TW201136447A - Organic electroluminescence element, organic EL display device and organic EL lighting - Google Patents

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201136447 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本毛月係關於—種用於以濕式成膜法形成有機電致發光元 件之發光層的有機電致發光元件用組成物。 又’本發明係關於—種使用該有機電致發光元件用組成物之 有機電致I光元件、使用該有機電致發光元件之有機 EL(EleCtr〇Luminescence，電致發光)顯示裝置及有機此照明。 【先前技術】 近年來，作為用以製造顯示H或照料發光裝置之技術，有 機電致發光(有機EL)元件之開發廣泛地進行，且主要以小型至 中型尺寸之顯示器用途為中心而開始實際應用。 有機電致發光几件係藉由位在2個電極間之有機層中注入 正負之電荷m子），使該載子再結合而獲得發光者。 目則κ用化之有機電致發光元件，通常係使用於高直空條件 下加熱分子量較低之化合物，將蒸發之化合物蒸鍵於I方所設 置之基板上的方法而製造。 關於«空蒸鍍法，提倡藉由調整注人至發光層中之電洞與 電子之電辭衡，抑制由於產生_注人之電荷㈣起的各種 劣原因從而^咼有機電致發光元件之驅動壽命。 於專利文獻1巾，為了實現減壓化而個具有無機化合物 之電子主人層’於該情況，為了防止電子注人過度糊而導致 電子到達至電洞傳輪層，係騎移鱗罐，降魅體之電子 099126594 201136447 傳輸性。 於專利文獻2中，係於陽極與有機層之間配置非晶質碳膜而 提高電洞注人效率。此處’與專利文獻i相反，係提高發光層 之電子移動率。 於專利文獻3中’係揭示於具有積層之2層發光層之有機電 致發光元件中’將自陰極注人之電子與自陽極注人之電洞到達 2層發光層之界面之時間調整為相同程度的技術。 於專利文獻4中，係揭示為了使元件之電洞.電子之電荷保 持平衡，㈣電子傳輸狀電子移鱗與發⑽之電子移動率 之比、電洞傳輸層之電洞移鱗與發光層之電洞移動率之比， 規定在固定範圍内的技術。 於專利文獻5中，係揭示於顯示器用途等並列配置 RGB(Red_Green_Blue)之裝置中，將臟各發光層之電子/電洞 移動率比規定在固定範圍内的技術。 λ 於專利文獻6中，係揭示對於為了_光元件於低電壓下發 光，而❹能錄小之電子傳輸狀元件，藉由將電子傳輸声 與發光層之電子/電洞移動率比規定在既定範_，而使再二 合位置_遠離發光層與電子傳輸層之界面，藉此防止激_ 散至電子傳輸層侧的技術。 θ [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1.曰本專利特開2〇〇〇_164359號公報 099126594 5 201136447 專利文獻2 : 專利文獻3 : 專利文獻4 : 專利文獻5 : 專利文獻6 : 專利文獻7 : 專利文獻8 : 【發明内容】 曰本專利特開2001-176663號公報 曰本專利特開2006-107790號公報 曰本專利特開2006-270091號公報 曰本專利特開2008-205174號公報 國際公開第2008/015949號小冊子 國際公開第2004/018587號小冊子 曰本專利特開2008-124156號公報 (發明所欲解決之問題） 、。等文獻均揭示有用以使電洞與電子在發光層之所需位置 進行再结人，祐 ,。〇 吏由此產生之激子有效地作用於發光之技術。 \年來對有機電致發光元件之大型化之需求日漸高潘。然 直由真上4鑛法難以於大面積之基板上均勻地蒸鑛，故而 等=錢法並不適合製造大型顯示器或大面積之面發光照明 之有機=有機EL面板。又’真空驗法亦存在作為蒸鍍源 1機材料之利収輪低，製造成本料變高之問題。 乍為製造大面積之有機EL面板之手段， 法、嘖黑华、*、主、;徒出有以旋轉塗佈 二:各種印刷法等為代表之濕式成膜法。 ”有猎由>1式細法而形成之發光 、 元件，係存在壽命較短之問題。又 有機電致發光 物性較大程度地·於發光層之軸m轉光元件之 致發光元件之壽命，㈣發觸之組成_，有機電 099126594 工 H知 201136447 而开/成雜光層之情況、與以献成膜法㈣賴發光層之情 八有忒毛光層之元件之壽命亦完全不同。例如於專利文獻 7之實施例14之元件與專利文獻8之實施例47之元件，雖係 $用相同化合物作為發光層之主體，但以蒸鑛法製作發光層之 刖者的半衰壽命長達侧彳、時H塗佈法製作發光層之後 者的半农時間則短至1600小時。 並且，迄今為止尚未提$_、式舰法製作之長壽命之有機 電致發光元件。 本發明之目的在於在具有以濕式成膜法形成之發光層的有 為電致光元件中，提供—種驅動壽命長之有機電致發 件。 (解決問題之手段） 本發明者％人認為’具有藉由濕式成m形成之發光層的 有機電致發光元件之壽命無法提高的原因，應係由於所注入之 電子於元件巾再結合時的電荷平衡不均衡，為了解決該 專問碭而進行了銳意研究。 構’該問題之並不僅在於蒸_巾考慮到的由 |之移動率比求_單狀電荷平衡·^題，亦摻 雜有濕式成料特有之_。 w亦摻 特步反覆研究’結果發現，藉由使用滿足某 099126594 形成之發光^则組錢），可使具«由赋成膜法而 曰有機電致發光元件巾，所注人之電洞與電子於 7 201136447 讀t再結合時的f荷平衡達到均衡，其結 有機電致發光元件，從㈣成本㈣。〜長哥命之 即’本發明之主旨在於下述有機電致發光元件 示元件及有機EL照明。 ㈣hLj ⑴-種有機電致發光元件，其胁陰極與陽 法而形成之發光層者，其特徵在於:該發光層二 電何傳輸材料，該電荷傳輸材料中的至少ι種係分 〜2咖且滿足下述式⑴的以下述通式⑺所表示之蒽衍生物： 〇.〇1 S /z e/"h$6."(i) (弋⑴中，“e 表示 〇.16MV/cm 之電 的電子蒋_ % _度下。亥電何傳輸材料 表7^·16 MV/em電場強度下該電荷傳轸 材枓的電洞移動率。） 71寻翰 [化1]

⑽雜之部分為6員 1 香環縮合之芳香族基。 族基 基。&分棚立表示來自單環〜喃合環之2價芳香 及η分別獨立表示〇以上之整數 m + η為8以下。 099126594 201136447 於m及η分別為2以上之情況，丨分子中所含之數個Αι.1α 及Ar1B可相同亦可不同； 當將環A、環Β、Αγια及ArlB中與蒽環位於同一平面上者 之個數設為α，除此以外者之個數設為$時，滿足下述式〇)。 [數1] 3戔占芸10…(3) 關於環A、環B、Aru及AflB，單環之合計數與縮合環之合 計數滿足下述式(4)。 [數2] 1.0^ 單環之含計數 縮合環之合計數 = 2.0 ***(4) 於環A及環B中之至少一者為3個苯環之縮合環之情況， 該恩環與該3個苯環之縮合環係於其等之9位、1〇位彼此以 外之位置鍵結。） [2] 如[1]之有機電致發光元件，其中，上述電荷傳輸材料滿 足下述式(2a)及(2b): //2.0x1 〇*7 cm2/V · s ."(2a) //h^2.〇xl〇'7 cm2/V · s (式(2a)、（2b)中，ee、"h與式(1)中之#e、為同義）。 [3] 如上述[1]或[2]之有機電致發光元件，其中，上述發光層 進一步含有螢光發光材料作為發光材料。 [4] 如上述[3]之有機電致發光元件，其中，上述螢光發光材 料係核碳數為10〜40之經取代或未經取代之縮合芳香族烴化 099126594 9 201136447 合物。 [5] 如上述[1]至[4]中任一項之有機電致發光元件，其中，於 上述發光層與上述陽極之間具有第一有機層，該第一有機層係 以濕式成膜法形成之層。 [6] 如上述[5]之有機電致發光元件，其中’上述第一有機層 係使交聯性化合物交聯而形成之層。 [7] 如上述[5]或[6]之有機電致發光元件’其中，於上述陽極 與上述第一有機層之間具有含有電子接受性化合物之第二有 機層。 [8]如上述[7]之有機電致發光元件，其中，上述第二有機層 為不含驗鍵之層。 [9]種有機EL顯示裝置，其特徵在於包含上述⑴至[8]中 任一項之有機電致發光元件。 [1〇]-種有機EL _，其特徵在於包含上述⑴至[8]中任一 項之有機電致發光元件。 (發明效果） •藉由本發明之有機電致發光元侧組成物，於具有以濕式成 膜法而形成之發光層等有機層之有機紐發光元件巾，特別是 於電極上之有機層、尤其是電極上之有機層中之發光層亦係以 濕式成膜法而形成之有機電致發Μ件中，注人之電洞盘電子 之電荷平衡優異。其結果，可提供長壽命且發光效率高之有機 電致發光元件’藉由制此财機紐發光元件，可提供高。 099126594 201136447 質之有機EL顯示裝置及有機肛照明。 【實施方式】 以下對本發明之有機電致發光元件用組成物 發明之有機電致發光轉、以及有機&顧 有八之本 之實施形態進行詳細說明，但以下記奴構成要、^照明 發明之實施祕之—例(代表例）’轉Μ要=係本 則並不限定於該等内容。 亥主曰， [有機電致發光元件用組成物] 本發明之錢魏發光元剌㈣^係含有 料、發光材料及溶劑者，其特徵在於， 專輸材 少1種係滿足下述式⑴。 /何傳輪材料中之至 °-01= ^e//zh^6 …⑴ (:)中’ Μ表m6MV/em之電場強度下該電荷傳 ’s子移動率，“h表示0.16 MV/cm電場強产 ^」 輸材料的電洞移動率。） a之。亥電俩 再者，以下有時將上述「h 明之參數值」。 」之值適輯稱作「本發 {電荷傳輸材料} 二^之有機電致發光元件用組成物係含有電荷傳輸材料。 能===光元射，發級料較佳為自具有電荷傳輸性 讀料接受電荷或能量而發光。因此，本發明之 致發光元件驗成物中所含之電荷傳輪材料較佳為用作該: 099126594 201136447 體材料之電荷輸送材料。 <分子量> 於本發明中，用作電荷傳輸材 遍Λ、；τ , _之化合物之分子量通常為 2000以下，較佳為15〇〇以 , 進一步較佳為1200以下，尤 佳為1100以下，又，通常為 „ 車乂佳為48〇以上，進 一步較佳為490以上，尤佳為 枓>八；曰a ^ 以上之軏圍。若電荷傳輸材 枓之分子1為上述下限以上， 成腔“ _、 ^耐熱性、不易產生氣體、形 之㈣作化蓉或不易產生由遷移等引起之有機電致發光元件 =㈣方面而言較佳。另一方面，若電荷傳輸材料之分 於、^ 以下’則存在有機化合物之純化容易，且溶解 於洛劑時不易耗費較長時間之傾向。 <構造等> ^荷傳輸材料根據電荷傳輸之性質之^而分齡：主要呈 之^傳魏力之㈣讀性化合物、主要具有電子傳輸能力 性化合物、及具有該兩種性能之雙極性化合物。 私种之電何傳輪材料含有下述通式(2)之具有《環作為 部分構造之化合物。 。 [化2]

