與本文中揭示之材料組 Q，OLED中可使用許多電洞注入材料、電洞傳輸材料、 158305.doc •123- 201226407 主體材料、摻雜材料、激子/電洞阻擋層材料、電子傳輸 及電子注入材料。可與本文中揭示之材料組合用於OLED 中之材料的非限制性實例列於下表1中。表1列舉非限制性 材料類別、各類別化合物之非限制性實例及揭示該等材料 之參考文獻。 表1 材料 材料實例 公開案 電洞注入材料 醜菁及卟#·化合物 Y >Q Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996) 星放射狀三芳基胺 (Starburst triarylamine) fix) aNjaNx^Nja C0 J. Lumin. 72-74, 985 (1997) CFX氟代烴聚合物 -(-CHxFy 七 Appl. Phys. Lett. 78, 673 (2001) 傳導性聚合物(例如 PEDOT:PSS、聚苯 胺、聚嗔吩) s〇3-(H+) 故史 Synth. Met 87,171 (1997) W02007002683 膦酸及矽烷SAM US20030162053 具有傳導性摻雜劑之 三芳基胺或聚噻吩聚 合物 # 分及 EA01725079A1 158305.doc -124· 201226407 φ 與金屬氧化物(諸如氧 化钥及氧化鶴)錯合之 芳基胺 eg儒穸， SID Symposium Digest, 37, 923 (2006) W02009018009 P型半傳導性有機複合 物 NC CN nH νΛν nc"4 //—f >-CN 卜 N H={ NC CN US20020158242 金屬有機金屬錯合物 :¾ > US20060240279 可交聯化合物 S US20080220265 電洞傳輸材料 三芳基胺(例如TPD、 a-NPD) /N-〇-^-Nv ύ 5 Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987) cR^^n〇3 ύ 5 US5061569 158305.doc -125- 201226407 Ο Ο 6 b EP650955 αΝχχ 众 j〇^aNj〇 0 i) J. Mater. Chem. 3, 319 (1993) _p ύ \ § Appl. Phys. Lett. 90， 183503(2007) Appl. Phys. Lett· 90， 183503(2007) 三芳基胺於螺第核心 上 Ph2N-^^~X^'NPh2 Ph2N~^^_jrX^NPh2 Synth. Met. 91,209 (1997) 芳基胺°卡°坐化合物 c^p Φ 5 & Adv. Mater. 6, 677 (1994)， US20080124572 結合(二)苯并噻吩/(二） 笨并呋喃之三芳基苯 胺 US20070278938 、 US20080106190 158305.doc •126· 201226407
°引°朵并味嗤 ςο 〇5 Synth. Met. Ill, 421 (2000) 異吲哚化合物 op GK>Q 〇γ〇 Chem. Mater. 15, 3148 (2003) 金厲碳豨錯合物 -〇k .ότ ) > US20080018221 磷光OLED主體材料 紅光主體 芳基咔唑 &册§ AppL Phys. Lett. 78, 1622(2001) 8-經基01淋金屬鹽(例 如 Alq3、BAlq) ；AI 3 Nature 395,151(1998) IB- 3J2 US20060202194 W02005014551 W02006072002 金屬苯氧基苯并噻唑 化合物 - 0¾ 'Zn Appl. Phys. Lett. 90, 123509 (2007) 158305.doc -127- ε 201226407 共軛寡聚物及聚合物 (例如聚苐） CeH17 〇βΗι7 Org. Electron. 1,15 (2000) 芳族稠合環 W02009066779、 W02009066778、 W02009063833、 US20090045731 、 US20090045730 、 W02009008311 ' US20090008605 、 US20090009065 鋅錯合物 (^L_Jp 6° Ό W02009062578 綠光主體 芳基咔唑 Appl. Phys. Lett. 78， 1622(2001) US20030175553 〇9 ό-ύ W02001039234 芳基聯伸三苯化合物 US20060280965 CM3 〇 G^K3 US20060280965 W02009021126 158305.doc -128· 201226407
