TW201105804A - Non-evaporable getter alloys particularly suitable for hydrogen sorption - Google Patents

Description

201105804 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於新穎之氫吸著能力提高的吸氣合金，以 該合金吸著氫之方法及使用該合金以移除氫之氫敏感性裝 置。 【先前技術】 〇 本發明之標的的合金在需要吸著大量氫之所有的應用 特別有用，即使於高溫使用亦然。吸氣合金於高溫之使用 具有重要性，因爲高溫使得吸氣合金吸收其他氣態雜質（ 如，H20、02、CO、C02、N2 )的能力最大化，所以但是 同時，該合金於高溫操作對於合金移除氫的能力造成負面 衝擊，且在一些情況中，合金本身會成爲氫污染的來源。 因此，根據本發明之合金之對於氫之改良的特性必須 就提高H2的總含量及非常低的氫平衡壓力之雙重可能意 〇義方面作嚐試和評估，當該合金於低（室）溫使用及當於 高溫（1 00 °c或更高）使用時，存在著這些性質。就根據 本發明之最感興趣的合金而言，應將這兩種性質列入考量 〇 在用於這些新的吸著材料之最感興趣的應用係太陽能 收集器（特別是指爲該系統的-必要部份的接收管）、照 明燈、真空幫浦和氣體純化處理。 在這些應用中使用吸氣材料移除氫爲已知者，但是目 前已開發和使用的溶液未能符合設定越來越多的嚴格限制 -5- 201105804 和約束之連續技術發展的要求。 特別地，在用於太陽能收集器之吸收管的領 的存在因爲自其增加中心體的導熱性而有害（其 液朝向接收管的外部流動，因此而逐漸降低其效 於在中心體中流動的流體基本上包含油’該油於 並製造該氫，所以此與氫存在相關的問題特別明； 在新一代的接收管（其使用不同材料以移除 〇 氫存在及造成性能衰退之問題特別明顯。 用於氫移除之最有效的解決方式之一揭示於 請人的專利案EP0869 1 95 B，其使用锆-鈷-A合 A至多1 0%且選自釔、鑭和其他稀土金屬。特別 金具有下列重量百分比：Zr8(K8%-Col4.2%和， 申請人以名稱St 787®售於市面上，其係特別受 〇 用於太陽能收集器之接收管的另一問題係與 〇 的高溫有關’此造成吸氣材料以不利於氫吸著能 著能力與操作溫度成反比）的條件操作。爲此， 技術方式’如專利案US 6,832,608中描述者，其 氣材料放置在太陽能收集器內部的特別解決方案 爲遮蔽吸氣材料以免與太陽能射線和收集器內部 溫度的部分接觸。 使用前述吸氣合金和遮蔽方案足以符合用於 集器之接收管領域中之目前的要求，但無法確保 接收器相關者’此係就操作溫度（預見其會高於 域中，氫 中熱移除 能）。由 高溫分解 頁。 熱）中， 屬於本申 金，其中 地，該合 、5%，由 到讚賞者 內部達到 力（氫吸 開發一些 描述將吸 ，其目的 具有最高 太腸能收 與新一代 5 00°C ) 201105804 和收集器之接收管內部之最高操作溫度（在沒有有效遮蔽 方案的情況下，會接近管的操作溫度）的氫能力二者而言 〇 需要有效移除氫的另一領域係照明燈，特別佳係金屬 鹵化物放電燈，其中即使低量的氫存在也會明顯降低燈的 特性’關於此降低現象的主要資訊可以見於國際專利申請 公告WO 03/029502和WO 2007/148362，其本身使用不同 〇 之吸著氫的材料。 在此特別的應用領域中，關於慣用的N E G合金，不 僅材料於高溫有效吸著氫的能力特別重要，就一些燈而言 ’材料之與其他氣體物種相關的低活化溫度亦重要。事實 上，希望材料的活化溫度不高於3 0 0 T：，此因使得吸氣材 料的活化法與燈之製法的整體化較簡單之故。 