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TW201111560A - Fine crystalline and amorphous coexisting gold alloy, plating film, plating solution, and plating method for said film - Google Patents

Fine crystalline and amorphous coexisting gold alloy, plating film, plating solution, and plating method for said film Download PDF

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Publication number
TW201111560A
TW201111560A TW099104998A TW99104998A TW201111560A TW 201111560 A TW201111560 A TW 201111560A TW 099104998 A TW099104998 A TW 099104998A TW 99104998 A TW99104998 A TW 99104998A TW 201111560 A TW201111560 A TW 201111560A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
gold
plating
gold alloy
amorphous
Prior art date
Application number
TW099104998A
Other languages
English (en)
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TWI476301B (zh
Inventor
Tetsuya Osaka
Yutaka Okinaka
Kazutaka Senda
Ryota Iwai
Masaru Kato
Original Assignee
Univ Waseda
Kanto Kagaku
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Waseda, Kanto Kagaku filed Critical Univ Waseda
Publication of TW201111560A publication Critical patent/TW201111560A/zh
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Publication of TWI476301B publication Critical patent/TWI476301B/zh

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    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
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    • C25D3/62Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of gold
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Description

201111560 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種有效用來 子之鑛敷膜、—種電氣特性及機械特件的端 -非定形混雜金合金鍍敷膜、一種 = ·,、之礒細結晶 鍍 定形混雜金合金織狀則=柄微細結晶非 敷液之電氣鑛敷方法。 邊液、—種使用該電性 【先前技術】 在電氣/電子零件的連接器、電氣機械式小型㈣器、 印刷配線崎方面,_是就做為要求高信雛的部位之 電氣接點材料而論,現在_直廣泛地錢—種被稱為硬質 金鍍敷㈣金職膜。硬質金缝膜是—種在金中添加 始、鎳等而成、既不會降低金本來的良好導電性及化學安 定性、且可提昇膜的硬度之物。此種硬質金職膜是-種 具有由金的微細結晶(2〇〜3〇nm)聚集而成的微細構造,可 視為是一種由於此種微細構造而能得到用以獲得接點材 料所要求的耐磨耗性所需之最低限的硬度(努普硬度 (Knoop hardness) : Hk 170 左右)之物質。 另一方面,近年來雖然隨著電子零件之小型化,電氣 接點的尺寸亦隨之微小化了,然而在被形成於此種微小接 點中的鍍敷膜亦小尺寸化、薄膜化,因而也要求將硬度更 進一步地向上提昇以得到高的磨耗性。 又’在不久的將來,接點的尺寸想必是會近似於上述 之硬質金鑛敷膜的微細結晶尺寸;在像這樣的微細接點上g 形成如上述之硬質金鍍敷膜的情況下,由於構成膜的微細 3/22 201111560 t曰曰的絶對數里變少,料想就得不到和形成於現在適用程 度大小的接點上之硬f讀敷膜的情況下同等的耐 性。所以’本發明人等乃發明以不具有微細結晶 定形相所形成的非定形金合金鍍敷膜(例如,專J非 6〜8)。然而’就所謂得到既能將金本來的良好比電獻 學安定性維持在實用上沒有問題的程度並同時^ 之目的而論’可以說是尚有改善的餘地。 更度 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕 另外,本發明之相關先前技術文獻資訊係如以下所 〔專利文獻1〕特開昭60_33382號公報 〔專利文獻2〕特開昭62_29〇893號公報 〔專利文獻3〕專利第3452724號公報 〔專利文獻4〕專利第3983207號公報 〔專利文獻5〕特開2〇〇4_3〇〇483號公報 〔專利文獻6〕特開2〇〇6_241594號公報 〔專利文獻7〕特開2〇〇7_92157號公報 〔專利文獻8〕特開2〇〇7_1697〇6號公報 〔非專利文獻〕 〔非專利文獻1〕川合慧,「金_鎳合金鍍敷柄 之研究」’金屬表面技術,1968年,第19冊,第 第 487-491 頁 〔非專利文獻2〕清水保雄及另1名,「關於電拚a 合金之微細構造與相的電子顯微鏡之研究」,金屬表〇坟1 術,1976年,第27冊,第i卷,第20·24頁、 面枝 4/22 201111560 〔非專利文獻3〕渡邊徹著,「精密電鍍鍍敷膜構造 之控制技術及其解析法」,技術情報協會,2〇〇2年2月, 第 256-262 頁 〔非專利文獻4〕小見崇及另2名,「Ni-W合金鍍敷 皮膜之高W含轉化財麟性」,金屬表面技術,腫 年,第39冊’第12卷,第809-812頁 〔非專利文獻5〕渡邊徹,「鍍敷法形成非晶質合金的 機構」’表面技術,1989年,第40冊,第3卷,第21_26 頁 【發明内容】 〔發明之概要〕 〔發明所欲解決之課題〕 本發明係鑑於上述情事而成者,目的在於:提供一種 既具有良㈣導電性及化學安定性並同時提高硬度之财 磨耗性優異的微細結晶非定形混雜金合金鐵敷膜、一種 能夠形成該微細結晶·非定形絲金合金錄膜之電性鑛 敷液、及一種使用該電性鍍敷液之電氣鍍敷方法。 〔用以解決課題之手段〕 ,本發明人是在為了達成上記目的而重複地銳意檢討 當中’基於制:就即使是微小接點也不會降低硬度的鑛 敷膜之微細構造而論,雖然結晶性構造相比之下,非定形 相構造方面是既可以將金本來的良好比電阻及化學安定 性維持在貫用上沒有問題的程度並可關時提昇硬度及 财磨耗11 ^而^子的平均自由行程係短於結晶膜的緣故f 以致電氣傳導性低、又且由於内部應力導致在鑛敷膜上容 5/22 201111560 易發生龜裂的想法而進行研究時,發現:藉由使用一種含 有特定濃度軌化金鹽、_及/或㈣、雛者為更進_ 步地^有機酸、無機酸或其鹽等之錯合劑及氨或錢離子 之液=疋性良好的電性鍍敷液來進行電性鍍敷,能得到令 ^驚可的由微細結晶相和非定形相混雜而形成的微細結 日日非定形混雜金合金錢敷膜、以及此種膜既可將金本來 的良好比電阻似化學安定性保持在實訂有用的程度 時提昇硬度’經更進一步地實施研究的結果而完: 