201203346 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於處理基板之基板處理裝置及基板處理方 法。在屬於處理對象之基板方面’係例如包含半導體晶圓、 液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用基板、FED(Field
Emission Display ’場發射顯示器）用基板、光碟用基板、磁 碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板等 基板。 【先前技術】 於諸如半導體裝置之製造步驟中，係針對半導體晶圓和液 晶顯示面板用玻璃基板等基板，進行採用藥劑之處理。於此 藥劑處理方面’係採用針對基板一片一片進行處理之葉片式 基板處理裝置。葉片式基板處理裝置係具備有：處理腔室， 其係具有隔開内部空間之間隔壁；旋轉夾盤，其係被收納在 處理腔室内，使基板鱗為大致水平地進行旋轉；化學藥劑 喷紫u以供應化學藥劑至基板；與噴嘴移動機構，其 係使化學藥劑喷嘴進行移動。 防：基板表面去除聚合物之去除處理方面，係為了 防止形成在基板上之線路羞 ’而從化學藥劑喷嘴吐出經充 / 刀減低氧濃度之化學藥劑昭 、 ' &八L ^ ^日本專利特開2004-158482 唬a報）。此情形下，較佳 伯条h 疋將處理腔室内之環境控制在 低虱濃度，以使氧不溶入從 干樂劑喷嘴所吐出之處理液 100110975 201203346 中ο 然而，處理腔室之内部空間係收納有各種構件，其内部空 間相對較寬廣。因此，難以充分進行處理腔室内之環境控制。 【發明内容】 本案發月者等係為了充分進行處理腔室内之環境控制，而 針對將處理腔室之内部空間予以密封與將該内部空間予以 空間縮小化方面進行檢討。 然而，因為在處理腔室内集中配置有各種構件，故而無法 將該内部”有效㈣_小化’尤其是具備有在基板乾燥 時，於接近基板表⑽配置讀蓋基板表面讀態下進行旋 轉之隔離板的情形下，係有必料包圍旋轉夾盤及隔離板之 方式構成處理腔室。因此，未能使處理腔室之内部空間容積 有效減少’而會有處理腔室内之環境控制不充分之虞。 又，就針對基板之處理内容而言，有利用移動嘴^之處理 (亦即’針對基板施行使喷嘴持續移動而吐出來自該喷嘴之 處理液(化學藥劑或清洗液)之處理)的情形。然而，移動喷嘴 係伴隨有用以使喷嘴移動之喷嘴移動機構，而此喷嘴移動機 構被配置於處理腔㈣。因此，在實現_移動喷嘴之處理 方面’處理腔室之内部空間無論如何都會變大，而内部 之環境控制變得不充分。 二Β 此時’本發狀目的係在於提供於可減少 構造的密閉腔室内，可針對基板施行良好處理之基板處2 100110975 201203346 置及基板處理方法。 又，本發明之另外-個目的係在於提供—種可—邊移動喷 嘴-邊處理基板，且能謀求密閉腔室内之内部空間空間縮小 化的基板處理裝置。 本發明之第-態樣的基板處理裝置係包含：密閉腔室，立 係具有具開口的腔室本體、相對於上述腔室本體設置為可旋 轉=關閉上述開口的蓋構件、及以液體將上述蓋構件與上述 腔至本體間予以密封的第—液體密封構造，且内部空間從外 蓋構件旋轉單元，其制錢上述蓋構件進行旋 /持旋轉單元’其係將基板保持在上述密閉腔室之 吏進行旋轉;與處理液供應單元，其係將處理液 :根據此i述基板保持旋轉單元而進行旋轉之基板。 板閉腔室之内部_，係可透過基 板上。因為蓋構轉 對性旋轉或進行料 彳以了使减件與基板進行相 理相關聯之旋轉成:;=，亦使广 另外，蓋構件與腔室本體 可良好進行基板處理。 被密封著。因此，即# 9声":係猎由第一液體密封構造而 密閉腔室之内部於蓋構件之旋轉狀態，亦可以將 造作為密封構造，故用1狀態。因為採用液體密封構 不產生發塵和密_ 觸式密封之情形相比較，幾乎 100110975 下降等。藉此，可長期良好保持蓋構件 6 201203346 與腔室本體之間的密封。 如上所述般，本發明係藉由將腔室本體與可旋轉之蓋構件 之間予以密封的第一液體密封構造，而可隔開密閉空間。可 旋轉之蓋構件係因為也可以擔當作為上述隔離板之功能，所 •以在㈣空_沒有另外準備隔離構件之必要。因此，可以 -縮小㈣"之容積，而能夠充分控制其内部環境。例如， 可以充分將㈣”環境㈣為充分低氧環境。 又，較佳的是上述基板處理裝置係進—步包含第一移動單 元，其係使上述基板保持旋轉單元及上述密閉腔室之至少其 一進行移動’而使保持在上述基板保持旋轉單元之基板與1 述蓋構件接近/分開。 若根據此構成，可使基板與蓋構件之相對位置變化。因 此，當在藉由來自處魏供鮮摘供紅處魏來處理基 板之液處理時，與其财卜之時候，紐基板與歸件之相對 位置變化成為可能。II此，可分取適纽件輯液處理及 其以外之處理。 又’較佳的是上料—移動單元雜成為在_從上述處 理液供應單元所供應之處理液對基板施行液處理的液處理 位f，與上絲板保持旋轉單元較上述液處理位置更接近上 述蓋構件，用以將上述密閉腔室内洗淨之腔室洗淨位置之 間，使上述基板保持旋轉單元及上述密閉腔室之至少立一進 行移動。 ^ 100110975 7 201203346 若根據此構成，基板麟旋轉單元係於與密閉腔室之相對 位置在跟液處理位置不同之腔室洗淨位置的狀 閉腔室内。關於腔室洗淨位置，係基板保持旋轉單元較液處 理位置時更接近蓋構件。而關於密閉腔室之内壁面，係在由 配置於液處理位置之基板保持旋轉單元所保持之基板周圍 相反向的區域中，於液處理時附著有由基板所飛賤來的處理 液。於此，在洗淨密閉腔室時，基板保持旋轉單元較液處理 位置更接近蓋構件i此，例如，位於液處理位置之由基板 保持旋轉單元所保持之基板周圍相反向的内壁面區域，係位 於較在腔室洗淨位置上之基板保持旋轉單元更低的位置。因 此，於洗淨密閉腔室内壁面時，可抑制從密閉腔室之内壁面 j所去除之處雌(於喊理時所附著之處縣)掉落並附 著在基板㈣旋轉單元。藉此’因為可以抑制基板保持旋轉 單元之污染，故可抑制保持於基板保持旋轉單元上之基 污染。 又’較佳的是上述第-移動單元係進—步構成為於上述基 板保持旋轉單元較上述腔室洗淨位置更接近上述蓋構件= 乾燥位置處，使上述基板保持旋轉單元及上述密閉腔室之至 少其一進行移動。 右根據此構成，將絲㈣轉單元配置在絲較腔室洗 淨位置更接近蓋構件的乾燥位置處，並針對基板施行乾燥處 理。因此’於乾燥處理時，可在基板與蓋構件之間形成微小 100110975 8 201203346 空間。藉此，則將基板與蓋構件之間的空間從其以外的環境 隔開’而可崎對基板騎絲處理。藉此，除可更精密地 控制基板表面附近之環境之外，尚可抑制異物附著於基板表 面上。 又’幸义佳的疋上述第—移動單元賴成為在利用從上述處 理液供應單元所供應之處理液對基板施行液處理的液處理 位置’與基板較上述域理位置更接近上述蓋構件，用以對 基板施行錢處歡乾驗置之間，使上㈣板鋪旋轉單 元及上述禮閉腔室之至少其一進行移動。 若根據此構成’基板保持旋轉單元在位於相對於密閉腔室 之與液處理位置不同之乾燥位置的狀態下，針對基板施行乾 燥處理。因此’可於抑制處理液之影響的狀態下，針對基板 施行乾燥處理。 另外4基板施彳τ賴處理時，縣板麟旋轉單元配 置在基板較液處理位置更接近蓋構件的乾燥位置處。因此， 於乾燥處理時，可在基板與蓋構件之間形成微小空間。藉 此’則將基板與蓋構件之間的空間由其周圍的環境隔開，而 可以針對絲施行乾鬆理。#此，可在精密地控制基板表 面附近之環境的狀態下，實現良好的賴處理，^尚可抑制 異物附著於乾燥處理中之基板表面。 一又’上述基板處理裝置也可以進一步包含洗淨液吐出單 兀’其係供朝向上述蓋構件吐出洗淨液用。關於此類構成， 100110975 9 201203346 係來自基板主面所賴出之處雜_在蓋構件和腔室本 體上。而當此處魏於蓋構件表面和腔室本體之内壁上乾燥 而結晶化時，會有成為基板污染原因之虞。此問題係在^理 液為化學藥劑時特別顯著。 此時’較佳的是上述基板處理裝置係進一步包含腔室洗淨 控制單元’祕在㈣上職構件旋料元使上職構件以 既定蓋洗淨旋轉速度進行旋轉之同時，控制上述洗淨液吐出 單元使洗淨液從上述洗淨液吐出單元進行吐出。 若根據此構成，透過一邊使蓋構件進行旋轉，—邊從洗淨 ，吐*出單福洗淨液朝向蓋構件吐出，财彻洗淨液將附 者在盘構件上之處理液沖洗掉^又，供應至蓋構件之洗淨液 係承文因蓋構件之旋轉所造成之離心力，而朝向蓋構件之周 緣部移動，並供應至腔室本體之内壁，此，可沖洗掉附著 於腔室本體之内壁上的處理液。藉此，可將密閉腔室之内壁 全區域洗淨。即便是在蓋構件之旋轉狀態下，亦可藉由第一 液體密封構造之作用，而可以保持住密閉腔室内之密閉狀 態。藉此，因可將狹小内部空間區隔開之密閉腔室的内壁保 持為乾淨狀態，故而可良好進行該内部空間内之基板處理。 。。較佳的是上述蓋構件係具有面向於由上述基板保持旋轉 單兀所保持之基板整面全域的基板相反面，並進一步包含乾 燥控制單元，其係控制上述基板保持旋轉單元及上述蓋構件 旋轉單元，使由上述基板保持旋轉單元所保持之基板及上述 100110975 10 201203346 蓋構件分別以既定乾燥旋轉速度在同方向上進行旋轉。 右根據此構成’藉由使蓋構件與基板旋轉同步地進行旋 轉’則可於基板主面與蓋構件之基板相反面之間形成有穩定 氣ML藉此，可針對基板施行良好的乾燥處理。 也可以上述基板保持旋轉單元係具有露出於上述密閉腔 室外之露出部分。此時’較佳的是上述基板處理裝置係進一 y匕3帛-移動單元’其係使上述基板保持旋轉單元及上 述密閉腔室進行相對性移動；與第二液體密封構造，其係利 用液體將上述基板簡_單元與上述㈣本體之間進行 密封。 若根據此構成，練__單元及密_室可進行相對 性移動。#二賴魏料係與練簡 室之相對位置無關，而利用液 轉早…閉腔 腔室之η㈣w — 持旋轉單元與密閉 讀。因此，無論基板保持旋轉單 於任意位置上，均可將來〜 夂在閉腔至伹 態。 才工至之内部空間維持在密閉狀 入，較佳的是：上述第 本體上黪過上^入狀菔也河偁适係具有在上述腔室 封溝槽，上述蓋構件係存料㈣體的密 述密封用液體之密封環，上心板溝槽，並浸潰於上 封液供應單元，盆伟針對/ &、置係進-步包含密 -早兀，、係針對上述密封 體，上述基板處理裝置的啓動狀態下來r::= 100110975 201203346 供應單元之上述密封用浪體係持續供應至上述密封、、籌押 若根據此構成’在腔室本體上跨過上述開D全周成有 密封溝槽。於密封用液體儲存在密封溝槽之妝能 「，蓋構件 之密封環换入密封溝槽’並浸潰在密封用液體（純水）中 一 此，密封環與密封溝槽之間係透過密封用液體而被密封著曰。 此第一液體密封構造所造成之密封亦可以在蓋構件旋轉狀 態下維持著。 另外，因為密封用液體持續供應至密封溝槽，故沒有密封 用液體齡之虞。藉此，Μ長期間維持蓋構件與^本體 之間的密封。又，由於可以持續置換密封溝槽内之密封用液 體，所以能夠抑制污染蓄積在密封溝槽内之密封用液體令。 又，亦可以進一步包含惰性氣體供應單元，其係針對上述 密閉腔室内供應惰性氣體。 