TW201201278A - Chemical vapor deposition of ruthenium films containing oxygen or carbon - Google Patents

Description

201201278 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明的實施例大體上關於半導體元件與製造該半導 體元件的方法。 【先前技術】 當動態隨機存取記憶體（DRAM )元件的特徵結構尺 寸減少時，需要更高的電容密度。不幸的是，習知電容 器的設計（諸如具有氮化鈦（TiN) /高k介電材料/氮化 欽（TiN ) ( TIT )結構者）不能符合下一代（例如，低於 45 nm)的有效氧化物厚度（effective 〇xide thickness， EOT )的需求，這是由於金屬電極（TiN )的低功函數引 發的而漏損之故。 釕（Ru)是一種納入於電容器的電極以達成約5埃 (Angstrom)的E0T需求的候選元素，這是由於釕的高 功函數以及釕與高k材料的低反應性之故。例如，此類 高k介電材料可具有約100以上的介電常數。 不幸的疋，釕的沉積具挑戰性。例如，該沉積可包括 諸如低沉積速率、不良的階梯覆蓋率、高電阻率、以及 難以對氧化物附著等限制。儘f已相—些釕的沉積技 術可滿足-些該等需求，但尚未開發出令人滿意的製程 以滿足所有需求。例如，使用十二幾基三釕（他泰― d〇deCaCarb〇nyl (Ru3(c〇)i2))化學氣相沉帛（cvd)已 201201278 顯示良好的届t M # , 町增電阻率，但該種CVD的附著 '沉積速率、 與階梯覆蓋率比丁 & 益丰白不良，而因此該種CVD不適合用於元件 的應用。 ' 因此，發明人已提供用於沉積含釕膜的改善方法。 【發明内容】 在此提供用於沉積含釕膜的方法。一些實施例中，沉 積一釘膜的方法可包括以下步驟：透過使用-金屬有機 釘刚驅物的一化學氣相沉積製程，沉積一釕膜於—基材 上，該沉積的釕膜具有碳結合於該沉積的釕膜中；以及 將該沉積的釕膜暴露至氧，以從該釕膜移除至少—些該 碳。在一些實施例中，可重覆該釕膜的該沉積以及該後 續對氧的暴露。在-些實施例中，可熱退火該暴露至氧 (oxygen-exposed)的釕膜。 一些實施例中，一種沉積—含釕層於一基材上的方法 可包括以下步驟：使用一含釕前驅物沉積一含釕膜於一 基材上，該沉積的含釕膜具有碳，該碳結合於該沉積的 含釕膜中；以及將該沉積的含釕層暴露至一含氧氣體， 以從該沉積的含釕膜移除至少一些該碳。一些實施例 中，暴露至該含氧氣體的含釕膜可在含氫氣體十退火， 以從該含釕膜移除至少一些氧。一些實施例中，可重覆 該沉積、暴露與退火，以沉積該含釕膜達一期望厚度。 一些貫施例中’一氧化物層可沉積在該含釕膜頂上， 201201278 而-第二含㈣可沉積在該氧化物層頂上。—些實施例 中’可透過-實質上類似於該含釕膜的製程沉積及處理 該第二含釕膜…些實施例中’該含釕臈、該第二含舒 膜、該氧化物層形成—電容器，該電容器例如可經由一 基材耦接一電晶體元件的一源極或汲極的一者。 本發明的其他與進一步的實施例描述於下文中。 【實施方式】 在此揭露用於沉積含釕膜的方法。本發明的方法可有 利地使待沉積的含釕膜具有元件應用上適當的電阻率、 附著、沉積速率、或階梯覆蓋率的任_者或全部。示範 性元件應料包括具有-或多層含㈣的電容器，該等 含釕膜是透過此述的本發明的方法所㈣。在—些實施 例中’該示範性電容器可為更大 里70件（諸如動態隨機 存取記憶體（DRAM)單元）的—部份。 第1圖描繪方法1〇〇的流程圖，該方法ι〇〇用於根據 本發明-些實施例沉積含釕膜。於下文中，針對第一含 釕祺202的製造階段（如第2a 王第2C圖中所不）描 地該方法1 00。