201201267 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於將於具有電路圖案之晶圓之面依序積 層接著層與保護膜而成之附有接著膜之晶圓切割之晶圓之 切割方法、連接方法及連接構造體。 本申*月係以於曰本2010年6月2日申請之日本專利申 請號2010— 126919為基礎主張優先權者，藉由參照該申請 而援用於本申請案。 【先前技術】 半導體領域中，在將IC(Ictegrated Circuit)構裝於基板 上之It形，需有固定IC之材料。此材料，一般係膜狀或糊 狀之樹脂劑（例如接著劑' 密封劑），最終充填於1C與基板 之間將之固化，而固定Ic與基板。 、狀之材料、例如黏晶膜、Acf(Anis〇tropic Conductive ’異方 |·生導電膜）、NCF(Non Particle Conductive Film, 無u粒導電膜）等’需配合ic尺寸切割來使用。
又’與於基板之電極上塗布接著層（例如NCF)並將1C 倒裝晶片接么^ t、土 4 ^ 〇之方法相較，由於生產上之優點多，因此晶 圓切割方法被建議。 作為—般之晶圓切割方法，已知有於晶圓表面（描繪有 電路之功能面）貼附接著層，於晶圓之背面側設置黏晶膜， 並攸接著層側插入切削切刀而從晶圓單片化成ic之方法。 (參^例如專利文獻1及專利文獻2)。藉由使用此方法，可 201201267 得到於ic之功能面側（突塊）配置有接著層之IC β 以往’係以晶圓之表面朝上’於切割帶設置附有接著 層之晶圓’從晶圓表面插入切削切刀，進行切割。此係為 了以拍攝機讀取晶圆表面之電路圖案並進行切割時之對 準。 晶圓之切割工法中有「雷射（Dry)」或「電漿（Dry)」' 切刀（Wet)」。此等工法中以Dry環境（乾燥之環境）進行 之雷射或電漿之工法對加工中之污染係有利的。然而，用 於此等雷射或電漿之工法之裝置並非—般，裝置成本亦係 切刀之三倍以上。因此，「切刀（Wet)」為最一般之工法。 以通*之切刀切割切割貼附有ACF或NCF之晶圓時， 被擔心之事項為污染。此係因ACF或NCF位於晶圓之功能 面側，因此有異物之污染時，在壓接時有可能產生IC之功 能面之破損、短路之產生之類不良情形。為了避免此可能 性，在對ACF或NCF表面使用保護膜時，有切割加工時會 剝離之加工性之問題。又，由於保護膜亦與IC 一起被分割 (單片化）’因此在使保護膜剝離之步驟中，有難以使保護膜 剝離，保護膜之剝離殘留產生之剝離性問題。 [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2009_ 135348號公報 [專利文獻2]曰本特開2〇〇8_ 141 135號公報 【發明内容】 本發明係有鑑於上述習知之實情而提出者，其目的在 4 201201267 於，提供能使在加nj後之保護以 之切割方法、連接方法及連接構造體。 “子之晶圓 本發明之晶圓之切割方法，其具 於-面具有電路圖案之晶圓之該一面依序J步驟係將 護膜而成之附有接著膜之晶圓之該保護膜之^著層與保 帶；拍攝步驟，係從前述附有接著膜之 附於切割 攝該附有接著膜之晶圓中之前述晶圓 面側拍 位置決定步驟，根據在前述拍攝步驟拍攝之影‘像二： 割前述附有接著膜之晶圓之位置；切 H ’ ；、疋分 在…割位置決定步驟決定之位置，於前述附有接著膜 之晶®，形成從該附有接著膜之日日日圓之另—面側至柱 著層及前述保護膜所接觸之面與該保護膜及前述^帶所 接觸之面之間為止之切削槽，以形成複數個附有接著膜之 晶片’該晶片具備在於一面具有前述電路圖案之晶片之访 =積層有前述接著層之附有接著層之晶片、以及前述： 遵膜；以及拾取步驟，從前述附有接著膜之 附有接著層之晶片。 