099126594 12 201136447 (式(2)中，環A及環B分別獨立表示與蒽環鍵結之部分為6員 環且可進一步與1〜3個芳香環縮合之芳香族基。 八1*〗八及Ar1B分別獨立表示來自單環〜四縮合環之2價芳香 族基。 m及η分別獨立表示0以上之整數’ m + n為8以下。 於m及η分別為2以上之情況，1分子中所含之數個Αγα 及ArB可相同亦可不同。 當將環Λ、環B、Ar1A& Ar1B中與蒽環位於同一平面上者 之個數没為J，除此以外者之個數設為万時，滿足下述式(3)。 [數3] 3 各」-^10 ---(3) α + 1 關於環A、環Β、AW及ArlB，單環之合計數與縮合環之合 計數滿足下述式(4)。 [數4] 1.0^ 單環之合計數< Λ n 縮合環之合計數_ ·υ ...(4) 於環Α及環Β中之至少—者為υ埜 有馬3個本％之縮合環之情況， s亥蒽環與该3個苯環之縮合環传盆莖 衣係於其等之9位、10位彼此以 外之位置鍵結。） 環A及環B分別獨立表示與葱環鍵結之部分為6員環且可 進-步與1〜3個芳香環縮合之芳香族基。 再者，於本發明中，「芳 •ft A, ^ ^ 、土」表示具有芳香族性之官能 基’包括方香族烴基及料_環基兩者。 099126594 201136447 自奸1 A及為方麵煙基之情況之具體例，可舉出來 =蔡環、菲環、葱環、拓環齋裥四苯環(na舞ene 、或2〜4個苯環縮合而成之縮合環 之 來自:為方香族雜環基之情況之具體例，可舉出 吩環、苯幷::::：南:!、苯幷咬喃環、二苯幷蝴、嗟 斜、蝴、顿、㈣令坐環、°5丨 娜叫嗟吩并:=:、:各并― 嘆吩并娜t#轉環，并咬喃環、 Wf , D,, 〃 m料異射環、科咪唑環、 产。答啡環、㈣環、三味環、喧«、異啥琳 二：==環、，一 · 合環之物環A及❹之來自單環〜四縮 作為 ArlA& Ar1B 炎 聯伸三im/環、触笨環' _、_環、換環、 魏 嫩咖她彳，較佳為 099126594 201136447 衣、味唾環、哼二。坐環、，朵環、咔唾環、 洛开°比唾環、料并轉環1吩并鱗if、噻x環、。比 吱喃并鱗環、七祕料環 4嗟吩環、 苯幷異嗟_、苯姊_、喊；、科料坐環、 環、三姆、料環、異 2 4環、錢 唑裱、呸啶環、喹唑啉環、喹 ^ 衣本幷味 環、啡♦環等。 1讀_、奧環、，定環、啡。林 /及以職絲示h上之整數，m+n為 =代於環A或環B上之芳香族基之總數，數量較大時，存 在/刀子量變大，溶解性變低之傾向，故較佳為“下，進一+ 較佳為4以下，尤佳為2以下。 v 於m及n分別為2以上之情況，i分子中所含之數個< 及Ar1B可相同亦可不同，較佳為不同，原因在於分子之對稱 性低，溶解度容易變高。 當將環A、環B、A#及Arm中與葱環位於同一平面上者 之個數設為〇：，除此以外者之個數設為㈣，滿足下述式⑺。 [數5] 3-^τ = ι〇 -0) 此處，所謂與蒽環位於同一平面上之芳香族基，係指蒽環之 9、10位之延長線上所鍵結之芳香族基中與蒽環之間具有奇數 個芳香族基者。 具體而§，例如於以下之化合物(X)之情況，相對於中央之 099126594 15 201136447 1、衣單ί衣卜單娘2及縮合環3之合計3個芳香族基視為與 其位於同-平面上，除此以外之縮合環i、單環3、縮合環2 及單環4之合計4個芳香族基視為與中央之葱環位於不同平面 上。即，於該化合物之情況，/3/(α +1) = 4/(3+1)=卜 [化3]

縮合環1 蒽環縮合環2 縮合環3 *足上述式(3) ’則藉由濕式法而形成含有其作為電荷傳 輸材料之發光層的％件之壽命變長的原因可認為如下：若点 ()為3以上，則發光層中之電荷傳輸材料間之電荷傳輸 容易高效率地進行，又，若⑽+和㈣下，則發光層中 之電荷傳輸材料難以產生結晶化等。 關於環A、環B、Aru及ArlB，單環之合計數與縮合環之合 計數滿足下述式(4)。 [數6] (4) 1.0 芸」!2^1^ 縮合環之合計數=上υ 具體而言’例如於上述化合物(5)之情況，單環合計為4個， 縮合環合計為3個，故單環之合魏/縮合環之合計數為奶。 若單環相對於縮合環之比率在上述式(4)之範圍内，則藉由 099126594 201136447 濕 命含有其作為電荷傳輸材料之發光層的元… 以上，則發光層中之電荷傳輪材料難以產生^ 環相對於縮合環之比率為2.Q以下 生二化又，若單 43L BB . _ 卜貝j發光層中之電荷傳於从 科間之電荷傳輸容易高效率地進行。 專輪材 及環"之至少―者為3個苯環之縮 ^该“與該3個苯環之縮合環係於其等之9位、1〇位= 此以外之位置鍵結。若«環與該3姆環之縮合環於其等之9 位⑺位彼此以外之位置鍵結，則藉由濕式法而形成含有其 作為電荷傳輸材料之發光層的元件之壽命變長的相可切為 如下：若係於9位、1()位彼此以外之位置鍵結，則與在9位、

10位彼此以外之位置鍵結之情況相比，發光層中之電 材料難以產生結晶化。 A 作為本發明中使用之電荷傳輸材料的上述蒽衍生物，藉由渴 式法而形成含有其作為電荷㈣㈣之發光層的元件之電流 效率兩’耐久性優異’壽命變長。又，於發光材料為螢光發光 材料之情況，該等效果尤其明顯。其原因可推測如下。 認為電洞之移動係藉由下述而產生：存在電洞之分子(陽離 子自由基分子）自中性分子之最高佔據分子轨域(H〇M〇，

Highest Occupied Molecular Orbital)奪取 1 個電子，其自身再排 列而形成中性分子，然後被奪取電子之分子變成陽離子自由基 分子。另一方面，認為電子之移動係藉由下述而產生：存在電 099126594 17 201136447 子之分子(陰離子自由基分子）向十性分子之HOMO提供1個 電子，其自身再排列而形成中性分子，然後被提供電子之分子 變成陰離子自由基分子。 亦即’藉由控制中性分子上之HOMO與陽離子自由基分子 之 SOMO(SingIy Occupied Molecular Orbital，單被佔分子執 域）、及中性分子上之最低未彳占據分子軌域(Lum〇，Lowest

Unoccupied Molecular Orbital)與陰離子自由基分子之 s〇MO 執域的重疊，可控制移動率。 於蒽衍生物之情況，大多為HOMO及LUMO局部集中於蒽 環中。因此’藉由變更蒽環之取代基，分子間之堆積(packing) 改麦，藉此，軌域之重疊發生變化，故可控制移動率。 並且認為尤其是本發明之蒽衍生物容易滿足上述式〇)。 [電荷傳輸材料之具體例] 以下，將本發明之電荷傳輸材料之較佳具體例表示如下，但 本發明並不限定於該等。 099126594 18 201136447 [化4]

099126594 19 201136447 [化5]

上返構造式之化合物a中，4 W為6,故⑽+1) 2單環/縮合環=4/3。上述構造式之化合物b中’…， 万為8 ’故· + 1) = 4 ’單環/縮合環=6/3 = 2。上述構造式 =化合Ha為…川’故^+㈣’單環/縮合 :―2〜1。上述構造式之化合物d中，α為〇，沒為4，故 U + 1卜4，補縮合環=2叫。上述構造式之化合物e ，""為^為心故^+㈣涔環/縮合環：心卜 t構造式之化合物為3,嗔⑼）=3’ 縮合核= 2/1 =2。上述構造式之化合物g中，“為】，3 '、、、δ ’故_叫=4，單環/縮合環=5/4。上述構造式之化 099126594 201136447 合物h中，α為〇，β為4，故召久“屮1) = 4，單環/縮合環二 2/2=1。上述構造式之化合物i中，^為卜冷為6,故万/(^ + 1) = 3 ’單環/縮合環=4/3。上述構造式之化合物j中，α為 〇,召為4,故/3/(0：+1) = 4，單環/縮合環= 2/2。上述構造式 之化合物k中，α為1，/5為6，故/5/(a +1) = 3，單環/縮合 環= 4/3。 〈式⑴〉 本如明之有機電致發光元件用組成物中所含之電荷傳輸材 料中的至少1種係滿足下述式（1)。以下，將滿足下述式之 電荷傳輸材料適宜地稱作「電荷傳輸材料（1)」。 0.01^ zze/^h^6 …⑴ (式⑴中， ee表示0.16 MV/cm之電場強度下該電荷傳輸材料的電子 移動率’ /zh表示ον MV/cm^電場強度下該電荷傳輸材料 的電洞移動率。） 於本發明巾，電荷傳輸㈣之電子移動率及電洞移動率(此 處總無為「電荷移動率」）例如可藉由t〇f法咖⑽行咖， 飛行時間法）而測定。5卩，本發明之:_生物可藉由對滿足上 述式(2)〜(4)之構造之諸生物測定電荷移動率而進行選擇。 以下說明利用TOF法之測定方法。 (電荷移動率測;^用樣品之製作） 099126594 作為電何移動率測定職品’於基板上依序形成陽極、包含 21 201136447 ==率之測定對象之化合物的層(以下稱作「測定對 再者，為了日f及，而製作單元件(以下稱作「測定樣品」）。 者。於自其广則疋’陽極與陰極中之任一者係使用光可，透 m 1反側進行測定之情況，基板亦使騎明基板。 人右3作為電何移動率之測定對象之化合物的層，可使用 ^有乍為電荷移動率之測㈣象之電荷傳輸材料及有機溶劑 的、、且成物’如濕式成麟㈣成，亦可將作為電荷移動率之 :定對象之電荷傳輸材料藉由乾式成膜法(蒸鑛法)而形成。再 ’用於製備上述組成物之有機溶劑只要可良好地溶解電 輸材料則並無特別限制。 形成測定對象化合物層時所使用之濕式成膜法並無特別限 制，例如可舉出澆鑄法等。 又上述測定對象化合物層之膜厚只要為可測定之範圍則並 無特別限制，通常設為1 em。 (電何移動率之測定） 測定方法及原理如下所述。 為了測定電荷移動率，例如使用Brio(燈激發Nd: YAG脈衝_ 雷射’ Quantel公司製造)作為脈衝光源，使用TDS 2022型示 波器(Tektronix公司製造)作為示波器。 於本發明之電荷移動率之測定中，於25。(：下，對以上述方 式製作之測定樣品施加電壓（電場強度為0.16 MV/cm之電 壓）。於該狀態下，例如使用Brio(燈激發Nd:YAG脈衝_雷射， 099126594 22 201136447 〇 Q—司製造)，自測定樣品之透明電極側照射脈衝光 化， 此時’對產生之電流施加分路電阻而進行電流·電壓變 使用示波器，觀測電壓波形。 此處’為了使駭感度更加良好，可使用電驗大裝置，例 如DA1855A型差動放大器(LeCroy公司製造）〇 此處’電荷自有機層中之-端軸至另—端，即在電極間移 動所需之時間可考慮為自電流產生至電流消失為止之時間。 若將該電荷在測定對象化合物層中移動所需之時間設為 T(sec)，向測定對象化合物層施加之電壓設為v(v)(其中，電 壓係電場強度為G.16MV/em之電壓），測定縣化合物層之膜 厚設為d(cm)，則作為單位電場強度、每秒之電荷之移動速度 的電荷移動率可算出為 V =d/[Tx(V/d)] (cm2/V · s)。 藉由該方法，於例如3點以上之電壓下算出電荷移動率，使 用 Poole-Frenkel 之式， M(E)= /z(〇)xexp(々xE〇.5) E = V/d 仁⑼·零場移動率(zero_field mobility) 冷：Poole-Frenkel 因子 藉由表小平方法，對實測資料進行擬合’藉此算出任意電場強 度下之電荷移動率。 藉由使施加於測定樣品之電壓之極性反轉，可使自透明電極 099126594 23 201136447 表面向對向電極移動之電荷之極性反轉，故電洞移動率與電子 移動率均能以彳目同之方法進行測定。 再者’關於電荷移動率之測定中所使用之測定設備，只要可 進行與上述同等之測定，則並不限定於上述測定設備，亦可使 用其他測定設備，但較佳為㈣上述測定設備。 本i明之電荷傳輸材料⑴之#e/#h通常為〇 〇1以上，較佳 為0.05以上，進一步較佳為〇1以上，又通常為6以下較 佳為5以下，進一步較佳為4以下。 若本發明之參數值在上述範圍内，則於電極上之有機層以渴 式成膜法而形成、特別是發光層亦細濕式·法而形成之有 機電致發光猶m之電_電仅電射衡優異’故可 狻得長壽命，且發級輪高之有機概發光元件。 <式(2&)、（2b)> 於本發明中m述⑴式之電荷 下述式(2a)、（2b)。 ’，' ()較佳為滿足 # eg2.〇χ10-7 cm2/V · s ...(2a) //2.〇xl0*7 cm2/V · s ..偶 電荷傳輸材料(1)之電子移動率^ 以上，較佳為 l.〇xl(T6cm2/v· s 以上、㊉為 2.〇Xl〇7cm2/V.s cm2/V · s以上，又，通常為丨〇χ1〇Ίν步車父佳為丨伽10·5 L〇xl0^cmW.s ^ Γ〇χΤ〇-3Χ ' 又，電荷傳輸材料（1)之電洞移 ·δ以下。 移動率心通常為2树7 099126594 24 201136447

