TW201200869A - An inspection system and method for inspecting line width and/or positional errors of a pattern - Google Patents
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Description
201200869 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種檢驗方法及一種檢驗系統,該等方法 及系統係用以檢驗於一待檢驗物件(諸如一遮罩)上形成的 一圖案之一線寬或一位置。 本申請案之慣例優先權係基於2010年4月9日申請的日本 專利申請案第20 10-090057號,該揭示案全文包含說明 書、申請專利範圍、圖式及摘要’該案以引用方式併入本 文中。 【先前技術】 近來,歸因於大型積體電路(LSI)之進一步整合及容量 之增加,半導體器件需要的電路線寬已逐漸變窄。使用於 其上形成一電路圖案的一原始影像圓案,經由藉由用稱為 一「步進器」之一突出曝露減少器件在一晶圓上曝露轉移 一圖案形成電路而製造半導體器件,此等稱為遮罩或刻線 (下文中統稱為遮罩)。由可寫入微圖案的電子束寫入裝置 製造用於將此類細小電路圖案轉移至晶圓的遮蔽。另外, 亦正在嘗试開發使用一雷射束寫入的一雷射束微影器件。 在將一電路圖案直接寫入於一晶圆上時亦使用一電子束微 影器件。 由於製造LSI之成本極高’因此需要增加產量使製造商 業可行$時,在近來的代表性邏輯器件中現在需要形 成數十不米(nm)之一線寬的一圖案。在曝露轉移期間遮罩 中的圖案缺陷及製程條件中的波動可能是良率降低之巨大 155203.doc 201200869 因素。另外,降低良率 <主要因素包含含有一圖案缺陷之 一遮罩及曝露轉移條件中的_ 甲的變化。因此,在遮罩檢驗程 序中,縮小現在必然偵測到為圖案缺陷的尺寸,且需㈣ 測圖案之極小位置錯誤。因此,檢驗系統需要高準確度來 : 檢驗LSI製造中使用的遮罩尺寸。 • 作為偵,關案缺陷之—方法,可提及-晶粒對晶粒檢驗 系統及-晶粒對資料庫檢驗系統。當檢驗到在遮罩上具有 複數個相同晶片圖案或者複數個晶片圖案各者包含一相同 圖案片段時使用晶粒對晶粒檢驗系統。根據此系統,由於 直接比較遮罩圖案,因此可用一相對簡單器件組態執行一 咼度準確之檢驗。然而,無法偵測所比較兩個圖案之共同 缺陷。另一方面,在晶粒對資料庫檢驗方法中,將一遮罩 上的一實際圖案與用於製造遮罩的設計圖案資料產生的參 考資料相比較。因此,此方法容許用設計圖案資料進行圖 案的精確比較,但由於該方法需要用以產生一參考影像的 一處理系統因此所需要的系統大小是大的。當待檢驗遮罩 僅具有一個待轉移至晶圓之晶片圖案時只能使用此檢驗方 法。 - 在晶粒對晶粒檢驗中,從一光源發射光,且用此光透過 一光學'系統照射待檢驗遮罩。該遮罩安裝於一機台上,且 此機台經移動使得所發射光束掃描該遮罩表面。光透射透 • 過遮罩或從遮罩反射’經由一透鏡到達一影像感測器,藉 此在該影像感測器上形成一影像。將在影像感測器上如此 形成之光學影像發送至一比較單元作為量測資料。比較單 155203.doc 201200869 元根據一適當演算法將量測資料與參考資料比較,並且若 該等資料不相同,則判定遮罩具有一缺陷(參見曰本公開 專利申請案(JP-Α)第2008-1121 78號)。 在一習知檢驗系統中,判定藉由用一光學影像感測器成 像一光學影像獲得的一遮罩圖案影像是正確的。然而,隨 著遮罩上之一裝置圆案近來縮小,難以分辨一不希望圖 案缺陷與正確圖案間的差異。此外,若使用此方法量測圖 案之位置缺陷或一線寬差,則出現由於經量測值取決於圖 案而波動的問題。此意謂無法準確計算遍及遮罩整體表面 的位置缺陷或線宽差。此類問題在具有許多圖案的一邏輯 遮罩中是顯著的,且因此需要開發可準確量測各個圖案的 一方法。因此對準確控制圖案尺寸之需要增加了製造遮罩 之難度。結果,損失了滿足所需要規格之遮罩良率,從而 升高遮罩製造成本。 考慮上述情勢產生本發明,且本發明之一目的在於提供 一檢驗方法及一檢驗系統,其等可準確計算於一遮罩上形 成之一圖案與一參考圖案之線寬差分佈或位置偏差分佈。 從下列描述清楚本發明之其他挑戰及優點。 【發明内容】 本發明係關於一種方法,其用以檢驗於其上呈現不同類 型圖案之一待檢驗物件上的一圖案之一線寬,言亥方法包 括:成像該待檢驗物件並獲得一光學影像;從設計圖案資 料建立-參考影像;準備—檢魏方,其包括—個或多個 範本及該檢驗所需要的參數設定;將㈣案及該範本彼此 155203.doc • 6 - 201200869 對照檢查,並選擇對應於該範本之該參考影像;根據該等 參數設定使用一標準座標在該經選擇參考影像中偵測一第 一邊緣及一第二邊緣;偵測對應於該經選擇參考影像之該 第一邊緣的該光學影像之一第一邊緣及對應於該經選擇參 考影像之該第二邊緣的該光學影像之一第二邊緣;及藉由 使用該光學影像之該等第一邊緣及第二邊緣以及該參考影 像之該等第一及第二邊緣來獲取該光學影像及該參考影像 的β亥線寬間之差而判定一檢驗值。 在本發明之另一實施例中,一種方法用以檢驗於其上呈 現不同類型圖案之一待檢驗物件上的一圖案之一位置偏差 量該方法包括:成像該待檢驗物件並獲得一光學影像; 從設計圖案資料建立—參考影像;準備—檢驗配方,其包 括一個或多個範本及該檢驗所需要的參數設定;將該圖案 及該範本彼此對照檢查,並選擇對應於該範本之該參考影 像;根據該等參數設定使用一標準座標在該經選擇的參考 影像中偵測-第—邊緣及—第二邊緣;_對應於該經選 擇參考影像之該第—邊緣的該光學f彡像之__第—邊緣及對 應於該經轉參考影像之該第二輕之該光學影像之一第 一邊緣,及藉由使用該光學影像之該等第一及第二邊緣以 及該參考#像之該等第—及第二邊緣來獲取該光學影像與 該參考影像間之該位置偏差量而判定—檢驗值。 在本發明之另-實施例中,-種方法用以檢驗於其上呈 現不同類型圖案之一待檢驗物件上的一圖案之一線寬,該 方法包括.成像該待檢驗物件並獲得—光學影像;準備一 I55203.doc 201200869 檢驗配方,其包括一個或多個範本及該檢驗所需要的參數 設定;將該圖案及該範本彼此對照檢查,並選擇對應於該 弟巳本之5亥光學影像,根據該等參數設定使用一標準座標在 該經選擇光學影像中谓測一第一邊緣及一第二邊緣;藉由 量測該第一邊緣與該第二邊緣間之該線寬而判定一檢驗 值。 在本發明之另一實施例中,一種方法用以檢驗於其上呈 現不同類型圖案之一待檢驗物件上的一圖案之一線寬,該 方法包括:成像該待檢驗物件並獲得一光學影像;從設計 圖案資料建立一參考影像;量測該參考影像中該圖案之一 線寬;登記一所獲得量測值;登記該等所獲得量測值範圍 及集中在該量測值上之臨限值範圍;判定在該光學影像中 是否存在具有匹配該等登記值之一線寬的一圖案,若存在 此一圖案’則量測此圖案之該線寬。 