本發明之基板處理方法係包含：準備密封腔室之步驟，而 該腔室係具有具開口的腔室本體、相對於上述腔室本體設置 為可旋轉以關閉上述開口的蓋構件、及以液體將上述蓋構件 與上述腔室本體間予以密封的第一液體密封構造，且内部空 外部被密閉；基板旋轉步驟，其係將基板配置在上述密 並於此内部空間旋轉基板;與處理液供 ㈣空間上迷基板旋轉步驟同時進行，於上逑腔室之 工 將處理液供應至基板。 右根據本發明之方法，在密閉腔室之内部空間中，藉由基 100110975 12 201203346 板保持旋轉單元使基板旋轉，而可針對該基板供應處理液。 由於蓋構件為可旋轉，所以可使蓋構件與基板進行相對性旋 轉或同步旋轉。因此，亦使蓋構件與基板處理相關聯地進行 旋轉成為可能，藉此’可良好進行基板處理。 另外，蓋構件與腔室本體之間係透過第一液體密封構造而 被密封著。即使是在蓋構件之旋轉狀態下，亦可將密閉腔室 之内部空間保持為密閉狀態。因為採用液體密封構造作為密 封構造，故相較於使用接觸式密封之情形，係幾乎不會產生 發塵和密封性崎低。藉此，經過長時間亦可良好保持住蓋 構件與腔室本體之間的密封。 本發明係如上所述般，透過將腔室本體與可旋轉之蓋構件 之間予以密封的第一液體密封構造，而可區隔開密閉空間。 可方疋轉之蓋構件係因為也可以擔當作為上述隔離板之功 此’故在密閉空間内無另外具備隔離構件之必I。因此，可 乂縮J也閉工間之容積，所以可充分控制該内部環境。例 士可以將内。|5空間之環境控制在充分的低氧環境。 車又佳的疋上述方法係進一步包含：第—配置步驟，其係將 土板”上述蓋構件配置在較上述處理液供應步驟時基板更 接近上述蓋構件n淨位置上；與蓋構件洗淨步驟，其係 於該蓋洗淨位置使上述蓋構件以既定蓋洗淨_速度進行 疑轉之同時’使料液由洗淨液吐出單元朝向上述蓋構件吐 出。 100110975 13 201203346 本2= 所飛教出之處理液係附著在蓋構件和腔室 烤而二？液於蓋構件表面和腔室本體之内壁上乾 會有成為基板污染原因之虞。此問題係在處 及為化學樂劑時特別顯著。 =據本發明之方法’透過—邊使蓋構件進行旋轉，一邊 ^ ♦液吐出早％將洗淨㈣向蓋構件吐出料利用洗 液將附著在蓋構件上之處理液沖洗掉。杜 ^液係承受隨構件之旋轉所造成之離心力，而朝向蓋構 件之周緣部移動，並供應至腔室本體之内壁。因此·’可、、中洗 掉附著於腔室本體之内壁上的處理液。藉此，可將密閉腔室 之内壁全區域洗淨。即歧在蓋構件之旋轉狀態下，亦可藉 由第一液體密封構造之作用，而可以保持住密_室内之^ 閉狀態。藉此，因可將狹小内部空間區隔開之密閉腔室的内 壁保持為乾淨狀態，故而可良好進行該内部空間内之基板處 王¥ 〇 另外’基板保持旋轉單元係於與密閉腔室之相對位置在跟 液處理位置列之蓋洗淨位㈣狀態下，實行蓋構件之洗淨 (亦即，密閉腔室内之洗淨）。關於蓋洗淨位置，係基板保持 旋轉單元較液處理位置時更接近蓋構件。而關於密閉腔室之 内壁面，係在由配置於液處理位置之基板保持旋轉單元所保 持之基板周圍相反向的區域中，於液處理時附著有由基板所 飛錢來的A雜，此，在洗淨蓋構件時，基板保持旋轉單 100110975 14 201203346 ===位置更接近蓋構件。藉此，例如位於液處理位置 轉單元所保持之基㈣圍相w壁面區 置因此錄置上之基板簡_單元更低的位 内壁面= 先淨密閉腔室内壁面時，可抑制從密閉腔室之 “彳除之處理液(於液處理時所附著之處理液)掉 Γ持=祕板保持旋轉單元上。藉此，因為可以抑制基板 保Γ疋轉早70之污染’故可抑制保持於基板保持旋轉單元上 之基板的污染。 盘―述方法聽纟包含：第二配置步驟，其係將基板 述蓋構件配置在較上述蓋構件洗淨步驟時基板更接近 上述蓋構件之錢位置；與乾燥步驟，其係於上述乾燥位置 虹述蓋構件絲板分取既定賴婦速度騎旋轉。 右根據此法，基㈣在較蓋構件洗淨步财接近蓋構件 之乾燥位置上實行賴步驟。㈣，於乾齡射，可在基 板與蓋構狀間形錢'jmt，可使基板與蓋構件之 門的工間攸其周圍％境被隔離開而可乾燥基板。藉此，係可 在精密控制基板表面附近之環境的狀態下，實現良好的基板 乾燥’且可抑制異物於乾燥步驟實行巾附著在基板表面。 此時係可透過使蓋構件與基板旋轉同步地進行旋轉，而於 基板主面與蓋構件之基板相反面之間形成有穩定氣流。藉 此’可良好實行乾燥步驟。 又’本發明之第二態樣的基板處理裝置係包含：密閉腔 100110975 15 201203346 室，其係具有將所密閉之内部空間予以隔開之間隔壁；基板 保持旋轉單元，其係將基板保持在上述密閉腔室之内部空間 並使進行旋轉；喷嘴，其係在上述密_室之内部空間7 朝向由上述基板保持旋轉單元所保持之基板的主面上吐出 處理液；喷嘴懸臂，其係支樓上述噴嘴，經由在上述密閉腔 室之上述間隔壁所形成之通過孔，並跨過上述密閉腔室内外 而延伸；與驅動單元，其係配置在上述密閉腔室外，使上述 喷嘴懸臂沿著由上述基板保持旋轉單元所保持之基板的主 面進行移動。 若根據此構成，支樓噴嘴之噴嘴懸臂經由間隔壁之通過孔 並跨過㈣腔室内外而延伸。另外，用以驅動喷嘴懸臂之驅 動單兀被配置在㈣腔室外i驅動單元係針對喷嘴懸臂之 從密閉腔室露出之部分輸人驅動力，藉以使噴嘴懸臂進行移 動。藉此，透絲自密_室外之驅料元_動力，而可 使喷嘴於密閉腔室内移動。因為將驅動單㈣置在密閉腔室 外，故而可將密閉腔室之内部空間予以空間縮小化。 又’較佳的是上述喷嘴懸臂係作成沿既定基準線之形狀， 該既定基轉似著由上述基—㈣單元所保持之基 板主面，上述通過孔係形成在上㈣上述 基準線，上述驅動單s係使上述噴嘴”沿著上述基準線進 行移動。 若根據此構成’形成為沿著鱗線切狀㈣嘴懸臂係沿 100110975 16 201203346 者“土準線而移動”』、即m-憋臂移動時，噴嘴 正交於基準線之面的一部分。因此，可將形成^間隔 =通過孔保留在最小限度的大藉此，可輕易保 閉腔室内之空間的密閉狀態。 ”、‘ 也可^上述基準線為直線馳鮮元係進一步勺 含直線驅動單元，其係使上述噴嘴㈣沿著上述基準線= 直線運動。 丁 然後，在這個情形下，也可以是上述直線驅動單元係包 含：驅動懸臂，其係將連結位置可變位地連結於上述噴嘴= 煮上，與搖動驅動單元，其係使上述驅動懸臂在正交於上述 基準線之既定搖動軸線周圍進行搖動。 此外，也可以是上述基準線形成為圓弧狀，上述驅動單元 係包含圓弧驅動單元’其係使上述喷嘴懸臂沿著上述基準線 進行圓弧運動。 又，也可以是上述基板處理袈置係進一步包含密封構造， 其係將上述噴嘴懸臂與上述密閉腔室之上述間隔壁之間予 以密封。此時，不論喷嘴懸臂的移動，而可以藉由密封構造 確實地將密閉腔室内之空間與密閉腔室外之空間予以隔離。 又’上述密封構造之構成係以與上述直線驅動單元組合為 佳。若與上述直線驅動單元組合的話，則因可將通過孔保留 在最小限度的大小，而可謀求密封構造之小型化。 亦可以是上述密封構造係包含：液體密封構造’其係利用 100110975 17 201203346 液^上料嘴㈣與上述密閉腔室之上述間隔壁之間予 心封’與_密封構造’其係利用氣體將上述喷嘴縣臂與 上述密閉腔室之上述間隔壁之間予以密封。 〜” 若根據此構成，則喷嘴懸臂與間隔壁之間係可透過液體密 封構造及氣體密封構造而密封。 於針對基板之處理時，例如藉由基板保持旋轉單元而使基 板持續旋轉，處理液可從處理液喷嘴朝向旋轉中之基板主面 吐出。然而’於該處理中’處理液在基板周邊飛濺，而會有 該飛滅出之處理液附著於喷嘴懸臂外表面之虞。處理液於喷 嘴懸臂外表面乾燥而結晶化’該處理液乾燥物成為顆粒，而 亦會有污染到於基板保持旋轉單元上進行旋轉之基板的疑 慮。 但是液體密封構造係因利用密封用液體將喷嘴懸臂與間 隔壁之間予以密封住，所以密封用液體接觸到噴嘴懸臂之外 表面。因此，可藉由密封用液體將附著在喷嘴懸臂外表面之 污染物質沖洗掉。亦即，噴嘴懸臂外表面可利用密封用液體 來洗淨。 又，氣體密封構造係利用氣體密封住喷嘴懸臂與間隔壁之 間。密封氣體在喷嘴懸臂之外表面上流動。因此，可去除附 著於喷嘴懸臂之密封用液體，而使喷嘴懸臂外表面乾燥。 此外，上述氣體密封構造係較上述液體密封構造配置於更 偏向上述密閉腔室之内部空間側。若根據此構成，在進出密 100110975 18 201203346 閉腔至内時’喷嘴懸臂外表面之各個位置係於供應密封用氣 體後可進出密閉腔室。藉由液體密封構造而附著在噴嘴懸臂 外表面之&封用液體係可透過氣體密封構造之密封用氣體 而去除。藉此，可以確實防止密液體進人到密閉腔室之 内部空間。 本發明之上述或其他目的、特徵及絲係可參照所添附之 圖式藉由下述實施形態的說明而清楚了解。 【實施方式】 /圖1係表示基板處理裝置！之構成的圖解剖面圖。圖2 係用以說明基板處理裝置i之構成的圖__。在圖2 ^主要Z載基板處理裝置丨巾與處理液噴嘴(處理液供應 單70)4及喷U 15相關之構成’而與該等沒有直接關聯 的構成係適當省略之。 此基板處理裝置1料對作為基板狀圓料導體晶圓 W(以下’單純稱為「晶圓W」）中裝置形成區域側之表面（主 )用以施灯利用作為化學藥劑例之稀氮氣酸的晶圓洗淨 處理(例如’聚合物峡去除處理)之葉片型裝置。 基板處理裝置W、具有用以處理晶圓w之處 Γ莫組M1係具備有：軸⑴；在密_室2之= ^内將-片晶HW保持為水平，同時使晶圓 : 中;:之_線周圍進行旋轉的旋轉夾盤(基板保持二 :二於密_2之内部空間内，_對二: 201203346 3所保持之㈣W㈣㈣祕⑽(料化轉劑或清洗 液之惰性氣體料水）之處㈣_ 4。此處理模組
Ml ’其係在密閉腔室2之内部空間中，並非收納旋轉爽盤 3整體’而是僅收納其-部分(旋轉基台43和挾持構件44 ?，旋轉夾盤3之覆蓋構件45的外壁係露出於密閉腔室2 外。另外，__切處魏噴嘴 線驅動機構(麵驅動單元 饿配置於密閉，腔室2外。因 此，可使岔閉腔室2之内部空間有 ^ ,欢減少並空間縮小化，該 内。Ρ工間之谷積係可設定在用以 / a - . m T對曰日圓W施行既定處理 (日曰0洗淨處理和乾燥處理等）的最小限度。 密閉腔室2係具備有：具有上 之約略_狀賴室本體6;=心）5及下部開口 甚m㈤ 聪，與用以開關上部開口 5之 蓋構件7(圖2中，係表示從密閉 至2去掉蓋構件7之狀 心盖構件7係設置成可相對於腔室本體6旋轉。密閉腔 至2係進一步具備有將腔室本體 ，、蓋攝件7之間予以密封 之第一液體密封構造8。此第-液體密封構造㈣利用作為 密封用液體例之純水(脫離子水），將腔室本體6之上端部斑 蓋構件7之下面周緣部之間予以密封，使密閉腔室2之内部 空間從密閉腔室2外之環境隔離。腔室本體6之下部開口 2〇〇係藉由旋轉夾盤3(之覆蓋構件45)而封閉。 腔室本體6係具有將密閉腔室2之内部空間予以區隔開之 間隔壁9。間隔壁9係具有相對於旋轉失盤3之晶圓…旋 100110975 20 201203346 轉軸線c(以下’單純稱為「旋轉袖線c」）’呈約略旋 稱七狀㈤隔壁9係具備有：以旋轉軸線c為中心之約略 圓筒狀的圓筒部10 ;從圓筒部10上端朝向中心側(接近旋 轉軸線C之方向)傾斜岐伸至上方的傾斜部u ;與被連結 於圓筒部10下端部之俯視為環狀的底部Π。圓筒部1〇中 去掉上端部的部分係沿著朝向下方而形成有厚度。底部U 與旋轉夾盤3(之覆蓋構件45上端部）之間係藉由第二液體 密封構造13而密封。在傾斜部11，形成有貫通其内外面之 通過孔14。此通過孔14係喷嘴懸臂15(後述)插通用者，被 設置在基準線L1(後述。參照圖2)上。 