TW201109406A - Lamination method of adhesive tape and lead frame - Google Patents

Description

201109406 六、發明說明： c發明戶斤屬之技術領域3 發明領域 本發明一般而言有關於膠帶及引線框架之層合方法， 且更特定地，係有關於具有以下功用之膠帶及引線框架之 層合方法：可降低在進行其中用於製造半導體元件之膠帶 係附著於該引線框架的加熱層合方法後’引線框架之輕曲 程度；可符合該層合方法所需之所有性質；並可克服以下· 缺點，諸如自業經用於先前技藝半導體元件製法之膠帶產 生黏著殘留物、及密封樹脂之滲漏。 發明背景 由於在現代生活裡，愈來愈多人使用攜式裝置（諸如手 機、膝上型電腦、DVD-CD-MP3播放器、PDA等），因此必 需製造更小且更輕的此等產品。因此，製造用於更小且更 薄之此等丁攜式電子元件的半導體封裝已成為最優先考慮 的事。習知半導體已使用表面黏著封裝技術，諸如鶴冀式 SO(小外型（Small Outline))格式或QFP(四邊平i旦封攀 (quad-flat-package))，其中自該封裝突起之引線係用於連接 電路板；然而，此種方法對上述需求會產生限制。更詳細 地說’利用數GH2之高頻的可攜式通訊終端由於半導體之介 電損耗會產生熱，所以性能及效率會降低。 最近’為了回應半導體此等需求，對於其中弓丨線並未 突起之QFN(四方形扁平無引腳(Quad Flat No-Lead))封敦類 201109406 型的需求愈來愈高。就該QFN封裝類型而言，由於引線並 未突起，而是以在晶片周圍之平台的形式曝露於底部，所 以可將該封裝直接焊至電路板上。因此，可製成比具有引 線自其突起之封裝類型更小且更薄之Q F N封裝類型且與習 知技術比較，其可將電路板上之所需區域減少約40%。根 據半導體封裝之加熱，由於引線框架位於該封裝之底部上 且晶片焊墊係直接曝露於外側，所以該QFN封裝瞥有優異 熱散逸性，其與習知封裝不同之處在先前技藝之封裝之於 其上放置晶片的引線係藉密封樹脂而封包。因此，與具有 引線自其突起之習知封裝比較，該QFN類型具有優異電性 質且其自電感為該等習知封裝之二分之一。 然而，在該引線框架與密封樹脂表面間之封裝的底部 上會產生一介面，且因此當使用一般金屬模製框架時，密 封樹脂可輕易滲入該引線框架與模製框架之間，所以會導 致該平台部件或晶片焊墊之表面經密封樹脂污染。因此， 必需將膠帶層合在該引線框架上，然後接受QFN製法及樹 脂密封方法以防止密封樹脂在該樹脂密封方法進行期間溢 料或滲漏。 一般而言，半導體裝置製法包括用於使膠帶黏合在引 線框架之一側上的膠帶層合法、用於使半導體元件連接在 該引線框架之晶片焊墊上之晶片連接法、用於使該半導體 元件電連至引線框架之平台部件的導線焊接法、在進行該 晶片連接法後，在模製框架内使用密封樹脂以密封經導線 焊接之引線框架的EMC模製法、將用於將半導體之膠帶剝 201109406 離該經密封引線框架之去膠膜方法。 在進行膠帶層合法期間，使用層合機以使膠帶黏合在 含銅之引線框架或PPF(預電鍍框架）上，且該膠帶之必要性 質可根據層合機之種類及方法而不同。有不同的方法，諸 如其中係使用輥之實例、其中係使用熱壓機之實例、其中 係使用輥及熱壓機之實例、及其中僅壓擠該引線框架之檔 條(dam bar)之實例。根據所使用方法，黏著層必需合適地 連接在該引線框架上並維持黏著強度以在具有膠帶已層合 於其上之引線框架的處理期間不會導致該膠帶脫層。 在其中係使用如第1圖中所述之熱壓機的層合方法 中，熱及壓力係在該使膠帶（3)連接至引線框架（4)上之方法 内經轉移，於其間該由以薄板形式之金屬製成之引線框架 可經歷熱膨脹並經膠帶(3)層合。