201107603 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種減壓系統、及使用該減壓系統的真空處 理裝置。該減壓系統係具備：例如低溫泵(cryo-pump)或低溫 捕集器（cryo-trap)等之複數個減壓裝置；以及對該複數個減 壓裝置供給經壓縮過的冷媒之壓縮裝置。 【先前技術】 習知作為形成極高真空的裝置，已知有一種記載於例如專 利文獻1的低溫泵或記載於專利文獻2的低溫捕集器等使氣體 凝縮於極低溫面並予以捕捉的減壓裝置。在利用冷媒膨脹時之 吸熱而形成極低溫面的此種減壓裝置中，將經壓縮過的冷媒送 給至減壓裝置_縮裝置是不可缺少的，社述減壓I置係藉 由與此種壓縮裝置之間的協力運作來實現超高真空。 ...在製造液晶顯示器等之顯示裝置、CPU $記憶體等之半 導體裝置等的製造裝置巾，射_由上述減壓妓及壓縮裝 置所構成的職單元，作為構献製造裝氣、 製造裝置的叢集___ =了 =況下’顏裝置需要的個數與真空室之個數相 同且為了達成縮小製造裝置本身所佔有的 個減壓裝置共U台 彳此種複數 全挪衣直的形式來構成減壓系統。 [專利文獻] (專利文獻丨)日树開纖-7G737號公報 201107603 (專利文獻2)曰本特開2009-19500號公報 【發明内容】 (發明所欲解決的課題） 、然而近年來’從保護地球環境的觀點來看，即使是上述製 造裝置，也被強烈期待能省能源化。另—方面，在幻台壓縮 襄置達成複數個減愿裝置之職能力的上述減壓系統中，雖然 可縮!衣k裝置本身所佔有的空間，但是經壓縮裝置壓縮過的 冷媒之供給量在各魏個賴錢巾僅能達__程度。由 運轉動作狀態不同之複數健空室所構成的上述叢集型之製 造裝置，對於各複數個減壓裝置中所需求的排氣能力通常為不 同，若如上舰，冷叙供給#在各減㈣置_為相同的程 度，則就連不需要的冷媒也會供給至減壓裝置。因此，在以！ 台_裝置達成複數個減塵裝置之排氣能力的減麗系統中，由 於不免會使不需要的冷媒從麗縮裝置屋送，所以此麵送機制 會大大地妨礙壓縮裝置的省電力化、甚至減㈣統的省能源 化0 本發明係前於上频況_發絲者，其目的在於提供 一種減消耗電力，並以1台壓縮裝置達成複數個減職置 之排氣能力的減壓系統及真空處理褒置。 (解決課題的技術手段） 本發明之一態樣，係提供一種減麼系統。減壓系統係具 備：複數個減廢裝置，其係各別包含冷卻部，用以接收經壓縮 201107603 過的冷媒’且當使該經壓縮過的冷媒絶熱膨脹時可補充氣體； 壓縮裝置’其係包含具有交流電動機的壓縮部，且以相應於前 述交流電動機之婦速度的流量，從前賴縮部供給前麟壓 縮過的冷媒至前述複數個減壓裝置之各冷卻部；溫度檢測部， 其係檢測前述各減壓裝置的冷卻部之溫度；變頻裴置，其係可 對供給至前述交流電動機的交流電源之頻率進行變更；以及頻 率控制部’其係控制前述變頻裝置之輸出頻率，且前述頻率控 制部，係在前述複數個減魏置巾之至少—個_裝置的冷卻 部之溫度為第1臨限值以上時，相對地提高前述變頻裝置之輸 出頻率，而在前述複數個減壓裝置全部的冷卻部之溫度下降至 未滿前述第1臨限值時，相對地降低前述變雜置之輸出頻 率。 【實施方式】 以下，係參照圖1至圖6說明本發明之減壓系統、及使用 該減壓系統的真空處理裝置之一實施形態。圖！係顯示作為真 工處理裝置的半導體裝置之製造裝置1G的概略構成圖。圖2⑷ 係顯示真空排氣部之構成的概略構成圖；圖2 (b)係顯示高真 空排氣部之構成的概略構成圖。 如圖1所示，半導體裝置之製造裝置1〇，係一種對基板 W形成由預定金屬等所構成的膜之裝置。製造裝置1〇係具 有：包含例如進行濺鍍處理等之複數個室(chamber)的第！處理 部11 ;包含例如對基板W進行熱處理等之複數個室的第2處 201107603 理部12;以及連接此等第1及第2處理部11、12的缓衝室13。 