TW201224903A - Touch panel - Google Patents

Description

201224903 jy/4^pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本案是有關於反射色度優異的感測（sensor )電極陣 列（array )、使用於投影型靜電容量方式的觸控面板（t〇uch panel)的較佳的感測電極陣列、感測電極陣列的使用方 法、製造方法以及觸控面板。 【先前技術】 一般而言，靜電容量方式的觸控面板是位置輸入裝 置，該位置輸入裝置捕捉人的指尖與導電膜之間的靜電容 量的變化’從而對指尖的位置進行檢測，上述靜電容量方 式的觸控面板有表面型觸控面板與投影型觸控面板。表面 型觸控面板的構造簡單，但難以同時對2個點以上的接觸 (多點觸控（multitouch))進行偵測。另一方面，投影型 觸控面板是多個電極排列為矩陣（matrix)狀而構成，多 具體而έ ’多個第1電極群沿著水平方向排列，隔著絕海 層’多個第2電極群沿著垂直方向排列，從而構成投影君 觸控面板，該投影型觸控面板為如下的構成，即，利則 個第1電極群以及多個第2電極群來依序逐步對容 量變十 進行檢測，藉此，可檢測出多點觸控。 近年來|對於如上所述的觸控面板，多酬控與大』 ::的品求i曰強’正在開發上述投影型的靜電容量方式* Π。逐步使用透明導電體即氧化銦錫（麗⑽Ti 二二二等作為電極材料，但對於大晝面化所需的1 °、、’. ^ 1述電極材料的電阻高，此成為細線化

S 4 201224903 jy/44pif 及觸控面㈣應性的阻礙。為了解決上制題，正在開發 如下的技術，該技術是對金、銀、以及崎的金屬薄膜進 加工，糟由不會被觸控者看到的線寬的導電性細線 來構成電極群（專利文獻1 )。 又，關於利用金屬薄膜時的微妙的金屬色、及光澤對 晝面產生的影響的問題，於專利文獻2中已揭示有對金屬 表面進行黑色化纽的方法，但耐久性不充分。 即便可藉由金屬薄膜的微細加工來形成低電阻的導電 性細線’實際上，亦難以不使金屬細線產生繼或斷裂而 穩定地製造大面積的電極圖Wpattem)。又，如下的問題 或色調變動的問題亦尚未解決，上述問題是指對於觸控面 板形成之後的環境變化，形成的金屬細線會引起遷移 (migration)，使觸控面板的響應性下降。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]國際專利公開第2010/014683號小冊子 [專利文獻2]日本專利特開2〇〇6_344163號公報 【發明内容】 本考X月疋考慮了如上所述的問題而成的發明，本發明 的目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板即便面積 大，響應性亦優異，且使用有能夠實現多點觸控的金屬細 線電極。又，本發明的目的在於提供如下的觸控面板，該 觸控面板的反射色調於整個晝面中穩定。又，本發明的其 他目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板使用有對於 5 201224903 jy/44pif 高溫高濕等的環境變動表現得穩定的金屬細線電極。又， :目的ΐ於提供如下的觸控面板，該觸控面板 了穩疋地製造’品質穩定且使用有金屬細線電極。 D —種觸控面板，包括第-感難極陣列，該觸控面 ^=徵在於：上述第—❹⑼轉列是將導電性金屬細 色产述感測電極陣列的反射 色度L a b的L為6〜13，a、_〇 7叫5，〇〜丄2。 )如項1所述之觸控面板，其特徵在於：更包括第二 1所述之觸控面板，其特徵在於：於上述已圖 :、、、電性金屬細線與上述透明基板之間具有至少i個 以上的易黏接層。 板為之觸控面板，其龍在於：上述觸控面 败馬静電谷I方式的觸控面板。 5) 一種靜電容量方式的觸控面板，正交地排列 車顺H㈣糾列，該靜電容量方式的觸 歹1，徵在於：配置於觸控者側的第—感測電極陣 透明!=電性金屬細線圖案化而形成於具有祕接層的 e 11^如項1或項5所述之觸控面板，其·在於：上述 ’、匕的導電性金屬細線於觸控面側具有黑化層。 的表7面):二6所述之觸控面板，其特徵在於:上述黑化層 们表面粗棱度〜為〇.15以下。 201224903 jy/44pif ，十、式8^項5所述之靜電容量觸控面板，其特徵在於：上 電極陣列的反射色度L*a*b*的1^643,4.07 〜，b*為如〜… 。.丨 於· L)i項2至項5中任1所述之觸控面板，其特徵在 Ϊ雷第一感測電極陣列的感測電極是包含由上述 細線所形成網格(mesh)的鑽石（dia_d) 上述第二感測電極陣列的感 疋/、構成上述第一感測電極陣列的感測電極相 構造或條狀（bar)構造。 y^1〇i如項2至項5中任—項所述之觸控面板，其特徵 ；田對正父地排列的上述第一感測電極陣列盘第二感 ，電極陣列進行透視時，已圖案化的導電性金屬^線j 個觸控面形成大致均一的格子花紋。 、 、U)如項1或項5所述之觸控面板，其特徵在於··上 述導電ϋ金屬細線疋使用光微影（phGtGlithQgraphy )的方 =，(^祕加)的方法，將金屬薄膜層圖案 化為線寬為1000 nm至8000 nm的細線圖案。 12) 如項1或項5所述之觸控面板，其特徵在於：上 述導電性金屬細線喊度為厚度的2 5倍以上。 13) 如項3或項5所述之觸控面板，其特徵在於：上 述透明基板包含聚_脂，上料黏接層包含聚醋樹脂、 丙烯酸樹脂或細旨賴，於上述錄接層巾添加有交聯劑。 14) 如項13所述之觸控面板，其特徵在於：上述易黏 接層包含第-易黏接層與第二易黏接層，與上述透明基板 7 201224903 39744pif 相接的第-易黏接層包含聚輯脂H黏接層包含兩 稀酸樹脂或胺g旨樹脂。 15) 如項13所述之觸控面板，其特徵在於：上述交聯 劑為噁唑啶（oxazolidine)化合物、環氧化合物、氰 酸醋化合物。 ~ 16) 如項14所述之觸控面板，其特徵在於：上述交聯 劑為噁唑啶化合物、環氧化合物、或異氰酸酯化合物。 [發明的效果] 如以上的§兒明所述，根據本發明的感測電極陣列、感 測電極陣列的使用方法以及觸控面板，可獲得如下的觸控 面板，該觸控面板即便面積大，響應性亦優異，可實現多 點觸控，且對於高溫高濕等的環境變動表現得穩定，而真 可獲得可穩定地製造且品質穩定的觸控面板。 【實施方式】 如上述「發明所欲解決的問題」項所述，本發明是如 下的發明，該發明的目的在於提供如下的觸控面板，該觸 控面板即便面積大’響應性亦優異，且使用有可實現多點 觸控的金屬細線電極，而且上述發明的目的在於提供如下 的觸控面板’該觸控面板的反射色調於整個畫面中穩定， 且對於高溫高濕等的環境變動亦表現得穩定，可穩定地製 造且品質穩定。 以下，詳細地對上述本發明的觸控面板進行說明。再 者，於本說明書中’「〜」是作為如下的意思而被使用，該 意思是包含「〜」則後所揭示的數值作為下限值以及上限 201224903 iy/44pif 值。 圖1(a)、圖i(b)表示第一本發明的觸控面板1〇 六^圖’該圖1 (a)、圖1 (b)例示了多層構成的靜電 ^ =方式觸控面板，該多層構成的靜電容量方式觸控面板 明鉍,1: (a)的上側的觸控者側起，包含：構成觸控面的透 曰材料層16、兼作為絕緣層的黏著層19、第一感測電極陣 ，易黏接層18、透明基板15、兼作為絕緣層的黏著 曰—、第二感測電極陣列12、易黏接層18，、透明基板15，、 黏著f 19'，、以及剝離薄膜（film) 17。圖1 (a)、圖！（b) 的鱗層與剝離薄膜是用以使本發明的觸控面板附 像顯示裝置等的要件，且亦可不存在該要件。圖 的構成與圖1 (a)的構成的不同點在於：易黏接層、 Ϊ測電極陣列、以及黏著層呈對稱地積層於透明基板15 的兩個面。 上述圖1 (a)表示將上部電極與下部電極形成於不同 基板上時的較佳構成，® 1⑻表示在—塊透明基 於表背面形成第-感測電極_與第二感測電極陣列時 的季义佳構成。 再，’圖中雖未顯示，但第一感測電極陣列的配置方 。、與第二感測電極陣列的配置方向是設定為隔著透明基 ^而彼此正又地配置，且採料對乡點觸控進行檢測的 成。 以下，依序對上述感測電極中所使㈣材料以及電極 的製造方法進行說明。 201224903 •iy.mpif [透明材料層、透明基板] 上述構成觸控面的透明材料層16、及透明基板15、15, 中所使用的透明的材料可為相同的材料，亦可分別使用不 同的材料，可使用_薄膜（plastic film)、塑膠板、以及 玻璃（glass)板等。較佳為根據各個用途來適當地對層的 厚度進行選擇。上述材料較佳為具有可撓性。 —作為上述塑膠薄膜以及塑膠板的原料，例如可使用聚 ^ _ f ^ ^ ^ Polyethylene Terephthalate > PET ) > ( Polyethylene Naphthalate > PEN) f 的t S曰類’聚乙烯（p〇lyethylene，pE )、聚丙浠 (Polypropylene，PP)、聚苯乙烯、以及乙烯醋酸乙稀酯 〔EthyleneVinylAcetate’EVA)等的聚稀烴類；乙稀系樹 脂；此外，可使用聚碳酸酯（Polycarbonate，PC)、聚醯胺、 聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、以及三乙醯纖維素 (Triacetylcellulose，TAC)等。 作為較佳的材料’PET (熔點：258°C)、PEN (溶點： 269°C)、PE (熔點：i35°C)、PP (熔點：163<t)、聚苯乙 烯（溶點：230°C )、聚氯乙烯（熔點：18〇。〇)、聚偏二氣 乙烯（熔點：212。〇或TAC (熔點：29(TC)等的熔點約 為290Ϊ以下的塑膠薄膜或塑膠板較佳，根據光透射性或 加工性等的觀點，pET尤佳。薄膜或板的厚度較佳為5〇 至 300 μιη。 為了防止由觸控引起的污垢、塵土的附著，上述構成 觸控面的透明材料層16亦可設置防污層。又，亦可設置抗 201224903 39744pif 反射層，該抗反射層用以對由外部光線的反射所引起的畫 面的杈糊度進行改良。關於上述增設層，可利用抗反射薄 膜或防眩薄膜的領域中的眾所周知的技術（日本 2005-535934號、日本專利特開2〇〇7_3〇197〇號等）。 、 [易黏接層中所使用的材料與層的形成方法] 本發明的易黏接層18、18'於透明基板上包括一層或二 層易黏接層，於該層中含有黏合劑（binder)樹脂、交聯 劑以及添加劑。 本發明中所使用的黏合劑樹脂並無特別的限制，但可 較佳地使用（a)丙烯酸樹脂、（b)聚胺酯樹脂、（c)聚酯 樹脂、以及（d)橡膠系樹脂等的聚合物（p〇lymer)。曰 (a) 丙烯酸樹脂是以丙烯酸、曱基丙烯酸以及該兩者 的衍生物為成分的聚合物。作為具體性例示，可列舉如下 的聚合物，該聚合物是以丙烯酸、曱基丙烯酸、曱基丙烯 酸曱醋、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、2_丙烯酸乙基己酯、 丙烯酸醯胺、丙烯腈、以及羥基丙烯酸酯等為主成分，對 可與上述主成分共聚的單體（例如苯乙烯、二乙烯基苯等） 進行共聚而成。 (b) 聚胺酯樹脂是於主鏈中包括胺基曱酸酯鍵結的聚 合，的總稱二且通常是藉由聚異氰酸酯與多元醇的反應而 獲付。聚異氰酸酿有TDI、MDI、NDI、TODI、HDI、以 及IPDI荨，多元醇有乙二醇、丙二醇、丙三醇、以及己三 醇等。又，亦可使用如下的聚合物作為本發明的異氰酸酯， 該聚合物是對藉由聚異氰酸酯與多元醇的反應而獲得的聚 11 201224903 39744pif 胺醋聚合物進行鏈延長處理，使分子量增大而成。關於以 所述的聚異紐⑽、多元醇以及鏈延長處理，例如已揭 示於「聚細旨樹脂手冊」（岩田敬治編，日刊工業新聞社， 昭和62年發行）中。 ,(c)聚酯樹脂是於主鏈中包括酯鍵結的聚合物的總 稱’且通常是藉由多紐與多元醇的反應而獲得。多緩酸 例如有富馬酸、亞曱基丁二酸、己二酸、癸二酸、對苯二 曱酉夂以及間等，多元醇例如可列舉上述醇。關 於聚酉日樹脂以及該聚δ旨樹脂的原料，例如已揭示於「聚酿 樹脂手冊」（滝山榮一郎著，日刊工業新聞社，昭和 發行）中。 …、酬縣丁—烯、4乙烯.丁二稀共聚物、〕 fr二參_腈共聚物、苯⑽C乙稀基苯: ΐ系樹二—i丙烯腈共聚物、以及聚氯丁二締等。關則 果（奴）朝倉書店，昭和42年發行）中。 作為本發明中所使用的交聯劑，例如 I。一物、三聚氛胺化合物、以及異;St: 化合用峨化合物，可列舉多聚環I 化合物等早氧化合物、以及縮水甘油月 聚縮水ί、“為環氧化合物，例如可列舉山梨糖醇 蝴H醇聚縮水甘_、季戊四醇聚縮7