取月j述 本發明之連接方法，具有壓接步驟，係將以上述之曰 圓之切割方法拾取之附有接著層之晶片透過接著層壓接= ”有電極之電路基才反’以連接該電極與該附有接居曰 u l ® 曰曰 片之電路圖案。 本發明之連接構造體，係藉由上述連接方法而製得。 根據本發明，由於係切削晶圓及接著層，且保護膜以 未被分割之狀態殘留，因此能使在加工晶圓後之保護膜之 201201267 剝離性良好。 實施方式 以下，參照圖式依照以下順序磧 外。兒明適用本發明之晶圓 例 之切割方法'連接方法及連接構造體之具體實施形態之一 1. 晶圓之切割方法 1 -1.貼附步驟 1 - 2.拍攝步驟 1-2-1.切割裝置 1 - 2 - 2.拍攝方法 1-3.分割位置決定步驟 1-4·切削槽形成步驟 1-5.拾取步驟 2. 連接方法及連接構造體 2 -1 ·壓接步驟 3. 其他實施形態 4. 實施例 < 1.晶圓之切割方法> 如圖1所示，本實施形態之晶圓之切割方法，具有貼 附步驟S 1、拍攝步驟S2、分割位置決定步驟S3、切削槽形 成步驟S 4、拾取步驟s 5 β < 1 -1 ·貼附步驟〉 如圖2、圖3所示，貼附步驟S1中，係將於一面具有 6 201201267 電路圖案即突塊16之曰 「功能面1〇a」）依序藉日廢之—面（表面）10a(以下亦稱為 24 ., 積層接耆層22與具有透射性之伴 24而成之附有接著膜 々保4臈 1 s , 、日日圓39之另一面39b貼附於切宝丨 以。例如，在貼附步 ㈣切割帶 少鄉S1中係進行如下之處理。 首先’如圖2所示，將所 心 將所準備之晶圓10固定於治且；1 作為晶圓10，能舉/、12。 圓1n + 匕牛出例如矽晶圓等半導體晶圓。於曰 圓1〇之一面10a形成有格 '阳 处工！ Λ 千狀之劃線14。於晶圓1 〇之功 月匕面l〇a形成有電路圖案即突塊16。 力 ，’。具12具備例如具有較晶圓10直徑大之直徑之严 或框狀之框架20與-面具有接著性之切割帶18。& 竿：之：8係例如貼附於框架20之-面側，展開於框 ‘20之内側。晶® 10例如貼附於治具12之中央部。又： 曰曰圓1 0之功此面丨〇a之另一面i 〇b貼附於切割帶1 8。作 切割帶18，係使用例如會因與射紫外線而剝離力變小之黏 著膜。藉此’在將晶圓10分割成複數個晶片21後，夢由 對切割帶18照射紫外線’在拾取各個晶片2"夺能從㈣ 帶18容易地分離晶片21。 接著’如圖3所示，於晶圓！ 〇夕从 仏日日圓ιυ之功旎面10a配置積層 保遵膜24與接著層22而構成之接著膜26。 接著層22包含例如膜形成樹脂、液狀硬化成分及硬化 劑。又，接著層22,亦可包含例如各種橡膠成分、柔軟劑、 各種填料類等添加劑或導電性粒子。接著層22 。, 一丁係 NCF(Non Particle Conductive Film，無微粒導電膜）或 ACF(Anisotropic Conductive Film,異方性導雷摇、 . τ电联）、或積層 201201267 有該等者。 作為膜形成樹脂能例示苯氧基樹脂、聚酷樹脂、聚醯 胺樹脂、聚醯亞胺樹脂。膜形成樹脂，從材料之取得容易 性及連接可靠性之觀點來看，最好係包含苯氧基樹脂。作 為液狀硬化成分，能例示液狀環氧樹脂、丙稀酸。液狀硬 化成分，從連接可靠性及硬化物穩定性之觀點來看，最好 ::!久以上之官能基。作為硬化劑’在液狀硬化成分為 %乳樹脂之情形，能例示㈣、胺類H t 2:。液狀硬化成分為丙稀酸之情形，能例示有機過氧化 物作為硬化劑。 