Cm/V S 以上’較佳為 l.〇xl〇-6cm2/V.SJ^ 為l.OxlO·5 cm2/V 上，進一步較佳 τ cm2/^-x ▲ _下。伽心以下，進—步較佳為1~ 傳輪材料(1)之電子移動率^及電_動 =圍内’㈣作錢概發光純時，㈣於下述通常^ 之膜厚而言電荷之移動為高速，故可獲得驅動電卿 低之有機電致發光元件。 电L車又 <組成物中之含量> ==有機電致發光元件肋餘中所含之電荷傳輪材 為種’又’亦可以任意組合及比率併用2種以上，作 至少1種為滿;i本發明之參數值之電荷傳輸材料⑴。- 本㈣之有機電致發光元件用組成物中所含之全部固形份 旦。的電何傳輸材料之含量通常為65重量%以上，較佳為乃重 里。以上，更佳為85重量％以上，通常為99 較佳為99.5重量％以下，更佳為99重量〇/〇以下。乂下， /有機電致發光元件賴成物中之電荷傳輸材料之含 違下限以上’則難以產生由薄财之電荷傳輸能力降低而弓I起 的驅動電壓上升或發光效率降低之情況。另—方面，若電 輸材料之含量為該上限以下，則不易產生膜厚不均。 再者，於個2種以上之電荷傳輸材料之情況，使該等之合 计含量具有於上述範圍内。 099126594 25 201136447 娜輸㈣撕切全部電荷 ::電荷傳輸材料⑴所佔的含有比例通常為5。重量 〇彳4 %重量％以上，更佳為9G重量％以上。 於全糊傳_切佔之比例為上 ^絲現岐料林發明 輸材料⑴所帶來的上述效果。 狀電何傳 佳機電致發光元件用組成物中之電荷傳輸材料尤 荷傳輸材料⑴。再者，電荷傳輸材料⑴可僅使 用1種，亦可以任意組合及比率併用2種以上之材料，於併用 種以上之電荷傳輸材料⑴之情況，通常使該等之合計含有比 例為上述下限以上。 {發光材料} 用組成物係用於形成有機電致 機電致發光元件用組成物通常 本發明之有機電致發光元件 發光元件之發光層，本發明之有 具有發光材料β 所謂發光材料，係定義為於雜氣體環境下、室溫下、稀溶 液中之％光量子產率為30%以上，且根據與稀溶液中之榮光或 填光光譜之對比，狀對使料㈣狀有機電致發光元件通 電時所獲叙EL光譜之—部分或全部關_材料之發光的 之螢光或鱗光光 之測定方法如下 此處’發光材料之發光量子產率、溶液中 _、製成有機電致發光元件時之EL光譜各自 099126594 26 201136447 所述。 (發光量子產率之測定方法） 發光材料之發光量子產率例如可使用絕對光致發光(p L， ph〇t〇lUminescence)量子產率測定裝置 C992〇 〇2(Ham_tsu Photonics公司製造)而測定。 再者，進行測定時，可使用將發光材料稀釋至相對於溶劑為 〇.〇1 mmol/L左右，並以惰性氣體(例如氮氣）充分進行脫氧處理 所得之溶液。 (溶液中之螢光或磷光光譜之測定方法） 對與上述發光置子產率之測定中所使用者相同之溶液，例如 使用分光光度計F-4500(日立製作所公司製造），測定藉由照射 任意波長之光而將發光材料激發所獲得之光譜。 再者，所使用之測定設備只要可進行與上述同等之測定，則 並不限定於上述測定設備’亦可使用其他測定設備。 (製成有機電致發光元件時之EL光譜之測定方法） 有機電致發光元件之EL光譜可藉由對光譜進行分光而獲 得。具體而言，對製作之元件施加既定之電流，以intensified Multichannel Photodetector MCPD-2000(大塚電子公司製造)測 定所得之EL光譜。 再者，使用之測定設備只要可進行與上述同等之測定，則不 限定於上述測定設備，亦可使用其他測定設備。 作為發光材料，可應用任意公知之材料，通常只要為用作有 099126594 27 201136447 機電致發光元件之發光材料者，則並無限定。例如可為螢光發 光材料，亦可為磷光發光材料。 關於螢光發光材料’原理上螢光發光材料的有機電致發光元 件之發光效率低於磷光發光材料，且激發單重態之能隙亦小於 相同發光波長之磷光發光材料，並且激子壽命非常短，為奈秒 級，故對發光材料之負荷較小，元件之驅動壽命容易變長。 另一方面，關於磷光發光材料，原理上磷光發光材料的有機 電致發光元件之發光效率非常高，且激發單重態之能隙亦大於 相同發光波長之螢光材料，並且激子壽命較長，為微秒至毫秒 級，故與螢光發光材料相比，驅動壽命容易變短。因此，於較 壽命更重視發光效率之用途t ’較佳為使㈣光發光材料。 又，亦可組合使用，例如藍色使用螢光發光材料，綠色及紅色 使用磷光發光材料等。 <分子量> 只要不顯著損及本發明之效果，則用作發光材料之化合斗 分子量可為任意值，通常為1G_以下，較佳為5_ ^ 更佳為4000以下，進一步較佳為3〇〇〇以下，又，通常為 以上，較佳為200以上，更佳為3〇〇以上，進一步較佳為 以上之範圍。若發光材料之分子量為上述下限以上，則㈣ 優異’不易產生氣體’形成料之膜f優異，不易產生由驾 等引起之有機電致發光元件之形態變化。另—方面，若發夫 料之分子量為上述上限以下，則有機化合物之純化容易^ 099126594 28 201136447 於溶劑時不易消耗較長時間。 <構造等> 關於發光材料，如上所述可應用任意公知之材料，為了提高 於溶射之溶解性，較佳為降低發紐料之分仅對稱性或剛 性，或者導入烧基等親油性取代基。 <磷光發光材料> 作為破光發光材料，例如可舉出具有自長週期型週期表(以 下若無特別說明，則稱作「週期表」時，係指長週期型週期表) 第7〜11族選擇之金屬的有機金屬錯合物等。 作為自週期表第7〜11族巾選擇之金屬，較佳可舉出：舒、 錄、I巴、銀、銖、餓、鉉、翻、金等。 作為錯合物之配位基，較佳為(雜）芳基d比啶配位基、（雜）芳 基比坐配位基等將(雜)芳基與。比咬、π比唾、。非琳等連結而成之 配位基，尤佳為苯基0比唆配位基、苯基吼唾配位基。此處，所 謂(雜)芳基’係表示芳基或雜芳基。 作為％光發光材料，具體可舉出：三(2_苯基吡啶)銥、三(2_ 苯基"比啶)釘、三(2-苯基吡啶)鈀、雙(2-苯基吡啶)鉑、三(2_苯 基比。疋)鐵、二(2_苯基π比咬)鍊、八乙基糾淋、八苯基料琳、 八乙基鈀Π卜啉、八苯基鈀外啉等。 <螢光發光材料> ，於本舍明中’作為發光材料’尤其是就製成元件時驅動壽命 較長之方面而言’較佳為使用螢光發光材料。作為螢光發光材 099126594 29 201136447 料，就於發光層中高效率地捕獲電洞之方面而言，較佳為核碳 數為10〜40之經取代或未經取代之縮合芳香族烴化合物。 以下’舉出螢光發光材料之例，但可用於本發明中之榮光發 光材料並不限定於以下之例示物。 作為提供綠色發光之螢光發光材料(綠色f光色素），例如可 舉出：喹吖啶酮、香豆素、AKGHsNO)3等鋁錯合物及其等之 衍生物等。 作為提供黃色發光之螢光發光材料(黃色f光色素），例如可 舉出.紅螢烯、呸啶酮(perimid〇ne)及其等之衍生物等。 作為提供紅色發光之螢光發光材料(紅色營光色素），例如可 舉出：DCM(4-(二氰基亞甲基)_2_甲基冬(對二曱基胺基苯乙歸 基ΜΗ』比喃）系化合物、苯幷D比喃、若丹明、苯幷硫口山嗟、氮 雜苯幷硫P山嗟等星及其等之衍生物等。 作為提供藍色發光之螢光發光材料(藍色螢光色素），可舉出 核碳數為10〜40之經取代或未經取代之縮合芳香族煙化合 物。更具體而言，可舉出m、换、葱、香豆素、^ 雙(2_苯基乙烯基)苯、芳基胺、苯乙烯胺及其等之衍生物等。 其中’就藍色純度較高，高效率、長壽命之方面而言，較佳 為苯乙烯胺化合物及芳基胺化合物。 作為苯乙烯胺化合物，就於發光層中高效率地捕獲電洞之方 面而言，進一步較佳為下述式(A)所表示者。 [化6] 099126594 30 201136447

(式(A)中’ Ar為自聯苯基、聯三苯基、篆基、二苯乙稀基 芳基中選擇之基士3及立為氫原子或碳數為6〜20 之芳香族基，Ar2、Ar3及At·4 -Γ θ 次Ar可具有取代基。p為1〜4之整數 較佳為Ar3或Ar4之至少 _ 一者經苯乙烯基取代^ ) 此處，作為碳數為6〜2〇夕公头& * ^ ^ U之方香族基，可舉出苯基、萘基 蒽基、菲基、聯三苯基等芳香族烴基。 作為芳基胺化合物，就於發光層巾高效率地捕獲電洞之 方面而言’較佳為下述式⑻所表示者。 [化η

