JP2003007664A - 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 - Google Patents
枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置Info
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- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ表面を薬液によりウェット洗浄するに
際し、ウエハ裏面への薬液の回り込みを有効に防止し得
る枚葉式ウェット洗浄技術を提供する。 【解決手段】 回転支持した一枚のウエハＷの表面Ｗａ
に対して、複数の薬液を上方向から順次供給してウエッ
ト洗浄するに際し、ウエハＷの裏面Ｗｂに対して純水を
噴出供給することにより、この純水が、裏面Ｗｂを洗浄
するとともに、裏面Ｗｂへの薬液の回り込みを有効に防
止する。
際し、ウエハ裏面への薬液の回り込みを有効に防止し得
る枚葉式ウェット洗浄技術を提供する。 【解決手段】 回転支持した一枚のウエハＷの表面Ｗａ
に対して、複数の薬液を上方向から順次供給してウエッ
ト洗浄するに際し、ウエハＷの裏面Ｗｂに対して純水を
噴出供給することにより、この純水が、裏面Ｗｂを洗浄
するとともに、裏面Ｗｂへの薬液の回り込みを有効に防
止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は枚葉式基板洗浄方
法および枚葉式基板洗浄装置に関し、さらに詳細には、
半導体や電子部品等のディバイス製造工程において、半
導体ウエハ等の基板を一枚ずつウェット洗浄処理するた
めの枚葉式ウェット洗浄技術に関する。
法および枚葉式基板洗浄装置に関し、さらに詳細には、
半導体や電子部品等のディバイス製造工程において、半
導体ウエハ等の基板を一枚ずつウェット洗浄処理するた
めの枚葉式ウェット洗浄技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板（以下単にウエハ
と称する）をウェット洗浄する方法としては、従来、複
数の洗浄槽が連続して配列されてなるウェットベンチタ
イプの洗浄槽に対して、キャリアカセットに収納した複
数枚のウエハを、またはキャリアカセットを省略して直
接複数枚のウエハを搬送装置により順次浸漬して処理す
るいわゆるバッチ式ウェット洗浄が主流であったが、半
導体装置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構
造の微細化、高集積化に伴って、ウエハの表面にも非常
に高い清浄度が要求されている昨今、より高い清浄度の
要求を満足するウェット洗浄技術として、密閉された洗
浄ハウジング内でウエハを一枚ずつカセットレスでウェ
ット洗浄するいわゆる枚葉式ウェット洗浄が開発提案さ
れるに至った。
と称する）をウェット洗浄する方法としては、従来、複
数の洗浄槽が連続して配列されてなるウェットベンチタ
イプの洗浄槽に対して、キャリアカセットに収納した複
数枚のウエハを、またはキャリアカセットを省略して直
接複数枚のウエハを搬送装置により順次浸漬して処理す
るいわゆるバッチ式ウェット洗浄が主流であったが、半
導体装置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構
造の微細化、高集積化に伴って、ウエハの表面にも非常
に高い清浄度が要求されている昨今、より高い清浄度の
要求を満足するウェット洗浄技術として、密閉された洗
浄ハウジング内でウエハを一枚ずつカセットレスでウェ
ット洗浄するいわゆる枚葉式ウェット洗浄が開発提案さ
れるに至った。
【０００３】この枚葉式ウェット洗浄にあっては、パー
ティクルの再付着等もなく高い清浄度雰囲気での洗浄を
高精度に行なうことができ、しかも装置構成が単純かつ
コンパクトで多品種少量生産にも有効に対応できるとい
う利点がある。
ティクルの再付着等もなく高い清浄度雰囲気での洗浄を
高精度に行なうことができ、しかも装置構成が単純かつ
コンパクトで多品種少量生産にも有効に対応できるとい
う利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、この枚葉式ウ
ェット洗浄においては、ウエハの表面つまり上側面に対
してのみ各種の薬液による洗浄処理が予め定められた順
序で行われている。
ェット洗浄においては、ウエハの表面つまり上側面に対
してのみ各種の薬液による洗浄処理が予め定められた順
序で行われている。
【０００５】ところで、このようにウエハの表面のみを
対象としたウェット洗浄においては、ウエハの表面に供
給された薬液がウエハの裏面側へ回り込んで、この裏面
を汚染するおそれがあった。そして、このようにウエハ
の裏面が汚染されてしまうと、このウエハを取り扱うハ
ンドリング冶具、例えばスカラ形ロボットのロボットハ
ンドなども汚染されてしまい、さらには、この汚染され
たロボットハンドによりハンドリングされる他のウエハ
も連鎖的に汚染されてしまうという問題があった。
対象としたウェット洗浄においては、ウエハの表面に供
給された薬液がウエハの裏面側へ回り込んで、この裏面
を汚染するおそれがあった。そして、このようにウエハ
の裏面が汚染されてしまうと、このウエハを取り扱うハ
ンドリング冶具、例えばスカラ形ロボットのロボットハ
ンドなども汚染されてしまい、さらには、この汚染され
たロボットハンドによりハンドリングされる他のウエハ
も連鎖的に汚染されてしまうという問題があった。
【０００６】この点に関して、近時、ウエハの表面へ供
給される薬液の裏面への回り込み防止する技術の開発が
強く要望されており、この種の薬液回り込み防止技術と
して、例えば図７に示されるものが既に提案されている
（特開２０００−３４３０５４号公報参照）。
給される薬液の裏面への回り込み防止する技術の開発が
強く要望されており、この種の薬液回り込み防止技術と
して、例えば図７に示されるものが既に提案されている
（特開２０００−３４３０５４号公報参照）。
【０００７】この薬液回り込み防止技術は、ウエハＷを
基板回転部ａにより回転支持しながら、ウエハＷの表面
Ｗａに対して薬液を供給するところ、ウエハＷの下側の
環状ノズルｂからガスを供給して、支持部材ｃにより側
方へのスライドを防止しながらウエハＷを浮上させると
ともに、図７(b)に示すように、ウエハＷの表面Ｗａか
ら裏面Ｗｂ側へ回り込んだ薬液を吹き飛ばす構成とされ
ている。
基板回転部ａにより回転支持しながら、ウエハＷの表面
Ｗａに対して薬液を供給するところ、ウエハＷの下側の
環状ノズルｂからガスを供給して、支持部材ｃにより側
方へのスライドを防止しながらウエハＷを浮上させると
ともに、図７(b)に示すように、ウエハＷの表面Ｗａか
ら裏面Ｗｂ側へ回り込んだ薬液を吹き飛ばす構成とされ
ている。
【０００８】しかしながら、このようなガスにより薬液
を吹き飛ばす方式では、裏面Ｗｂの洗浄ができず、汚染
を完全に防止することは困難であり、さらなる改良が要
望されていた。
を吹き飛ばす方式では、裏面Ｗｂの洗浄ができず、汚染
を完全に防止することは困難であり、さらなる改良が要
望されていた。
【０００９】本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであって、その目的とするところは、密閉され
た洗浄室内でウエハの表面を薬液によりカセットレスで
ウェット洗浄するに際して、ウエハの裏面への薬液の回
り込みを有効に防止し得る枚葉式ウェット洗浄技術を提
供することにある。
れたものであって、その目的とするところは、密閉され
た洗浄室内でウエハの表面を薬液によりカセットレスで
ウェット洗浄するに際して、ウエハの裏面への薬液の回
り込みを有効に防止し得る枚葉式ウェット洗浄技術を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の枚葉式基板洗浄方法は、密閉された洗浄ハ
ウジング内において、ウエハを一枚ずつカセットレスで
ウェット洗浄する枚葉式基板洗浄方法であって、回転支
持したウエハの表面に対して、上側供給ノズルにより複
数の薬液を上方向から順次供給して薬液洗浄するととも
に、この薬液洗浄中、上記ウエハの裏面に対して、下側
供給ノズルにより純水を噴出供給するようにしたことを
特徴とする。
め、本発明の枚葉式基板洗浄方法は、密閉された洗浄ハ
ウジング内において、ウエハを一枚ずつカセットレスで
ウェット洗浄する枚葉式基板洗浄方法であって、回転支
持したウエハの表面に対して、上側供給ノズルにより複
数の薬液を上方向から順次供給して薬液洗浄するととも
に、この薬液洗浄中、上記ウエハの裏面に対して、下側
供給ノズルにより純水を噴出供給するようにしたことを
特徴とする。
【００１１】好適な実施態様として、回転支持した上記
ウエハの裏面の径方向中心部位に対して、上記下側供給
ノズルにより純水を噴射供給することにより、この噴出
供給された純水が、上記ウエハの回転による遠心力で、
ウエハの裏面に沿って放射方向へ流れながら、この裏面
を純水洗浄するようにする。また、上記下側供給ノズル
からの純水の噴出供給は、この噴出供給された純水が、
その噴出力により上記ウエハを浮上させるとともに、こ
のウエハの回転による遠心力によって、ウエハの裏面に
沿ってその外周縁まで到達するように設定する。
ウエハの裏面の径方向中心部位に対して、上記下側供給
ノズルにより純水を噴射供給することにより、この噴出