S 12 201224903 39744pif 甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚、三縮水甘油基三(2_羥乙 基)異氰酸酯、丙三醇聚縮水甘油醚、以及三羥曱基丙烷聚 縮水甘油醚；作為二環氧化合物，例如可列舉新戊二醇二 縮水甘油醚、1，6-己二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水 甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、 丙一醇二縮水甘油謎、聚丙二醇二縮水甘油_、以及聚丁 二醇二縮水甘油醚；作為單環氧化合物，例如可列舉烯丙 基環氧丙基醚、2-乙基己基縮水甘油醚、苯基縮水甘油醚； 作為縮水甘油胺化合物，可列舉]^3，：^，，：^，-四縮水甘油基_ 間二甲苯二胺、1，3-雙(N，N-縮水甘油基胺基)環己烷等。 本發明中所使用的噁唑啉化合物較佳為含有噁唑啉基 的聚合物。可藉由含有加成聚合性噁唾琳基的單體單獨製 作此種聚合物，或可藉由與其他單體聚合而製作此種聚合 物。含有加成聚合性„惡嗤琳基的單體可列舉 乙稀基_4_曱基一、2_^ 噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基_4_甲基噁唑 琳以及2-異丙稀基-5-乙基-2-"惡唾琳等，可使用上述一種 含有加成聚合性噁唑啉基的單體，或可使用2種以上的含 有加成聚合性η惡σ圭琳基的单體的混合物。其中，2_異丙稀 土 2惡唾琳於工業方面亦易於獲得，因此較佳。其他單體 只要是可與含有加成聚合性噁唑啉基的單體共聚的單體， 則無限制，例如可列舉丙烯酸烷基酯、曱基丙烯酸烷基酯 (烷基為曱基、乙基、η_丙基、異丙基、η丁基、異丁基、 t 丁基、2-乙基己基、及環己基）等的y (〆夕）夕"儿酸 13 201224903 jy/44pif 工只丁小類；丙烯酸、甲基丙烯酸、亞曱基丁二酸、馬來 酸、富馬酸、巴豆酸、苯乙蝉磺酸及其鹽（鈉鹽'鉀鹽、 銨鹽、及第三胺鹽等）等的不飽和羧酸類；丙烯腈、曱基 丙烯腈等的不飽和腈類；丙烯醯胺、曱基丙烯醯胺、N_= ^丙烯醯胺、N-烷基曱基丙烯醯胺、N，N_二烷基丙烯醯 胺、及Ν，Ν·二烷基曱基丙烯酸酯（烷基為曱基、乙基、n_ =基、異丙基、η-丁基、異丁基、t_丁基、2乙基己基及 %己基等）等的不飽和醯胺基類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯 酿等的乙烯賴；甲基乙烯_、乙基乙稀轉的乙稀賴； 伸乙基、丙烯等的α-烯烴類；氣乙烯、偏二氣乙烯、及氟 J；烯等的含豳素α，Ρ-不飽和單體類；以及苯乙烯、α_甲基 笨乙烯等的α，β-不飽和芳香族單體等，可使用上述一種單 體’或可使用2種以上的單體。 、本發明中所使用的三聚氰胺化合物較佳為如下的化合 =以及上述化合物的混合物’上述化合物是使作為低級醇 的甲醇、乙醇、及異丙醇等與對三聚氰胺與甲酸進行縮合 =得的羥曱基三聚氰胺衍生物發生反應而醚化所得。作: I甲基二聚氰胺衍生物，例如可列舉單經甲基三聚氰胺二 ^經甲基二聚氰胺、二經曱基三聚氰胺、四經甲基三聚氰 胺五羥甲基三聚氰胺、以及六羥曱基三聚氰胺等。 —作為本發明中所使用的異氰酸酯化合物，例如可列舉 :笨二異氰酸酯、二苯基甲烷_4,4，_二異氰酸酯、間氣 =酸'六亞甲基♦二異氰義、W二異氰酸醋己燒、 本一異氰酸酯與己三醇的加成物、曱苯二異氰酸酯與三