透過在此揭露的 膊& @路旳任何方法所形成的含釕 犋的沉積可在設以用於化學氣相 … 予札相儿積（CVD)的製程腔 至中執行。該CVD腔室可為任柯士从 々仕何此技術領域中已知的合 k的CVD腔室。例如，該CVD脉^ ^腔至可為獨立的製程腔 ，或者可為群集工具的一部份，該群集工具為諸如可 201201278 購自美國加州 Santa Clara 的 CENTURA®、PRODUCER®、 或ENDURA®群集工具的一者。 方法100開始於102，此時第一含釕膜202可沉積在 基材200上，如第2A圖所說明。最初沉積時，第一含訂 膜202可包括碳（C )，該碳結合於該第一含釕膜中。例 如’第一含釕膜202可包括約20原子百分比的碳，或範 圍在約2原子百分比至約2〇原子百分比的碳。在最初沉 積的含釕膜202中的高碳含量可造成具有非晶形形態的 層。進一步言之，該高碳含量可造成具有平滑表面及/或 均勻厚度的層。在最初沉積的第一含釕膜2〇2中的高碳 含量可能是由於含碳前驅物結合高沉積速率所造成，該 向沉積速率為每分鐘約60埃以上，或者範圍在每分鐘約 20到約100埃。由於高碳含量之故，該最初沉積的第一 3釕膜202可具有高電阻率。一些實施例中，該最初沉 積的第一含釕膜202中的電阻率範圍可從約丨5〇到約200 微歐姆公分（μΩ-cm )。該最初沉積的第一含釕膜202可 在例如溝槽、介層洞（via )、或其他高深寬比的結構中 具有良好的階梯覆蓋率。一些實施例中，該階梯覆蓋率 可為約95%以上，或範圍從約6〇%到約99〇/〇。 可用於沉積上文所述的第一含釕膜2〇2的化學前驅物 可包括金屬有機前驅物。一些實施例中’該前驅物可包 括：二曱基 丁間二烯基釕 (dimethyl-butadienyl-ruthenium )、環己二烯-釕 _三羰基 (C6H8-Ru_(CO)3 )、 丁間二烯-釕·三羰基 201201278 (c4H6-RU(co)3 )、二曱基丁間二烯-釕三羰基 ((ch3)2-c4h4-ru-(c〇)3)、或以三羰基釕（Ru(c〇)3)改 質的二烯類。每一前驅物可具有液態形式，並且可在起 泡器中提供每一刖驅物，冑氣流經該&泡器以將前驅 物攜帶進人製程腔室。載氣可為任何相容的惰氣，諸如 氮或稀有氣體（諸如氩氣 '氦氣或類似物）。可以約100 至約1000 SCCm或約300到約700 Sccm提供載氣。遞送 到腔室的前驅物量值範圍可從約i至約50 sccm。 在102的第-含釕膜202沉積期間，腔室内的溫度或 基材的溫度範圍可從約150至約300t，或從約200至 約眞。腔室中的壓力範圍可從約3至約1〇Τ〇ΓΓ (托 爾）’或從約1至約30 Torr。+ 可執仃在102的沉積製程 達-第-段時間’該第—段時間適合在如下文所述的繼 2處理第一含釕膜202以減少碳含量（104)或減少氧含 量（1〇6)之前，提供期望厚度的第-含釕膜202。在一 些實施例中’纟102 ’第-含釕膜202可沉積到期望的 厚度，該期望的厚度範圍從約5至約5〇埃：或者，如下 文於刚所討論，可透過依序重複方法！00(例如’重 複步驟102與104或重複步驟1〇2、104與106)直到達 成期望厚度的第—含訂腺9Π9 & 沉積到期望厚I。 為止，而將第一含釘膜加 種可包含㈣適合的材料’諸如半導體材料及/或多 體材料的組合，以用於形成半導體結構。例如， 土可包含一或多種含石夕材料及/或其他材料，該等含石夕 201201278 材料諸如結晶矽（例如以<100>或Si<lu>)、氧化矽 (Si〇2 )、應變矽、摻雜或未摻雜的多晶矽、摻雜或未摻 雜的石夕晶圓、圖案化或未圖案化的晶圓、摻雜的矽，而 其他材料為諸如氮化矽（以3乂）、锶鈦氧化物（SrTi〇3 )、 欽（Ti)、氮化鈦（TiN)、或前述材料的組合。_些實施 例中’基材的上表面包括氧化物或氮化物。