(式(Β)中’ Ar5為經取代或未經取代之核碳數1G〜4〇之芳 基及aM_立為經取代或未經取代之減數5〜4〇 之芳基。q為1〜4之整數。） 此處，作為Ar5之核碳數為10〜4〇之芳基，例如可舉出： 4基、蒽基、菲基、祐基.、换基、蔻基、聯苯基、聯三苯基、 二笨基葱基κ基、苯幷料基、㊄基、危并料、篆基等。 又，作為Ar6、Ar7之核碳數為5〜4〇之芳基，例如可舉出： 099126594 31 201136447 苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、筷基、蔻基、聯笨基、聯二 苯基、°比洛基、呋喃基、噻吩基(thiophenyl)、笨幷嗟吩基 (benzothiophenyl)、哼二唑基、二苯基蒽基、，朵基、咪唾基、 吡啶基、苯幷喹啉基、伊基、苊并存基、芪基等。 於該等芳基具有取代基之情況，作為較佳之取代基，可舉 出：碳數1〜6之烷基（乙基、曱基、異丙基、正丙基、第二丁 基、第三丁基、戊基、己基、環戊基、環己基等）、碳數丨〜6 之烷氧基（乙氧基、曱氧基、異丙氧基、正丙氧基、第二丁氧 基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環戊氧基、環己氧基等）、 核原子數5〜4G之絲、經制子數5〜4G之絲取代之胺 基、具有核原子數5〜4G之芳基之喊、具有碳數卜6之院 基之酯基、氰基、硝基、函素原子等。 <組成物中之含量> 本發明之有機電致發光元件用組成物中所含之發光材料可 僅為1種’亦可以任意組合及比率併用2種以上。 田、要不顯者損及本發明之效果，則本發明之有機電致發光元 =、、且成物⑽綱_財_㈣咖可為任 :德為0.05重量％以上，更佳為G 5重量％以上，尤佳 ==且較佳為35重量%以下，更佳為25重量% 則難以以 下。若發光材料為上述下限以上， 得良好。再均’若為上述上限以下’則發光效率容易變 d汗用2種以上發光材料之料，較佳為使該 099126594 32 201136447 等之合計含量具有於上述範圍内。 {溶劑} 本發明之有機電致發光元件用組成物係含有溶叫 謂本發財之溶劍，係指於2Gt、〗個大氣叙^處’所 體’且可將本發明之有機電致發光元件用組成物中所=為液 材料及電荷傳輸材料溶解的化合物。 I光 作為/合劑’只要為通常市售之極性或非極性之溶劑， 特別限制’其中較佳為：笨、曱苯、三曱苯、均三曱笨、= ，苯、氣笨、二氣苯等經取代或未經取代之芳香族烴系溶:已 =曱喊、本曱酸§旨、二苯轉芳香細系溶劑、芳香族自旨系溶 幻己烷庚烷、環己烷等鏈狀或環狀烷烴系溶劑；乙酸乙酽 等幾酸酿系溶劑；丙_、環己酉同等含羰基系溶劑；水；醇^ 狀叫’該等之中，更佳為芳香族烴系溶劑，其t，尤佳為苯、 •曱苯、均三曱笨、環己基苯。 X月之有摇ς電致發光元件用組成物中可含有丨種溶劑，亦 :以任思組合而含有2種或2種以上之溶劑。溶劑較佳為組合 έ有1種以上’較佳為1Q種以下’更佳為8種以下，尤佳為 6種以下。 又，於併用2種以上溶劑之情況，其混合比亦不受任何限 定車乂佳為使成合比最多之溶劑於總溶劑中較佳為1重量〇/0以 上’更佳為5重量％以上’尤佳為10重量％以上。又，較佳為 使混合比最多之溶劑於總溶劑中較佳為1〇〇重量％以下，更佳 099126594 33 201136447 為90重置％以下，尤佳為8〇重量％以下。並且，較佳為使混 合比最少之溶劑於總溶劑中較佳為0 0001重量％以上，更佳為 0.001重量％以上，尤佳為0.01重量％以上。又，較佳為使混 合比最少之溶劑於總溶劑中較佳為50重量％以下。 {其他成分} 除此以外，本發明之有機電致發光元件用組成物亦可含有勻 平劑、消泡劑、增稠劑等塗佈性改善劑，電子接受性化合物或 電子供應性化合物等電荷傳輸助劑，黏合劑樹脂等。就薄膜之 電何移動、發光材料之發紐及雜之膜料觀點而言，該等 其他成分於有機電致發光元件用组成物中之含量較佳為5〇重 量％以下。 {溶劑濃度•固形份濃度} 、於將本發明之有機電致發光元件用組成物用個以形成下 述本發明之有機電致發光元件之發光層的發光層形成用組成 物時’只要不顯著損及本發明之效果，财機電致發光元件用 組成物中之溶劑之含量可為任意值，較佳為3G重量％以上， 更佳為50重里/。以上，又，較佳為99 9卿重量％以下。再者， 於此。使mx场難為溶劑之情況，較佳為使該等溶劑 之合計量滿足該範圍。 又作為本發明之有機電致發光元件用組成物之發光材料、 電荷傳輸材料等全部固形份之濃度，較佳為⑽1重量％以上， 較佳為70重量％以下1域度為上述上限以下，則難以產 099126594 34 201136447 則難以於膜中產生缺陷。 生臈厚不均，又，若為上述下限以上 [發光層] 本發明之發光層係將上述含有電荷傳輸材料⑴之電荷傳輸 材料、發光材料、溶劑及視需要使用之其他成分加以混合，製 備本發明之有機電致發光元件用組成物，然後使用其藉由濕式 成膑法而形成。只要不顯著損及本發明之效果，則濕式成膜法 之方式並無限定，可使用下述任意方式。 具體而言’本發明之發光層可藉由利用與下述電洞注入層中 之方法相同之方法’以濕式將本發明之有機電致發光元件用组 成物塗佈於成糾上賴，其後進行·去除溶劑而形成。 為了防止由組成物中產生結晶利起之膜缺損，塗佈本發明 之有機電致發光元件驗成物時之溫度較佳為听以上，且 較佳為50°C以下。 又，只要獨及本發明之效果，難佈步财之相對濕 度並無限定，較佳為_ ppm以上，且較佳為帆以下。 塗佈後’通常藉由加鮮財機錢發光元制組成物之膜 乾燥。若列舉加熱步驟中使用之加熱手段之例，則可舉出：絮 淨供箱、加熱板、紅外線、由素加熱器、微波照射等。其中'、 為了對膜整體均勻地賦傾，齡域淨烘箱及加孰板。 加熱步驟中之加熱溫度只要不顯著損及本發明之效果，則較 佳為於用於有機電致發Μ件肋成物之電荷傳輸材料或發 光材料的玻璃轉移溫度以下之溫度下進行加熱。又，於用於有 099126594 35 201136447 機電致發光元件驗祕之電荷傳輸材料或發光材料係含有2 種以上之情況’較佳為至少1種於該電荷傳輸材料或發光材料 之玻璃轉移溫度以下之溫度下進行加熱。 於加熱步驟中，加熱時間並無限定，較佳為1〇秒以上，通 常為180分鐘以下。若加熱時間較短，則發光效率優異，若較 長，則所形成之薄膜容易變得均勻。加熱可分2次進行。又 只要不顯著損及本發明之效果，則本發明之發光層之膜厚可 為任意值，較佳為3 nm以上，更佳為5 nm以上，又，較佳為 20〇nm以下，更佳為漏nm以下之範圍。若有機薄膜之膜厚 為上述下限以上’則難以於财產生缺陷，又，若為上述上限 以下，則驅動電壓容易降低。 [有機電致發光元件] 本發明之有機電致發光元件之特徵在於：於陽極與陰極之間 具有發光層’該發光層係使用上述本發明之有機電致發光元件 用組成物，藉由濕式成膜法而形成之層。 又’本發明之有機電致發光元件較佳為於發光層與陽極之間 具有第-有機層，且該第一有機層係濕核膜法而形成之 層’較佳為該第—有機層係使交聯性化合物交聯而形成之層。 進步’車乂佳為於上述第一有機層與陽極之間具有含有電子 接又!·生化σ物之第二有機層，較佳為該第二有機層亦係藉由濕 式成膜法而形成之層。 車乂佳為帛有機層及第二有機層係藉由濕式成膜法而形成 099126594 36 201136447 之層的原因如下所述。 於陽極與發光層之間存在之有機層、尤其是第—有機層與第 -有機層係藉由濕式成麟耐彡㈣元件之情況 ，與以蒸鍍法 而开/成之7L件相比，於第-有機層與第二有機層之界面形成有 该等之混合層’故陽極〜第二有機層〜第—有麟注入•傳輸 之電洞之量多於以紐法而形成之元件。同時，發光層〜第一 有機層〜第二有機層注人•傳輸之電子之量亦較多。 於使用滿足上述式⑴之電荷傳輪材料⑴而製作之元件之情 況，注入之電洞與電子在發光層内高效率地再結合，未進行再 結合之電洞及電子漏出至鄰接之電擋層或第_有機層的 比例知到抑制。例如，未於發光層中消耗而漏出至第一有機層 中之電子會於第—有機層與第二有機層之界面形成之混 合層而容易地到達第二有機層，使形成第二有機層之電洞傳輸 性化合物與電子接受性化合物還原劣化。根據以上所述，於含 於陽極與發光層之間之有機層細料賴法*形成之情 況，使用電荷傳輸材料(1)之效果較高。 再者，於本發明中，所謂濕式成膜S，係指成膜方法，即例 如採用旋轉塗佈法、浸潰塗佈法、模塗法、棒式塗佈法、刮刀 塗佈法、輕式塗佈法、塗佈法、毛細管塗佈法、喷墨法、 喷鳥p刷法網版印刷法、凹版印刷法、快乾印刷法等以濕式 成膜之方法作為塗佈方法，並將相錢而形成膜之方 法。於該等成财法中，較佳為旋轉塗佈法、儒塗佈法、喷 099126594 37 201136447 土法喷冑p刷去。其原因在於符合濕式成膜法中用作塗佈用 組成物的本發明之有機電致發光元件用組成物、及下述第一有 機層形成频絲、第二有機層職频絲财之液性。 {第一有機層} 本心月之帛彳機層，係指於本發明之有機電致發光元件 中，存在於陽極與發光層之間之有機層。於陽極與發光層之間 …有2層以上有;層之情況’將於發光層之陽極側與發光層鄰 接之層作為第一有機層。 又，第一有機層較佳為含有電洞傳輸性化合物之層。又，第 有機層較佳為使交聯性化合物交聯而形成之層。 <電洞傳輸性化合物> 電洞傳輸性化合物可為單體(具有單一分子量之化合物），亦 可為低聚物(具有重複單位之低分子量高分子化合物）， 還可為 聚口物U有重複單位之高分子量高分子化合物）。就成膜性優 〃或耐熱f生優異之方面而言，電洞傳輸性化合物較佳為如低 聚物或聚合物之具有重複單位之高分子化合物。 (分子量） 於電洞傳輸性化合物騎體之情況，其分子餘佳為5_ '更仏為2500以下，又’較佳為300以上，更佳為5〇〇 、上右刀子里為该上限以下，則難以產生雜質之高分子量 化今易純化。又，若分子量為該下限以上，則難以產生由玻 璃轉移溫度、及炫點、氣化溫度等之降低而引起的耐熱性降低。 099126594 38 201136447 於電洞傳輸性化合物為低聚物或聚合物之情況，其重量平均 分子量較佳為3,000,000以下，更佳為1,〇〇〇,〇〇〇以下，尤佳為 500,000以下’又，較佳為】,〇〇〇以上，更佳為2,5〇〇以上，尤 佳為5,000以上。若分子量為該上限以下，則難以產生雜質之 高分子量化，容易純化，又，若分子量為該下限以上，則成膜 性優異’難以產生由玻璃轉移溫度、熔點及氣化溫度之降低而 引起的耐熱性降低。 於電洞傳輸性化合物為低聚物或聚合物之情況，其分散度 Mw/Mn(Mw :重量平均分子量，Mn :數量平均分子量)較佳為 3.0以下，更佳為2.5以下，尤佳為2.〇以下，且較佳為丨〇以 上’更佳為1.1以上’尤佳為12以上。若分散度為該上限以 下，則容易純化，容易使溶劑溶解性及成膜性變得良好。 再者，本發B种之重量平均分子量及數量平·子量係藉由 sEC(Size Exclusion Chromat〇graphy，尺寸排除層析法赠而 確定。於SEC败巾，越為高分子量成分，其溶㈣間越短， 越為低ti量成分’其溶出時間越長，可藉由使用根據分子旦 已知之聚本乙烯(標準試樣)之溶出時間而算出的校正= 樣品之溶出時間換算成分子量， 、7將 平均分子量。 里及數置 (構造） 洞傳輸能力較高，且 ’較佳為游離電位較 作為形成第一有機層之材料，較佳為電 可高效率地傳輪所注入之電洞者。因此 099126594 39 201136447 小，對可見光之透雖較高，㈣移動輪大 於製造時或使用時難以產生成為牌之雜質。又，優異’ 下與發光層接觸，故較佳為不會將來自發光層光^^ 者在與發光層之間形成激發複合物而使效率降低卒滅’或 第—錢狀㈣呵舉”知料錢電致發光 讀之電洞注入層之電洞傳輪性化合物。x，可 衍生物，生物、螺衍生物,衍生物1_生:= ♦衍生物，衍生物、三倾生物、料衍生物、啡琳衍生 物、酞t何生物、。卜琳衍生物、石夕羅衍生物、低聚嗟吩衍生物、 縮合多環芳香族衍生物、金屬錯合物等。 又，例如可舉出：聚乙烯基㈣射物、聚芳基胺衍生物、 聚乙婦基三苯基胺衍生物、料射物、聚伸芳基衍生物、含 有四苯基㈣叙科絲_衍生物、料絲伸乙稀基衍 ㈣、料姐魅物、料吩衍生物、聚齡乙快)衍生物 等。该等可為交替絲高分子化合物、無規高分子化合物、嵌 段高分子化合物或接枝共聚高分子化合物中之任一者。又，亦 可為於主鏈上具有分支而具有3個以上末端部之高分子、或所 謂樹枝狀聚合物。 其中，較佳為聚芳基胺衍生物及聚伸芳基衍生物。 八中，作為聚芳基胺衍生物，較佳為含有下述式(H)所表示 之重複單位之高分子化合物。尤佳為由下述式(π)所表示之重 複單位所構成之高分子化合物，於該情況，於各重複單位中， 099126594 201136447

ArA或Αγβ可為不同者。 [化8]

ArA〜N

(II) ⑷射’ ArA及ArB分別獨立表示可具有取代基之芳香族 烴基或芳香族雜環基。） 作為ArA、ArB之可具有取代基之芳香族烴基，例如可舉出 來自苯環、蔡環、葱環、菲環、花環、稍四苯環、祐環、笨幷 «、贿、聯伸三苯環、危環、择環、第環等6員環之單環 或2〜5環縮合環之基、以及以直接鍵結連結2個以上該等環 而成之基。 作=取代基之芳香族雜環基，例如可舉出來自咳喃 二:!？、物…苯幷細晨，各環、爾、咪 二：Γ—環，并懷、— 坐衣比各开吡咯環、噻吩并吡B各产办 鱗環、爾蝴物刪、料并 異嗟。坐環、料”環、 *、祕異辦環、苯幷 二物、口奎琳環、異顿環、啊環〆 疋衣 幷咪唾環、啊環，琳環、嗤麵圭啊環、啡咬環、苯 環之單環或2〜4 _合環之基 ^ 1環等5或6員 該等環而成之基。 X直接鍵結連結2個以上 099126594 201136447 就溶解性、耐熱性方面而言，ArA及ArB較佳為分別獨立為 來自於自苯環、萘環、蒽環、菲環、聯伸三苯環、芘環、噻吩 環、吡啶環、第環所組成之群組中選擇之環的基、及連結2個 以上苯環而成之基(例如聯苯基及聯三苯基）。 其中，較佳為來自苯環之基(苯基）、連結2個苯環而成之基 · (聯苯基)及來自苐環之基（苐基）。 作為ArA及ArB之芳香族烴基及芳香族雜環基可具有之取代 基，可舉出：烧基、烯基、快基、院氧基、芳氧基、烧氧基幾 基、二院基胺基、二芳基胺基、醯基、鹵素原子、鹵烧基、烷 硫基、芳硫基、石夕烧基、魏氧基、氰基、芳香族烴基、芳香 族雜環基等。 又’作為聚伸芳基衍生物，可舉丨於其重複單財具有作為 上述式(II)中之ArA及ArB而例示之可具有取代基之芳香族烴 基或芳香私雜環基等伸芳基的高分子化合物。 作為聚伸芳基衍生物’尤佳為具有具有下述式(脳)及下述 式(III 2)中之至少一者之重複單位的高分子化合物。 [化9]

099126594 42 201136447 基叛基、燒氧基縣、或竣基。t及S分別獨立表示〇 〜a3之f數。於US為2以上之情況，一分子中所含之數個 R或R可相同亦可不同，且鄰接之^或#彼此可形成環 [化 10]

本土 錢崎基、苯基、苯氧基、轉祿、烧氧基笨 (式(ΙΠ_2)中，Re及Rf分別獨立與上述式(III-1)中之Ra、Rb、 R或以表不相同含義。du分別獨立表示0〜3之整數。於 r或u為2以上之情况’—分子中所含之數個Rf可相同 亦可不同，且鄰接之Re《R^此可形成環。χ表示構成5員 環或6員環之原子或原子群組。） 作為X之具體例，可舉出：氧原子、可具有取代基之硼原 子、可具有取代基之氮原子、可具有取代基之矽原子、可具有 取代基之磷原子、可具有取代基之硫原子、可具有取代基之碳 原子或該等鍵結而成之基。 又’作為聚伸芳基衍生物’較佳為除了具有上述式(111_1)及 下述式(ΙΙΙ-2)中之至少一者之重複單位以外，進一步具有下述 式(ΙΙΙ-3)所表示之重複單位。 [化 11] 099126594 43 201136447

—Ar

Ar】 W

(ΠΙ-3)