在本發明之另一實施例中,一種方法用以檢驗於其上呈 現不同類型圖案之一待檢驗物件上的一圖案之一線寬,該 方法包括:成像該待檢驗物件並獲得一光學影像;登記一 計算值及集中在該計算值上的臨限值範圍;判定該光學影 像中是否存在具有匹配該等登記值之一線寬的一圖案,且 若存在此一圖案,則量測此圖案之該線寬。 在本發明之另一實施例中,一種用光照明在一待檢驗物 件上的檢驗系統,其於一影像感測器中接收該待檢驗物件 之衫像,且檢驗該待檢驗物件上呈現之一圖案,該系統 包括:一影像感測器;一光學影像獲取部分,其從該影像 155203.doc * 8 * 201200869 感測器獲取該影像;一建立部分,其從設計圖案資料建立 參考影像;一選擇部分’其選擇對應於該範本之該參考影 像,該部分使用一檢驗配方,該檢驗配方包括一個或多個 範本及該檢驗所需要的參數設定;一偵測部分,其根據該 參數設定使用一標準座標偵測該經選擇參考影像中之一第 一邊緣及一第二邊緣;一偵測部分,其偵測對應於該經選 擇參考影像之該第一邊緣的該光學影像之一第一邊緣以及 對應於該經選擇參考影像之該第二邊緣的該光學影像之一 第二邊緣;及一獲取部分,其使用該光學影像之該等第一 邊緣及第二邊緣以及該參考影像之該等第一邊緣及第二邊 緣用於藉由量測該光學影像與該參考影像之一線寬差而獲 取—檢驗值。 在本發明之一最後實施例中 禋用光照明在一待檢驗 物件上的檢驗系統’其於—影像感測器中接收該待檢驗物 件之一影像,且檢驗該待檢驗物件上呈現之一圖案,該系 統包括·-影像感測H 光學影像獲取部分,其從該影 像感測器獲取該影傻奢 #像,建立部分,其從設計圖案資料建 立參考影像;-選擇部分,其選擇對應於該範本之該參考 表像’ 4部分使用—檢驗配方,該檢驗配方包括—個或多 檢驗所需要的參數設d測部分,其根據 該參數使用一標準庙俨π — 座‘δ又疋偵測該經選擇參考影像中之一 選擇春::一第二邊緣;—偵測部分,其偵測對應於該經 ==像之該第—邊緣的該光學影像之-第-邊緣以 及對應於該經選擇參考影像之該第:邊緣的該光學影像之 155203.doc 201200869 -第二邊緣;及-獲取部分,其使㈣光學影像之 一邊緣及第二邊緣以及該參考影像之該等第一邊緣及 邊緣用於藉由量測該光學影像與該參考影像之—位置— 量而獲取一檢驗值。 差 【貫施方式】 ―圖1係當前實施例中-檢驗系統之一構成視圖。在當# =施例中,待檢驗物件為用於微影之__遮罩或類似者= 前實施例中之檢驗系統係-晶粒對資料庫檢驗系統,且: 形成於一遮罩上的設計圖案資料建立參考影像。 如圖1中展示’-檢驗系統100具有一光學影像獲取部分 A及一控制部分b。 一放大光學系統1 〇4、一光二極體陣列i 〇5 光學影像獲取部Μ包含-光源1〇3、一 ΧΥΘ機台1〇2(其 能夠在一水平方向(χ方向、γ方向)及一旋轉方向㈣向、) 中移動)照明光學系統17〇(其構成一透射照明系統)、 一感測器電路 106、一位置量測系統122及自動裝載器13〇。 在控制部分Β中,負貴整體檢驗系統1〇〇之控制的一控制 電腦經由作為—資料傳輸通道之—匯流排120連接至-位 置量測電路1〇7、—比較電路1〇8、一參考電路ιΐ2、一圖 案產生電路⑴、-自動裝載器控制電路113、一機台控制 電路114磁碟器件1()9(其為_儲存器件的一個實例)、 一磁帶器件115、—可撓碟單元116、一 crt ιΐ7、一圖案 監測盗118及一列印機119。由受機台控制電路114控制的 X軸馬達、—Y軸馬達及-θ軸馬達驅動ΧΥΘ機台102。 155203.doc 201200869 可例如將一步進馬達用作此等馬達。 作為一資料庫系統之基礎資料的設計圖案資料儲存於磁 碟盗件109中,且根據檢驗進程讀出該設計圖案資料並將 其發送至圖案產生電路m。在圖案產生電路luf,設計 圖案資料被轉換為影像資料(位元圖案資料)。隨後,發送 影像資料至參考電路112,然後在變為一基礎影像之一參 考影像之產生中使用該影像資料。 圖1繪示當前實施例需要的構成組件’但可使用其他眾 所周知的組件。 圖2係展示當前實施例中的資料流程的示意圖。 如圖2中展示,將一設計者(使用者)建立的CAD資料401 轉換為一分級格式(諸如OASIS)的中間設計資料4〇2。將經 建立用於各個層且在各個遮罩上形成的設計圖案資料儲存 為中間設計資料402。一般而言,檢驗系統100未經組態以 能夠直接讀取OASIS資料。換言之,由檢驗系統1〇〇之各 個製造者使用專屬格式。因此’將〇ASIS資料轉換為專屬 於用於各層之各個檢驗系統的格式資料4〇3然後輸入至檢 驗系統100中。可將格式資料4〇3製為專屬於檢驗系統1〇〇 之資料,但亦可將其製為與一微影系統相容之資料。 將格式資料403輸入至圖1之磁碟器件1〇9。換言之,將 一光罩101之一圖案形成期間使用的設計圖案資料儲存於 磁碟器件109中。 a又§十圖案資料包含各者由基本形狀(諸如矩形及三角形) 組成的圖案特徵。例如,將作為在圖式之一參考位置座標 155203.doc 201200869 (χ,y)、側面長度及圖式編碼(其等為辨識諸如矩形、三角
形的圖式類型之識別符,其中圖式資料定義各個圖案H 之形狀、大小、位置及類似者)之資訊的圖式資料儲存於 磁碟器件109中》 此外,大約數十㈣之-範圍内存在的_圖式總成一般 稱為-叢集或-單元(ceu) ’且使用此類叢集或單元(ce⑴ 組織資料。在-叢集或單元㈣)内,亦為以一特定時間 間隔個別配置或重複配置各種圖式的情形定義配置座標或 圖式描述。在條形區域中進-步配置叢集或單元㈣㈣ 料,該等條形區域之寬度為數百㈣且長度大約為100 該長度對應於光罩x方向或γ方向中的總體長度,且 此等區域稱為框架或條。 由圖案產生電路m經由控制電腦11〇從磁碟器件⑽ 取設計圓案資料。 ° 圖案產生電路m產生各個圖案特徵之資料,且_ 不圖案特徵之形狀的資料中形狀編碼並獲得其尺寸。接著 圖案產生電路⑴將圖案分為具有經計算量化尺寸的 擬正方形網格(或網格元件),且在各個網格元件中產生讯 計圖案片段之2個位元或其他多個位元設計影像資料。藉又 由使用所產生的設計影像資料,圖案產生電路iu叶算各 ^網格元件(對應於-感測器像素)中的設計圖案佔有。各 個像素中的此圖案佔有表示像素值。 景:二Γ如上述轉換為二個值或多個值影像資料(設計 影像資料)的設計圖案發送至參考電路112。在參考電路 155203.doc 12 201200869 112中,料發送至參考電路112之圖式影I資料的設計影 像資料經受適當濾波處理。 圖3解釋濾波過程。 作為從感測器電路丨〇 6獲得之一光學影像的所獲取遮罩 量測資料404,歸因於光學系統之解析度特性及歸因於光 二極體陣列之孔徑效果而在某種程度上「模糊化」,亦 即,此光學影像為一空間低通濾波影像。因此,藉由使位 元圖案資料(其等為影像強度(灰度值)已變為一數位值之經 轉換設計圖案資料)經受濾波器處理,位元圖案資料可符 合匹配「模糊化」之所獲取遮罩量測資料4〇4。以此方 式’建立可與所獲取遮罩量測資料4〇4相比之一參考影 像。 接著將使用圖1及圖4解釋用於獲取遮罩量測資料4〇4的 一方法。 在圖1中,藉由光學影像獲取部分A獲取光罩101之一光 學影像(亦即遮罩量測資料404)。所獲取遮罩量測資料4〇4 係一遮罩之一影像’在該影像上呈現基於設計圖案中所包 含圖式資料的一圖式。用於獲取遮罩量測資料4〇4的一特 定方法如下。 將是為待檢驗物件之光罩101安裝在ΧΥΘ機台102上,該 ΧΥΘ機台102可藉由X軸及γ軸馬達在兩個水平方向中移動 且藉由一Θ轴馬達在一水平面中旋轉。接著,從佈置於 ΧΥΘ機台102上方之光源103照射光至光罩101上形成的圖 案上。更詳細而言’從光源103照射的一光束經由照明光