傾斜部11之内面係具有以旋轉軸線C為中心，隨著朝向 上方而接近旋轉軸線C之圓錐狀的第一圓錐面17。圓筒部 10的内面係具有以旋轉軸線C為中心之圓筒面a ;與以旋 轉轴線C為中心，並隨著朝向下方而接近旋轉軸線c之圓 錐狀的廢液引導面19。在對於晶圓W之化學藥劑處理時和 清洗處理時，於旋轉狀態下從晶圓W周緣飛濺出之處理液 (化學藥劑或清洗液)係主要由圓筒面18及廢液引導面19所 承接。然後，由圓筒面18所承接並流下至廢液引導面19 的處理液、及由廢液引導面19所承接之處理液係從廢液引 導面19被引導（導入)至排出液溝槽20(後述）。 蓋構件7係形成為半徑稍大於晶圓W之約略圓板狀。如 上所述，第一液體密封構造8係將蓋構件7之下面外周部與 100110975 21 201203346 !!至本體6之間隔壁9上端部之間予㈣封。蓋構件7之去 Ά象。ρ的部分係形成有成為圓形之平板部^。平板部Μ 有與由紅轉夾盤3所保持住之晶圓W表面相對向 之水平平坦面所構权基板對向面23。 在蓋構件7上面’係固定有沿著與旋轉軸線C共通之轴. 冰的上灰轉軸24。此上旋轉轴24係形成中空，於其内部，-係插通有用以針對晶圓W表面供應作為清洗液之碳酸水的 處理液上噴嘴25。處理液上噴嘴25係具有用以朝向由旋轉 夾盤3所保持之晶圓w表面之旋轉中心，吐出處理液之處 理液上吐出口 26。關於處理液上喷嘴25,係成為經由碳酸 水閥27而供應碳酸水之狀態。又，上旋轉軸24之内壁與處 理液上噴^ 25之外壁之間，係形成有用以朝向晶圓貿中心 供應作為惰性氣體之氮氣的惰性氣體流通路徑（惰性氣體 供應單元)28。惰性氣體流通路徑28係具有在基板對向面 23開口之惰性氣體吐出口（惰性氣體供應單元)29。關於此惰 性氣體流通路徑28，係成為經由惰性氣體閥（惰性氣體供應 單元)30而供應氮氣之狀態。 上旋轉軸24係以從於約略水平延伸而設置之蓋懸臂31 前端部垂下之狀態，可旋轉地安裝在其前端部。亦即，蓋構 件7係藉由蓋懸臂31而被支撐著。於上旋轉軸24，係結合 有用以使蓋構件7與因旋轉夹盤3造成之晶圓W旋轉約略 同步地進行旋轉的蓋構件旋轉機構(蓋構件旋轉單元)32。 100110975 22 201203346 於蓋懸臂31結合有用錢蓋懸f 31進行料之蓋構件升 降機構33。透過此蓋構件升降機構33，而可以使蓋構件7 在將腔室本體6上部開口 5封閉之_位細丨所示位 置)、與由此關閉位置離開至上方而將腔室本體6上部開口 5打開之開放位置（圖12A所示位置)之間進行升降。蓋構件 7係在位於_位置時及位，放位置時兩情形下，由蓋雖 臂31所支撐。 ~ 於腔室本體6之間隔壁9内面（更具體的說 面17與圓筒面18之間的邊界部分），係設置有用以洗淨密 閉腔室2内之洗淨料嘴(洗較吐出單元)34。洗淨液喷嘴 34係例如為以連續流狀態吐出洗淨液之筆直噴嘴，將其吐 =口朝向斜上方而安|在腔室本體6之間隔壁9内面上。從 二噴嘴34之吐出口所吐出之洗淨液係朝向 ΓΛΛ部Γ料的巾間位驗行吐出。關於洗淨液喷嘴 則糸經由洗淨液閱35而可供應來自 、 之洗淨液(例如，純水(脫離子水)）。紅應源(未圖不） 15=:嘴旋轉夾盤3上方延伸，懸臂 伸之棒狀，二二=在水平方向呈直線狀延 沿著通過旋轉轴線c上方之^外而延伸。喷嘴懸臂15係 其剖面形狀為矩_狀以線狀基準線U(參照圖2)，而 由配設於密閉腔室^外圖5及圖6)。喷嘴懸臂15係藉 卜之直線驅動機構36，而可移 被 100110975 23 201203346 支撐在沿著基準線L1的方向。 喷嘴懸臂15係插通形成於腔室本體6之間隔壁9上之通 過孔14 °此通過孔14係位於基準線L1上。沿著基準線L1 延伸之噴嘴M 15因為是沿著其基料L1進行移動，所 以間隔壁9之基準線u相交部分係喷嘴懸臂15經常通過 4置由於在„亥位置設置有通過孔14，故而可將通過孔 14之大小保留在最小限度的大小。噴嘴懸臂15與腔室本體 6之間隔壁9之間係透過第三密封構造37而密封。藉由將 通過孔14之大小保留在最小限度的大小，則可輕易保持密 閉腔室2内之空間的密閉狀態。 在處理液喷嘴4，係連接有處理液供應管38。於處理液供 應管38中’係設為選擇性供應來自配管内調和單元51(後 述，參照圖8)而作為處理液的化學藥劑及清洗液。藉由處 理液(化學義或清洗液)供應至處職供應管％，則可從處 理液喷嘴4吐出處理液。 地 、如圖2所示般’直線驅動機構^係具備有：喷嘴驅動馬 達139 ;跨架在噴嘴驅動馬達139之輸出軸140與旋轉自如 月輪141之間的時限皮帶(timingbdt)i42 ;結合在時限皮 可142巾途部之連結構件143 ;及限制連結構件⑷之移 動’且使該連結構件143只能在沿著基準線乙1之方向上進 行移動的線性導引器144。連結構件143係連結於噴嘴懸臂 15之基端部，並支榜該喷嘴懸臂15。當喷嘴驅動馬達139 100110975 24 201203346 進行旋轉驅動時，時限皮帶142進行旋轉，而連結於此時即 皮帶142之連結構# 143則沿著基準線u進行移動。藉此限 可將喷嘴驅動馬達139之旋轉驅動力輸入至噴嘴辩臂μ， 而可使喷嘴懸臂15沿著基準線L1進行移動。 透過此喷嘴懸臂15之移動，則可使處理液嘴嘴4在由旋 轉夾盤3所保持住之晶圓w側之職位細丨所示狀態。 圖2中以實線表示）、與由旋轉夾盤3所轉之晶圓％表面 上（圖2中以兩點虛線表示)之間進行移動，而於晶圓冒表 面上’可使來自處理㈣嘴4之處理液的吐出位置進行移 動。直線驅動機構36係如此般配置在密閉腔室2外，故可 謀求密_室2之小型化，祕其内部空.容積予以縮小 (空間縮小化）。 /再次僅參照圖卜針對旋轉錢3進行說明。旋轉夾盤3 係，、備有水平延伸之基台（露出部分固定在基台忉 上之旋轉馬達41 ;可輸入該旋轉馬達4i之旋轉驅動力於錯 轉轴42;於旋轉軸42上端水平安裝之圓盤 口（基板保持旋轉單元Η3;配置在該旋轉基台43 寺構件(基板保持旋轉單元Μ及包圍旋轉馬 蓋構件(露出部分)45。旋轉基台刪 直從略大於晶圓w之圓般让4致 定於基台40之外周。覆蓋^件。覆蓋構件45下端係可固 由該等覆蓋構件45與基!:件4:與基台40密接著’於藉 土。40所構成之外殼内，係成為密閉 100110975 25 201203346 體無法流入之狀態。覆蓋構…端係 有转狀構件46。时。在覆羞構件45之上端部，係安裝 諸而言，辦構件46係—體具備有：從覆蓋構件45 上W朝向半財 從水平部〇之半财㈣途^=下^平部47; 内壁^ΓΓΛ7之外周緣往錯直下方垂下之外壁部. 之am JR 2 J °卩49係分獅成為崎料線C為中心 :狀。内壁部48下端與外壁部49下端係設定在約略相 係:旋轉基台43“周緣部處，在對 __件=::::=:置。 持(保持)在水平姿勢。 將一片日日圓W挾 晶圓W之狀態 二 個挟持構件44而於保持住 旋轉軸42，則所< .々疋轉馬達41之旋轉驅動力被輸入至 則所保持之晶圓W係圍繞著 旋轉轴線進行旋轉。 冑通過其中心之錯直 在此實施鄉下，旋轉_3( 體6之下部開口細閉塞住。旋轉基意^ 45)係將腔室本 被收納在密閉腔室2内，去掉上端部:覆蓋=:件“ 全部部分與基台4〇係露出於密閉 =幾乎 100Π0975 件46之内壁邻2外。另外’鍔狀構 糊係構成為將腔室本體6 & 26 201203346 予以德、封之第一液體後封構造13的一部分。 此外，作為旋轉夾盤3 ’並沒有限定為挾持式者，例如亦 可以採用真空韻式者(真空夾盤），其係藉由真空吸附晶圓 W背面而將晶圓W保持於水平姿勢，並進—步在該狀態下 ' 透過於鉛直旋轉軸線周圍進行旋轉，而可使該被保持之晶圓 • W進行旋轉。 又，在此實施形態下，旋轉夾盤3可為升降可能的構成。 基板處理裝置1係具備有可使旋轉夾盤3於處理位置（液處 理位置。圖丨所示位置）與旋轉乾燥位置（乾燥位置。圖i2E 所示位置）與腔室洗淨位置（蓋洗淨位置。圖12F所示位置） 之間進行升降的夾盤升降機構（第一移動單元，第二移動單 元）100。此夾盤升降機構1 〇〇係例如含有球狀螺絲機構和馬 達等’係例如結合至旋轉夾盤3之基台40上。處理位置係 用以針對由旋轉夾盤3所保持之晶圓W施行化學藥劑處理 或清洗處理的位置。旋轉乾燥位置係從處理位置往上方離 開’為用以針對該晶圓W施行乾燥處理的位置，且為於與 自動搬送機器（未圖示）之間交接晶圓W用的位置。腔室洗 ' 淨位置係用以洗淨密閉腔室2之内壁（亦即，蓋構件7之基 • 板對向面23及腔室本體6之間隔壁9的内面）的位置。 在此實施形態中，藉由第一液體密封構造8、第二液體密 封構造13及第三密封構造37，而可確實隔離密閉腔室2之 内部空間與密閉腔室2外之空間。因此，可以防止密閉腔室 100110975 27 2 201203346 2外之裱境氣體朝向密閉腔室2内之進入 内之環境氣體朝向密閉㈣漏。閉腔室 圖3係用以說明第_液體密封構造8及其周邊之 解剖面圖。參照圖!及圖3,針對第 ：的圖 周邊之構成進行說明。 遯在封構造8及其 在盍構件7之周緣部上，係具備有：從 咖下之圓筒狀密封㈣;及於半徑方 方突出之俯视為圓環狀的突_ 、。彳面形狀為三角雜，突出條物lG2之下 係形成祕著離開旋轉而降低之_狀。面103 端9的上端部(亦即’傾斜部11 <上 密封溝槽丨04形;^封用液體之純水(脫離子水)之第~ y 成為、.免考全周而形成。第一密 =成為以旋轉轴線c(參照圖1}為中心之俯視 ^ r，於傾斜部"之上端部，係一體具備有:二 :環狀之平坦面所形成之上端面105;從上端面105之二 、.錄直上方直立起之圓筒狀内壁部106，·及從上端 之外周咖w細爛罐㈣。ΓΓ端面 ⑽、内壁部106之外面及外壁部107之内 ，略”型’藉由上編5、内壁部之外= °M07之内面，而可形成第一密封溝槽剛。密封環101係 位於第-密封溝槽104上。藉由密封環⑻與第—密封溝槽 100110975 28 201203346 刚’而可構成第-液體密封構造8。 處’可儲存作為密封用液體m ;夜體密封構造8 於蓋構件7處於關閉位置之狀態 係在與第-密封溝槽104之底部門^封每101之下端部 第-密封溝㈣。因為於第納至 :液體’故在蓋構件7處於關“Μ存密 101進入第-密封溝槽1〇4而浸潰 I、下’密封環 密封環1〇1與第-密封_ 可^越中。因此， 密封住。 ㈣可相密封用液體而 在蓋構件7的側邊，用 ^ 應噴嘴108俜將1 土屮Π欲封用液體之密封用液體供 自密封用液體噴嘴刚之糾田/封私104而配置。來 裝置1之啟％_ …液體的吐出，係於基板處理 〈啟動狀態下經常進行 處經常儲存有密封用液體。另外，^第一麟溝槽刚 給第-密封ln - 因為也、封用液體經常供應 ㈣溝槽1〇4,所以沒有密封 此’可以長期間維持蓋椹杜7也 疋弋虞。稭 續置換第，溝:! Γ:之=的:::， :制_積在第—密—=::: 位置。::從之第上::係設，於外壁部107之上端*的 通過外心 在封溝槽104所滿出來之密封用液體係 土邛107之上端面上而流出至腔室本體6外，並沿著 腔至本趙6相㈣下。因此，儲存在第___溝槽^ 100110975 29 201203346 後之密封用液體不會流入至腔室本體6内（亦即，密閉腔室 2内）。沿著腔室本體6外周而流下的密封用液體係通過設 置在密閉腔室2外的廢液路徑（未圖示）而作為廢液。 