供給された純水が、上記ウエハの回転による遠心力で、
ウエハの裏面に沿って放射方向へ流れながら、この裏面
を純水洗浄するようにする。また、上記下側供給ノズル
からの純水の噴出供給は、この噴出供給された純水が、
その噴出力により上記ウエハを浮上させるとともに、こ
のウエハの回転による遠心力によって、ウエハの裏面に
沿ってその外周縁まで到達するように設定する。
【００１２】また、本発明の枚葉式基板洗浄装置は、上
記洗浄方法を実施するために適したものであって、密閉
された洗浄ハウジング内において、ウエハを一枚ずつカ
セットレスでウェット洗浄する枚葉式基板洗浄装置であ
って、上記洗浄ハウジング内に、一枚のウエハを水平状
態で支持回転する基板回転手段と、この基板回転手段の
外周部に、基板回転手段に回転支持されるウエハの洗浄
処理用空間を形成する洗浄チャンバと、上記基板回転手
段に回転支持されるウエハの表面に薬液を供給する薬液
供給手段と、上記基板回転手段に回転支持されるウエハ
の裏面に純水を供給する純水供給手段とを備えてなり、
上記基板回転手段に回転支持されるウエハの表面に対し
て、上記薬液供給手段により、複数の薬液が上方向から
順次供給されると同時に、上記純水供給手段により、上
記ウエハの裏面に対して純水が噴出供給されるように構
成されていることを特徴とする。
記洗浄方法を実施するために適したものであって、密閉
された洗浄ハウジング内において、ウエハを一枚ずつカ
セットレスでウェット洗浄する枚葉式基板洗浄装置であ
って、上記洗浄ハウジング内に、一枚のウエハを水平状
態で支持回転する基板回転手段と、この基板回転手段の
外周部に、基板回転手段に回転支持されるウエハの洗浄
処理用空間を形成する洗浄チャンバと、上記基板回転手
段に回転支持されるウエハの表面に薬液を供給する薬液
供給手段と、上記基板回転手段に回転支持されるウエハ
の裏面に純水を供給する純水供給手段とを備えてなり、
上記基板回転手段に回転支持されるウエハの表面に対し
て、上記薬液供給手段により、複数の薬液が上方向から
順次供給されると同時に、上記純水供給手段により、上
記ウエハの裏面に対して純水が噴出供給されるように構
成されていることを特徴とする。
【００１３】好適な実施態様として、上記純水供給手段
は、上記基板回転手段に回転支持されたウエハの裏面に
純水を噴射供給する噴射ノズルを備え、この噴射ノズル
は、上記基板回転手段の回転可能な回転軸の上端部位に
おいて、上向きにかつ固定的に設けられるとともに、純
水供給源に連通可能とされている。また、上記噴射ノズ
ルは、上記配管に連通する貯留部と、この貯留部に設け
られた複数の噴射孔から構成されている。
は、上記基板回転手段に回転支持されたウエハの裏面に
純水を噴射供給する噴射ノズルを備え、この噴射ノズル
は、上記基板回転手段の回転可能な回転軸の上端部位に
おいて、上向きにかつ固定的に設けられるとともに、純
水供給源に連通可能とされている。また、上記噴射ノズ
ルは、上記配管に連通する貯留部と、この貯留部に設け
られた複数の噴射孔から構成されている。
【００１４】本発明の枚葉式基板洗浄においては、密閉
された洗浄ハウジング内において、ウエハを一枚ずつカ
セットレスでウェット洗浄するところ、回転支持したウ
エハの表面に対して、上側供給ノズルにより複数の薬液
を上方向から順次供給して洗浄する。この際、上記ウエ
ハの裏面に対しては、下側供給ノズルにより純水を噴出
供給することにより、この裏面への薬液の回り込みを有
効に防止する。
された洗浄ハウジング内において、ウエハを一枚ずつカ
セットレスでウェット洗浄するところ、回転支持したウ
エハの表面に対して、上側供給ノズルにより複数の薬液
を上方向から順次供給して洗浄する。この際、上記ウエ
ハの裏面に対しては、下側供給ノズルにより純水を噴出
供給することにより、この裏面への薬液の回り込みを有
効に防止する。
【００１５】すなわち、ウエハの表面に対して供給され
た薬液は、ウエハの回転による遠心力でウエハの外周縁
へ向かって流れた後、この外周縁から裏面へ回り込もう
とする。したがって、ウエハの表面を薬液洗浄する場合
に、ウエハの裏面に純水を噴射供給することにより、こ
の噴射供給された純水が、上記ウエハの回転による遠心
力で、ウエハの裏面に沿って放射方向へ流れながら、こ
の裏面を純水洗浄するとともに、ウエハの表面から裏面
へ回り込もうとする薬液に対してシール作用をなして、
ウエハの裏面の薬液による汚染を有効に防止する。
た薬液は、ウエハの回転による遠心力でウエハの外周縁
へ向かって流れた後、この外周縁から裏面へ回り込もう
とする。したがって、ウエハの表面を薬液洗浄する場合
に、ウエハの裏面に純水を噴射供給することにより、こ
の噴射供給された純水が、上記ウエハの回転による遠心
力で、ウエハの裏面に沿って放射方向へ流れながら、こ
の裏面を純水洗浄するとともに、ウエハの表面から裏面
へ回り込もうとする薬液に対してシール作用をなして、
ウエハの裏面の薬液による汚染を有効に防止する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００１７】本発明に係る枚葉式基板洗浄装置が図１に
示されており、この基板洗浄装置は、具体的には、密閉
された洗浄ハウジング１内において、ウエハＷを一枚ず
つカセットレスでウェット洗浄する構造とされ、密閉可
能な上記洗浄ハウジング１内に、一枚のウエハＷを水平
状態で支持回転する基板回転部（基板回転手段）２と、
相対的な上下方向移動が可能な洗浄チャンバ３と、ウエ
ハＷの表面Ｗａに薬液を供給する薬液供給部（薬液供給
手段）４と、ウエハＷの裏面Ｗｂに純水を供給する純水
供給部（純水供給手段）５と、酸化防止用の不活性気体
を供給する不活性気体供給部（不活性気体供給手段）６
と、これらの駆動部を相互に連動して制御する制御部７
とを主要部として構成されている。
示されており、この基板洗浄装置は、具体的には、密閉
された洗浄ハウジング１内において、ウエハＷを一枚ず
つカセットレスでウェット洗浄する構造とされ、密閉可
能な上記洗浄ハウジング１内に、一枚のウエハＷを水平
状態で支持回転する基板回転部（基板回転手段）２と、
相対的な上下方向移動が可能な洗浄チャンバ３と、ウエ
ハＷの表面Ｗａに薬液を供給する薬液供給部（薬液供給
手段）４と、ウエハＷの裏面Ｗｂに純水を供給する純水
供給部（純水供給手段）５と、酸化防止用の不活性気体
を供給する不活性気体供給部（不活性気体供給手段）６
と、これらの駆動部を相互に連動して制御する制御部７
とを主要部として構成されている。
【００１８】洗浄ハウジング１は、上部が密閉可能な洗
浄処理用の空間とされるとともに、下部が上部空間内に
配されて各種装置駆動部の設置部とされている。洗浄ハ
ウジング１の上部空間には、具体的には図示しないが、
開閉可能な基板搬入出口が設けられており、この基板搬
入出口は、その閉塞時においてこの部位の気密・水密性
が確保される構造とされている。
浄処理用の空間とされるとともに、下部が上部空間内に
配されて各種装置駆動部の設置部とされている。洗浄ハ
ウジング１の上部空間には、具体的には図示しないが、
開閉可能な基板搬入出口が設けられており、この基板搬
入出口は、その閉塞時においてこの部位の気密・水密性
が確保される構造とされている。
【００１９】基板回転部２は、一枚のウエハＷをスピン
洗浄時およびスピン乾燥時において水平状態に支持しな
がら水平回転させるもので、回転軸１０の先端部分に基
板支持部１１が水平状態で取付け支持されるとともに、
この回転軸１０を回転駆動する駆動モータ１２を備えて
なる。
洗浄時およびスピン乾燥時において水平状態に支持しな
がら水平回転させるもので、回転軸１０の先端部分に基
板支持部１１が水平状態で取付け支持されるとともに、
この回転軸１０を回転駆動する駆動モータ１２を備えて
なる。
【００２０】基板支持部１１および回転軸１０は、軸受
支持筒体１３を介して、洗浄ハウジング１の中央部に垂
直起立状態で回転可能に配置されており、基板支持部１
１に一枚のウエハＷを水平状態に支持する構成とされて
いる。
支持筒体１３を介して、洗浄ハウジング１の中央部に垂
直起立状態で回転可能に配置されており、基板支持部１
１に一枚のウエハＷを水平状態に支持する構成とされて
いる。
【００２１】具体的には、基板支持部１１は、図２およ
び図３に示すように、外周縁部に環状壁部１１ａが立ち
上げられてなる円盤の形態とされれるとともに、上記環
状壁部１１ａの上面に、ウエハＷの周縁部を載置支持す
る複数(図示の場合は４つ)の円柱状の支持体１４，１
４，…を備えてなる。
び図３に示すように、外周縁部に環状壁部１１ａが立ち
上げられてなる円盤の形態とされれるとともに、上記環
状壁部１１ａの上面に、ウエハＷの周縁部を載置支持す
る複数(図示の場合は４つ)の円柱状の支持体１４，１
４，…を備えてなる。
【００２２】これら支持体１４，１４，…は、図示のご
とく、基板支持部１１の円周方向へ等間隔をもって配さ
れており、その先端内周部分がウエハＷの外周縁Ｗｃ部
位を支持する支持凹部１４ａとされている。これら支持
体１４，１４，…の支持凹部１４ａ，１４ａ，…は、互
いに同一高さになるように設定されており、これによ
り、ウエハＷの周縁部を水平状態で載置状に支持する。
とく、基板支持部１１の円周方向へ等間隔をもって配さ
れており、その先端内周部分がウエハＷの外周縁Ｗｃ部
位を支持する支持凹部１４ａとされている。これら支持
体１４，１４，…の支持凹部１４ａ，１４ａ，…は、互
いに同一高さになるように設定されており、これによ
り、ウエハＷの周縁部を水平状態で載置状に支持する。