第1處理部11，係具有剖面呈多角形狀的搬運室15。在 該搬運室15中’設有2個負載鎖定室㈣1〇也—γ)16&、 16b、4個至17、18、19、2〇、及1個緩衝室13，此等經由與 各自對應的_ 21來連接。各個室，係藉由與之對應的閘閥 21的開啟來與搬運室15連通，反之，藉由與之對應的閘閥21 的關閉來切斷與搬運室的連通。在製造中，係經由 負載鎖定室16a而搬入基板w，並經由負載鎖定室i6b將基板 w搬出至製造裝置1G之外部。4個室17、i8、m，係一 種在真空環境下執行雌板1之各種處理的室，例如室17、 20係使用雜法將由紹所構成的金屬膜形成於基板w，而室 18、19則是使用長拋猶法(1〇ng thr〇w sputteri啤m她⑽將由 銘所構成的金屬獅成於基板w。在搬運室15之内部，係搭 載有用以搬運基板w的搬運機器人22。搬運機器人22，係進 行從搬運室！5朝負載鎖定室16a、16b、室17、i8、19、2〇 及緩衝室13之(以及反方向之)基板w的搬運。 第2處理部，係與第】處理部n烟，具有剖面呈多 角形狀的搬運室25。在該搬運室25中，係在緩衝室13已連 通的狀態下連接，並且室26、27、28、29、3()、％經由與各 自對應的·〗21而連接。各敏，係藉由與之對應的間間η 與搬運室25的連通’反之，藉由與之對應的閑間Μ 的關閉來切斷與搬運室25的連通。在第2處理部U之室％ t ,係對因各種處理而變成高溫的基板w進行冷卻處理
SJ 7 3 201107603 處%、3卜係—種在真空環境下執行對基板w之各種 向：至，如，此等各個室，係執行一邊職板w施加偏 =:邊使缝錢粒子沉積於同一基板w上以形成金屬膜 屬綠_賴處理。又室28、29亦為—種在真空環 還鳥=雌板W之各種處_室，例如室28係在氫氣等之 境下執行對基板w之熱處理，室29則是執行將 運ς i W之表面的氣體粒子予以去除的脫氣處理。在搬 撫、^5切部，也搭載錢哺運基板w馳運機器人32。 、器人32，係進行從搬運室25朝緩衝室13、及室26、 28 29、30、31(以及反方向)之基板W的搬運。 隔菩2話說，上述的半導體裝置之製造裝置1G，係一種在 ^^室13而連結的搬運冑15及搬運室25及其搭載的複 =的所縣集型之裝置，且在各為真空室的搬運室^與 =之間經由緩衝室13使基板w往來搬運。然後被搬 、負载鎖定室16a的基板W，係藉由搬運 而依序搬運至真空之各個室，在搬運目的地的室中施 卞一二環境下的各種處理。 然而，對此種基板W進行的輙處理等之各處理，係在 ==為真空環境後才進行。因此，在各個室中，係連接有使 =成為真空狀態的真空排氣部34、或使該室内成為真空 ς八空狀態還高的高真空狀態之高真空排氣部…換句話 構成製造裝置10的室之中，其所需要的真空度非為高 —的室内連結有真空排氣部34，而在其所需要的真空度為 201107603 高真空度的室内連結有高真空排氣部35。例如圖！所示，第i 處理部11之負載鎖定室16a、16b、第2處理部12之室26、 8 29中’連接有真空排氣部34。另一方面，在第^處理部 =之搬運室15、室17、18、19、20及第2處理部12之搬運 室25、室27、30、31中’連接有高真空排氣部35。 如圖2⑻所示’真空排氣部34係由如下所構成：對室内 進行粗抽排氣的粗抽泵浦36 ;對經粗抽排氣過的室内進一步 /進行排氣糾彡絲空狀態_輪分子泵浦37;為了擔保渴輪 刀子泵浦37之排氣能力而對該渦輪分子泵浦37之背壓側進行 粗抽排氣的粗抽泵浦38 ;以輯此等各構成要素與室之間進 饤開閉的魏侧39。