供體受體型分子 W02008056746 氮雜咔唑/DBT/DBF JP2008074939 聚合物(例如PVK) Appl. Phys. Lett. 77， 2280 (2000) 螺第化合物 W02004093207 金屬苯氧基苯并噁唑 化合物 W02005089025 Q 〇 丫二，αι·οη〇ί WO2006132173 JP200511610 螺苐-叶°坐化合物 包 JP2007254297 158305.doc •129· 201226407 ^ 9b V CW JP2007254297 。引°朵并0f。坐 ό 6 W02007063796 όφρ 0¾¾ W02007063754 5員環缺電子雜環(例如 三唑、噁二唑） N-N J. Appl· Phys. 90, 5048 (2001) W02004107822 聯伸四苯複合物 ccaNO US20050112407 金屬苯氧基吡啶化合 物 Λ— 2 W02005030900 金屬配價錯合物(例如 具有ΝΛΝ配位體之 Ζη、Α1) r\=N n C'n. .0： :Zn 2 US20040137268 、 US20040137267 藍光主體 158305.doc • 130· 201226407
芳基咔唑 Appl. Phys. Lett, 82, 2422(2003) σ? % US20070190359 二苯并噻吩/二苯并呋 味-0卡嗤化合物 s W02006114966、 US20090167162 ckP%) US20090167162 s’ W02009086028 US20090030202 、 US20090017330 矽芳基化合物 0 0 0_ o^o^o^o ό ό ό US20050238919 Q0^O 0D ob W02009003898 158305.doc 131 - 201226407 矽/緒芳基化合物
EP2034538A 芳基苯甲醯基酯 0^。
〇1〇 W02006100298 高三重態金屬有機金 屬錯合物
US7154114 磷光摻雜劑 紅光摻雜劑 重金屬卟琳(例如 PtOEP) Et Et B^VvyEt ?>d Et Et Nature 395,151 (1998) 銥(III)有機金屬錯合物 i [8]； <0^ > Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001) eg US2006835469 <i 2 人 US2006835469 I ><4 -2 US20060202194 158305.doc -132- 201226407
1 ：<0^ 2 US20060202194 [承 ίζτ >lr US20070087321 'Cg > US20070087321 Η!7〇β > 3 Adv. Mater. 19, 739 (2007) (/4 ό- ^lr(acac) 2 W02009100991 NvN、· .〇y· 2 W02008101842 鉑(II)有機金屬錯合物 W02003040257 锇(III)錯合物 「F3V Ί 0< Chem. Mater. 17, 3532 (2005) 158305.doc •133· 201226407 釕(II)錯合物 *Bu
：Ru(PPhMe2)2
Adv. Mater. 17, 1059 (2005) 銖(I)、銶(II)及銖(III) 錯合物
(CO)4 US20050244673 綠光摻雜劑 銥(III)有機金屬錯合物 及其衍生物 Inorg. Chem. 40,1704 (2001) 瞭 US20020034656 备 US7332232 [§1 US20090108737 .6: > US20090039776 0； > 3 US6921915 158305.doc -134- 201226407
158305.doc 135- 201226407 聚合金屬有機金屬化 合物之單體 § 卜\ US7250226、US7396598 Pt(II)有機金屬錯合 物，包括多齒配位體 Q b7 Appl Phys. Lett. 86, 153505(2005) ο Appl. Phys. Lett. 86, 153505(2005) Chem. Lett. 34, 592 (2005) W02002015645 QwQ N> J^R v5" N j ^-N Ph’ 、Ph US20060263635 Cu錯合物 aPx)^ a /兔 σ ό o W02009000673
158305.doc -136- s 201226407