也就是說,本發明係提供:⑴一種以由微細結晶相和 ^疋形相混雜形成做為龍之微崎晶 =敷膜、⑵-種含有以金基準計為_01〜04_= ^辰度之氰化金鹽、以鎳基準計為m()i/dm3的濃 二之鎳鹽、及/或骑基準計為_〜G.5 _版 =鹽、較佳為更進一步地含有咖〜的濃; t酸、無機酸或其鹽等之錯合劑、0侧〜5.0 mol/dm3 2度之氨或鋪子做為龍之駐定性請的電性鑛 及⑶―種以使_電性鍍敷液而在被鍍敷物上 錢敷=結晶·較形混雜金合金職膜做為特徵之電氣 〔發明效果〕 微細結晶啡⑽絲金合金職膜係由微 錄〜曰相和狀形相混雜而形成,其結果為·由於它是一 既可將金本來的良好比電崎及化學安定性保持在實 提昇硬度的物質,所以可有效地用來 文為、%電料之電氣/電子零件的接點材料。一般而言,已 6/22 2011U560 =道··在由微細結晶構成結晶膜之情況下,雖然當構成結 晶粒的大小變小時,硬度會增大到某種限度(例如,在^ 1障況下:4 nm左右);然而’當結晶粒更進-步地縮小 時,硬度就恐怕會下降。即使是在金的方面,雖然也是沒 ,能否適用一般理論的實測例子,然而,藉由在金之中^ :人貫現微結晶-非定形混雜結晶膜的本發明,首次確璆·· 微細結晶·非定形混雜金合金鍍敷膜可完全地解決像=樣 =問題點,而且由於電氣傳導體也是高的、不容易發生龜 j的緣故,因而能夠充分地適合用來做為連接器或繼電器 等之電氣/電子零件之微小接點材料。 【實施方式】 以下,更進一步地針對本發明進行詳細的説明。 本發明之微細結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜係由微 細結晶相和非定形相混雜所形成。 本發明之微細結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜係在金 中含有鎳及/或鈷之物’並且該微細構造係一種由微細結晶 相和非定形相混雜而成的構造;藉由此等特徵而達成:比 純非定形構造之非定形金合金鍍敷膜還要良好的比電阻 値及化學安定性、以及更高的硬度。像這樣的由微細結晶 相和非定形相混雜而成之構造係可以藉由X線繞射(XRD) 圖、牙透式電子顯微鏡(TEM)照片及穿透式高能電子線繞 射(THEED)照片來加以確認。 • 本發明之微細結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜,從維 持高硬度的觀點來看,其微細結晶之平均粒徑宜是3〇nmi§]i 以下’尤其’較佳為2〇 nm以下,更佳為15 nm以下。 7/22 201111560 又本發明之微細結晶-非定形混雜金合金錢敷膜, 從,持金本來之特性(良好的比電阻値及化學安定性)或維 持習用的金或金合金鍍敷膜上所沒有的高硬度之觀點來 看,其微細結晶的體積分率宜是10〜90%、特佳為15〜6〇%。 右依照本發明的話,就能夠得到一種具有優異的硬度 和比電阻之微細結晶_非定形混雜金合金鍍敷膜,即能夠 得到一種具有:努普硬度宜是Hk 180以上;尤其,較佳 為Hk 220以上,更佳為Hk 3〇〇以上,特佳為Hk 35〇以 上,又,比電阻宜是200μΩ · cm以下,特佳為150μΩ · cm以下,尤佳為1〇〇μΩ · cm以下之膜。又本發明之微 細結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜是一種在3〇(rc以下之 退火處理(保持1小時)日寺不會改變微細結晶相和非定形 相混雜而成的構造(即,引起結晶化而增大微細結晶的平 均粒徑及體積分率)。 本發明之微細結晶-非定形混雜金合金鑛敷膜,因為 它的比電阻値及化學安定性是優異的、並且具有習用的金 或金合金鍍敷膜所未有的高硬度之特徵的緣故,所以可有 =地用來做為電磁開關器、剎車器、惶溫器、繼電器、計 時器、各種開關、印刷配線基板等之電氣/電子零件的端子 等之導通接點。 本發明之微細結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜係能夠 以組成式:Au.x_yMxCy(但,Au或M為主成分,可以含 有不可避免的不純物;1^係见及/或c〇; c為碳;丨原子 %$x‘80原子%; 1原子原子%)來表示。 ^本發明之,細結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜係能殉 藉由使用含有氰化金鹽、鎳鹽及/祕鹽的電性錄液之電 8/22 201111560 性鍍敷來形成。 在該電性鍍敷液中,雖然是含有氰化金鹽、鎳鹽及/ 或銘鹽,但舉例來說,例如,氰化金鹽的具體例可以是氛 =金卸、氰化金納、氣化金料;錄鹽的具體Μ,舉例來 兒例如匕可以是硫酸鎳、硝酸鎳等,始鹽的具體例,舉 例來說,例如它可从硫酸録、咖條等。職液中之二 化金鹽浪度,以金為基準計,宜是0.0001〜0.4 m〇i/dm3、 較=為〇. 001〜0·2 _編3、更佳為_〜〇』m〇1/dm3 ;鎳 鹽浪度,以鎳為基準計,宜是0.001〜0.5 mol/dm3、較件爲 〇.〇l〜〇.2_/dm3;録鹽濃度,以始為基準計,= 0.001 〜0.5 m_m3、較佳為 G G1〜Q 2 mGl/dm3。錄敷液 金和鎳及/細之時(,⑽岭轉秘計 為0.01〜300、更佳為1〜30之範圍。 X氧I1 生鎮敷液,較佳為更進一步地含有錯合劑。 用來做為該錯合劑者,舉例來說,例如,它可以是具有錯 口作用及pH緩衝作用之有機酸、無機酸或其鹽;用來做 ^有機酸、無舰及其鹽者,舉财說,例如其可以是摔 才豕酉义酒石酉夂、蘋果酸“比0定甲酸、碌酸、胺石黃酸及彼等 之納I If鹽、銨鹽等。鑛敷液中的錯合劑之濃度,較佳 為 0.001 〜2.0 m〇1/dm3 ;尤其,特佳為 〇 〇1 〜】〇 _i/dm3, 尤佳為0.1〜0.3 molAW。鍍敷液中之錯合劑和錄及/或敍的 比率(錯合劑/ (Ni+c〇)〕,以莫耳比計,較佳為 0.01〜100,更佳為丨〜4之範圍。 又’該電⑽敷液較佳為更進—步地含有氨或銨離 子。用來做氨或銨離子之具體例,舉例來說,例如,它可^ 以是氨水、疏酸銨、錯合劑之銨鹽等。鑛敷液中的氨或銨 9/22 201111560 離濃度宜是〇·_〜5.0 mQl/dm3,特佳為讀〜2 〇 m δ亥氨係與所謂之結晶相的平均粒徑、微細結晶(或 疋形)的體積分率之鍍敷膜的結晶狀態、鍍敷浴之安定 性大有關連。 另外,該電性鍍敷液之ρΗ宜是3〜u ;尤其,較佳為 P“〜9 ’尤佳為pH 6左右。pH調整係能夠以使用氨水、 虱氧化鉀等之習用公知的pH調整劑來進行。 +更且,在該電性鍍敷液之中,只要是不會對鍍敷膜之 ^物性微細結晶的體積分率及平均粒徑、XRD曲線圖的 。半値巾田度、#普硬度、t匕電阻)及膜組成產生大的景多響, 可以視需要地含有以提昇光澤性、防止凹陷、賦予導曰電 性提供缓衝性、擴大能使用的電流密度範圍、促進析出 ^度耐熱性、改善潤溼性等做為目的之界面活性 蜊、/谷劑等各種的添加劑(例如,參照特開平7_n476號公 報特開2004-76026號公報、特開2006-37164號公報)。 一电氣鍍敷條件雖然是沒有特別的限定,然而鍍敷溫度 20〜95 C、尤其50〜90°C特別合適。陰極電流密度也 隨著鍵敷液的組成而變化,雖然沒有制的限定,然而在 !電流密度域(例如’ ! mA/cm2以上至小於1〇 —兮及 呵屯流岔度域(例如,超過1〇 mA/cm2至2〇〇 mA/cm2以下) 處之兩者均能夠得到微細結晶_非定形混雜金合金鍍敷 膜。又,在陽極上可以使用白金等之不溶性陽極。又,也 可以使用鎳及/或鈷來做為陽極。另一方面,做為被鑛敷物 者,舉例來說,例如,它可以是在電氣配線等上所使用的 銅、鎳等之金屬材料。此種金屬材料也可以是形成於金屬 基材或非金屬基材上而做為基底層的物質。另外,雖然不 10/22 201111560 論有無擾拌均可,然而較佳為在授拌下進行鍵敷;又,也 可以利用脈衝電流來施加電流。 以下,雖然例示實施例及比較例來具體地説明本發 明’然而本發明卻未受限下述之實施例而已。另外,在實 施例之中’各分析、測定的方法及條件如以下所述。 