賴在室⑽成以狀‘树，首先粗 =泵浦36及粗抽泵浦38會驅動而粗抽室内與渦輪分子泵浦 Γ抽泵浦36與㈣的閥39會關閉，而 =::室之間_39會打開’藉此— 如圖2(b)所示，在高真空排氣部35中 =内成為高真空狀態，除了上述的真空排氣部3 以 外，還在渦輪分子泵浦37之吸入側 構成乂 為減壓裝置的低溫捕集器4。。低溫捕，; 顯被該冷賴冷卻的軸所構成的冷卻㈡ ’該冷娜41係猶述冷賴供· =、 且連接於構賴餘統__置42(參_ (冷媒）， 低溫捕集器40，係-種使並未藉由高真空排氣部％之粗 201107603 抽泵浦36及渦輪分子泵浦37來排氣而殘留於室内的例如水蒸 氣等之氣體’凝縮於冷卻面板之極低溫面並予以捕捉的裝置。 在上述的冷卻部41之冷凍機中，供給有藉由壓縮裝置42而經 壓縮過的尚壓氦氣，且藉由該高壓氦氣絶熱膨脹時之吸熱而使 冷卻面板冷卻至123K。藉此可實現冷卻面板的極低溫面。又， 在此等冷卻面板中，分別設置有作為溫度檢測部的溫度感測器 50 ’用以檢測該冷卻面板之溫度(參照圖4)。另外以下所謂 的冷卻部41之溫度，係顯示於該冷卻面板之溫度。 其次’參照圖3至圖6說明應用於半導體裝置之製造裝置 10的減壓系統。另外，半導體裝置之製造裝置1〇係具有：對 應第1處理部11之高真空處理部35的減壓系統；以及對應第 2處理部12之高真空排氣部35的減壓系統。此等的減壓系統， 由於只有冷卻部41之數量不同而其基本的構是相同的， 所以以下針對第1處理部n中之減㈣統加以說明，而省略 第2處理部12中之減壓系統。圖3係顯示此種第丨處理部n 之減壓系統中冷媒流動配管之系統圖；圖4係顯示與構成第^ 處理部11之減壓系統的壓縮裝置42有關之電氣概略構成的方 塊圖。 如圖3所示，構成減壓系統的壓縮裝置幻，係具有接受 交流電動機43之驅動力以壓縮作為冷媒之氦氣的壓縮部44。 經該壓縮部44壓縮而變成高壓的氦氣，一旦被貯留於蓄壓器 (accumUlat〇r)45之後，會供給至各冷卻部41之冷凍機。換句 話說，該壓縮裝置42，係以1台對第〗處理部u中的5個高 201107603
-工排風部35之各冷卻部41 ’供給經塵缩過的高塵之氣氣。 被供給至各冷卻部Μ的高壓氦氣，係在各冷卻部4】之冷滚機 中絶熱膨脹而變成低麼，且在一旦被貯留於 私之後，會再次被送__裝置42之顯部4二τ W 如圖，_裝置42，係具有頻率控制部μ、變頻 裝置52及讀縣機43。設置於第丨處理部u之各冷卻 41的溫度感測器50 ’係與頻率控制部51電性連接，將春時對 冷卻部41之溫度的檢測信號輸出至頻率控制部Μ。頻^控制 部51，係產生或事先儲存如下之各種參照電壓 •相當於冷卻部41之溫度之目標值的電麗位準 •相當於冷卻部41之溫度之第1臨限值的電壓位準 •相當於溫度比第1臨限值還高之第2臨限值的電壓位準 且將相田於各/皿度感測器5〇之檢測結果的電壓位準與此 等的參照電壓進行比較。 ，另外，所謂冷卻部41之溫度之目標值，係指冷卻面板可 怪常地充分發揮冷號力時的冷卻部41之溫度，例如被設定 在123K。又所謂第i臨限值，係指作為冷卻的冷卻面板 需要被更有鱗地冷辦，冷卻部Μ的溫度，例如被設定在 128K。又所謂第2臨限值，係指將作為冷卻對象之冷卻面板 之溫度強雜地急遽冷卻時，冷卻部41的溫度，例如被設定 在 138K。 頻率控制部51 ’係在壓練置42剛運轉動作後以預定之 201107603 檢測週期(本實施賴中為5分断縣自各溫度感測器5〇 之檢測錢，域雜置52會將供給至技機43的交流 電源之頻率的控謝旨令值輸出至變_置52。另外，上述所 謂的預定之檢測週期，係指各冷卻部41足以受到變頻裝置幻 經變更過之輸出頻率之影響的時間。 變頻裝置52，係-旦將從外部電源53(本實施例中為 AC^V’Hz)供給較流電源無核流，且再次轉換成交 流，藉此變更供給至交流電域43的交流電狀頻率的袭 置。