JP7172211B2 - 導電性基板、電子装置及び表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、導電性基板、電子装置及び表示装置に関する。

タッチパネル又はディスプレイの表面には、透明性と導電性を有する導電性基板が搭載された透明アンテナが実装されることがある。昨今、タッチパネル及びディスプレイが大型化、多様化したことに伴い、導電性基板には、高い透明性と導電性とともに、フレキシブル性が求められるようになった。従来の導電性基板は、例えば、ＩＴＯ、金属箔、又は、導電性ナノワイヤーを含有する樹脂により形成された、微細なパターンを形成している導電パターン層を透明基材上に有する。

しかし、ＩＴＯ又は導電性ナノワイヤーは高価な材料である。また、微細な導電パターン層を基材上に形成する方法としてはエッチングが一般的であるが、エッチングによる方法は、露光工程、現像工程、エッチング工程、及び剥離工程といった工程が必要であり、工程数が多い。このような理由により、低コストで導電性基板を作成することには限界があった。

低コストで導電性基板を製造する方法として、特許文献１には、樹脂製の透明基材上にトレンチを形成させて、銅等の導電性材料を透明基材全面に蒸着法又はスパッタ法により充填させ、トレンチ内部以外の導電性材料をエッチングで除去して導電層を形成させる方法が開示されている。一方、特許文献２には、樹脂製の透明基材上にトレンチを形成させて、トレンチ内部に導電性材料を充填させる方法が開示されている。

特開２０１６－１６４６９４号公報 国際公開第２０１４／１５３８９５号

しかしながら、特許文献１及び２に開示されているような、トレンチを充填する導電パターン層を有する従来の導電性基板は、繰り返し屈曲されたときに、導電層の剥がれが生じたり、導電性が低下したりすることがあるという問題を有していた。

本発明は、トレンチを充填する導電パターン層を有し、屈曲による導電パターン層の剥がれ及び導電性の低下が抑制された導電性基板、及びこの導電性基板を用いた電子装置並びに表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面は、基材と、基材上に設けられ触媒を含む下地層と、下地層上に設けられたトレンチ形成層と、金属めっきを含む導電パターン層と、を備える導電性基板を提供する。下地層が露出する底面とトレンチ形成層の表面を含む側面とを有するトレンチが形成されている。トレンチを導電パターン層が充填している。下地層が、下地層の導電パターン層側の表面からその内側にかけて形成され、導電パターン層を構成する金属を含み下地層に入り込んでいる金属粒子を含む混在領域を有する。

下地層の厚みに対する混在層の厚みの比は、好ましくは０．１～０．９である。

導電パターン層の幅が０．３～５．０μｍであってもよい。導電パターン層の幅に対する導電パターン層の厚みの比が０．１～１０．０であってもよい。

導電パターン層のトレンチの底面とは反対側の面の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下であることが好ましい。

導電パターン層の側面のうち少なくとも一部とトレンチの側面との間に間隙が形成されていることが好ましい。

導電パターン層が、トレンチの底面とは反対側の面を含む導電パターン層の表面を構成する黒化層を有していてもよい。黒化層の表面粗さＲａが１５～６０ｎｍであってもよい。

導電性基板が、トレンチ形成層及び導電パターン層の基材とは反対側の面の少なくとも一部を覆う保護膜を更に備えていてもよい。保護膜の屈折率は、１．０より大きく、トレンチ形成層の屈折率よりも小さいことが好ましい。

導電パターン層がメッシュ状のパターンを形成していてもよい。

本発明の他の一側面は、上述の導電性基板と、導電性基板に実装されている電子部品と、を備える電子装置を提供する。

本発明の他の一側面は、上述の導電性基板と、導電性基板に実装されている発光素子と、を備える表示装置を提供する。

電子装置又は表示装置は、導電性基板の導電パターン層上に設けられた接続部を更に備え、発光素子が、接続部を介して導電性基板に接続されていてもよい。

電子装置又は表示装置は、導電性基板の導電パターン層上に設けられた密着層と、トレンチ形成層上及び密着層上に設けられ、トレンチ形成層の下地層とは反対側の表面を覆い、前記密着層の一部が露出する開口部を有する絶縁層と、密着層の開口部内に露出した密着層の面上に設けられたＵＢＭ層と、ＵＢＭ層上に設けられた接続部と、を更に備え、発光素子が、接続部、ＵＢＭ層及び密着層を介して導電性基板に接続されていてもよい。

本発明によれば、トレンチを充填する導電パターン層を有し、屈曲による導電パターン層の剥がれ及び導電性の低下が抑制された導電性基板、及びこの導電性基板を用いた電子装置を提供することができる。

さらに本発明は、導電性基板において導電パターン層の剥がれが抑制された表示装置を提供することもできる。近年、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子を備える表示装置（例えば、ＬＥＤディスプレイ）の開発が進められている。液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）では、バックライトの光を透過型液晶によって制御するのに対して、ＬＥＤディスプレイでは、自然発光素子である発光ダイオードを用いて画素を構成している。これにより、ＬＥＤディスプレイは高輝度、高寿命、高視野角といった特徴を持つ。

発光素子を備える表示装置において、その解像度を向上させるためには、発光素子自体を小さくすればよい。しかし、発光素子が小さいと、微細な導電パターン層を形成する必要があるために、導電パターン層が剥がれ易く、また、導電性の確保が困難になる傾向がある。本発明によれば、発光素子が小さい場合であっても、導電性基板における導電パターン層が剥がれにくく、更には発光素子と導電性基板との密着性にも優れた表示装置を容易に製造することができる。

一実施形態に係る導電性基板を示す模式断面図である。 図１に示す導電性基板の部分拡大図である。 図１に示す導電性基板の製造方法を模式的に示す断面図である。 （ａ）は一実施形態に係る導電性基板を示す部分拡大図であり、（ｂ）は従来の導電性基板の一例を示す部分拡大図である。 一実施形態に係る導電性基板を示す模式断面図である。 表示装置を製造する方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。 表示装置を製造する方法の他の実施形態を模式的に示す断面図である。 図７に示す方法の変形例を模式的に示す断面図である。 図６～８に示す方法によって得られる表示装置の要部を模式的に示す平面図である。 従来の導電性基板の製造方法を示す工程図である。 耐屈曲性試験機の概略図である。

以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。

図１は、一実施形態に係る導電性基板を示す模式断面図である。図１に示す導電性基板１Ａは、フィルム状の基材２と、基材２上に設けられた下地層３と、下地層３の基材２と反対側の面上に設けられたトレンチ形成層４と、導電パターン層８とを備える。下地層３が露出する底面６ａとトレンチ形成層４の表面を含む側面６ｂ，６ｃとを有するトレンチ６が形成されており、トレンチ６を導電パターン層８が充填している。