存在於一些類型的燈中之吸氣材料的另一要求在於其 必須能夠在氮存在下或在富含氮的環境中，於高溫吸著氫 〇 。 能夠於高溫吸著氫的吸氣合金的另一有利的應用領域 在於吸氣幫浦。此類型的幫浦揭示於許多專利案，如us 5，3 24,172和US 6,1 49,3 92，二者皆屬於本申請人。 能夠於高溫使用吸氣材料的幫浦提高其吸著其他氣體 之能力的效能；特別地’可以最有效的方式自幫浦移除的 氣體之一係甲烷。 能夠利用於高溫吸著氫的吸氣材料之優點的另—應用 領域係半導體工業中使用的氣體之純化。事實上，特別是 201105804 當需要局流率（通常局於數升/分鐘）時，吸氣材料需要 在高溫操作’以具有足夠能力用於移除氣體污染物，如 h2o、〇2、ch4、CO、co2。顯然，此條件不利於氫吸著 且，就此觀之’已實施以溫度梯度操作純化系統的解決方 案。通常，含有吸氣材料的匣筒之較低部分經冷卻，或者 ，無論如何，令其於比較高部分爲低的溫度操作，以有利 於氫吸著。此種解決方案述於專利案US 5,23 8,469。 〇 【發明內容】 因此，本發明的目的係提供新穎之非蒸散型吸氣合金 ，其能夠克服先前技藝的缺點，特別能夠於高溫具有較低 的H2平衡壓力。此外’部份這些材料亦具有其他的次要 優點，如活化溫度比此領域中常用的吸氣合金爲低，及亦 能夠在氮氣或富含氮的氣體中操作。 以非蒸散型吸氣合金達到這些目的’該合金包含由釔 Ο 或釔等同混合物所組成的第一元素和選自s i、B、G e、P d 、Cd、In、Sb、ΤΙ、Pb、Bi、Ag 的第二元素’其中： - 若該第二元素選自 Si、Ge、Pd、Cd、In、Sb、Tl、 Pb、Bi，則該第一元素的原子百分比介於65和98%之間 » - 若該第二元素是Ag，則該第一元素的原子百分比介 於5 0和9 8 %之間，或 - 若該第二元素是B ’則該第一元素的原子百分比介於 3 0和9 8 %之間。 201105804 較佳體系中，該第二元素的原子百分比係至少5°/。’ 且至少8 %更佳。 釔等同混合物係具有優勢釔含量至少95原子％之混合 物，其餘部分基本上由稀土金屬所形成，其中“基本上”是 指可能有微量的其他元素存在，其中微量的其他元素的總 量通常不高於1原子％。 至於本發明之合金的性能，較佳地，該吸氣合金係藉 Q 由使用釔作爲第一元素，而製得，但其有無可避免的其他 元素微量存在。因此，較佳係基本上使用釔（就前文關於 “基本上”一詞的定義觀之，299% )作爲第一元素。 雖然在本發明考慮的範圍內，其他元素之存在不會明 顯改變合金的行爲，此定義將通常可利用的釔並非純淨但 可含有其他元素（如前述稀土金屬）列入考慮。 亦將參考圖式詳細說明本發明，圖式中： 圖1至7出示以根據本發明之合金製造之吸氣設備之 〇 不同的可能形式。 這些圖中，尺寸比例可失真，以提高其易讀性，且各 元件之表示僅具有針對合金（本發明之標的物）的使用方 式舉例說明之目的。 一些用於氫吸著之以釔爲基礎的二元和三元合金的用 途述於專利案GB 1248 1 84:該文件揭示不同於根據本發 明的二元和三元組成物。特別地，關於該二元組成物，所 述的釔合金的第二元素選自 Zr、Ti、Nb、Hf、Mo、Ta、 W、V ’未以明確方式指定二元組成物實施本發明之有用 -9 - 201105804 的比例；事實上，該專利案中，指定釔含量變化可 5和9 9 %之間。在此專利案和本發明之標的物之間 根本差異在於該先前技術文件指出，不應使用不會 成介金屬化合物之元素’此與本發明所使用的元素 此差異導致造最高吸著性。 反之，國際專利申請案WO 03/029502描述兩 類型的二元釔合金，特別是釔-釩和釔-錫。 〇 根據本發明之合金可藉純元素（較佳爲粉末或 所欲的原子比熔合而製得。