Ar1 (式(III-3)中，Am 〜Ar分別獨立表示可具有取代基之芳香族 煙基或芳麵雜環基。v及立表示0或卜） 作為Arg〜Arm々η _ „ 、 之/、體例，與上述式(II)中之ArA及Ar相同。 上述式(III-1)〜邮3 )之具體例及聚伸絲衍生物之具體例 等可舉出日本專利特L98619號公報中記載者等。 又’電洞傳輪性化合物之構造並無特別限定 ，較佳為具有下 述式⑷所表故構料㈣賴紅化合物。 [化 12]

進一步’於本么明之電洞傳輸性化合物為聚合物之情況，較 佳為含有卞述式(5)所表示之重複單位之聚合物。 [化 13] 099126594 44 201136447

Ar12- (式(5)中，m表示G〜3之整數，W、^i2) 直^鍵結、可具有料基之芳香可具有取代= 2可具有取代基之芳香族雜環基。其中，不存在W及二 均為直接鍵結之情況。） 作為A/〜Ar15之可具有取代基 來自苯環、萘環、葱環、菲環、3^麵煙基，例如可舉出 祐環、《、聯伸三苯環、騎^祠四苯環、祐環、苯幷 環或2〜5雜合歡基H料料6員環之單 作為Ar11〜Ar15之可具有取^发 出來自咬喃環、苯幷吱喃環、^環基，例如可舉 吼唾環、你裒、^苯幷。塞吩環、鱗環、 鱗并州、鱗并鱗環、轉㈣唾環、 咬喃并鱗環、吱喃并料環、 塞吩开嗟吩環、 苯幷異魅環、料料環，；^俩、苯料领i、 環、三畊環、料環、異㈣環、啊:^、紳裒、喷咬 苯幷咪唑環、呸啶環、啥哇 衣、喹哼啉環、啡啶環、 哺琳環、及料料娜環1環"丫魏、 099126594 ^ %或2〜4環縮合環的基。 45 201136447 、就於溶射之溶解性及雜性方面而言，At·11〜Αι·15較佳為 3獨立為來自於自苯環、萘環、I環、菲環、聯伸三苯環、 比衣塞吩％、D比啶環、及苐環所組成之群組中選擇之環的基。 又，、作為Μ、Arl2、Arl4，藉由直接鍵結或-CH=CH-基將 、〔群、钟選擇之丨種或2種以上之環連結而成的2價基亦 孕父佳，進一步較佳為伸聯苯基及伸聯三笨基。 下^ AAV5之㈣族烴基衫香_環基可具有的广 下述父聯性基以外之 勺除 卜之取代基，並無特別限制 述< 取代基群組 > 中選擇之！種或2種以上。]牛出自下 <取代基群組Z> 2〜12 之稀 基； 之H、乙基物纟輸1〜24，進1雛為碳數1〜12 乙稀基等較佳為碳數2〜24，進一步較佳為碳數 2〜12之炔 乙炔基諸料魏2〜24，進—賴佳為碳數 基； 曱氧基、乙氧基等較佳為碳數 〜12之烧氧基； ‘步較佳為碳數i 苯氧基、萘氧基、吼啶氧基等較佳為碳 佳為碳數5〜24之芳氧基； 進步較 甲氧基縣、乙氧基縣等較佳為碳數2〜24 為碳數2〜12之烷氧基羰基； 乂較佳 099126594 46 201136447 二甲基胺基、二乙基胺基等較佳為碳數2〜24，進一步較佳 為碳數2〜12之二烧基胺基； 二苯基胺基、二曱苯基胺基、N-咔唑基等較佳為碳數10〜 36，進一步較佳為碳數12〜24之二芳基胺基； 苯基曱基胺基等較佳為碳數6〜36，進一步較佳為碳數7〜 24之芳基烷基胺基； 乙醯基、苯甲醯基等較佳為碳數2〜24，較佳為碳數2〜12 之酸基； 氟原子、氯原子等鹵素原子； 三氟曱基等較佳為碳數1〜12，進一步較佳為碳數1〜6之 鹵烧基； 曱硫基、乙硫基等較佳為碳數1〜24，進一步較佳為碳數1 〜12之烷硫基； 苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等較佳為碳數4〜36，進一步較 佳為碳數5〜24之芳硫基； 三甲基矽烷基、三苯基矽烷基等較佳為碳數2〜36，進一步 較佳為碳數3〜24之矽烷基； 三曱基矽烷氧基、三苯基矽烷氧基等較佳為碳數2〜36，進 一步較佳為碳數3〜24之矽烷氧基； 氰基； 苯基、萘基等較佳為碳數6〜36，進一步較佳為碳數6〜24

I 之芳香族烴基； 099126594 47 201136447 36,進一步較佳 噻吩基(thienyl)、D比咬基等較佳為碳數 為碳數4〜24之芳香族雜環基。 述 <取==:::代基，其例，，上 作為W〜W之芳香族烴基及芳麵雜縣可 下述交聯性基以外之取代基的分子量，較佳為紐進除 之基在内為500以下，進一步較佳為25〇以下。 /取代 就於溶劑中之溶解性方面而言，作為Αγ11〜&ι5 ^ 基及芳香雜環基可射之取絲，難騎卿 〜12之烷基及碳數1〜12之烷氧基。 反數1 再者，於m為2以上之情況’上述式⑸所表示之重複的 具有2個以上之Ar14及Ar15。於該情況，Ar14彼此及ls早位 丄 *^/v trl— 可分別相同亦可不同。進一步，Ar14彼此、4 , 谈此亦可分別 互相直接鍵結或經由連結基進行鍵結而形成環爿& 作為Ar11〜Ar15可具有之取代基，可為下述交聯性基。 式(5)中之m表示0以上、3以下之整數，就於 、有機溶劑中 之溶解性及成膜性提高之方面而言’m較佳為〇。 又’就聚合 物之電洞傳輸能力得到提高之方面而言，p較佳為 上以上、3 以下 作為電洞傳輸性化合物，使作為聚σ塞吩之衍生物％ 3 二氧噻吩於高分子量聚苯乙烯磺酸中聚合而成之導」乙稀 性聚合

物(PEDOT/PSS)亦較佳。又，亦可使用以甲基内稀峻妒等 I 099126594 48 201136447 聚合物之末端封端而成者。 <交聯性化合物> 弟有機層較佳為使交聯性化合物交聯而形成之層，尤其是 就可使得於藉由熱及/或活性能量線之照射而產生之反應（交聯 反應）前後’於溶劑中之溶解性產生較大差異之方面而言，較 佳為上述電洞傳輪性化合物為具有交聯性基之交聯性化合物。 此處，所謂交聯性基，係指藉由熱及/或活性能量線之照射 而與位於附近之其他分子之相同或不同之基進行反應，生成新 的化學鍵之基。 作為父聯性基’就容易交聯方面而言，，例如可舉出以下<交 聯性基群組τ>所示之基。 <交聯性基群組丁> [化 14]

(式中，R1〜R5分別獨立表示氫原子或烷基。Αγμ表示可具 有取代基之芳香族烴基或可具有取代基之芳香族雜環基。） 作為交聯性基，就反應性較高，容易交聯之方面而言，較佳 為環氧基、氧雜環丁烷基等環狀醚基、乙烯醚基等藉由陽離子 099126594 49 201136447 2二聯反應之基。其中’就容易控制陽離子聚合之速 ❿5 ’尤佳為氧雜環丁絲，就陽離子聚合時不易生 成^導致4劣化之虞之方面^言，較佳為乙_基。 作^聯性基，不含賴之基使電荷傳輸單元之 長’電荷傳輪材料之移動皇^ 化學穩定性之方面Γ 進一步提高電氣 來自笨# ’較佳為桂皮醯基等芳基乙稀基羰基、 衣丁烯環之基等進行環化加成反應之基。 1於交舰射’就交聯後之構造特別穩定 ， 尤佳為來自苯幷環丁稀環之基。 面而。 其Γ秘Γ基可直接鍵結於分子内之芳香族烴基或芳香族雜環 土，二可經由2價基而鍵結。作為該2價基，可舉出將自办 ί床Γ'0>基或(可具有取代基之)偶-基中選擇之基以任意 順序連結1〜30個而成之2價基。 父W生化合物可為單體、低聚物、聚合物之任—者，就成膜 I·生優/、之方面而έ ’較佳為聚合物。交聯性化合物可僅具有1 種，亦可以任意組合及比率具有2種以上。 、作為交雜化合物，如讀述健為使料有交雜基之電 洞傳輸性化合物。作為電洞傳輸性化合物，可舉出上述中所例 ’、可牛出々上所述之交聯性基鍵結於該等電洞傳輸性化合 物之主鍵或側鏈上所得者。尤佳為交聯性基經由伸絲等連处 基而鍵結於域上。又，尤其是料電_輸性化合物，較佳 為含有具有交雜基之重鮮位的高分子化合物，較佳為含有 099126594 201136447 交聯性基直接或經由連姓 (㈣、及式(5)上之重複&鍵二於上述綱或式㈣)〜 尤其是於在式(5)所表示之匕合物\ 傳輸性化合物之情況，較佳: 中具有父聯性基之電洞 位之交聯性聚合物。 $、有下述式⑺所表示之重複單 [化 15]

•Ar21—N—^-Ar24, Ar23

Ar22· (式(5，)中，n表示〇〜3之 (= 接鍵結、可具有取錄0麵㈣及&㈣獨立表示直 族雜環基，分別=、或可具有取代基之芳香 基或可具絲似Μ錢:絲之芳香族烴 基。其中，不存在W及β料二表示含有交聯性基之 Ar21 A 25 勺為直接鍵結之情況。）

Ar〜Ar25之可具有取代基 ^ .. . 方齊族蛵基、及可具有取代基 之方耗雜環基的具體例與上述式(辦之νι〜Αρ之可具 有取代基之芳香族烴基、及可具麵代基之料族雜環基料 體例相同。又，較佳例亦相同。進1，可具有之取代基亦相 同。 上述η與式(5)中之m相同，較佳值亦相同。 <具體例> 099126594 51 201136447 將作為第一有機層中所含之電洞傳輸性化合物而較佳之電 洞傳輸性化合物的具體例表示如下，但本發明並不限定於該 等。 [化 16] 099126594 52 201136447

[化 17] 099126594 53 201136447

R

099126594 54 201136447 [化 18]

099126594 55 201136447[化 19]

xa9150 χαοβω 099126594 56 201136447[化 20]

0J293 099126594 57 201136447 [化 21]

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0.025 0^5 % 0.05 59 201136447 [化 23]

099126594 201136447 [化 24]

只要不損及本發明之效果，第一有機層亦可含有上述電洞傳 099126594 61 201136447 輸性化合物以外之其他成分。作為其他成分，可舉出各種電子 接受性化合物、發光材料、促進交聯反應之添加物、黏合劑樹 脂、勻平劑、消泡劑等塗佈性改善劑等。再者，其他成分可僅 使用1種，亦可以任意組合及比率併用2種以上。 於陽極與發光層之間之有機層為一層之情況，即僅為第一有 機層之情況’較佳為於第一有機層中含有下述電子接受性化合 物。 <第一有機層形成用組成物> 於藉由濕式成膜法形成第一有機層之情況，將構成第一有機 層之電轉輸性化合物、及視S要之上述其他成分與適當之溶 ^ 0而製備成膜用之組成物（第一有機層形成用組成物）。 第有機層形成用組成物中之電洞傳輸性化合物之含量較 佳為0.1番旦Q/、， 里。1上，更佳為0.5重量％以上，且較佳為5〇重 直％以下，p杜& μ 一 .,佳為20重量％以下。再者，於第一有機層形成用 佳為2 7村含有2種以上㈣傳輸性化合物，於該情況，較 八旦 、之S °十昼在上述範圍内。若電洞傳輸性化合物之 下限以上，則難以於所形成之第—有機層中產生缺 作為第為上述上限以下’則難以產生膜厚不均。 制 上 ，較佳為有機層㈣用組成物中所含之溶劑，並無特別限 ’、、、將上述電洞傳輸性化合物溶解較佳& Μ重量％以 尺佳為OSiin L0 4 〇 佳為110(：以上，更佳為140°C以上，尤佳 099126594 62 201136447 為200 C以上，又，較佳為400 c以下，更佳為3〇〇°c以下。 若冷劑之沸點為上述下限以上，則乾燥速度不會過快，容易使 膜質變得良好。又，若溶劑之沸點為上述上限以下，則乾燥步 驟之溫度為低溫即可，故對其他層或基板帶來不良影響之可能 性較低。 作為溶劑之具體例，可舉出：甲苯、二甲苯、均三甲苯、環 己基苯等芳香族化合物；丨，2_二氯乙烷、氣苯、鄰二氣苯等含 鹵素之溶劑；乙二醇二曱醚、乙二醇二乙醚、丙二醇_1_單甲 醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚；1，2_二甲氧基苯、二曱氧 基苯、笨曱醚、苯乙醚、2-曱氧基曱苯、3_甲氧基曱苯、4_曱 氧基曱苯、2,3_二曱基笨甲ϋ、2,4·二曱基苯甲_等芳香族_ 等酸系溶劑；乙酸乙g旨、乙酸正丁g旨、乳酸乙、乳酸正丁醋 等脂肪族酯；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯曱酸曱酯、苯曱酸乙酯、 苯曱酸異丙酯、苯甲酸丙g旨、苯f酸正Tg旨等g旨系溶劑等有機 浴劑。該等可單獨使用丨種，亦可併用2種以上。 <成膜方法> 第一有機層較佳為使用上述第一有機層形成用組成物，藉由 濕式成膜法而形成於基板或其他層上等。 亦即，製備上述第一有機層形成用組成物，以濕式將該組成 物成膜於綠或其他層上’減要對成驗之膜進行加熱乾燥 或減壓乾燥等而去除溶劑。 於電洞傳輸性化合物為具有交聯性基之化合物之情況，於成 099126594 63 201136447 而使交聯性化合物 膜後’藉由加熱及/或活性能量線之照射， 進行交聯反應，獲得硬化膜。 於該交聯反應係利用加熱而進行之情 限定，加祕件1竭跳^，更佳;^無特別