金錯合物 Chem. Commun. 2906 (2005) 銶(III)錯合物 cf3 Inorg. Chem. 42, 1248 (2003) 化有機金屬錯合物 [：ψ： ί：ψ： D ^lr US20030138657 具有兩個或兩個以上 金屬中心之有機金屬 錯合物 ί§! 2 US20030152802 F Q->< US7090928 藍光摻雜劑 銥(III)有機金屬錯合物 令。？ F W02002002714 1贫 W02006009024 3 US20060251923 158305.doc -137- 201226407
158305.doc •138· 201226407
> 3 W02005123873 >r 3 WO2005123873 >「 3 W02007004380 Ο 0 4參 W02006082742 餓(II)錯合物 ί〇3 2 US7279704 /=n. X'>s(PPh3) 6h Organometallics 23, 3745(2004) 金錯合物 Ph2P^PPh2 一 An Au Cl" 、CI Appl. Phys. Lett.74, 1361 (1999) 鉑(II)錯合物 b㈣ W02006098120、 W02006103874 激子/電洞阻標層材料 浴銅靈(Bathocuprine) 化合物(例如BCP、 BPhen) Qv=vP Appl. Phys. Lett. 75,4 (1999) Appl. Phys. Lett. 79,449 (2001) 158305.doc -139- 201226407 8-經基011#金屬鹽(例 如 BAlq) [由f-心^ Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002) 5員環缺電子雜環，諸 如三唑、噁二唑、咪 °坐、苯并°米°坐 Appl. Phys. Lett. 81, 162(2002) 聯伸三苯化合物 US20050025993 氟化芳族化合物 F%#F 晨 Appl. Phys. Lett. 79, 156(2001) 啡。塞嗓-S-氧化物 W02008132085 電子傳輸材料 蒽-笨并°米σ坐化合物 W02003060956 158305.doc -140- 201226407
5^ US20090179554 氮雜聯伸三苯衍生物 \ Cm3 ^—N N==/ US20090115316 蒽-苯并。塞〇坐化合物 xx:^§^:xx Appl. Phys· Lett. 89， 063504 (2006) 8-羥基喹啉金屬鹽(例 如 A〖q3、Zrq4) ；ai 3 Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987) US7230107 經基苯并喹琳金屬鹽 §1 >Be 2 Chem. Lett. 5, 905 (1993) 浴銅靈化合物，諸如 BCP、BPhen等 ^ N=\ Appl. Phys. Lett. 91, 263503 (2007) {>〇 Appl. Phys. Lett. 79,449 (2001) 5員環缺電子雜環(例如 三唑、°惡二唑、咪 唑、苯并咪°圭） aS：6 ό Appl· Phys· Lett· 74, 865 (1999) N-N Appl. Phys· Lett· 55, 1489 (1989) N-N Jpn. J. Apply. Phys. 32, L917(1993) 158305.doc -141 - 201226407 矽羅(Silole)化合物 Org. Electron. 4, 113 (2003) 芳基硼烷化合物 J. Am. Chem. Soc. 120, 9714(1998) 氟化芳族化合物 F F F F J. Am. Chem. Soc. 122, 1832(2000) 芙(例如C60) © US20090101870 三°秦複合物 F >=< F F F F F F US20040036077 Ζη(ΝΛΝ)錯合物 ί όΐ :Zn 2 US6528187 實驗 化合物實例實例1.合成化合物1
158305.doc · 142· 201226407 合成3-碘·9Η-咔唑。加熱9H•咔唑（5 57 g ’ 33 3贿叫及 KI(3.68 g，22.2 mmol^Ac〇H(92 mL)中之溶液至 ι〇〇β〇， 保持1小時。ΚΙ〇3(3·57 g，16.7 mmol)分數份添加至溶液 中且在10(TC下再攪拌所得混合物2小時。混合物傾入水 (500 mL)中且藉由過滤收集沈殿並用熱水洗蘇。於dcm中 進行再結晶得到6.8 g(70%)呈白色固體狀之產物。
合成9-笨基-3-(4,4,5,5-四甲基-l，3,2-二氧硼味-2-基）-9H- 味嗤。在-78°C下向3-溴-9-苯基-9H-咔唑（20.3 g，63 mmol)於 THF(150 mL)中之溶液中添加 47.25 mL(75.8 mmol)正丁基鋰（ι·6 M之己烷溶液）。在_78。(：下攪拌混合物 卜J、時。21 mL(l〇〇 mm〇i)2_ 異丙氧基·4,4,5,5-四曱基 _ [1，3,2]-二氧硼咪添加至溶液中且所得混合物溫至室溫，並 授拌8小時。混合物傾入水中且用二氣曱烧萃取。有機萃 取物用鹽水洗滌且經硫酸鎂乾燥。藉由旋轉蒸發移除溶劑 且於己烧中進行再結晶，得到19.3 g(83%)呈白色固體狀之 產物。 158305.doc -143- 201226407