然後’於蓋構件7處於關閉位置之狀態下，當蓋構件旋轉 機構32驅動時，蓋構件7在旋轉軸線c周圍進行旋轉。因 為I藉由密封用液體’將第一密封溝槽1〇4與處於旋轉狀態 之密封環1G1之間予以密封，故而即便是蓋構件7在旋轉 中，亦可以將密閉腔室2之内部空間從密閉腔室2外之環境 予以隔離。 兄 盍構件7係相對較大半徑(於此實施形態中半徑大於晶圓 W)j因此’密封環101及第一密封溝槽1〇4之半徑亦相對 ^較大。所以當蓋構件7之高速旋轉時(例如’乾燥處理時）， 在101之周速變大，而會有來自第一密封溝槽刚之多 量销:液體飛賤出之虞。然而，由於密封用液體持續供應 至第^、封溝槽1G4,故密封環1G1經常浸潰在密封用液體 中。藉此，可長期將蓋構件7與腔室本體6之間予以密封 蓋構件7處於關閉位置（圖1及圖3所示狀態）時，° 犬出條物1G2之下面1G3係與傾斜部u之第一圓錐 為約略相同平面狀。如下所述般，於腔室洗淨時 17 液之純水(脫離子水)被供應至蓋構件7之基板對向面^先淨 供應至基板對向面23之洗淨液係承受因蓋構件 破 100110975 成之離心力’遍佈至基板對向面23而朝向蓋構件7之:: 201203346 部移動，並到達突出條物102之下面103。因為下面103與 第一圓錐面17形成為約略相同平面狀，所以到達下面103 之洗淨液平順地往第一圓錐面17移動。因此，可以將被供 應至蓋構件7的基板對向面23之處理液平順地引導至腔室 本體6之間隔壁9的内面。 圖4係用以說明圖1所示第二液體密封構造13及其周邊 之構成的圖解剖面圖。參照圖1及圖4，針對第二液體密封 構造13及其周邊之構成進行說明。 於腔室本體6之底部12，係形成有：從其底部12之底壁 的内周緣往鉛直上方直立起之内壁部146 ;及從底部12之 底壁的半徑方向中途部往鉛直上方直立起之外壁部147。藉 由内壁部146之外面與外壁部147之内面及底部12之底 面，而形成為用以儲存作為密封用液體之純水（脫離子水）的 第二密封溝槽148。第二密封溝槽148係形成為以旋轉軸線 C為中心的圓環狀。第二密封溝槽148係形成為剖面呈U 字型，鍔狀構件46之内壁部48位於其上方。於第二密封溝 槽148處，係儲存有作為密封用液體之純水。 又，透過外壁部147之外面與底部12之外周壁及底面而 形成排出液溝槽20。排出液溝槽20係可將使用於晶圓W 處理之處理液（化學藥劑和惰性氣體溶存水）和洗淨液當作 廢液處理掉，且供用以排出密閉腔室2之内部空間之環境氣 體而為儲存作為密封用液體之純水者。排出液溝槽20係以 100110975 31 201203346 圍繞第二密封溝槽148之方式，而形成為以旋轉軸線c(參 照圖1)為中心的圓環狀。排出液溝槽2〇係形成為剖面口字 型，於其底部連接有排出液路徑110(參照圖^之一端。排 出液路控110之另一端係經由氣液分離器（未圖示）而連接往 廢液處理設備（未圖示)和排出處理設備（未圖示）。转狀構件 46之外壁部49位於排出液溝槽20的上方。 在旋轉夾盤3位於處理位置（圖示位置）之狀態下，内 壁部48之下端部係在與第二密封溝槽148底部之間保有微 小間隙而收納至第二密封溝槽148。 當旋轉夾盤3位於旋轉乾燥位置（圖12E所示位置）時，内 壁部48之下端部係與第二密封溝槽148之—部分重疊於水 平方向。亦即，即使於此狀態下’内壁部48之下端部被收 納在第二密封溝槽148中。 純水經由純水配管201而供應至第二密封溝槽148。純水 (密封用液體）朝向第二密封溝槽148之供應係於基板處理裝 置1之啟動狀態下持續進行著。因此，第二密封溝槽148 中係經常滿滿地儲存著密封用液體。從第二密封溝槽148 滿出來之进封用液體係流入至排出液溝槽2〇，再由排出液 溝槽20通過排出液路徑11〇而被引導往機外的廢液設備。 圖5係用以說明圖1所示第三密封構造37之構成的圖解 剖面圖《圖6係由圖5之切剖面線νΐ-νι所見之剖面圖。圖 7係由圖5之切剖面線VII-VII所見之剖面圖。 100110975 32 201203346 如圖5所示般，第三密封構造37係具備有：以覆蓋通過 孔14之方式，而固定安裝於間隔壁9之外側側面的氣體密 封°卩Ul，及於氣體密封部111，相對於該氣體密封部111 與間隔壁9相反側所固定安裝的液體密封部121。 液體密封部121係具有形成為較厚矩形板狀之液體密封 • 本體122。於液體密封本體122之中央部，係形成有喷嘴懸 臂15用以插通之第一插通孔m(參照圖外第一插通孔m 係貫穿液體密封本體122於其厚度方向（圖5所示左右方 ° )第插通孔123之剖面形狀係形成為與噴嘴懸臂15之 剖面形狀進行整合之矩形形狀。 乳體在封部111係具有形成為較厚矩形板狀之氣體密封 本體112。於氣體密封本體112之中央部，係形成有喷嘴懸 臂15用以插通之第二插通孔_參照圖5)。第二插通孔113 係貫穿氣體密封本體112於其厚度方向。第二插通孔ιΐ3之 剖面形狀係形成為與噴嘴15之剖面形狀進行整合之矩 形形狀。 . 1體密封部111之第二插通孔113及液體密封部121之第 插通孔123係刀別連通於間隔壁9之通過孔Μ。氣體密 封本體112之-面（圖5之右面）係以密接狀態接合於腔室本 體6之間隔壁9的外面。液體密封本體122之一面（圖$之 右面），係以密接狀態接合於氣體密封本體m之另-面（圖 5之左面）。因此’將通過孔14、第二插通孔ιΐ3及第一插 100110975 33 201203346 漏出去。 =孔123連通之空間内的環境氣體，不會從間隔壁9與氣體 密"之㈤或氣體密封部⑴與液體密封部121之間 喷嘴懸臂15係可滑動地插通至第_插通孔123之内周面 及第二插通孔m之内周面。在液體密封部i2i與插通第一 插通孔123之喷健f 15外表面之間係如後所述般，於喷 嘴U 15外表m柄跨過其整個關而圍繞之四角環 狀第a通路k 13G 4第—流通路徑⑽係以作為密封用 液體之純水(脫離子水)㈣㈣著。又在氣縣封部⑴ 與插通第二插通孔113之噴嘴懸臂15外表面之間係如後所 述般，於t嘴㈣15外表面上形成有跨過其整·周而圍 繞之四角環狀第二流通路經1 。 於化子藥f丨處理巾及清洗處理中，會有從晶圓w所飛錢 h處理液(化學藥劑或含有化學藥劑之清洗液）附著在喷 嘴懸臂15外表面之虞。當化學藥劑在嘴嘴懸臂15外表面乾 燥而結晶化時，該化學藥劑之乾燥物會成為顆粒，而亦會有 污染到於旋轉夾盤3上進行_之日日日11 W的疑慮。 然而’四角環狀之第—流通路徑130内因為利用密封用液 體而液體密封著’故而密封用液體濕潤喷嘴懸臂15之外表 面而藉由。玄您封用,夜體來沖洗掉已附著在喷嘴懸臂b外 表面之處雌(化學_或清洗液）。㈣，可it過密封用液 體來洗淨噴嘴懸臂15之外表面。 100110975 34 201203346 另外，由於氮氣在四角環狀之第二流通路徑120内流動， 所以可去除已附著於喷嘴懸臂15外表面之密封用液體（液 體密封部121之密封用液體）等，並使喷嘴懸臂15之外表面 乾燥。 此外，氣體密封部111被配置在較液體密封部121更靠近 密閉腔室2之内部空間側。因此，在進出密閉腔室2内時， 喷嘴懸臂15外表面之各位置係於供應氮氣後進入密閉腔室 2。藉由液體密封部121而附著在喷嘴懸臂15外表面之密封 用液體，係可透過氣體密封部111之氮氣而去除。藉此，可 確實防止密封用液體往密閉腔室2之内部空間的引入。 接著，參照圖5及圖6針對液體密封部121進行詳細說明。 關於第一插通孔123(參照圖5)之内周面，係於液體密封 本體122之厚度方向的中央位置，形成有遍佈其圓周方向全 區域之四角環狀之第一環狀溝槽124。在第一環狀溝槽124 之與喷嘴懸臂15上面相對向之部分，於液體密封本體122 上端面之與液體密封本體122之厚度方向及鉛直方向雙方 均正交的方向（圖5之與紙面正交的方向。圖6及圖7之左 右方向。以下，簡稱為「左右方向」）有往中央部延伸的液 體導入連接路徑125開口。液體導入連接路徑125係沿著鉛 直方向延伸，於液體密封本體122之上端面開口，該開口部 分係形成有用以將作為密封用液體之純水（脫離子水）導入 至液體導入連接路徑125的液體導入口 126。在液體導入口 100110975 35 201203346 126中’供應有來自純水供應源(未圖示)之純水(密封用液 體）。 於第一環狀溝槽124之與嘴嘴懸臂15下面相對向之部 分，在液體密封本體122之下端面有左右方向往中央部延伸 之液體導出連接路徑127 口。液體導出連接路徑127係^ 著船直方向延伸，於液體密封本體122之下端面開口，螂 口部分係形成有用以將密封用液體自液體導出連接路, 127導出的液體導出口 128。在液體導出〇128處’連料 將由該液體導出口 128所導出之密封用液體往廢液設 導的廢液路徑129(參照圖5)。 於喷嘴懸臂15插通第—插通孔123之狀態下，在第1 狀溝槽124與喷嘴懸臂15之外表面（上面、下面.及兩側岣 之間，形成有四角環狀的第-流通路徑！30。此第-流通略 徑⑽係分別與液體導入口 126及液體導出口 128相連通。 被供應於液體導入口 126且在液體導入連接路徑125中流 遠的密封用液體係持續沿著噴嘴懸臂15上面之左右方向的L -側部分(圖6所示上面之右侧部分）、噴嘴懸臂i5之一側 侧面(右側側面)及嘴嘴懸臂15下面之左右方向的-側部分 (圖6所示下面之右側部分)在第一流通路徑130中進行移 動’並通過液料出連接路彳i _體㈣口⑶被排 出。又，被供應至液體導人σ126之密封用液體，係持續沿 著喷嘴懸臂15上面之左右方向的另-侧部分(圖6所示上面 100110975 36 201203346 之左侧部分）、喷嘴懸臂15之另一側侧面（左侧側面）及喷嘴 懸臂15下面中左右方向的另一側部分（圖6所示下面之左側 部分)在第一流通路徑130中進行移動，並通過液體導出連 接路徑127由液體導出口 128被排出。藉此，可利用密封用 液體密封住液體密封本體122之内周面與喷嘴懸臂15之外 表面之間。 接著，參照圖5及圖7針對氣體密封部111進行詳細說明。 如上所述，氣體密封部111(參照圖5)係具有形成為較厚 矩形板狀之氣體密封本體112。於氣體密封本體112之中央 部處，形成有喷嘴懸臂15用以插通第二插通孔113。第二 插通孔113係將氣體密封本體112貫通其厚度方向。第二插 通孔113之剖面形狀係形成為與喷嘴懸臂15之剖面形狀整 合的矩形形狀。 關於第二插通孔113之内周面，係於氣體密封本體112之 厚度方向的中央位置，形成有遍佈其圓周方向全區域之四角 環狀之第二環狀溝槽114。在第二環狀溝槽114中與喷嘴懸 臂15上面相對向之部分，於氣體密封本體112上端面有左 右方向往中央部延伸的氣體導入連接路徑115開口。氣體導 入連接路徑115係沿著鉛直方向延伸，於氣體密封本體112 之上端面開口，該開口部分係形成有用以將作為密封用氣體 之氮氣導入至氣體導入連接路徑115的氣體導入口 116。在 氣體導入口 116中，供應有來自氮氣供應源（未圖示）之氮氣。 100110975 37 201203346 於第二環狀溝槽114中與嘴嘴懸臂15下面相對向之部 分，在氣體密封本體112之下端面有左右方向往巾央部延伸 之氣體導出連接路徑117開口。