【００２３】また、支持凹部１４ａの支持面は、具体的
には図示しないが、ウエハＷの周縁部の輪郭形状に対応
した断面形状を有しており、これにより、ウエハＷの矩
形断面の周縁部に対して、その周縁角部を点接触状態ま
たは線接触状態で当接支持するように形成されている。
には図示しないが、ウエハＷの周縁部の輪郭形状に対応
した断面形状を有しており、これにより、ウエハＷの矩
形断面の周縁部に対して、その周縁角部を点接触状態ま
たは線接触状態で当接支持するように形成されている。
【００２４】回転軸１０は、軸受４０により、軸受支持
筒体１３を介して起立状に回転支持されるとともに、そ
の下端部が駆動モータ１２にベルト駆動可能に接続され
ている。そして、回転軸１０は、駆動モータ１２の駆動
により回転駆動されて、上記基板支持部１１が所定の回
転数をもって回転される構成とされている。回転軸１０
の回転速度は、例えば、スピン洗浄処理時においては４
０〜５０r.p.m.の低速に設定されるとともに、スピン乾
燥時においては約３０００r.p.m.の高速に設定されてい
る。
筒体１３を介して起立状に回転支持されるとともに、そ
の下端部が駆動モータ１２にベルト駆動可能に接続され
ている。そして、回転軸１０は、駆動モータ１２の駆動
により回転駆動されて、上記基板支持部１１が所定の回
転数をもって回転される構成とされている。回転軸１０
の回転速度は、例えば、スピン洗浄処理時においては４
０〜５０r.p.m.の低速に設定されるとともに、スピン乾
燥時においては約３０００r.p.m.の高速に設定されてい
る。
【００２５】また、上記回転軸１０は図示のごとく中空
筒状とされて、その中空内部に、後述する純水供給部５
の下側供給ノズル２６のための配管３０が配設されてい
る。
筒状とされて、その中空内部に、後述する純水供給部５
の下側供給ノズル２６のための配管３０が配設されてい
る。
【００２６】洗浄チャンバ３はウエハＷを洗浄処理する
部位で、その内径寸法が、後述するように、基板回転部
２の基板支持部１１との関係で設定されて、基板回転部
２の外周部に、この基板回転部２に回転支持されるウエ
ハＷの洗浄処理用空間を形成する。
部位で、その内径寸法が、後述するように、基板回転部
２の基板支持部１１との関係で設定されて、基板回転部
２の外周部に、この基板回転部２に回転支持されるウエ
ハＷの洗浄処理用空間を形成する。
【００２７】洗浄チャンバ３は、具体的には図１および
図２に示すように、その内周部に、上下方向に配列され
た複数段の円環状処理槽１５〜１８を備えるとともに、
上記基板回転部２に対して上下方向へ昇降動作可能な構
成とされている。
図２に示すように、その内周部に、上下方向に配列され
た複数段の円環状処理槽１５〜１８を備えるとともに、
上記基板回転部２に対して上下方向へ昇降動作可能な構
成とされている。
【００２８】図示の実施形態においては、上記円環状処
理槽１５〜１８が、基板回転部２の基板支持部１１に支
持されたウエハＷを取り囲むように同心状に、かつ上下
方向へ４段に配列されてなる。
理槽１５〜１８が、基板回転部２の基板支持部１１に支
持されたウエハＷを取り囲むように同心状に、かつ上下
方向へ４段に配列されてなる。
【００２９】これら円環状処理槽１５〜１８の内径縁
は、上記基板回転部２の基板支持部１１の外径縁と非接
触で、かつこれら両縁の間に形成される環状隙間が、薬
液等の下側への漏れを阻止する程度の微小間隔となるよ
うに設定されている。
は、上記基板回転部２の基板支持部１１の外径縁と非接
触で、かつこれら両縁の間に形成される環状隙間が、薬
液等の下側への漏れを阻止する程度の微小間隔となるよ
うに設定されている。
【００３０】また、洗浄チャンバ３は、図示しない昇降
ガイドを介して上下方向へ垂直に昇降可能に支持される
とともに、基板回転部２の基板支持部１１に対して所定
ストローク分ずつ昇降動作する昇降機構２０を備えてい
る。
ガイドを介して上下方向へ垂直に昇降可能に支持される
とともに、基板回転部２の基板支持部１１に対して所定
ストローク分ずつ昇降動作する昇降機構２０を備えてい
る。
【００３１】この昇降機構２０は、洗浄チャンバ３を支
える支持フレーム２１を昇降動作させる図示しない送り
ねじ機構と、この送りねじ機構を回転駆動させる駆動モ
ータ２２とからなる。
える支持フレーム２１を昇降動作させる図示しない送り
ねじ機構と、この送りねじ機構を回転駆動させる駆動モ
ータ２２とからなる。
【００３２】そして、洗浄処理工程に応じて、後述する
基板回転部２の動作と連動する駆動モータ２２の駆動に
より、上記送りねじ機構を介して、洗浄チャンバ３が、
上下方向へ所定ストロークずつ昇降されて、洗浄処理工
程を行うべき円環状処理槽１５〜１８のいずれか一つの
処理槽が、上記基板回転部２の基板支持部１１に支持さ
れたウエハＷに対して、その高さ方向位置を選択的に位
置決めされる。
基板回転部２の動作と連動する駆動モータ２２の駆動に
より、上記送りねじ機構を介して、洗浄チャンバ３が、
上下方向へ所定ストロークずつ昇降されて、洗浄処理工
程を行うべき円環状処理槽１５〜１８のいずれか一つの
処理槽が、上記基板回転部２の基板支持部１１に支持さ
れたウエハＷに対して、その高さ方向位置を選択的に位
置決めされる。
【００３３】また、具体的には図示しないが、４つの円
環状処理槽１５〜１８には、装置外部へ連通するドレン
部がそれぞれ設けられている。これらドレン部は、各処
理槽１５〜１８内の薬液または不活性気体を排出しまた
は再利用のため回収するもので、洗浄処理が行われる際
のみ開口して、他の処理槽における洗浄処理が行われて
いる場合には閉塞される構成とされている。
環状処理槽１５〜１８には、装置外部へ連通するドレン
部がそれぞれ設けられている。これらドレン部は、各処
理槽１５〜１８内の薬液または不活性気体を排出しまた
は再利用のため回収するもので、洗浄処理が行われる際
のみ開口して、他の処理槽における洗浄処理が行われて
いる場合には閉塞される構成とされている。
【００３４】薬液供給部４は、上記基板回転部２に回転
支持されるウエハＷの表面Ｗａ（図示において上面）に
薬液を供給するもので、ウエハＷの表面Ｗａに上側から
薬液を供給する上側供給ノズル２５を主要部として備え
る。
支持されるウエハＷの表面Ｗａ（図示において上面）に
薬液を供給するもので、ウエハＷの表面Ｗａに上側から
薬液を供給する上側供給ノズル２５を主要部として備え
る。
【００３５】この上側供給ノズル２５は、具体的には、
ウエハＷの表面Ｗａに薬液を噴射供給する噴射ノズルの
形態とされ、供給すべき薬液の種類に対応した数だけ配
設されるとともに、この上側供給ノズル２５は、洗浄ハ
ウジング１の外部に設けられた薬液供給源２７に連通可
能とされている。
ウエハＷの表面Ｗａに薬液を噴射供給する噴射ノズルの
形態とされ、供給すべき薬液の種類に対応した数だけ配
設されるとともに、この上側供給ノズル２５は、洗浄ハ
ウジング１の外部に設けられた薬液供給源２７に連通可
能とされている。
【００３６】図示の実施形態においては、上側噴射ノズ
ル２５は複数個が一体化された噴射ノズル部２５Ａの形
態とされており、この噴射ノズル部２５Ａは、洗浄ハウ
ジング１内の上部において、下向き状態で水平旋回可能
に設けられるとともに、図示しないスイング用の駆動モ
ータに駆動連結されている。
ル２５は複数個が一体化された噴射ノズル部２５Ａの形
態とされており、この噴射ノズル部２５Ａは、洗浄ハウ
ジング１内の上部において、下向き状態で水平旋回可能
に設けられるとともに、図示しないスイング用の駆動モ
ータに駆動連結されている。
【００３７】上記噴射ノズル部２５Ａには、供給すべき
薬液の種類に対応した数のノズル口つまり噴射ノズル２
５、２５、…が設けられ、具体的には、３つの噴射ノズ
ル２５、２５、…が設けられており（図２では一つのみ
図示）、それぞれ後述するＡＰＭ液，純水およびＤＨＦ
液の供給口として機能する。
薬液の種類に対応した数のノズル口つまり噴射ノズル２
５、２５、…が設けられ、具体的には、３つの噴射ノズ
ル２５、２５、…が設けられており（図２では一つのみ
図示）、それぞれ後述するＡＰＭ液，純水およびＤＨＦ
液の供給口として機能する。
【００３８】そして、上記噴射ノズル部２５Ａの上側噴
射ノズル２５は、基板回転部２の基板支持部１１に水平
状態で回転支持されるウエハＷの表面Ｗａに対して、そ
の外周から中心にわたって水平旋回しながら、あるいは
水平旋回して静止後に所定の薬液を噴射供給するように
構成されている。
射ノズル２５は、基板回転部２の基板支持部１１に水平
状態で回転支持されるウエハＷの表面Ｗａに対して、そ
の外周から中心にわたって水平旋回しながら、あるいは
水平旋回して静止後に所定の薬液を噴射供給するように
構成されている。
【００３９】上記薬液供給源２７は、上側噴射ノズル２
５に洗浄用の薬液を供給する供給源で、図示の実施形態
においては、選択的に、ＡＰＭ（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2
＋Ｈ 2 Ｏ）液による洗浄を行うための構成と、ＤＨＦ
（ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ）液による洗浄を行うための構成とを備
える２薬液システムであり、これに対応して、洗浄チャ
ンバ３における処理槽１５〜１８は、それぞれ、最下段
の処理槽１５がＡＰＭ液による洗浄工程用、その上の段
の処理槽１６がＤＨＦ液による洗浄工程用、その上の段