基材２は、透明基材、特に透明樹脂フィルムであることが好ましい。透明樹脂フィルムは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、又はポリイミド（ＰＩ）のフィルムであってもよい。あるいは、基材２は、ガラス基板、又はＳｉウェハ等であってもよい。

基材２の厚みは、１０μｍ以上、２０μｍ以上、又は３５μｍ以上であってよく、また、５００μｍ以下、２００μｍ以下、又は１００μｍ以下であってよい。

下地層３は、触媒及び樹脂を含有する。樹脂は、硬化性樹脂であってもよく、その例としては、アミノ樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリエステル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、キシレン樹脂、ケトン樹脂、フラン樹脂、ＣＯＰＮＡ樹脂、ケイ素樹脂、ジクロペンタジエン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エピスルフィド樹脂、エン－チオール樹脂、ポリアゾメチン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物、アセナフチレン、及び不飽和二重結合や、環状エーテル、ビニルエーテル等の紫外線で重合反応を起こす官能基を含む紫外線硬化樹脂等が挙げられる。

下地層３に含まれる触媒は、好ましくは無電解めっき触媒である。無電解めっき触媒は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｎ、及びＳｎから選ばれる金属であってよく、好ましくはＰｄである。触媒は、１種類単独若しくは２種類以上の組合せであってもよい。通常、触媒は触媒粒子として樹脂中に分散している。

下地層３における触媒の含有量は、下地層全量を基準として、３質量％以上、４質量％以上、又は５質量％以上であってよく、５０質量％以下、４０質量％以下、又は２５質量％以下であってよい。

下地層３の厚みは、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、又は３０ｎｍ以上であってよく、５００ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、又は１５０ｎｍ以下であってよい。

トレンチ形成層４は、透明な樹脂層であることが好ましい。また、トレンチ形成層４は、光硬化性又は熱硬化性樹脂を含む層であってもよい。トレンチ形成層４を構成する光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂の例としては、アクリル樹脂、アミノ樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリエステル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、キシレン樹脂、ケトン樹脂、フラン樹脂、ＣＯＰＮＡ樹脂、ケイ素樹脂、ジクロペンタジエン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エピスルフィド樹脂、エン－チオール樹脂、ポリアゾメチン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物、アセナフチレン、及び不飽和二重結合や、環状エーテル、ビニルエーテル等の紫外線で重合反応を起こす官能基を含む紫外線硬化樹脂等が挙げられる。

トレンチ形成層４の屈折率（ｎｄ２５）は、導電性基板の透明性を高める観点から、下地層３の屈折率よりも小さいことが好ましく、例えば、１．０以上であってよく、また、１．７以下、１．６以下、又は１．５以下であってよい。屈折率は、反射分光膜厚計により測定することができる。

トレンチ６は、下地層３が露出する底面６ａと、底面６ａを囲むトレンチ形成層４の表面を含む、対向する側面６ｂ，６ｃとから形成されている。トレンチ６は、導電パターン層８に対応するパターンが形成されるように、下地層３上に延在している。図１のように、トレンチ形成層４の下地層３とは反対側の表面４ａから底面６ａに向かってトレンチ６の幅が狭くなるように、側面６ｂ，６ｃが底面６ａに対して傾斜していてもよいし、側面６ｂ，６ｃが底面６ａに対して垂直であってもよい。側面６ｂ，６ｃが段差を形成していてもよい。

トレンチ６の幅及び深さは、通常、それぞれ導電パターン層８の幅及び厚みと実質的に一致する。本明細書において、トレンチの幅とは、トレンチが延在する方向と垂直な方向における最大幅をいう。トレンチの幅に対するトレンチの深さの比が、後述する導電パターン層のアスペクト比と同様であってもよい。

導電パターン層８は、単一の金属めっきからなる層であってもよいし、金属種の異なる複数の金属めっきから構成されてもよい。例えば、導電パターン層８は、下地層３上に形成された金属めっきであるシード層と、シード層の下地層３とは反対側の面上に形成された金属めっきである１層以上の上部金属めっき層とを有していてもよい。

導電パターン層８としての金属めっきは、例えば、銅、ニッケル、コバルト、パラジウム、銀、金、白金及びスズから選ばれる少なくとも１種の金属を含み、好ましくは銅を含む。導電パターン層８は、適切な導電性が維持される範囲で、リン等の非金属元素を更に含んでいてもよい。

導電パターン層８がシード層及び上部金属めっき層を有する場合、シード層を構成する金属と上部金属めっき層を構成する金属とは同一であっても異なっていてもよいが、例えば、シード層がニッケルを含み、上部金属めっき層が銅を含んでいてもよい。上部金属めっき層が、シード層上に形成された銅めっき層と、銅めっき層上に形成された、金又はパラジウムを含む最上層とから構成されていてもよい。

導電パターン層８は、トレンチ６に対応するパターンが形成されるように下地層３上に延在している。導電パターン層８の厚みは、トレンチ形成層４との厚みと実質的に一致していてもよいし、導電パターン層８の厚みの、トレンチ形成層４の厚みに対する比が、０．８～１．２の範囲内にあってもよい。

導電パターン層８の幅は、１μｍ以上、１０μｍ以上、又は２０μｍ以上であってもよく、９０μｍ以下、７０μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。本明細書において、導電パターン層の幅は、導電パターン層の延在方向に垂直な方向における最大幅をいう。

導電パターン層８の幅は、導電性基板の透明性を向上させる観点からは、０．３μｍ以上、０．５μｍ以上、又は１．０μｍ以上であってもよく、５．０μｍ以下、４．０μｍ以下、又は３．０μｍ以下であってもよい。

導電パターン層８の厚みは、０．１μｍ以上、１．０μｍ以上、又は２．０μｍ以上であってもよく、１０．０μｍ以下、５．０μｍ以下、又は３．０μｍ以下であってもよい。導電パターン層８の幅及び厚みは、後述するモールド７の設計を変更し、トレンチ６の幅及び厚みを変更することによって調整することができる。

導電パターン層８のアスペクト比は、０．１以上、０．５以上、又は１．０以上であってよく、１０．０以下、７．０以下、又は４．０以下であってよい。導電パターン層８のアスペクト比を上記範囲とすることにより、導電パターン層８の下地層３への密着性を更に高めることができ、導電性も更に高めることができる。導電パターン層のアスペクト比とは、導電パターン層の幅に対する導電パターン層の厚みの比（厚み／幅）をいう。