變頻裝置52 ’係、可將來自外部電源53的交流電源之頻率 在下限值之3舰與上限值之職之間進行變更，且接受來 自頻率控制部51之控制指令值，將根據該控制指令值的頻率 之父流電源供給至交流電動機43。另外，變頻裝置W之輪出 頻率的上限值’係指各冷卻部41之全部溫度強制性地冷卻至 目標值之123K以下的頻率。 交流電動機43 ’係接受從變頻褒置％供給的交流電源並 以相應於該交流電源之頻率的旋轉速度進行旋轉，且將相應於 該旋轉速度的量之氦氣供給至各冷卻部41。詳言之，當從變 頻裝置52供給的交流魏之解變騎，炫電誠Μ田之旋 轉速度就會變高，絲給至各冷㈣41的氦氣之供給量會增 加。如此當氦氣之供給量增加時，經由蓄㈣Μ而連繫的全 4冷卻之冷卻能力就會提高。反之’當變頻裝置&供給 的交流電源之鮮變低時，交流鶴機43之旋轉速度就會^ 低’且供給至各冷卻部41的氦氣之供給量會減^這樣的話， [S1 201107603 當氦氣之供給量減少時，經由蓄壓器45而連繫的全部 41之冷卻能力就會降低。換言之，在上述的減壓系統中，^ 變頻裝置52供給至交流電動機43的交流電源之頻率可 率控綱51來㈣，对配合敕流電源之辦而控^ ^ 卻部41之溫度。 分今 參照圖5說明藉由此種頻率控制部51而執行的變頻 52之輸出頻率的控制。圖5係顯示依頻率控制部51來控制 頻裝置52之輸出頻率之流程的流程圖。另外，該—系列的产 ，、，係在上述預定之每—檢測週期、即頻率控卿Μ每次二 得冷卻部41之溫度時所執行者，雖然可藉由頻率控制部5 搭載的專敗邏輯電路而實現，但是並秘於此，也可藉由搭 載於例如通用電腦的程式等來實現。 9 ° 如圖5所示，頻率控制部5卜係根據來自各溫度感測器 5〇之檢測信號’取得各冷卻部之溫度(步驟si〇i)。接著頻 率控制部5卜係判斷全部冷卻部41中之至少！個冷卻部Μ 的溫度是否為第2臨限值之138K社、換句話制斷是否存 在需要強制冷卻齡卻部Μ(步驟sl〇2)。當頻率控制部W判 斷王。P冷部部41中之至少j個冷卻部41的溫度為第2臨限值 以上時(步驟S1〇2 :是），該頻率控制部Μ就會將指示將變頻 裝，52讀出頻率設定在上限值之观z的控制指令值輸出 至變頻裝置52(步驟S1G3)。紐辭控卿51會使交流電動 機43執行對全部冷卻部41之強制性的冷卻，並結束一 處理。 13 201107603 此時，當強制性的冷卻指令從頻率控制部si輸 ;置52時’供給至交流電動機43的交流電源之輸出頻率 該輸婦的上限值之簡z。然後⑽為上; 的輸出頻率供給交流電源時，在交流電動機Μ的旋轉 ，綠大’而_裝置42中供給至各冷卻部41的氛氣二 給里會k成最大。換句話說’當全部冷卻部“中之至個 度達到第2臨限值以上時’對於達到該第2臨 树嫩她—可 另一方面，當頻率控制部Μ判斷全部冷卻部41 為未滿第2臨限值、換句話說不需要對冷料41進行強2 的冷卻時(步驟S1〇2:否），頻率控制料就會判斷全部冷卻 部41中之至少丨個冷卻部41的溫度是否為前述第1臨限值之 服以上(步驟難）。當頻率控制部y判斷全部冷卻部w 中之至少1個冷卻部41的溫度為第1臨限值以上時(步驟 S104 :是），辭控_ 就會判_見麵交流電源之頻率是 否為上限值之5GHz、換句織·是否可更增加交流電源之 鮮(步驟S105)。然後若現在的交流電源之頻率為上限值之 50Hz(步驟Sl〇5 :是），則頻率控制部M會判斷不可增加交流 電源之頻率，且將維持交流電源之頻率於上限值之5舰的^ 制指令值輸出至變敏置52，並結束—_的處理。相對= 此’若現在的交流電源之頻率非為上限值之5〇Ηζ(步驟⑽： 否），則將使得使交流電源之頻率從現在的值上升5Ηζ之和制 指令值輸出至變雜置52(步驟㈣，並結束—系列的歧⑴ 201107603 此時’當使得使現在的輸出解上升服之控制指令值 ^頻率_卩Μ輸出錢絲置52時，供給至交流電動機 43的交流電源之頻率就會比躲的值高出5Hz，而在交流電 動機43方面，會提高該上升鮮部分的雜速度。