層合後，使該具有膠帶(3) 已層合於其上之引線框架總成(5)冷却至室溫，藉以導致引 線框架總成(5)產生如第2圖所示之翹曲程度，其係起因於該 引線框架與膠帶間之熱膨脹或熱收縮。 此種翹曲現象會導致晶粒連接製程（其係為層合方法 後之下製程）中晶片焊墊上半導體元件之黏合不良；在導線 焊接方法中使導線產生劣連接性；並在樹脂密封方法中導 致密封樹脂之滲漏，因此使半導體元件之可靠性惡化。 更詳細地說，由於最近該等半導體封裝之厚度及大小 變得愈來愈小，所以引線框架（其係為用於黏著半導體晶片 之配線板的一部份）亦變得更輕、更小且更薄。在此等更 輕、更小且更薄的引線框架内，上述翹曲問題變得更嚴重。 201109406 最後，在此種層合方法後，引線框架之翹曲程度會變得更 大，其會導致晶粒連接方法、導線焊接方法、樹脂密封方 法、及該層合方法後之去膠膜方法的可靠性惡化。 【發明内容3 發明概要 因此，本發明係用以解決上述問題，本發明之一目標 為提供膠帶及引線框架之層合方法，其可降低在進行其中 用於製造半導體元件之膠帶係附著於引線框架的加熱層合 法後，引線框架之翹曲程度。 此外，本發明之另一目標為提供具有以下功用之膠帶 及引線框架的層合方法：可符合該層合方法所需之所有性 質並可克服以下缺點，諸如自業經用於先前技藝半導體元 件製法之膠帶產生黏著殘留物、及密封樹脂之滲漏。 自本發明之以下詳述可知本發明之這些及其它目標。 可藉膠帶及引線框架之層合方法而達成上述目標，該 層合方法之特徵在用於該引線框架及用於製造電子零件之 膠帶的層合方法中，膠帶表面及引線框架表面之層合溫度 彼此不同。 文中，該引線框架表面之層合溫度低於膠帶表面之層 合溫度。 該引線框架表面之層合溫度較佳比膠帶表面之層合溫 度低約〗〜120°C。 該用於製造電子零件之膠帶較佳包含耐熱基材及塗覆 在該财熱基材上之具有黏者組成物的黏者層5其中該黏者 201109406 =:笨氧樹脂、熱固化劑、能束可固化丙稀酸樹脂 及先起始劑，且該黏著層係藉熱及能束而固化 =熱基材較佳具有5〜刚微米之厚度、㈣〜赋 之玻璃轉化溫度、於100〜200。(：下1〜·^ 數、及放室溫下UGPa之彈性模數。PPm/C之熱膨脹係 該黏著組成物較佳具有8〇〜15〇。 該苯氧樹脂較㈣苯料化溫度。 有1，_〜取_之重：；：：=質之笨氧樹脂且具 該黏著組成物較佳包含5〜2〇重量份熱 化蝴樹脂/每刚重量份苯她旨，且 量份咖料賴量⑽可固化丙稀 心^此纟發明在進行其中用於製造半導體元件之膠帶 =引線框架之加熱層合方法後，具有可降低引線框 糸之翹曲程度的作用。 勒·^外’ ί發明具^下效用：可藉使該於室溫下不具 勝：厗：黏者層僅在加熱層合方法進行期間具黏著性以使 至弓1線框架上、藉經由該黏著層之另外光固化作 形成互穿透網狀物結構以提供在半導體元件製法 皁堇轉帶所曝露之熱的改良耐熱性、改良在 =:製法進行期間，該等元件之可靠性、可防止密 IS 及製程完成後，當剝離膠帶時可避免該引 ==封材料上產生點著殘留物。 圖式簡早說明 201109406 第1圆為使用熱壓機使用於製造半導體之膠帶層合至 引線框架上之方法的橫截面圖； 第2圆為表示具有用於製造半導體之膠帶已附著於其 上之引線框架的翹曲程度之橫截面圖；且 第3圆為闡明用於測定引線框架之翹曲程度之方法的 橫截面圆。 I：實施方式3 較佳實施例之詳細說明 下文可參考附圖詳細描述本發明之較佳實施例。應瞭 解本發明較佳實施例之詳細描述僅用於闡明，因此屬於本 發明之精神及範圍的各種變化及修飾可為熟悉本項技藝者 所知。 