〔結晶性、結晶粒徑〕 利用理學電機公司製RINT2100_ultima+ : XRD法 CuK 〇ί (40 kV/4〇niA) 或利用日立高科技公司製HF-2200 : TEM及THEED 法’加速電壓200V明視野像 〔體積分率〕 利用日立高科技公司製HF-2200 : TEM法及THEED 法,加速電壓200V明視野像 〔金屬組成〕 利用SII科技公司製SEA5100 : EDXRF法 〔非金屬元素測定〕 利用堀場製作所公司製EMIA-920V、美國LECO公 司製TC-436 〔努普硬度〕 以JISZ2251為基準,測定:荷重5gf荷重保持時間 30秒’對被形成於銅板上的30/zm厚之鍍敷膜進行測定 〔比電阻〕 利用共和理研公司製K-705RS:以JISK7194為基準 測定(四探針法) 土 〔實施例1〕 ^
L 使用含有 KAu (CN)2 0.035 mol/dm3、NiS04 · 6h2〇 11/22 201111560 〇_〇76 mol/dm3、檸檬酸三銨 〇 21 _ 硫酸將pH調整成6的電性鑛敷液,於^产=Κ0Η及 密度lOmA/cm2在純度為99.96°/。之、、以電流 非定形混雜金合金職峨厚丨_)。結晶_ 使用白金被覆鈦電極(網狀);狀錢1^極上係 烈的麟。 邊中的錄浴進行激 藉由XRD、TEM及TH卿分析所得到的微細結晶_ 非定形混雜金合金鍍敷膜。將XRD曲 將舰照纽職D_於第: ^^曲^之二,度㈣具有微細結晶或非定;有的 ,+値幅度1度以上之寬廣峰。又,在tem照片 祭到:結晶特有的結晶紋和奴形财的不規則構造之混 =的樣子。再者,在THEED圖上可觀察到:結晶特有的 ^射斑點和非定形特有的中空環之混雜的樣子4此結 果可知·所得到的鍍敷膜係具有微細結晶-非定形混雜 構造:又’觀察TEM照片的結果,可知:微細結晶的平 均粒棱為10 nm,而微細結晶相的體積分率為观。另一 方面,對所得到的微細結晶_非定形混雜金合金鍍敷膜進 行組成分析、努普硬度及比電阻之献。被檢測出的含有 率:金屬元素部分是金為41.2原子% '鎳為46.0原子%; 非金屬元素部分.碳為13 8原子%。努普硬度為; 比電阻為89// Ω · cm。 〔實施例2〕 、除了添加η-丙醇2〇V〇LQ/。以外,以和實施例i同樣地 進行錄敷,對於所得到的鑛敷膜進行X RD、tem及 ΤΗΕΕΓ)分析。將XRD曲線圖示於第1圖中,將TEM照 12/22 201111560 之圖不於第5〜7圖中。可確認:在XRD曲線 产彳择、又附近具有微細結晶或非定形特有的峰半値幅 ^上之寬廣峰。又,在而照片中可觀察到:結 ^。里^!結晶紋和非定形特有的不規則構造之混雜的樣 點和非ΐ ’在THEED圖上可觀察到:結晶特有的繞射斑 知.上形特有的中空環之混雜的樣子。由此結果,可 =到的it敷膜係具有微細結晶_非定形混雜構造。 UEM照片的結果’可知:微細結晶的平均粒徑 ,、、、nm,而微細結晶相的體積分率為50%。另一方面, 购田結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜進行組成 1_ x普硬度及比電阻之測定。被檢測出的含有率:金 蜀几素部分是金為4δ1原子%、鎳為381原子%。非金屬 cm 兀素"卩分.碳為12.8原子°/°。努普硬度為Hk348;比帝陌 為89// Q 电 〔實施例3〕 除了#•檬酸濃度設為0.143 mol/dm3、氨濃度設為j 2 mol/dm、電流密度丨mA/cm2(通電時間5〇秒)和沁 ^A/cW通電時間5秒)毫髮不差地交互進行電解鑛敷以 外’和貫施例i同樣地進行鑛敷,對於所得到的 行XRD、ΊΈΜ及THEED分析。將XRD曲線圖示於第! 圖中,將TEM照片及THEED圖示於苐8〜1〇圖中。可確 認:在XRD曲線之2㈣0度附近具有微細結晶或非定形 特有的峰半値幅度1度以上之寬廣峰。又,在TEM照片7 t可觀察到:結晶特有的結晶紋和非定形特有的不規則 造之混雜的樣子。再者,在THEED圖上可觀察到:結仏 特有的繞射斑點和非定形特有的中空環之混雜的樣子。定。 13/22 201111560 電流鐘敷的情況下’電流密度1 mA/cm2時只得到結晶相, 而10 mA/Cm2時只得到非定形相。由此結果,可知:脈衝 鍍敷所得到的鍍敷膜係具有微細結晶-非定形混雜構造。 