155203.doc 13- S 201200869 學系統170照射至光罩101上。放大光學系統1〇4、光二極 體陣列105及感測器電路106放置於光罩1〇1下方。穿過光 罩1 01之光經由放大光學系統1 〇4在光二極體陣列1 〇5上成 像為一光學影像。在本文中,放大光學系統1 〇4亦可經組 態使得由一自動聚焦機制(未繪示)執行自動聚焦調整。此 外,雖未繪示’但檢驗系統100亦可經組態使得從光罩1〇1 下方照射光’反射光經由一放大光學系統照射至一第二光 二極體陣列,且同時聚集透射光及反射光。 圖4解釋獲取遮罩量測資料404之一程序。 如圖4中展示’在γ方向中將檢驗區域虛擬劃分為具有一 掃描寬度W的複數個條形檢驗條20。控制χγ0機台!〇2之操 作使得繼續掃描經劃分之檢驗條2〇,且在χγ0機台丨〇2正 在X方向中移動時獲取一光學影像。經由光二極體陣列丨〇5 繼續獲取圖4中展示具有一掃描寬度w的一影像。當獲取 一第一檢驗條20中之一影像時,在χγθ機台1〇2正在相反 方向中移動的同時類似地繼續獲取一第二檢驗條2〇中之一 掃描寬度W。在ΧΥΘ機台1 〇2在與獲取第二檢驗條2〇中之影 像之方向相反的方向(亦即與獲取第一檢驗條2 〇中之影像 相同的方向)中移動時,獲取一第三檢驗條2〇中之一影 像。以此方式,繼續獲取一影像,藉此減少處理時間。 在光二極體陣列105上成像的圖案影像經受光電轉換, 然後在感測器電路106中進一步經受A/D(類比至數位)轉 換。在光二極體陣列105中提供一影像感測器。作為一影 像感測器之一實例,可提及一 TDI(時間延遲積分)感測 155203.doc •14· 201200869 器。例如,在ΧΥΘ機台102繼續在X軸方向中移動的同時藉 由TDI感測器成像光罩1〇1之圖案。 ΧΥΘ機台102由處於控制電腦110之控制之下的機台控制 電路114驅動,且能夠由一系統移動,該系統諸如在X方 向、Υ方向及Θ方向中驅動的3軸(Χ-Υ-Θ)馬達。例如,可將 步進馬達用作該X軸馬連、Υ軸馬達及θ軸馬達。χγθ機台 102之移動位置由位置量測系統122量測並發送至位置量測 電路107。對於位置量測系統122 ’例如使用一使用一雷射 之量測系統。此外,在ΧΥΘ機台102上的光罩1〇1經組態以 從由自動裝載器控制電路113驅動的自動裝載器13〇自動輸 送然後在檢驗完成之後自動放電。 將從感測器電路106輸出的經獲取遮罩量測資料4〇4連同 從位置量測電路107輸出展示ΧΥΘ機台1〇2上之光罩1〇1之 位置的資料一起發送至比較電路1〇8。經獲取遮罩量測資 料404為例如8位元無符號資料且表示各個像素亮度階度。 另外,亦將上述參考影像發送至比較電路1 〇 8。 在比較電路108中,使用一合適比較判定演算法將從感 測器電路106發送的經獲取遮罩量測資料4〇4與參考電路 112中產生的參考影像比較。用僅__透射影像之—演算法 及僅反射影像之演算法或者使用組合透射及反射之一演 算法進行比較。另外,可根據缺陷特質選擇複數個演算 法為各個演鼻法設定一臨限值,且將具有超過臨限值之 一反應值的一結果偵測為一缺陷。在此情形中,為演算法 設定一暫定臨限值,且在下文將解釋的一檢視步驟中檢視 155203.doc •15· 201200869 基於此臨限值執行的缺陷檢驗結果。重複此步驟,並當判 疋已獲得-足量缺陷偵測範圍時,判定上述暫定臨限值為 演算法之臨限值。 由於比較,若經獲取遮罩量測資料404與參考影像間之 差超過臨限值,則判^此位置為一缺陷。^判定為一缺 ^則將該位置之座標及所獲取遮罩量測資料404以及作 為缺陷判定基礎的參考影像作為一遮罩檢驗結果儲存 在磁碟器件109中。 將遮罩檢驗結果4〇5發送至一檢視器件⑽,該檢視器件 500係檢驗系統1〇〇之一外部器件。檢視係由一操作者執行 以判定-經偵測缺陷是否會變為—問題的—操作。在檢視 器件500中’在安裝遮罩之機台上移動的同時顯示遮罩缺 陷位置之一影像使得可觀察到各個缺陷之缺陷座標。同 時’在-螢幕上並排顯示用以判I缺陷判定之條件以及 作為判定基礎的光學影像及參考影像使得可證實其等。藉 由在檢視步驟中並排顯示遮罩上之缺陷及晶圓轉移影像之 條件’變得易於判定是否應糾正遮罩圖案。一般而言,由 於從遮罩到晶圓之突出大小減少大約1/4,因此在並排顯 示時考慮此減少比例。 在檢視器件500中將由檢驗系統100摘測的全部缺陷進行 區=。經區分之㈣資料㈣檢㈣統丨齡儲存於磁 碟态件109中。右即使有檢視器件5〇〇中證實需要糾正的一 個缺陷’亦將遮罩連同-缺陷資訊清單傷一起發送至一 糾正器件600,該糾正器件_為檢驗系統⑽之—外部器 155203.doc 16 201200869 件。對於圖案缺陷而言,糾 糾正方法因缺陷類型為一凸缺陷 或疋一凹缺陷而異。因此, L 3凹/凸缺陷之區分及缺陷 座標的缺陷類型包含在缺陷 、阳貫讯清早406中。例如,包含 用於識別應由糾正器件糾正 <圖案位置所需要之光遮蔽膜 之修剪或補充與圖案資料間的區別。 、 檢驗系統1〇0其本身可具有-檢視功能。在此情形中, 將遮罩檢驗結果4〇5連同缺陷判定之額外資訊顯示於檢驗 系00上之-CRT 11 7或-分離組態電腦的螢幕上。 在檢視步驟中,基於從檢驗結果建立之資料在一監測器 上顯示缺陷,且操作者判定此等缺陷是否會實際變為-問 題並相應地分類缺陷。更明確而言’從光學影像及參考影 像產生-比較影像’且由操作者檢視在比較影像中顯示的 缺陷。用各個像素之一階度值表示此等影像中的像素資 料》換言之,從具有256階階度值之一調色盤給定從〇階度 至255階度的一個值,且根據此值顯示一所呈現圖案及缺 陷。 ' 光學影像係於成像實際呈現的一圖案時獲得,且該圖案 邊緣之一截面通常不具有呈現資料中指定的一理想形狀。 例如,即使在呈現資料中圖案之截面形狀為一矩形,戴面 形狀亦通常在實際圖案中具有一稍微呈錐形形狀。因此, 階度值在圖案邊緣附近逐漸變化。因此,在缺陷判定程序 期間,必須指定圖案邊緣。其中,在一線圖案之情形中, 將階度大幅度變動的一位置認為是一圖案邊緣,並量測線 兩^處圖案邊緣間的距離(亦即線寬)。將所獲得光學影像 155203.doc -17· 201200869 線寬與從參考影像獲得 為線寬差(ACE)) »另外 圖案邊緣位置中之—差 偏差量》 的線寬比較’且將其等間之差定義 ,亦比較光學影像及參考影像關於 ,且將此等位置間之差定義為位置 如上文解釋’當量測—圖案線寬或者圖案間之線寬差及 位置偏差量時,可能出現取決於圖案形狀及大小而存在量 測值變動的問題。