合成3-(9-苯基_9H-咔唑_3·基）_9H-咔唑。製備3碘_9H_ 咔唑（879 mg，3.0 mm〇1)、pd(pph3)4(165 mg，〇 15 匪叫、 9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基_1，3,2-二氧硼味_2_基）_9Η·咔唑 (1.29 g 4·5 mmol)及 K3P04(1.8 g，18.0 mmol)於二·«惡烧（5 mL)中之溶液。在氬氣氛圍下，在劇烈攪拌下加熱溶液至 85 C保持48小時。混合物傾入水中且用DCM萃取。有機萃 取物用鹽水洗滌且經MgS〇4乾燥。藉由旋轉蒸發移除溶劑 且於DCM中進行再結晶，得到900 mg(74〇/〇)產物。
化合物1 合成9-(4,6-二苯基-1，3,5_三嗪-2-基）-3-(9-苯基-9H-咔唑. 3-基）-9H-咔唑（化合物1)。在室溫下，在氬氣氛圍下攪拌 氫化鈉（100 mg，3.0 mmol)及 3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基）-9H- 咔唑（816 11^，2.〇111111〇1)於無水〇]\^(4〇1111〇中之溶液1小 時。在室溫下’ 2-氯-4,6-二苯基-1，3,5-三嗪（448 mg，1.67 158305.doc •144· 201226407 mmol)添加至溶液中，接著回流隔夜。混合物傾入水中且 藉由過濾收集沈澱並用水、曱醇及dcm洗滌，得到8〇〇 mg(75%)黃色固體。 裝置實例 藉由问真空（<1〇 7托）熱蒸發來製造所有裝置實例。陽極 為800 A之氧化銦錫（IT〇)。陰極由l〇 A之LiF接著1⑼〇入之 A1組成。所有裝置在製造後立即以玻璃蓋封㈤，由環氧樹
月曰密封於氮氣手套箱中（<1 ppm 及〇2)，且封裝内部併 有吸濕劑。 如本文中使用，以下化合物具有以下結構：
Η2 Η3 提供特定裝置。裝置實例i及裝置實例2之有機堆疊自 ITO表面依序由作為電洞注入層（111]^之1〇〇 a El、作為電 洞傳輸層（HTL)之300 A 4,4，-雙[Ν·〇萘基）-N·笨基胺基]聯 158305.doc •145· 201226407 苯（α-NPD)、作為發射層（EML)之3 00 A經El摻雜之主體、 作為阻擋層（BL)之100 A H2及作為電子傳輸層（ETL)之400 A Alq組成。 以與裝置實例1及裝置實例2類似之方式製造比較性裝置 實例1及比較性裝置實例2，但使用H3作為主體。 裝置實例1及裝置實例2之裝置結構提供於表2中且相應 之經量測裝置資料提供於表3中。
表 2. VTE PHOLED 實例 HIL HTL EML(摻雜％: BL ETL 實例1 E1 NPD 化合物1 E1 5% H2 Alq 實例2 E1 NPD 化合物1 E1 10% H2 Alq 比較實例1 E1 NPD H3 E1 5% H2 Alq 比較實例2 E1 NPD H3 E1 10% H2 Alq 表3. VTE裝置資料 實例 1931 CIE 在1000尼特(nit)下 在 40 mA/cm2 下 X y λ-max FWHM (rnn) 電壓 (V)f LE (Cd/A) EQE (%) PE (ImAV) L〇 (尼特） LT80% (h) 實例1 0.324 0.623 520 66 5.7 40.6 11.3 22.2 12,769 86 實例2 0.336 0.619 522 69 5.6 47.4 13.2 26.4 15,048 83 比較 實例1 0.316 0.628 520 64 5.7 45.5 12.7 25.1 12,635 46 比較 實例2 0.317 0.630 520 64 5.2 54.4 15.1 32.6 16,264 29 裝置實例1及裝置實例2展示具有化合物1作為主體及不 同E1摻雜濃度之綠光PHOLED。比較實例使用H3(亦即 CBP，常用PHOLED主體）作為主體。如可自表中看出，以 化合物1作為主體之裝置與以H3作為主體之裝置相比，操 作電壓相當，效率稍低。然而，裝置之操作壽命遠高於比 較實例。裝置實例1之使用壽命幾乎為比較實例1之使用壽 158305.doc -146- 201226407 命的2倍（86小時對46小時）且裝置實例2之使用壽命幾乎為 比較實例2之使用壽命的3倍（83小時對29小時）。因此，化 合物1為用於磷光OLED之優良主體材料。 