又,觀察TEM照片的結果,可知:微細結晶的平均粒徑 為10nm,而微細結晶相的體積分率為6〇%。另一方面^ 對所得到的職膜進行組成分析、努#硬度及比電阻之 定。被檢測出的含有率··金屬元素部分是金為474料 %、鎮為47.0原子%。非金屬元素部分:碳為5·6原子%。 努’曰’硬度為Hk 222,比電阻為57 # Q · cm。 〔實施例4〕 ^ 又5又疋钩、氨濃度設定 】.2m〇l/dm、f流密度設定為5〇誕_2料 ^樣地進行錄,將所得到的非定形金合金鍍敷ς二 火溫度(保溫溫度)4〇〇t、昇溫速度1〇。〇分、' 行退火處理,對所得到的織Si; muheed分析。將XRD曲線 中,將TEM照片及THEED圖示 3二弟^ 認:在XRD曲绩夕^ A U圖中。可今 特有的峰半鋪度1度以上之寬騎。又,开 令可觀察到:結晶特有的結曰曰和在TEM照片 造之混雜的樣子。再者,規則捐 特有的繞射珊和非定形特有財 =、到.結晶 轧雜構造。又,顴宛 铽、礼日日-非定形 的平均粒徑為15 ' 的結果’可知:微細結晶 〔實施例5〕微細結晶相的體積分率為_〇。 14/22 201111560
使用含有 KAu (CN)2 0.035 mol/dm3、C0SO4 · 7H2O 0.076 mol/dm3、擰檬酸·Η20 0.1 mol/dm3、氨濃度設為 〇 44 mol/dm3並經以KOH及硫酸將pH調整成6的電性鍍敷液, 於溫度7(TC、以電流密度10mA/cm2在純度為99.96%之銅 板上形成微細結晶-非定形混雜金合金鑛敷膜(膜厚l#m)。 另外’在陽極上係使用白金被覆鈦電極(網狀);對於鑛敷 中的鍍敷浴進行激烈的攪拌。 藉由XRD、TTEM及THEED分析所得到的微細結晶一 非定形混雜金合金鍍敷膜。將XRD曲線圖示於第丨圖中, 將TEM照片及THEED圖示於第14〜16圖中。可確認: 在XRD曲線之2 6> =40度附近具有微細結晶或非定形特有 的峰半値幅度1度以上之寬廣峰。又,在TEM照片中可 觀察到.結晶特有的結晶紋和非定形特有的不規則構造之 混雜的樣子。再者,在THEED圖上可觀察到:結晶特有 的繞射斑點和非定形特有的中空環之混雜的樣子。由此結 果,可知:所得到的鍍敷膜係具有微細結晶_非定形混雜 構造。又,觀察TEM照片的結果,可知y数細結晶的平 均粒徑為5 nm,而微細結晶相的體積分率為15%。另一 方面,對所得到的微細結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜進 行組成分析、努普硬度之測定。被檢測出的含有率:金屬 元素部分是金為36.4原子%、鈷為40.6原子非金屬元 素部分:碳為23.0原子%。努普硬度為Hk 18〇。 〔比較例1〕
除了擰檬酸濃度設定為0.143 mol/dm3、氨漢度設定為 0.46 mol/dm3以外,和實施例1同樣地進行鍍敷,並對所4 得到的鍍敷膜進行XRD、TEM及THEED分析。將XRD 15/22 201111560 曲線圖不於第1圖中,將TEM昭 17〜18圖t。可確切·户咖;、'片及扭咖圖示於第 r ]確〜·在XRD曲線之20=4〇卢 非定形特有的峰半値幅度1度以上之寬廣峰乂在^ =中可以確認非定形特有的不規則構造,但不二= 如結晶粒界及結缺之這樣制的構造。再者 圖中可以確認非定職有的Μ環。由此結果可知 到的鑛敷膜是不具有微細結晶的均質非定形構造。又,測 定所得到的鍍敷_組成分析、努t硬度及比電阻。被檢 測出的含有率:金屬元素部分是金為料%、 67.5原子% ;非金屬元素部分··碳為17 3原子。/。。努普硬 cm 度為Hk 435 ;比電阻為251μ Ω 〔比較例2〕 使用含有 KAu (CN)2 0.04 mol/dm3、NiS04 · 6H20 〇·〇085 mo〖/dm3、檸檬酸· h2〇。5 m〇1/dm3、‘〇h 〇2.7 mol/dm3並經以硫酸將pH調整成3·5的電性鍍敷液,於溫 度30°C、以電流密度1〇 mA/cm2在純度為99 %%之銅板 上形成硬質金鍍敷膜(膜厚1/zm)。另外,在陽極上係使用 白金被覆鈦電極(網狀);對於鍍敷中的鍍敷浴進行緩慢的 攪拌。 ’ 藉由XRD、TEM及THEED分析所得到的硬質金鍍 敷膜。