接著層22之厚度最好係突塊16之高度以上 亦即，接著層22之厚度最好係能覆蓋突塊16之厚度。又 削片Γ董膜24係在使用切割裝置等分割晶圓10時防止切 “專附著於接著層22。作為保護膜 骐 '聚對芏-田缺， 此举出例如聚酯 謂本—曱酸乙二g旨膜等 紙之紙類等。 質紙、玻璃 保護膜24之厚度最好係25〜刚 膜24之厚度未 心之靶圍。在保護 早又未滿25々m時，會有使用切 1 0之步驟途中伴1 M , 裝置荨分割晶圓 濩膜24從接著層22剝離之情飛^ 膜24之厚度為25…上之情形相較 广與保護 膜24之厚度超過100_，則於保護膜Μ上較差。若保護 以製造接著膜26時， ' 、 塗布接著層22 伴1 ；呆護膜24上會難以塗布接著| ” 保蠖骐24與接荃思n 快考層22。 〜上。此：間之剝離力最好為。·1〜 此處，所謂保護膜24與接著 ·Ν 2之間之剝離 201201267 :糸根據例如JISZ0237顯示於180度方向”形剝離之時 :剝離力。保護膜24與接著層22之間之剝離力未滿〇 in /cm時，會有使用切割裝置等分割晶圓ι〇之步驟、亦即於 切削槽形成步驟84途中後述之附有接著膜之晶片Μ從保 與㈣膜24與接著層22之間之剝離 力係0.1N/Cm以上之情形相較加工性較差。又，在保護膜 24與接著層22之間之剝離力超過3 〇N/cin時，會有在拾 取步驟S5保護膜24僅一部分剝離而殘留，剝離：並非： 好。再者，保護膜24與接著層22之間之剝離力為〇·3〜〇·6ν / Cm，則又更佳。藉此，能使在切削槽形成步驟S4之加工 性及在拾取步驟S 5之剝離性更良好。 保護膜24與接著層22之間之剝離力能藉由對保護膜 24表面施以離模處理來調整。離模處理，例如能藉由將矽 系之剥離劑塗布於保護膜24表面後，加熱保護膜24而使 保遵膜24乾燥來實施。 保護膜24與接著層22之間之剝離力亦可較依據圖2 說明之於治具12接著晶圓10之階段中晶圓10與切割帶18 之剝離力小。藉此，如於後詳述，能於拾取步驟中使加 工晶圓1 0後之保護膜24之剝離性良好。 其次，例如圖3所示’使用按壓裝置28將接著膜％ 貼附於晶圓1 〇。 、） 按壓裝置28具備例如載台30與壓接頭32。載台3〇載 置例如晶圓10。又，晶圓1〇係在被治具12保持之狀態下 載置於載台30。又，載台3〇具有例如加熱裝置34。此外， 201201267 在將接著膜26貼附於晶圓1 〇之階段中 裝置34。 亦可不使用加熱 壓接頭32例如圖3所示具有按壓構件％與保持按壓 構件36之保持部38。壓接頭32係將按壓構件％往載台 3〇側按壓。按壓構件36以例如彈性體構成。能使用石夕橡膠 專之彈性體⑷astomer)。！！此，與金屬製之按壓構件相較， 月&將接著膜26均一地貼附於晶圓丨〇。 接著’按壓裝置28係、將於表面配置有接著膜％之晶 10夾於載台30與壓接頭32之間按壓。亦即，以保 :接頭32之按壓構件36將接著膜26按壓於晶圓之功 月匕面。藉此，能將接著膜26貼附於晶圓1 〇。 其次，如圖4所示，將上述之附有接著膜之晶圓π之 保護膜之面貼附於切割帶。 ^-2.拍攝步驟> 曰拍攝步驟S2,拍攝步驟’係從圖5所示之附有接著膜 ^曰曰圓39之另一面39b側拍攝附有接著犋之晶ID 39中之 晶圓1〇之一面、亦即晶圓之功能面10a之影像。 "^-^切割裝置〉 拍攝步驟S2’係使用例如圖5所示之切割裝置4〇。切 裝置如，具備夹頭平台42、對準載台44、拍攝部I 切削部48、以及控制部52。 夾員平° 42係藉由例如未圖示之減壓裝置吸引治具 ，並將治具12固定於夾頭平台42上。 