應理解’本文十所描述之各種實施例僅作為實例且不意 欲限制本發明之範脅。舉例而言，在不偏離本發明之精神 的情況下，本文中所描述之許多材料及結構可由其他材料 及結構替代。因此，如熟習此項技術者將顯而易見所主 張之本發明可包括本文中所描述之特定實例及較佳實施例 • 之變化。應理解，有關本發明為什麼起作用之各種理論不 意欲為限制性的。 【圖式簡單說明】 圖1展示有機發光裝置。 圖2展示不具有獨立電子傯 % 丁 1寻輸層之倒置式有機發光裝 置。 、 圖3展示在9位處具有含氮雜環取代之雙味唾化合物。 【主要元件符號說明】 100 有機發光裝置 110 基板 115 陽極 120 電洞注入層 125 電洞傳輸層 130 電子阻擋層 135 發射層 140 電洞阻擋層 158305.doc 201226407 145 電子傳輸層 150 電子注入層 155 保護層 160 陰極 162 第一導電層 164 第二導電層 200 倒置式有機發光裝置 210 基板 215 陰極 220 發射層 225 電洞傳輸層 230 陽極 158305.doc -148-

Claims (1)

  1. 201226407 七、申請專利範圍： 1. 一種化合物，其具有下式：
    其中111、厌2、113及114可表示單取代、雙取代、三取代 或四取代； 其中Rl、R2、R3及尺4獨立地選自由氫、烷基、烷氧 基、胺基、稀基、炔基、芳基及雜芳基植成之群； 其中An、An及A1：3獨立地選自芳基或雜芳基；且 其中X為C或N。 2. 如請求項【之化合物，其中Ari、Αγζ及A”經進一步取 代。 3. 如請求項丨之化合物，其中Ari、心2及&3獨立地選自由 苯基、吡啶、萘、聯苯、聯三苯、第、二苯并呋喃、二 苯并噻吩、菲及聯伸三苯組成之群；且 其中An、Ar·2及An獨立地經選自由氫、烷基、烷氧 基、胺基、烯基、炔基、芳基及雜芳基組成之群的取代 基進一步取代，其令該取代基不為與心^斛2及^3直接 稠合之芳基或雜芳基。 4·如請求項1之化合物，其中Ari&Ar2獨立地選自由苯基、 。比啶及萘組成之群。 158305.doc 201226407 5. 6. 7. 如請求項1之化合物， A 丹肀Ar3係選自由苯基、聯苯、二 喃及二苯并噻吩組成之群。 如清求項1之化合物’其中R,、I、〜及為氣。 如睛求項1之化合物，其中該化合物係選自 珣 β ΊΓ Z 之群： 下級成
    化合物3 化合物4
    158305.doc 201226407 Ο
    158305.doc 201226407
    158305.doc -4. 201226407
    158305.doc 201226407
    化合物18
    158305.doc 201226407
    158305.doc 201226407
    化合物25 化合物26
    化合物27 化合物28
    158305.doc 201226407
    化合物32 158305.doc -9- 201226407
    化合物33 化合物34
    化合物35 化合物36 158305.doc -10- 201226407
    158305.doc
    化合物37
    化合物39
    化合物38
    化合物40 -11 - 201226407
    158305.doc .12- 201226407
    158305.doc • 13· 201226407
    化合物48 158305.doc -14- s 201226407
    化合物51 化合物52 158305.doc 15- 201226407
    化合物53 化合物54
    化合物55 化合物56 158305.doc -16· 201226407
    158305.doc -17- 201226407 P N
    158305.doc •18· 201226407
    158305.doc
    化合物64 -19- 201226407
    化合物66
    158305.doc 20- 201226407
    化合物68 158305.doc -21- 201226407
    158305.doc -22- 201226407
    化合物72 158305.doc 201226407
    化合物74 158305.doc 201226407
    化合物75 化合物76
    158305.doc -25- 201226407
    化合物81 化合物82
    158305.doc -26- 201226407
    158305.doc •27- 201226407
    化合物87 化合物88
    化合物89 化合物90 158305.doc -28· 201226407