S 14 201224903 39744pif 羥曱基丙烷的加成物、多元醇改性二苯基曱烷_4,4，_二異氰 酸酯、碳二酿亞胺改性二笨基曱烧_4,4，_二異氰酸酯、異佛 爾酮二異氰酸酯、1，5-萘二異氰酸酯、3,3，_二曱笨基^，4, 一異氰酸酯、3,3 —曱基二笨基曱烷_4,4L二異氰酸酯、 及間苯基二異氰酸酯等。 ..........“〜抑牧/百叼叉聯劑的添加重而言，相： 於黏合劑，較佳為以1 wt%〜i0〇 wt%的範圍來進行添加， 5 wt%〜50 wt%的範圍更佳。若添加量少於i加％，則 Ϊ =會^ 了面’若添加量超過 桩爲可，根f各個目的而將各_加舰用於本發明的易黏 〜^落L ^ =本專物㈣_3635號的段落27 落：二：：為射二 =微粒子、上述專利的段 滑劑'以及上述專利的段落3 = = == = 種界面活性劑等。 "I怖性改良用的各 包含對:接性，易黏接層亦可 於雙層構成的情形時，若=-易黏接層。 明基板相接的第-易黏接層包；下的構成，即，與透 含丙稀酸樹脂或胺s旨樹脂，則容易表日=二易黏接層包 易黏接層與第二易輪層中^易轉性。第-化合物、環氧化合物、或異 聯劑較佳為射啶 接層成為最外層，因此，由於第二易黏 15 201224903 39744pif 、第一易黏接層的厚度較佳為30 nm以上且為3〇〇 nm 以下，更佳為65 nm以上且為i5〇 nm以下。於上述第一 易黏接層的厚度不足30 nm的情形時，透明基板與第i層 的黏接性有可能不充分。若上述第—易雜層的厚度超^ 3〇〇 nm ’則第1層的表面狀態有可能會變差，因此不佳。 第二易黏接層的厚度並無特別的限制，但為了一面確 保優異的透雜’-面實現易減性，上述第二易黏接層 的厚度較佳為10nm以上且為5〇〇〇nm以下，更佳為2〇腕 以上且為1500 nm以下。若第2層的厚度不足10 nm，則 與上層之_雜性有可能不充分，另—方面，若厚度超 過5000 nm，則表面狀態有可能會變差。 、、較佳為藉由塗佈來設置本發明的易黏接層 '然而，形 成塗佈層的方法並無制的限制，可使轉式塗佈機咖 coater)塗佈、斜板式塗佈機（slidec⑽塗佈等的眾所 周知的方法。再者，當形成第一層與第二層時，可使用相 同的方法，亦可使用不_方法。又，當形成第二層時， ^與第-層同時進行塗佈之後，使該第—層與第二層乾 燥’亦可料-層崎塗佈且使該第—層乾狀後，對第 二層進行塗佈。 —可將不具有導·的黏接舰用於兼作為絕緣層的黏 ί層!9 _、19 °存在多種黏接劑，其中，可使用丙稀酸樹脂 系、,％氧樹脂系、苯齡樹脂系、以及乙稀基樹脂系等。用 以形成層的方法並無特別的限制，可使用網版 (screen ) 印刷法等。

16 201224903 3y/44pif 圖2 (a)〜圖2 (d)表示第二本發明的觸控面板1〇 的剖面圖，圖2 (a)表示本發明的第一感測電極陣列u 形成於透明基板15上的情形，圖2 (b)表示第一感測電 極陣列11與第二感測電極陣列12以與圖丄（a)、圖i (b) 相同的方式積層的情形。再者，圖中雖未顯示，但第一感 測電極陣列的配置方向、與第二感測電極陣列的配置方向 疋δ又疋為隔著透明基板而彼此正交地配置，且採用可實現 多點觸控的構成。 圖2 (c)以及圖2 (d)表示如下的情形，即，於圖2 (b)的2個層的電極上設置有構成觸控面板所必需的層， 且升>成有與圖1 (a)及圖1 (b)相同的觸控面板。 上述第二本發明中所使用的[透明材料層、透明基 板]、[易黏接層]的材料以及形成方法可使用第一本發明的 項中所說明的材料以及形成方法。 [反射色度] 本發明的感測電極陣列的導電性金屬層具有固有的反 射色’因此’必須儘可能地將反射色調整為中性色 (neutral) ’較佳為對反射色度進行調整，使L*a*b*表色系 統（color specification system)中的 L*為 6〜13，a*為-0.7 〜1.5，b*為-5.0〜1.2。 更佳為，L*為6〜12，a*為-0.6〜1.2，b*為-4.8〜1.0。 再者’ L a b表色系統是國際照明委員會（Commission

Internationale de l’Eclairage，CIE)於 1976 年製定的表色 方法，本發明中的L*值、a*值、以及b*值是根據JIS-Z8729 : 17 201224903 jy /44pif 1994所規定的方法來進行測定所得的值。JIS_Z8729的測 定方法有利用反射的測定方法、以及利用透射的測定方 法，但於本實施形態中，使用利用反射來進行測定所得的 值。 關於L a b表色系統中的l*值、a*值、以及值，眾 所周知，L值表示明度，a*值與b*值表示色相與彩度。具 體而言，若a值的符號為正，則表示紅色的色相，若〆值 的符號為負，則表示綠色的色相。若b*值的符號為正，則 $黃色的*色相，若b*值的符號為負，則為藍色的色相。又， a值與b值均是輯值越大’則表示顏色的彩度越大且顏 ^越鮮豔，絕對值越小，則表示彩度越小。於本發明中: a值自清晰的紅色系朝儘可能小的值變更，且b*值自清晰 的黃色朝微不足道的藍色變更，藉此，意圖獲得易於識別 的觸控面板。測定方法的詳情揭示於實例的項中。 [感測電極陣列的構造] 圖3是對本發明的第一感測電極陣列u進行說明 圖，利用2根導電性細線，沿著乂方向將正交格子狀的網 格予以連結，構成一根電極。此種電極沿著Y方向排列， 形成=極陣列。此處，關於X方向、γ方向，將製作觸# 面板時的觸控畫面的縱方⑦定義為X方向，將橫方向定^ 為Υ方向。圖3的網格構造為正方格子且外形亦大致= 方形，自電極方向所見的外形為菱形。於上述網格的外= m成有由i表示的導電性雜線。目4是對本發明 的第一感測電極陣列12進行說明的圖，利用2根導電性細