舉例而言， 該氧化物或氣化物可充當阻撐層或類似物，卩阻止—或 多種材料進入102的第一含釕膜2〇2的沉積，或者阻止 方法100的後續處理步驟渗透得更深入到基材2⑽中。 彳 在#實施例中，該氧化物或氮化物可充當對氧 化的阻擋層，該氧化是例如來自於用以減少第—含釘膜 2〇2中碳含π的含氧氣體（將於下文中在⑽論述）。 在1〇4’沉積的含舒膜2〇2可暴露至含氧氣體，以從 沉積的第-切膜2〇2移除至少—些碳（〇,如第π 圖中所繪。對含氧氣體的暴露可有利地將c從沉積的含 釘膜加移除，並且改善含釘膜202的結晶度，而不實 質上劣化沉積的含釕膜AAtT· ;犋2〇2的表面形態及/或厚度均勻 ^如第^圖㈣明’含氧氣體可與沉積的含釕 膜Μ2中的碳交互作用，而生成可排出的流出物，該流 出物諸如CXCV此處…為整數。示範性的可排出的 流出物可包括-氧化碳（C〇)、二氧化碳（CO。， 或水蒸氣（H2〇)。 沉積的含釘膜202可在與用於沉積含釕膜202相同的 CVD腔室中暴露至含氧痛 礼體’或者是在設以提供含氧氣 201201278 體的不同腔室（諸如氧化腔室或類似腔室）中暴露至含 氧氣體。可以約500至約100() sccm的範圍提供該含氧 氣體。含釕膜202可暴露至含氧氣體達第二段時間。第 二段時間的歷時可取決於在1〇2所沉積的含釕膜2〇2的 厚度》—些實施例中，第二段時間的範圍從約5到約6〇 秒。可於與上文中所揭露於1〇2用以沉積含釕膜202的 相同的壓力及溫度下’將含釕膜2G2暴露至含氧氣體。 ，含氧氣體可包括氡（〜）、水蒸氣（Η川、或過氧化 氫（η2ο2)的—或多者。―些實施例+，含氧氣體可為 〇2。 104對含氧氣體的暴露，除了造成碳從 層202移除外，還可造成氧結合至沉積的含㈣2〇2。 在刚的對含氧氣體的暴露後，沉積的含㈣如中的 氧含量範圍可從約i原子百分比至15原子百分比，或在 -些實施例中，為5原子百分比至1G原子百分比。一些 實施例中，氧含量可至少為約8原子百分比。當含釘膜 逝薄時，從沉積的含釕層2G2移除碳及/或將氧併入沉 積的含釘層2〇2可能是最有效的。例如（以及在一歧實 施例中），「薄」可包括層厚度㈣從約1G到約埃。 二步Γ’氧含量可取決於對含氧氣體的暴露時間 第-段時間）的長度而改變。例如，倘若期望

純的電阻率及較高的處理量，第二段時心在約U 約60秒之間。沉積的含釕膜2〇2中的氧 獻於含釕膜202於基材2〇2的表 ：利地貢 表面上的附著，該基材表 201201278 面㈣如叫或Si3N4的至少一者所構成。_些實施例 中，完成104時，沉積的含釕膜2〇2的電阻率已減少到 約 60 p〇hm-cm 以下。 視情況而定，在106及如第2〇圖中所繪，第—含釕膜 2〇2可在含氫氣體中退火，以從層加移除至少一些氧: 如前文對於其他製程所論述，1〇6的退火可在與1〇2的 沉積相同的CVD腔室中執行，或者可在設以退火的分開 的腔室中執行’該等設以退火的分開的腔室諸如埶氧化 腔室、快速熱製程（RTP)腔室、去氣腔室、或類似的 腔室。基材200可在106被加熱。例如，在—些實施例 中，基材溫度範圍可從約2〇〇到約4〇(rc。一些實施例 中’製程腔室的壓力在退火期間可為約2至約3-"ο": 在1〇6的退火可執行一第三段時間，例士α，該第三段時 間適合從含釕膜202移除期望的氧量。一些實施例中， 第三段時間範圍可從約1到約10分鐘。 :虱氣體可包括氫氣（H2)、HC00H、氫（Η)自由基、 或氫（H2 )電漿的__者或多者。一些實施例中，含氫氣 體可為h2。在1G6從含釕臈逝移除氧可進—步改善層 中的電阻率。例如’在—些實施例中移除氧後，含釕 膜202的電阻率可進—步減少到約30 pOhm-cm以下。 如前文所論述，彳以前述製程的任何數種組合執行方 法100。例如’層202可在1〇2沉積到期望厚度，之後 將層202暴露到含氧氣體’而隨後視情況纟106將層202 暴露到含氫氣體。