    158305.doc -29- 201226407 Ο
    158305.doc ·30· 201226407
    158305.doc •31 - 201226407
    158305.doc -32- 201226407
    158305.doc 33- 201226407 S
    158305.doc -34- 201226407
    158305.doc •35- 201226407
    158305.doc -36- 201226407
    158305.doc -37- 201226407
    158305.doc 38- 201226407
    158305.doc -39- 201226407
    158305.doc -40- 201226407
    化合物138 158305.doc •41 · 201226407
    化合物141 化合物142 158305.doc -42· 201226407
    化合物145 化合物146 158305.doc -43 201226407
    158305.doc -44 - 201226407
    158305.doc
    化合物152 .45· 201226407
    158305.doc -46- 201226407
    158305.doc -47- 201226407
    158305.doc -48- 201226407 158305.doc pD
    •49- 201226407
    化合物162 158305.doc •50- 201226407
    化合物164 158305.doc -51- 201226407
    化合物167 化合物168 158305.doc -52- 201226407
    158305.doc -53- 201226407
    化合物175 化合物176 158305.doc -54- 201226407
    化合物179 化合物180 158305.doc -55- 201226407
    158305.doc •56 201226407
    N
    N
    8. —種包含有機發光裝置之第一裝置，其進一步包含： 陽極； 陰極；及 安置於該陽極與該陰極之間的有機層，其中該有機層 包含具有下式之化合物： 158305.doc -57- 201226407
    其中R!、R2、R3及R_4可表示單取代、雙取代、三取代 或四取代； 其中R,、R2、I及R4獨立地選自由氫、烷基、烷氧 基、胺基、烯基、炔基、芳基及雜芳基組成之群； 其中ΑΓι、Arz及Ah獨立地選自芳基或雜芳基；且 其中X為C或Ν。 9. 10. 11. 12. 13. 如請求項8之裝置，其中Ari、Ars及Ar3經進一步取代。 如請求項8之裝置，其中Ari、A。及獨立地選自由笨 基、吡啶、萘、聯苯、聯三苯、第、二苯并呋喃、二苯 并嗔吩、菲及聯伸三苯組成之群；且 其中Ar丨、Ah及Aq獨立地經選自由氫、烷基、烷氧 基、胺基、婦|、炔纟、芳基及雜芳基組成之群的取代 基進一步取代，其中該取代基不為與Ari、Ah及A”直接 桐合之芳基或雜芳基。 如β求項8之裝置，其中αΓι&αΓ2獨立地選自由苯基、吡 咬及萘組成之群。 如請求項8之裝置，其中軋係選自由苯基、聯苯、二苯 并夫喃及一苯并嘆吩組成之群β 如請求項8之裝置，其中Ri、R2、r3及r4為氫。 158305.doc -58- 201226407 14.如請求項8之裝置，其中該化合物係選自由以下組成之 群：
    化合物1 化合物2
    158305.doc -59- 201226407 Ο
    158305.doc -60- 201226407
    158305.doc •61 201226407
    158305.doc -62- 201226407
    化合物19 化合物20
    -*· 158305.doc •63- 201226407
    158305.doc -64- 201226407
    化合物25
    化合物26
    158305.doc •65 201226407
    9 N
    158305.doc 201226407
    化合物33 化合物34
    化合物35 化合物36 158305.doc •67· 201226407
    158305.doc 68- 201226407
    化合物44 158305.doc 69- 201226407
    158305.doc 70 · 201226407
    158305.doc
    化合物47
    -71· 201226407
    化合物49 化合物50