此熔合必須在控制的氣 真空下或惰性氣氛（較佳係氬））中進行，以防止 合金的氧化反應。 根據本發明之合金可以使用單一合金體製造的 置形式使用。圖1至3顯示此種裝置。圖1和2分 筒10和板20，其係藉由切割適當厚度的合金薄板 藉由壓縮合金粉末而得到。用於實際用途，裝置必 〇 在維持於無氫條件下之容器中的固定位置。當該表 金屬時，裝置10和20可以直接固定至容器的內表 如’藉點焊。或者，此種裝置10或20可以藉適當 置在容器中；置於載體上可以藉焊接或機械壓縮進 3出示吸氣裝置30的另一可能的體系，其中使用根 明之合金之不連續物體，特別用於那些具有高可塑 金。此情況中，合金製成條狀，自該條狀物切下具 尺寸的片3 1 ;此片於部分3 2以金屬線形式環繞載I 曲。載體3 3可爲線形，但較佳具有曲線3 4、3 4 ’、 以介於 的另~~~ 與釔形 不同， 種不同 片）以 氛（如 製得之 吸氣裝 別出示 製造或 須放置 面製自 面，例 載體放 行。圖 據本發 性的合 有所欲 I 33彎 3 4”， -10- 201105804 此有助於片31的非定域化；可以藉由重疊區35中的一或 數個焊點（圖中未示）確保維持片狀，但考慮這些合金的 可塑性，在彎曲環繞載體33的期間內，簡單的壓縮便足 夠。 或者，藉由使用根據本發明之合金的粉末能夠製造其 他吸氣裝置。在使用粉末的情況中，這些較佳具有粒子尺 寸低於500微米，且介於0和125微米之間更佳。 〇 以粉末爲基礎的裝置示於圖4至7。圖4出示具有錠 41狀之裝置40的截面圖，其中載體42插入；此裝置可以 ，例如藉由在倒入粉末之前，已在模具中製備載體，粉末 在模具中壓縮製得。或者，載體42可以焊至錠41。圖5 出示根據本發明之合金51粉末，在金屬容器52中壓縮而 形成的裝置5 0 ;裝置5 0可以’例如藉由將裝置5 0焊至容 器52而固定至載體（圖中未示）。最後’圖6和7出示 根據本發明之吸氣裝置之另一可能的體系的不同視圖。此 Ο 種裝置製自載體60，該載體60製自金屬薄板61:薄板中 ，藉由在適當模具（未示）中印刷而製造凹陷62 ’之後， 藉由切割移除凹陷之底部的一部分’得到孔6 3。此載體維 持在印刷模具中且以合金粉末塡補凹陷，然後於原處壓縮 此合金粉末，藉此得到裝置7〇 (沿著圖6的線A-A’之截 面可看到），其中粉末包，71，具有2個外露表面72和 73，用於氣體吸收。 在根據本發明之所有的裝置中’非以根據本發明之合 金製造的容器和任何其他金屬部分係以具有低蒸氣壓的金 -11 - 201105804 屬（如鎢、鉬、鈮或鉬、鎳、鎳鐵或不銹鋼）製造，以防 止這些部分會因爲該裝置暴露的高操作溫度而蒸發。 根據本發明之合金亦可用以製造濺鍍技術（其造成靶 材在適當表面上蒸發）中使用的靶材。 該靶材可以藉多種技術製造。例如藉粉末的燒結或高 壓燒結。 製造微電子裝置製造中使用之具有整體化的吸氣材料 0 之載體時（如專利案US 7,180,163和US 6,897,551，皆屬 本申請人），用以沉積吸氣材料薄膜的濺鍍技術特別有利 。可用以製造薄膜吸氣沉積物的另一技術係電子束蒸發技 術領域已知者之類，此處因爲電子撞擊，釋放吸氣材料而 形成薄膜。更常使用使得吸氣材料自靶材以經控制的方式 發射的其他技術。 在此方面，重要的是解釋，在此領域中，不會因爲活 化程序而蒸發的合金以“ N E G ”表示和引用，與所謂的蒸散 型吸氣合金（例如屬於本申請人之已公開的國際專利申請 案WO 2 0 00/〇7 2 09中描述之以鋇和鋁爲基礎的吸氣材料） 不同。通常，這些合金的蒸發以極迅速且無法控制的方式 發生；事實上，有時也將這些材料稱爲“快速吸氣材料，’。 