對準載台44係根據例如控制部52之指示使夾頭平台 10 201201267 42移動於χ方向及y方向。 拍攝部46具有例如以紅外線拍攝機構成、接收在晶圆 表面亦即在晶圓1 〇之功能面】〇a反射之光之光學系 統、拍攝光學系統所捕捉之像之拍攝元件。拍攝部46例如 藉’、、、射從附有接著膜之晶圓39之另一面39b側透射至附 有接著膜之晶圓39内部之光並接收在晶圓iG之功能面心 之反射光，拍攝晶目10之功能面1〇a之影像。拍攝部46 係將所拍攝之景》像之資訊發送至控制部5 2。 切削部48係根據控制部52之指示，切削晶圓1〇。切 削具有例如切削晶圓1〇之切刀5〇。切削部化係將旋 轉之切刀50按壓於晶圓10以切削晶圓10。 驅動部56係從控制部52之影像處理部54接收盘分則 晶圓1〇之位置相關之資訊。驅動部56係根據與分割晶圓 1〇之位置相關之資訊，驅動對準載台44及切肖"H8。藉 此，切割裝置40能將晶圓10分割（單片化；）。 ^-2-2.拍攝方法〉 拍攝步驟S2 ’係為了從晶圓1G之功能面iQa 14之位置，而抽攝— J ^ 而拍攝附有接者膜之晶圓39之晶圓1〇之 面心之影像。作為具體方法，係使用例如上述切割裝^ 40進行其次處理。 首先，拍攝部46藉由照射從附有接著膜之晶圓Μ之 另-面39b側透射至附有接著膜之晶圓39内部 在晶圓;〇之功能…反射光，拍攝晶…= 心之影像。其次’拍攝部46係將所拍攝之影像之資訊發 11 201201267 送至控制部5 2。其次，切室•丨肚里」Λ 切割裝置40之影像處理部54接你 拍攝部46所拍攝之影像之資訊。 <1-3.分割位置決定步驟> 分割位置決^步驟S3,係根據在拍攝步驟S2拍攝之男 像決定分割附有接著膜之晶圓3 9之仿罟.,, ^ 〈日日圓39之位置。例如，分 決定步驟S3係如圖6所干，汁+T7 w壯职 所不上述切割裝置40之影像處理 從晶® 1〇之功能面1〇a之影像辨識劃、線14 ， 決定沿劃線14分割晶圓1〇之位置。 < 1 -4.切削槽形成步驟> 切削槽形成步驟84，係例如圖7所示，根據 置決定步驟S3決定之位置，於时接㈣之晶圓Μ，二成 ，附有接者膜之晶目39之另—面现側至接著層U及保 護膜24所接觸之面與保護冑％及㈣帶μ所接觸之面之 間為止之切削槽62。藉此，在切削槽形成步驟Μ中 具備附有接著層之晶片64與保護膜24之複數個附有接著 膜之晶片60。此種切削槽形成步驟S4中，藉由切宝,丨裝置 4〇形成複數個附有接著膜之晶片6〇時，能防止從接著層 22晶片21偏移或脫落。 例如’切削槽形成步驟S4，係使用上述圖5所示之切 割裝置40進行以下之處理。 首先，在影像處理部54決定沿劃線u將晶圓1〇於X 方向分割時，驅動部56係驅動對準載台44，使夾頭平台 42移動而使劃線14之一端位於切刀5〇之下方。 〇 其次’驅動部56驅動切削部48 ’在使切刀5〇已旋轉 12 201201267 使切刀50壓接於晶圆 之狀態下使切削部48移動至下方 10 〇 其次’驅動部56驅動對準載台44，使晶圓ig移 X方向。 、 藉此，切削槽形成步驟S4中，能沿劃線14於乂方洽 分割晶圓H)’形成具備附有接著層之晶片64與保護膜: 之複數個附有接著膜之晶片⑼。又，在切削槽形成步驟S4 中，係在於晶圓10表面貼附有保護膜24及接著I 22之 態下分割晶圓1〇,藉此能防止於接著層22表面附著切削層： < 1 - 5.拾取步驟> 拾取步驟S5,從时接著膜之晶片6()拾取（剝離） 接著層之晶片64。 例如，拾取步驟S5中’係如圖7所示，藉由將圖了所 不狀態之附有接著膜之晶片60往圖8之箭頭方向拉展，從 附有接著膜之晶片6G之接著層22與保護膜24所㈣^ :離附有接著層之晶片64。