導電パターン層８は、例えば一定の方向に沿って延在しながら配列した複数の線状部を含んでいてもよく、メッシュ状に形成されていてもよい。

図２は、図１に示す導電性基板１の断面図における、領域Ｒの拡大図である。図２に示すように、下地層３は、下地層３の導電パターン層８側の表面（又は上側境界Ｍ）からその内側にかけて形成され、導電パターン層８を構成する金属を含み下地層３に入り込んでいる複数の金属粒子８Ｒを含む混在領域２０を有する。混在領域２０は、金属粒子８Ｒと、下地層３の主要成分である樹脂３１及び触媒粒子３２とを含む。金属粒子８Ｒは、通常、触媒粒子３２を起点として成長した金属めっきを含む。そのため、金属粒子８Ｒには、触媒粒子３２が取り込まれていることが多い。複数の金属粒子８Ｒのうち少なくとも一部が、導電パターン層８から混在領域２０にかけて連続的に連なっていることが好ましい。混在領域２０が形成されていることは、例えば走査型電子顕微鏡により観察することにより、確認することができる。

混在領域２０の厚みＴは、導電性基板１の密着性を更に高める観点から、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、更に好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、更に好ましくは２００ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下である。

ここで、混在領域２０の厚みＴは、導電パターン層８側の上側境界Ｍから、それよりも基材２側の下側境界Ｎまでの距離として定義される。上側境界Ｍ及び下側境界Ｎは、それぞれ、導電性基板１の厚み方向に垂直な方向の断面（以下「水平面」という。）である。上側境界Ｍは、下地層３を構成する樹脂３１を含む水平面のうち、最も導電パターン層側に位置するものである。下側境界Ｎは、金属粒子８Ｒを含む水平面のうち、最も基材２側に位置するものである。上側境界Ｍ及び下側境界Ｎは、導電性基板１Ａの厚み方向に沿う断面（以下「垂直面」という。）を走査型電子顕微鏡等で観察することにより決定することができる。複数の垂直面を観察して混在領域の厚みＴを求め、それらの平均値を、導電性基板１における混在領域２０の厚みＴとみなしてもよい。混在領域が形成されていることにより、導電パターン層８の下地層３からの剥がれが効果的に抑制され得る。

下地層３の厚みに対する混在領域２０の厚みＴの比は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上、更に好ましくは０．３以上であり、好ましくは０．９以下、より好ましくは０．６以下、更に好ましくは０．５以下である。

導電パターン層８のトレンチ６の底面６ａとは反対側の面８ａの表面粗さＲａは、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、更に好ましくは３０ｎｍ以下である。導電パターン層８の面８ａの表面粗さＲａが１００ｎｍ以下であると、表皮効果損失を小さくすることができる。表面粗さＲａの下限値は特に限定されないが、例えば５ｎｍ以上である。導電パターン層８の側面も、これら数値範囲内の表面粗さＲａを有していてもよい。

導電パターン層８の側面の少なくとも一部とトレンチ６の側面６ｂ及び／又は６ｃと間に間隙が形成されていてもよい。これにより、導電性基板１Ａが屈曲したときの導電パターン層８の損傷をより効果的に抑制することができる。間隙は、好ましくは導電パターン層８の側面とトレンチ６の対向する側面６ｂ及び６ｃの両方との間に形成される。間隙の幅は、１ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は１０ｎｍ以上であってよく、また、１５０ｎｍ以下、１２５ｎｍ以下、又は１００ｎｍ以下であってよい。間隙の幅は、導電パターン層８の延在方向に垂直な方向における、導電パターン層８とトレンチ６との距離の最大値をいう。後述するように、下地層３、又は下地層３上のシード層から金属めっきを成長させることにより、導電パターン層８とトレンチの側面６ｂ，６ｃとの間に容易に間隙を形成させることができる。

図３は、図１に示す導電性基板１Ａを製造する方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る方法では、まず、図３の（ａ）に示すように、フィルム状の基材２の一方の主面２ａ上に、触媒を含有する下地層３を形成させる。図３の（ａ）の工程は、基材２及び基材２上に形成された下地層３を備えた積層体を用意する工程であってもよい。

続いて、図３の（ｂ）に示すように、下地層３の基材２とは反対側の面３ａ上にトレンチ形成層４を形成させる。図３の（ｂ）の工程は、基材２と、下地層３と、トレンチ形成層４とをこの順に備える積層体５Ａを用意する工程であってもよい。

次に、図３の（ｃ）、（ｄ）に示すように、凸部７ａを有するモールド７を用いたインプリント法によりトレンチ（溝部）６を形成させる。この工程では、所定の形状の凸部７ａを有するモールド７を、矢印Ａで示す方向に移動させることで、トレンチ形成層４に押し込ませる（図３の（ｃ））。凸部７ａの先端が下地層３に到達するまでモールド７が押し込まれてもよい。その状態で、トレンチ形成層４が未硬化の光硬化性又は熱硬化性樹脂を含む層である場合にはこれを硬化させる。トレンチ形成層４が光硬化性樹脂を含む層である場合、紫外線等の光を照射することにより、トレンチ形成層４を硬化させる。その後、モールド７を取り外すことにより、モールド７の凸部７ａの形状が反転した形状を有するトレンチ６が形成される（図３の（ｄ））。トレンチ６を形成させる方法は、インプリント法に限定されず、例えば、レーザー、ドライエッチング、又はフォトリソグラフィーによりトレンチ６を形成させてもよい。

図３の（ｄ）に示すように、トレンチ６は、下地層３が露出する底面６ａと、底面６ａを囲むトレンチ形成層４の表面を含む、対向する側面６ｂ，６ｃとから形成されている。トレンチ６は、導電パターン層８に対応するパターンが形成されるように、下地層３上に延在している。トレンチ６の底面６ａに下地層３を露出させるために、モールド７を取り外した後、ドライエッチング等のエッチングにより、トレンチ６内の下地層３上に残存したトレンチ形成層４を除去してもよい。

モールド７は、石英、Ｎｉ、紫外線硬化型液状シリコーンゴム（ＰＤＭＳ）等で形成されていてよい。モールド７の凸部７ａの形状は、形成させるトレンチ６の形状に応じて設計される。

次に、図３の（ｅ）に示すように、トレンチ６を充填する導電パターン層８を形成させる。導電パターン層８は、下地層３から金属めっきを成長させる無電解めっき法により形成されてよい。トレンチ６が形成された積層体５Ａを、金属イオンを含有する無電解めっき液に浸漬させることにより、下地層３に含有される触媒を起点として、導電パターン層８としての金属めっきを形成させることができる。トレンチ６を充填する導電パターン層８を形成させることにより、導電性基板１Ａを得ることができる。