將XRD曲線圖不於第1圖中。可確認··在XRD曲 線之2 Θ =38度附近具有來自Au (111)之尖銳峰。又,從 TEM照片及THEED圖亦可確認出結晶。由此結果,可知: 所得到的鑛敷膜係不具有非定形相之多結晶構造。又,從 XRJD曲線圖計算出的結果,可知:結晶的平均粒徑為u nm。另一方面,測定所得到的鍍敷膜之組成分析、努普硬 16/22 201111560 度及比禮。被檢測出的含有率:金屬元素部分是金為 96.5原子/。、鎳為〇.77原子% ;非金屬元素部分:碳為u 原子%。努普硬度為Hkl6〇;比電阻為17;^ .cm。 另外,在第1圖所示的XRD曲線之2θ=50。附近所 見到的尖銳峰係由基板之鋼所引起的。 又’相對於在金鐘敷膜中被認為高硬度的無添加硬金 (AFHG)、鎳硬金(NiHG)、c〇HG的努普硬度仍達不到他 200的程度而言’可知:實施例1之微細結晶-非定形混雜 金合金鍍敷膜的努普硬度係具有相當於彼等的2〜3仵 硬度。 17/22 201111560 < ί吞势-' io.o 寸0.0 ·0 ·0
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锆€-11Hs If/fpf 〇K.窗_# ^£s §9 .osoo qII9 .os!N ~(δ) ny>I dss ss^ 0 03 1N nv^4- nil®,- $ 18/22 201111560 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示在實關卜2、3、4、5所得到之微細 結晶-非定形混雜金合金鍍敷膜及在比較例丨、2所得到之 金合金鑛敷膜的XRD曲線圖之圖。 第2圖係顯不在實施例1所得到之微細結晶_非定形 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片(1〇萬倍)之圖。 v 第3圖係顯$在實施例丨所得到之微細結晶·非定形 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片(1〇〇萬倍)之圖。 乂 第4圖係顯示在實施例丨所得到之微細結晶·非定形 混雜金合金鍍敷膜的THEED圖之圖。 ’ 第5圖係顯示在實施例2所得到之微細結晶-非定形 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片00萬倍)之圖。 乂 第6圖係顯示在實施例2所得狀微細結晶_非定形 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片(1〇〇萬倍)之圖。 夕 第7圖係顯示在實施例2所得到之微細結晶·非定形 混雜金合金鍍敷膜的THEED圖之圖。 y 弟8圖係顯示在實施例3所得到之微細結 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片(3〇萬倍)之圖。 第9圖係顯示在實施例3所得到之微細結晶-非疾 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片(1〇〇萬倍)之圖。 第1〇圖係顯示在實施例3所得到之微細結晶-非定 混雜金合金鍍敷膜的THEED圖之圖。 第11圖軸示在實劇4所得到之微細結晶-非定 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片(20萬倍)之圖。 第12圖係顯示右宭·你存j 4 z, 隹貝把1夕』所仵到之微細結晶-非定 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片(70萬倍)之圖。 19/22 201111560 第13圖係顯示在實施例4所得到之微細結晶_非定形 混雜金合金鑛敷膜的THEED圖之圖。 第14圖係顯示在實施例5所得到之微細結晶_非定形 混雜金合金鑛敷膜的TEM照片(40萬倍)之圖。 第15圖係顯示在實施例5所得到之微細結晶_非定形 混雜金合金鍍敷膜的TEM照片(1〇〇萬倍)之圖。 乂