S 18 201224903 3y/44pif 線，沿著丫杨將正交格子_網料 與第一感測電極陣列u相同。 連、、'。，除此以外， 列進測電極陣列與第二感測電極陣 性細線的大致均-的格;子級於控面’形成有導電 石槿1i、、文。感測電極的部分通稱為鑽 石構w錢於餘之間且隔著電 不與電極導通的導電性 」’配置有 未配詈有上、；I·.道啻W* 、、。右在隔著電極的非導電部 反射率、#減電喊i’則由於電極部與料電部的 、…斤射率、以及極小的色調的差異 圖案有可能舍祜丟$丨丨m ,L 邱等電4的 〜二:ΐ 配置不導通的細線i。圖3 圖的不V通的細線i被記載為孤立 上述細線i另外連結於電極，且 U仁17了將 电徑1用以對寄生電容進行控制。 2狀的網格構造的導紐細線的較健為05哗 „ Η) μΐη町’更佳為i μιη以上且為8阿以下， 的：寶Γ以上且為5 μιη以下。將上述導電性細線 的線寬汉為0.5叫以上且為10 μιη以下，藉此，可易於加 工且可防止產生干涉條紋。 構成網格的格子的一條邊的長度較佳為⑽叫以上 且為600叫以下，進而較佳為15〇 μιη以上且為35〇 _ 以下。將上述格子的一條邊的長度設為1〇〇 以上且為 600 μιη以下，藉此，可兼顧光的透射性與低電阻值。 為了避免由尚週波驅動引起的導通，隔著電極的非導 電部的寬度較佳為50 μηι以上，更佳為⑽μηι以上，進 而較佳為150 μιη以上且為350 μιη以下。 201224903 感測電極陣列的電極的間隔較佳為2麵以上且為8 mm以下’進而較佳為3 mm以上且為7mm以下。 π η 〜圖8是表不與圖3〜圖5的鑽石構造的電極圖案 不同的帶狀構造的電極圖案的圖。 圖6表示帶狀的第一感測電極陣列，且例示了如下的 情形，即，構成陣列的電極沿著γ方向延伸，且沿著χ J向I,個電極心圖中的〜表示感測電極η的寬 度，^示感測電極之間的非導電性的邊界區域的寬度。 荽γ +電極Γ1為如下的細部構造，即，將4根沿 二伸的直線狀的細線予以連結，且包含多㈣上 根細線予以連結的χ方向的連結線。。以如下的方式 ==線C，，即便4根沿著Υ方向延伸的直線狀 的、、'田線中的任—根細線發靖料的故障，林會損 為感測電極的功能。於上述連結線e的延 二：二 電性的細線的短線i。該單線丨是 ^ ^ 二=’將4根構成―個電極的直線狀的細 丄二:：下所揭示的電極之間的距離與細線 圖7表示帶狀的第二感測電極陣列， 情形，即’構成陣列的電極e_j沿著χ方向延伸，且 Μ。圖中的CW表示感測電“ 同。然而，亦可根據觸控面板的縱横比等來將

S 20 201224903 3y/44pif cd予以變更。 、圖8表示對上述第—感測電極陣列與第二感測電極陣 列進行正交配置時的透視圖，於整_控面，形成有導電 性細線的大致均-的格子花紋。於第_感測電極陣列與第 二感測電極陣列未重疊的部分，以將上述第—感測電極陣 列與第二感測電極陣列的間隙予以填埋的方式，配置有連 結線c以及孤立的短線i。以於整個觸控面形成導電性細線 的大致均i格子花紋的方式，配置連結線e以及孤立的 短線1 ’使％·不會產生視認性上的問題。亦可將上述細線i 另外連結於電極，且用以對寄生電容進行控制。、 構成帶狀的感測電極陣列的各個電極的細線、連結部 C的細線、以及孤立短線i的細線的線寬較佳為〇 5叫以 上且為10 _以下，更佳為1叫以上且為8 μηχ以下，進 而較佳為2 μιη g上且為5 μηι以下。將上述細線的線寬設 為〇.5 μΓη以上且為10 μιη以下，藉此’可易於加工且可防 止產生干涉條紋。 構成電極的細線的間隔較佳為1〇〇 _以下，進而較佳為15〇卿以上且為35〜以$: 上述細線的間隔設為100 μπι以上且為6〇〇 μηι以下，藉 此，可兼顧光的透射性與低電阻值。 為了避免由尚週波驅動引起的導通，隔著電極的非導 電部的寬度cd、rd較佳為5〇 μιη以上，更佳為丨⑻叫以 上，進而較佳為150 μιη以上且為35〇 μηι以下。 感測電極陣列的電極的間隔（rw + rd或c w + c d )較佳 21 201224903 jy/^pif 為2 mm以上且為8 mm以下，進而較佳為3匪以上且為 7 mm以下。 圖9 (a)、圖9 (b)是於作為本發明的觸控面板的形 態的圖1 (a)及圖1 (b)、圖2 (c)及圖2⑷的第一感 測電極陣列11與第二感測電極陣列12的觸控者側表面設 置有黑化層2 0及2 0，的圖。圖9 ( b )㈤第二感測電極陣列 的黑化層設置於易黏接層與電極陣列之間。 於本發明中，黑化層是為了實現如下的目的而設置的 層，上述目的例如為使由形成導電性金屬細線的導電性金 屬所具有的金屬綺產生的著色、高反射率利起的觸控 面板晝面賴糊度緩和；或防止導電性金制腐姓或遷 移。黑化層的顏色較佳為可實質上被識別為黑色的顏色， 但只要可抑制金屬光澤，則,林—定必須為純黑色:根據 上述目的’黑化層的位置較佳為處於與導電性金屬層相接 的觸控者側。根據上述觀點，與圖9⑻的第二感測電極 陣列的黑化層相比較，® 9 (a)的第二感測電極陣列的黑 化層的位置構成在防止腐Ιά或遷移的方面更佳。 [感測電極的材料] 以下，對可形成本發明的第一感測電極及第二感測 極的導電性材料進行說明。 〜、 、先别使用ΙΤΟ等的具有光透射性的導電性材料作為 構成感測電極的材料，但本發明的感測電極利用1心m以 下的導電性細線’因此’必須使用電阻比先前的ITO等的 電阻更低的材料’且較佳為使用導電性高的金顧合金。 Ο 22 201224903 ^y/44pif 作為此種金屬，例如可列舉銅、銀、金、纟 紹、鈷、铑、鉉、鐵、釘、H 、‘巴錄、錫、 銅 佳 鉍、銻、以及鉛等。上述金屬中 ’·，‘、鈮、鈕、鈦、 銅、銀.、金、鉑、鈀、鎳、錫、鋁 变吳的硯點， '呂乂及迠些金屬的合金較 當利用上述金屬或合金來形成電極時，可 A)〜C)所揭示的材料與方法。於本發下的 的材料與方法尤佳。 A)與B) A)金屬箔或薄膜的利用。 當用作薄膜時，首先，藉由真 (sputtering)法、離子錢〇 '蒸鍍法 '濺鍍 哎刺用供厶太々入e# P g)法、以及電鑛法等’ #的貼合等，於基材上形成上述金屬 或合金的金屬薄膜。該金屬薄膜 这至屬 但例如為刚nm至_ 艮定， 以下的圖案化而形成網格電極。當藉由光巧施 Ttf)絲紅述鳴_時，於金屬_上形成 用顯影液來顯影，藉此，形成光阻膜的網格圖案。藉由= ί ί來對上述光阻膜的網格圖案進行#刻，將光阻^予以 二除去，藉此，軸包含細金屬線 、 光阻劑絲成上述網格圖案時，網版 ^版（抑職）印刷、以及_ (祕⑻#的方法 ===圖案印刷至金屬薄膜上，藉由侧液來對金 屬相中的光阻劑包覆部以外的部分進行則，將光阻膜 23 201224903 jy/44pif 予以剝離，藉此，形成金屬細線的網格圖案。 B)藉由包含導電性的奈米（職〇)粒子的墨水w) (或漿料（paste))來印刷上述網格圖案的方法。 導電性奈絲子除了可使訂述金屬的微粒子之外， 亦可使用碳―）。導電性奈米粒子較佳為金、銀、把、 始、銅、碳、或包含上述金屬的混合物的粒子。奈米粒子 的平均粒徑為2叫下，較佳為細咖至· nm，在形成 網格圖案的方面，粒㈣先前的« (mi瞻〇粒子的粒 子較佳。可使用網版印刷法或凹版印刷法來印 墨水（或聚料）所含的導電材料亦可並非為金屬粒子 而是導電性纖維。於本案巾，包含金觀（wife)、被稱 奈米線（皿⑽wire)的纖維狀的物質、中空構造的管（如“）、 以及奈米管（_tube)細，稱為導電性纖維。金 米線的平均短轴長度（有時稱為「平均短軸直徑」、「平二 直徑」）幸交佳為io〇nm以下，更佳為lnm〜5〇nm，進而 較佳為10 mn〜4〇 nm，尤佳為ls nm〜35伽。當使 電性纖維來形成導電層時，例如可將日本 二 2009-215594、日本專利特開2〇〇9·24麵日本專利^ 2009- 299162、日本專利特開2〇1〇 84173、日本專利特 2010- 871〇5、以及日本專利特開2〇1〇 86714所揭示的= 加以組合來形成上述導電層。 C)方法’該方法是使用照片中所使用的齒化銀照 感光材料’賴材料實施網格圖案曝光之後，進行顯影、 24 201224903 jy/H^pir 定影處理，利用顯影銀來獲得導電性的細線圖案。 本毛月中的獲得導電性的細線圖案的方法根據感光材 料與顯影處1的形態，包含如下麟的3個形態。 (1)形態：對不包含物理顯影核的感光性_化銀黑白 感光材料進行化學顯影或_影，使金屬銀部形成於該感 光材料上。 (2 )形態：對在鹵化銀乳劑層中包含物理顯影核的感 光性_化銀黑自感光材料進行溶解物理顯影，使金屬銀部 形成於該感光材料上。 (3 )形態：使不包含物理顯影核的感光性鹵化銀里白 感光材料、與具有包含物理顯影核的非感光性層的顯像片 (sheet)重疊，且進行擴散轉印顯影，使金 非感光性麟>}上。 ^ 上述⑴的形態為一體型黑白顯影類型（ty 於 感光材料上戦光透射性導電膜等的透紐導電性膜。辑 得的顯影銀，化學㈣銀或_景彡銀，祕細絲㈤她二 的比表面積高，於後續的電鑛或物理顯影過財 對於上述（2)的形態而言，於曝光部中，物理= 近緣的自化絲子溶㈣沈積於顯影核上，藉此， 材料上形成光透雜導電性料的透紐導電性膜。、、、 的形態亦為—體型黑白顯影類型。顯影作用為t ^ 的析出作用，因此，活性高，但顯影銀為ί表 面積小的球形。 钓比表 對於上述（3)的形態而言，於未曝光部中，自化銀粒 25 201224903 jy/4*pif 子溶解且擴散，從而沈積於顯像片上的顯影核上，藉此， 於顯像片上形成光透射性導電性膜等的透光性導電性膜。 上述（3)的形態為所謂的分離類型（separatetype),且為 自感光材料將顯像片予以剝離來使用的形態。 任一個形態均可選擇負（negative)型顯影處理以及反 轉顯影處理中的任一種顯影（於擴散轉印方式的情形時， 使用直接正（autopositive)型感光材料作為感光材料，藉 此’可實現負型顯影處理）。 此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、以及 擴散轉印顯影表示如業界通常使用的用語所述的意思，且 解說於照片化學的一般教科書例如菊地真一著的「照片化 學」（共立出版社，1955年發行）、C.E K Mees編的「攝影 (The Theory 〇f Photographic Processes -4thed.)」（Mcmillan社，1977年發行）。本案為與液體處理 相關的m但亦可參考制熱顯影^式作為其他顯影方 式的技術。例如，可應用日本專利特開2004 184693號、 曰本專利特開2004-334077號、以及日本專利特開 2005-010752號的各公報所揭示的技術。 又，關於本發明中所使用的材料與導電性圖案的製 法，可使用網格狀的電磁波屏蔽（shidd)膜的發明即曰本 專利特開2__352G73號的揭轉技術、以及靜電容量方 式的觸控面板的發明即日本專利特願2__265467號的揭 示與技術。 [感測電極的形成方法]