無電解めっき液は、導電パターン層を構成する金属のイオンを含む。無電解めっき液は、リン、ホウ素、鉄等を更に含有していてもよい。

無電解めっき液に積層体５Ａを浸漬させる際の、無電解めっき液の温度は、例えば、４０～９０℃であってよい。また無電解めっき液の浸漬時間は、導電パターン層８の厚み等によって異なるが、例えば１０～３０分である。

シード層及び上部金属めっき層を有する導電パターン層は、下地層上にシード層を形成させることと、シード層上に上部金属めっき層を形成させることを含む方法により、形成することができる。トレンチ６が形成された積層体５Ａをシード層形成用の無電解めっき液に浸漬させることにより、下地層３に含まれる触媒を起点として金属めっきをシード層として形成させる。その後、シード層を有する積層体を導電層形成用の無電解めっき液に浸漬させることにより、上部金属めっき層を形成させることができる。上部金属めっき層を形成する前に、シード層に触媒を吸着させ、シード層に吸着した触媒を起点として上部金属めっき層を形成させてもよい。

シード層の厚みは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以上、又は５０ｎｍ以上であってよく、５００ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、又は１００ｎｍ以下であってよい。

本実施形態に係る方法は、一定の幅の導電パターン層を容易に形成できるという点でも優れている。図４は、メッシュ状のパターンを形成している導電パターン層を有する導電性基板の例を示す部分拡大図である。本実施形態に係る方法により形成される導電性基板の場合、図４の（ａ）に例示されるように、２本の導電パターン層８の交点付近の領域Ｐにおいても、導電パターン層８の幅が大きく変化することなく、一定の幅が維持され易い。これに対して、エッチングによって導電パターン層を形成する従来の方法の場合、図４の（ｂ）に例示されるように、２本の導電パターン層８’の交点付近の領域Ｑにおいて、導電パターン層８’の幅が大きくなることがある。導電パターン層の幅のばらつきが小さいことは、導電パターン層８の幅が、交点付近の領域で大きくならないことは、全光線透過率が高くなるという点で有利であり、導電パターン層８の幅のばらつきが小さいことは、全光線透過率のばらつきが小さいという点で有利である。

図５は、導電性基板の他の実施形態を示す模式断面図である。図５に示す導電性基板１Ｂの導電パターン層８は、その表面のうち、トレンチ６の底面６ａとは反対側の面８ａ（以下、導電パターン層の上面８ａということがある。）と、側面８ｂ，８ｃとを含む部分を構成する黒化層２５を有している。黒化層２５における「黒化」とは、黒化層２５の表面に入射した光に対する正反射率が低減されるように表面を加工することを意味する。

黒化層２５は、黒色金属めっき用のめっき液を用いて形成される黒色金属めっきであってもよいし、レイデント処理（登録商標）によって形成される黒色金属めっきであってもよい。黒化層２５は、通常、導電パターン層８の一部を構成する導電層として設けられる。

黒色金属めっき用のめっき液で形成される黒色金属めっきとしては、黒色ニッケルめっき、黒色クロムめっき、亜鉛めっきの黒色クロメート、黒色ロジウムめっき、黒色ルテニウムめっき、スズ－ニッケル－銅の合金めっき、スズ－ニッケルの合金めっき、置換パラジウムめっきが挙げられる。

黒化層２５は、導電パターン層８の表面を粗化する方法によって形成されてもよい。その場合、黒化層２５の表面粗さＲａは、好ましくは１５ｎｍ以上であり、より好ましくは２０ｎｍ以上であり、更に好ましくは３０ｎｍ以上であり、また、好ましくは６０ｎｍ以下であり、より好ましくは５５ｎｍ以下であり、更に好ましくは５０ｎｍ以下である。Ｒａは走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）によって測定することができる。粗化は、導電パターン層８の表面を酸処理等により粗化する方法、又は、導電パターン層８の表面が粗くなるように導電パターン層８を形成させる方法等により行われる。

黒化層２５（黒色金属めっきの膜）の厚みは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以上、又は５０ｎｍ以上であってよく、１５０ｎｍ以下、１２５ｎｍ以下、又は１００ｎｍ以下であってよい。

トレンチ６の底面６ａとは反対側の面８ａを構成する黒化層２５は、例えば、導電パターン層８を形成した後、面８ａを覆う黒色金属めっきを形成することにより、形成させることができる。導電パターン層８の側面８ｂ，８ｃとトレンチ６の側面との間に間隙が形成されている場合、黒色金属めっき用のめっき液への浸漬により、導電パターン層８のトレンチ６の底面６ａとは反対側の面８ａを覆うとともに、導電パターン層８の側面８ｂ，８ｃも覆う黒色金属めっきが形成されることが多い。

黒化層２５は、導電パターン層８のトレンチ６の底面６ａ側の表面を構成する層として設けられてもよい。導電パターン層８のトレンチ６の底面６ａ側の表面を構成する黒化層は、例えば、トレンチ６を形成した後、黒色金属めっき（例えば黒色ニッケルめっき）をシード層として下地層３上に形成されてもよい。

導電性基板は、トレンチ形成層４及び導電パターン層８の基材２とは反対側の面の少なくとも一部を覆う保護膜を更に備えてもよい。保護膜は、例えば、樹脂及びフィラーを含んでいてもよい。保護膜の樹脂の例としては、アミノ樹脂、イソシアネート樹脂、ケイ素樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、及び不飽和二重結合や、環状エーテル、ビニルエーテル等の紫外線で重合反応を起こす官能基を含む紫外線硬化樹脂等が挙げられる。保護膜のフィラーの例としては、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム酸化亜鉛、酸化アンチモン、リンドープ酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズ、スズドープ酸化インジウム、Ａｇナノコロイド等が挙げられる。保護膜は、例えば、保護膜形成用の樹脂組成物をトレンチ形成層４及び導電パターン層８の基材２とは反対側の面に塗工し、必要により塗膜を乾燥及び／又は硬化することにより形成することができる。導電パターン層８とトレンチ６の側面６ｂ，６ｃとの間に間隙が形成されている場合、保護膜はこの間隙を充填してもよい。

保護膜の厚みは、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、又は１００ｎｍ以上であってよく、５０００ｎｍ以下、３０００ｎｍ以下、又は１０００ｎｍ以下であってよい。