然後當交 流電動機43的旋轉速度變高時，從壓縮裝置42朝各冷ς部 41供給的氦氣之供給量也會增大’而可對冷卻部W進行更進 一步的冷卻。 另-方面，當頻率控制部51判斷全部冷卻部41之溫度為 =第i臨限值之咖時(步驟sl〇4 :否），頻率控制部Μ '7、曰判斷現在的df：社辭是否為變難置M的下限值 =3〇Hz、換句話說判斷是否可更進—步減少交流電源之頻率 ^驟贿）。紐若現在的交流電社鮮為下限值之 z(步驟S1〇7 :是）’頻率控制部51就會判斷不可減少交流 電源之頻率’且將為了轉交流電狀 _指令值輸__置52，並結束，的處理。相 ,;b S現在的電源之頻率非為下限值之遍z(步驟 107 :否）’則將使交流電源之鮮從現在雜減少5Hz之控 制指令值輸出至變頻裝置52(步驟測），並結束一系列的處 理。 ^田使現在的輸出頻率減少5Hz之控制指令值從頻 六：::”1輪出至變頻裝置52時’供給至交流電動機43的 fa源之頻率就會比現在的值降低5Hz，而在交流電動機 方面，會降低該減少頻率部分的旋轉速度。然後當交流電 201107603 動機43的旋轉速度變低時，從壓縮裝置42朝各冷卻 給的氦氣之供給量也會齡，岐並非必要對冷卻部4供 更進-步的冷卻時’可減少在壓縮裝置42所消耗的電力。仃 之至少:部冷卻部” 丨而要進仃更進一步的冷卻時，變頻，罟 之輸出頻率就可藉由頻率控制部Μ提高姬二 全部冷卻料的氣氣之供給量會以微來增大，^ 冷卻能力會配合此而增強。另—方面，當沒== 進行更進一步的冷卻時，變頻裴置52之輸出頻 率就可猎由解控制部51降低5Hz。然後供給 ^=："：減少5HZ，且全部冷卻料之 曰配口此而減少。故而，會在全部冷卻部4 :時的溫度之有效率的冷卻，-邊削減壓縮裝置 變頻裝6之時序咖依鮮控制部51來控制 夂:、二、，'&出頻率的一例。圖6係顯示第1處理部η的 變=置mi切##、觸該_移而設定的 之輪出頻率的時序圖。圖6中的時序tl〜tl 顯示檢測各冷卻部4i之溫度的每—檢測 : 從：=為等待處理的~態(時二： 二丁各個至之處理的狀態(時序tlG)。另外，在立是 ==能力的上_狀態_)中，供‘ 机電賴43的父流電源之頻率可藉由頻率控制部”經常設定 [S] 16 201107603 在下限值之30Hz。 、如圖6所示，在處於閒置狀態的時序t〇、及從時序隸 =期的時序U中，全部冷卻部41之溫度騎2臨限值 (口 K) ’進而為未滿第i臨限值(1麗）。然後在各個室中尤其 疋在不需要較大排氣能力的此等時序to及時序tl中 二 電，機43供給下限值之施的交流電源。耻，在時二L 序tl _ ’可持續維持變頻裝置52之輸出頻率於下限值之 二火’在室17中需要例如較大的排氣能力，歸應於室 17的冷部部41之溫度變成第1臨限值以上。結果’在時序t2 令’係在醉控制部51中騎全部冷卻部41中之至少工· =41之溫度為第i臨限值以上。此外，在頻率控制部η中 現在的變縣置52之輸出鮮為下限值之施ζ的判 斷，猎此，用以使輸出頻率比現在的__ζ)_ % # 制指令值會從_麵卿51輸人至變織置52。結果，^ ==動機43供給頻率為35Ηζ之交流電源，且藉由輸出 仏升5ΗΖ，可提南交流電動機43之旋轉速度，並增加供 冷料Μ的域讀給#，赌綠部冷卻部41之^ 、立接著在至17中持續需要較大的排氣能力，且室口的冷 =4i之溫度’錢續的檢顺射轉帛〗紐值以上的 t f果，在時序t3 _，當在頻率控制部对持續判斷全 令Ρα|Μ1中之至少J個冷卻部41之溫度為第工臨限值以 17 201107603 上。此外’在頻率控制部51中完成現在的變頻裝置52之輸出 頻率(35Hz)為未滿足上限值之5〇Hz的判斷，藉此，用以使輸 出頻率比現在的頻率(35Ήζ)上升5Hz之控制指令值會從該頻 率控制部51輸人至變縣置52。