藉此，從複數個附有接著層之 晶片64之各個拾取附有接著層之晶片64。 窃 如以上所說明，本實施形態之晶圓之切割方法，係於 附有接著膜之晶圓39,形成從附有接著膜之晶圓39之另二 面39b側至接著層22及保護膜24所接觸之面與保護膜μ 及切割帶18所接觸之面之間為止之切削槽62。藉此，本實 施形態之晶圓之七刀割方法’由於能在接著I 22表面被保護 膜24覆蓋之狀態下製造附有接著膜之晶片6〇，因此防止於 接者層22表面附著切削屑。因此，本實施形態之晶圓之切 13 201201267 割方法，能防止在分割晶圓1 0時之異物之污染。 又，本實施形態之晶圓之切割方法，由於切削晶圓10 及接著層22，且在保護膜24未完全被分割之狀態殘留，並 保濩膜24與接著層22之間之剝離力較晶圓丨〇與切割帶i 8 彔J離力小，因此能使加工晶圓1 〇後之保護膜24之剥離 性良好。 再者’本實施形態之晶圓之切割方法，由於拾取附有 接著層之晶片64時保護膜24未被單片化，且保護膜24與 接著層22之間之剝離力較晶圓1 〇與切割帶1 8之剝離力 小’因此能防止保護膜24僅一部分剝離殘留。 亦即’本實施形態之晶圓之製造方法，在切削晶圓1〇 及接著層22後保護膜24係以未被單片化之狀態殘留，而 月b使加工晶圆1 〇後之保護膜24之剝離性良好。 <2.連接方法及連接構造體> 如圖9所示，本實施形態之連接方法，具有貼附步驟 S 1、拍攝步驟S2、分割位置決定步驟S3、切削槽形成步驟 S4、拾取步驟S5、壓接步驟S6 »此外，貼附步驟S 1〜拾取 步驟S5，由於與上述圖1所示之處理相同，因此省略其詳 細說明。 <2-1.壓接步驟> 壓接步驟S6中，係將在拾取步驟S5拾取之附有接著 層之晶片64透過接著層22壓接於具有電極72之電路基板 7〇 ’以連接電極72與附有接著層之晶片64之突塊16。 例如’壓接步驟S6中，係使用如圖10所示之按壓裝 14 201201267 置28進行下述處理。 首先’於電路基板70上暫搭載複數個附有接 w 曰曰 片64。亦即，將已確認保護膜24已剝離之附有接著層之曰曰 片64配置於電路基板70表面之既定位置。附有接著声之 晶片64與電路基板70，係被對齊成在按壓兩者時附有接著 層之晶片64之突塊16與電路基板70之電極72會電氣連 接。 接著，將配置有附有接著層之晶片64之電路基板7〇 載置於按壓裝置28之載台30上。 其次，以保持於壓接頭32之按壓構件36將附有接著 層之晶片64按壓於電路基板70之表面。例如，可舉出藉 由被稱為EBS(Elasticity Bonding System，彈性接合系統） 工法之將電路基板整體在以彈性體覆蓋之狀態按壓之方 法，將複數個於同一基板上暫配置之晶片一次壓接之方 法。EBS工法中，係使用由彈性體構成之壓接構件，其於 壓接頭本體之與電路基板70對向之部分設有凹部。亦即， EBS工法中，係藉由熱壓接頭（具有由覆蓋印刷基板整體之 彈性體構成）按壓複數個附有接著層之晶片64，將附有接著 層之晶片64 —次壓接。藉此，能將附有接著層之晶片M 透過接著層22 —次構裝於電路基板7〇表面。 如上述，本實施形態之連接方法，係如圖丨所示，能 製造透過接著層22而連接附有接著層之晶片64之突塊16 與電路基板70之電極72之連接構造體8〇 <3.其他實施形態> 15 201201267 上述晶圓之切割方法中，為了使晶圓ίο之厚度較薄， 而了可如圖12所示於貼附步驟S1前進-步將附有接著膜 之晶圓39之另—面现研削至既定厚度之研削步驟S0。 此種研削能藉由例如研磨裝置等進行。 