S 26 201224903 丧者 '欵硎電極及第 '埶測電極的形 判个％、明的第 成方法進行說明。 金屬$_膜(上述Γ);0作(:)形二面對利用 =說明。圖1〇 (a)是兼作為絕緣層的透4明：::方 接者在該薄膜的表面設置金屬 、表面 ⑻）。設置薄μ的方牛右亩Λ #層21 (圖10 離3 3 ^法_真空製膜法°賤鍵法或 ^ ^ I too ^ ^1 ^ ^ ^ *於膜厚超過500⑽的情形時，可使 i無電解電錄法，能夠以低成本來 銅、述i1)所揭示的材料’但較佳為使用銀、 =金。可使職法等作為薄層的形 薄，則相1仇、他方法。形成的金屬的薄層的厚度越 ^貝I越不易剝離，因此較佳，但若上述金屬的薄層的厚 ^専’則電阻會變高，作為觸控面板的響應性會變差，因 2上述金屬的薄層的厚度較佳為αι μιη以上且為3叫 泛更佳為0.2 μιη以上且為2 μιη以下。為了防止剝離， ==字「線寬/厚度」的比率設為2.5以上，進而較佳為 财上述比率設為4以上。 接著，於上述已形成的金屬薄膜上形成光阻膜， j (根據圖3、圖4、圖6、以及圖7等，該光單為產生 遮罩翻的構件）祕光，且_顯影絲齡彡，藉此， 27 201224903 jy/44pif 硬化的光_的網格圖案。藉由⑽液來對上述網格 祕刻’將硬化的光阻臈予以剝離除去，藉此，形 細金屬線的網格圖案（圖10((〇)。圖10⑷的 表不形成的網格圖案的導電性細線。 於上述已形成的感測電極上設置包覆層32 (圖 (d))。於本發明中’將上述包覆層稱為黑化層。該黑化 曰/、有不使金屬或合金的金屬光澤顯眼的視覺性功能，且 具有因防止金屬騎及防止遷移而使耐久性提高的功能。 乂下另外對上述黑化層（包覆層）的材料進行說明。黑 化層（包覆層）的厚度較佳為5 μιη以下，更佳為3叫以 下，尤佳為0.2 μιη以上且為2 μιη以下。 、接著、，除去上述黑化層（包覆層）的不將電極細線予 以包覆的視認部上的黑化層，藉此，可形成視認性、财久 性優異的網格圖案的電極（圖10 (e))。 當使用包含導電性的奈米粒子的墨水（或喂料）時（上 述B)) ’可將上述網格圖案直接印刷至兼作為絕緣層的透 明基體層。於印刷之後，當根據需要，於進行熱處理等而 形成的金屬圖案上設置黑化層時，可進行心_同的處 理〇 [黑化層中所使用的材料與層的形成方法] 構成本發明的黑化層的主成分為選自鎳、鉻、鋅、錫、 以及銅中的元素的至少一種化合物即可，可具有導電性， 亦可不具有導電性。除了本發明的方法之外，、亦可板人地 使用染色法等的方法。 ^ °