結果，可對交流電動機43 供、。頻率40Hz之交流電源，進而提高交流電動機43之旋轉 速度，而更進—步提高全部冷卻部41之冷卻能力。 a 可在室17中確保充分的排氣能力，但是當在 至20中另外需要較大的排氣能力時，就如圖6所示，雖然室 f的冷部部41之溫度變成未滿第】臨限值，但是與此不同 的^20中的冷卻部41之溫度則變成第1臨限值以上。因此， 在广序W中’於頻率控制部51，持續完成全部冷卻部41中之 =1個冷卻部41之溫度在連續的檢測週期中為第1臨限值 i置靖。又，在鮮控制部51中完舰在的變頻 此，用頻率(40Hz)為未滿足上限值之5〇Hz的判斷，藉 值會從該頻卿GHz)上綠之控制指令 43-2 内容的方錢喊高好， 室2G之處理 之冷卻能力會更加提:;。動機43之旋轉速度，而各冷卻部 卻部41之、、w二二濟只較大的排氣能力’且室20的冷 狀態。以上的 部冷卻部41中之至少i個^頻率控制部51中持續判斷全 個冷部部41之溫度為第w限值以 201107603
上。此外，在頻率控制部51中完成現在的變頻裝置52之輸出 頻率_ζ)為未滿足上限值之馳的判斷，藉此，用以使輪 出頻率比現在的鮮(45Hz)上升服之控偏令值會從該頻 率控制部51輸人至變頻裝置52。結果，可對交流電動機43 供給頻率地值簡z之交流賴、，觀各冷4 能力會變成最大。 "P 換句話說，在時序t2〜t5中，判斷全部冷卻部Μ中之至少 1個冷卻部41之溫度為第1臨限值以上。因此，在變頻^ 52於各％序t2〜t5中，持續輸入用以使輪出頻率上升此的 ，制指令值。在此，使用此種賴縮過的氦氣而被冷卻的冷卻 部41，其溫度並不會按照氦氣供給量之增減而立即產生變化。 \7li 、#…在冷狀絶熱舰職需要長時_航或並孰傳 長時間的情況，由冷媒供給量之增減反映出達成冷卻部 从皿度需要花費相當的咖。因此若是冷卻部q之溫度急遽 也上升的情況’較佳為配合地大幅增大冷媒之供給量，而 $部41之溫舰慢地上升的叙，聰佳為齡地小幅增 大冷媒之供給量、或直接壓制該增大。 上所述，在本實施形態中，在至少】個冷卻部Μ連 •交成第1臨限值以上的情況下、即對其中丨個冷卻部41需要 ^-步的冷卻之情況’供、给至交流轴機43的交流電源之 =會階紐地上升。_，基於前相提雅_率造成各 ，部41之溫度變化後’可再進—步完成輪出頻率之上升。 右為此種控财法，射避免_裝置52的輸㈣率之過戶 201107603 上升 就可削減壓縮裝置42 ，且只要避免該頻率的 所消耗的電力。 上升， 二 而，在時序t6中，户 成為未滿第1臨限值之服。因 以上溫外AS λ解控卿51會靖財具帛1臨限值 的im。此外，在頻率控制部51中完成了現在 斷》萨此，用^頻率(5〇Hz)為比下限值(3〇Hz)還高的判 ^错此’ Μ使輸出頻率歧 令值會從簡置m ^ 動機43之旋轉逮度 置52結果’父流電 冷卻能力_餘。 在王部冷卻部41中，不會造成 全^^4_ ’ W㈣她㈣編力，且在 之12张祕总之z皿度在連續的檢測週期令為未滿第1臨限值 率減、、t7〜t9巾’該情·來使輸出辭比現在的頻 之控，指令值會從該頻率控制部51輸入至變頻裝 之頻車中，#變_置52所輪出的交流電源 = ㈣時，則在時序⑽以後，供給至交流 電動機43的⑽獅之鮮會轉在下限值之卿z。 換句話說，在時序t6〜U〇令，會連續完成各冷卻部41之 全部溫度為未滿第〗臨限值之觸。因此，在變頻裝置&， 在各時序t6〜tl0中係輸入有使輸出頻率_在的頻率減少服 之控制指令值。如上所述’使用此__過的氦㈣被冷卻 的冷卻部41並雜贿氣供給量之增_立即财溫度產生 f S： 20 201107603 變化。鼠，如上所述’在冷卻料之全部溫銳續未 1臨限值的情況、即不需要對冷卻部4丨進行更進—步之冷卻 的情況，供給至交流電動機43較流電狀解會階紐地 減少。