の処理槽１７が純水によるリンス用、および最上段の処
理槽１８がスピン乾燥用とされている。
５に洗浄用の薬液を供給する供給源で、図示の実施形態
においては、選択的に、ＡＰＭ（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2
＋Ｈ 2 Ｏ）液による洗浄を行うための構成と、ＤＨＦ
（ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ）液による洗浄を行うための構成とを備
える２薬液システムであり、これに対応して、洗浄チャ
ンバ３における処理槽１５〜１８は、それぞれ、最下段
の処理槽１５がＡＰＭ液による洗浄工程用、その上の段
の処理槽１６がＤＨＦ液による洗浄工程用、その上の段
の処理槽１７が純水によるリンス用、および最上段の処
理槽１８がスピン乾燥用とされている。
【００４０】そして、上記薬液供給源２７は、洗浄工程
にかかるレシピを適宜選択設定することにより、後述す
る不活性気体供給源３７との協働により、ｉ）ＡＰＭ＋
ＤＨＦ＋（Ｏ3 ＋ＤＩＷ）＋ＤＲＹ，ii）ＡＰＭ＋ＤＨ
Ｆ＋ＤＲＹ,iii）ＡＰＭ＋ＤＲＹおよびＤＨＦ＋ＤＲＹ
などの洗浄工程が選択的に実行可能な構成とされてい
る。
にかかるレシピを適宜選択設定することにより、後述す
る不活性気体供給源３７との協働により、ｉ）ＡＰＭ＋
ＤＨＦ＋（Ｏ3 ＋ＤＩＷ）＋ＤＲＹ，ii）ＡＰＭ＋ＤＨ
Ｆ＋ＤＲＹ,iii）ＡＰＭ＋ＤＲＹおよびＤＨＦ＋ＤＲＹ
などの洗浄工程が選択的に実行可能な構成とされてい
る。
【００４１】つまり、後述するように、上側噴射ノズル
２５は、上記いずれかの選択設定されたレシピに従っ
て、基板回転部２に回転支持されるウエハＷの表面Ｗａ
に対して、複数の薬液を上方向から順次供給して洗浄す
るとともに、この一連の洗浄工程において、下側供給ノ
ズル２６から純水が供給されるように駆動制御される。
２５は、上記いずれかの選択設定されたレシピに従っ
て、基板回転部２に回転支持されるウエハＷの表面Ｗａ
に対して、複数の薬液を上方向から順次供給して洗浄す
るとともに、この一連の洗浄工程において、下側供給ノ
ズル２６から純水が供給されるように駆動制御される。
【００４２】純水供給部５は、上記基板回転部２に回転
支持されるウエハＷの裏面Ｗｂ（図示において下面）に
純水を供給するもので、ウエハＷの裏面Ｗｂに下側から
純水を供給する下側供給ノズル２６を主要部として備え
る。
支持されるウエハＷの裏面Ｗｂ（図示において下面）に
純水を供給するもので、ウエハＷの裏面Ｗｂに下側から
純水を供給する下側供給ノズル２６を主要部として備え
る。
【００４３】この下側供給ノズル２６は、具体的には、
ウエハＷの裏面Ｗｂに純水を噴射供給する噴射ノズルの
形態とされるとともに、洗浄ハウジング１の外部に設け
られた純水供給源２８に連通可能とされている。
ウエハＷの裏面Ｗｂに純水を噴射供給する噴射ノズルの
形態とされるとともに、洗浄ハウジング１の外部に設け
られた純水供給源２８に連通可能とされている。
【００４４】図示の実施形態においては、下側噴射ノズ
ル２６は、基板回転部２の回転可能な回転軸１０の上端
部位に設けられて、回転支持されるウエハＷの裏面Ｗｂ
に対して上向き状態で固定的に設けられている。この下
側噴射ノズル２６は、図４に示すように、貯留部５０
と、この貯留部５０に設けられた複数の噴射孔５１、５
１、…とから構成されており、上記貯留部５０が、回転
軸１０内部に配された配管３０を介して上記純水供給源
２８に連通可能とされている。
ル２６は、基板回転部２の回転可能な回転軸１０の上端
部位に設けられて、回転支持されるウエハＷの裏面Ｗｂ
に対して上向き状態で固定的に設けられている。この下
側噴射ノズル２６は、図４に示すように、貯留部５０
と、この貯留部５０に設けられた複数の噴射孔５１、５
１、…とから構成されており、上記貯留部５０が、回転
軸１０内部に配された配管３０を介して上記純水供給源
２８に連通可能とされている。
【００４５】上記噴射孔５１、５１、…の配列構成は、
図示の実施形態においては図３に示すごとく、放射方向
へ直線状に延びて配列されているが、例えば図５(a) 、
(b)、(c) に示すような配列構成も採用可能である。
図示の実施形態においては図３に示すごとく、放射方向
へ直線状に延びて配列されているが、例えば図５(a) 、
(b)、(c) に示すような配列構成も採用可能である。
【００４６】これら図５(a) 、(b) 、(c) に示される配
列構成はいずれも、噴射孔５１、５１、…の合計開口面
積が、その中心部よりも外側周辺部分にいくに従って大
きくなるように設定されている。このような配列構成
は、後述するように、下側噴射ノズル２６からウエハＷ
の裏面Ｗｂの径方向中心部位に対して噴射供給された純
水が、ウエハＷの回転による遠心力で、ウエハＷの裏面
Ｗｂに沿って放射方向へ流れるように構成されている場
合には、有効な配列構成である。
列構成はいずれも、噴射孔５１、５１、…の合計開口面
積が、その中心部よりも外側周辺部分にいくに従って大
きくなるように設定されている。このような配列構成
は、後述するように、下側噴射ノズル２６からウエハＷ
の裏面Ｗｂの径方向中心部位に対して噴射供給された純
水が、ウエハＷの回転による遠心力で、ウエハＷの裏面
Ｗｂに沿って放射方向へ流れるように構成されている場
合には、有効な配列構成である。
【００４７】ちなみに、図５(a) に示される噴射孔５
１、５１、…は、円弧状のスリットの形態とされて、そ
の長さ寸法と幅寸法が中心部よりも外側周辺部分にいく
に従って大きくなるように設定されている。また、図５
(b) に示される噴射孔５１、５１、…は、放射方向へ延
びるスリットの形態とされて、その幅寸法が中心部より
も外側周辺部分にいくに従って大きくなるように設定さ
れている。さらに、図５(c) に示される噴射孔５１、５
１、…は、所定間隔をもって円周方向と放射方向へ配列
された円形開口の形態とされて、その径寸法が中心部よ
りも外側周辺部分にいくに従って大きくなるように設定
されている。
１、５１、…は、円弧状のスリットの形態とされて、そ
の長さ寸法と幅寸法が中心部よりも外側周辺部分にいく
に従って大きくなるように設定されている。また、図５
(b) に示される噴射孔５１、５１、…は、放射方向へ延
びるスリットの形態とされて、その幅寸法が中心部より
も外側周辺部分にいくに従って大きくなるように設定さ
れている。さらに、図５(c) に示される噴射孔５１、５
１、…は、所定間隔をもって円周方向と放射方向へ配列
された円形開口の形態とされて、その径寸法が中心部よ
りも外側周辺部分にいくに従って大きくなるように設定
されている。
【００４８】上記配管３０は、中空円筒状とされた回転
軸１０の中空内部に上下方向へ貫通して、かつ図示しな
い支持構造により、回転軸１０と非接触状態で固定的に
配されている。
軸１０の中空内部に上下方向へ貫通して、かつ図示しな
い支持構造により、回転軸１０と非接触状態で固定的に
配されている。
【００４９】この配管３０の上端部には、円板状の排水
受部３１が一体的に設けられており、この排水受部３１
の中心部に、上記下側噴射ノズル２６が設けられ、その
貯留部５０が、上記配管３０の内部に貫設された複数の
純水供給路（純水供給用の配管）３０ａ，３０ａ，…に
連通されている。
受部３１が一体的に設けられており、この排水受部３１
の中心部に、上記下側噴射ノズル２６が設けられ、その
貯留部５０が、上記配管３０の内部に貫設された複数の
純水供給路（純水供給用の配管）３０ａ，３０ａ，…に
連通されている。
【００５０】上記排水受部３１は、その上面が上記基板
支持部１１の環状壁部１１ａ上面と面一となるように配
置されるとともに、その外径縁は、上記環状壁部１１ａ
の内径面と非接触で、かつこれら両者の間に形成される
環状隙間４５が、薬液等の下側への漏れを阻止する程度
の微小間隔となるように設定されている。
支持部１１の環状壁部１１ａ上面と面一となるように配
置されるとともに、その外径縁は、上記環状壁部１１ａ
の内径面と非接触で、かつこれら両者の間に形成される
環状隙間４５が、薬液等の下側への漏れを阻止する程度
の微小間隔となるように設定されている。
【００５１】また、上記純水供給路３０ａ，３０ａ，…
は、配管３０の下端部において、方向制御弁３２を介し
て、上記純水供給源２８に対して選択的に連通可能とさ
れている。
は、配管３０の下端部において、方向制御弁３２を介し
て、上記純水供給源２８に対して選択的に連通可能とさ
れている。
【００５２】この純水供給源２８により下側噴射ノズル
２６から噴射供給される純水は、図４に示すように、基
板回転部２の基板支持部１１に回転支持されるウエハＷ
の裏面Ｗｂの径方向中心部位に対して噴射供給されると
ともに、このウエハＷの回転による遠心力で、ウエハＷ
の裏面Ｗｂに沿って放射方向へ流れるように構成されて
いる。
２６から噴射供給される純水は、図４に示すように、基
板回転部２の基板支持部１１に回転支持されるウエハＷ
の裏面Ｗｂの径方向中心部位に対して噴射供給されると
ともに、このウエハＷの回転による遠心力で、ウエハＷ
の裏面Ｗｂに沿って放射方向へ流れるように構成されて
いる。
【００５３】図示の実施形態においては、上記純水供給
源２８による下側噴射ノズル２６からの純水の噴出供給
は、この噴出供給された純水が、その噴出力により基板
回転部２の基板支持部１１に回転支持されるウエハＷを
浮上させるとともに、このウエハＷの回転による遠心力
によって、ウエハＷの裏面Ｗｂに沿ってその外周縁Ｗｃ