保護膜の屈折率は、導電性基板の透明性の観点から、１．０以上、又は１．３以上であってよく、１．６以下、又は１．５以下であってよい。保護膜の屈折率は、好ましくは、トレンチ形成層４の屈折率よりも小さい。保護膜の屈折率は、例えば、フィラーの含有量を増減させることによって調整することができる。

［表示装置］
上述した導電性基板に発光素子を実装することによって、当該導電性基板及び発光素子を備える表示装置を製造することができる。上述の導電性基板は、下地層からの導電パターン層の剥がれが抑制されるため、この導電性基板を備える表示装置は、布又は紙のように薄く製造され、折り曲げたり丸めたりできるフレキシブルな表示装置（ディスプレイ）として使用することができる。このようなフレキシブルな表示装置は、小型化・軽量化することができ、収納性・デザイン性を向上させることができる。

図６は、表示装置を製造する方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。この方法では、まず、図６の（ａ）に示すように、発光素子４０と、導電性基板１Ａを用意する。発光素子４０は、発光部４１と、発光部４１の一方の主面４１ａ上に設けられた正極４２と、正極４２から間隔を空けて主面４１ａ上に設けられた負極４３とを備える。以下、正極４２及び負極４３をまとめて電極４２，４３と呼ぶことがある。発光素子４０は、赤色、緑色又は青色の光を発光可能な素子であってよい。発光素子４０は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）であってよい。本実施形態の場合、導電性基板１Ａにおける導電パターン層８は、一定の方向に沿って延在する複数の線状部８１，８２を含む。

発光素子４０の形状（発光部４１の形状）は特に制限されないが、例えば略矩形状（長方形状、正方形状等）であってよい。発光素子４０の寸法は適宜設定されてよいが、発光素子４０が矩形状である場合、発光素子４０の幅は、表示装置の解像度をより向上させる観点からは、好ましくは、１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、３０μｍ以下、又は２０μｍ以下である。その場合の発光素子４０の長さは、好ましくは、５０μｍ以下、４０μｍ以下、３０μｍ以下、２０μｍ以下、又は１０μｍ以下である。発光素子４０の幅は、５μｍ以上、１０μｍ以上、又は２０μｍ以上であってよい。その場合の発光素子４０の長さは、５μｍ以上、又は１０μｍ以上であってよい。発光素子４０の幅は、後述する工程において発光素子４０を導電性基板１Ａに実装した際に、導電パターン層８の幅に対応する方向として設定される。発光素子４０の長さは、導電パターン層８の延在方向に沿う方向として設定される。

次に、図６の（ｂ）に示すように、導電性基板１Ａに発光素子４０を実装する。この工程は、導電性基板１Ａの導電パターン層８に、発光素子４０の電極４２，４３を接続させることを含む。このとき、発光素子４０の正極４２及び負極４３を、導電パターン層８の隣り合う２つの線状部８１，８２にそれぞれ接触させることによって、発光素子４０が導電パターン層８と電気的に接続される。これにより、発光素子４０が導電性基板１Ａに実装された表示装置５０Ａを得ることができる。

図７は、表示装置を製造する方法の他の実施形態を模式的に示す断面図である。この方法では、導電性基板１Ａに発光素子４０を実装する工程が、導電性基板１Ａにおける導電パターン層８上に接続部を形成させることと、発光素子４０を、接続部を介して導電パターン層８に接続させることと、を含む点で、上述した実施形態と異なる。

この方法では、まず、図７の（ａ）、（ｂ）に示すように、導電性基板１Ａにおける導電パターン層８上に、接続部４４を形成させる。接続部４４は、導電パターン層８の上面８ａ上の少なくとも一部と接触するように形成されてよい。

接続部４４は、導電パターン層８の上面８ａ上に半田合金からなる微小ボールを用いることで形成されてよく、半田合金からなるペーストを印刷して形成されてもよい。接続部４４は、導電パターン層８から金属めっきを成長させる無電解めっき法により形成されてもよい。接続部４４が無電解めっき法により形成される場合、接続部４４は、スズ、銀、銅、ビスマス、インジウム等を構成材料として含んでいてよく、これらのいずれか二以上の材料による合金を含んでいてもよい。本実施形態においては、接続部４４は、半田合金からなる微小ボール又はペーストによって形成されていることが好ましい。

接続部４４の寸法は、発光素子４０における電極４２，４３が接触可能な大きさであれば適宜設定されてよい。例えば、図７の（ｂ）に示すように、接続部４４の幅が、導電パターン層８の幅と同一に形成されてもよい。接続部４４は、導電パターン層８の幅よりも小さく形成され、導電パターン層８の上面８ａの一部が露出していてもよい。

次に、図７の（ｃ）に示すように、接続部４４における、導電パターン層８と接する面の反対側の面４４ａに、発光素子４０の電極４２，４３を接触させることにより、発光素子４０を、導電性基板１Ａに接続部４４を介して接続させる。このとき、発光素子４０における正極４２及び負極４３を、隣り合う２つの接続部４４に接触させることによって、発光素子４０を電気的に接続させる。これにより、発光素子４０が導電性基板１Ａに実装された表示装置５０Ｂを得ることができる。

図８は、発光素子４０を、接続部４４を介して導電性基板１Ａに接続させることを含む、表示装置を製造する方法の一変形例を模式的に示す断面図である。本変形例によれば、導電性基板１Ａに対して、発光素子４０を更に好適にかつ容易に実装できるため、より小さな発光素子４０を導電性基板１Ａに実装する場合に特に好ましく用いられる。

この方法では、まず、図８の（ａ）、（ｂ）に示すように、導電性基板１Ａの導電パターン層８上に、密着層４５を形成させる。密着層４５は、導電パターン層８の上面８ａ上の少なくとも一部に形成されてよい。密着層４５を形成させることにより、後述する絶縁層をトレンチ形成層４上、及び導電パターン層８上に形成させた際に、絶縁層の剥がれを抑制することができる。

密着層４５は、導電パターン層８から金属めっきを成長させる無電解めっき法により形成されることが好ましい。密着層４５は、後述するＵＢＭ層、更には、ＵＢＭ層上に設けられる接続部４４及び発光素子４０との密着性を向上させる観点から、好ましくはニッケル及びニッケル合金からなる群より選ばれる少なくとも１種を構成材料として含む。密着層４５は、より好ましくは、ニッケル及びニッケル合金からなる群より選ばれる少なくとも１種に加えて、亜鉛及びリンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する。

密着層４５においては、導電パターン層８に接する面と反対側の面４５ａ（以下、密着層４５の上面４５ａともいう。）が粗化されていることが好ましい。密着層４５の上面４５ａが粗化されることにより、アンカー効果によって、絶縁層がより密着しやすくなる。