因此，根據本發明之吸氣合金（因爲它們不會因爲它 們的蒸發作用而蒸發，所以其可定義爲NEG )可以在如濺 鍍方法中沉積，即，在PVD法（物理氣相沉積法）中， 並不會與技術領域中的NEG —詞之前述意義互相矛盾。 亦可以使用粉末之燒結或高壓燒結而將本發明之標的 -12- 201105804 物非蒸散型吸氣合金製成許多不同形狀，如碟、條、環· · 等，而用於吸氣幫浦。 本發明人發現係本發明之標的物的合金於需要一些限 制或特別特性的一些應用特別有利。 特別地，在用於太陽能收集器的接收管的情況中，其 能夠吸收氫，即使於特別高的操作溫度（在一些情況中甚 至達600°C )亦然；此種應用中，使用合金Y-Si和Y-Sb 0 較佳。 在燈的情況中，特別有利地，使用合金Y-B、Y-Ge、 Y-Si，其具有之前指定的釔或釔等同混合物含量，本發明 人亦注意到合金Y-Pb、Y-Sb、Y-Cd、Y-T1雖然具有令人 感興趣的吸氫特性，但在特定應用上由於與其使用有關的 環境衝擊問題而使得接受度低得多，在高度發展的工業應 用中尤然。反之，自其成本考量，使得Y-Pd合金爲此應 用較不感興趣者。 〇 氣體純化範圍中’這些材料通常安裝於適當容器中， 該容器具有入口、出口和熱調節裝置。在自氮流移除雜質 的情況中，在.筒溫的氫吸著能力變得重要：使用γ - S b、 Y-Pb、Y-B和Y-Pd合金較佳。 吸氣幫浦的領域中’要求係藉由在高溫（特定於200-4 〇 〇 °C )操作’使得吸氣材料能夠有效率地吸著可能存在 於待排空的槽中的其他氣體雜質，以有效率的方式吸著氫 。此情況中’本發明之標的物之所有的合金具有的特性在 於其有利於此應用’在較高溫度對於氣體雜質具有較高親 -13- 201105804 和力者特別佳。特定言之，較佳者因此係合金Υ - s i、Υ - B i 、Y-Sb 。 第二方面，本發明含括於對氫的存在敏感之裝置（即 ’氫對裝置的特性或性能造成負面衝擊者）移除氫之方法 ’此係藉非蒸散型吸氣合金完成，而該合金包含由銘或紀 等同混合物所組成的第一元素和選自Si、B、Ge、Pd、Cd 、In、Sb、Tl、Pb、Bi、Ag 的第二元素，其中： Ο - 若該第二元素選自 Si、Ge、Pd、Cd、In、Sb、ΤΙ、 Pb、B i ’則該第一元素的原子百分比介於6 5和9 8 %之間 f - 若該弟一兀素是Ag，則該第一元素的原子百分比介 於50和98%之間，或 - 若該第二元素是B，則該第一元素的原子百分比介於 3 0和9 8 %之間。 根據本發明之方法發現粉末狀、粉末壓成九狀、層壓 〇 在適當金屬薄板或配置在適當容器內部之形式、及薄膜形 式（通常厚度爲數微米）的吸氣合金二者之應用。 製造該薄膜的較佳技術係藉適當的合金靶材（其通常 經燒結或經加壓燒結）之濺鍍。此吸氣材料膜可以直接沉 積在氫敏感性裝置的內表面上’或沉積在用以製造該敏感 性裝置的載體上’其中該吸氣材料將明顯直接朝向裝置的 內表面並因此而與裝置內部氣體接觸。 根據本發明之方法亦可以有利地利用與前述吸氣合金 之可能的特性相關之前述一些或所有特點。 -14- 201105804 與本發明之標的物吸氣材料之放置有關之先前解釋的 考量爲一般敘述且適用於其施用，與材料的使用模式或其 容器的特別構造無關。 第三方面’本發明含括於藉非蒸散型吸氣合金移除氫 的氫敏感性裝置中，其中該合金包含由釔或釔等同混合物 所組成的第一兀素和選自Si、B、Ge、Pd、Cd、In、Sb、 Tl、Pb、Bi、Ag的第二元素，其中： 〇 — 若該第二兀素選自 Si、Ge、Pd、Cd ' In、Sb、ΤΙ、 Pb、Bi，則該第一元素的原子百分比介於65和98%之間 1 - 若該第二元素是Ag’則該第一元素的原子百分比介 於5 0和9 8 %之間，或 - 若該第二元素是B，則該第一元素的原子百分比介於 3 0和9 8 %之間。 