藉此，基於因減少前次之輸出解而造成各冷卻部41 之溫度變化，可更進—步完成輸出頻率之減少。藉此，可使變 頻，置52之輸出頻率按照#時的冷卻部41之溫度而減少，且 可藉由減少其輸出解，來減低在壓縮裝置42所消耗的電 力。然後，在具備此種減壓系統的製造裝置ω中，可藉由該 減壓系統賴低的絲電力，來減傾製造裝置W的消耗電 力。 順便-提’若在時序t6中暫時完成各至少丨個冷卻部Μ 之温度為第1臨限仙上_斷，聽給至交流電動機犯的 交流電源之頻率，係繼續維持在上限值之5服。又例如，在 時序t8中，在暫時完成各至少i個冷卻部μ之溫度為第1臨 限值以上的判斷之情況，用以使輸丨頻率比現在的頻率(侧ζ) 上升5ΗΖ之控制指令值將從頻率控制部51輸入至變頻裝置 52。又例如，在時序t〇〜1〇中之任一個時序中，若暫時完成各 冷部部41之至少1個溫度為第2臨限值之138K以上的判斷， 則用以使其輸出頻率強制設定在上限值之50Hz的控制指令值 將輸入至變頻裝置52。 如以上所說明，依據本實施形態的減壓系統'及使用該減 壓系統的製造裝置10，可獲得下述效果。 (1)當全部冷卻部41中之至少1個冷卻部41的溫度為第1臨 201107603 限值以上時，_裝置52 提高，而當各冷卻部41之全精由頻率控制部51來 頻裝置幻之輪出頻率可同師由:^滿第1臨限值時’變 此種輪出頻率之控制方法，^頻要^部&來降低。若為 步的冷卻時，⑲加料/ ”要對切部41進行更進-可增強各特m41的統後給量，而 卻部4〗進行更進牛 b另方面，當沒有必要對冷 氣氣之^量=卻時，可減少供給至各冷卻部Μ的 可-邊對二41之冷卻能力。故而， 邊在降低輸出率佳地冷卻，一 力。 則减在m裝142所消耗的電 (2)頻率控制部51，係 "之溫度，且當全部得各冷卻部 度如臨限值以上時，使對變頻裝置^固冷卻部41的溫 限值在每_檢_期階段性地上升^ 上 輸出頻率崎齡冷卻部41之、，料卩/朗“别次之 的輸出齡夕以 賴化後，再執行更進一步 輸出頻率的辦。若為此種構成，則可避免變頻裝置52之 減在_裝^^上升，且藉由避免該過度的頻率上升，就可削 减在Μ縮裝置42所消耗的電力。 每-檢測週期取_部 度為未滿第^的溫 在預疋之母-檢測週期階段性地減少。因此，基於藉由減少 m 22 201107603 前次之輸出解而造成各冷卻部41之溫度變化後，再執行更 進-步的輸出解之減少。結果，可使變織置52之輸出頻 率按照當時的冷卻部41之溫度而減少，且可藉由減少該輸出 頻率，而減低在壓縮裝置42所消耗的電力。 ⑷頻率㈣部51，騎全部冷卻料巾之至少1個冷卻部 41的溫度為第2臨限值以上時’將變頻裝置52之輸出頻率設 為上限值之5GHz。若為此種構成，"要最優紐行冷卻部 41之冷卻時，可將冷_之冷卻能力設為紅，且可對冷卻 部41快速地冷卻。 另外’上述實郷態也可變更如下來實施。 在上述貝滅’雖輕減壓細翻於作為直空處理 裝置的半導财置之製妓置Η)，峡料祕/，、只要是 利用減織置及壓職置的敍，本㈣也可應職其他的裝 置。 <員犯风又頸率控制部51，係當全部冷卻部Μ中之 ^少1個冷卻部41的溫度騎2 _值以上時，將變頻裝置 ^輸出頻率設定在該變可輸出的上限值。然而，也 ^根據該第2臨限值的控制。在上述實施形態中，係當全 中之至少1個冷卻部41的溫糊i臨限值以上 據第^ Μ進行更進—步的冷卻。因而，即便省略根 ^限值的控制，本發明至少也可獲得上述⑴〜(3)之效果。 述實施形也之頻率控制部5卜係當根據各冷卻部Μ之 201107603 溫度，在全部冷卻部4 以將變縣置52之細==下較未滿第1臨限值時，就 階段性地降低的方式==在上述母—檢測週細向下限值 ,ljjkp51 ,1.,工工制輸出頻率。取代該控制方法，頻率控 時將響健!