或者，在1〇8，可重覆在1〇2、⑽及 201201278 106的一個或多個製程，以將層2〇2形成達期望厚度。 例如，右期望厚度實質上比足以在丨〇4有效移除碳及/或 在106有效移除氧的厚度還厚，則隨後反覆沉積製程可 能是最有效的。例如，1〇8的反覆製程可包括以相同次 序及相同的幾段時間重複1〇2、1〇4與視情況任選的 106 ’以在每一次的反冑中達成相同的碳含量及/或氧含 量。或者，可以任何適合的次序重複1〇2、1〇4及1〇6， 以使層202修飾（tail〇r)成期望厚度及/或修飾到使碳含 量及7或氧含量按比例縮放。例如，可更期望在接近基材 2〇0表面處有較高的氧含量以改善附著，並且在層202 的終端表面處有較低的氧含量以得期望的電㈣。可利 用G飾層202性質的其他組合，該等性質諸如基材⑽ 的表面與層202的終端表面之間的附著、電阻率、結晶 度、階梯覆蓋率、沉積速率或類似者。 方法1〇〇可提供包含釕、碳與氧的含釕膜202。 例如在-些實施例巾，含釘膜可主要為釕氧化物 (RU〇2)°進—步而言，含釕膜可包括至少-些碳，該等 碳達到提供如上文所述的期望層性f的含量。或者一些 實施例中’含釕膜202可使所有碳在104移除，並且該 含舒膜2〇2實質上包含釘與氧。一些實施例中，-日完 $方法_，含㈣可具有高沉積速率（例如大於約每 :鐘60埃）、低電阻率（例如小於約—〇hm-cm，或於 好=實施例（諸如退火後）中小於約40 p〇hm_cm)、良 好的階梯覆蓋率（例如約95%以上)、以及在包括氧化物 12 201201278 或氮化物的一者的表面上有良好的附著。 上文所論述的方法可用於形成一元件，例如基底 (pedestal)或冠狀電容器（crovvn capacitor)，該元件可耦 接電晶體的源極與汲極的一者，以形成DRAM單元^示 範性電谷器元件說明於第4C圖至第4D圖且於下文中論 述。 例如，第3圖描繪方法3〇〇的流程圖，該方法用於根 據本發明一些實施例製造一多層結構，該多層結構具有 一或多層含釕膜。於下文中針對第4A圖至第4D圖描述 方法300，該等圖式描繪製造多層結構的階段，諸如第 4C圖至第4D圖中所描繪的基底電容器的實施例的一者。 方法3 00開始於302, ，該步驟為沉積第一含釕膜402

的阻擋層408、以及配置在阻擋層4〇8頂上的第二層 例如於第4A圖中所說 配置在第一層406頂上 410。如第4A圖中所示（及在一 壁412可形成在第二層41〇中」 -些貫施例中），開 中並且延伸通過第二 ’開口的側 第二層410 13 201201278 至阻障層408的上表面4M。開口 4〇4的底表面411可 由阻擋層彻的上表面414形成。第二層41〇可包括一 或多種介電材料，例如ΖΑΖ (Ζγ〇2/Α12〇3/Ζγ〇2)或bst (BaxSryTiOz)。阻擋層4〇8可包括鈦（Ti)、氮化鈦（TiN)、 氧化矽（SiCh )、或類似物的一或多者。 第一層406可包括傳導材料或半導體材料，或可為介 電材料。例如（及在一些實施例中），第一層4〇6可由半 導體材料（諸如矽（Si))形成，並且該第一層4〇6具有 摻雜區域416(第4A圖至第4D圖中以虛線所示），該摻 雜區域416配置在第—層4〇6中並且位在開口 下 方。例如，摻雜區域416可為電晶體元件（諸如用在DRam 單元的電晶體元件）的源極或汲極的一者。或者（圖中 未示）’第一層406可由介電材料形成，並且第一層4〇6 具有諸如介層洞、溝槽或類似物的傳導部份，該傳導部 份配置成通過該第一層406以將第一含釕膜4〇2耦接配 置在第一層406下方的電晶體元件（圖中未示）的源極 或汲極的一者。例如，該傳導部份可包括鎢（w )、銅 (Cu )、氮化鈦（TiN )、紹（A1 )、或類似材料。 