S 28 201224903 wmpif 作為本發明中的黑化層的較佳的積層方法的例子，可 列舉電鍍處理與化學蝕刻（Chemicaletching)法。 電鍍處理只要是眾所周知的被稱為黑色電鍍的處理， 則無特別的限制，可列舉黑色鎳電鍍、黑色鉻電鍍、黑色 Sn-Ni合金電鍍、Sn_Ni_Cu合金電鍍、以及黑色辞鉻酸鹽 (chromate)處理等作為例子。具體而言，可使用日本化 學產業（股）製造的黑色電鍍浴（商品名為nikka BLACK，Sn-ni合金系）、（股）金屬化學工業製造的黑色 電鏡浴（商品名為黑鉻（eb〇ny chrome) 85系列，Cr系）、 DIPSOL (股）性的鉻酸鹽劑（商品名為ZB_541，鍍鋅黑 色鉻酸鹽劑）。電鍍法可為無電解電鍍、電解電鍍中的任一 種方法，可採用緩和的條件，亦可為高速電鍍。關於電鍍 厚度，只要可識別出黑色，則厚度並無限定，但通常的電 鍛厚度較佳為5 μιη以下。 於本發明中，亦可對導電性金屬部的一部分進行氧化 處理或硫化處理而形成黑色部。例如於導電性金屬部為銅 的情形時，作為銅表面的黑化處理劑的例子，可使用 MELTEX (股）製造的商品名：ENPLATE ΜΒ438Α、Β ; 三菱瓦斯化學（股）製造的商品名：nPE-900 ; MEC (股） 製造的商品名：MEC etch BOND BO-7770V ; ISOLATE 化 學研究所製造的商品名：COPPER BLACK CuO、COPPER BLACK CuS、及硒系的 COPPER BLACK ηο·65 等。除了 上述之外’當然例如亦可對硫化物進行處理而產生硫化氫 (H2S) ’將銅的表面黑化為硫化銅（CuS)。對於上述處理 29 201224903 jy/44plf :二：i可識別為黑色，則厚度並無限定，但通常上述 每度較佳為3 μιη以下，進而較佳 於本發明♦，為下枯佳為〇.2μιη〜2μιη。 色产，較電極陣列獲得所期望的反射 色度4c佳如2個步驟以上的 如較佳為於氧化處理之後進行還原處理，：=利： 鈉等的氧化劑的心絲： 處理之後’ 含有二曱胺慨、爛氫 等的還原綱溶液來進行處理。馬林 表面變粗μ來增加黑色調，後者心二/疋藉由使 禮—认主工此吨2更者疋將因則者處理而變得不 穩疋的表硫舒以财化，藉此，以。 心面較佳為具有某程度的表面_度 —r叫以下，更佳為_叫〜0.14 μιη。右Ra超過〇.15叫，則耐磨性或密著性有 因此不佳。 —Ra的測定法大致分為呈直線地利用觸針來對面進行 測定的方法（觸針）、以及光學性地進行測定的方法（光切 斷法、光線反射法），亦可上述_方料的任 法來進行測定。 當導電性細線的線寬狹窄，且無法確保測定 區域 (嶋）時，除了將曝光區域擴大之外，以相同的操 對已製作的導電性固體部分進行測定，且計算出Ra。 對應於使用觸控面板的影像顯示裝置的大型化&，亦要 求觸控面板本身實現大型化。對敎魏，電極必須實現 低電阻化，並且電極之間的寄生電容必須降低，因此，若 201224903 39744pif 將擬（dummy)電極配置於電極之間，則有效果 疋不與感測電極連接祕立 結而形成抽出I碰仃㈣，亦可將孤域線予以連 [實例] 明 示的具體例 以下’列舉本發明的實例來更具體地對本發明進 再者，在不脫離本發明的宗旨的範圍内將 以下的實例所示的材料、使用量、比例、處理内 處理順序等予以變更。因此，不應根據以下所 來限定性地對本發明的範圍進行解釋。 首先，對本發明的實例中的評價方法進行說明。 [反射色度的測定法] 將樣本（sample)放置於英國陶瓷研究協會（British

Ceramic Research Association，BCRA)黑瓷碑（tile)(光 澤版）上，自0。方向進行照射，對以45。方向所接受的光 的分光反射率進行測定。 再者’較佳的瓷磚為阪田油墨股份有限公司（Sakata INX ENG.CO.，LTD.)製造的BCRA黑瓷磚（光澤版），關 於黑瓷磚的反射色度，I；為3.6，a*為-0.9，b*為_0.6。可使 用格靈達麥克貝斯（Gretag Macbeth )製造的SpectlO Eye u 作為反射濃度計。 [耐磨性的評價] 利用極細纖維的布即東麗（T0RAY )製造的 「TORAYSEE」，以500 g的負荷來往返地對樣本進行1〇 31 201224903 iy/44pif 次擦拭。以如下的5個階段來對擦拭之後的樣本進行評價。 1 :完全無變化。 2:擦痕微弱且少量。 3 :擦痕微弱，且整體上產生擦痕。 4:擦痕強且少量。 5 :擦痕強，且整體上產生擦痕。 [密著的評價] 利用交叉切割（cross cut)法來對樣本的密著性進行 評價’以如下的5個階段來對接下來的樣本進行評價。 1 :完全無剝離。 2 :於5%以下的部分中有剝離。 3 :於超過5%且為1〇%以下的部分中有剝離。 4 :於超過1〇°/0且為50%以下的部分中有剝離。 5 :於超過50%的部分中有剝離。 [表面粗链度Ra的評價] 於試料上設置5 cmx5 cm的固體曝光的區域，使用 MITUTOYO股份有限公司製造的小形表面粗糙度測定機 SURF TEST SJ-301來進行測定。 實例1 [形成有雙層構成的易黏接層的透明基板A的製造] 對厚度為100 μιη的聚對苯二曱酸乙二醇酯（以下記 載為PET)薄膜支持體的兩個面進行電暈 (corona )放電 處理之後，藉由棒式塗佈法來將下述的第1層塗佈液塗佈 至上述兩個面，使上述第i層塗佈液乾燥’從而形成第1

S 32 201224903 39744pif 層。然後，藉由棒式塗佈法來將下述的 至已形成的第1層的表面，使上述第 '塗佈液塗佈 t卜也制PET _ 使上之第2層塗佈液乾燥，藉 屏ϋ二祕广 薄膜於薄膜的兩個面包括雙 層構成的易黏接層。再者，f U、第 厚度分別為G.G8 _、_ _。 之後的 第1層塗佈液體的組成 •聚醋樹脂黏合劑（大曰本油墨化學工業（股 FINETEX ES650，固形物為 29 wt%) 、49.7 質量份 •作為交聯劑的環氧系化合物（長瀨化成（股）製= DENACOLEX-314 相對於樹脂黏合劑為6 wt% •界面活性劑A(三洋化成工業（股），SANDETB]L， 固形物10 wt%，陰離子性） 2.3質量份 •界面活性劑B (三洋化成工業（股），nar〇acty HN-100 ’固升>物為5% ’非離子性） 5.36質量份 •作為消光劑A的氧化矽微粒子分散液（曰本 AEROSIL (股）製造，〇χ_5〇的水分散物，固形物為1〇%) 2.4質量份 •作為消光劑Β的膠體氧化矽分散液（曰產化學（股） 製造，SNOWTEX-XL，固形物為1〇〇/0) 4.6質量份 以整體達到1000質量份的方式，添加蒸餾水來進行調 製。 第2層塗佈液體的組成 •丙稀酸樹脂黏合劑（ΜΜΑ59 mol%，St9 mol%， 2EHA26 mol%，HEMA5 mol0/〇，AA1 mol%的乳膠，固形 33 201224903 jy/44pif 物濃度為28 Wt°/〇) 化成(m份 •上述的消_ A 、、上㈣轉合劑為6wt% 2·7質量份 4·6質量份 1·9質量份 5·36質量份 巴西棕搁蠟分散物 7·6質量份 添加蒸餾水來進行調

•上述的消光劑B •界面活性劑A •界面活性劑B •潤滑劑（中京油脂（股）， SELOSOL524 固形物為 3 wt% ) 以整體達到1000質量份的方式， [本^明的感測電極陣列的製造] 個面:上透!基板Α的易黏接層的-鍍之後，進行電解電鑛r形成電鑛是於無電解電 接著，於上述已形成的 軍來對該光阻膜進行曝光，利用顯影::::频:使用光 成硬化的光阻膜的網格圖案。於圖6尹，光，形 的圖案，轉鮮是設騎㈣縣