氣體導出連接路徑係沿 著錯直方向延伸，於氣體密封本體112之下端面開口，該開 口部分係形成有用以將氮氣自氣體導出連接路徑ιΐ7導出 的氣體導出口 118。在氣體導出口 118處，連接有將由該氣 體導出σ 118所導出之氮氣往排出處理設備引導的排出路 徑119(參照圖5)。 於喷嘴懸臂15插通第二插通孔113之狀態下，在第二環 狀溝槽m與喷嘴懸臂15之外表面（上面、下面及兩側面） 之間，形成有四角環狀的第二流通路徑12〇。此第二流通路 徑120係分別與氣體導入口 U6及氣體導出口 118相連通。 被供應於氣體導入口 116且在氣體導入連接路徑115中流 通的氮氣，係持續沿著喷嘴懸臂15上面中左右方向的一側 部分（圖7所示上面之右側部分）、噴嘴懸臂丨5之一侧侧面（右 側側面）及喷嘴懸臂15下面中左右方向的一側部分（圖7所 示下面之右側部分)在第二流通路徑12〇中進行移動，並通 過氣體導出連接路徑117由氣體導出口 ία被排出。 又，被供應至氣體導入口 116之氮氣，係持續沿著喷嘴懸 臂15上面中左右方向的另一側部分（圖7所示上面之左側部 分）、喷嘴懸臂15之另一側側面（左側側面）及噴嘴懸臂15 下面之左右方向的另一側部分（圖7所示下面之左侧部分)在 100110975 38 201203346 第二流通路徑12〇+進行移動，並通過氣體 117由氣體導出口 118妯灿山逆接路# 被排出。错此，可利用氮氣 ^ 體密封本體112之内周面與喷嘴懸臂15之外表面、于住氣 圖8係用以針對處理模組M1 (參照圖1)供應處理° 的示意圖。基板處理裝置1係進-步具備有：H之構成 氣予以除去，並添加惰性氣體於該純水中，以生^之氣 溶存水的惰性氣贿存水生成單元50 氣體 組麗供應處理液的處理液供應模組M2。 々理楔 惰性乱體溶存水生成單元5G射由自純水供應源(未圖 不)所供狀純水生絲性氣贿存水。料惰性氣體溶存 水生成^ 50所生叙惰性氣體溶存水，係可供應至處理 液供應模組M2。惰性氣體溶存水生成單元5()，係例如經由 具有氣體穿透性及液體衫雜之巾域維分_，而進行 來自純水之減的除去及對純水之‘氣體的添加。作為此 類構成之惰性氣體溶存水生成單& %，例如可使用 —na GmbH公司製之商品「Uqui_Cei(商標）分離膜接 觸器」。惰性氣體溶存水生成單元5G之具體構成係例如美國 專利US 2003/0230236A1號公報所示者。 惰性氣體溶存水生成單元5〇係使所.供應純水+之氧濃度 例如到達20Ppb以下將氧氣μ除去。又，惰性氣體溶存二 生成單元5〇係、將高純度氮氣（氤氣濃度例如為 99·戀〜99.999999親者)添加至純水中，而生成氮氣濃度 100110975 39 201203346 例如為7PPm〜24PPm的惰性氣體溶存水。透過惰性氣體溶存 水中之氮氣濃度為於此範_之值’則可抑制或防止惰性氣 體溶存水中之氧濃度隨著時機經過而上升。 處理液供應模組M2係於該圖8中僅表示為用以供應處理 液至處理液供應管38之構成，亦可供應纽液至供㈣理 液上噴嘴25等其他喷嘴吐出處理液用之構成。處_^ 模組M2係具财：將化學藥騎、液與惰性氣體溶存水混 合，並調和作為處理液之化學藥劑的配管内調和單元Η . 及將化學藥綱液供應至配管内調和單元51的化 供 應單元53。 ” 所謂「化學藥劑原液」係意指與惰性氣體溶存水混 化學藥劑。作為化學_原液之例，係可例示如氣氣酸 _、鹽酸(HC1)、氫氟酸與IpA(異㈣之混合液、氣化欽 师4F)。在❹錄_為料_麵之_下，於配; 内調和單元51中’係氣氣酸與惰性氣體溶存水，以既定1 例混合（S周和）而生成稀氫氟酸(DHF)。 配管内調和單元51係經由供應配f… 溶存水生成單元50。在配管内調 /乳體 配管54從惰性氣體溶存水生成置早疋51處，係經由供應 成早凡50供應惰性氣p:六 水。又，配管内調和單元51 乱體冷存 而、係經由化學藥劑供應配管55 而連接於化學樂劑供應單元53。 55 〆 在配管内調和單元51 _ 係經由化學藥劑供應配管55 早兀51處， 心樂劑供應單元53供應化 J00U0975 201203346 學藥劑原液。配管内調和單元51係將由化學藥劑供應單元 53所供應之化學藥劑原液、與由惰性氣體溶存水生成單元 50所供應之惰性氣體溶存水予以混合，而可調和作為處理 液之化學藥劑。 配管内調和單元51係連接至處理液供應管38，係通過此 處理液供應管38而可供應作為處理液之化學藥劑至處理液 喷嘴4。又，不會使配管内調和單元51中之由惰性氣體溶 存水生成單元50所供應之惰性氣體溶存水與化學藥劑原液 混合，而可將該惰性氣體溶存水直接當作清洗液通過處理液 供應管38供應至處理液喷嘴4。藉此，可選擇性將化學藥 劑及惰性氣體溶存水供應至處理液喷嘴4。 配管内調和單元51係具備有：可當作為將化學藥劑原液 與惰性氣體溶存水於其内部進行混合之配管的混合部59 ; 安裝在供應配管54之閥60及流量調整閥61 ;安裝於化學 藥劑供應配管55之化學藥劑閥62及化學藥劑流量調整閥 63。供應配管54及化學藥劑供應配管55係分別連接於混合 部59。 藉由打開閥60,則可以供應以流量調整閥61所調整過之 既定流量之惰性氣體溶存水至混合部59,且可透過打開化 學藥劑閥62，而可以供應以化學藥劑流量調整閥63所調整 過之既定流量之化學藥劑原液至混合部59。於打開閥60之 狀態下，藉由化學藥劑閥62被開啟，則可將化學藥劑原液 100110975 41 201203346 注入(注射）至在混合部59内流通之惰性氣體溶存水中，而 可使化學藥劑原液與惰性氣體溶存水進行混合。因此，透過 調整對於混合部59之化學藥劑原液的供應量與惰性氣體溶 存水的供應4，則可生成調和為既定比例之化學藥劑。又， 於化學藥侧62 _之狀態下，藉由僅開啟閥⑶，而可針 對混合部59僅供應情性氣體溶存水。藉此，不會使化學藥 劑混合入躲氣存水’何將該‘氣體溶存水直^當 作清洗液並供應至處理液供應管38。 田 化學藥劑供應單元53係具備有：儲存化學藥劑原液之I 學藥劑槽71、及將化學藥劑原液從化學藥_71導至配1 内調和單元51之化學_供應配f 55。化學藥劑槽π : 由密閉容器所構成，化學藥劑槽71之内部空間係由：外力 空間隔離。化學_供應配管55之—端連接於化學藥船, 7卜在化學藥劑供應配管55 ’係由化學藥劑槽71側依❼ 隔安裝錢72、减器.73&氣體除去單^74。氣體除去; 元74係與惰性氣體溶存水生成單心〇為相同構成者 進行惰性氣體之添加。 又，於化學藥劑㈣，連接有化學藥劑供應管75。來自 化學藥劑原液供應源(未圖示)之化學藥劑原液，係智由化風 藥劑供應管75而被供應至化學_S71。在化學㈣^ 管乃，係介隔安裝有用以切換朝向化學_槽7ι之化與藥 劑原液的供應、及供應停止之化學藥_ %。關㈣^ 100110975 42 201203346 劑槽71，係例如在化學藥劑槽71内之液量為既定量以下 時，供應未使用之化學藥劑原液。藉此，可針對化學藥劑槽 71補充未使用之化學藥劑原液。 另外，於化學藥劑槽71，連接有惰性氣體供應管77。來 自惰性氣體供應源（未圖示）之惰性氣體，係經由惰性氣體供 應管77而被供應至化學藥劑槽7卜在惰性氣體供應管77， 係介隔安裝有用以切換朝向化學藥劑槽71之惰性氣體的供 應及供應停止之惰性氣體閥78。關於化學藥劑槽71，係例 如持續供應惰性氣體。 藉由供應惰性氣體至化學藥劑槽71，可由化學藥劑槽71 内將空氣擠出來。因此，可以抑制或防止化學藥劑槽71内 之空氣中所含有之氧，會溶入儲存於化學藥劑槽71内之化 學藥劑原液中，而使該化學藥劑原液中之溶存氧量增加。 又，藉由以惰性氣體對化學藥劑槽71内加壓，則可將儲存 在化學藥劑槽71内之化學藥劑原液壓送至化學藥劑供應配 管55。 化學藥劑槽71内之化學藥劑原液，係透過惰性氣體之壓 力和來自泵72之吸引力而從化學藥劑槽71取出。然後，被 取出之化學藥劑原液係因泵72而升壓，通過過濾器73而異 物被去除。此外，已通過過濾器73之化學藥劑原液係藉由 氣體除去單元74而被除去，則溶存氧量降低。其後，經降 低溶存氧量之化學藥劑原液被供應至配管内調和單元51。 100110975 43 201203346 圖9係基板處理裝置！所具備之配管的圖解圖。 用以使處理液供應管38等之處理液流通之所有的配管係 如圖9所示構造。以下，將用以使處理液供應管％等之處 理液流通之所有的配管統稱為「配管79」。
配管79係具有具備處理液流通之内配管⑽、與圍繞此内 配管80之外配官81的雙重配管構造。内配管⑽係於外配 管81之内部，藉由介隔存在於内配管80與外配管81之間 之支撐構件（未圖示）而支撐著。内配管8〇係相對於外配管 81而於非接觸狀態下支撐著。在内配管8〇與外配管Μ之 間形成有筒狀空間。内配管80及外配管81係例如為氟樹脂 (更具體來說，耐化學藥劑性及耐熱性優異之PFA (perfluoro-alkylvinyl-ethertetra fluoro-ethlene-copolymer)) 製。pfa係可使氧穿透過。 又’在外配管81 ’係連接有介隔裝設有惰性氣體閥82之 惰性氣體供應管83、與介隔裝設有排氣閥84之排氣配管 85。藉由開啟惰性氣體閥82，則可經由惰性氣體供應管83 而將來自惰性氣體源（未圖示）之惰性氣體(例如，氮氣)供應 至外配管81之内部。藉此，可將惰性氣體填充在内配管8〇 與外配管81之間。又’藉由開啟排氣閥84，則可從内配管 80與外配管81之間使氣體排出。 於開啟排氣閥84之狀態下，藉由開啟惰性氣體閥82，則 可從内配管80與外配管81之間擠出空氣，而將其間環境空 100110975 44 201203346 氣置換成惰性氣體。藉此，可利用惰性氣體包圍内配管8〇。 然後，於内配管80與外配管81之間的環境氣體被置換成惰 性氣體環境之後，透過關閉惰性氣體閥82及排氣闊84，而 可以維持利用惰性氣體包圍内配管8〇之狀態。 藉由以惰性氣體包圍内配管80，則可以減少進入到内配 官80内部之氧量。藉此，則可以抑制或防止氧會溶入至内 配官80内流通之處理液中，而使該處理液中之氧濃度上升。 圖10係用以說明基板處理裝置1之電性構成的方塊圖。 基板處理裝置1係具備有包含微電腦之構成的控制裝置 (腔室洗淨控制單元、乾燥控制單元）131。控制裝置131係 控制旋轉馬達41、蓋構件升降機構33、蓋構件旋轉機構32、 夾盤升降機構100、喷嘴驅動馬達139等之動作。又’基板 處理裝置1上所具備之各閥27、3〇、35、6〇〜63、％、π 之開關係透過控制裝置38來控制。 圖11係用以說明藉由基板處理裝置1所處理過之晶圓W 之表面狀態例的剖面圖。 如以下所說明般，搬入至該基板處理裝置1之晶圓W係 例如有聚合物殘渣（乾式蝕刻和灰化後之殘渣）附著在表 而疼出金屬圖案。金屬圖案係可為銅和鎮、其他金屬之 單膜，亦可為積層有複數金屬膜之多層膜。作為多層膜之一 例’係可列舉有在_表面上形成擴⑽止狀—金屬膜 的積層膜。 100110975 45 201203346 如圖11所示般’於晶圓w表面上形成有層間絕緣膜 關於層間絕緣膜87，係下佈線溝槽88由其上面往下挖而， 成銅佈線89埋设於下佈線溝槽88。