まで到達するように設定されている。
源２８による下側噴射ノズル２６からの純水の噴出供給
は、この噴出供給された純水が、その噴出力により基板
回転部２の基板支持部１１に回転支持されるウエハＷを
浮上させるとともに、このウエハＷの回転による遠心力
によって、ウエハＷの裏面Ｗｂに沿ってその外周縁Ｗｃ
まで到達するように設定されている。
【００５４】しかして、上記純水供給源２８は、ウエハ
Ｗの表面Ｗａに対する前記薬液供給部４による薬液洗浄
と同期して、下側供給ノズル２６から純水を供給するよ
うに駆動制御される。これにより、ウエハＷの裏面Ｗｂ
に対して、下側噴射ノズル２６から純水が上記設定条件
により噴出供給されて、ウエハＷの裏面Ｗｂを純水洗浄
するとともに、裏面Ｗｂへの薬液の回り込みを防止す
る。
Ｗの表面Ｗａに対する前記薬液供給部４による薬液洗浄
と同期して、下側供給ノズル２６から純水を供給するよ
うに駆動制御される。これにより、ウエハＷの裏面Ｗｂ
に対して、下側噴射ノズル２６から純水が上記設定条件
により噴出供給されて、ウエハＷの裏面Ｗｂを純水洗浄
するとともに、裏面Ｗｂへの薬液の回り込みを防止す
る。
【００５５】図６を参照して、このウエハＷの裏面Ｗｂ
への薬液の回り込み防止のメカニズムについて説明する
と、ウエハＷの表面Ｗａに対して供給された薬液は、ウ
エハＷの回転による遠心力でウエハＷの外周縁Ｗｃへ向
かって流れた後、この外周縁Ｗｃから裏面Ｗｂへ回り込
もうとするが、ウエハＷの裏面Ｗｂに純水を噴射供給す
ることにより、この噴射供給された純水が、ウエハＷの
回転による遠心力で、その裏面Ｗｂに沿って放射方向へ
流れながら、この裏面Ｗｂを純水洗浄するとともに、ウ
エハＷの表面Ｗａから裏面Ｗｂへ回り込もうとする薬液
に対してシール作用をなして、ウエハＷの裏面Ｗｂの薬
液による汚染を有効に防止する。
への薬液の回り込み防止のメカニズムについて説明する
と、ウエハＷの表面Ｗａに対して供給された薬液は、ウ
エハＷの回転による遠心力でウエハＷの外周縁Ｗｃへ向
かって流れた後、この外周縁Ｗｃから裏面Ｗｂへ回り込
もうとするが、ウエハＷの裏面Ｗｂに純水を噴射供給す
ることにより、この噴射供給された純水が、ウエハＷの
回転による遠心力で、その裏面Ｗｂに沿って放射方向へ
流れながら、この裏面Ｗｂを純水洗浄するとともに、ウ
エハＷの表面Ｗａから裏面Ｗｂへ回り込もうとする薬液
に対してシール作用をなして、ウエハＷの裏面Ｗｂの薬
液による汚染を有効に防止する。
【００５６】不活性気体供給部６は、上記基板回転部２
に回転支持されるウエハＷの表裏面に酸化防止用の不活
性気体を供給するもので、ウエハＷの表面Ｗａに不活性
気体を供給する上側供給部３５と、ウエハＷの裏面Ｗｂ
に不活性気体を供給する下側供給部３６とを主要部とし
て備え、これら供給部３５，３６は、洗浄ハウジング１
の外部に設けられた不活性気体供給源３７に連通可能と
されている。図示の実施形態においては、不活性気体と
してＮ2 ガス（窒素）が使用されている。
に回転支持されるウエハＷの表裏面に酸化防止用の不活
性気体を供給するもので、ウエハＷの表面Ｗａに不活性
気体を供給する上側供給部３５と、ウエハＷの裏面Ｗｂ
に不活性気体を供給する下側供給部３６とを主要部とし
て備え、これら供給部３５，３６は、洗浄ハウジング１
の外部に設けられた不活性気体供給源３７に連通可能と
されている。図示の実施形態においては、不活性気体と
してＮ2 ガス（窒素）が使用されている。
【００５７】上側供給部３５は、洗浄ハウジング１内の
上部に設けられ、洗浄チャンバ３と協働して、基板回転
部２に回転支持されるウエハＷの表面Ｗａ周囲に乾燥用
密閉空間を形成する円形蓋体の形態とされている。
上部に設けられ、洗浄チャンバ３と協働して、基板回転
部２に回転支持されるウエハＷの表面Ｗａ周囲に乾燥用
密閉空間を形成する円形蓋体の形態とされている。
【００５８】具体的には、上記上側供給部３５の外径縁
は、洗浄チャンバ３の内径縁つまり最上段の円環状処理
槽１８の外径縁と密接状に係合するように設計されてお
り、これにより、基板回転部２に回転支持されるウエハ
Ｗの表面Ｗａ周囲に必要最小限の乾燥用密閉空間を形成
する。上側供給部３５は、配管３８を介して上記不活性
気体供給源３７に連通されている。
は、洗浄チャンバ３の内径縁つまり最上段の円環状処理
槽１８の外径縁と密接状に係合するように設計されてお
り、これにより、基板回転部２に回転支持されるウエハ
Ｗの表面Ｗａ周囲に必要最小限の乾燥用密閉空間を形成
する。上側供給部３５は、配管３８を介して上記不活性
気体供給源３７に連通されている。
【００５９】また、上記上側供給部３５は、上記洗浄チ
ャンバ３と協働する使用位置（図示省略）と、上記薬液
供給部４と干渉しない使用待機位置つまり図１に示す高
さ位置との間で上下方向に移動可能とされるとともに、
図示しない昇降手段に駆動連結されている。
ャンバ３と協働する使用位置（図示省略）と、上記薬液
供給部４と干渉しない使用待機位置つまり図１に示す高
さ位置との間で上下方向に移動可能とされるとともに、
図示しない昇降手段に駆動連結されている。
【００６０】下側供給部３６は、基板回転部２の回転可
能な回転軸１０の上端部位に設けられている。具体的に
は、図４に示すように、上述した純水供給部５との兼用
構造とされた前記下側噴射ノズル２６と、回転軸１０の
上端部の中空内周と配管３０外周との上端間隙３９とか
らなる。
能な回転軸１０の上端部位に設けられている。具体的に
は、図４に示すように、上述した純水供給部５との兼用
構造とされた前記下側噴射ノズル２６と、回転軸１０の
上端部の中空内周と配管３０外周との上端間隙３９とか
らなる。
【００６１】上記下側噴射ノズル２６は、前述したよう
に貯留部５０を備え、この貯留部５０が、回転軸１０内
部に配された上記配管３０を介して上記不活性気体供給
源３７に連通可能とされている。
に貯留部５０を備え、この貯留部５０が、回転軸１０内
部に配された上記配管３０を介して上記不活性気体供給
源３７に連通可能とされている。
【００６２】具体的には、配管３０の内部には、上記純
水供給路３０ａと平行して不活性気体供給路（不活性気
体供給用の配管）３０ｂが貫設されており、この不活性
気体供給路３０ｂの上端が上記下側噴射ノズル２６の貯
留部５０に連通されるとともに、その下端が方向制御弁
５２を介して、上記不活性気体供給源３７に対して選択
的に連通可能とされている。
水供給路３０ａと平行して不活性気体供給路（不活性気
体供給用の配管）３０ｂが貫設されており、この不活性
気体供給路３０ｂの上端が上記下側噴射ノズル２６の貯
留部５０に連通されるとともに、その下端が方向制御弁
５２を介して、上記不活性気体供給源３７に対して選択
的に連通可能とされている。
【００６３】また、下側供給部３６のもう一方の供給口
である上端間隙３９は、図２および図４に示すように、
上記排水受部３１と基板支持部１１により形成された空
間５３に臨んで開口されるとともに、不活性気体供給路
３９ａおよび図示しない方向制御弁を介して上記不活性
気体供給源３７に選択的に連通可能とされている。
である上端間隙３９は、図２および図４に示すように、
上記排水受部３１と基板支持部１１により形成された空
間５３に臨んで開口されるとともに、不活性気体供給路
３９ａおよび図示しない方向制御弁を介して上記不活性
気体供給源３７に選択的に連通可能とされている。
【００６４】このような不活性気体供給部６において、
上側供給部３５は、前述したウエハＷの洗浄時および洗
浄チャンバ３内の薬液を排出置換する際に作動してＮ2
ガスを噴射供給する構成とされている。
上側供給部３５は、前述したウエハＷの洗浄時および洗
浄チャンバ３内の薬液を排出置換する際に作動してＮ2
ガスを噴射供給する構成とされている。
【００６５】一方、下側供給部３６の下側噴射ノズル２
６は、方向制御弁３２、５２の切替操作により、前述し
たウエハＷの洗浄時において、純水供給源２８から純水
を噴射供給するとともに、それ以外は上記上側供給部３
５に同期してＮ2 ガスを噴射供給する構成とされてい
る。
６は、方向制御弁３２、５２の切替操作により、前述し
たウエハＷの洗浄時において、純水供給源２８から純水
を噴射供給するとともに、それ以外は上記上側供給部３
５に同期してＮ2 ガスを噴射供給する構成とされてい
る。
【００６６】また、下側供給部３６の上端間隙３９は、
上側供給部３５と同様、ウエハＷの洗浄時および洗浄チ
ャンバ３内の薬液を排出置換する際に作動してＮ2 ガス
を噴射供給して、排水受部３１と基板支持部１１間の空
間５３をＮ2 パージして常時陽圧に保持し、これによ
り、環状隙間４５から薬液等の下側への漏れを有効に阻
止する。
上側供給部３５と同様、ウエハＷの洗浄時および洗浄チ
ャンバ３内の薬液を排出置換する際に作動してＮ2 ガス
を噴射供給して、排水受部３１と基板支持部１１間の空
間５３をＮ2 パージして常時陽圧に保持し、これによ
り、環状隙間４５から薬液等の下側への漏れを有効に阻
止する。
【００６７】制御部７は、上述した基板洗浄装置の各構
成部を相互に連動して駆動制御するもので、この制御部
７により、以下の一連のウェット処理工程が全自動で実
行される。
成部を相互に連動して駆動制御するもので、この制御部
７により、以下の一連のウェット処理工程が全自動で実
行される。
【００６８】（１）洗浄処理前のウエハＷが、図示しな
い洗浄ハウジング１の基板搬入出口を介して、洗浄チャ
ンバ３内の基板支持部１１上にウエハＷが搬入されて、
洗浄チャンバ３が密閉されると、洗浄チャンバ３の昇降