根據本發明之膠帶及引線框架的層合方法為用於引線 框架及適於製造電子零件之膠帶的層合方法之方法，且其 特徵在該膠帶表面及引線框架表面之層合溫度彼此不同。 此外，根據本發明之膠帶及引線框架的層合方法之特徵在 為了降低在用於製造電子零件之膠帶層合至引線框架上之 方法進行期間，由於熱膨脹所導致之該引線框架的翹曲程 度，該引線框架表面（2b)之溫度低於膠帶表面（2a)之溫度。 較佳藉設定該引線框架表面之溫度比膠帶表面之溫度低1 〜200°C、且更佳低10〜120°C而進行層合。 根據本發明之膠帶及引線框架的該層合方法可使用5 但不限於：使用如第1圖中所示之熱壓機使用於製造半導體 之膠帶層合至引線框架上的方法。 201109406 今居人^可&述欲㈣根據本發明之料及引線框架之 該層s方法的適於製造電子零件之膠帶。 在半導體元件製法中需要該用於製造電子零件之膠 帶’且其係為符合此種方法之必要性質之詩遮罩的膠 帶。此外，使用對金屬（諸如引線框架）具有優異黏著強度: 及高耐熱性之熱塑性笨氧樹脂作為用於該膠帶的主要材 料。由於對引線框架具有優異内聚力及黏著性，所以該膠 帶可防止密封樹脂流出或溢流，且可調整溫度，於該溫度 下可藉改變固化程度而使膠帶對引線框架可具有黏著性。 而且在去膠財法後，由於藉將能束照射至該等額外的光 可固化_旨上而形成另外的交聯結構可獲得改良内聚力， 所以可解決黏著殘留物殘留在？丨線框架或密封樹脂表面上 之問題。 而且，參考半導體封裝方法之實例以描述在本發明中 該用於製造電子零㈣膠帶；“，本發明料限於彼等 且亦適於作為各種電子料之高溫製法中的遮罩片。 可使用具有優異雜性之聚合物薄膜作為形成根據本 發明之該用於製造電子零件之膠帶中的已具有黏著組成物 塗覆於其上之黏著層的基材。可製成呈薄_式之此㈣ 熱基材，且在上述溫度脑及時間内，其並未顯示任何物 理及化學變化且具足夠耐熱性。此外， 此種耐熱基材較佳 具有至少着c之溫度(於該溫度下，基材之重量可減少5%) 並於100〜200t下具有1〜35㈣之熱膨脹係數。而且， 該基材較佳料⑽〜柳。以_轉化溫度。較且優里

S 9 201109406 的ί…、ι± 了保§登鬲導線焊接性質並可在熱層合方法進行期 間藉使該基材維持平坦而均勻地層合。於高溫下，該薄膜 之尺寸穩定性有助於在樹脂密封方法進行期間，藉避免模 製框架内該基材之變形而防止樹脂滲漏。此外，該基材於 室溫下具有i〜1〇GPa之彈性模數，且該基材較佳於1〇〇〜 300°C下可維持約100〜5000MPa之彈性模數。若使用具太 低彈性模數之基材、或若使用容易折疊之基材，則在該膠 帶之處理期間、在將該膠帶裝入層合設備内期間或將該膠 帶餵入設備内期間已發生之折皺會繼續留下且會導致劣層 合(部份脫層）、非均勻的導線焊接、及密封樹脂流出。符合 上述必要性質之基材包含耐熱性聚合物薄膜，且此等耐熱 性聚合物薄膜之實例包括自以下製成之薄膜：耐熱性聚對 苯二甲酸乙二自旨、聚萘二甲酸乙二g旨、聚笨硫、聚酿亞胺、 聚醋（polyesther)、聚醯胺、聚醚醯亞胺等。 而且，6亥基材薄膜之厚度並未特別受限，且係藉層合 設備及樹脂密封設備之應用限制而決定。，·-般而言，厚度 較佳為5〜1〇〇微米；然而，為了抑制由於外力而發生之折 皺、為了維持合適耐熱性且為了有助於該等薄膜之處理， 厚度更佳為1〇〜40微米。若必要可使用砂墊處理法、電葷 處理法、等離子體處理法及底漆處理法以改善該膠帶與基 材薄膜間之黏著性。 根據本發明該用於製造電子零件之膠帶的黏著層包含 具有良好耐熱性及優㈣著強度之作為主麵份的熱塑性 苯氧樹脂，且包含，維持朗熱性並可娜鮮氧樹脂 201109406 之過度固化收縮的光可固化樹脂(能束可固化丙烯酸樹 脂）、及用於該光可固化樹脂之光起始劑。 