推測此之原因在於參考影像產生期間所 產生的參考影像與光學影像之間的原始錯誤因圖案而異。 換5之,參考影像係類似於使設計圖案資料經受數學處理 時獲得之光㈣像的—料,但在所產生f彡像與實際光學 影像之間自然存在某些偏差。此等偏差因圖案而異。因 田遍及光予影像及參考影像之遮罩整體表面均勻量測 -圖案之線寬或者圖案間之線寬差及位置偏差量時,在量 測值中反映出各個圖案的參考影像與光學影像間之自然偏 差’且因此量測值變為取決於圖案。因此,無法找到遍及 遮罩之整體表面的-準確分佈(亦即線寬或線寬差之一準 。刀佈)或位置偏差之分佈。在其上具有許多圖案的一邏 輯遮罩中此問題尤為顯著。 在當前實施例中,僅擷取-特定㈣,且量測光學影像 及參考影像中的圖案線寬或者圖案間之線寬差及位置偏差 量。以此方式,可避免因圖案而異的量測值之混合,且可 保證一相對量測準確度。作為用於擷取-特定圖案之一方 法’可提及:"影像之圖案匹配,及2)指定線寬。 首先’將解釋操取一特定圖案之一方法,在該方法中藉 155203.doc 201200869 由影像之圖案匹配進行擷取,然後為各個所擷取圖案量測 光學影像與參考影像中圖案線寬或者圖案間之線寬差及位 置偏差量。 在此方法中,準備複數個檢驗配方。可將一「檢驗配 方j解釋為範本及參數設定之一組合。如圖5中展示,各 個檢驗配方具有一個或多個登記範本及參數設定,且此等 儲存於例如圖1之磁碟器件1〇9中。參數設定具有一第一邊 緣搜尋設定、一第二邊緣搜尋設定及其他設定。第一邊緣 及第二邊緣為在量測光學影像及參考影像中圖案線寬或圖 案間之線寬差時作為參考邊緣的圖案邊緣。 作為第一邊緣搜尋設定及第二邊緣搜尋設定,可提及展 不關於遮罩之資訊的一遮罩ID、一範本指派、作為量測點 的起始搜尋座標及最終搜尋座標、待量測之一寬度、用於 量測值之一臨限值設定、螢幕之一黑白指派、指定最終座 標之一方法及類似者。另外,作為其他設定,可提及一 CD(臨界尺寸)控制值、一位置偏差控制值及類似者。一控 制值為一設定值與圖案中之一實際值間之差。圖6係展示 參數設定之一顯示器螢幕的一個實例。 上文提及的其他設定亦包含關於量測光學影像與參考影 像間之差異或是量測光學影像之尺寸的—量測目標指派。 換言之’經受與登記模版之圖案匹配的目標可為參考影像 或光學影像。在執行與光學影像匹配的情形中,優點在於 不需要建立-參考影像U,由於執行匹配使得圖案定 位於影像中心,因而無法理解位置偏差。因此,為僅量測 155203.doc 19- 201200869 線寬之目的指派光學影像匹配。 在圖1之比較電路108中執行藉由影像之圆案匹配擷取一 特定圖案及接著量測各個㈣取圖案之光學影像及參考影 像的圖案線寬或者圖案間之線寬差及位置偏差量的連續步 驟。 將從圖1中之感測器電路⑽輸出的光學影像連同從位置 量測電路107輸出的展示ΧΥΘ機台1〇2上之遮罩位置的資料 -起發送至比較電路108。經受參考電路112,濾波處理的 設計圖案資料變為參考影像並被發送至比較電路ι〇8。在 比較電路108中,將㈣㈣電路⑽發送的光學影像與參 考電路112中產生的參考影像進行比較。 在备刖實施例中,在比較電路1〇8内,將一圖案及一範 本對照彼此檢查,然後判定對應於範本的一參考影像。其 次,將經判定之參考影像中的座標(通常為t心座標)設定 為標準座標,且根據參數設定中定義的設定而判定一第一 ^及m明確而言,相對於設計圖案中寬度方 二像素值t &析而使用—經計算臨限值用子像素伯 在該設計圖案令已識別邊緣方向。例如,在參 若認為像素值在「200」#「。」間變化之一位 “人緣點’則使用臨限值偵測此邊緣點。此時,臨限 ^其與—特定像素亮度^之㈣及其落於兩 亮度之間之情形。 的ί =第—邊緣及第二邊緣之後,根據參數設定中定義 又疋基於所㈣之邊緣點而執行設計圖案之寬度方向中 155203.doc 201200869 的一尺寸量測(亦即一線寬量測)及一邊緣位置偵測。 比較電路108讀取光學影像,偵測對應於第一邊緣之一 邊緣及對應於第二邊緣之一邊緣,計算光學影像與參考影 像之線寬差或位置偏差量,然後將此設定為一檢驗值。 更詳細而言,藉由量測光學影像與參考影像間之差,可 計算圖案間之線寬差或位置偏差量。 例如,可執行一光學影像之一第一邊緣(〇1)與參考影像 之第一邊緣(R1)間尺寸之一量測(如圖13中由Q3展示)及光 學影像之一第二邊緣(02)與參考影像之第二邊緣(R2)間尺 寸之一量測(如圖13中由Q4展示)。或者可如圖14中展示藉 由下列而計算線寬差:量測從光學影像之—第一邊緣⑴至 第二邊緣02之尺寸(量測qi),及從設計圖案之第一邊緣以 至第二邊緣R2之尺寸(量測Q2)(其等為寬度方向及邊緣位 置偵測中尺寸量測之基礎),然後從此等兩個量測計算線 寬差。 或者,可在圖丨4中從光學影像之第—邊緣〇1及第二邊緣 02的一個中間位置,及從設計圖案之第一邊緣旧及第二 邊緣R2的另一中間位置計算位置偏差量,且隨後比較此等 位置間之差。 比較電路108基於所獲得的檢驗值判定遮罩上形成的圖 案是否正確或錯誤。更詳細而言,當光學影像與參考影像 中圖案間的線寬差或位置偏差量(其為檢驗值)超過檢驗配 方中的臨限值時判定圖案處於一可容許範圍外。換言之, 當檢驗值大於正側上之臨限值或小於負側上之臨限值時, 155203.doc -21 - 201200869 判定圖案有缺陷。 下文為就線寬而言正確/錯誤判定的一個實例。亦可針 對位置偏差以相同方式執行此判定。 首先’將虛擬定位於遮罩上之一檢驗條水平及豎直書彳八 為具有一固定劃分寬度的單元以形成檢驗區域。因此,在 各個檢驗區域中存在複數個圖案。 其次,在由影像之圖案匹配擷取之一特定圆案中量測χ 方向及γ方向中的線寬。 其次,記錄為各個像素量測的線寬量測結果並計算線寬 差,然後記錄基於所獲得值用於各個線寬差的出現率。作 為檢驗值,從記錄出現之結果計算出現之一平均值。若在 線寬之一正常部分中將線寬出現分佈進行繪圖,則如設計 圖案資料中線寬差之出現分佈集中在0 nm上。相反,在線 寬之-非正常部分中,線寬出現分佈集中分佈在偏離〇⑽ 之一值上。 隨後,判定出現之平均值處於一經計算臨限值内。若其 位於臨限值内’則認為其可接夸 v穴』较又,然而而若其超過臨限 值,則認為其不可接受。 在當前實施例中 .w T久双卿揿微配万一起,可 各個檢驗配方蚊-㈣值,可❹m驗結㈣控制值之 一比率且可計算-風險變動程度,然後可料射顯示各個 檢驗配方的風險變動程度。或者,可將複數個檢驗配方疊 加以映射顯示風險變動程度。扃 在本文中,風險變動程度係 表不與控制值之偏差的一指示效 ?日不符。例如,在CD控制值為 155203.doc •22· 201200869 15 nm而CD檢驗值為5 nm之情況中,由下式表示風險變動 程度: (5/15)xl〇〇=33(〇/0) 可由操作者判疋特定控制值之顯示。例如,可顯示在量 測區域内具有一平均風險變動程度的一區域,或者可顯示 具有最高風險變動程度的區域。 ^ 7係具有風險變動程度之一映射顯示的一個實例。在 貫例中區域劃分為各個風險變動程度然後經顯示,並 且風險變動程度以A、B然後C之次序減少。 在一先前檢驗方法中’在設計圖案之寬度方向中的兩端 處之邊緣。p分内’搜尋—鄰近像素對(邊緣對)以識別設計 圖案之邊緣方向。 月確而5,在四個方向中從一焦點像素(其為設計視窗 中的中心像素)執行一搜尋,該等四個方向由下列組成:χ 方向、Υ方向及㈣於χγ方向±45。方向(若考慮+方向及_ 方向則^ 8個方向)。從搜尋結果偵測到其中存在-像素對 的搜尋方向,且辨識出設計圖案之邊緣方向處於與經偵 測搜分方向正父之方向中。例如H X方向搜尋偵測 到對應於⑨計圖案兩端之各個邊緣點的像素,則認為此等 像素為if緣蜚士,且將與作為搜尋方向的X方向正交之方 向(亦即γ方向)辨識為圖案之邊緣方向。用子像素基於經 貞、1J邊緣對之像素值而谓測設計圖案兩端處之邊緣點,然 後從該等邊緣點計算設計圖案之寬度方向的尺寸。藉由量 155203.doc -23· 201200869 測全部圖案偏差而計算邊緣之位置偏差β 以此方式,在先前檢驗方法中,藉由搜尋邊緣對而找到 寬度方向中的尺寸且從全部圖案之偏差找到邊緣位置中的 偏差’且不存在各個邊緣座標之計算。然而,在此方法 中,存在邊緣位置視邊緣間圖案形狀而變化的問題。例 如’若計算在圖8Α中展示的圖案1之寬度方向中之一尺寸 α,則在習知方法中,可量測不同於意欲用於量測之位置 的一位置。 圖8Β展示用於圖8Α之圖案1的雷射束掃描方向(χ方向) 中的照度變化。在此情形中,起初意欲用於量測之尺寸為 由參考符號α展示的長度,且此尺寸之端部分應為邊緣。 然而,根據習知方法,出現判定邊緣處於參考符號^展示 的範圍内,因此無法量測由參考符號α展示的部分之$ 題。 ° 相反,在當前實施例中,由於找到匹配參考座標且判定 邊緣座標,因此可在不被邊緣間之圖案形狀影響之情況下 執行量測。換言之,在圖8八中,建立匹配參考座標且 根據參數設定中定義的設定而判定—第一邊緣及一第二邊 緣。明確而言,相對於圖8Β中展示的寬度方向中之一像素 值分析的-經計算臨限值而用子像素偵測邊緣點。參考符 號3展示第一邊緣之搜尋範圍,且參考符號4展示第二邊緣 之搜尋範圍。藉由將所獲得邊緣座標指定為一搜尋結果, 可不考慮邊緣間之圖案而量測圖8Β中參考符號4示的部 分。亦可計算一量測寬度且此量測範圍内的平均值可用作 155203.doc •24· 201200869 為量測值。 根據上述方法’藉由致使能夠在複數個遮罩間設定一檢 驗配方,可藉由疊加複數個遮罩而量測一晶圓上形成的圖 案間之一尺寸’在該方法中藉由影像之圖案匹配而擷取一 特定圖案然後量測在所擷取圖案之光學影像及參考影像的 線寬差或圖案間位置偏差量。 圖9 Α係具有一圖案5的一第一遮罩之一影像,且圖9Β係 具有一圖案7之一第二遮罩的一影像❶若使用第一遮罩將 圖案5轉移至一晶圓,然後使用第二遮罩將圖案7轉移至同 一晶圓,則如圖9C中展示獲得一圖案5ι及一圖案在此 情形中,若用第一邊緣搜尋設定指定第一遮罩且用第二邊 緣搜尋設定指定第二遮罩,則第一邊緣與第二邊緣間之尺 寸對應於圖案5,與圖案7,之間的尺寸。在圖9A至圖9C中, 參考符號6、8及9為匹配參考座標。參考符號1〇展示第一 邊緣搜尋範圍,且參考符號u展示第二邊緣範圍。另外, 參考符號12展示-希望量測位置,且藉由將第—遮罩與第 二遮罩疊加獲得此位置。 其次’將解釋-方法,在該方法中藉由指定線寬而擷取 -特定圖帛’然後指定在所操取圖案之光學影像及參考影 像的圖案線寬或圖案間之線寬差。圖1〇係展示此方法之一 流程圖ό 如圖10中展示,量測參考影像中各個圖案之線寬 (S101) H己集中在所獲得量測值之臨限值上之一範圍 的值(S1〇2)e替代量測’可指派一經計算值,且可登記此 155203.doc •25· 201200869 經才曰派值及一經計算範圍内集中於經指派值之值。此外, 替代參考影像,可在光學影像上執行此方法。 其次,獲取光學影像(S103),且在線寬值定義步驟 (S104)期間執行判定,該判定係關於光學影像是否具有線 寬與S1 02中登記值匹配之一圖案。 在步驟104中,使用一經計算可容許值定義線寬。 例如,在X方向及γ方向中之經登記線寬為3〇〇 nm±i〇 run的一情形中’圖此光學影像中的量測目標為參考符號 13展示的一虛線所圍繞之圖案。方法進行至圖⑺中之“Μ 且執行線寬量測及量測值之記錄。 同時,由於參考符號13所圍繞之圖案以外的圖案不具有 經登記線寬,因而不將其等認為是量測目標,且因此執行 階段移動(S 106)。 即使在S105中完成量測,方法亦進行至81〇6且執行階段 移動。 在S107中,判定是否已遍及遮罩所有區域完成所希望位 置之®測。若量測尚未完成,則方法返回至sl〇3且重複相 同程序。 然而,若量測已完成,則方法進行至sl.〇8且完成後續步 驟。接著使用所獲得量測結果建立線寬錯誤之一映射。 在如圖12中展示經登記線寬例如未在χ方向中指派且在 Υ方向中指派為1〇〇 nm±6 nm之一情形中,此對應於在又軸 方向是長的一線圖案。在此情形中,在由參考符號14展示 由一虛線圍繞的圖案中,未量測又軸方向中的線寬,且僅 155203.doc •26· 201200869 量測y方向中的線寬。 如上文解釋,在當前實施例中,使用影像之圖案匹配執 行的一方法或由指定線寬執行的一方法,僅從具有各種圖 案之一遮罩擷取一特定圖案,.且量測各個所擷取圖案的光 學影像及參考影像中圖案之線寬或圖案間之線寬差及位置 偏差量。藉此,可避免因圖案而不同的量測值混合,且因 此可計算遍及遮罩整體表面的一準確錯誤分佈。此外,由 於可為各個所擷取圖案建立表示線寬差中的分佈的一映射 或表不位置錯誤量之分佈的一映射,因此使用該等映射可 為各個圖案控制線寬或位置錯誤。 可如下總結本發明之特徵及優點: 根據本發明,可準確計算待檢驗物件上形成的一圖案及 一參考圖案之線寬差分佈或位置偏差量分佈。 應瞭解由於可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下對 本發明進行各種更改,因此本發明不限於上述實施例。 由於可利用任何適當裝置構造、控制方法等等來實施本 發明’因此本發明之以上描述未指定裝置構造、控制方法 等等,此對於本發明之描述並非必要。此外,本發明之範 鳴涵蓋可由熟習此項技術者設計的所有圖隸驗系統及利 用本發明元件之圖案檢驗方法及其等之變化。 顯然根據上述教示可進行本發明之許多修改及變化。因 此應理解在隨附巾請專職圍内可不同㈣確描述者而實 踐本發明。 【圖式簡單說明】 155203.doc •27· 201200869 圖1係展示根據當前實施例的一檢驗系統之組態的圖。 圖2係展示根據當前實施例之一資料流程的示意圖。 圖3係展示根據當前實施例之濾波的圖。 圖4係繪示根據當前實施例獲取遮罩量測資料之方式的 . 圖。 圖5係展示具有一個或多個登記範本及參數設定的各個 檢驗配方的圖。 圖6係一展示參數設定之顯示器螢幕的一個實例。 圖7係風險變動程度之一映射顯示的一個實例。 