在層間絕緣膜上 係介隔1_緖膜9G而積射作為被加謂狀低’ 數絕緣膜91。關於低介電係數絕緣膜9卜係上佈線溝措^ 由其上面往下挖而形成。此外’在低介電係數絕緣祺 形成有彳之上佈線溝槽92底面通達銅佈線89表面之通孔 93。銅係統合埋入上佈線溝槽92及通孔93中。 孔 上佈線溝槽92及通孔93係在低介電係數絕緣獏91上形 成硬遮罩後，進行乾式姓刻處理，透過低介電係數絕緣化 91由硬遮罩所露出之部分被去除而形成。上佈線溝槽％、 通孔93於形成後，進行灰化處理，以從低介電係數絕緣 91上去除不要的硬遮罩。於乾式蝕刻時及灰化時，低介、 係數絕緣臈91和包含硬遮罩成分之反應生成物成為聚j 殘渣，而附著在低介電係數絕緣膜91的表面（包含上佈 槽92及通孔93之内面）等處。因此，於灰化後，將聚合物 去除液供應至晶圓W表面，而進行用以從低介電係數絕緣 膜91之表面去除聚合物殘渣之處理。以下，採用基板處理 裝置1針對用以由晶圓w表面上去除聚合物殘渣之處理例 進行說明。 圖12A〜圖12F係用以說明基板處理裝置i之晶圓w處理 例的步驟圖。以下，參照圖卜圖8、圖1〇及圖Ua〜圖i2F， 100110975 46 201203346 針對基板處理裝置1之晶圓w處理例進行說明。 在晶圓W處理之前，如圖12A所示般，蓋構件7係配置 在由旋轉夹盤3之旋轉基台43離開上方之開啟位置。因此， 密閉腔室2之上部開口 5呈開放。又，旋轉夾盤3上升至旋 轉乾燥位置(於圖12E所示位置），並於其旋轉乾燥位置上待 機。處理液噴嘴4係退避到旋轉夾盤3側邊之退避位置上。 閥27、30、35、60〜63、76、78全部呈關閉。 灰化後之晶圓W係透過自動搬送機器（未圖示）而被搬入 至基板處理裝置1内，並保持為在位於旋轉乾燥位置之旋轉 夾盤3由其表面朝向上方之狀態。晶圓…在保持後，控制 裝置131係控制夾盤升降機構1〇〇，使旋轉夾盤3朝向處理 位置下降。又’控制裝置131係控制蓋構件升降機構二， 使蓋構件7下降到關閉位置(未圖示）。其後，腔室本體6之 上部開口 5利用蓋構件7而關閉（參照圖12b)。藉此，户 腔室2之内部空間可從外部密閉，密閉腔室2實質上可密閉 密閉之腔室而進行作用。 °作為 接著’如圖12B所示般，進行將密閉腔室2之内部 的空氣環境置換成惰性氣體（氮氣)環境的惰性氣體驅= 理。具體而言，控制裳置131係打開惰性氣體閥％，將= 氣由惰性氣體吐出口 29供應至密閉腔室2之内部空間乳 此時之來自惰性氣體吐出口 29之氮氣的吐出流量，係= 為50〜30〇L/min，較佳為15〇L/min。由惰性氣體吐出口㊇ 100110975 201203346 所吐出之氮氣，係於密閉腔室2之内部空間中散開，密閉腔 室2内之空氣則通過排出液溝槽20(參照圖1及圖4)之排氣 口，而被擠出至密閉腔室2外。藉此，密閉腔室2内之環境 持續置換成氮氣環境。對於此密閉腔室2内之氮氣的供應係 持續進行到乾燥處理結束為止。 於此實施形態下，在氮氣驅淨期間中，晶圓W係處於靜 止狀態（非旋轉狀態）。然而，控制裝置131藉由控制旋轉馬 達41而使晶圓W旋轉亦可。 此惰性氣體驅淨處理係會繼續到密閉腔室2之内部空間 的氧濃度到達既定低濃度（例如，lOOppm以下）為止。密閉 腔室2内之氧濃度是否到達既定的低濃度，係可藉由將氧濃 度感測器（未圖示）配置於腔室本體6之間隔壁9内面，而檢 測出密閉腔室2内之氧濃度來加以判斷，也可以透過惰性氣 體吐出口 29之氮氣吐出時間到達既定時間而判斷。然後， 當密閉腔室2内之氧濃度到達既定低濃度，接著針對晶圓W 施行用以從晶圓W表面去除聚合物殘渣的化學藥劑處理（參 照圖12C)。 當到達化學藥劑處理之開始時機，控制裝置131係控制旋 轉馬達41以使晶圓W以既定液處理速度（10〜500rpm，較佳 為250rpm)進行旋轉。 又，控制裝置131係控制配管内調和單元51，以使作為 化學藥劑之稀氫氟酸從處理液喷嘴4吐出。具體來說，控制 100110975 48 201203346 裝置131係開啟化學藥劑閥62及閥60。藉由開啟化學藥劑 閥62及闊60，則作為化學藥劑原液之氫氟酸與惰性氣體溶 存水供應至混合部59。此時，控制裝置131係為了要進一 步將稀氫氟酸生成用之混合比及吐出流量分別設定為所期 望之混合比及吐出流量(供應流量），而分別調整流量調整閥 61及化學藥劑流量調整閥63的孔徑。藉此，氫氣酸被注入 到在混合部59内流通之惰性氣體溶存水中，而生成以上述 既定比例所調和之稀氫氟酸。稀氫氟酸係為化學藥劑的一 例，且為聚合物去除液之一例。於此實施形態中，在混合部 59所生成之稀氫氟酸，係例如以氫氟酸與純水為1 : 1〇〜1 : 1800(較佳為1 : 10〜1 : 800)之混合比進行混合(調和）。又， 在混合部59所生成之稀氫氟酸的吐出流量（供應流量）係 〇.5L/min〜3L/min(較佳為lL/min)。然後，在混合部59所生 成之稀氫氟酸係被供應至處理液供應管38,由處理液喷嘴4 朝向晶圓W表面吐出。此由處理液喷嘴4所吐出之稀氫氟 I，係藉由氣體除去單元74除去氧之氫氟酸透過惰性氣體 /奋存水生成單元5〇，並藉由經除去氧之純水而稀釋者。因 此，充分減低氧濃度。 又如圖12c所示般，在化學藥劑處理中，控制裴置131 係控制嘴嘴驅動馬達139，而使喷嘴时15在既定範圍内 進订錢移動。藉此，來自處理液喷嘴4之稀氫IL酸被導弓丨 至晶圓W表面上之供應位置，係於從晶圓W之旋轉中心到 100110975 49 201203346 晶圓w之周緣部的範圍内’描綠出與晶圓w之旋轉方向交 叉之直線狀轨跡並進行往返移動。又，被供應至晶圓w表 面之稀氮氟酸係擴展至晶圓w之表面全區域。藉此，可沒 有不均地供應稀氫氟酸到晶圓w之表面全區域。透過由處 理液喷嘴4供應稀氫氟酸至晶圓w表面，則可藉由該稀氫· 氟酸之化學能力，而去除形成於晶圓w表面之聚合物殘· 潰。被供應至晶圓w表面之稀氫氟酸，係從晶圓w之周緣 部朝向晶圓W之側邊飛散。此時，由晶圓W表面所飛散來 之處理液係主要是附著在腔室本體6之間隔壁9内面（尤其 是圓筒面18及廢液引導面19)、噴嘴懸臂15之外表面及處 理液喷嘴4。 又，在進行化學藥劑處理時，進行往密閉腔室2之内部空 _ mi 1 _室2之内部空間係維持在說氣 環境，而可以抑制或防止密閉腔室2之内部空間中氧濃度的 上升。由於可抑制環境中之氧溶入至由處理液喷嘴4所:出 之稀氫氟酸’藉此’可抑制或防止稀氫氟酸中之氧濃度上 升。所以’可針對晶圓W表面來供應充分減低氧濃度之稀 氫氟酸。藉此’可針對晶圓W上抑制或防嫂因於稀氫氟 酸中之溶存氧之氧化反應的產生。其結果係即便如稀氫氟酸 . 般之可供應至晶圓W之化學_為對於氧化物具有敍刻作 用者，亦可以抑制或防止晶圓W上產生不期望之蝕刻。 當化學藥劑處理經過既定時間（例如，10〜60秒鐘’較佳 100110975 50 201203346 為〇心如）而進行時，接著要對晶圓w施行從晶圓w表面 沖洗化學藥劑之清洗處理（參照圖12D)。 具體而言’控制裝置13丨係持續維持在開啟配管内調和單 几51之閥6G的狀態而_化學藥劑閥62。藉由設定為關 閉化學藥咖62而開啟閥6()之狀態，而僅有惰性氣體溶存 水可供應U合部59。gj此，惰性氣體溶存水被供應至處 理液供應管38，而從處理㈣嘴4吐出作為清統之惰性 氣體溶存水。 又，在清洗處理中，控制裝
且 IJI 'W役利嘴嘴驅勁馬 139並使噴嘴懸臂15在既定範圍内進行往返移動。藉此， 自處理液噴嘴4之惰性氣體溶存水被導引至晶圓^面』 之供應位置，係於從晶圓旋射㈣晶圓w之周緣匈 的範圍内，描繪出與晶圓~之旋轉方向交叉之直線狀細 、、進订在返移動。又，被供應至晶圓w表面之惰性氣體渴 存水係擴展至晶圓W之表面全區域，附著在晶圓W表面之 稀虱氟酸_舰氣餘存料洗掉。㈣ 之惰性氣體溶存水靜ώ s n w p 糸耨由晶回w之旋轉而被甩出，
緣部飛散至側邊。此時，包会M D 主要4體溶存水係 者在至本體6之間隔壁9内面（尤其是圓筒面18 及廢液5丨導面19)、噴嘴懸臂15之外表面及處理液 由處理液喷嘴4所吐出之惰性 、 體溶存水生成單元〜:氧^ 而除去氧，4氧量可充分被減低。 100110975 51 201203346 ^外’藉由惰性氣體溶存水生成單元5G所生成之情性氣體 冷存水係透過氮氣的添加，而可抑制或防止隨著時間經過的 氧濃度上升。甚至密閉腔室2内之環境中的氧濃度可充分被 減低。因此’可針對晶圓w表面來供應充分減低氧濃= 惰性氣體溶存水，可針對晶圓％上抑制或防止起因於二性 =:存氧之氧化反應的產生。因此，可抑制因殘 曰 上之稀虱氟酸所導致之氧化物的蝕刻，並可 以抑制或防止晶圓w上產生不期望之蝕刻。 ' 此清洗處理係、繼續進行直到密閉腔室2之内部空間中敦 化物離子的殘留制達例如既定低值(G.15ng/em2以下）為 止密閉腔至2内之i化物離子之殘留量是否到達既定低 值係可以將氟化物離子感測器（未圖示）配置在腔室本體6 之間隔壁㈣’並藉以檢難閉腔室2内之氟化物離子之殘 ^量而加以觸’亦可以藉由來自處理液噴嘴4之惰性氣體 存X之土出時間到達既定時間而加以判斷。當密閉腔室2 内之氣化物離子殘量到達既定低值時，接著如目既所示 般進行使日曰圓w乾燥之乾燥處理(旋轉乾燥）。 控制裝置m係控制炎盤升降機構100，使旋轉爽盤3上 升至最上方的旋轉乾齡⑽二配置步驟）。藉此蓋構件 板對向面23接近被保持在旋轉炎盤3之晶圓w表 於^疋轉乾燥位置上’被保持在轉越3之晶圓w 表”蓋構件7之基板對向面23間之間隔係既定狹窄間隔 100110975 52 201203346 (例如，0.1〜5.0mm。較佳盔0 ,t 与2.5mm)。因此，在晶圓W表面 與基板對向面23之間形成右 ^ 成有城小空間’由其側邊的環境隔 離開。藉此，可於精密控制曰 日日圓w表面附近之環境的狀態 下實現良好的乾燥處理，且可女 且了抑制異物於乾燥處理中附著在 晶圓W表面。 接著，當旋轉夾盤3上升到旋轉乾燥位置為止時，控制裝 置131係加速旋轉馬達41之旋轉速度，而使被旋轉炎盤3 所保持之日日日圓w以高旋轉速度(例如，_〜2細释。較佳 為25〇〇rpm)進行旋轉。又，於乾燥處理時，控制裝置131 係控制蓋構件旋轉機構32，使蓋構件7與晶圓w之旋轉同 步地在與晶® W之旋轉方向相同方向上進行旋轉1此， 在日曰圓W表面與蓋構件7之基板對向面23之間形成有穩定 氣μ之同時，B曰圓w表面與基板對向面23之間的空間係由 其側邊之環境隔離開。 接著’繼續來自惰性氣體也出口 29的氮氣吐出。所以於 曰曰圓w表面與基板對向面23之間，形成有從晶圓▽中心 部朝向晶®W周緣部之氮氣氣流，並歧氣充滿晶圓^ 面與基板對向面23之間。藉此，可在低氧環境下針對 W施以乾燥處理。 於此乾燥處理中，藉由使晶圓W以高旋轉速度進行旋 # H在晶圓w之清洗液(惰性氣體溶存水)係承受因晶 圓轉所造成之離心力而被甩出至晶圓w周圍。藉此， 100110975 53 201203346 清洗液從晶圓w被去除，而晶圓w會乾燥。 又’在旋轉夾盤3之旋轉乾燥位置處，於乾燥處理開妗 前，也可以供應IPA液至晶圓W表面。如圖1兩點虛線所 示般’在IPA液被供應至處理液上喷嘴25之情形下，可供 應IPA液至晶圓w之表面中心，藉此，可良好地置換惰性 氣體溶存水（清洗液)與IPA液，可使晶圓w表面進行良好 乾燥。 