又，作為加細，較佳為丨分鐘以上，更佳為24小時H 又，作為加熱手段，並無特別限定，可、 膜之基板或積層體載置於加熱板上 、7形成之 _件。 〇C以上加熱！分鐘以上 ;交聯反應係利用活性能量線之照射而進行之情況，可舉 2 :直接制超高壓水贿、縫水麵、«燈、紅外線燈 荨紫外•可見•紅外光源進行昭射 、 、+. , mu或者使用内藏有上 述先源之光罩對準曝光機、輸送帶式光照㈣置進行昭射之方 法等。又，例如可舉出制照射藉由磁控而產生之微波之裝 置’即所職波爐進行_的方1作為照射_，較佳為咬 定為降低膜之轉性所必需之條件，錢為q i㈣上，更佳 為10小時以下。 ^加熱及/妓性能錄之騎可分财獨精，或者組合進 行。於組合之纽，實麵序並無制限定。 f 了降低實施後_含之水分及/或狀表面触附之水分 之直’加熱及/或活性能量線之騎較佳為於氮氣環境等不含 水分之環境下進行。為了㈣之目的，於組合進行加熱及/或 099126594 64 201136447 ，尤佳為於氮氣環境等不含水 之前之步驟。 分之環 活性能量線之照射之情況 境下進行至少即將形成膜 <膜厚〉 第一有機層之膜厚較佳為3nm以上，更佳為5·以 佳為:0nm以上，又’較佳為1〇〇nm以下更佳為肋•以 下，尤佳為5Gnm以下。若膜厚為上述下限以上，則自第 機層漏出電子之比例較少，由於使形成第二有機層之電洞 ⑽合物與電子接受性化合物發生劣化崎製成元件時: 動壽命產生影響的可能性較低。另-方面，若為上述上限以 下，則容易使驅動電壓變低。 再者，第-有機層可為單-之層之構成，亦可為將數層積層 之構成。於後者之情況，數層可為包含相同材料之層，亦可 包含不同材料之層。 {第二有機層} 本發明之有機電致發光元件較佳為於上述陽極與上述第— 有機層之間具有第二有機層。該第二有機層較佳為含有電洞傳 輸性化合物與電子接受性化合物之層。 <電洞傳輸性化合物〉 作為用以形成第二有機層之電洞傳輸性化合物，可將上述具 有交聯性基之化合物用作電洞傳輸性化合物。於該情況，作為 電/同傳輸性化合物，只要為具有電洞傳輸能力之化合物，則可 使用低分子化合物，亦可使用高分子化合物。又，作為交聯性 099126594 65 201136447 基，就電荷傳輪單元之共輛變長，電荷傳輸材料之移動率變高 之方面而言，較佳為不含醚鍵之基。 〇 作為電洞傳輪性化合物，就自陽極向第二右 q蜮層中注入電荷 之障壁之觀點而言，較佳為具有4.5 eV以上、Λ 工6.〇eV以下之游 離電位之化合物。就該觀點而言，作為電洞傳輸性化合物之 例’可舉出：芳香族胺化合物、欧菁衍生物、啊衍錄、^ 聚噻吩衍生物、聚噻吩衍生物、苄基苯基化合物、以第美連钟 二級胺而成之化合物、腙化合物、^夕氮烧化合物、矽产胺彳生 物、磷胺衍生物、喹吖啶酮化合物及酞菁衍生物等。 其中，就為非晶質性之方面及可見光之穿透率之方面而+， 作為電洞傳輸性化合物，較佳為芳香族胺化合物，尤其是芳香 族三級胺化合物更佳。此處，所謂芳香族三級胺化合物，係扑 具有芳香族三級胺構造之化合物’亦包括具有來自芳香族三級 胺之基的化合物。 芳香族三級胺化合物之種類ji無特別限制，就因表面平滑化 效果而貫現均勻發光之方面而言’進一步較佳為重量平均分子 量為1000以上、1000000以下之高分子化合物(重複單位連接 而成之聚合物）。 作為芳香族三級胺高分子化合物之較佳例，可舉出具有下述 式(IV)所表示之重複單位之高分子化合物。 [化 25] 099126594 66 (IV)201136447

Ar 35

Ar 36

•Ar3—N

Ar 38 0-2 族nv)中’Ar35及Ar36分別獨立表示可具有取代基之芳香 2 0具神代基之㈣_環基。分職 又，Ar 而形成環 [化 26] 價==有取代基之2價料_基、或可具有取代基之2 又，°ζ表示自下述連結基群組帽擇之連結基。 中鍵、、°於同—Ν原子上之兩個基可互相鍵結 〇 *4。-卜4匕-Ar4—Ar4: 〇 II 0 F3 0 -Ar •46 ~Ar 47 A \\ C-Ar48- R I -Si- -C-Ar49^c-

R

O -C- II o

oII -s- II O o fr -p II o 50 (上述各式中，a/6~a/ 取代基之㈣_基、/立表示可異 及U取代基之方_雜環基，A代A之—未 表不可具有取代基之芳香族烴基、咬可且右取似:麵雜環基。…分別獨立表示氣原子或任 099126594 67 201136447 Αθ〜Ar5。分棚立表柯具有取代基之芳香馳基、或可 具有取代基之料。該料分卿同，亦可互相不 同。又’該等基可進-步具有取代基。作為取代基之分子量， 通常為400以下，其中較佳為250以下。 作為^35及Μ，就芳香族三級胺高分子化合物之溶解性、 耐熱性、電洞注入•傳輸性之方面而言，較佳為分別獨立為來 自苯環、萘環、菲環"塞吩環、㈣環之基，更佳為苯基(來 自苯環之基）、萘基(來自萘環之基）。 又’作為Μ〜Μ，就耐熱性、包含氧化還原電位之電洞 注入•傳輸性之方面而言，較佳為分別獨立為來自苯環、蔡環、 聯伸三苯環、菲環之基，更佳為伸苯基(來自苯環之基）、伸聯 苯基(來自苯環之基）、伸萘基(來自蔡環之基）。 作為具有式(IV)所表示之重複單位之芳香族三級胺高分子 化合物之具體例’例如可舉出國際公開第2_讀4號小冊 子中記載者。 再者，電洞傳輸性化合物可含有任一種，亦可含有2種以 上。於含有2種以上之電洞傳輸性化合物之情況，其組合為任 意者，較佳為將1種或2種以±之㈣族三_高分子化合 物、與1種或2種以上之其他電洞傳輸性化合物併用。 <電子接受性化合物> 第二有機純佳為含有電子接受性化合物。料電子接受性 化合物’較佳為具有氧化能力，且具有自上述電洞傳輸性化合 099126594 68 201136447 具體而言，較佳為電子親和 物接受一個電子之能力的化合物 進一步較佳為5 ev以上之化合物。 力為4 eV以上之化合物 作為電子接受性化合物，例如可舉出自三芳基石朋化合物、_ 化金屬、路易斯酸、有機酸、鑌鹽、芳基胺與函化金屬之鹽、 及芳基胺與路易繼之鹽所域之馳中選制丨種或2種以 上化^物等。更具體而言，可舉出：4·異丙基不甲基二苯基 四(五氟苯基__、三苯基四氟職料財機絲代之錯 鹽（國際公開第2005/089024號小冊子）；氯化鉄(m)(日本專利 特開平Η·2觸號公報)、過氧二硫酸銨等高原子價之無機化 合物；四氰乙料氰基化合物；三(五氟苯基)螂（日本專利特 開2003-31365遽公報)等芳香族職合物；富勒烯衍生物；蛾 等:該等電子接受性化合物會將制傳輸性化合物氧化，故可 提局第二有機層之導電率。 上述化合物中，就具有較強之氧化能力之方面而言，較佳為 經有機基取代之魅、S軒叙無齡合物等。又，就於各 祕解性料，翻独濕式颜_核之方面而 ^較佳為財機絲狀_、祕化合物、❹㈣化人 物等。 σ 作為電子接受性化合物而較佳的經有機基取代之_ 化合物、芳香族，化合物之具體例可舉二 漏麵號小冊子中記载者，其較佳例亦相同。例如2 出下速構造式所表示之化合物，但不限定於該等。 + 099126594 69 201136447 [化 27]