圖8 A係待掃描之一圖案之一實例。 圖8B展示雷射束之掃描方向中的照度變化。 圖9A係一第一遮罩之一影像。 圖9B係一第二遮罩之一影像。 圖9C係轉移至一晶圓上的一圖案影像。 圖1 〇係展示藉由指定線寬擷取一特定圖案之方法的旁程 之 圖11係藉由虛線圍起展示的光學影像中之量測目 影像〇 “ ^ 一虛線所圍繞之一圖案的 圖12係展示在Y方 一實例之一影像。 圖!3係展㈣第-光學影像邊緣與第—參㈣ 執行寬度量測的-圖案之—實例之n 緣曰1 圖14係展示在第一光學影傻邊 甲。像邊緣及第二光學影像 第一參考影像邊緣及第二參考# H Μ f影像邊緣間執S寬度量測的 I55203.doc -28· 201200869 一圖案之一實例之一影像。 【主要元件符號說明】 1 圖案 2 匹配參考座標 3 第一邊緣搜尋範圍 4 第二邊緣搜尋範圍 5 圖案 5' 圖案 6 匹配參考座標 7 圖案 7丨 圖案 8 匹配參考座標 9 匹配參考座標 10 第一邊緣搜尋範圍 11 第二邊緣搜尋範圍 12 希望量測位置 20 檢驗條 100 檢驗系統 101 光罩 102 ΧΥΘ機台 103 光源 104 放大光學系統 105 光二極體陣列 106 感測器電路 155203.doc -29- 201200869 107 位置量測電路 108 比較電路 109 磁碟器件 110 控制電腦 111 圖案產生電路 112 參考電路 113 自動裝載器電路 114 機台控制電路 115 磁帶器件 116 可撓碟單元 117 CRT 118 圖案監測器 119 列印機 120 匯流排 122 位置量測系統 130 自動裝載器 170 照明光學系統 401 CAD資料 402 中間設計資料 403 格式資料 404 經獲取遮罩資料 405 遮罩檢視結果 406 缺陷資訊清單 500 檢視器件 155203.doc -30- 201200869
600 A B 修復器件 光學影像獲取部分 控制部分 155203.doc •31 -
Claims (1)
- 201200869 七、申請專利範圍: 1. 一種方法,其用以檢驗於其上呈現不同類型圖案之一待 檢驗物件上的一圖案之一線寬,該方法包括: 成像該待檢驗物件並獲得一光學影像; ; 從设計圖案資料建立一參考影像; 準備一檢驗配方,其包括一個或多個範本及該檢驗所 需要的參數設定; 將該圖案及該範本彼此對照檢查,並選擇對應於該範 本之該參考影像; 根據該等參數設定使用一標準座標在該經選擇參考影 像中偵測一第一邊緣及一第二邊緣; 偵測對應於該經選擇參考影像之該第一邊緣的該光學 影像之一第一邊緣及對應於該經選擇參考影像之該第二 邊緣的該光學影像之一第二邊緣;及 藉由使用該光學影像之該等第一邊緣及第二邊緣以及 該參考影像之該等第一及第二邊緣來獲取該光學影像及 該參考影像的該線寬間之差而判定一檢驗值。 2. 如請求項1之方法,其包括: 量測從該光學影像之該第一邊緣至該參考影像之該第 一邊緣的一個長度及從該光學影像之該第二邊緣至該參 • 考影像之該第二邊緣之另一長度,藉此獲取該光學影像 . 及該參考影像的該線寬間之長度差。 3·如請求項1之方法,其包括: 使用從該參考影像之該第一邊緣至該參考影像之該第 155203.doc 201200869 二邊緣的長度與從該光學影像之該第一邊緣至該光學影 像之該第二邊緣的長度間之差獲得該光學影像與該參考 影像之該線寬間的差。 4.如請求項1之方法,其包括: 判定在該檢驗配方中對應於超過一臨限值之該檢驗值 的該圖案有缺陷。 5 ·如請求項1之方法,其包括: 5又疋複數個待檢驗物件間之該檢驗配方; 偵測一個物件中該經選擇參考影像之該第一邊緣及對 應於該經選擇參考影像之該第一邊緣的該光學影像之該 第一邊緣,以及偵測另一物件中該經選擇參考影像之該 第二邊緣及對應於該經選擇參考影像之該第二邊緣的該 光學影像之該第二邊緣。 6. —種方法,其用以檢驗於其上呈現不同類型圖案之一待 檢驗物件上的一圖案之一位置偏差量,該方法包括: 成像該待檢驗物件並獲得一光學影像; 從設計圖案資料建立一參考影像; 準備-檢驗配方,其包括一個或多個範本及該檢驗所 需要的參數設定; 將該圓案及該範本彼此對照檢查,並選擇對應於該範 本之該參考影像; 根據該等參數設定使用一標準座標在該經選擇的參考 影像中偵測一第一邊緣及一第二邊緣; 债測對應於該經選擇參考影像之該第一邊緣的該光學 155203.doc 201200869 影像之一第一邊緣及對應於該經選擇參考影像之該第二 邊緣之該光學影像之一第二邊緣;及 藉由使用該光學影像之該等第一及第二邊緣以及該參 考影像之該等第一及第二邊緣來獲取該光學影像與該參 考衫像間之該位置偏差量而判定一檢驗值。 7. 如請求項6之方法,其包括: 從該光學影像之該等第一邊緣及第二邊緣之各自中間 位置及該參考影像之該等第一及第二邊緣之各自中間位 置獲取該光學影像及該參考影像的該位置偏差量。 8. 如請求項6之方法,其包括: 判定該檢驗配方中對應於超過一臨限值之該檢驗值的 該圖案有缺陷。 9. 如請求項6之方法,其包括: 設定複數個待檢驗物件間之該檢驗配方; 债測一個物件中該經選擇參考影像之該第一邊緣及對 應於該經選擇參考影像之該第一邊緣的該光學影像之該 第一邊緣,以及偵測另一物件中該經選擇參考影像之該 第二邊緣及對應於該經選擇參考影像之該第二邊緣的該 光學影像之該第二邊緣。 10·種方法’其用以檢驗於其上呈現不同類型圖案之一待 檢驗物件上的一圖案之一線寬,該方法包括: 成像該待檢驗物件並獲得一光學影像; 準備一檢驗配方,其包括一個或多個範本及該檢驗所 需要的參數設定; 155203.doc 201200869 將該圖案及該範本彼此對照檢查,並選擇對應於該範 本之該光學影像; 根據該等參數設定使用一標準座標在該經選擇的光學 影像中偵測一第一邊緣及一第二邊緣; 藉由量測該第一邊緣與該第二邊緣間之該線寬而判定 一檢驗值。 11 ·如請求項1 〇之方法,其包括: 判定在一檢驗配方中對應於超過一臨限值之該檢驗值 的該圖案有缺陷。 12. —種方法,其用以檢驗於其上呈現不同類型圖案之一待 檢驗物件上的一圖案之一線寬,該方法包括: 成像該待檢驗物件並獲得一光學影像; 從設計圖案資料建立一參考影像; 量測該參考影像中該圖案之一線寬; 登記一所獲得量測值; 限值範圍; 登記該等所獲得量測值範圍及集中在該量測值上之臨 判定在該光學影像中是否存在具有 一線寬的一圖案,若存在此一圖案, 線寬。 13. —-圖案之一待 登記一 匹配該等登記值之 則量測此圖案之該 J _系之—線寬,該方法包括: 待檢驗物件並獲得一光學影像; 限值範圍; 計算值及集中在該計算值上的 155203.doc 201200869 判定該光學影像中是否存在具有匹配該等登記值之一 線寬的一圖案,且若存在此一圖案,則量測此圖案之該 線寬。 14. 