密着層４５の上面４５ａを粗化する方法は、めっき後の密着層４５の上面４５ａを酸処理等により粗化する方法、又は、密着層４５の表面が粗くなるようにめっき液を調整してから密着層４５を形成させる方法等により行われる。

密着層４５の表面粗さＲａは、後述する絶縁層との密着性を更に向上させる観点から、好ましくは０．１μｍ以上であり、より好ましくは０．３μｍ以上であり、更に好ましくは０．５μｍ以上である。Ｒａは、表示装置の強度を確保する観点から、好ましくは１μｍ以下であり、より好ましくは０．８μｍ以下であり、更に好ましくは０．７μｍ以下である。Ｒａは、上述した黒化層において説明した方法と同様の測定方法により測定することができる。

密着層４５の厚みは、好適な表面粗さＲａを得る観点から、好ましくは０．１μｍ以上であり、より好ましくは０．５μｍ以上であり、更に好ましくは１．０μｍ以上である。密着層４５の厚みは、２．０μｍ以下、１．８μｍ以下、又は１．５μｍ以下であってよい。

続いて、図８の（ｃ）に示すように、トレンチ形成層４の下地層３とは反対側の表面４ａを覆い、密着層４５の上面４５ａが露出する開口部を有する絶縁層４６を形成させる。絶縁層４６は、好ましくは、トレンチ形成層４の表面４ａと、密着層４５の一部（例えば、密着層４５の上面４５ａの端部）を覆うように形成されている。

絶縁層４６は、絶縁性を有する素材で形成されている。絶縁性を有する素材は、無機材料、又は樹脂であってよい。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ等のケイ素を含有する化合物が挙げられる。樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。

図８の（ｄ）に示すように、絶縁層４６の開口部内に露出した密着層４５の上面４５ａ上に、ＵＢＭ層（アンダーバリアメタル層）４７を形成させる。ＵＢＭ層４７は、密着層４５から金属めっきを成長させる無電解めっき法により形成されることが好ましい。ＵＢＭ層４７は、ニッケル、コバルト、鉄及び銅からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてよい。ＵＢＭ層４７は、リン等の非金属元素を更に含んでいてもよい。ＵＢＭ層４７は、好ましくは、ニッケルを含有し、又は、ニッケル及びリンを含有する。

図８の（ｅ）に示すように、ＵＢＭ層４７の導電性基板１Ａとは反対側の面４７ａ上に接続部４４を形成させる。接続部４４の構成材料及び形成方法は、上述した実施形態における構成材料及び形成方法と同様であってよいが、本変形例においては、より小さな発光素子４０を実装させる観点から、接続部４４は、ＵＢＭ層４７から金属めっきを成長させる無電解めっき法により形成されることが好ましい。接続部４４は、好ましくは、スズ又はその合金を構成材料として含む。ＵＢＭ層４７上に形成される接続部４４は、その一部が絶縁層４６の表面に接していてもよい。

図８の（ｆ）に示すように、形成された接続部４４に、発光素子４０を接続する。これにより、発光素子４０が、接続部４４、ＵＢＭ層４７、及び密着層４５を介して導電性基板１Ａの導電パターン層８に接続された表示装置５０Ｃを得ることができる。すなわち、密着層４５、絶縁層４６、ＵＢＭ層４７及び接続部４４を形成することと、接続部４４に発光素子４０を接続することとを含む工程により、発光素子４０が導電性基板１Ａに実装される。

図９は、図６～８に示した方法によって得られる表示装置５０（５０Ａ～５０Ｃ）の要部を模式的に示す平面図である。図９に示す表示装置５において、複数の発光素子４０（４０ａ，４０ｂ，及び４０ｃ）が、導電性基板１Ａにおける導電パターン層８の隣り合う２つの線状部８１，８２を跨ぎながら、これら線状部の延在方向Ｌに沿って配列されている。発光素子４０は、赤色の発光部を有する発光素子４０ａ、緑色の発光部を有する発光素子４０ｂ、及び青色の発光部を有する発光素子４０ｃからなっていてよく、これらの発光素子４０ａ，４０ｂ，及び４０ｃが、任意の順序で配置されてよい。隣接する発光素子４０（４０ａ，４０ｂ，及び４０ｃ）同士の間隔としては、例えば、導電パターン層８の幅方向における間隔Ｄ_１が４００μｍ以下、導電パターン層８の延在方向Ｌにおける間隔Ｄ_２が２００μｍ以下であってよい。

上述した表示装置５０を製造する方法においては、発光素子４０の露出部分を覆う封止部を設ける工程を更に備えてもよい。封止部は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、オレフィン樹脂等の樹脂で形成されていてよい。

他の実施形態に係る導電性基板１Ｂに対しても、第１実施形態と同様の方法により発光素子を実装することができ、表示装置を製造することができる。この場合、発光素子４０は、導電性基板１Ｂにおける黒化層２５上に直接又は接続部４４を介して接続されることにより実装されてよい。

［電子装置］
他の実施形態において、上述した方法によって製造された導電性基板には、発光素子以外の電子部品を実装することもできる。発光素子以外の電子部品としては、例えば、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ等の受動部品、半導体素子、コネクタ等が挙げられる。これにより、表示装置以外にも、上述した方法によって製造された導電性基板上に電子部品を備える電子装置を製造することができる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
２０質量％のＰｄ粒子と、イソシアネート樹脂とを含有する、下地層形成用の触媒含有樹脂を準備した。この触媒含有樹脂を、透明基材であるＰＥＴフィルム（厚み１００μｍ）上に、バーコーターを用いて塗工した。塗膜を８０℃に加熱し、硬化させることにより、下地層（厚み１００ｎｍ）を形成させた。その後、下地層上に、バーコーターを用いて、紫外線硬化性の透明アクリル系オリゴマーを塗工してトレンチ形成層（厚み２μｍ）を形成した。

メッシュ状のパターンを形成している幅１μｍの凸部を有するＮｉ製のモールドを準備した。このモールドをトレンチ形成層に押し付け、モールドの凸部の先端を下地層まで到達させた。この状態でトレンチ形成層を紫外線照射により硬化させた。これにより、下地層が露出した底面を有するトレンチを形成させた。トレンチの幅は１μｍ、深さは２μｍで、隣り合うトレンチの間隔は１００μｍであった。