動作により、ウエハＷが洗浄チャンバ３内のウエハ洗浄
処理位置に位置決めされた後、前述した各種の洗浄処理
が予め定められた手順で実行される。
い洗浄ハウジング１の基板搬入出口を介して、洗浄チャ
ンバ３内の基板支持部１１上にウエハＷが搬入されて、
洗浄チャンバ３が密閉されると、洗浄チャンバ３の昇降
動作により、ウエハＷが洗浄チャンバ３内のウエハ洗浄
処理位置に位置決めされた後、前述した各種の洗浄処理
が予め定められた手順で実行される。
【００６９】（２）例えば、上述したii）の洗浄処理工
程（ＡＰＭ＋ＤＨＦ＋ＤＲＹ）であれば、洗浄チャンバ
３の昇降位置決めにより、基板支持部１１上のウエハＷ
が、まず、最下段の処理槽１５に位置決め配置されて、
上側噴射ノズル２５からＡＰＭ液が噴射供給されるとと
もに、基板回転部２によりウエハＷが低速回転されて、
ＡＰＭ液によるスピン洗浄が行われる。
程（ＡＰＭ＋ＤＨＦ＋ＤＲＹ）であれば、洗浄チャンバ
３の昇降位置決めにより、基板支持部１１上のウエハＷ
が、まず、最下段の処理槽１５に位置決め配置されて、
上側噴射ノズル２５からＡＰＭ液が噴射供給されるとと
もに、基板回転部２によりウエハＷが低速回転されて、
ＡＰＭ液によるスピン洗浄が行われる。
【００７０】このＡＰＭ液によるスピン洗浄と同期し
て、下側噴射ノズル２６からはウエハＷの裏面Ｗｂに対
して純水が噴出供給されて、前述したようにウエハＷの
裏面Ｗｂを純水洗浄するとともに、裏面ＷｂへのＡＰＭ
液の回り込みを防止する。
て、下側噴射ノズル２６からはウエハＷの裏面Ｗｂに対
して純水が噴出供給されて、前述したようにウエハＷの
裏面Ｗｂを純水洗浄するとともに、裏面ＷｂへのＡＰＭ
液の回り込みを防止する。
【００７１】（３）続いて、上から２段目の処理槽１７
に位置決め配置されて、上側噴射ノズル２５から純水が
噴射供給されるとともに、基板回転部２によりウエハＷ
が低速回転されて、純水によるリンス処理が行われる。
に位置決め配置されて、上側噴射ノズル２５から純水が
噴射供給されるとともに、基板回転部２によりウエハＷ
が低速回転されて、純水によるリンス処理が行われる。
【００７２】この場合も、上記リンス処理と同期して、
下側噴射ノズル２６からはウエハＷの裏面Ｗｂに対して
純水が噴出供給されて、前述したようにウエハＷの裏面
Ｗｂを純水洗浄するとともに、裏面Ｗｂへの表面側から
のリンス排水の回り込みを防止する。
下側噴射ノズル２６からはウエハＷの裏面Ｗｂに対して
純水が噴出供給されて、前述したようにウエハＷの裏面
Ｗｂを純水洗浄するとともに、裏面Ｗｂへの表面側から
のリンス排水の回り込みを防止する。
【００７３】（４）さらに、上から３段目の処理槽１６
に位置決め配置されて、上側噴射ノズル２５からＤＨＦ
液が供給されるとともに、基板回転部２によりウエハＷ
が低速回転されて、ＤＨＦ液によるスピン洗浄が行われ
る。
に位置決め配置されて、上側噴射ノズル２５からＤＨＦ
液が供給されるとともに、基板回転部２によりウエハＷ
が低速回転されて、ＤＨＦ液によるスピン洗浄が行われ
る。
【００７４】このＤＨＦ液によるスピン洗浄と同期し
て、下側噴射ノズル２６からはウエハＷの裏面Ｗｂに対
して純水が噴出供給されて、前述したようにウエハＷの
裏面Ｗｂを純水洗浄するとともに、裏面ＷｂへのＤＨＦ
液の回り込みを防止する。
て、下側噴射ノズル２６からはウエハＷの裏面Ｗｂに対
して純水が噴出供給されて、前述したようにウエハＷの
裏面Ｗｂを純水洗浄するとともに、裏面ＷｂへのＤＨＦ
液の回り込みを防止する。
【００７５】（５）再び、上記処理槽１７に位置決め配
置されて、上側噴射ノズル２５から純水が噴射供給され
るとともに、基板回転部２によりウエハＷが低速回転さ
れて、純水によるリンス処理が行われるとともに、下側
噴射ノズル２６からはウエハＷの裏面Ｗｂに対して純水
が噴出供給されて、ウエハＷの裏面Ｗｂの洗浄と裏面Ｗ
ｂへの表面側からのリンス排水の回り込み防止がなされ
る。
置されて、上側噴射ノズル２５から純水が噴射供給され
るとともに、基板回転部２によりウエハＷが低速回転さ
れて、純水によるリンス処理が行われるとともに、下側
噴射ノズル２６からはウエハＷの裏面Ｗｂに対して純水
が噴出供給されて、ウエハＷの裏面Ｗｂの洗浄と裏面Ｗ
ｂへの表面側からのリンス排水の回り込み防止がなされ
る。
【００７６】（６）そして最後に、最上段の処理槽１８
に位置決め配置されて、不活性気体供給部６の上側供給
部３５および下側供給部３６（つまり下側噴射ノズル２
６）からＮ2 ガスが噴射されながら、基板回転部２によ
る高速回転によりスピン乾燥が行われる。
に位置決め配置されて、不活性気体供給部６の上側供給
部３５および下側供給部３６（つまり下側噴射ノズル２
６）からＮ2 ガスが噴射されながら、基板回転部２によ
る高速回転によりスピン乾燥が行われる。
【００７７】この乾燥工程においては、不活性気体供給
部６の上側供給部３５は、洗浄チャンバ３と協働する使
用位置まで下降することにより、洗浄チャンバ３と協働
して乾燥用密閉空間を形成し、この乾燥用密閉空間内に
Ｎ2 ガスを供給充満することになる。
部６の上側供給部３５は、洗浄チャンバ３と協働する使
用位置まで下降することにより、洗浄チャンバ３と協働
して乾燥用密閉空間を形成し、この乾燥用密閉空間内に
Ｎ2 ガスを供給充満することになる。
【００７８】したがって、乾燥用密閉空間Ａ内がＮ2 ガ
スでパージされることにより、さらに場合によっては、
円環状処理槽１８のドレン部からの強制排気により乾燥
用密閉空間内に不活性気体供給部６からドレン部に至る
ような経路の気流が生じることにより、ウエハＷの表面
Ｗａ全体の周囲の酸素濃度は実質的に０となり、この状
態でスピン乾燥が行われることとなる。
スでパージされることにより、さらに場合によっては、
円環状処理槽１８のドレン部からの強制排気により乾燥
用密閉空間内に不活性気体供給部６からドレン部に至る
ような経路の気流が生じることにより、ウエハＷの表面
Ｗａ全体の周囲の酸素濃度は実質的に０となり、この状
態でスピン乾燥が行われることとなる。
【００７９】（７）基板洗浄装置における一連の洗浄処
理が完了したウエハＷは、再び洗浄ハウジング１の基板
搬入出口を介して搬出される。
理が完了したウエハＷは、再び洗浄ハウジング１の基板
搬入出口を介して搬出される。
【００８０】しかして、以上のように構成された基板洗
浄装置においては、密閉された洗浄ハウジング１内にお
いて、回転支持した一枚のウエハＷの表面Ｗａに対し
て、上側供給ノズル２５により複数の薬液を上下方向か
ら順次供給してウエット洗浄するところ、このウエハＷ
の表面Ｗａのウエット洗浄に際しては、ウエハＷの裏面
Ｗｂに対しては、下側供給ノズル２６により純水が噴出
供給されて、この裏面Ｗｂの洗浄と裏面Ｗｂへの薬液の
回り込みが有効に防止される。
浄装置においては、密閉された洗浄ハウジング１内にお
いて、回転支持した一枚のウエハＷの表面Ｗａに対し
て、上側供給ノズル２５により複数の薬液を上下方向か
ら順次供給してウエット洗浄するところ、このウエハＷ
の表面Ｗａのウエット洗浄に際しては、ウエハＷの裏面
Ｗｂに対しては、下側供給ノズル２６により純水が噴出
供給されて、この裏面Ｗｂの洗浄と裏面Ｗｂへの薬液の
回り込みが有効に防止される。
【００８１】すなわち、ウエハＷの表面Ｗａに対して供
給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力でウエハ
Ｗの外周縁へ向かって流れた後、この外周縁から裏面Ｗ
ｂへ回り込もうとする。したがって、ウエハＷの表面Ｗ
ａを薬液洗浄する場合に、ウエハＷの裏面Ｗｂに純水を
噴射供給することにより、この噴射供給された純水が、
上記ウエハＷの回転による遠心力で、ウエハＷの裏面Ｗ
ｂに沿って放射方向へ流れながら、この裏面Ｗｂを純水
洗浄するとともに、ウエハＷの表面Ｗａから裏面Ｗｂへ
回り込もうとする薬液に対してシール作用をなして、ウ
エハＷの裏面Ｗｂの薬液による汚染を有効に防止する。
給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力でウエハ
Ｗの外周縁へ向かって流れた後、この外周縁から裏面Ｗ
ｂへ回り込もうとする。したがって、ウエハＷの表面Ｗ
ａを薬液洗浄する場合に、ウエハＷの裏面Ｗｂに純水を
噴射供給することにより、この噴射供給された純水が、
上記ウエハＷの回転による遠心力で、ウエハＷの裏面Ｗ
ｂに沿って放射方向へ流れながら、この裏面Ｗｂを純水
洗浄するとともに、ウエハＷの表面Ｗａから裏面Ｗｂへ
回り込もうとする薬液に対してシール作用をなして、ウ
エハＷの裏面Ｗｂの薬液による汚染を有効に防止する。
【００８２】なお、上述した実施形態はあくまでも本発
明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれ
に限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が可
能である。
明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれ
に限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が可
能である。
【００８３】例えば、図示の実施形態の基板洗浄装置
は、本装置単独での使用はもちろんのこと、ローディン
グ部、アンローディング部あるいは移載ロボット等の各
種装置を備えた基板洗浄システムの基本単位構成要素と
しての使用も可能である。
は、本装置単独での使用はもちろんのこと、ローディン