又 當乾燥處理進行經過既定乾燥時間，控制裝置131係控制 方疋轉馬達41，使晶圓w之旋轉停止。又，控制裝置131係 控制蓋構件旋轉機構32，使蓋構件7之旋轉停止的同時， 驅動蓋構件升降機構33，使蓋構件7從旋轉夾盤3之旋轉 基台43上升至往上方離開之開啟位置（參照圖12A)。藉此， 农閉腔至2之上部開口 5被開放。另外，控制裝置131係關 閉惰性氣體閥30，並停止來自惰性氣體吐出口 29之氮氣供 應。 其後’晶圓W經由被開放之上部開口 5，而從位於旋轉 乾燥位置之旋轉夾盤3轉放到基板自動搬送機器（未圖示）， 並藉由基板自動搬送機器將晶圓W由密閉腔室2内搬出。 另外’於清洗處理時，並邡使用來自處理液喷嘴4之清洗 液來進行清洗處理，而也玎以使用來自處理液上噴嘴25之 清洗液進行清洗處理。此情形下，在清洗處理時，打開碳酸 水閥27，從處理液上噴嘴25之處理液上吐出口 26朝向晶 100110975 54 201203346 圓w上面吐出碳酸水。被供應至晶圓界之 曰in W 糸承受因 W旋轉所造成之離心力，而擴展至晶圓 祕，Μ <表面全區 5 ’错此’可沖洗附著於晶圓w表面之化學藥劑。 又，t亦可以使用來自處理液喷嘴4之清洗液與來自處理液 上喷鳴25之清洗液雙方來進行清洗處理。 接著，針對利用洗淨液(例如，純水)將密閉腔室2内洗淨 之腔室洗淨處理進行說明。此腔室洗淨處理係也可以於基板 處理裝置1進行處理期間實施，在腔室洗淨處理時，晶圓w 不由旋轉夾盤3保持，旋轉夾盤3係位於腔室洗淨位置。 控制裴置131係控制夾盤升降機構100,使旋轉夾盤3下 降至也1至洗淨位置（第一配置步驟）為止。又，控制裝置131 係控制蓋構件升降機構33，使蓋構件7下降至關閉位置， 同時控制蓋構件旋轉機構32，使蓋構件以既定旋轉速度（蓋 洗淨旋轉速度)進行旋轉。另外，控制裝置131係開啟洗淨 液閥35 ’洗淨液從洗淨液喷嘴34被供應至蓋構件7之基板 對向面23。在此實施形態中’係採用純水當作洗淨液(參照 圖12F)。即便於蓋構件7旋轉狀態下’係透過第一液體密 封構造8之作用，而可將密閉腔室2内保持在密閉狀態。藉 此，可將區劃成狹小内部空間之密閉腔室2之内壁保持為清 淨。 被供應至蓋構件7之基板對向面23的洗淨液，係承受因 蓋構件7旋轉所造成之離心力’遍佈至蓋構件7之基板對向 100110975 55 201203346 面23，而朝向旋轉半徑方向外邊進行
:液均勻地展開在蓋構件7之基板對向面2== 域，而可利用洗淨液將附著在蓋構件 大王Q 化學藥劑及包含化學藥劑之清洗液沖洗掉:反對向面23之 二Γ至蓋構件7之基板對向面23而朝向旋轉半徑方 ^外邊側進行移動之洗淨液，係經由下面103(參照圖3)與 內圓錐面17(參照圖D而被引導至腔室本體6之間隔壁9 内面，並遍佈於腔室本體6之間隔壁9内面而流下。此時， 附著於間隔壁9内面之處理液(化學_和包含化學藥劑之 清洗液)储由洗淨㈣被沖洗掉。如此心轉處理液之洗 淨液係流人至排出液溝槽2〇，並通過此排出液溝槽2〇及排 出液路徑110而引導至廢液處理設備。 另外，旋轉夾盤3係在位於與處理位置不同之腔室洗淨位 置的狀態下實行腔室洗淨處理。關於腔室洗淨 盤3係較處理位置時更接近蓋構件7。在腔室本體6之間隔 壁9内面（密閉腔室2之内壁面）上’於被保持在位於處理位 置之旋轉夾盤3的晶圓W周圍所面對之區域中，於液處理 時附著有從晶圓w飛濺出之處理液。在旋轉夾盤3或密閉 腔室2位於處理位置的狀態下，實行腔室洗淨處理，而於化 學藥劑處理時或清洗處理時，由晶圓W周緣所飛濺出而附 著在腔室本體6之間隔壁9内面之處理液(化學藥劑和包含 化學藥劑之清洗液）落在旋轉夾盤3，而會有污染該旋轉夾 100110975 56 201203346 盤3之虞:於是在洗淨密閉腔室2時，旋轉夾盤3較處理位 置更接近蓋構件7。藉此，於被㈣在位於處理位置之旋轉 夾盤3的晶圓W周圍所面對之間隔壁9内面的區域，係相 較於位於腔室洗淨位置之旋轉夾盤3而位於更低的位置。因 此，於密閉腔室2之洗淨時，可以抑制從密閉腔室〗之内壁 面所去除之處理液掉落並附著在旋轉夾盤3上。 另外’亦可以在對晶圓W __料的洗淨處理巾進行腔室 洗淨處理。㈣室洗淨處_㈣於清洗纽後且乾燥處理 前進行。具體來說’在密閉腔室2内之氟化物離子殘量到達 既定低值之後，可實行腔錢淨處理。此時，可認為是晶圓 W被保持於旋盤3’藉由腔室洗淨處理而洗淨液加在晶 圓W。這個情形下’係、期望以不經由洗淨液供應氧至晶圓 W上之方式’採用惰性氣體溶存水做為洗淨液。又，於一 連串晶圓洗淨處財進行腔室洗淨處理之情形，係以腔室洗 淨處理μ彳σ 29之氮氣供應為佳。藉 此，即便是在腔室洗淨處理中，亦可以將㈣腔室2内㈣ 於低氧濃度狀態。 又’在-連串處理(針對晶圓w之洗淨處理）中，化學藥 劑處理時之㈣腔室2巾氮_供應流量射與氮氣驅淨 時為相同流量’也可以錢氣驅淨時為更大流量。又，清洗 處理時之㈣腔室2中氮氣的供應流量係可與氮氣驅淨時 為相同流量，也可以較氮氣驅淨時為更大流量。此外，乾燥 100110975 57 201203346 處理時之密閉腔室2中氮氣的供應流量係可與氣氣驅淨時 為相同流量，也可以較氮氣驅淨時為更大流量。 如上所述，當根據此實施形態，則密閉腔室2之内部空間 被密閉著。又’其内部空間之容積可縮小。因而可良好地進 行密閉腔室2内部空間的環境控制。因此，可將内部空間之 垓境控制為充分的低氧環境’藉此，在充分減低氧濃度之環 土兄下 了對晶圓W施以利用處理液之處理。 又，蓋構件7與腔室本體6之間係藉由第一液體密封構造 而密封。因此，即使是在蓋構件7之旋轉狀態下，亦可以將 密閉腔室2之内部空間保持為密閉狀態。另外，因為採用液 體密封構造，所以相較於採用接觸式密封時，幾乎不會產生 發塵或密封性的降低。藉此，可經過長時間良好地保持蓋構 件7與腔家本體6之間的密封。 如上所述，在此實施形態中，透過將腔室本體6與可旋轉 的蓋構件7與其間予以密封之第一液體密封構造8，而可將 密閉空間匾劃開。可旋轉的蓋構件係因也可以擔當將晶圓W 表面之上方空間由其側邊之環境隔離開的功能，故而沒有另 外在密閉交間内具備隔離構件的必要。因此，可縮小密閉空 間之容積，所以亦可以充分控制其内部環境。藉此，可將密 閉腔室2之内部空間的環境控制在充分的低氧環境。 又，在旎轉夾盤3位於不同於處理位置之腔室洗淨位置的 狀態下，密閉腔室2内被洗淨。於腔室洗淨位置，旋轉夹盤 100110975 58 201203346 3較位於處理位置時更接近蓋構件7。在密閉腔室2之内壁 面，被保持在位於處理位置之旋轉夾盤3的晶圓W周圍所 相對向之區域中’附著有在化學藥劑處理時和清洗處理時由 晶圓W所飛濺出之處理液(化學藥劑或包含化學藥劑之清洗 液）。於是在將密閉腔室2洗淨時’係使旋轉夾盤3較位於 處理位置時更接近蓋構件7。藉此，例如由位於處理位置之 旋轉夾盤3所保持之晶圓貿周圍所相對向的内壁面區域， 係相較於位於腔室洗淨健之㈣缝3而位於更低之位 置因此於在閉腔至2内壁面洗淨時，可抑制由密閉腔室 2之内壁面所去除掉之處理液(化學_處理時和清洗處理 時所附著之處理液)掉落且附著在旋轉夾盤3。藉此，因為 可以抑制旋轉夾盤3之污染，故而可以抑制由旋轉夾盤3 所保持之晶圓W的污染。 f外，支撺處理液喷嘴4之噴嘴懸臂15，係經由間隔壁9 之通過孔U，並跨過密_室2㈣岐 動 嘴懸臂15之魏魅嫌· „ m 4動噴 直線驅動機構％係被配置於密閉腔室2外。此 直線驅動機構36係針對噴嘴縣臂 之部分鈐入居……松閉腔室2所露出 别° ，並藉以使噴嘴懸臂15進行移動获μ 透過來自密閉腔室2外之直線驅動機構36_動力而; ::理液喷嘴？密閉腔室2内進行移動。因為:直線:動可 機構36配置於密閉腔室 空間之容積。 夕卜所以可減少密閉腔室2内部 100Π0975 59 201203346 了 ’腔至2之内部空間呈密閉，且其内部空間被減少。因 *八L良好地進行密閉腔室2之内部空間的環境。因此，於 之Z民氧濃度之環境下’可針對晶圓W施以利用處理液 所獲得之 &下係針對藉由基板處理裝置1處理晶圓w 測量結果等進行說明。 么表示丨月丨生氣體溶存水中之氧濃度與鋼之姓刻量的 與从圖。亥圖13係針對晶圓W表面進行利用稀氫氟酸之化 =樂劑處理（聚合物去除處理）時之銅㈣量(膜減少）的測量 、、’。稀氫氟酉夂係使用將氫氟酸與純水之比例調和成^: 1〇〇 者=稀氫氟酸中所含有之氫氟酸係使用未除去氧者。在 此測里中所使用之稀氫氟酸，係相對於純水比例為氫敦酸比 ，非常小’故而稀氫氟酸中之氧濃度係可視為與調和該稀氫 氟㈣所使用之惰性氣贿存水巾的氧濃度大致相等。化學 藥劑處理時間係60秒鐘。 於此圖13巾，最左邊的測量值(最左邊之籲值)係藉由氧 濃度12pPb之舰氣體溶存水來調和稀氫氟酸，並使用此稀 氫氟酸進行化學_處理時之銅的㈣量士左邊第二個 測量值(左邊第二個籲值)係藉由氧濃度2_之惰性氣體溶 存水來調和稀氫氟酸，並❹此稀氫氟酸騎化學藥劑處理 時之銅的_量。由圖13所示測量結果可以理解到，若使 用以氧濃度2〇PPb以下之惰絲财存水所神之稀氫氟 100Π0975 60 201203346 酸來進行化學_處理的話，則可以確實地抑制或防止鋼的 蝕刻。亦即，可理解到··若為以氧濃度20PPb以下之惰性氣 體溶存水所調和之稀氫氟酸，則可以確實地抑制或防止銅氧 化物的生成。 圖14係表示晶圓W上方之氧濃度與供應至晶圓％表面 之純水中之氧濃度的關係圖。此圖14係在使旋轉夾盤3位 於處理位置之狀態下，使惰性氣體溶存水從處理液喷嘴4 朝向被旋轉夾盤3所保持之晶圓冒表面進行吐出’並對於 供應至晶圓W表面之惰性氣體溶存水的氧濃度進行測量之 結果。由處理液噴嘴4吐出氧濃度已調整為丨〇 p p b之惰性氣 體溶存水。 在該圖14中，最左邊之測量值（最左邊之值)係晶圓w 上方之氧濃度為〇.〇〇l%(l〇ppm)時，被供應至晶圓w表面 之惰性氣體溶存水的氧濃度值’此時之惰性氣體溶存水中之 氧濃度係12ppb。又，左邊第二個測量值(左邊第二個_值) 係晶圓W上方之氧濃度為〇.〇l%(l〇〇ppm)時，被供應至晶 圓W表面之惰性氣體溶存水的氧濃度值，此時之惰性氣體 溶存水中之氧濃度係20ppb。 由圖14所示測量結果可知，於將氧濃度調整為i〇ppb之 純水朝向晶圓W表面吐出時’若晶圓W上方之氧濃度為 lOOppm以下的話，則可以將被供應至晶圓W表面之純水的 氧濃度維持在20ppb以下。因此，當考慮到圖13所示測量 100110975 61 201203346 結果時’若將晶圓W上方之氧濃度設為lOOppm以下，使 氧濃度為lOppb以下之稀氫氟酸朝向晶圓W表面進行吐 出，則可以將被供應至晶圓W表面之稀氫氟酸的氧濃度維 持在20ppb以下，藉此，因稀氫氟酸中之溶存氧而可以確實 地抑制或防止銅被氧化。 圖15係表示純水中之氧濃度與純水中之氮濃度的關係 圖。在該圖15中，以單點虛線所示之值係由純水馬上除去 氧後之氧濃度測量值，以實線所示之值係將以單點虛線所示 之值為止除去氧之純水在開放為大氣環境下10秒鐘以上後 之氧濃度的測量值。又，沒有對純水添加氮氣時之純水中的 氮濃度為3ppm。 