    化合物51 化合物52 158305.doc 72· 201226407
    化合物53 化合物54
    化合物55 化合物56 158305.doc -73- 201226407
    化合物59 化合物60 158305.doc -74· 201226407
    9 Μ
    158305.doc -75- 201226407 158305.doc
    化合物63
    -76- 201226407
    158305.doc -77- 201226407 S
    N
    158305.doc •78- 201226407
    158305.doc
    化合物69
    -79- 201226407
    158305.doc • 80 - 201226407
    化合物74 158305.doc -81* 201226407
    化合物77 化合物78 158305.doc -82 - 201226407
    化合物81 化合物82 158305.doc -83- 201226407
    158305.doc .84 · 201226407
    化合物89 化合物90 158305.doc •85- 201226407
    化合物91 化合物92
    化合物93 化合物94
    158305.doc •86- 201226407
    化合物95 化合物96
    158305.doc -87 - 201226407
    158305.doc • 88 - 201226407
    n^n
    N人
    158305.doc -89- 201226407
    158305.doc -90- 201226407
    158305.doc 91- 201226407
    -92 158305.doc 201226407
    化合物121 化合物122 158305.doc 93· 201226407
    158305.doc -94- 201226407
    158305.doc *
    •95- 201226407
    158305.doc -96- 201226407
    158305.doc 97- 201226407
    158305.doc -98- s 201226407
    化合物141 化合物142 158305.doc -99- 201226407
    化合物145 化合物146
    158305.doc 201226407
    化合物147
    化合物148
    158305.doc -101 - 201226407 9 N
    158305.doc -102· s 201226407
    t.，j 158305.doc .103- 201226407
    化合物156 158305.doc 104- s 201226407
    化合物158 158305.doc 105· 201226407
    158305.doc -106- s 201226407
    158305.doc -107- 201226407
    158305.doc -108 - S 201226407
    i
    化合物165 化合物166
    158305.doc -109- 201226407
    158305.doc •110- 201226407
    158305.doc -Ill- 201226407
    179 化合物 180 158305.doc -112- 201226407
    158305.doc
    化合物182 • 113 - 201226407 9 N
    N
    15. 如請求項8之裝置，其中該有機層係使用溶液加工來沈 積。 16. 如請求項8之裝置，其中該有機層為發射層且該式I化合 物為主體。 17. 如請求項16之裝置，其中該有機層進一步包含具有以下 結構之發射性摻雜劑： 158305.doc -114- 201226407
    D11
    158305.doc -115- 201226407
    D15
    «‘ 158305.doc -116- 201226407
    D25 D26
    D27
    D28
    D31 D32 t 158305.doc - 117- 201226407 158305.doc
    201226407
    1 8.如請求項8之裝置，其中該第一裝置為消費型產品。 19.如請求項8之裝置，其中該第一裝置為有機發光裝置。
    158305.doc -119-
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