一種用光照明在一待檢驗物件上的檢驗系統,其於一影 像感測器中接收該待檢驗物件之一影像,且檢驗該待檢 驗物件上呈現之一圖案,該系統包括: 一影像感測器; -光學影像獲取部分,其從該影像感測器獲取該影 像; 建立部分,其從設計圖案資料建立參考影像; -選擇部分,其選擇對應於該範本之該參考影像,該 部分使用-檢驗配方,該檢驗配方包括一個或多個範^ 及該檢驗所需要的參數設定; 偵則P刀#根據該參數設定使用—標準座標偵測 該經選擇參考影像中之-第-邊緣及-第二邊緣; -谓測部分,其_對應於該經選擇參考影像之該第 邊緣的-亥光學影像之一第一邊緣以及偵測對應於該經 選擇參考景彡像之該第:邊緣的該光學影像之 緣;及 一獲取部分,其使用螻氺風 更用。亥先予影像之該等第一邊緣及第 一邊緣以及該參考影像 益士θ象之°亥專第-邊緣及第二邊緣用於 藉由置測該光學影像與該參 爹亏衫像之一線寬差而獲取一 檢驗值。 15.如請求項14之檢驗系統,其包括·· 155203.doc 201200869 一判定部分’其詩衫在檢魏方巾對應於超過— 臨限值之該檢驗值的該圖案有缺陷。 16. -種用光照明在-待檢驗物件上的檢驗系統,其於一影 像感測器巾接线待檢驗物件之__料,且檢驗該待檢 驗物件上呈現之一圖案,該系統包括: 一影像感測器; 一光學影像獲取部分,其從該影像感測器獲取該影 像; 一建立部分,其從設計圆案資料建立參考影像; 一選擇料,其選擇對應於範本之該#考影像,該部 分使用一檢驗配方,該檢驗配方包括一個或多個範本及 該檢驗所需要的參數設定; 一偵測部分,其根據該參數設定使用一標準座標偵測 該經選擇參考影像中之一第一邊緣及一第二邊緣; 一偵測部分,其偵測對應於該經選擇參考影像之該第 一邊緣的該光學影像之一第一邊緣以及對應於該經選擇 參考影像之該第二邊緣的該光學影像之一第二邊緣; 一獲取部分,其使用該光學影像之該等第一邊緣及第 二邊緣以及該參考影像之該等第一邊緣及第二邊緣用於 藉由量測該光學影像與該參考影像之一位置偏差量而獲 取一檢驗值》 17.如請求項16之檢驗系統,其包括: 一判定部分’其判定在檢驗配方中對應於超過一臨限 值之該檢驗值之該圖案有缺陷。 155203.doc -6 -
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010090057A JP5254270B2 (ja) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 検査方法および検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201200869A true TW201200869A (en) | 2012-01-01 |
| TWI467161B TWI467161B (zh) | 2015-01-01 |
Family
ID=44788239
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100112290A TWI467161B (zh) | 2010-04-09 | 2011-04-08 | 用以檢驗圖案之線寬及/或位置錯誤之檢驗系統及方法 |
| TW103115430A TWI519778B (zh) | 2010-04-09 | 2011-04-08 | 用以檢驗圖案之線寬及/或位置錯誤之方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103115430A TWI519778B (zh) | 2010-04-09 | 2011-04-08 | 用以檢驗圖案之線寬及/或位置錯誤之方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9036896B2 (zh) |
| JP (1) | JP5254270B2 (zh) |
| KR (1) | KR101298444B1 (zh) |
| TW (2) | TWI467161B (zh) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8577171B1 (en) * | 2006-07-31 | 2013-11-05 | Gatan, Inc. | Method for normalizing multi-gain images |
| JP5525739B2 (ja) | 2008-09-16 | 2014-06-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
| WO2013018615A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 日本電気株式会社 | 照合・検索システム、照合・検索サーバ、画像特徴抽出装置、照合・検索方法及びプログラム |
| KR101306289B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2013-09-09 | (주) 인텍플러스 | 평판 패널 검사방법 |
| JP5896775B2 (ja) | 2012-02-16 | 2016-03-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
| TWI489222B (zh) | 2012-02-16 | 2015-06-21 | 紐富來科技股份有限公司 | Electron beam rendering device and electron beam rendering method |
| JP5970213B2 (ja) | 2012-03-19 | 2016-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP5832345B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2015-12-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
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| JP6025419B2 (ja) | 2012-06-27 | 2016-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法および検査装置 |
| JP5921990B2 (ja) * | 2012-08-23 | 2016-05-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 欠陥検出方法 |
| JP6043583B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2016-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 焦点位置検出装置、検査装置、焦点位置検出方法および検査方法 |