It阻而成的圖案。使用韻刻液來對上述圖案： ,"一後，將硬化的光阻膜予以剝離除去，葬 匕含圖6的圖案的導電性細線的感測電極陣列。曰’形成 接著’於以上已製作的圖6的感测電極陣列的包含鋼 34 201224903 3y744pif ^膜的導電性細線部分設置黑化層。於本實例中，將形成 電極陣列的透明基板浸潰於硫化氫液體，僅使 面成為硫化銅的黑色’形成實例丨的感測電極 陣列。 實例2 貫Y j的電極的形狀為圖6的帶狀，相對於此，於實 例中電極的形狀設為圖3的鑽石狀，並且將導電性細 =6 μπι’除此以外’實施與實例ι相同的操作， 製作貫例2的感測電極陣列。 實例3 丄貫彳】2的導電性細線的間距設為500 μιη，除此以 :’貫施與實例2相同的操作，製作實例3的感測電極陣 列。 貫例4 δ 實·ΓΜ巾所使用的形成有㈣接層的透明美板 ，使用日本專利特公平5_74463號的實例 二 層聚醋薄膜（稱為透明基板Β)，除此以外，實施^的積 相同的操作’製作實例4的感測電_列。再者:、例1 板B的積層聚㈣膜於重組層（本案的 ’遷明基 三聚氰胺系交軸NIKALAC MW· 12LF (三和^战中包含 製造）。 一匕學（股） 實例5 j用賴法來形成實例2的銅薄膜，將該 度設為0.2 μιη，將電極的導電性細線的寬度設、的厚 呵 J ，且 35 201224903 39744pif 將上述電極的導電性細線的間距設為200 μιη，除此以外， 實施與實例2相同的操作，製作實例5的感測電極陣列。 實例6 代替貫例1的透明基板Α的易點接層中所使用的環氧 系化合物DENACOLEX-314，相對於樹脂黏合劑，使用6 感的三聚氰胺系化合物（三和化學（股）製造的NIKalac MW-12LF)，除此以外，實施與實例i相同的操作’製 實例6的感測電極陣列。 實例7 代替實例1的透明基板A的易黏接層中所使用的環氧 系化，^DENACOLEX_314，—於樹脂黏合劑，使用6 異氰咖與三經甲基丙烧的加成物，除此以 外，：：與：例i相同的操作，製作實例7的感測電 歹二^ 了溶解交聯劑，將易黏接層塗佈液中的-部 分的水置換為丙嗣。 1 實例8 车化:‘ Ϊ二明基板A的易黏接層中所使用的環氧 wt%,； ,ΖΤΓ'314 * ^ 6 wt/〇的2乙烯基_2•噁唑啉單 物此以外’實施與實例i相同 感測電極陣列。再者/日7卿Μ貫例7的 液中的-部分的水置換為Χ麵，將祕接層塗饰 實例9 5.5 μπι，除此以 將實例1的導紐細線的線寬設為 36 201224903 jy/44pif

外，實施與妙！丨綱的操作，製作實例9喊測電 列。 I 實例10 將實例1的導電性細線的線寬設為4μιη，除此 實施與實例1相同的操作，製作實例10的感測電 : 比較例1 於實例1的第二易黏接層中不使用交聯劑，除此以 外，實施與實例1相同的操作，製作比較例丨的感測電極 陣列。 比較例2 將比較例1的導電性細線的線寬設為3 μιη，除此以 外，實施與比較例1相同的操作，製作比較例2的感測電 極陣列。 比較例3 將實例4的透明基板Β的三聚氰胺系交聯劑予以除 女，除此以外’實施與實例4相同的操作’製作比較例3 的感測電極陣列。 上述實例與比較例的試料的密著性歸納於表丨中。 37 201224903 jy/44pif [表1] 透明基板 的序號與 交聯劑 金屬薄膜的 製法與膜厚 (μηι) 細線寬度 (μηι) 細線間距 (μηι) 電極形狀 密著性（剝 離比例） 實例1 A 環氧系 電鍍 2 5 300 帶狀 5% 實例2 A 環氧系 電鍍 2 6 300 鑽石 0% 實例3 A 環氧系 電鍍 2 8 500 鑽石 0% 實例4 B 三聚氰胺 系 電鍍 2 5 300 帶狀 2% 實例5 A 環氧系 濺鍍 0.2 3 200 鑽石 0% 實例6 A 三聚氰胺 系 電鍍 2 5 300 帶狀 5% 實例7 A 異氰酸鹽 系 電鍍 2 5 300 帶狀 5% 實例8 A °惡。生啭系 電鍍 2 5 300 帶狀 5% 實例9 A 環氧系 電鍍 2 5.5 300 帶狀 0% 實例10 A 環氧系 電鍍 2 4 300 帶狀 5% 比較例1 A 無 電鍍 2 5 300 帶狀 15% 比較例2 A 無 電鍍 2 3 300 帶狀 30% 比較例3 B 無 電鍍 2 5 300 帶狀 15% 根據以上的結果，必須於易黏接層中添加交聯劑，尤 其若使用環氧系、三聚氰胺系、異氰酸酯系、以及噁唑啉 系的交聯劑，則可對透明基材與銅薄層的密著性進行改 良。又，亦已確認：只要導電性細線的線寬為厚度的2.5 倍以上，則可對密著性進行改良。 實例21

38 201224903 jy/44pif 於實例1中已製作的透明基板A(包括雙層構成的易 黏接層）的易黏接層的一個面上，藉由電鍍法而形成銅的 薄膜。電鍍是於無電解電鍍之後，進行電解電鍵，形成厚 度為2 μιη的銅的薄層。使用與實例1相同的方法，於上 述銅薄膜上，形成包含圖6的圖案（導電性細線的寬度為 5 μιη ’細線的間距為3〇〇 μπι)的導電性細線的感測電極陣 列。將該感測電極陣列設為試料21-1。於該感測電極陣列 的包含銅薄膜的導電性細線部分，藉由下述的還原處理或 氧化處理方法而設置黑化層。 [黑化處理方法之一] 處理條件：於4(TC的下述液體中浸潰3分鐘，然後洗 淨。 液體的組成：硼氫化鈉 3,8 g 添加1升的水。 [黑化處理方法之二] ^ 處理條件：於的下述液體中浸潰4分鐘，然後洗 淨。 液體的組成：亞氣酸鈉55 g 氫氧化鈉 15 g 磷酸三鈉 1〇 g 添加1升的水。 1、將對上述試料21-1實施上述黑化處理方法之一所得 的5式料設為21-2。又，將對上述試料21-1實施上述黑化處 理方法之二所得的試料設為21-3。將進一步對上述試料 39 201224903 方法之一所得物核為2i-4。對 著料L W的試料21]至試料2U4的反射色度、密 者性、上及耐磨性進行測試，將測糾結果表示於表2中。 [表2] 試料的序號 反射色度 21-1 ___無處理 21-2 L* 23,0 a* 7.2 b* 4.0 密著性 5 耐磨性 5 Ra 0.20 備註 比較例 j法之一 20.5 5.9 2.8 5 5 0.17 比較例 21-3 21-4 ^階段處理 11.9 10.6 0.7 Γ^Γ~ -0.3 -1.3 1 2 1 0.10 0.09 本發明 本發明 亡3果’已知:為了獲得所期望的反射色度， ::氧：還原處理來進行黑化處理時，與還原處理相比 二:化处理更佳，進，較佳為於氧化處理之後實施還原 ^又、’已口 ·對於試料21-3 '試料21-4而言，與密著 性、，稱為耐磨性的耐久性相_性能亦已被改良。 實例31 拯展？作的透明基板a (包括雙層構成的易黏 ^層）的㈣接層的-個面上，料f鍍法㈣成銅的薄 =。電鍍是於無鶴電狀後，進行f解電鍍，形成厚度 ί2叫的銅的薄層。使用與實例1相同的方法，於上述 銅薄膜上，形成包含圖6的圖案（導電性細線的寬度為5 線的間距為300哗）的導電性細線的感測電極陣 列。將該制電極陣列設為試料3lq。於該感測電極陣列 201224903. 的包含銅薄膜的導電性細線部分，實施下述利用電鍍的黑 化處理’設置黑化層。 [黑化處理方法之三] 處理條件：浸潰於40°c的下述電鍍液，以3.2 A/cm電 锻0.5分鐘，然後洗淨。 電鍍液體的組成（補充液亦為相同的組成） 硫酸鎳六水合物 硫氰酸錢 硫酸辞七水合物 硫酸鈉 添加水 pH (利用硫酸與氫氧化鈉來進行調整）5 〇 [黑化處理方法之四] 123 g 17g 3g