在304，氧化物層418形成於第一含釘膜402頂上 舉例而言，可將氧化物層418用作為電容器元件的電極 之間的介電材料，此處該等電極可為第一含釕膜4〇2與 第二含釕膜420 ’將於下文論述。氧化物層418可包括 锶鈦氧化物（SrTi〇3 )、多層氧化物層（諸如zaz (Zr〇2/Al2〇3/Zr〇2))、或類似材料的一者或多者。在—此 201201278 貫施例中’氡化物層4 1 8可為SrTi03。氧化物層4 1 8可 具有範圍從約10到約100埃的厚度。在一些實施例中， 氧化物層厚度是約3 0到約5 0埃。 可透過任何此技術領域中已知的適合的方法沉積氧化 物層418。例如’可透過熱氧化、ALD、PVD、或 類似方法沉積氧化物層418。類似於前文所述用於方法 1〇〇的實施例，氧化物層可在與用以形成第一含釕膜4〇2 相同的CVD製程腔室中形成，或者可使用設以用於氧化 製程的第二製程腔室。 在306’第二含釕膜42〇可沉積在氧化物層418頂上， 如第4C圖所#明。類似於第—含釕膜術，可使用任何 上文所述用於沉積含釕膜2〇2的方法ι〇〇的適合實施例 積第一 3釕膜420。舉例而言，第二含釘膜4〇2可透 過實質上類似於第一含舒瞄/ 乐 s对膜4〇2的方法1 〇〇的實施例而 積或者帛於各別沉積第-含釕膜402與第二含釕 膜420的方法10〇的實祐 】*T不同。例如，由於不同的 階梯覆蓋率的需求、層厚产 手度第一含釕膜4〇2與第二含 釕膜420的各者所藉以,ν # L積在上的層類型之故，用於沉 積各層420、420的實施例可不同。 第一含釕膜4〇2輿第二冬和时 一 3釕膜420及氧化物層418可 用於諸如電容器422的元株^时 件（如第4D圖所說明）。例如 在一些實施例中，第—含釘 膜402與第二含釕膜420可 主要為釕氧化物（ru〇 )， 货a 而氧化物層418可為SrTi03。 第一含釕膜4〇2與第二含 釘臈420可包括至少一些碳含 15 201201278 量’該碳含量例如為約0.5原子百分比以下。 例中，電容器422可且右的 <；祕、， 二貫施 * a Τ的有效氧化物厚度 亦可此有替代性的電容器設言十。例如在 圖中所說明，電容器424可形成在―心_ 1 第二層408的上表面428及第一 :开 苺υο的下表面430之 間具有非線性的側壁輪廓。 因此，在此已揭露用於沉積含舒膜的方法。本發明的 方法可有利地使待沉積的含釕膜具有元件應用上適當的 電阻率、附著、沉積速率、或階梯覆蓋率的任—者或全 部。示範性元件應用可包括具有_或多層含釕膜的電容 器’該等含釕膜是透過此述的本發明的方法所形成。在 一些實施例中，該示範性電容器可為更大型元件（諸如 動態隨機存取記憶體（DRAM )單元）的一部份。 雖前文是導向本發明的實施例，然而可不背離本發明 的基本料而設計本發明的其他與進一#的實施例。 【圖式簡單說明】 參考某些繪製在附圖的說明性實施例，可瞭解前文簡 要總結及詳細論述的本發明的實施例。然而應注意，附 圖只繪示本發明的典型實施例，因本發明允許其他同等 有效的實施例，故不將該等圖式視為其範圍的限制。 第1圖描繪一方法的流程圖，該方法用於根據本發明 一些貫施例沉積含釕層。 16 201201278 一些實施例沉積含 第2A圖至第2C圆描繪根據本發明 釕膜階段。 ’該方法用於根據本發明 δ亥結構具有一或多層含釕 第3圖描繪一方法的流程圖 一些實施例製造一多層結構， 膜。 第4Α圖至第4D圖描繪根據本發明一些實施例製造具 有一層或多層含釕膜的多層結構的製造階段。 為助於瞭解’如可能則使用同一元件符號指定各圖中 共通的同一元件。為清楚起見，該等圖式並非按比例尺 繪製，且可能為了明確而經簡化。應考量到一個實施例 的元件可有利地用於其他實施例而無須特別記敛。 【主要元件符號說明】 100方法 102-108 步驟 200基材 202第一含舒膜 3 00方法 302-306 步驟 400基材 402第一含釕膜 404 開口 406第一層 17 201201278 4 〇 8 阻擋層 410 第二層 411底表面 414上表面 416摻雜區域 4 1 8氧化物層 420第二含釕膜 422、424電容器 428上表面 430下表面