第16圖係顯示在實施例5所得到之微細結晶-非定形 混雜金合金鍍敷膜的THEED圖之圖。 J 第17圖係顯示在比較例1所得到之非定形金合金錄 敷膜的TEM照片(100萬倍)之圖。 又 第18圖係顯示在比較例1所得到之非定形金合金鑛 敷膜的THEED圖之圖。 ,' 【主要元件符號說明】 鉦 20/22

Claims (1)

  1. 201111560 七、申請專利範圍: L 一種鍍_,係金合金,_, 形相混雜所形成者。 巧田、、、口日日相和非定 ^請專利範圍第i項所記叙難& 積分率為10〜90%。 。日日相的體 =請專鄕_丨_記叙則纽 均粒徑為3〇nm以下。 ,、、、〇日日相的平 如申請專利範圍第i項所記载之鑛敷膜, 圍第5項中任-項所記载之鍍敷膜, 八努曰硬度(Kn〇op hardness Hk 18〇以上。 第1項所記载之物— 如申請專利範圍第i項所記载之錢敷膜,其為以 Au則-x-yMxCy (式中,Au 或 M % 工. Co ; C A石卢.1 ®工〇/〆 々土攻刀,M為Ni及/或 原调表“ /、u謝原子% ; 1原伽难 專職圍第1·—魏,麵為電性接 載:Γ形成如申請專利範圍第… 金鹽、_ Met職_紐鍍敷液,且包括氰化 金瓜録I及/或始鹽、錯合劑及 10.如申請專利範圍第9項 正4〇 劑是從檸檬酸、酒石酸性織液,其中錯合 磺酸及彼等之納鹽、卸聰、:比°疋?酸、碌酸、胺 …上;又,帅整;為氨;所選取的… 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 21/22 201111560 11. 12. 13. 利範圍第Η)項所記載之電性鑛敷液,其中錯合 d為榉棣酸;pH調整劑為氨水。 申,5法:係金合金鍍敷祺之形成方法,為使用如 上^士Γ81第9項所記載之電性鍍敷液,在被鍍敷物 -二;i晶相與非定形減雜而成的金合金鍍敷膜。 項中’係由制如申請糊顯第1至8 噶所5己载之鍍敷膜而成。 22/22
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPH0711476A (ja) 1993-06-23 1995-01-13 Kojima Kagaku Yakuhin Kk パラジウムめっき液
JP2000026989A (ja) * 1998-07-10 2000-01-25 Nau Chemical:Kk Au−Sn箔の製造方法
JP3989795B2 (ja) 2002-08-09 2007-10-10 エヌ・イーケムキャット株式会社 電解硬質金めっき液及びそれを用いためっき方法
JP2004300483A (ja) 2003-03-28 2004-10-28 Asahi Kasei Chemicals Corp 結晶質と非晶質組織から成る材料
JP4614052B2 (ja) 2004-07-27 2011-01-19 石原薬品株式会社 ニッケルのバレルメッキ方法
US20080260607A1 (en) * 2004-11-05 2008-10-23 Maria Flytzani-Stephanopoulos Treatment of Gold-Ceria Catalysts with Oxygen to Improve Stability Thereof in the Water-Gas Shift and Selective Co Oxidation Reactions
JP4868123B2 (ja) 2005-02-04 2012-02-01 学校法人早稲田大学 金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜、電気めっき液及び電気めっき方法
JP4868116B2 (ja) * 2005-09-30 2012-02-01 学校法人早稲田大学 金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜、電気めっき液及び電気めっき方法
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