| JP6220521B2 (ja) | 2013-01-18 | 2017-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置 |
| JP6047418B2 (ja) | 2013-02-18 | 2016-12-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法および検査装置 |
| JP6285660B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-02-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム描画装置 |
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| JP6557943B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2019-08-14 | オムロン株式会社 | 画像照合装置、画像センサ、処理システム、画像照合方法 |
| JP6310263B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-04-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置 |
| JP6499898B2 (ja) | 2014-05-14 | 2019-04-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法、テンプレート基板およびフォーカスオフセット方法 |
| JP6330506B2 (ja) | 2014-06-18 | 2018-05-30 | ブラザー工業株式会社 | 画像読取装置 |
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| JP6431786B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2018-11-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 線幅誤差取得方法、線幅誤差取得装置および検査システム |
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| US20060280358A1 (en) * | 2003-06-30 | 2006-12-14 | Akio Ishikawa | Pattern comparison inspection method and pattern comparison inspection device |
| JP4771714B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2011-09-14 | 株式会社Ngr | パターン検査装置および方法 |
| JP4243268B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2009-03-25 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | パターン検査装置、及びパターン検査方法 |
| JP2007192743A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | 画像取り込み方法並びに検査方法及びその装置 |
| JP2008083652A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの線幅検査方法 |
| JP2008112178A (ja) | 2007-11-22 | 2008-05-15 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | マスク検査装置 |
| JP2009294123A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | パターン識別装置、パターン識別方法及び試料検査装置 |
| JP5274293B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-08-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスク検査装置、それを用いた露光方法及びマスク検査方法 |
-
2010
- 2010-04-09 JP JP2010090057A patent/JP5254270B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-08 KR KR1020110032731A patent/KR101298444B1/ko active Active
- 2011-04-08 TW TW100112290A patent/TWI467161B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-04-08 US US13/083,157 patent/US9036896B2/en active Active
- 2011-04-08 TW TW103115430A patent/TWI519778B/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-03-23 US US14/665,880 patent/US9406117B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150193918A1 (en) | 2015-07-09 |
| JP2011221264A (ja) | 2011-11-04 |
| US20110255770A1 (en) | 2011-10-20 |
| JP5254270B2 (ja) | 2013-08-07 |
| TWI467161B (zh) | 2015-01-01 |
| TW201430338A (zh) | 2014-08-01 |
| US9036896B2 (en) | 2015-05-19 |
| KR101298444B1 (ko) | 2013-08-22 |
| TWI519778B (zh) | 2016-02-01 |
| KR20110113591A (ko) | 2011-10-17 |
| US9406117B2 (en) | 2016-08-02 |
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