Claims (1)

1. 201201278 七、申請專利範圍： 1. 一種沉積一含釕膜於一基材上的方法，该方法包含以下 步驟： Ο)使用一含釕前驅物沉積〆含釕膜於一基材 上，該沉積的含釕膜具有碳，該碳结合於該沉積的含釕 膜中；以及 (b) 將該沉積的含旬·膜暴露至〆含氧氣體’以從該 沉積的含釕膜移除至少一些該碳。 2 ·如請求項第1項所述的方法，該方法進〆步包含以下步 驟： (c) 重覆（a)-(b)，以將該含釕膜沉積達一期望厚度。 3.如請求項第2項所述的方法，其中（3)進一步包含以下 步驟： 將該含釕膜沉積達一第一厚度，該第一厚度為約5 到約50埃。 步包含以下步 4.如請求項第丨項所述的方法，該方法進 驟： (c)在（b)之後於一含氫氣體中 該含釕膜移除至少一些氧。 返火該含釘膜 以從 201201278 5_如請求項第1項所述的方法，該方法進一少包含以下步 驟： (c) 在（b)之後於—含氫氣體中退火該含釕膜，以從 該含釕臈移除至少一些氧；以及 (d) 重複（a)-(c)以將該含釕膜沉積達一期望厚度。 6.如叫求項第4項或第5項任一項所述的方法，其中（c) 進一步包含以下步驟： 將該基材加熱到約200至約4〇(rc的一溫度，以退 火該含釕臈。 7. 如明求項第！項至第5項任一項所述的 材進—步包含： —上表面，該上表面用於沉積該含釕膜於該上表面 上，該上表面包括一氧化物或—氣化物的至少一者。 8. 如請求項第7項所述的 .左”中5玄上表面包含氧化矽 以1% )、氮化矽（Si3N4)、鋩钍s儿， 〇鈦鈦氧化物（SrTi〇3)、或 氣化鈦（TiN )的至少一者。 9.如請求項第1項至第5項 釕剛驅物包括二曱基丁間 基、丁間二烯··釕-三羰基、 或以三羰基釕改質的二缉 項所述的方法，其中該含 二烯基釕、環己二烯-釕-三羰 —曱基丁間二烯-釕-三羰基、 類的至少—者。 20 201201278 1〇.如請求項第丨項至第5項任 進—步包含以下步騾： 項所遮的方法，其中（b) 將該沉積的含釘膜 歷時範圍是從約的1该含氧氣體達—歷時，該 衫至約60秒。 .如請求項第！項至第 、 含氣氣體是氧氣卩 、所述的方法，其中該 、节i米L I 〇2 )、波兮々/ (札〇2)的至少—者。 乳（H20)、或過氧化氫 12.如請求項第 (a)中該沉積的 30原子百分比 1項至第5項任一項所述的方法 3釕膜中所包括的該碳的量是約 其t在 2至約 13.如請求項第1 (b)總結時該經暴 括的該氧的量是 項至第5項任一項所述的方法，其中在 露至含氧氣體的沉積的含釕膜中所包 、力1至約15原子百分比。 14.如請求項第j 含釕膜是一第— 驟： 項至第 含釕膜 項任一項所述的方法，其中該 且該方法進一步包含以下步 在（b)之後， • 積—氧化物層於該第一含釕膜頂 ，Μ及 如在（a)-(b)戶斤、+、Α &般在該氧化物層頂上沉積一第二 21 201201278 含釕膜。 15.如請求項第 下步驟： 14項所 重覆(a)和(b)，以 望厚度。 述的方法，該方法進一步包含以 將該第二含釕膜沉積達一第二期 16. 該 如請求項楚1 項所述的方法，其中該第一含釕膜與 第二含釕膜包含氧。 田如明求項第14項所述的方法，其中該氧化物層包含 U鈦氧化物（SrTi〇3 )《-多層氧化物層的一者或多 者該多層氧化物層包含ZAZ (Zr〇2/Al2〇3/Zr〇2)。 吻求項第14項所述的方法，其中該第一含釕膜與 該第二含釕臈及該氧化物層形成一電容器，該電容器經 由該基材耦接一電晶體元件的一源極或一汲極的一者。 22