曰上述分割位置決定步驟S3中，影像處理部54亦可從 晶圓1〇之功能面之影像辨識突塊16或對準標記之位置， 以辨識劃線14之位置。 又，上述按壓構件36亦可係彈性體。藉此，即使係在 將複數個附有接著層之晶片64同時按麼於電路基板7〇、之 表面之情形，亦能良好地連接附有接著層之晶片Μ與電路 基板7 0。 又，上述實施形態中，係說明了於按壓構件％使用彈 性體（elastomer)，將複數個附有接著層之晶片64 一次構裝 :電路基板70之情形。然而’於電路基板7〇構裝附有接 著層之晶片64之方法並不限定於此。例如，亦可不使用彈 性體(e—0,來將附有接著層之晶片64構裝於電路基 板70。又，亦可將複數個附有接著層之晶片64逐一構裝於 電路基板70。 ' “又，上述實施形‘態巾，係說明了使用按壓裝置28將接 著臈26貼附於晶B] 10之情形 '然❿，將接著冑％貼附於 晶圓10之方法並不限定於此。例如，亦可使用滚子積層機 8將接著膜26貼附於晶圓1 〇。 又’按壓構件36並非僅限定於上述EBS，並非妨礙一 般之熱壓接壓接頭（陶究或金屬等硬質壓接頭）或超音波壓 16 201201267 接頭之使用。 例如’亦可如圖13所示將附有接著層之晶片64接著 於電路基板70。圖13 φ .. ^ t 中’係對與圖1至圖12相同或類似 之部分賦予與圖1至圖 至圖1 2相同之參照符號，省略重複之發 明。 匕裝置82 ’係藉由倒裝晶片接合將電路基板與晶 片21電孔連接。按壓裝置^具備載台μ與陶免工具％。 按壓裝置82及蓣a 八„ ϋ 刀別具有與按壓裝置28及載台30 相同之構成。 陶竟工具86係將附有接+ β ^ ^ 7々接者層之晶片64對電路基板70 按壓。陶究工具86亦可將滿輕柄 』』將複數個附有接著層之晶片64逐 —對電路基板7〇按壓。陶资 £具86亦可包含碳化矽、氮 化夕、氮化鋁等陶瓷。陶究 瓦工具86亦可係壓接頭之一例。 陶瓷工具86亦可具有加埶 ^ ^ ™ cc …、£ 具86之加熱裝置88。加 熱裝置88亦可係陶瓷加熱器。 ，又，從附有接著膜之晶片6〇剥離附有接著層之 後，切割裝置40之拍攝部46亦 *4 lL 拍攝日日圓1 〇表面之影像〇 藉此，影像處理部54能處理 ' 有接著声之…… 曰曰囫10表面之影像，確認附 负按者層之日日片64是否從附有接 者臈之日日片60剥離。 例如，亦可由從附有接著膜之晶片60分離出各個 附有接著層之晶片64之拾取裝置確認附有接著；二出各個 是否從附有接著膜之晶片6〇剝離。 《之曰a片64 又，例如，在從附有接著臈之a 接著層之曰Η ή 日日片60为離出各個附有 按者層之a日片64之拾取裝置，私 负 拾取附有接著層之晶片64 17 201201267 之情形，在未從附有接著膜之晶片60之保護膜24剝離附 有接著層之晶片64時，與從保護膜24已剝離附有接著層 之晶片64時比較，係在拾取裝置之前端與切割帶18之距 離更遠的地點拾取裝置與附有接著層之晶片64彼此接觸。 因此，亦可根據拾取裝置所檢測之壓力變化，確認附有接 著層之晶片64是否已從附有接著膜之晶片6〇之保護膜24 剝離。 [實施例] 以下說明本發明之具體實施例。此外，本發明之範圍 並不限定於下述任一實施例。 <接著膜之製作> 作為接著層之-例係使用NCFe於各接著膜之保護膜 係使用與離模處理方法厚度相異之聚對苯二甲酸乙二醋膜 (以下稱為「PET膜」）。 <使用黏結劑α之接著膜> 使用塗布棒於各保護膜上塗布接著層。將塗布有接著 層之H膜置X 8G c之烤爐’使溶媒揮發使接著層乾燥， 藉此製作依序積層接著層即NCF與㈣膜即PM膜而 之接著膜。 