トレンチを形成しているトレンチ形成層を有する積層体を、界面活性剤を含むアルカリ性の脱脂液に５分間浸漬した。その後、脱脂液から取り出した積層体を、純水で洗浄した。洗浄後の積層体を、硫酸ニッケル及び次亜リン酸ナトリウムを含有する無電解めっき液に３分間浸漬して、ＮｉとＰから構成されるシード層（厚み１００ｎｍ）としての金属めっきを、トレンチの底面に露出する下地層から成長させた。無電解めっき液から取り出した積層体を、純水で洗浄した。続いて、シード層を形成させた積層体を、Ｐｄを含む水溶液に５分間浸漬させてから純水で洗浄し、シード層に触媒としてのＰｄ粒子を吸着させた。その後、積層体を硫酸銅及びホルマリンを含有する無電解めっき液に１５分間浸漬させることにより、トレンチを充填するＣｕめっき（上部金属めっき層）をシード層上に成長させた。無電解めっき液から取り出した積層体を純水で洗浄し、８０℃で３分間乾燥させて、メッシュ状のパターンを形成し、シード層及びＣｕめっきからなる導電パターン層を有する導電性基板を得た。この導電性基板において、導電パターン層の幅Ｗは１μｍ、厚みは２μｍ、アスペクト比（厚み／幅）は２であった。隣り合う導電パターン層同士の間隔Ｓは２００μｍであった。得られた導電性基板に対して、クロスセクションポリッシャーを用いて、導電パターン層の断面を切り出し、走査型電子顕微鏡を用いた観察により、トレンチの側面と導電パターン層の側面との間に間隙が形成されていることを確認した。

［実施例２～５］
導電パターン層の幅Ｗ（トレンチの幅）及びの導電パターン層の厚み（トレンチの深さ）を表１に記載の値に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法により導電性基板を作製した。

［実施例６～９］
導電パターン層の厚み（トレンチの深さ）を表１に記載した値に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法により導電性基板を作製した。

［比較例１］
図１０に示す従来の製造方法に従って、下地層を備えていない導電性基板を作製した。まず、実施例と同様のＰＥＴフィルム（基材２）に紫外線硬化性の透明アクリル系オリゴマーを塗工し、トレンチ形成層４（厚み２μｍ）を形成した。トレンチ形成層４に、メッシュ状のパターンを形成している幅１μｍの凸部を有するモールドを押し付け、凸部の先端を基材２まで到達させた。この状態で、トレンチ形成層４を紫外線照射によって硬化させることによって、基材２が露出した底面を有するトレンチ６が形成された積層体５Ｃを得た（図１０の（ａ））。次に、スパッタ法により、トレンチ形成層４の表面及び底面６ａの全体を覆うＣｕからなるシード層１１を形成させた（図１０の（ｂ））。その後、積層体５Ｃを硫酸銅及びホルマリンを含有する無電解めっき液に浸漬することでシード層１１からＣｕめっきを成長させて、トレンチ６を充填するとともにトレンチ形成層４の全体を覆うＣｕめっき層８Ａを形成させた（図１０の（ｃ））。その後、Ｃｕめっき層８Ａのうち、トレンチ６内部を充填する部分以外の部分をエッチングによって除去し（図１０の（ｄ））、導電パターン層８を有する比較例１に係る導電性基板１Ｃを作製した。得られた導電性基板に対して、クロスセクションポリッシャーを用いて、導電パターン層の断面を切り出し、走査型電子顕微鏡を用いた観察により、導電パターン層８と、トレンチ６の側面６ｂ，６ｃとは密着し、これらの間に間隙が形成されていないことを確認した。

各導電性基板における導電パターン層のトレンチの底面とは反対側の面の表面粗さＲａを、走査型プローブ顕微鏡を用いて、１μｍの視野において測定した。また、各導電性基板の断面（垂直面）を観察し、導電パターン層のシード層を構成する金属であるニッケルを含む粒子が下地層に入り込んでいる混在領域が形成されていることが確認された。混在領域において、複数の金属粒子が導電パターン層から連続的に連なっていた。垂直面の観察に基づいて、混在領域の厚みを測定した。比較例１の導電性基板においては、混在領域は形成されていなかった。

＜屈曲試験＞
長さ１５０ｍｍ、幅５０ｍｍの各導電性基板のサンプルを準備した。このサンプルを、図１１に示す耐屈曲性試験機を用いた、ＪＩＳＣ５０１６に従う屈曲試験に供した。すなわち、導電性基板１の端部１２を固定部１３に固定しながら、導電性基板１を屈曲部１４の円形の周面（曲率半径ｄ：５ｍｍ）に沿わせることで、導電性基板１が屈曲するように配置した。その後、端部１２とは反対側の端部１５を矢印Ｂに示す方向に沿って往復させた。往復の移動距離を３０ｍｍ、往復の周期を１５０回／分とし、１分間、端部１５を繰り返し往復させた。

＜導電性の評価（表面抵抗の測定）＞
非接触式抵抗測定器ＥＣ－８０Ｐ（ナプソン（株））を用いて、屈曲試験前後の導電性基板のそれぞれについて表面抵抗を測定した。測定は、導電性基板の表面φ２０ｍｍの領域について行った。測定結果に基づいて、以下の４段階のランクで導電性を評価した。ランクＡである場合に、最も導電性が優れているといえる。
ランクＡ：表面抵抗が５Ω／□未満
ランクＢ：表面抵抗が５Ω／□以上１０Ω／□未満
ランクＣ：表面抵抗が１０Ω／□以上１５Ω／□未満
ランクＤ：表面抵抗が１５Ω／□以上

＜密着性の評価＞
屈曲試験後の導電性基板の断面を走査型電子顕微鏡で観察して、下地層又は基材からの導電パターン層の剥がれの有無を確認した。

＜透明性の評価＞
導電性基板の全光線透過率を、ヘーズメーターＮＤＨ５０００（日本電色工業（株））を用い、ＪＩＳＫ７１３６に従って測定した。測定結果に対して以下の３段階のランクに基づき透明導電性基板の透明性を評価した。ランクＡである場合、最も透明性が優れているといえる。
ランクＡ：導電性基板の全光線透過率／基材の全光線透過率×１００＝９８％以上
ランクＢ：導電性基板の全光線透過率／基材の全光線透過率×１００＝９６％以上９８％未満
ランクＣ：導電性基板の全光線透過率／基材の全光線透過率×１００＝９６％未満