再者，電子接受性化合物可單獨使用i種，又，亦可以任意 組合及比率而使用2種以上。 電子接受性化合物相對於電洞傳輸性化合物較佳為以〇 莫 耳％以上，更佳為丨莫耳％以上，又，較佳為1〇〇莫耳％以下， 更佳為40莫耳％以下之比例使用。 <其他成分> 只要不損及本發明之效果，第二有機層中亦可含有上述電洞 傳輸性化合物及電子接受性化合物以外之其他成分叫乍為其他 成分’可舉出：各種發光材料、電子傳輸性化合物、促進交聯 反應之添加物、黏合劑樹脂、勻平劑、消泡劑等塗佈性改善劑 等。再者，其他成分可僅使用1種，亦可以任意組合及比率併 用2種以上。 099126594 70 201136447 <第二有機層形成用組成物> 於藉由濕式成膜法形成第二有機層之情況，將構成第二有機 層之電洞傳輸性化合物、電子接受性化合物及視需要之上述其 他成分與適當之溶劑混合，製備成膜用組成物（第二有機層形 成用組成物）而使用。 只要不顯著損及本發明之效果，則第二有機層形成用組成物 中之電洞傳輸性化合物之濃度可為任意值，就膜厚之均勻性方 面而言，較佳為0.01重量％以上，更佳為〇丨重量％以上，尤 佳為0.5重量％以上，且較佳為7〇重量％以下，更佳為6〇重 量％以下’尤佳為5〇重量％以下。若濃度過小，則存在於所形 成之第二有機層中產生缺陷之可能性，若遭度過大，則存在產 生膜厚不均之可能性。再者，第二有機層形成用組成物中亦可 含有2種以上之電洞傳輸性化合物，於該情況，較佳為2種以 上之合計量在上述範圍内。 又’電子接受性化合物相對於制傳輸性化合物之含量較佳 為0.1莫耳％以上，更佳為1莫耳％以上。其中，較佳為100 莫耳％以下’更佳為4〇莫耳％以下’第二有機層形成用組成物 中之電子接m合物之含量較佳為_重量％以上，更佳為 〇.〇5重量％以上，且較佳為2Q重量％以下，更佳為重量％ 、下再者於第一有機層形成用組成物中亦可含有2種以上 之電子接受性化合物，於該情況，較佳為2種以上之合計量在 上述範圍内。 在 099126594 71 201136447 制，較佳為第二^機=用成抵成物中所含之溶劑，並無特別限 為可剛二有機=r所含一 又，溶劑之沸點較佳為11〇 佳為20(TC以F , 上，更佳為140°C以上，尤 〜 、且車父佳為4〇〇t：以下，更佳為300。(：以下。 右糾之,點為上述下限以上，則 容易使膜質變得良好。又，心”丨、# M之从速度純’ 乾焯步驟H ^之’弗點為上述上限以下，則 之度㈣即可’故對其他層或基板(例如 f來不良影響之可能性較低。 作為之例’可舉出醚系溶劑、酯系溶劑 劑、酿胺系溶劑等。具體而言，作為趟系溶劑，例如可^ 乙二醇二甲峻、乙二醇二乙驗、丙二醇二了舉出. 剛等脂肪_;叫氧基苯:早甲:…旨 曱醚、苯乙醚、, ，一f氧基本、苯 甲氧基甲苯、3_曱氧基甲苯、4-曱氧美甲贫 2,3·二甲基苯甲_、2,4-二甲基苯甲峻等芳香_等。土又，作 編肩^如可舉出：乙咖、丙酸勒旨、苯甲酸甲酉旨、 二：：苯、:酸•苯甲酸正K等芳香族酯等。進-y 方純系溶劑’例如可舉出：甲笨、二甲笨 基苯、3-異丙基聯苯、⑵細曱基苯、认二:= 己基笨、甲其笼楚 ^ 一甲㈣二 作為醯胺系溶劑’例如可舉出邮 -甲基甲·、Ν,Ν-二甲基乙_等。又，除此以外，二 亞石風等亦可用作溶劑。 土 099126594 72 201136447 ,較佳為溶解第二有機層之材料之能力（溶解能 —)、1、材料之親和性較高之溶劑。其原因在於，可任意設 疋-有機層形成用組成物之濃度，而製備成膜步驟之效率優 異之激度的組成物。 再者，溶劑可使用1 @ 便用1種’亦可以任意組合及任意比率併用2 種以上。 <成膜方法> 第二有機層較佳為使用上述第二有機層形成用組成物，藉由 濕式成膜法㈣成，，將第二錢層軸賴成物塗佈於相 當於第二有機層之下層之層(通f為陽極)上，進行乾燥，藉此 形成第二有機層。 塗佈後，通常藉由加_進行錢。只要獨著損及本發明 之效果，則加鮮财所制之加熱手段並絲定。若列舉加 熱手段之例，則可舉出潔糾箱、加熱板、紅外線、自素減 器、微波照射等。其中，為了對膜整體均勾地賦予熱，較佳為 潔淨烘箱及加熱板。 ‘ 於電洞傳輸性化合物為交聯性化合物之情況，第二有機層之 成膜方法與{第-有機層}的<成財法〉—項中記載者相同曰。較 佳態樣亦相同。 再者’於藉由真线奴㈣成第二有機層之情況，首先， 將1種或2種以上材料(電_輸性化合物、好接受性化人 物等)放人至設置於真空容器内之_中(於❹ 099126594 73 201136447 之f況係放人至各_辦），以適當之真空泵將真空容器内 排乳’直至達到阶4匕左右為止。其後，加熱_(於使用2 種上材料之清况，加熱各個掛鋼广控制蒸發量而進行蒸發 (於使用^種以上材料之情況，分別獨立地控制蒸發量而進行 蒸發），藉此於與_相向配置之基板之陽極上形成第二有機 曰再者於使用2種以上材料之情況，亦可將其等之混合物 放入至賴中，加熱進行蒸發而祕形成第二有機層。 <膜厚> 第二有機層之膜厚較佳為5nm以上，更佳為⑺·以上， 又，較佳為誦nm以下，更佳為·咖以下之範圍。若膜 厚為上述下限以上，則電洞注人能力優異1為上述上限以 下，則容易使電阻降低。 積層 再者’第二有機層可為單—之層之構成，亦可為將數層 {有機電致發光元件之構成} 以下’參照圖1 ’對本發明之有機電致發光元件之層構成及 其形成方法等進行說明。 圖1係表示本發明之有機電致發光元件之構造例之剖面示 意圖，圖1中’ 1表示基板，2表示陽極，3表示電洞注入層， 4表示電洞傳輸層，5表示發光層，6表示電洞阻擔層，7表示 電子傳輸層’ 8表示電子注人層’ 9表示陰極。 099126594 74 201136447 者於圖1所不之元件之情況，電洞傳輸層4相當於第— 、、p=]、 八e /5 '主入層3相當於第二有機層。以下所述之各層係 K擇从作為該等所相當之第二有機層、第〆有機層、發 、、之條件而錢於上述中之各條件的材料而形成。 <基板> 基板1係成為有機電致發光元件之支持體者，可使用石英或 。、之板主屬板或金屬箱、塑膠薄膜或片材等。尤佳為玻璃 板或聚酉曰、聚甲基丙稀酸醋、聚碳酸醋、聚硬等透明合成樹脂 板於使用合成樹脂基板之情況，必需注意氣體阻隔性。若 基板之乳體阻隔性過小，則有時會因通過基板之外部氣體而導 致有^致發光元件劣化，故而不佳。因此，於合成樹脂基板 夕單面《•又置緻岔之氧化矽膜等而確保氣體阻隔性之方法 亦為較佳方法之一。 <陽極> 陽極2係發揮向發光層側之層注入電洞之作用者。 該陽極2通常係由銘、金、銀、鎳、纪、鱗金屬，姻及/ 或錫之氧化物等金屬氧化物，硬化銅等齒化金屬，碳愛，或者 聚甲基嗟吩)、聚鱗、聚苯胺等導電性高分子等所構成。 一陽極2之形成通常大多係藉由難法、真空蒸鑛法等而進 行又’於使用銀等金屬微粒子、蛾化銅等微粒子、碳黑、導 電性之金屬氧化物微粒子、導電性高分子細粉末等而形成陽極 2之it況’亦可精由使其分散於適當之黏合劑樹月旨溶液中，塗 099126594 75 201136447 二r形成陽極心進―步’於導高分子之情 丨上塗佈賴賴，或者於基板 卷，第功1二I年) 物一一^ 之常為單層構造’亦可根據所需而形成具有數種材料 1¾極2之戶&』 ^ 穿透率通^设為60%以上，較佳為80〇/〇 、；晴况’陽極2之厚度通常為5 nm以上，較佳為1〇 nm以上，又，通常為i〇〇〇nm以下較佳為卯化爪以下左右。 於不透月亦可之情況，陽極2之厚度為任意值，且陽極2亦可 與基板1為同_古_ . ^ 者又，亦可進一步於上述陽極2上積層不同 之導電材料。 為了去除陽極2上附著之雜質，調整游離電位而提高電洞注 入!·生’車父佳為對陽極2表面進行紫外線(uv , ul—)/臭氧 處理，或者進行氧電漿、氬電漿處理。 <電洞注入層> 電洞注入層3係自陽極2向發光層5傳輸電洞之層，通常係 形成於陽極2上。 電洞注入層可利用上述{第二有機層}中記載之材料及成膜 方法而形成。並且材料及成膜方法之較佳態樣亦相同。 <電洞傳輸層> 099126594 76 201136447 電洞傳輸層4係設置於電洞注入層3上。電洞傳輸層4可利 用上述{第一有機層}中記載之材料及成膜方法而形成。並且材 料及成膜方法之較佳態樣亦相同。 <發光層> 於電洞注入層3上設置發光層5，或者於設置有電洞傳輸層 4之情況，於f洞傳輸層4上設置發光層5。發光層5係於施 加有電場之電極間，藉由自陽極2注人之電洞與自陰極9注入 之電子之再鍵結岐到激發，成為主要發光源之層。 於本發明中’發光層5係使用含有上述電荷傳輸材料⑴、 發光材料及溶劑之本發明之有機電致發光元件肋成物而形 成。 <電洞阻擋層>

增於發光層5上的層。 該電洞阻擋層6具有阻止自陽 極2移動來之雷调丨洁至陰才亟

5之方

099126594 可舉出：電子 ，能隙(HOMO、LUMO之差)較 作為滿足上述條件的電洞阻擋 甲基-8-羥基喹啉)(苯酚)鋁、雙 201136447 喹。林)(三苯基魏軸等混合配位基錯合物; 拔今屬t琳基)麵十侧氧基-雙♦曱基_8·啥琳基)紹雙 基化合Hit金騎合物；二苯乙縣聯苯衍生物等苯乙埽 ί A胃:利特開平11-242996號公報）、3_(4_聯苯基)_4-土、， —丁基笨基卜1，2,4.三唾等三唆衍生物（日本專利 特開平7叩59號公報）；2,9_二？基綱苯_丨綱琳等啡 淋何生物（日本專利特開平10·_號公報)等。另外，國際公 開第聽舰2962號小冊子中記載之具有至少1個2、4、6位 經取代之料環的化合㈣讀佳地作為電洞喊層6之材 料。 再者’電洞阻擔層6之材料可僅使用i種，亦可以任意組合 及比率併用2種以上。 電洞阻擔層6之形成方法並無限制。因此，可以濕式成膜 法、蒸鍍法或其他方法而形成。 只要不顯著損及本發明之效果’則電洞阻擋層6之膜厚可為 任思值’通吊為0.3 nm以上’較佳為〇.5 ηϊη以上，又，通常 為100 nm以下，較佳為50 nm以下。 <電子傳輸層> 可於發光層5與下述電子注入層8之間設置電子傳輸層7。 電子傳輸層7係為了進一步提南元件之發光效率而設置 者，係藉由可在施加有電場之電極間將自陰極9注入之電子高 效率地向發光層5之方向傳輸的化合物而形成。 099126594 78 201136447 作為可用於電子傳輪層 陰極9或電子注傳輪性化合物，通常使用自 子移動率子之財㈣，且具有較高之電 上述條件二輪所注入之電子的化合物。作為滿足 屬錯合物（日料：8.縣料之㈣合物等金 唾琳之金物)、岭絲細 ^m生物一苯乙烯基聯苯衍生物、 ::,、3-羥基黃酮金屬錯合物、5_羥基黃鲷金屬錯合 Α苯坐金屬錯合物、苯幷嗟哇金屬錯合物、三苯幷味唑 = __48號說明書)、_化轉^ 寺開平6·2咖號蝴、料衍生物（日本專利特開平 _33⑽號公報）'2•第三丁基 ' 购，ν’_二氰基蒽酿二亞胺、 η型氫化非晶質碳切、η型硫化辞、η型靴辞等。 再者’電子傳輸層7之材料可僅使们種，亦可以任意組合 及比率併用2種以上。 、電子傳輸層7之形成方法並無限制。因此，可以濕式成膜 法、蒸鍍法或其他方法而形成。 只要不顯著損及本發明之效果，則電子傳輸層7之膜厚可為 任意值’通常為1 nm以上，較佳為5 nm以上，又，通常為 300 nm以下，較佳為1〇〇 nm以下之範圍。 <電子注入層> 電子注入層8發揮將自陰極9注入之電子高效率地注入至發 光層5中之作用。為了高效率地進行電子注入，形成電子注入 099126594 79 201136447 層k材料較佳為功函數較低之金屬。作為 錄等驗金屬、類或解驗土類金屬等，其膜了使用納或 以上，較佳為5nm以下。 心為nm 另外，藉由在以4,7_二苯基-uo-啡啉等含氮雜 =::”、“等，-=:平 專利特〜 日本專利特開2购00谓號公報、日本 專利特開2002-聰82號公報 I曰本 入·傳輸性之提高與優異之膜質，故而:佳可_實現電子注 為5⑽以上，其中較佳為、故而車父佳。此時之膜厚較佳 下，其中較佳為100nm以下。乂上又，較佳為2〇〇謂以 及比率併之材料可僅使用1種’亦可以任意組合 。'人層8之形成方法並無 法、蒸鍍法或其他方法而形成。 了以濕式成膜 <陰極> 陰極9係發揮向發光声 等)注入電子之作用者。θ之層（電子注人層8或發光層5 作為陰極9之铋艇 高效率地進行電子生’可使用上述陽極2所使用之材料，為了 用：錫、鎂、銦、〆人’較佳為功函數較低之金屬，例如可使 為具體例，可舉出⑬ 銀等適田之金屬或其等之合金。作 、銀合金、鎂-銦合金、紹_裡合金等之低功 099126594 201136447 函數合金電極。 再者，陰極9之；y·女丨-Γ μ & 併用2種以上。，°使用1種，亦可以任意組合及比率 陰極9之膜厚通常與陽極2相同。 另外，若為了保護具有低功函數 一步積層韻金叙_9，祕其上進 辦加，^h k金屬層，航件之穩定性 ^曰加’故而較佳。Α τ眘 鋥枚Α 的，例如可使用紹、銀、銅、 鎳、鉻、金、麵等金屬。再者 寺材枓可僅使用1種，亦可 乂任思、，且δ及比率併用2種以上。 <其他層> 且有機電致發光元件亦可於不脫離其主旨之範圍内 U構成。例如只要不損及其性能，則亦可於陽極2盘陰 極9之間具有除了上述說明之層以外的任意之層，又 略任意之層。 $ 作為除了上述說明中之層以外亦可具有之層，例如可舉 子阻撞層。 電子阻擔層係設置於電洞注入層3或電洞傳輸層4與發光層 5之間，其具有阻止自發光層5移動來之電子到達至電洞注入 層3，藉此增加發光層5内之電洞與電子之再結合概率，並將 生成之激子封閉於發光層5關作用；以及將自f洞注入層3 注入之電洞高效率地向發光層5之方向傳輸的作用。尤其是於 使用磷光材料或者使用藍色發光材料作為發光材料之情況，哎 099126594 81 201136447 置電子阻擔層較為有效。 作為電子阻擔層所要求之特性，可舉出：電洞傳輸性較高、 能隙(HOMO、LUMO之差)較大，激發三重態能階(τ丨)較高等。 另外，本發明中，於以濕式成膜法製作發光層5作為本發明之 有機層之情況’要求電子阻擋層亦具有濕式成膜之適應性。作 為用於此種電子阻擔層之材料，可舉出F8_TFB所代表之二辛 基苐與二苯基胺之共聚物(國際公開第2〇〇4/〇8426〇號小冊子） 等。 再者’電子阻播層之材料可僅使们種，亦可以任意組合及 比率併用2種以上。 電子阻擋層之形成方法並無關。因此，可以濕式成膜法、 蒸鍍法或其他方法而形成，就電荷平衡之觀點而言，於本發明 中較佳為濕式成膜法。 另外’於陰極9與發光層5或電子傳輸層7之界面插入例如 以II化鐘(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鐘(Li2〇)、碳酸鉋(II)(CsC03) 等所形成之極薄絕緣膜(〇·1〜5 nm)亦為提高元件效率之有效 方法(參照 Applied Physics Letters，1997 年，Vol· 70，ρρ· 152 ; 曰本專利特開平10-74586號公報；IEEE Transactions on

Electron Devices，1997 年，Vol· 44，pp. 1245 ; SID 04 Digest， pp. 154 等）。 又’於以上說明之層構成中’亦可將基板以外之構成要素以 相反之順序積層。例如，若為圖1之層構成，則亦可將其他構 099126594 82 201136447 成要素以陰極9、電子注人層8、電子傳輸層7、電洞阻擔層6、 發光層5、t洞傳輸層4、冑洞注入層3、陽極2之順序設置 於基板1上。 進-步’藉由在至少-者具有透.之2片基板之間積層基 板以外之構成要素，可構成本發明之有機電致發光元件。 又’亦可形成為將基板以外之構成要素(發光單元)重疊數段 之構造(制數贿光單元之構造）。於該情況，若設置例如^ 有五氧化二釩（V2〇5)等之電荷產生層（Carrier Generati^