卜接著膜中，接著層與保護膜之剝離力，係於保 :膜上塗布接著層前藉由對保護臈表面施以離模處理來調 :離核處理’係藉由在將石夕系之剝離劑塗布於保護膜表 加熱保護膜並使保護膜乾燥來實施。藉由調整石夕系 之剝離劑之組合，製作接著層與保護膜之剝離力相異之表、！ 18 201201267 所示之實施例1〜實施例11及表2所示之比較例1〜比較 例5之接著膜。 [表1] 切割 開始面 保護膜之 厚度 Om) 剝離力 (N/cm) 保護膜之 半切割 加工性 剝離性 連接 可靠性 實施例1 背面 50 0.170 有 Δ 〇 〇 實施例2 背面 50 0.300 有 〇 ◎ 〇 實施例3 背面 50 0.520 有 〇 ◎ 〇 實施例4 背面 50 0.720 有 〇 〇 〇 實施例5 背面 50 1.000 有 〇 〇 〇 實施例6 背面 50 0.100 有 X Δ Δ 實施例7 背面 50 1.870 有 〇 Δ Δ 實施例8 背面 25 0.300 有 〇 〇 〇 實施例9 背面 38 0.300 有 〇 ◎ 〇 實施例10 背面 75 0.300 有 〇 ◎ 〇 實施例11 背面 100 0.300 有 〇 〇 〇 [表2] 切割 開始面 保護膜之 厚度 剝離力 (N/cm) 保護膜之 半切割 加工性 剝離性 連接 可靠性 比較例1 表面 100 0.300 有 〇 X 剝離殘留 Δ 比較例2 表面 50 0.300 有 〇 X 剝離殘留 Δ 比較例3 背面 100 0.300 無 〇 X X 比較例4 背面 無 X (對 DG-Tape 轉附） X 比較例5 表面 無 - - - / Δ <關於保護膜之厚度> 表 1及表 2所示之保護膜之厚度係使用測微器 (Mitutoyo股份有限公司製）測定。 <保護膜對接著膜之剝離力> 19 201201267 表！及表2所示之保護膜對接著膜之剝離力
Tensile·份有限公司〇Hen 糸使用 疫卡a ^ 則疋。拉展方向為180 度方向。拉展方法為T型剝 3〇〇_。測定係以 拉展速度設定為每分 施。 疋係以皿度23±2C、溫度55±io%rh之條件實 其次，將接著膜之各個貼附於石夕晶圓之一面全面準 :用於切割試驗之試料。石夕晶圓係使用直徑為"、厚度 為爪者。切割試驗中 _ 货運仃圖9所不之各步驟之處 切肖二：’表1及表2所示「保護臈之半切割」係表示在 ==步驟S4中形成之切削槽之有無。當此保護膜之 半切割為「有，$ 噌胳 」之清形，係在切削槽形成步驟S4中形成保 蠖膜之切入量為2〇"m之切削槽。 〈關於加工性> 11係在切削槽形成步驟S4中’藉由切割裝置形 烕複數個附有接著膜$ a 要者膜之日日片時測定從接著層偏離或脫落之 数目來評價。 . 表2中加工性為「〇」係指於丨〇點平均評價 二示無晶片之偏移或脫落。加工性為「△」係指於1〇點 =評價中观未滿之晶片已偏移或聽。加工性為％ 货' 心於1 〇點平均評僧φ 賈中50 /〇以上之晶片已偏移或脫落。 <關於剝離性> :〗離f生係藉由於拾取步驟“中從附有接著膜之晶片拾 寸有接著層之晶片時觀察保護膜之剝離性來評價。 20 201201267 J表示剝離性非常良好。 。剝離性為「△」表示有 J表示有非常難以脫附或 表1及表2中，剝離性為「◎ 剝離性為「〇」表示剝離性良好 一部分難以脫附處。剝離性為「χ 無法脫附處。 Ί 土 運接可靠 連接可罪性，係針斜圖Q私- 于圖9所不之以壓接步驟S6所製得 之連接構造體（IC)使用帏
J使用畸變測量器（4333A