由圖15所示測量結果可知，當純水中氮濃度未滿7ppm 時，純水中之氧濃度會隨著時間的經過而上升。因此，藉由 添加氮氣至純水中，使純水中之氮濃度為7ppm以上，則可 以抑制或防止純水中之氧濃度隨著時間的經過而上升。藉 此，可將已除去氧之純水中的氧濃度維持在較低狀態下。 圖16係用以說明本發明之其他實施形態之基板處理裝置 之構成的圖解俯視圖。於此圖16所示實施形態中，關於已 在圖1〜圖15所示實施形態中表示之各部分所對應之部分， 係賦予與第一實施形態相同之參照元件符號而表示之，省略 其說明。此圖16所示實施形態與圖1〜圖15所示實施形態 不同之處，在於作為使處理液喷嘴4驅動之驅動機構，係採 100110975 62 201203346 用直線驅動機構(直線驅動單元）丨5〇取代直線驅動機構36。 此直線驅動機構15〇係具備有：將連結位置可變位地連結 至喷嘴懸臂15的驅動懸臂ι51 ;與使驅動懸臂ι51在既定 錯直轴線(搖動軸線)Cl周圍進行搖動的馬達152(搖動驅動 單元）。 於喷嘴懸臂15之基端部，係連結有連結構件153。連結 構件I53储由兩根導軸被導引往沿著基準線[丨之方 向的移動。於此連結構件153，具有在水平方向延伸之插通 孔155之轉動# 156 ’係可轉動自在地被讀於蚊錯直軸 線C2周圍。驅動懸臂151進出自在地插通於此插通孔155, 轉動片156係相對於噴嘴懸臂I5移動自在地被裝設在其長 邊方向透過來自馬達152之旋轉驅動力被輸入至驅動懸臂 則驅動懸臂151可於鉛直軸線ci周圍在既定範圍内 進龍動。連結構件153係因藉由導轴154而被導引，故而 伴Ik著驅動H 151之角度(搖動角度)變化，轉動片⑼進 行相對於驅動懸臂151之長邊方向的移動，同時轉動片156 旋轉在錯直軸線C2周圍並變更姿勢，連結構件153沿著基 準線U進行移動，航，噴°_ 15在基準上進行 直線移動。另外，隨著驅動懸臂⑸之搖動，轉動片156 與駆動懸臂151之基端之間的距離(亦即，錯直軸線^與紐 直軸線C2之間的距離）進行變化。 如此隨著驅動懸臂151之搖動，噴嘴懸臂15在基準線L1 100110975 63 201203346 上進行直線移動（進出或退避）’透過此噴嘴懸臂15之移動， 則處理液喷嘴4可在由旋轉夾盤3所保持之晶圓w側邊的 退壁位置（圖16中以虛線圖示）與由旋轉夾盤3所保持之晶 圓W表面上（圖16中以兩點虛線圖示）之間進行移動。藉 此，於晶圓W表面上’來自處理液嘴嘴4之處理液可在吐 出位置進行移動。 圖17係用以說明本發明之再一其他實施形態之基板處理 裝置之構成的圖解俯視圖。於此圖Π所示之實施形態中， 關於已在圖卜圖15所示實施形態中表示之各部分所對應之 部分’係賦予與第一實施形態相同之參照元件符號而表示 之，省略其說明。此圖17所示實施形態與圖1〜圖15所示 實施形態之主要不同處，在於採用圓弧驅動機構（圓弧驅動 單元）160取代直線驅動機構36。 在此實施形態中，基準線L2係非直線狀，而為以既定鉛 直軸線C3為中心之圓弧狀物。基準線L2係通過旋轉軸線C 上。因此，此貫施形態中係採用以船直轴線C3為中心之形 成為圓弧狀的喷嘴懸臂MA作為噴嘴懸臂，且通過孔14和 第一及第二插通孔123、113(圖17中未圖示）之内周面亦非 平面，而形成為曲面狀（圓弧狀）。 圓弧驅動機構160係具備有連結至噴嘴懸臂15A之基端 部的驅動懸臂161 ;與使驅動懸臂161在既定鉛直軸線C3 周圍進行搖動的馬達162(搖動驅動單元）。透過來自馬達162 100110975 64 201203346 之旋轉驅動力被輸入至驅動懸臂161，則驅動懸臂161可於 鉛直軸線C3周圍進行搖動，伴隨於此，喷嘴懸臂15A在基 準線L2上進行移動。藉此，可使處理液喷嘴4在由旋轉夾 盤3所保持之晶圓W側邊的退壁位置（圖17中以虛線圖 示）、與由旋轉夾盤3所保持之晶圓W表面上（圖17中以兩 點虛線圖示）之間進行移動，於晶圓W表面上，來自處理液 喷嘴4之處理液可在吐出位置進行移動。 以上，針對此發明之三個實施形態進行說明，本發明係亦 能以其他形態實施。 例如，在晶圓W搬出/搬進之際，旋轉夾盤3不是在旋轉 乾燥位置，而是在晶圓W從旋轉乾燥位置離開上方（旋轉夾 盤3接近蓋構件7)的搬出/搬進位置，由旋轉夾盤3所保持 著亦可。 又，並非使旋轉夾盤3升降之構成，而亦可以是使密閉腔 室2升降之構成。另外，還可以是使旋轉夾盤3及密閉腔室 2進行升降之構成。該等情形下，用以使密閉腔室2升降之 升降機構係例如結合至腔室本體6。然後，在使密閉腔室2 升降之際，連同密閉腔室2(亦即，腔室本體6及蓋構件7) 之升降，係有使喷嘴懸臂15和喷嘴驅動馬達139等驅動機 構升降之必要。 又，喷嘴懸臂15之剖面形狀不僅是矩形形狀，亦可為圓 形形狀。 100110975 65 201203346 另外，藉由對密閉腔室2之形狀下的工夫，則在將喷嘴懸 臂驅動機構收納到密閉腔室2内而可縮小密閉腔室2内之容 積的情形下’也可以將直線驅動機構36、直線驅動機構150 或圓弧驅動機構丨6〇收納在密閉腔室2内。 此外，亦可為旋轉夾盤3相對於腔室本體6(密閉腔室2) 無法升降之構成。此時’不需要夾盤升降機構100之構成。 又，亦可以取代屬於移動噴嘴之處理液喷嘴4，而採用在 旋轉夾盤3上方將其吐出口朝向晶圓W表面（例如，中央部) 而固定配置的處理液喷嘴。此情形下，不需要直線驅動機構 36、直線驅動機構150或圓弧驅動機構160之構成。 又，亦可為蓋構件7相對於腔室本體6無法旋轉之構成。 此時’不需要蓋構件旋轉機構32之構成。 係已針對本發明之實施形態進行詳細說明，但是該等内容 均僅是為了明白本發明之技術性内容而所使用之具體例，而 本發明並不是被解釋為限定於該等具體例，本發明之範圍係 僅是根據所添附之申請專利範圍而限定。 本申請案係對應於2010年3月31曰向曰本專利局所提出 之申凊案特願2010-82247號及特願2010-82248號，該申請 案之全部揭示係引用而組入於此。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之—實施形態之基板處理裳置構成的 圖解剖面圖。 100110975 66 201203346 圖2係用以說明圖1所示基板處理裝置之構成的圖解俯視 圖。 圖3係用以說明圖1所示第一液體密封構造及其周邊之構 成的圖解剖面圖。 •圖4係用以說明圖1所示第二液體密封構造及其周邊之構 ' 成的圖解剖面圖。 圖5係用以說明圖1所示第三密封構造之構成的圖解剖面 圖。 圖6係由圖5之切剖面線VI-VI所見之剖面圖。 圖7係由圖5之切剖面線VII-VII所見之别面圖。 圖8係用以對圖2所示處理模組供應處理液之構成的示意 圖。 圖9係圖1所示基板處理裝置上所具備之配管的圖解圖。 圖10係用以說明圖1所示基板處理裝置之電氣構成的方 塊圖。 圖11係用以說明藉由圖1所示基板處理裝置所處理過之 晶圓W之表面狀態一例的剖面圖。 • 圖12A係用以說明圖1所示基板處理裝置之基板處理例 的圖解剖面圖。 圖12B係表示圖12A之後續步驟的圖解剖面圖。 圖12C係表示圖12B之後續步驟的圖解剖面圖。 圖12D係表示圖12C之後續步驟的圖解剖面圖。 100110975 67 201203346 圖12E係表示圖12D之後續步驟的圖解剖面圖。 圖12F係表示腔室洗淨步驟之圖解剖面圖。 圖13係表示惰性氣體溶存水中之氧濃度與銅之餘刻量的 關係圖。 圖14係表示晶圓上方之氧濃度與供應至晶圓上面之純水 中之氧濃度的關係圖。 圖15係表示純水中之氧濃度與純水中之氮濃度的關係 圖。 圖16係用以說明本發明之其他實施形態之基板處理裝置 之構成的圖解俯視圖。 圖17係用以說明本發明之再一其他實施形態之基板處理 裝置之構成的圖解俯視圖。 【主要元件符號說明】 1 基板處理裝置 2 密閉腔室 3 旋轉夾盤 4 處理液喷嘴 5 上部開口 6 腔室本體 7 蓋構件 8 第一液體密封構造 9 間隔壁 100110975 68 201203346 ίο 11 12 13 14 15 15A 17 18 19 20 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 圓筒部 傾斜部 底部 第二液體密封構造 通過孔 喷嘴懸臂 喷嘴懸臂 第一圓錐面 圓筒面 廢液引導面 排出液溝槽 平板部 基板對向面 上旋轉軸 處理液上喷嘴 處理液上吐出口 碳酸水閥 惰性氣體流通路徑 惰性氣體吐出口（惰性氣體供應單元) 惰性氣體閥 蓋懸臂 蓋構件旋轉機構 100110975 69 201203346 33 34 35 36 37 38 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 53 54 55 59 蓋構件升降機構 洗淨液喷嘴 洗淨液閥 直線驅動機構 第三密封構造 處理液供應管 基台 旋轉馬達 旋轉軸 旋轉基台 挾持構件 覆蓋構件 鍔狀構件 水平部 内壁部 外壁部 惰性氣體溶存水生成單元 配管内調和單元 化學藥劑供應單元 供應配管 化學藥劑供應配管 混合部 100110975 70 201203346 60 61 62 63 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 87 88 89 閥 流量調整閥 化學藥劑閥 化學藥劑流量調整閥 化學藥劑槽 泵 過滤器 氣體除去單元 化學藥劑供應管 化學藥劑閥 惰性氣體供應管 惰性氣體閥 配管 内配管 外配管 惰性氣體閥 惰性氣體供應管 排氣閥 排氣配管 層間絕緣膜 下佈線溝槽 銅佈線 100110975 71 201203346 90 91 92 93 100 101 102 103 104 105 106 107 108 110 111 112 113 114 115 116 117 118 蝕刻阻擋膜 低介電係數絕緣膜 上佈線溝槽 通孔 夾盤升降機構 密封環 突出條物 下面 第一密封溝槽 上端面 内壁部 外壁部 密封用液體供應喷嘴 排出液路徑 氣體密封部 氣體密封本體 第二插通孔 第二環狀溝槽 氣體導入連接路徑 氣體導入口 氣體導出連接路徑 氣體導出口 100110975 72 201203346 119 排氣路徑 120 第二流通路徑 121 液體密封部 122 液體密封本體 123 第一插通孔 124 第一環狀溝槽 125 液體導入連接路徑 126 液體導入口 127 液體導出連接路徑 128 液體導出口 129 廢液路徑 130 第一流通路徑 131 控制裝置 139 喷嘴驅動馬達 140 輸出轴 141 滑輪 142 時限皮帶 143 連結構件 144 線性導引器 146 内壁部 147 外壁部 148 第二密封溝槽 100110975 73 201203346 150 直線驅動機構 151 驅動懸臂 152 馬達 153 連結構件 154 導軸 155 插通孔 156 轉動片 160 圓弧驅動機構 161 驅動懸臂 162 馬達 200 下部開口 201 純水配管 C 旋轉軸線 Cl 鉛直軸線 C2 鉛直軸線 C3 鉛直軸線 LI 基準線 L2 基準線 Ml 處理模組 M2 處理模組 W 晶圓 100110975