グ部、アンローディング部あるいは移載ロボット等の各
種装置を備えた基板洗浄システムの基本単位構成要素と
しての使用も可能である。
【００８４】また、本実施形態において用いた薬液は、
あくまでも一例であって、例えばＨＰＭ（ＨＣｌ＋Ｈ2
Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）やＳＰＭ（Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2
Ｏ）など目的に応じて他の薬液も利用可能である。
あくまでも一例であって、例えばＨＰＭ（ＨＣｌ＋Ｈ2
Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）やＳＰＭ（Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2
Ｏ）など目的に応じて他の薬液も利用可能である。
【００８５】さらに、図示の実施形態において、下側噴
射ノズル２６に連通する純水供給路３０ａ，３０ａ，…
が、方向制御弁３２を介して、上記純水供給源２８と薬
液供給源２７に対して選択的に連通可能な構成とされて
もよく、このような構成とすることにより、図示の実施
形態のようなウエハＷの表面Ｗａに対する片面洗浄に加
えて、ウエハＷの表裏両面Ｗａ、Ｗｂに対する両面洗浄
も選択的に実施することができる。
射ノズル２６に連通する純水供給路３０ａ，３０ａ，…
が、方向制御弁３２を介して、上記純水供給源２８と薬
液供給源２７に対して選択的に連通可能な構成とされて
もよく、このような構成とすることにより、図示の実施
形態のようなウエハＷの表面Ｗａに対する片面洗浄に加
えて、ウエハＷの表裏両面Ｗａ、Ｗｂに対する両面洗浄
も選択的に実施することができる。
【００８６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
回転支持したウエハの表面に対して、上側供給ノズルに
より複数の薬液を上方向から順次供給して薬液洗浄する
とともに、この薬液洗浄中、上記ウエハの裏面に対し
て、下側供給ノズルにより純水を噴出供給するようにし
たから、密閉された洗浄室内でウエハの表面を薬液によ
りカセットレスでウェット洗浄するに際して、ウエハの
裏面への薬液の回り込みを有効に防止し得る枚葉式ウェ
ット洗浄技術を提供することができる。
回転支持したウエハの表面に対して、上側供給ノズルに
より複数の薬液を上方向から順次供給して薬液洗浄する
とともに、この薬液洗浄中、上記ウエハの裏面に対し
て、下側供給ノズルにより純水を噴出供給するようにし
たから、密閉された洗浄室内でウエハの表面を薬液によ
りカセットレスでウェット洗浄するに際して、ウエハの
裏面への薬液の回り込みを有効に防止し得る枚葉式ウェ
ット洗浄技術を提供することができる。
【００８７】すなわち、本発明の枚葉式基板洗浄におい
ては、密閉された洗浄ハウジング内において、ウエハを
一枚ずつカセットレスでウェット洗浄するところ、回転
支持したウエハの表面に対して、上側供給ノズルにより
複数の薬液を上方向から順次供給して洗浄するととも
に、この薬液洗浄に際し、上記ウエハの裏面に対して下
側供給ノズルにより純水を噴出供給することにより、こ
の裏面への薬液の回り込みを有効に防止する。
ては、密閉された洗浄ハウジング内において、ウエハを
一枚ずつカセットレスでウェット洗浄するところ、回転
支持したウエハの表面に対して、上側供給ノズルにより
複数の薬液を上方向から順次供給して洗浄するととも
に、この薬液洗浄に際し、上記ウエハの裏面に対して下
側供給ノズルにより純水を噴出供給することにより、こ
の裏面への薬液の回り込みを有効に防止する。
【００８８】換言すれば、ウエハの表面に対して供給さ
れた薬液は、ウエハの回転による遠心力でウエハの外周
縁へ向かって流れた後、この外周縁から裏面へ回り込も
うとする。したがって、ウエハの表面を薬液洗浄する場
合に、ウエハの裏面に純水を噴射供給することにより、
この噴射供給された純水が、上記ウエハの回転による遠
心力で、ウエハの裏面に沿って放射方向へ流れながら、
この裏面を純水洗浄するとともに、ウエハの表面から裏
面へ回り込もうとする薬液に対してシール作用をなし
て、ウエハの裏面の薬液による汚染を有効に防止する。
れた薬液は、ウエハの回転による遠心力でウエハの外周
縁へ向かって流れた後、この外周縁から裏面へ回り込も
うとする。したがって、ウエハの表面を薬液洗浄する場
合に、ウエハの裏面に純水を噴射供給することにより、
この噴射供給された純水が、上記ウエハの回転による遠
心力で、ウエハの裏面に沿って放射方向へ流れながら、
この裏面を純水洗浄するとともに、ウエハの表面から裏
面へ回り込もうとする薬液に対してシール作用をなし
て、ウエハの裏面の薬液による汚染を有効に防止する。
【図１】本発明の一実施形態に係る枚葉式基板洗浄装置
の内部構成を示す正面断面図である。
の内部構成を示す正面断面図である。
【図２】同基板洗浄装置における基板回転部、洗浄ハウ
ジングおよび薬液供給部間の配置関係を示す拡大正面断
面図である。
ジングおよび薬液供給部間の配置関係を示す拡大正面断
面図である。
【図３】同基板回転部と純水供給部の下側噴射ノズルの
構造を示す平面図である。
構造を示す平面図である。
【図４】同基板回転部と純水供給部の下側噴射ノズルの
周辺要部構造を示す拡大正面断面図である。
周辺要部構造を示す拡大正面断面図である。
【図５】同下側噴射ノズルの噴射孔の配列構成の改変例
を示す拡大平面図である。
を示す拡大平面図である。
【図６】同下側噴射ノズルからウエハ裏面に噴射供給さ
れた純水による薬液の裏面への回り込みを防止するメカ
ニズムを示す拡大正面断面図である。
れた純水による薬液の裏面への回り込みを防止するメカ
ニズムを示す拡大正面断面図である。
【図７】従来の枚葉式基板洗浄装置におけるウエハ裏面
への薬液回り込み防止技術構成を示し、図７(a) は同構
成を示す正面断面図、図７(b) は同構成における下側環
状ノズルからウエハ裏面に噴射供給されたガスによる薬
液の裏面への回り込みを防止するメカニズムを示す拡大
正面断面図である。
への薬液回り込み防止技術構成を示し、図７(a) は同構
成を示す正面断面図、図７(b) は同構成における下側環
状ノズルからウエハ裏面に噴射供給されたガスによる薬
液の裏面への回り込みを防止するメカニズムを示す拡大
正面断面図である。
Ｗ ウエハ
Ｗａ ウエハの表面
Ｗｂ ウエハの裏面
１ 洗浄ハウジング
２ 基板回転部（基板回転手
段） ３ 洗浄チャンバ ４ 薬液供給部（薬液供給手
段） ５ 純水供給部（純水供給手
段） ６ 不活性気体供給部（不活性
気体供給手段） ７ 制御部 １０ 回転軸 １１ 基板支持部 １５〜１８ 円環状処理槽 ２０ 昇降機構 ２５ 上側噴射ノズル（上側供給
ノズル） ２６ 下側噴射ノズル（下側供給
ノズル） ２７ 薬液供給源 ２８ 純水供給源 ３０ 配管 ３０ａ 純水供給路（純水供給用の
配管） ３０ｂ 不活性気体供給路（不活性
気体供給用の配管） ３１ 排水受部 ３５ 上側供給部 ３６ 下側供給部 ３７ 不活性気体供給源 ３８ 配管 ３９ 上端間隙 ４５ 環状隙間 ５０ 下側噴射ノズルの貯留部 ５１ 下側噴射ノズルの噴射孔
段） ３ 洗浄チャンバ ４ 薬液供給部（薬液供給手
段） ５ 純水供給部（純水供給手
段） ６ 不活性気体供給部（不活性
気体供給手段） ７ 制御部 １０ 回転軸 １１ 基板支持部 １５〜１８ 円環状処理槽 ２０ 昇降機構 ２５ 上側噴射ノズル（上側供給
ノズル） ２６ 下側噴射ノズル（下側供給
ノズル） ２７ 薬液供給源 ２８ 純水供給源 ３０ 配管 ３０ａ 純水供給路（純水供給用の
配管） ３０ｂ 不活性気体供給路（不活性
気体供給用の配管） ３１ 排水受部 ３５ 上側供給部 ３６ 下側供給部 ３７ 不活性気体供給源 ３８ 配管 ３９ 上端間隙 ４５ 環状隙間 ５０ 下側噴射ノズルの貯留部 ５１ 下側噴射ノズルの噴射孔
Claims (12)
- 【請求項１】 密閉された洗浄ハウジング内において、
基板を一枚ずつカセットレスでウェット洗浄する枚葉式
基板洗浄方法であって、 回転支持した基板の表面に対して、上側供給ノズルによ
り複数の薬液を上方向から順次供給して薬液洗浄すると
ともに、この薬液洗浄中、前記基板の裏面に対して、下
側供給ノズルにより純水を噴出供給するようにしたこと
を特徴とする枚葉式基板洗浄方法。 - 【請求項２】 回転支持した前記基板の裏面の径方向中
心部位に対して、前記下側供給ノズルにより純水を噴射
供給することにより、この噴出供給された純水が、前記
基板の回転による遠心力で、基板の裏面に沿って放射方
向へ流れながら、この裏面を純水洗浄するようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の枚葉式基板洗浄方法。 - 【請求項３】 前記下側供給ノズルからの純水の噴出供
給は、この噴出供給された純水が、その噴出力により前
記基板を浮上させるとともに、この基板の回転による遠
心力によって、基板の裏面に沿ってその外周縁まで到達
するように設定することを特徴とする請求項２に記載の
枚葉式基板洗浄方法。 - 【請求項４】 密閉された洗浄ハウジング内において、
基板を一枚ずつカセットレスでウェット洗浄する枚葉式
基板洗浄装置であって、 前記洗浄ハウジング内に、一枚の基板を水平状態で支持
回転する基板回転手段と、 この基板回転手段の外周部に、基板回転手段に回転支持
される基板の洗浄処理用空間を形成する洗浄チャンバ