HEWLETTPACKARD公司製），藉由四端子法，⑽品數N -1 〇(4(X樣品）m00ch中之正常連接通道 評價。 作為用以評價連接可靠性之評價基材，係使用 6.3X6.3mm之1C。關於壓接步驟％之壓接條件，係進行如 下之暫搭載步驟及本壓接步驟。亦即，將附有接著層之晶 片暫搭載於絕緣基板上之暫搭載步驟中，係設在〇 2Mpa、 80°C持續2秒間之條件。又，在藉由熱壓接壓接頭按壓附 有接著層之晶片、使附有接著層之晶片本壓接之本壓接步 驟中，係設每一晶片125N、在18(TC持續2〇秒間之條件。 表1及表2中，連接可靠性為「〇」表示97%以上之 通道（3 88ch以上）為連接良好。連接可靠性為r △」表示 以上97%未滿之通道（360ch以上387ch以下）為連接良好。 連接可靠性為「X」表示90%未滿之通道（360ch未滿）為連 接良好或所有通道無法壓接。 <實施例及比較例之評價結果> 如表1所示，實施例1〜實施例11中，加工性、保護 21 201201267 膜剝離性及連接可靠性均良好。此等中，由於實施例2、實 施例3、實施例9及實施例1〇係保護骐厚度在3〇〜75#m 之範圍内，且剝離力在0.3〜〇.6N/cm之範圍内因此保護 膜剝離性特別良好。 另一方面，如表2所示，比較例丨、比較例2中，雖進 行保護膜之半切割，但由於從晶圓表面開始切割因此就 保《蒦膜剝離性而s非常難脫附，而有剝離殘留。又，比較 例1、比較例2中，由於從晶圓表面開始切割，因此連接可 靠性大致非良好。 又，如表2所示，比較例3中，雖從晶圓背面進行切 割’但由於無保護膜之半切割’因此保護膜剝離性及連接 可靠性並非良好。 又’如表2所示’比較例4中，雖從晶圓背面進行切 割’但由於無保護膜’因此保護膜非常難以脫附，附有接 著層之晶片轉附至切割帶，保護膜剝離性並非良好。又， 比較例4中’由於無保護膜，因此連接可靠性並非良好。 又’如表2所示，比較例5中，由於從晶圓表面進行 切割且無保護膜’因此保護膜剝離性並非良好，連接可靠 性亦不大良好。 【圖式簡單說明】 圖1係用以說明本實施形態之晶圓之切割方法一例之 流程圖。 圖2係顯示於治具接著晶圓之階段之一例之概略圖。 22 201201267 圖3係顯示於曰 a曰圓貼附接著膜之階段之一例之概略圖。 圖4係將附古& β τ胥接著膜之晶圓之保護膜之面貼附於切割 帶之階段之~你丨+ , 例之概略圖。 圖5係顯 例之概略圖。 τ載置有附有接著膜之晶圓之切割裝置之一 圖 略圖。 6係顯示拍攝 步驟及分割位置決定步驟之一例之概 圖7係顯不切削槽形成步驟之一例之概略圖。 圖8係顯示拾取步驟之一例之概略圖。 1^1 9 ® ’、用以說明本實施形態之連接方法一例之流程圖。 圖10係顯示壓接步驟之一例之概略圖。 圖11係顯示在壓接步驟被壓接之連接構造體之一例之 概略圖。 圖12係用以說明其他實施形態之晶圓之切割方法一例 之流程圖。 圖13係顯示壓接步驟之另一例之概略圖。 【主要 10 元件符號說明 晶圓 10a —面 10b 另一面 12 14 治具 劃線 突塊 23 16 201201267 18 切割帶 20 框架 21 晶片 22 接著層 24 保護膜 26 接著膜 28 按壓裝置 30 載台 32 壓接頭 34 加熱裝置 36 按壓構件 38 保持部 39 附有接著膜之 39a 一面 39b 另一面 40 切割裝置 42 夾頭平台 44 對準載台 46 拍攝部 48 切削部 50 切刀 52 控制部 54 影像處理部 56 驅動部 24 201201267 60 60b 61 62 64 70 72 80 84 86 附有接著膜之晶片 背面 切削槽 保護構件 附有接者層之晶片 電路基板 電極 連接構造體 載台 陶瓷工具 25