Layer : CGL)替代各段間(發光單元間)之界面層(於陽極為氧化 銦錫(ITO，Indirnn Tin 0xide)，陰極為A1之情況，為該等2層）， 則段間之障壁減少，就發光效率·鶴電壓之觀點而言更佳。 進一步’本發明之有機電致發光元件可構成為單一之有機電 致么光元件’亦可應用於將數個有機電致發光元件配置成陣列 狀之構成，還可應用於將陽極與陰極配置成χ_γ矩陣狀之構 成。 又，只要不顯著損及本發明之效果，則上述各層中亦可含有 作為材料而說明者以外之成分。 [有機EL顯示裝置及有機EL照明] 本發明之有機EL顯示裝置(有機EL顯示器）及有機EL照明 係使用如上所述的本發明之有機電致發光元件者。對於本發明 之有機EL顯示器及有機EL照明之樣式及構造並無特別限 制’可使用本發明之有機電致發光元件，根據常法進行組裝。 099126594 83 201136447 例如，可利用如「有機 年㈣曰發行，時任，士頁 載之方法娜縣發千核、如英幸著）中記 [實施例] 有故EL顯示ϋ及有機EL照明。 體之說明’但本發 ，則並不限定於以下實施例之記載。 曰 繼而，藉由實施例，對本發明進行更加具 明只要不超出其主 [實施例1] 製造圖1所示之有機電致發光元件。 將於玻璃基板1上以15〇 nm而形成之氧化銦錫透明導 電膜(賴成膜品，薄片電阻為Μ Ω)藉由通f之光微影技術圖 案化成2 mm寬之條紋，藉此形成陽極2。依序對形成有陽極 2之基板1進行利用丙酮之超音波洗淨、利用純水之水洗、利 用異丙醇之超音波洗淨後，利用氮氣吹附進行乾燥，最後進行 紫外線臭氧洗淨等處理。 於該處理後之基板上，以如下方式形成電洞注入層3。 ‘備3有作為電洞注入材料的以下所示之重複構造之芳香 族胺系高分子化合物PB-1(重量平均分子量：52000，數量平均 分子量：32500)、以下所示之構造之電子接受性化合物朽·】、 及作為溶劑之苯曱酸乙酯的電洞注入層形成用組成物（第二有 機層形成用組成物）。該電洞注入層形成用組成物中，芳香族 胺系高分子化合物PB-1與電子接受性化合物PI-1之合計濃度 為2重量％，芳香族胺系高分子化合物ρΒ_ι與電子接受性化 099126594 84 201136447 合物pi-i之重a:比（芳香知胺糸向分子化合物pb_i):(電子接受 性化合物pi-i)=i〇:2。 [化 28]

〜Ar=~〇 X 0.6778 0^~hQ "~Q x 0,3226 0.5 (PB-1)

F

F F

F

F

F (PI-1) 於旋轉器轉速1500 rpm、旋轉器旋轉時間3〇秒之條件下， 將該電洞注入層形成用組成物旋轉塗佈於上述處理後之基板 上。其後，於230°C下加熱乾燥60分鐘。藉由以上操作，形 成膜厚30 nm夕上人a ^ 繼而 輸層4 之均勻之電洞注入層3之薄膜。 於所形成之電洞注入層3上，以如下方式形成電洞傳 製備3有以下所示之重複構造之高分子化合物 均分子量· 、 里十 己基苯的㈣2數量平均分子量：誦)及料溶劑之m 傳輸層形成用組成物（第一有機層形成用έΒ a 物）。該電洞值认a 取用、、且成 傅輪層形成用組成物中，該高分子化合物 099126594 85 201136447 濃度為1.4重量％ [化 29]

於旋轉器轉速1500rpm、旋轉器旋轉時間3〇秒之條件下， 將該電洞傳輸層形成用組成物旋轉塗佈於電洞注入層3上。其 後於23〇 C下加熱60分鐘，使該高分子化合物進行交聯反 應而硬化。藉由以上操作，形成膜厚2〇 nm之均勻之電洞傳輸 層4之薄膜。 繼而’於形成之電洞傳輸層4上，以如下方式形成發光層。 使用本發明之有機電致發光元件用組成物而形成發光層。作為 發光材料(摻雜材料係使用以下所示之構造之化合物， 作為電荷傳輸材料(主體材料），係使用以下所示之構造之化合 物E-1，作為溶劑，係使用環己基苯。 有機電致發光元件用組成物中，化合物與化合物 之合計濃度為3.2重量又，化合物du與化合物E—丨之重 量比(化合物D-1):(化合物E·l)=i:i〇。 [化 30] 099126594 86 201136447

//e 為 1.7xi〇-3cm2/V.s，電洞移動率“為21_3 s，e e//zh 為 0.81。

cm2/V 於旋轉n誠膽聊、㈣輯轉咖μ秒之條件下， 將該有機電致發光元件用組成物旋轉塗佈於電洞傳輸層4 上。其後’於13G°C下加熱6G分鐘使其乾燥。藉由以上操作， 形成膜厚4〇nm之均句之發光層5之薄膜。 :人；所形成之發光層5上，藉由真空蒸鍍法，將以下所 示之4 °物油'1形成為膜厚l〇nm ’作為電洞阻擋層6。 [化 31] 099126594 87 201136447

繼 (HB- 1) 而，於所形成之電洞阻擔層6上，萨由 下所示之化合物FT-1形忐盔 曰 工α鍍法，將以 [化32] y相厚30nm，作為電子傳輸層7。

(ET-1) :而，於所敝電糊層7上，#输驗法，將氣 (LlF)形成為膜厚G.5nm，作為電子注人層8,進—步，以 膜厚成為8Gnm之方式，龍形成為與陽極2正交的2mm寬 之條紋狀，作為陰極9。 藉由上述，獲得具有2mmx2mm之尺寸之發光面積部分的 有機電致發光元件。 確認由該元件可獲得波峰波長為463 nm之藍色發光。 又使用5亥元件，於至溫條件下，以1 〇〇〇 cd/m2之初始亮度 實施定電流驅動之驅動試驗，結果至正面亮度半衰為止所需之 時間（亮度半衰壽命)為3700小時。 [實施例2] 099126594 88 201136447 ’替代化合物M而使用下述化合物 ㈣電場強度o,6Mv/cmT之電子移動率^2 ΐχΐ〇·3 一3’電洞移動率㈣.轉 -除此以外，以與實施例1相同之方式獲得有機電致發光元件。 [化 33]

"八卞w〇nm之藍色發光。 一又，使用該元件’於室溫條件下，以之初始亮度 實施定電流驅動之試驗，結果至正面亮度半衰為止所需之 時間（亮度半衰壽命)為2800小時。 [實施例3] 作為電荷傳輸材料，替代化合物E]而使用下述化合物 電場強度〇.16 Mv/em下之電子移動“e=_.3 -/Vs，電洞移動率心3.〇M〇-4cm2/v.s，_h=5〇〇)， [=场，稍實施例"斷方讀得有機電致發光元件。 099126594 89 201136447

確認由該元件可獲得波峰波長為偏之藍色發光。 又使用°亥兀件’於室溫條件下，以1000 cd/m2之初始亮度 實施定電流驅動之驅動試驗，結果至正面亮度半衰為止所需之 時間（焭度半衰壽命)為33〇〇小時。 [比較例1] 作為電荷傳輸材料’替代化合物E]而使用下述化合物 E-4(電場強度〇.16 Mv/cm下之電子移動率= cm/V · s，電洞移動率"h = 26xi〇.4 cm2/v · s= 10.77) ’除此以外’以與實施例丨相同之方式獲得有機電致發 光元件。 [化 35]

確認由該元件可獲得波峰波長為463 nm之藍色發光。 又，使用s亥元件，於室溫條件下，以1〇〇〇cd/m2之初始亮度 實施定電流驅動之驅動試驗，結果至正面亮度半衰為止所需之 099126594 90 201136447 時間（亮度半衰壽命)短至13〇〇小時。 [比較例2] 作為電何傳輸材料，替代化人物& p 1 m 白η化σ物物而使用下述化合物 Ε-5(電場強度 0.16 MV/em f ϋϋ# $ , 卜i电子移動率"e = 2.6xl〇-3 cm2/V.S，電洞移動率 ^40^0.4 cm2/v.s，⑼ 除此以外，以與實施例1相同之方式獲得有機f致發光元件。 [化 36]

綠認由該元件可獲得波峰波長為465 nm之藍色發光。 —又’使用該元件，於室溫條件下，以刚〇_2之初始亮度 實施定電流鶴之驅動試驗’結果至正面亮度半衰為止所需之 時間（¾度半衰壽命)短至丨7〇〇小時。 根據以上結果，可知使用本發明之有機電致發光元件用組成 物，可製造長#命之有機電致發光元件。 以上詳細地且參照特定之實施祕對本發日月進行了說明，但 熟悉本技藝者清楚可於不麟本發明之精神與$1®地實施各 種變更或修正。本申請案係基於2_年8月1G日巾請之日本 專利申請案（日本專利特願2__185733)，且將其内容併入本 文中作為參照。 099126594 91 201136447 [產業上之可利用性] 本發明可較佳地用於使用有機電致發光元件之各種嶺碱’柯 如平板顯示器（例如辦公自動化（〇A，〇ff]ce aut〇niation)電腦 用或壁掛電視）或發揮作為面發光體之特徵的光源(例如影印 機之光源、液晶顯示器或儀器類之背光光源）、顯示板、標識 燈等領域。 【圖式簡單說明】 圖1係示意性地表示本發明之有機電致發光元件構造之一 例的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 基板 2 陽極 3 電洞注入層 4 電洞傳輸層 5 發光層 6 電洞阻檔層 7 電子傳輸層 8 電子注入層 9 陰極 10 有機電致發光元件 099126594 92

Claims (1)

1. 201136447 七、申請專利範圍： 1’種有機電致發光元件，其係於陰極與陽極之間至少具有 藉由濕式法而形成之發光層者，其特徵在於：該發光層含有電 荷傳輸材料，該電荷傳輸材料中的至少1種係分子量為〜 2000且滿足下述式（1)的以下述通式(2)所表示之蒽衍生物： 0.01^ ...(1) (式⑴中’〃e表示（U6MV/em之電場強度下該電荷傳輸材料 的電子移鱗，⑽表示〇.16卿咖之電場強度下該電荷傳 輸材料的電洞移動率；） [化1]

   (式(2)中，環A及環B分立絲與蒽環鍵結 環且可進-步與i〜3個芳香環縮合之芳香族基；刀 Ar1A^ Ar1B 族基； 分別獨立表示來自單環〜四縮合環之2價芳香 ’ m + n為8以下； 分子中所含之數個 Ar1A m及η为別獨立表示〇以上之整數 於m及η分別為2以上之情況，i 及Ar]B可相同亦可不同； 當將環A、環β、Ar1A& Ar】B 中與蒽環位於同―平面上者 099126594 93 201136447 之個數設為α，除此以外者之個數設為㈣，其滿足下述式 (3)； [數1] 3芸占窆10 ...(3) 關於環A、環Β、Α ία 1Β τ成々入丄丄如 及Ar ，早裱之合计數與縮合環之合 計數滿足下述式(4); [數2] 1 Q ^單環之合§"|^^ *縮合環之商^ § 2_〇…(4) 於環A及環B中夕s , 上 <至> 一者為3個苯環之縮合環之情況， 該蒽環與該3個笨環之 力之‘合_於其等之9位、1G位彼此以 外之位置鍵結）。 2·如申請專利範圍第 /ze^2.〇xl〇-7cm2/v . s "h^2.〇xl〇-7cm2/v · s (式(2a)、（2b)中，“ e、 ^與式⑴中之#e、//h為同義）。 3·如申凊專利範圍第i ....r a 虱2項之有機電致發光元件，其中， 步含有作為發光材料之榮光發光材料。 4. 如申凊專利範圍第 罄貝之有機電致發光元件，其中，上述 螢先發先材料係核碳數為 Λ 馬10〜40之經取代或未經取代之縮合 方香族烴化合物。 5. 如申請專利範圍第 主4項中任一項之有機電致發光元 弟1項之有機電致發光元件，1中，上述 電荷傳輸㈣滿足下述式㈣及(2b): 八 (/ e> 7 Πχ1Π-7 ^ …（2a) •(2b) 099126594 94 201136447 件，其中，於上述發光層與上述陽極之間具有第一有機層，該 第有機層係以濕式成膜法形成之層。 6.如申請翻範圍第5項之有機電致發光元件 ，其中，上述 第一有機層係使交聯性化合物交聯而形成之層。 7·如申請專利範圍第5或6項之有機電致發光元件，其中， 於上述陽極與上述第-有機層之間，具有含電子接受性化合物 之第二有機層。 8. 如申請專利範圍第7項之有機電致發光元件，其中，上述 第二有機層為不含醚鍵之層 9. 一種有機EL顯示裝置，其特徵在於，其具有申請專利範 圍第1至8項中任一項之有機電致發光元件。 1 〇.種有機EL照明，其特徵在於，其具有申請專利範圍第 1至8項中任一項之有機電致發光元件。 099126594 95