表１に示すように、実施例１～９の導電性基板においては、屈曲試験後に、導電パターン層の剥がれが抑制されるとともに、良好な導電性が維持されていることがわかった。

［実施例１０～１２］
実施例１と同様にして、複数の導電性基板を作製した。これらを、Ｐｄを含む水溶液に５分間浸漬させてから純水で洗浄し、導電パターン層の表面に、触媒としてのＰｄ粒子を吸着させた。その後、導電性基板を黒色Ｎｉめっき用の無電解めっき液に３分間浸漬させて、導電パターン層のトレンチの底面とは反対側及びトレンチの側面側の再表層として、黒色Ｎｉめっき膜を形成した。無電解めっき液から取り出した各導電性基板を純水で洗浄した。さらに、黒色Ｎｉめっき膜に酸処理を行い、黒色Ｎｉめっき膜の表面粗さＲａを、酸処理の時間を調整することにより１５ｎｍ（実施例１０）、５８ｎｍ（実施例１１）又は６５ｎｍ（実施例１２）に調整した。表面粗さＲａ及び混在領域の厚みを、実施例１～９と同様の方法で測定した。

＜導電性の評価、透過率の測定＞
実施例１０～１２及び実施例１の導電性基板について、上述した方法と同様の方法により、透明性及び導電性を評価した。表２に示すように、Ｒａが１５～６０ｎｍであるときに、透明性及び導電性が特に優れることがわかった。

［実施例１３～１５］
実施例１と同様にして、複数の導電性基板を作製した。これら導電性基板のトレンチ形成層及び導電パターン層の表面に、保護膜形成用の硬化性樹脂組成物をドクターブレードで塗工した。塗膜を乾燥してから、紫外線照射によって硬化させて、トレンチ形成層及び導電パターンを覆う保護膜（厚み１００ｎｍ）を形成させた。ここで用いた保護膜形成用の硬化性樹脂組成物は、フィラー（酸化ケイ素）及びフッ素樹脂を含有する。フィラーの含有量を変更することにより、保護膜の屈折率が表３に記載した値になるように調整した。混在領域の厚みを、実施例１～９と同様の方法で測定した。

＜透明性の評価＞
実施例１３～１５及び実施例１の導電性基板について、上述した方法と同様の方法により、導電性基板の透明性を測定した。結果を表３に示す。表３に示すように、保護膜の屈折率が空気の屈折率１．０より大きく、また、トレンチ形成層の屈折率よりも小さい場合に、透明性が特に優れることがわかった。

１Ａ，１Ｂ…導電性基板、２…基材、３…下地層、４…トレンチ形成層、６…トレンチ、６ａ…トレンチの底面、６ｂ，６ｃ…トレンチの側面、８…導電パターン層、８ａ…導電パターン層のトレンチの底面とは反対側の面、８ｂ，８ｃ…導電パターン層の側面、８Ｒ…金属粒子、２０…混在領域、２５…黒化層、３１…樹脂、３２…触媒粒子、Ｔ…混在領域の厚み。４０…発光素子、４４…接続部、４５…密着層、４６…絶縁層、４７…ＵＢＭ層、５０…表示装置。

Claims (14)

1. 基材と、
   前記基材上に設けられ触媒を含む下地層と、
   前記下地層上に設けられたトレンチ形成層と、
   金属めっきを含む導電パターン層と、を備え、
   前記下地層が露出する底面と前記トレンチ形成層の表面を含む側面とを有するトレンチが形成されており、
   前記トレンチを前記導電パターン層が充填しており、
   前記下地層が、前記下地層の前記導電パターン層側の表面からその内側にかけて形成され、前記導電パターン層を構成する金属を含み前記下地層に入り込んでいる金属粒子を含む混在領域を有する、
   導電性基板。
2. 前記下地層の厚みに対する前記混在領域の厚みの比が０．１～０．９である、請求項１に記載の導電性基板。
3. 前記導電パターン層の幅が０．３～５．０μｍであり、かつ、前記導電パターン層の幅に対する前記導電パターン層の厚みの比が０．１～１０．０である、請求項１又は２に記載の導電性基板。
4. 前記導電パターン層の前記トレンチの底面とは反対側の面の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の導電性基板。
5. 前記導電パターン層の側面のうち少なくとも一部と前記トレンチの側面との間に間隙が形成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の導電性基板。
6. 前記導電パターン層が、前記トレンチの底面とは反対側の面を含む前記導電パターン層の表面を構成する黒化層を有し、前記黒化層の表面粗さＲａが１５～６０ｎｍである、請求項１～５のいずれか一項に記載の導電性基板。
7. 前記トレンチ形成層及び前記導電パターン層の前記基材とは反対側の面の少なくとも一部を覆う保護膜を更に備え、前記保護膜の屈折率が、１．０より大きく、前記トレンチ形成層の屈折率よりも小さい、請求項１～６のいずれか一項に記載の導電性基板。
8. 前記導電パターン層がメッシュ状のパターンを形成している、請求項１～７のいずれか一項に記載の導電性基板。
9. 請求項１～８のいずれか一項に記載の導電性基板と、前記導電性基板に実装されている電子部品と、を備える電子装置。
10. 当該電子装置が前記導電性基板の導電パターン層上に設けられた接続部を更に備え、
    前記電子部品が、前記接続部を介して前記導電性基板に接続されている、請求項９に記載の電子装置。
11. 当該電子装置が、
    前記導電性基板の導電パターン層上に設けられた密着層と、
    前記トレンチ形成層上及び前記密着層上に設けられ、前記トレンチ形成層の前記下地層とは反対側の表面を覆い、前記密着層の一部が露出する開口部を有する絶縁層と、
    前記密着層の開口部内に露出した前記密着層の面上に設けられたＵＢＭ層と、
    前記ＵＢＭ層上に設けられた接続部と、を更に備え、
    前記電子部品が、前記接続部、前記ＵＢＭ層及び前記密着層を介して前記導電性基板に接続されている、請求項９に記載の電子装置。
12. 請求項１～８のいずれか一項に記載の導電性基板と、前記導電性基板に実装されている発光素子と、を備える表示装置。
13. 当該表示装置が前記導電性基板の導電パターン層上に設けられた接続部を更に備え、
    前記発光素子が、前記接続部を介して前記導電性基板に接続されている、請求項１２に記載の表示装置。
14. 当該表示装置が、
    前記導電性基板の導電パターン層上に設けられた密着層と、
    前記トレンチ形成層上及び前記密着層上に設けられ、前記トレンチ形成層の前記下地層とは反対側の表面を覆い、前記密着層の一部が露出する開口部を有する絶縁層と、
    前記密着層の開口部内に露出した前記密着層の面上に設けられたＵＢＭ層と、
    前記ＵＢＭ層上に設けられた接続部と、を更に備え、
    前記発光素子が、前記接続部、前記ＵＢＭ層及び前記密着層を介して前記導電性基板に接続されている、請求項１２に記載の表示装置。

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