作為主要成份之此種熱塑性苯氧樹脂的實例包括雙盼 A型苯氧樹脂、雙_型/雙赃型苯氧樹脂、主要含漠之苯 氧苯脂、主要含礴之苯氧樹脂、雙B型/雙紹型苯氧樹 丄己内酉日改貝之苯氧樹脂等。其中，雙齡型苯氧樹脂 f佳’因為基具優異耐熱性、環境親和性、與固化劑之相 容性、及固化速率。此外，該苯氧樹脂較佳具有1，_〜 500，_之重量平均分子量。在本情況下，由於藉内聚力之 增加而改善耐紐，所以在切財法進行㈣可以使黏 者殘留物之發生減至最小。若該重量平均分子量小於 1:’則由於降低之内聚力，並不能獲得所需財熱性，且 右π於500,000 ’則由於高黏度’加工性會劣化、塗覆後經 塗覆表面會不均勻且難以調整與其它成份之混合性。 此外，可溶解該環氧樹脂之有機溶劑的實例包括主要 3酮之冷劑、主要含醇之溶劑、主要含乙醇喊之溶劑、及 主=含s旨之溶劑。在此等實财，可單獨或2或多種一起使 用裏己_甲基〔基_、苯甲醇、二乙二醇院基喊、笨氧 基丙、丙—醇甲基皱乙酸醋、四氫吱喃及Ν·甲基t各咬嗣。 备使用有機溶劑時，較佳使用5〜辦量份笨氧樹脂，且更 ^母100重量份該有機溶劑使用2〇〜％重量份笨氧樹脂。若 必要’為了避免劣塗覆性並增強對基材薄膜之黏著性，可 方香W劑’諸如曱苯、二甲苯、芳香族刚或己燒以 稀釋齊j。亥稀釋劑之使用量小於溶劑含量之。 201109406 而且，可添加合適交聯劑至上述苯氧樹脂，且可使用 任何種類之交聯劑或固化劑，但其限制條件為其等可固化 具有羥基作為官能基之樹脂。實例包括蜜胺、脲-曱醯、異 氰酸根官能基預聚合物、酚系固化劑、主要含胺基之固化 劑等。該熱固化劑之使用量較佳為0.1〜40重量份，且更佳 每100重髮份該苯氧樹脂使用5〜20重量份熱固化劑。當完 全由於該固化劑之不充份含量（小於5重量份）而不能產生交 聯結構時，該黏著會變得太軟(相對玻璃轉化溫度下降且損 失模數增加），因此在層合方法進行期間，該引線框架會穿 入黏著層内，且藉此引線框架而推擠之該黏著劑會向上移 動至引線框架之平台部件或晶片焊墊周圍，因此在樹脂密 封方法進行期間會使該黏著劑在引線框架與密封樹脂之間 突起並在去膠膜方法進行期間產生黏著殘留物。若該固化 劑之含量太高（高於2 0重量份），則由於太低濕潤性質及黏著 性，所以該黏著層會發生脫層現象，且在層合期間，由於 過度增加之強度，所以該黏著層會破碎。此外，在將黏著 劑塗覆在基材薄膜上後，在乾燥方法及固化方法進行期 間，由於固化收縮太大，所以該膠帶會翹曲，因此會導致 加工性之劣化。 可在該笨氧樹脂之交聯結構上產生另外交聯結構之能 束可固化丙烯酸化合物(樹脂）包含丙烯酸單體、丙烯酸寡聚 物、或具有碳-碳雙鍵之丙烯酸聚合物，且亦可具有至少一 不飽和鍵。本丙烯酸基0可經由自由基反應而作為用於形 成交聯結構之官能基，且可藉改變此等基團數而調整反應 12 201109406 性、交聯結構及固化程度。隨著該等官能基數增加，反應（交 聯）速率會增加、玻璃轉化溫度會增加且耐熱性會改善；然 而，該黏著層之可撓性及黏著強度會降低。如同選擇用於 固化該苯氧樹脂之熱固化劑的情況，在選用具有合適官能 基數之丙烯酸樹脂時，重要的是使該黏著強度與勁度之間 得到平衡。用於能束固化之此等丙烯酸化合物的實例可包 含環氧丙烯酸酯、芳香族丙烯酸胺曱酸乙酯、脂肪族丙烯 酸胺曱酸乙酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯及丙烯酸系 丙烯酸酯，且可單獨使用或2或多種寡聚物一起使用。而 且，可根據各種寡聚物中之官能基數以選擇寡聚物，且可 使用具有2〜9個官能基之寡聚物。較佳使用具有6〜9個官 能基之寡聚物以避免在去膠膜期間黏著殘留物殘留在該密 封樹脂表面及引線框架上並在經由高固化密度而使黏著層 獲得增的玻璃轉化溫度、強度、及内聚力下可確保良好導 線焊接性質。 