在敏感性裝置係太陽能收集器時，特別佳地，使用具 〇 有矽或銻作爲第二元素之合金。 將藉下列實例進一步說明本發明。這些非限制例提出 一些體系，這些體系試圖指導嫻於此技藝者如何將本發明 付諸實行及表現實施本發明的最佳模式。 【實施方式】 實例1 在氬氣存在下，自純釔和第二元素，在電弧烤箱（ arc oven )中製備數個合金樣品，其中熔化溫度取決於製 -15- 201105804 得之合金的特定種類且係變化於1 2 0 0 °C和1 5 0 0 °c之間。 熔化法製造棒’其之後在篩過的粉末中粉碎以具有粒 子尺寸低於150微米。 最後，15〇毫克合金在適當環形容器中壓縮；特別地 ’根據則述者’製備樣品1 - 9和比較用樣品c 1 - c 3，後者 係藉由在與根據本發明不同的條件下操作；特別地，樣品t c 1有關以不同組成範圍得到的合金；而C2和C3則係以不 〇 同化學組成得到。 該樣品之描述示於表1: 表1 樣品 組成 原子百分比 1 樣品1 Y-B ~ -〜 Y-92 B=8 樣品2 Y-Pd Y=92 Pd=8 樣品3 Y-Ge Y=92 Ge=8 樣品4 Y-Sb ----— Y-92 Sb=8 樣品5 Y-Si Y=92 Si=8 樣品6 Y-In Y=92 In=8 樣品7 Y-Pb Y=92 Pb=8 樣品8 Y-Bi — Y=92 Bi=8 樣品9 Y-Ag ----— Y=92 Ag=8 樣品cl Y-Si ---〜 Y=59 Si=41 樣品c2 Zr-CO-MM ------ Zr=80, Co=15 A=5 樣品c3 Zr-Fe-Y — Zr=70 Fe=15 Y=15 然後以不同實驗定出在容器中壓縮的合金粉末之特性 -16 - 201105804 實例2 藉由維持於2 0 0 °C ’定出先前樣品的氫吸著能力特性 〇 特別地，表2中出示’在光譜計中測得的壓力提高至 高於1〇·4百帕（hPa)之前’吸著的氫量（以百帕*升/克 表示）：因此，此數據提供了合金總能力的實驗示性。 表2 樣品 組成 比平衡壓力<KT4百帕時，吸著的氫量（百帕*升/克） 樣品1 Υ-Β 247 樣品2 Y-Pd 228 樣品3 Y-Ge 216 樣品4 Y-Sb 214 樣品5 Y-Si 211 樣品6 Y-In 191 樣品7 Y-Pb 177 樣品8 Y-Bi 174

比較用樣品之示性提供特別負面的結果：特別是比較 用樣品cl’合金Y (59%) -Si (41%)，顯示平衡壓力約 1百帕。 當暴於約1 3 0百帕*升/克的h2量下，樣品c2 (即， 合金St787的樣品’ St78 7在此技術領域中極有價値）無 法提供低於W3托耳的値。 實例3 此實驗披露樣品在氮氣流中之Η 2吸著能力的特性。 -17- 201105804 由於會發生吸氣材料·與氮的交互作用並因此而降低用於 H2之能力，所以該氣體是關鍵。 樣品於4 0 0 C測s式’藉由使其暴於含有1 % η 2的N 2氣 流（約12〇cc /分鐘’在大氣壓下）並以氣相層析儀測定 在實驗設定中降低氫濃度的吸氣能力。 此結果係關於吸著能力，即，在表3所示測試條件下 ’在吸氣材料飽和之前，藉吸氣材料移除氫的總量。 〇 表3 樣品 組成 能力（百帕*升/克） 樣品1 —一 — Y-B 170 樣品2 —— Y-Pd 146 樣品3 — 一 Y-Ge 159 樣品4 - ------ Y-Sb 210 樣品5 ----- Y-Si 148 樣品7 ----- Y-Pb 173 樣品8 ------ Y-Bi 131 樣品9 -------- Y-Ag 118 樣品c3 -- Zr-Fe-Y 112