處理條件：浸潰於4(Vt的下述電鍍液，以3 2 A/cm來 電鍍0.5分鐘，然後洗淨。 電鍍液體的組成（補充液亦為相同的組成） 硫酸鎳六水合物 硫亂酸錄 硫酸鋅七水合物 硫酸鈉 123 g 17 g 28 g 添加水 16 g 1升 PH (利用硫酸與氫氧化鈉來進行調整）5〇 „料叫實施上述黑化處理方法之三所得的试料設為31·2。又，將對上述試料3M #施上述黑化處 201224903 jy/^pif 理方法之四所得的試料設為31_3。將進一步對上述試料 31-3實施上述黑化處理方法之三所得的試料設為31_4。 又，將如下的試料設為31-5，該試料是使用市售的鉻系黑 色電鍍浴，以3.2A/cm來對上述試料31_丨電鍍〇 5分鐘， 然後洗淨所得的試料。 對以上述方式獲得的試料3i_i至試料31_5的反射色 度、密紐、以及咖性進㈣試，將順的結果表示於 表3中。 [表3] 試料的序號 31-1 L* 反射色度 a* b* 密著性 耐磨性 Ra 備註 無處理 31^2 23.0 ~12Λ^ 7.2 4.0 5 5 0.20 比較例 方法之三 31-3 —— 08 L5 4 4 0.16 比較例 方法之四 9.0 0.7 -0.3 1 2 0.12 ·— — 本發明 31-4 二階段處理 31-5 8.8 0.1 0.8 -1.7 〇 1 ---- 13.5 1 1 0.08 本發明 4 4 0.17 Ιϊ3^Γ~ ----- 低濃度液與高濃度液來進行的 物的低濃度'夜來+ w ^ 手佳的硫馱鋅七水合 朿進仃處狀後，彻硫_七水合物的高

S 42 201224903, jy /叫pif 漠度液來進行處理。 可藉由上述二階段處縣麟具有耐久性的金屬 、，田、、電極。於金屬細線電極的表面設置氧化膜，或實施利 用電鑛處理的低反射處理，例如_黑色鉻來防止反射等 已揭不於日本專利特開2__344163號中 性相關的揭示。 ”〜、町又 ，上述試料31_4以及試料315於6(rc9〇%的環境下 保，〇〇小時，然後在通常的環境下保存24小時之後’進 二山、表3相同的測定。結果，可知：對於試料31-4，僅觀 測出誤差範_變動，㈣於試料31_5，L*增加至= ，止’Ra亦增加至〇 2()為止，朝本發明中的不佳的色产、 ”不佳的表面粗糙度的方向發生了變動。 【圖式簡單說明】 ^ )圖1(b)是本發明的觸控面板的剖面圖。 面板的剖面2 (d)是本發明的感測電極陣列與觸控 圖3 =本發明的第一感測電極陣列11的排列圖。 =4是本發明的第二感測電極陣列12的排列圖。 陣列第一感測電極陣列與第二感測電極 乂配置時的自觸控者側所見的透視圖。 本發明的其他第一感測電極陣列11的排列圖。 明的其他第二感測電極陣列12的排列圖。 電極陣列ΐ行正他第一感測電極陣列與第二感測 進订正又配置時的自觸控者侧所見的透視圖。 43 201224903 jy /HHpif 圖 9 (a)、圖 9 (b) 板的剖面圖。 是本發明的包括黑化層的觸控面 卜Ξ I0 (a)〜圖1〇⑷是本發明的黑化層的形成方法 【主要元件符號說明】 10 :本發明的觸控面板 11 .第一感測電極陣列 12第一感測電極陣列 15 15 ·透明基板 16 ·成為觸控面的透明材料層 17 :剝離薄膜 18 ' =易黏接層 U、19'、19” ：黏接劑層/黏著層 20、20’ ：黑化層 21 :感測電極的形成層/薄層 31 :網格狀的感測電極 32 :感測電極的包覆層 33 :網格狀的感測電極的包覆層 的非 cb ·表示處於下部電極層的感測電極的電極之 導電性的邊界區域。 曰 cd :表示感測電極之間的非導電性的邊界區域的寬度 c-j ·表示下部電極層的感測電極的序號 CW .表示下部電極層的感測電極的電極寬度 i :孤立導線/導電性細線/細線 44 5 201224903

rb :表示處於上部電極層的感測電極的電極之間的非 導電性的邊界區域 rd:表示處於上部電極層的感測電極的電極之間的非 導電性的邊界區域的寬度 r-i :表示上部電極層的感測電極的序號 rw :表示上部電極層的感測電極的電極寬度 45

Claims (1)

1. 201224903 七、申請專利範圍： 電極陣列，該觸控面 1. 一種觸控面板，包括第—感 板的特徵在於·. 心^第―感測電極陣列是將導電性金屬細線圖案化而 支明基板上’上述感測電極陣列的反射色度L*a*b 的L為6〜13，a*為_〇.7〜15<為_5〇〜12。 一式2·:申5月專利範圍第1項所述之觸控面板，更包括第 貝1極陣列’上述第一感測電極陣列與第二感測電極 陣列正交地排列。 3·如中„月專利範圍第i項所述之觸控面板，其中於上 返已圖案化的導電性金屬纟禮與上述透·板之間具有至 少1個以上的易黏接層。 4. 如申請專利範圍第i項所述之觸控面板，其中上述 觸控面板為靜電容量方式_控面板。 5. 種靜電容量方式的觸控面板，正交地排列有第一 感測電極陣列與第二感測電極陣列，該靜電容量方式的觸 控面板的特徵在於： 配置於觸控者侧的第一感測電極陣列，是將導電性金 屬細線圖案化㈣成於具有易黏接層的透明基板上。 6·如申响專利範圍第1項或第5項所述之觸控面板， 其中上述已圖案化的導電性金屬細線於觸控面側具有黑化 層。 7.如申請專利範圍第6項所述之觸控面板，其中上述 黑化層的表面粗糙度Ra為G.15以下。 S 46 201224903 从〆· > % X f 靜電容量觸控面板， 的 1/為 6〜13， 8.如申請專利範圍第5項所述之 其中上述感測電極陣列的反射色度L* a 為-0.7〜1.5，b*為-5.0〜1.2。 …甘:_範圍第2項至第5項中任-項所述之觸 :由上诂i番:冓成上述第一感測電極陣列的感測電極是包 3由上述導電性金屬細線所形成網袼的 ，成上述第二感測電極陣列的感測電極是= f以-感測電極陣列的感測電極相同的構造或條狀構 U).如中請專利範圍第2項或第5項所述之觸 板’其中料正交地排_上述第—感測電極_ ，=極_進行透視時，上述已圖案化的導電性金屬細 線於查個觸控面形成大致均一的格子花紋。 Π·如申請專利制第i項或第5項所述之觸控面 板，/、+上述導電性金屬細線是使用光微影的方法或雷射 剝蝕的方法，將金屬薄膜層圖案化為線寬為1000 nm至 8000 nm的細線圖案。 I2·如申請專利範圍第1項或第5項所述之觸控面 板’其中上述導電性金屬細線的寬度為厚度的2 5倍以 13. 如申請專利範圍第3項或第5項所述之觸控面 =中上述透明基板包含聚酯樹脂，上述易黏接層包含 聚酯樹脂、丙烯酸樹脂或胺酯樹脂’於上述易黏接層中添 加有交聯劑。 ㈢ 14. 如申請專利範圍第13項所述之觸控面板，其中上 201224903 / -τ-τριΓ 述易黏接層包含第一易黏接層與第二易黏接層，與上述透 明基板相接的上述第一易黏接層包含聚酯樹脂，上述第二 易黏接層包含丙烯酸樹脂或胺酯樹脂。 15. 如申請專利範圍第13項所述之觸控面板，其中上 述交聯劑為嚼唆11 定化合物、環氧化合物、或異氰酸S旨化合 物。 16. 如申請專利範圍第14項所述之觸控面板，其中上 述交聯劑為11 惡吐11 定化合物、環氧化合物、或異氰酸醋化合 物。 S 48