と、 前記基板回転手段に回転支持される基板の表面に薬液を
供給する薬液供給手段と、 前記基板回転手段に回転支持される基板の裏面に純水を
供給する純水供給手段とを備えてなり、 前記基板回転手段に回転支持される基板の表面に対し
て、前記薬液供給手段により、複数の薬液が上方向から
順次供給されると同時に、前記純水供給手段により、前
記基板の裏面に対して純水が噴出供給されるように構成
されていることを特徴とする枚葉式基板洗浄装置。 - 【請求項５】 前記純水供給手段は、前記基板回転手段
に回転支持された基板の裏面に純水を噴射供給する噴射
ノズルを備え、 この噴射ノズルは、前記基板回転手段の回転可能な回転
軸の上端部位において、上向きにかつ固定的に設けられ
るとともに、純水供給源に連通可能とされていることを
特徴とする請求項４に記載の枚葉式基板洗浄装置。 - 【請求項６】 前記基板回転手段の回転軸が中空筒状と
されるとともに、この回転軸の中空内部に、前記純水供
給源に連通可能な純水供給用の配管が上下方向へ貫通し
てかつ前記回転軸と非接触状態で固定的に配されてお
り、 この純水供給用の配管の上端部に、前記下側供給ノズル
が上向きにかつ固定的に設けられていることを特徴とす
る請求項５に記載の枚葉式基板洗浄装置。 - 【請求項７】 前記回転軸の中空内部に、前記純水供給
用の配管と不活性気体供給源に連通可能な不活性気体供
給用の配管が上下方向へ貫通してかつ前記回転軸と非接
触状態で固定的に配されており、 これら配管の上端部に、前記下側供給ノズルが上向きに
かつ固定的に設けられていることを特徴とする請求項６
に記載の枚葉式基板洗浄装置。 - 【請求項８】 前記噴射ノズルは、前記配管に連通する
貯留部と、この貯留部に設けられた複数の噴射孔から構
成されていることを特徴とする請求項６または７に記載
の枚葉式基板洗浄装置。 - 【請求項９】 前記噴射ノズルは、前記純水供給源と前
記薬液供給手段の薬液供給源に選択的に連通可能とされ
て、 前記薬液供給手段により、前記基板の表面に対する片面
洗浄と、前記基板の表裏両面に対する両面洗浄とが選択
的に実施される構成とされていることを特徴とする請求
項５から８のいずれか一つに記載の枚葉式基板洗浄装
置。 - 【請求項１０】 前記基板回転手段の回転軸内周と前記
配管外周との間隙が、不活性気体の供給口として機能す
るように構成されていることを特徴とする請求項６から
９のいずれか一つに記載の枚葉式基板洗浄装置。 - 【請求項１１】 前記洗浄チャンバは、前記基板回転手
段に対して上下方向へ相対的に昇降動作可能とされると
ともに、この洗浄チャンバの内周部に、前記洗浄処理用
空間を形成する環状洗浄槽が、前記基板回転手段に支持
された基板を取り囲むように同心状に、かつ上下方向へ
複数段に配列されてなり、 洗浄処理工程に応じて、これら環状洗浄槽のいずれか一
つが、前記洗浄チャンバの上下方向への昇降動作によ
り、前記基板回転手段に支持された基板に対応した位置
に移動して位置決めされるように構成されていることを
特徴とする請求項４から１０のいずれか一つに記載の枚
葉式基板洗浄装置。 - 【請求項１２】 前記洗浄チャンバは、前記環状処理槽
の内径縁が、前記基板回転手段の基板支持部の外径縁と
非接触で、かつこれら両縁の間に形成される環状隙間が
薬液等の下側への漏れを阻止する程度の微小間隔となる
ように設定されていることを特徴とする請求項１１に記
載の枚葉式基板洗浄装置。
Priority Applications (11)
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|---|---|---|---|
| JP2001189794A JP2003007664A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
| TW090120406A TWI283020B (en) | 2001-06-22 | 2001-08-20 | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus |
| CNB011308737A CN1261981C (zh) | 2001-06-22 | 2001-08-30 | 单晶片式基片清洗方法及其装置 |
| KR1020010052713A KR100841498B1 (ko) | 2001-06-22 | 2001-08-30 | 매엽식 기판세정장치 |
| IL14534101A IL145341A0 (en) | 2001-06-22 | 2001-09-09 | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus |
| US09/948,800 US6824621B2 (en) | 2001-06-22 | 2001-09-10 | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus |
| EP01121849A EP1276138A3 (en) | 2001-06-22 | 2001-09-11 | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus |
| SG200105535A SG125056A1 (en) | 2001-06-22 | 2001-09-11 | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus |
| SG200507887-8A SG149690A1 (en) | 2001-06-22 | 2001-09-11 | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus |
| US10/437,890 US6915809B2 (en) | 2001-06-22 | 2003-05-15 | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus |
| KR1020080026277A KR100855129B1 (ko) | 2001-06-22 | 2008-03-21 | 매엽식 기판세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001189794A JP2003007664A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007664A true JP2003007664A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19028662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001189794A Pending JP2003007664A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6824621B2 (ja) |
| EP (1) | EP1276138A3 (ja) |
| JP (1) | JP2003007664A (ja) |
| KR (2) | KR100841498B1 (ja) |
| CN (1) | CN1261981C (ja) |
| IL (1) | IL145341A0 (ja) |
| SG (2) | SG125056A1 (ja) |
| TW (1) | TWI283020B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070807A1 (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Personal Creation Ltd. | 基板の処理装置及び基板の処理方法 |
| WO2005117081A1 (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | 液処理装置及び液処理方法 |
| US7582168B2 (en) | 2005-02-18 | 2009-09-01 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer |
| JP2010021279A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| JP2016139743A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエットエッチング方法、基板液処理装置および記憶媒体 |
| JP2017011011A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| US10438821B2 (en) | 2015-06-18 | 2019-10-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| WO2020153189A1 (ja) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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|---|---|---|---|---|
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