全部冷卻部41之溫度τ降至未滿第1臨限值 =Γ2之輪出頻率設定在下限值。即使此種構成， 本發明至少也可獲得上述⑴、⑵之效果。 •上述實施形態之頻率控制部5卜係當根據各冷卻部W之 溫度’在全部冷卻部41中之至少1個冷卻料的溫度為第i 匕限值以上時，就簡變頻裝置52之輪㈣率在每—檢測週 』向上限倾祕地提高的方式控制輸^鮮。取代該控制 方法，作為用崎冷卻部進行更進-步的冷卻之其他方 法’有例如.頻率控制部5卜也可以下限值與上限值之二個 值來控繼齡置52之_解。姐奴下，解控制部 Μ係當至少1個冷卻部Μ之溫度為第丄臨限值以上時，藉由 將變頻裝置52之輸itj鮮設定在上限值也可提高冷卻效果。 7•上述實施形態之頻率控制部51係在預定之每—檢測週期 取得各冷卻部4丨之溫度’且雜棘得的溫度翻變頻震置 52之輸出頻率。不限於此，頻率控制部51也可連續地取得冷 卻部41之溫度，而控制變頻裝置52之輸出頻率。 7 •上述實施形態之頻率控制部51，可非是在冷卻部41之至 少1個溫度為第1臨限值以上時階段性地提高變頻裝置52之 輪出頻率，而是也可以變成相應於該冷卻部41之溫度的頻率 之方式來設定變頻裝置52之輸出頻率。此時，當具有第i臨 24 201107603 限值以上之溫度的冷卻部41有複數個時，例如頻率控制部 51，也可以變成相應於此等冷卻部41中之最高溫度的頻率L 方式來設定變頻裝置52之輸出頻率。 •上述實施形悲中’作為壓縮裝置42之供給對象的冷卻部 之健，只要是配合壓縮裝置42之填裝能力的2個以上^ 個數，則該個數就未被特別限定。 •上述實施形態之減壓系統中’雖然使用低溫捕集器4〇作 為減壓裝置，但是也可使用低溫泵作為減壓裝置。另外，在使 用低溫泵作為減壓裝置時，較佳為適當變更第丨臨限值及第2 臨限值。 •圖5中，也可省略步驟S1G5(與上限值之5舰作比較)及 步驟si〇7(與下限值之30Hz作比較）。亦即，也可在至少i個 冷卻部41之溫度為第i _值(12张)以上時，立即相對地(例 如5Hz)提高輸出頻率，而在全部冷卻部41之溫度為未滿第】 臨限值(128K)時，立即相對地(例如5Hz)降低輸出頻率。 本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅 為實施本發明之範例。必需指出岐，已揭露之實施例並未限 制本土明之範圍。相反地’包含於巾請專利範圍之精神及範圍 之修改及鱗設置均包含於本發明之範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係顯不作為本發明之真空處理裝置的半導體裝置之製造 裴置的概略構成圖； 25 201107603 圖2中’(a)係顯示圖1 成圖；（b)係顯示圖1 構成圖； 之真工處理裝置之真空排氣部的概略構 之真工處理裝置之〶真空排氣部的概略 圖3係顯示圖1之第1 系統圖； 處理部之減職統巾的冷觀動配管的 圖4係顯示與構成圖1之第1虚採邱法 關之電氣概略構成的方/圖1處理权趨錢的壓縮裝置有 圖5係顯示圖4之以頻率控制部來控制變頻裝 流私的流程圖； 置之輸出頻率之 圖6係顯不圖1之第1處理部的各個室 與變頻裝置之輪出頻率的時序圖。 中的冷卻部之溫度推移 【主要元件符號說明】 10半導體裝置之製造裝置 11第1處理部 12弟2處理部 13緩衝室 15、25搬運室 16a、16b負载鎖定室 17〜20、26〜31室 21閘閥 22、32搬運機器人 34真空排氣部 35高真空排氣部 36、38粗抽泵浦 ' [S] 26 201107603 37渦輪分子泵浦 39 閥 40低溫捕集器 41 冷卻部 42壓縮裝置 43交流電動機 44壓縮部 45蓄壓器 46低壓氣體貯留部 50溫度感測器 51頻率控制部 52變頻裝置 53 外部電源