此情況中，較佳地，比較根據本發明之合金及比較用 胃@ e3 (其此對應申請人銷售之名稱爲St7 77®的合金， 其係域中目前讚賞的合金）。 實例4 此_驗硏究樣品於減低溫度（即，200。(：）活化之後 ’方< 吸收不同氣體（C0，25。(：）的能力。所得結果示於表 -18- 201105804 4 〇 表4 樣品 組成 於25°C吸著的CO量（百帕*升/克） 樣品1 Y-B 0.0083 樣品2 Y-Pd 0.0005 樣品3 Y-Ge 0.0048 樣品4 Y-Sb 0.0189 樣品5 Y-Si 0.0013 樣品6 Y-In 0.0007 樣品8 Y-Bi 0.0012 實例5 此實例定出以Y-Si合金製造的樣品5吸著大量的氫 (1 3 0百帕*升/克）之後，於不同溫度的平衡壓力。所得 結果示於表5。 樣品 溫度rc) 比平衡壓力（托耳） 樣品5 : Y-Si 500 〈nr4 樣品5 : Y-Si 550 ~10'4 樣品5 : Y-Si 600 =10·3 實例6 此實例定出吸氣材料於400°C活化並使得吸氣材料維 持於高溫200 °C之後，吸著另一氣態雜質，氮，的能力。 -19- 201105804 樣品 組成 於200°C吸著的N2量（百帕*升/克） 樣品1 Y-B 0.016 樣品2 Y-Pd 0.014 樣品3 Y-Ge 0.014 樣品4 Y-Sb 0.226 樣品5 Y-Si 0.053 樣品6 Y-In 0.019 樣品7 Y-Pb 0.030 樣品8 Y-Bi 0.056 Ο 實例7 亦以X-射線繞射儀對製得的樣品定性以評估合金的 主要相。 所得結果示於表6。 表6 樣品 組成 相 樣品1 Y-B y-yb2 樣品2 Y-Pd Y-Y5Pd2 樣品3 Y-Ge Y-Y5Ge3 樣品4 Y-Sb Y-Y3Sb 樣品5 Y-Si Y-Y5S13 樣品6 Y-In Y-Y2In 樣品7 Y-Pb Y-Y5Pb3 樣品8 Y-Bi Y-Y5B13 如實例2結果所示者，藉由在20(TC操作，根據本發 明之材料保證低H2平衡壓力，即使已吸著大量的H2之後 亦然，特別地，它們皆能夠確保在吸著1 70百帕*升/克 -20- 201105804 氫之後的壓力低於1 〇·4百帕，其能力比可以作爲此領域之 參考物的St 787®合金高出30%。 實例3顯不根據本發明之合金用於氮氣中時，能力比 可以作爲此領域之參考物的S t 7 7 7 ®合金高出至少2 0 %， Y -Ag亦具有相仿且不論如何皆略爲較佳的特點。 實例4顯示根據本發明之合金吸著C 〇的能力，即使 於低溫活化亦然。 〇 實例5顯示根據本發明之合金（特別參考Y-Si )能夠 有效吸著氫，即使於極高溫度亦然。其於600 °c仍具有良 好（即使在降低的情況）的能力。 實例6顯示當維持於相對高溫（即，200°C，常溫和 活化溫度之間之半），Y - S i、Y - S b、Y - B i具有最佳吸著特 性’使得這些金屬在吸氣幫浦中具較佳用途。 實例7顯不根據本發明之合金製自該合金的第二元素 之至少一種介金屬相與釔。 〇 因此’先前實驗顯示釔或釔等同混合物與第二元素之 合金在此第二元素的化學性質和在第一與第二組份之間的 原子比方面皆有強烈依存性。 【圖式簡單說明] 圖1至7出示以根據本發明之合金製造之吸氣設備之 不同的可能形式。 【主要元件符號說明】 -21 - 201105804 • /frA; • 同 :板 Ο :吸氣裝置 :片 =部分 :載體 •曲線 •曲線 ’：曲線 :重疊區 :裝置 :錠 :載體 :裝置 :合金 :金屬容器 :載體 :金屬薄板 :凹 :孔 :裝置 :粉末包 :外露表面 =外露表面 -22-

Claims (1)