此種能束可固化丙烯酸化合物之使用量為每100重量 份苯氧樹脂之1〜40重量份且較佳5〜30重量份。 其次，用於藉能束而引發該能束可固化丙烯酸化合物 之固化反應的光起始劑可包含主要含二苯基酮、主要含9-氧硫°山喔、主要含α經基酮、主要含α胺基酮、主要含乙 醛酸苯酯之化合物、醯基膦等。雖然可單獨使用該光起始 劑，但是根據該黏著層之厚度或能束之強度，並根據該等 光起始劑之效率及性質一起使用2或多種光起始劑。該光起 始劑之使量為每100重量份能束可固化丙烯酸樹脂之0.5〜 13 201109406 10重量份、且較佳1〜5重量份。 根據本發明該用於製造電子零件之膠帶的黏著組成物 較佳具有80〜150 c之破螭轉化溫度，且相對於不銹鋼材料 (STS)，a亥黏著層於至溫下較佳具有〇〜黏著強 度。若該玻璃轉化溫度低於8〇°c，則由於在QFN製程期間 之熱’於高溫下該黏著劑之性質會變化太多，且若高於15〇 c，則該膠帶之層合溫度會超過170〇c，因此層合後會導致 更高翹曲程度。其乃由於該引線框架之熱膨脹變得太大而 使膠帶與引線框架間之熱膨脹差異變得甚至更大，因此導 致該引線框架及膠帶總成之更高勉曲程度。 由於上述原因’較佳可於50〜170。(：下進行根據本發明 之將該用於製造電子零件之膠帶層合至引線框架的方法， 於該溫度下由於其熱膨脹，所以可減少該引線框架之翹曲 程度。 下文，本發明進行以下實施例；然而，本發明並不限 於此等實施例。 [實施例1] <製法實例> 首先使100重量份笨氧樹脂（Kukdo Chemical C:〇.， YP50)，其係為黏著劑之主要成份，溶解在300重量份甲基 乙基酮内，然後添加15重量份主要含異氰酸酯之熱固化劑 (Dow Corning, CE138)、20重量份脂肪族聚丙烯酸胺曱酸乙 醋（Nippon Synthetic Chemical Industry, UV7600B80 ;其係 為能束可固化化合物）、及2重量份主要含醯基膦之光起始 14 201109406 劑（CYTEC，DAROCUR TPO)至該苯氧基樹脂及溶劑之混 合物以製備黏著組成物。其後，攪拌該黏著組成物，費時 一小時，攪拌後，將該黏著組成物塗覆在25微米之聚醯亞 胺薄膜(LN，by Kolon Co.)上並於150°C下在乾燥機内乾燥3 分鐘。所形成厚度為約6微米。使通過該乾燥機後之已乾燥 膠帶進行藉照射紫外線而產生另外交聯結構之能束固化方 法以製備用於製造電子零件之合成膠帶。 [實施例1至4] 就實施例1至4而言，係使用利用如第1圖所示之熱壓機 將用於製造半導體之膠帶層合至引線框架上之方法。 使用習知引線框架及根據上述製法實例所製成之用於 製造電子零件的膠帶以進行層合，其係藉改變如下表1内所 不之根據各貫施例之引線框架表面及膠帶表面的層合溫 度。 [比較例1及2] 就比較例1及2而言，除了表1内之該引線框架表面及膠 帶表面之層合溫度不同外，以和上述實施例相同之方法進 行層合（表1内之比較例的縮寫為“Comp. Ex.”）。 [試驗實例] 測定具有根據上述實施例及比較例所製成之用於製造 半導體之膠帶已附著於其上的引線框架之翹曲程度(y)。如 下進行該翹曲程度之測定：首先，根據第1圖内所示之方法 使膠帶（3)附著於引線框架(4);然後，如第3圖所示將已具 有膠帶附著於其上之引線框架總成(5)放在測定台（6)上； 15 201109406 並測定該引線框架與底面間之最大距離（y)。結果示於下 表1内。 [表1] 種類 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例I 比較例2 移帶表面 溫度（°c) 170 170 170 170 170 Γ/0 引線框架 表面溫度（°c) 50 70 140 160 170 230 引線框架厚度 (密耳，mil) 5 5 5 5 5 5 壓力（MPa) 6 6 6 6 6 6 時間（秒） 12 12 12 12 12 12 翹曲程度 (微米） 410 421 754 1390 1410 2570 如自表1可知，根據本發明之膠帶及引線框架之層合方 法（其中係藉使該引線框架表面（2b)之溫度低於膠帶表面 (2a)之溫度而進行層合）的實施例1至4之翹曲程度低於比較 例1(其中係藉使用相同溫度之該膠帶表面（2a)及引線框架 表面（2b)而進行層合）之翹曲程度。尤其，其中該膠帶表面 之層合溫度比引線框架表面之層合溫度低約10 0〜12 0 °C的 實施例1及2顯示最小翹曲程度。另一方面，其中係藉使該 引線框架表面（2b)溫度高於膠帶表面（2a)溫度而進行層合 之比較例2顯示最大魅曲程度。 因此，由於施加最少熱至引線框架（4)而使該引線框架 產生低熱膨脹/收縮現象，所以根據本發明之引線框架及膠 帶的層合方法顯示該已具有膠帶附著於其上之引線框架的 翹曲程度很低。 本發明業經特別參考其實例及實施例而詳述，雖然各 實施例業經本發明者進行，但是可知只要不違背本發明之 16 201109406 精神及範圍，熟悉本項技藝者可進行變異及修飾。 【圖式簡單說明3 第1圖為使用熱壓機使用於製造半導體之膠帶層合至 引線框架上之方法的橫截面圖； 第2圖為表示具有用於製造半導體之膠帶已附著於其 上之引線框架的翹曲程度之橫截面圖；且 第3圖為闡明用於測定引線框架之翹曲程度之方法的 橫截面圖。 【主要元件符號說明】 la. ..在用於製造半導體之膠帶側上之熱壓機 lb. ..在引線框架側上之熱壓機 2a...用於製造半導體之膠帶的表面 2b...引線框架之表面 3.. .用於半導體之膠帶 4.. .引、線框架 5.. .具有用於製造半導體之膠帶已附著於其上的引線框架總成 6.. .測定台 17

Claims (1)

1. 201109406 七、申請專利範圍： 1. 一種膠帶與引線框架之層合方法，其特徵在於： 在引線框架與用於製造電子零件之膠帶的層合方 法中，該膠帶表面與引線框架表面之層合溫度彼此不同。 2. 如申請專利範圍第1項之層合方法，其中該引線框架表 面之層合溫度低於該膠帶表面之層合溫度。 3. 如申請專利範圍第1項之層合方法，其中該引線框架表 面之層合溫度比該膠帶表面之層合溫度低約1〜200°C。 4. 如申請專利範圍第1項之層合方法，其中該用於製造電 子零件之膠帶包含耐熱基材及具有塗覆在該耐熱基材 上的黏著組成物之黏著層， 其中該黏著組成物包含苯氧樹脂、熱固劑、能束可 固化丙烯酸樹脂及光起始劑，且該黏著層係藉甴熱及能 束而固化。 5. 如申請專利範圍第4項之層合方法，其中該耐熱基材具 有5〜]00微米之厚度、110〜450°C之玻璃轉化溫度、於 100〜200°C下1〜35ppm/°C之熱膨脹係數、及於室溫下1 〜lOGPa之彈性模數。 6. 如申請專利範圍第4項之層合方法，其中該黏著組成物 具有80〜150°C之玻璃轉化溫度。 7. 如申請專利範圍第4項之層合方法，其中該苯氧樹脂為 苯氧樹脂或經改質苯氧樹脂且具有1 ,〇〇〇〜500,000之重 量平均分子量。 8. 如申請專利範圍第4至7項中任一項之層合方法，其中該 18 201109406 黏著組成物包含5〜20重量份熱固化劑及5〜30重量份 能束可固化丙烯酸樹脂/每100重量份苯氧樹脂，且包含 0.5〜10重量份光起始劑/每100重量份能束可固化丙烯 酸樹脂。 19