1. 201105804 七、申請專利範圍： 1. 一種藉由非蒸散型吸氣合金自對氫之存 裝置移除氫之方法，其中該合金包含由釔或釔等 所組成的第一元素和選自Si、B、Ge、Pd、Cd， Tl、Pb、Bi、Ag的第二元素，其中： — 右該桌—兀素選自Si、〇 e、p d、c d、In、 Pb、Bi ’則該第一元素的原子百分比介於μ和 〇 _ 右該弟一兀素疋Ag’則該第—元素的原子 於5 0和9 8 %之間，或 - 右該第一兀素是B’則該第一元素的原子互 3 0和9 8 %之間。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中診 至等於或高於1〇〇°C的溫度。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中診 〇 二元素係該非蒸散型吸氣合金之至少75%。 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中H 二元素係該非蒸散型吸氣合金之至少9 〇 %。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中髮 的原子百分比係至少5%。 6. 如申請專利fe圍第1項之方法，；!：中g 的原子百分比係至少8 %。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，：!：中, 基本上由釔所組成。 在敏感的 同混合物 In 、 Sb 、 Sb 、 ΤΙ 、 9 8 %之間 百分比介 分比介於 合金加熱 第一和第 第一和第 第二元素 第二元素 弟一兀素 -23- 201105804 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該釔等同混 合物包含至少95原子％的紀1 ’且其餘部分基本上由稀土金 屬所形成。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該吸氣合金 係以薄膜形式存在。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該膜係藉濺 鍍或電子束蒸發製得。 〇 11.如申請專利範圍第1項之方法，其中該非蒸散型 吸氣合金係安置於氣體純化系統中。 12. —種氫敏感性裝置，其特徵在於氫係藉由非蒸散 型吸氣合金而移除，其中該非蒸散型吸氣合金包含由釔或 釔等同混合物所形成的第一元素和選自Si、B、Ge、Pd、 Cd、In、Sb、Tl、Pb、Bi、Ag 的第二元素，其中： - 若該第二元素選自 Si、Ge、Pd、Cd、In、Sb、Tl、 Pb、Bi，則該第一元素的原子百分比介於65和98 %之間 〇 ' 若該第二元素是Ag，則該第一元素的原子百分比介 於5 0和9 8 %之間；或 - 若該第二元素是B，則該第一元素的原子百分比介於 3 0和9 8 %之間。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之氫敏感性裝置，其中 該裝置係太陽能收集器。 14·如申請專利範圍第1 3項之太陽能收集器，其中 該第二元素係矽或銻。 -24- 201105804 1 5 .如申請專利範圍第1 2項之氫敏感性裝置，其中 該裝置係照明燈。 16. 如申請專利範圍第1 5項之燈，其中該第二元素 係選自S i、B、G e。 17. 如申請專利範圍第1 2項之氫敏感性裝置，其中 該裝置係吸氣幫浦。 18. 如申請專利範圍第1 7項之幫浦，其中該第二元 〇 素係選自Si、Sb、Bi。

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